TW201801227A - 真空吸附裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明關於一種真空吸附裝置，上述真空吸附裝置包括：主體，以可向一側方向移動的方式設置；以及吸附部，設置於上述主體的上部面，上述吸附部在放置所要吸附的物件物之後通過形成真空來吸附並固定物件物，在上述吸附部設置有用於形成真空的真空形成空間，在上述主體以與上述真空形成空間相連通的方式沿著上下方向形成有複數個吸入口，從而增加利用真空吸附半導體條帶的吸附面積，由此獲得可穩定地吸附並固定半導體條帶或半導體晶片的效果。
Description
本發明關於一種真空吸附裝置，更詳細地，關於利用真空對所要吸附的物件物進行吸附的真空吸附裝置。
一般情況下，通過如下過程來製造半導體封裝件，亦即，在由矽材質製造的半導體基板上製造電晶體及電容器等形成有高性能積體電路的半導體晶片之後，將其附著於引線框或印刷電路基板等條帶材料，在為了使上述半導體晶片與條帶材料相互通電而利用金屬線等來電連接之後，為了從外部環境保護半導體晶片而利用環氧樹脂進行模塑。
這種半導體封裝件以矩陣式排列的形態封裝於條帶材料中，條帶材料中的各個封裝件經過切割被單獨分離，以如上所述的方式單個分離的複數個封裝件在根據預先設定的品質標準來被篩選之後，通過裝載於托盤等來被移送至後續步驟。
完成模塑步驟的形態稱之為半導體條帶或半導體材料，半導體條帶包括複數個半導體封裝件。為了在半導體條帶或半導體材料中分離各個的半導體封裝件而執行切割步驟。
在經過切割步驟之後，使複數個半導體封裝件經過清洗和乾燥等後續步驟，之後移動到上述轉檯來接受視覺檢查(vision inspection)，之後通過排序選擇器得到分類。
例如，在以下專利文獻1及專利文獻2中公開了半導體條帶和半導體製造裝置的吸附單元結構。
在專利文獻1中記載有如下的基板條帶的結構，亦即，上述基板條帶包括：矩形底部基板；複數個單位基板，通過劃分底部基板而成；模具澆口，形成在位於底部基板長邊的複數個單位基板的一部分；以及模型，通過劃分底部基板來形成於底部基板的相向的2個短邊。
在專利文獻2中記載有如下的半導體製造裝置用吸附單元的結構，亦即，上述吸附單元包括本體，上述本體包括用於吸附半導體條帶或複數個半導體封裝件的吸附墊和用於收容吸附墊的吸附墊收容部，吸附墊在以與吸附墊收容部的邊緣尺寸相對應的方式形成之後附著於吸附墊收容部。
並且，本案申請人在以下專利文獻3中公開了半導體條帶磨床技術，並經過申請獲得了授權。
在專利文獻3中記載有如下的半導體條帶的磨床結構，亦即，至少一個半導體晶片安裝在底部基板的上部面來得到封裝的複數個單位基板，上述複數個單位基板對向左右方向及前後方向排列的半導體條帶的模塑保護層進行磨削來減少半導體條帶的厚度。
例如，圖1為先前技術的工作臺的立體圖。
如圖1所示，先前技術的工作臺1為了與半導體條帶的形狀相對應而大致呈矩形板形狀，工作臺1的上部面由通過放置半導體條帶來利用真空進行吸附的吸附面2形成，在工作臺1沿著上下方向形成有複數個吸入口3，以通過吸入空氣來形成真空狀態。
專利文獻1：韓國專利授權公報第10-0872129號(2008年12月8日公告)。
專利文獻2：韓國專利公開公報第10-2014-0024627號(2014年3月3日公開)。
專利文獻3：韓國專利授權號第10-153182號(2015年6月24日公告)。
