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TW201603120A - 用以摻雜三維積體電路電晶體之鰭式通道區域的被覆蓋原子層沉積膜 - Google Patents

用以摻雜三維積體電路電晶體之鰭式通道區域的被覆蓋原子層沉積膜 Download PDF

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巴德里Ｎ 凡拉德拉彥
艾里恩 拉芙依
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Abstract

在此所揭露的是半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法。方法可包含在基板上形成多層之含摻質膜；形成包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合之覆蓋膜，該覆蓋膜係定位成使得該多層之含摻質膜係位在該基板及該覆蓋膜之間；及將摻質從該含摻質膜驅動至鰭式通道區域中。膜之複數含摻質層可藉由包含以下者的原子層沉積製程而形成：吸附含摻質膜前驅物而使其在基板上形成吸附限制層、及使已吸附之該含摻質膜前驅物反應。亦在此揭露的是用以摻雜部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域之多站基板處理設備。

Description

用以摻雜三維積體電路電晶體之鰭式通道區域的被覆蓋原子層沉積膜
本發明關於摻雜半導體基板之方法及設備，尤其是，關於用以摻雜半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的方法及設備。
傳統上，積體電路(IC)電晶體運用平面式設計，其中電晶體之構件—源極、汲極、及通道—係形成於半導體基板的表面中，而閘極構件係在基板表面之通道區域的上方形成為一平坦的結構。然而，近來對於越來越小之元件尺寸的需求已驅使所謂的3D電晶體的發展，在3D電晶體中，源極、汲極、及通道係形成為自基板表面鉛直延伸、通常具有高高寬比之鰭式結構。在使通道形成為此等鉛直之鰭結構的情況下，可將3D電晶體之閘極構件製作成包覆通道區域，實質上增加通道區域(與其體積相比之)直接暴露於閘極電壓的表面積。
平面式及3D電晶體之間的結構差異係示意性地顯示於圖1A及1B。圖1A示意性地顯示一傳統的平面式IC電晶體100。圖中左邊為一側視圖，其顯示形成在矽基板110中的源極120、通道130、及汲極140，而閘極150位於通道130上方被閘極介電質149分開。圖中右邊為相同的電晶體100從鉛直虛線之視點(如水平箭頭所指示)而擷取的剖面圖。從該二視圖，所見為閘極150僅定位成與與通道130之一側相鄰(被閘極介電質149分開)。圖1B提供現今之3D電晶體設計101的簡化例示圖，而側視圖(左邊)及剖面圖(右邊)與圖1A中針對平面式電晶體100所示者相似。從側視圖中所見為源極121、通道131、及汲極141係鉛直延伸自矽基板110的平面 (不像平面式電晶體100)。然而，圖1B中(右邊)的剖面圖顯示3D電晶體101的閘極151能夠從三側包覆通道區域131(與平面式電晶體100中之閘極150的配置不同)。此閘極對鉛直之鰭結構的包覆係進一步顯示於圖1C(其再次顯示具有源極121、汲極141、及閘極151之3D電晶體101，但是通道131係被閘極掩蔽)；而圖1D顯示由平行之鉛直的鰭結構所形成的複數3D電晶體101可如何為3D閘極構件151所包覆。此在電晶體架構上由平面式到3D設計的根本性轉變已為IC製造帶來挑戰，而為了最佳地處理此等挑戰，必須開發新的製造技術。
在此所揭露的是半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法。在一些實施例中，方法包含在基板上形成含摻質膜；形成覆蓋膜，其係定位成使得該含摻質膜係位在該基板及該覆蓋膜之間；及將摻質從該含摻質膜驅動至鰭式通道區域中。在若干如此實施例中，覆蓋膜包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合。在若干如此實施例中，含摻質膜之複數含摻質層係藉由包含以下各者的原子層沉積製程而形成：使含摻質膜前驅物吸附至基板上，使得該前驅物形成吸附限制層；將至少一些未吸附之該含摻質膜前驅物從圍繞已吸附之該前驅物的容積移除；使已吸附之該含摻質膜前驅物反應以在該基板上形成含摻質層；當使已吸附之該前驅物反應之後存在有脫附之該含摻質膜前驅物及/或反應副產物時，將該脫附之該含摻質膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該含摻質層的容積移除；及重複此製程順序以形成該含摻質膜之複數該含摻質層。
亦在此揭露的是用以摻雜半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域之含摻質膜。在一些實施例中，膜可包含第一及第二富含摻質部份、第一及第二實質上無摻質部份、及覆蓋膜，該覆蓋膜包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合。在若干如此實施例中，膜的第一富含摻質部份可藉由在沒有實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數含摻質層而形成，且第二富含摻質部份亦可藉由在沒有該實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數該含摻質層而形成。同樣地，在若干如此實施例中，膜的第一實質上無摻質部份可藉由在沒有含摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數實質上無摻質層而形成，且該膜的第二實質上無摻質部份亦可藉由在沒有該含摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數該實質上無摻質層而形成。在若干如此實施例中，可將膜之部份定位成使得第一實質上無摻質部份係位在第一及第二富含摻質部份之間、該第二富含摻質部份係位在第一及第二實質上無摻質部份之間，且將覆蓋膜定位成使得該第一及第二富含摻質部份與該第一及第二實質上無摻質部份係在基板及該覆蓋膜之間。
亦在此揭露的是用以摻雜複數半導體基板之表面上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域之多站基板處理設備。在一些實施例中，設備包含具有基板固持器之複數製程站，該複數製程站係包含在一或更多處理腔室中；用以控制含摻質膜前驅物到該等製程站的流動之一或更多閥；用以將該含摻質膜前驅物從圍繞包含在該一或更多處理腔室中的該等製程站之容積移除的一或更多以閥操作之真空源；及具有、及/或可取用用以操作該一或更多閥及該一或更多真空源以摻雜基板之表面上的鰭式通道區域之機器可讀指令的一或更多控制器。在一些實施例中，所包含的是用以在包含於製程腔室之製程站的基板上形成含摻質膜的指令；用以形成覆蓋膜的指令，該覆蓋膜係定位成使得該含摻質膜係在該基板及該覆蓋膜之間；及用以將摻質從該含摻質膜驅動到鰭式通道區域中的指令。在若干如此實施例中，覆蓋膜包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合。在一些實施例中，膜之複數含摻質層係根據指令而由包含以下各者的原子層沉積製程所形成：將含摻質膜前驅物導入包含具有固持基板的基板固持器之製程站的製程腔室，並容許該前驅物吸附至該基板的表面上，使得該前驅物在該基板上形成吸附限制層；將未吸附之該含摻質膜前驅物從圍繞已吸附之該前驅物的容積移除；使已吸附之該含摻質膜前驅物反應以在該基板上形成含摻質層；當使已吸附之該前驅物反應之後存在有脫附之該含摻質膜前驅物及/或反應副產物時，將該脫附之該含摻質膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該含摻質層的容積移除；及重複此製程順序以形成該含摻質膜之複數該含摻質層。