但是，在適用於先前技術的半導體條帶磨床的工作臺1吸附半導體條帶的過程中，可能在半導體條帶的下部面與吸附面2之間形成微細的空間。
由此，隨著先前技術的工作臺1中用於形成真空而生成的壓力受到損失，在半導體條帶以並非穩定固定的狀態下執行磨削工作的情況下，存在磨削面的平坦度下降的問題。
因此，先前技術的工作臺1存在如下問題，亦即，在進行磨削工作時因半導體條帶的磨削面受損或破損而使不良產品的數量增加，從而降低產品的收益率。
即使為解決這種問題而增加吸入口3的直徑或提高真空壓力，也因工作臺1與半導體條帶相互接觸的接觸面積方面的限制，因而在完全防止壓力損失方面存在局限性。
為了解決如上所述的問題，本發明的目的在於，提供可通過利用真空對所要吸附的物件物進行吸附來穩定地固定物件物的真空吸附裝置。
本發明的再一目的在於，提供可通過增加物件物的被吸附面積來防止壓力損失的真空吸附裝置。
本發明的另一目的在於，提供可通過與所要吸附的物件物的形狀及大小無關地吸附對象物來穩定地固定物件物的真空吸附裝置。
為了實現如上所述的目的，本發明的真空吸附裝置包括：主體，以可向一側方向移動的方式設置；以及吸附部，設置於上述主體的上部面，上述吸附部在放置所要吸附的物件物之後通過形成真空來吸附並固定物件物，在上述吸附部設置有用於形成真空的真空形成空間，在上述主體以與上述真空形成空間相連通的方式沿著上下方向形成有複數個吸入口。
如上所述，根據本發明的真空吸附裝置，通過增加利用真空吸附物件物的吸附面積，從而獲得可穩定地吸附並固定半導體條帶或半導體晶片的效果。
並且，根據本發明，根據所要吸附的物件物的形狀及大小來變更主體及吸附部的形狀及面積，從而獲得可穩定地吸附多種形狀及大小的對象物的效果。
由此，本發明獲得如下效果：在對半導體條帶或半導體晶片的模塑保護層進行磨削的過程中，防止真空壓力損失，並且可事先預防因半導體條帶或半導體晶片的流動而發生的不良。
1‧‧‧工作臺
2‧‧‧吸附面
3‧‧‧吸入口
10、11、12、13‧‧‧真空吸附裝置
20‧‧‧主體
21‧‧‧傾斜面
22‧‧‧緊固孔
23‧‧‧防壓力損失部件
24‧‧‧結合槽
25‧‧‧吸入口
30‧‧‧吸附部
31‧‧‧真空形成空間
32‧‧‧支撐塊
圖1為先前技術的工作臺的立體圖。
圖2為本發明第一實施例的真空吸附裝置的立體圖。
圖3為在圖2中示出的真空吸附裝置的俯視圖。
圖4為沿著在圖2中示出的A-A’線剖切的剖面立體圖。
圖5為本發明第二實施例的真空吸附裝置的示例圖。
圖6為本發明第三實施例的真空吸附裝置的立體圖。
圖7為在圖6中示出的真空吸附裝置的俯視圖。
圖8為沿著在圖6中示出的B-B’線剖切的剖面立體圖。
圖9為本發明第四實施例的真空吸附裝置的示例圖。
以下，參照圖式，對本發明較佳實施例的真空吸附裝置進行詳細說明。
在本實施例中，對真空卡盤單元的工作臺進行說明，其適用於用來去除形成在半導體條帶上部面的模塑保護層的半導體條帶磨床。
當然，本發明並不局限於此，應當注意，本發明可適用於通過吸附所要吸附的物件物來進行固定的多種技術領
域及結構的真空吸附裝置。
以下，“左側”、“右側”、“前方”、“後方”、“上方”及“下方”等用於指示方向的術語被定義為基於各個圖式中所示出的狀態來指示的各個方向。
圖2為本發明第一實施例的真空吸附裝置的立體圖。
如圖2所示，本發明第一實施例的真空吸附裝置10可包括：主體20，以與所要吸附的物件物，亦即，半導體條帶相對應的方式呈矩形板形狀；以及吸附部30，設置於主體20的上部，通過形成真空來吸附半導體條帶。