在以下描述中提出眾多具體細節以提供本發明之徹底瞭解。然而，本發明可在無此等具體細節之一些或所有者的情況下執行。在其它情況中，不詳述為人熟知的製程操作，以免無謂地混淆本發明。儘管將搭配具體的詳細實施例來描述本發明，然而應理解並非意圖使此等具體的詳細實施例對在此揭露之發明性概念的範圍有所限制。
IC電晶體中的源極及汲極之間的半導電性區域係稱為通道或電晶體的通道區域。藉由閘極而對通道區域施加的電位影響其極化及導電性，有效地將電晶體從「開啟」切換至「關閉」狀態且反之亦然。因此，通道導電性及經由閘極而一致地調整該通道導電性的能力為IC電晶體設計及製造之重要面向。在傳統的平面式IC電晶體的製造中，通常運用離子佈植技術來摻雜通道區域並將其導電性調整至期望的位準。然而，隨著轉移到具有形成為高高寬比鰭式結構(在一些情況中，具有少於約32奈米、或少於約22奈米、或少於約12奈米的寬度)之通道區域的3D電晶體，已證實離子佈植技術無法提供均勻且受控制的摻雜。
伴隨離子佈植技術的困難係示意性地顯示於圖2A及2B。圖2A提供平行排列之四3D電晶體(與圖1D中所示者相似)的四鰭式通道區域231、232、233、234之剖面圖(與圖1B中所示者類似)。通道之二者233、234已具有施加於此等通道的閘極材料251。圖中所示意性地指示者為會到達通道231及232之基部—避開相鄰的鉛直結構—且因此可用以均勻地摻雜每一通道之側邊的離子通量之可能入射角度。圖中的「角度1」顯示由於相鄰的通道232之遮蔽效應，僅小範圍的入射角會到達通道231的基部。摻雜通道之側邊顯然要求離子通量具有一些水平分量(以便不只有轟擊頂部)，但是該圖顯示假如水平分量過大，則通道的側邊將有差異地受到轟擊—與到達下部部份相比，有更多離子到達上部部份。因此，對於通道231而言，均勻的轟擊要求將入射離子通量的角度限制在零及角度1之間的範圍。然而，實際上，由於鰭式通道具有高高寬比且緊密間隔，因此角度1代表一相對狹窄範圍的離子通量，該相對狹窄範圍的離子通量係因例如在產生離子之電漿中的電磁場擾動、準直之離子通量中的離子間碰撞等而難以持續達成。亦指示於圖2A的角度2顯示起因於在相鄰之通道233上方存在著閘極材料251，使該問題對於通道232而言被放大。圖2B顯示假如以一層阻劑材料255遮蔽相鄰的通道233，則該問題對於通道232而言同樣被放大。此外，圖2C顯示假如在已存在的一層閘極材料251上方以一層阻劑材料255遮蔽相鄰的通道233，則該問題係大幅加劇—比較圖2C中的角度3與圖2A及2B中的角度2。
因此，尋求不同於離子佈植的技術以達成對3D電晶體中的鰭式通道區域之一致、均勻、且具成本效益的摻雜。在此揭露的一方式為在將含摻質膜保形地沉積在鉛直結構上之後，使用該含摻質膜摻雜高高寬比之鉛直鰭式通道結構。基本的概念係顯示於圖3A及3B。圖3A顯示含摻質膜310與覆蓋膜320結合之基本結構。圖3B顯示保形地沉積在鉛直鰭式通道結構131上的此膜。由於膜實質上保形於目標結構的形狀，因此例如利用熱退火而使摻質從該膜擴散傳送至該目標結構會造成該目標結構的均勻摻雜。在此詳述如此保形膜的細節，包含組成、用以沉積該等保形膜的技術、摻質從膜到通道結構的傳送、以及用以完成此等操作的相關設備。更廣泛而言亦應注意，經由保形沉積之膜所進行的摻雜對於摻雜其它類型的高高寬比元件結構而言亦可為有用，且可適當地用於其中許多習知的離子佈植或方向性摻雜方法並不足夠的情況中。舉例來說，除了習知的矽基微電子元件之外，保形摻雜的其它應用尚可包含基於像是GaAs之III-V半導體、及像是HgCdTe之II-VI半導體的微電子元件及光電元件、以及太陽光電元件、平面顯示器、及電致變色技術。
然而，儘管保形摻雜(例如相對於離子佈植技術而言)可在對目標結構進行均勻的鉛直摻雜方面提供獨特的優勢，然而實際上已證實難以例如利用硼或磷在與IC電晶體製造相關的濃度下達成均勻的摻雜。此問題的根源已經過調查，而且在不受於特定理論的情況下認為其係源自於在可將足夠的摻質驅動到目標通道區域內以前，該摻質快速地回擴散到該膜外。換言之，在沉積之保形膜中起因於回擴散而缺少摻質均勻性及/或足夠的濃度似乎造成在通道區域中缺乏足夠的摻質均勻性及/或濃度。