這種真空吸附裝置10適用於設置在半導體條帶磨床的真空卡盤單元(未在圖式中示出)，上述真空卡盤單元通過固定半導體條帶來使半導體條帶向磨削單元(未在圖式中示出)的下部移動，從而當進行磨削工作、清洗工作及厚度檢查工作時執行使半導體條帶向預先設定的方向以及相當於預先設定的間隔移動的功能。
為此，上述真空卡盤單元可包括：Y軸機器人，用於向半導體條帶的移送方向，例如，像在圖2中示出的X軸方向和直角方向，例如，使真空吸附裝置10向Y軸方向移動；真空泵，與真空吸附裝置10相連接，用於形成真空，以產生吸力；以及清洗水泵(未在圖式中示出)，用於向真空吸附裝置10供給清洗水。
然後，參照圖2至圖4來詳細說明真空吸附裝置的結構。
圖3為在圖2中示出的真空吸附裝置的俯視圖，圖4為沿著在圖2中示出的A-A’線剖切的剖面立體圖。
如圖2至圖4所示，主體20的橫向及縱向長度大於半導體條帶的橫向及縱向長度，主體20的上部面的外側端，亦即，前端與後端、左側端與右側端以及各個吸附部30之間形成為朝向外側下方傾斜的傾斜面21。
為了固定於上述真空卡盤單元，可在傾斜面21的邊緣部分形成有用於緊固固定螺栓的複數個緊固孔22。
並且，可在主體20的上部面沿著吸附部30的周邊設置有用於防止在半導體條帶與吸附部30之間發生的真空壓力損失的防壓力損失部件23。
可將防壓力損失部件23設置成由橡膠材質製造的橡膠墊，以具有彈性和氣密性。
這種防壓力損失部件23可以呈具有與半導體條帶的大小相同的橫向及縱向長度的方框形狀，以緊貼於半導體條帶的下部面。
另一方面，在主體20的上部面可沿著吸附部30的邊緣以凹入的方式形成有結合槽24，以與防壓力損失部件相結合。
由此，防壓力損失部件23以插入的方式與沿著吸附部30的邊緣形成的結合槽24相結合，其中，防壓力損失部件23的上端相對於主體20及吸附部30的上部面向上方突出相當於預先設定的高度。
這種主體20可利用通過上述清洗水泵的驅動來供給
的清洗水對完成磨削工作的半導體條帶進行清洗。
為此，與真空泵相連接的吸氣管和接收清洗水的清洗水供給管可以與主體20的一側相連接。
並且可在主體20設置有利用清洗水來對半導體條帶的上部面和下部面進行清洗的各個清洗單元(未在圖式中示出)。
另一方面，在主體20以與以下說明的吸附部30的真空形成空間31相連通的方式沿著上下方向形成有複數個吸入口25。
吸入口25通過管(未在圖式中示出)與上述真空泵相連接，為了吸附半導體條帶，上述吸入口25執行藉助真空泵的驅動吸入填充於真空形成空間31的空氣來在真空形成空間31形成真空壓力的功能。
吸附部30的面積可以與所要吸附的半導體條帶的下部面的面積相同或略微小於上述半導體條帶的下部面的面積，以便與所要吸附的半導體條帶的下部面面積相對應。
在吸附部30設置有形成真空的真空形成空間31，可在真空形成空間31排列有用於對放置於吸附部30的半導體條帶的下部面進行支撐的複數個支撐塊32。
支撐塊32可以呈剖面大致呈四邊形形狀的六面體形狀。
當然，本發明並不局限於此，除了六面體形狀之外，可將支撐塊32的形狀變更為剖面呈圓形形狀的圓柱形狀或剖面呈三角形狀或五角形狀等的多角形狀的立體形狀。
其中，可根據所要吸附的半導體條帶的大小、厚度、真空壓力等條件來對吸入口25和支撐塊32的大小及數量、各個吸入口25之間的間隔及各個支撐塊32之間的間隔進行多種變更。
例如，可將吸入口25的直徑和支撐塊32的橫向及縱向長度分別設定為約2mm，可將各個吸入口25之間的間隔及各支撐塊32之間的間隔分別設定為約2mm至2.5mm。
其中，在真空形成空間31中所形成的真空壓力的大小可能受上述真空泵的容量、吸入口25的直徑及支撐塊32的上端截面積的影響。
因此，在本發明中，在採用與適用於先前技術的真空泵具有相同容量的真空泵的情況下，可通過增加吸入口25的直徑或使支撐塊32的上端截面積最小化，來提高作用於真空形成空間31的真空壓力。
尤其，在本發明中，即使以與適用於先前技術的工作臺1的吸入口3直徑相同的方式形成吸入口25的直徑，也通過使支撐塊32的上端截面積最小化來增加真空為吸附半導體條帶而起到作用的吸附面積，從而可提高作用於真空形成空間31的真空壓力。
並且，在本發明中，沿著吸附部30的邊緣設置防壓力損失部件23來使半導體條帶緊貼於防壓力損失部件23的上部面，從而防止真空壓力損失，由此可穩定地吸附並固定半導體條帶。
通過將先前技術的工作臺1和以如上所述的方式構成
的本實施例的真空吸附裝置10應用於各個真空卡盤單元來進行實驗的結果，在先前技術的工作臺適用5馬力的真空泵的情況下，在吸附面2的總面積中最大限度地可在約30%的面積形成吸入口3，從而真空壓力所作用的吸附面積也呈現出約30%的水準。
相反，即使適用相同的真空泵，並採用相同的吸入口25直徑，本實施例的真空吸附裝置10也根據支撐塊32的上端截面積可在吸附部30的總面積中將至少約75%面積利用為吸附面積。
由此，在本發明中，通過增加在放置於真空吸附裝置的半導體條帶的下部面形成真空壓力的吸附面積，從而可穩定地吸附並固定半導體條帶。
另一方面，在本實施例中，對用於固定製造成矩形板形狀的半導體條帶的真空吸附裝置10進行了說明，但本發明並不局限於此。
亦即，本發明還可適用於用來固定製造成圓板形狀的半導體晶片的真空吸附裝置。
圖5為本發明第二實施例的真空吸附裝置的示例圖。
如圖5所示，本發明第二實施例的真空吸附裝置11的結構類似於在上述圖2中示出的真空吸附裝置10的結構，但是，吸附部30的剖面能夠以與各個半導體晶片的形狀相對應的方式大致呈圓形形狀。
其中，吸附部30的直徑略微小於半導體晶片的直徑，
設置於吸附部30邊緣的防壓力損失部件23可以呈直徑與半導體晶片的直徑相同的環形形狀。
另一方面，在上述實施例中，以主體呈矩形形狀為例進行了說明，但可將本發明的主體20的形狀變更為圓板形狀。
圖6為本發明第三實施例的真空吸附裝置的立體圖。並且，圖7為圖6中示出的真空吸附裝置的俯視圖，圖8為沿著圖6中示出的B-B’線剖切的剖面立體圖。
如圖6至圖8所示，本發明第三實施例的真空吸附裝置12可包括：主體20，用於放置所要吸附的物件物；以及吸附部30，設置於主體20的上部，上述吸附部30通過形成真空來吸附所要吸附的物件物，亦即，吸附半導體條帶。
主體20大致呈直徑大於半導體條帶的橫向及縱向長度的圓板形狀，主體20的上部面的外周面與吸附部30之間能夠形成為朝向外側下方傾斜的傾斜面21。
為了固定於上述真空卡盤單元，可在傾斜面21的邊緣部分形成有用於緊固固定螺栓的複數個緊固孔22。
並且，可在主體20的上部面沿著吸附部30的周邊設置有用於防止在半導體條帶與吸附部30之間發生的真空壓力損失的防壓力損失部件23。
可將防壓力損失部件23設置為由橡膠材質製造的橡膠墊，以具有彈性和氣密性。
這種防壓力損失部件23可以呈具有與半導體條帶的大小相同的橫向及縱向長度的方框形狀，以緊貼於半導體條帶的下部面。
另一方面，在主體20的上部面可沿著吸附部30的邊緣以凹入的方式形成有結合槽24，以與防壓力損失部件23相結合。
由此，防壓力損失部件23以插入的方式與沿著吸附部30的邊緣形成的結合槽24相結合，其中，防壓力損失部件23的上端相對於主體20及吸附部30的上部面向上方突出相當於預先設定的高度。
這種主體20可利用通過上述清洗水泵的驅動來供給的清洗水對完成磨削工作的半導體條帶進行清洗。
為此，與真空泵相連接的吸氣管和接收清洗水的清洗水供給管可以與主體20的一側相連接。
並且，可在主體20設置有利用清洗水來對半導體條帶的上部面和下部面進行清洗的各個清洗單元(未在圖式中示出)。
另一方面，在主體20以與以下說明的吸附部30的真空形成空間31相連通的方式沿著上下方向形成有複數個吸入口25。
吸入口25通過管(未在圖式中示出)與上述真空泵相連接，為了吸附半導體條帶，上述吸入口25執行藉助真空泵的驅動吸入填充於真空形成空間31的空氣來在真空形成空間31形成真空壓力的功能。
吸附部30的面積可以與所要吸附的半導體條帶的下部面的面積相同或略微小於上述半導體條帶的下部面的面積，以與所要吸附的半導體條帶的下部面面積相對應。
其中，可設置與所要吸附的半導體條帶的數量相對應數量的吸附部30。
亦即，在圖6中示出了2個吸附部30，但本發明並不局限於此，可根據利用設置於真空卡盤單元上部的一個或複數個磨削單元來同時或依次使模塑保護層得到磨削的半導體條帶的數量，設置1個或2個以上的複數個吸附部30。
在吸附部30設置有形成真空的真空形成空間31，可在真空形成空間31排列有用於對放置於吸附部30的半導體條帶的下部面進行支撐的複數個支撐塊32。
支撐塊32可以呈剖面大致呈四邊形形狀的六面體形狀。
當然，本發明並不局限於此，除了六面體形狀之外，可將支撐塊32的形狀變更為剖面呈圓形形狀的圓柱形狀或剖面呈三角形狀或五角形狀等的多角形狀的立體形狀。
其中，可根據所要吸附的半導體條帶的大小、厚度、真空壓力等條件來對吸入口25和支撐塊32的大小及數量、各個吸入口25之間的間隔及各個支撐塊32之間的間隔進行多種變更。
例如，可將吸入口25的直徑和支撐塊32的橫向及縱向長度分別設定為約2mm，可將各個吸入口25之間的間隔及各支撐塊32之間的間隔分別設定為約2mm至2.5mm。
其中，在真空形成空間31中所形成的真空壓力的大小可能受上述真空泵的容量、吸入口25的直徑及支撐塊32的上端截面積的影響。
因此，在本發明中，在採用與適用於先前技術的真空泵具有相同容量的真空泵的情況下，通過增加吸入口25的直徑或使支撐塊32的上端截面積最小化，從而可提高作用於真空形成空間31的真空壓力。
尤其，在本發明中，即使以與適用於先前技術的工作臺1的吸入口3直徑相同的方式形成吸入口25的直徑，也通過使支撐塊32的上端截面積最小化來增加真空為吸附半導體條帶而起到作用的吸附面積，從而可提高作用於真空形成空間31的真空壓力。
並且，在本發明中，沿著吸附部30的邊緣設置防壓力損失部件23來使半導體條帶緊貼於防壓力損失部件23的上部面，從而防止真空壓力損失，由此可穩定地吸附並固定半導體條帶。
另一方面，在本實施例中，對用於固定製造成矩形板形狀的半導體條帶的真空吸附裝置10進行了說明，但本發明並不局限於此。
亦即，本發明還可適用於用來固定製造成圓板形狀的半導體晶片的真空吸附裝置。
圖9為本發明第四實施例的真空吸附裝置的示例圖。
如圖9所示，本發明第四實施例的真空吸附裝置13
的結構類似於在上述圖6中示出的真空吸附裝置12的結構，但是，吸附部30的剖面能夠以與各個半導體晶片的形狀相對應的方式大致呈圓形形狀。
其中，主體20的直徑大於半導體晶片的直徑，吸附部30的直徑略微小於半導體晶片的直徑，設置於吸附部30邊緣的防壓力損失部件23可以呈具有與半導體晶片的直徑相同直徑的環形形狀。
本發明通過如上所述的過程，來增加利用真空吸附半導體條帶的吸附面積，從而可穩定地吸附並固定半導體條帶或半導體晶片。
並且，本發明根據所要吸附的物件物的形狀及大小來變更吸附部的形狀及面積，從而可穩定地吸附多種形狀及大小的對象物。
由此，本發明可在對半導體條帶或半導體晶片的模塑保護層進行磨削的過程中，防止真空壓力損失，並且可事先預防因半導體條帶或半導體晶片的流動而發生的不良。
以上，根據上述實施例，對由本發明人實現的發明進行了具體說明，但本發明並不局限於上述實施例，在不脫離其主旨的範圍內，可以對本發明實施多種變更。
亦即，在上述實施例中，對真空卡盤單元的工作臺進行了說明，其適用於用來去除形成在半導體條帶上部面的模塑保護層的半導體條帶磨床，但本發明並不局限於此，可對本發明進行變更，以適用於用於吸附並固定所要吸附的物件物的多種技術領域及結構的真空吸附裝置。
本發明通過增加利用真空吸附物件物的吸附面積，從而適用於用來穩定地吸附並固定半導體條帶或半導體晶片的真空吸附裝置技術。
10‧‧‧真空吸附裝置
20‧‧‧主體
Claims (8)
- 一種真空吸附裝置，包括：主體，以能夠向一側方向移動的方式設置；以及吸附部，設置於上述主體的上部面，上述吸附部在放置所要吸附的物件物之後，通過形成真空來吸附並固定上述物件物；在上述吸附部設置有用於形成真空的真空形成空間；在上述主體以與上述真空形成空間相連通的方式沿著上下方向形成有複數個吸入口。
- 如請求項1所記載之真空吸附裝置，其中上述主體呈直徑大於上述物件物的橫向長度及縱向長度或直徑的圓板形狀；上述吸附部呈與上述物件物的形狀及大小相對應的形狀及大小，上述吸附部以與同時或依次得到磨削的物件物的數量相對應的方式設置有1個以上。
- 如請求項1或2所記載之真空吸附裝置，其中在上述吸附部排列有用於對放置於上部面的物件物進行支撐的複數個支撐塊。
- 如請求項3所記載之真空吸附裝置，其中上述支撐塊的上部面以預先設定的截面積形成，以增加作用於物件物的吸附面積。
- 如請求項3所記載之真空吸附裝置，其中在上述吸附 部的邊緣設置有緊貼於放置在上部面的物件物來防止壓力損失的防壓力損失部件；與上述防壓力損失部件相結合的結合槽沿著上述吸附部的邊緣在上述主體的上部面凹入而成。
- 如請求項3所記載之真空吸附裝置，其中上述主體的上部面形成為朝向外側下方傾斜的傾斜面；與真空泵相連接的吸氣管和用於接收清洗水的清洗水供給管與上述主體的一側相連接。
- 如請求項3所記載之真空吸附裝置，其中在所要吸附的物件物為半導體條帶的情況下，上述吸附部的剖面以與上述半導體條帶相對應的方式呈四邊形形狀。
- 如請求項3所記載之真空吸附裝置，其中在所要吸附的物件物為半導體晶片的情況下，上述吸附部的剖面以與上述半導體晶片相對應的方式呈圓形形狀。
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2016
- 2016-12-16 TW TW105141819A patent/TW201801227A/zh unknown
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