該問題係藉由圖4A、4B、及4C中所顯示的實驗加以演示。該等實驗涉及將含硼的膜—確切來說，硼矽酸玻璃(BSG)膜—保形地沉積在矽晶圓的前側及後側。圖4A及4B中分別顯示前側及後側之含硼的膜，且如該等圖中所示，每一者皆包含夾在二二氧化矽(SiO2 )層之間之含摻質硼矽酸玻璃膜。可將形成在BSG膜之與矽晶圓相反的該側上的SiO2 膜稱做「覆蓋層」或「覆蓋膜」，但是應理解此等用語未必暗示所稱之膜/層為相對於晶圓之最上方的膜/層。反而是，在此所用的此等用語暗示一些含摻質膜係位在「覆蓋」膜/層及基板之間。圖4A及4B指出含摻質膜係經由ALD(原子層沉積)製程所形成且BSG膜係加以沉積至約為包夾之SiO2 膜者的兩倍之厚度(分別是100埃相對於50埃)。在沉積之後，將膜退火以加速硼摻質擴散到BSG膜外及到相鄰的膜及晶圓基板內的速率。
然後藉由使用500keV之氧離子(O+ )射束的二次離子質譜術(SIMS)量測硼摻質及其它化學物種(矽、氧)的濃度，且結果係顯示於圖4C。如圖4C中所指出，SIMS實驗表明硼濃度在與BSG膜相鄰之頂部SiO2 膜之邊緣的尖峰以及硼濃度在相鄰的BSG膜之邊緣的相應凹陷，此二效果的存在皆由硼原子回擴散到BSG膜之邊緣外所引起。圖4C亦顯示存在於底部SiO2 層中的一些硼、以及深入下方矽基板的硼及氧。然而，認為此等區域中之此等物種的存在係起因於500keV O+ 離子射束之「撞擊效應」—在本質上，射束中之離子的高動能將此等原子撞擊得更深入膜及基板—因而此等量測結果並不表示實驗前之該膜及基板的組成。無論如何，頂部SiO2 膜中的硼尖峰及相應之BSG膜中的相鄰之硼凹陷—其不可能為「撞擊效應」的結果—演示摻質回擴散的發生，以及SiO2 覆蓋膜難以有效防止該回擴散的事實。
如上所述，摻質到沉積之膜外的回擴散負面地影響該膜中的摻質濃度，並因此負面地影響該膜做為以均勻方式摻雜下方材料之工具的實用性。然而，已發現儘管SiO2 的覆蓋膜難以防止硼回擴散到保形之含摻質膜外，然而由碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合所形成之覆蓋膜係實質上有效得多。舉例來說，藉由圖5中所示之實驗結果來演示使用碳化矽(SiC)覆蓋膜的效果。圖5呈現具有SiC覆蓋膜之硼含摻質膜的SIMS結果，該等結果與圖4中針對SiO2 覆蓋膜所呈現之SIMS結果類似。以SiC覆蓋之膜的結構係與示意性地顯示於圖4A及4B的該等膜相同，但是以SiC取代SiO2 。圖5顯示出現在與BSG膜相鄰之頂部SiC膜中的硼尖峰相對於在圖4之SiO2 膜中相同位置的硼尖峰係實質上減少，因而確認SiC覆蓋膜比起由SiO2 材料所形成之相當的覆蓋膜實質上更能阻止硼的回擴散。
因此，起因於與減少或防止摻質回擴散相關的優勢，在此所揭露者為摻雜半導體基板上之部份製造的3D電晶體的通道區域之方法，該等方法包含形成包含碳化矽(SiC)材料、氮化矽材料(SiN)、碳氮化矽(SiCN)材料、或其組合的覆蓋膜。為了減少或防止摻質回擴散，將SiC/SiN/SiCN覆蓋膜定位成使至少一部份的含摻質膜位在基板及該覆蓋膜之間。依此方式，在用以例如將摻質傳送到基板之目標區域的熱退火期間，相對於在缺少覆蓋膜的情況下之相同熱退火條件期間的擴散速率，該覆蓋膜可阻擋摻質擴散到含摻質膜外且遠離鰭式通道區域達20％或更多、或30％或更多、或40％或更多、或50％或更多、或60％或更多、或70％或更多、或80％或更多、或90％或更多。
若干如此方法係藉由圖6A之流程圖而示意性地顯示。如圖中所指出，該等方法開始於操作610，在基板上形成具有由ALD製程形成之複數含摻質層的含摻質膜。然後該等方法續行於操作620，形成包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合之覆蓋膜，其中(如以上所指出)將該覆蓋膜定位成使含摻質膜係位在基板及該覆蓋膜之間。最後，在涉及將摻質從含摻質膜驅動到通道區域內的操作630中進行摻質到3D電晶體之鰭式通道區域的傳送。舉例來說，針對此目的可使用熱退火。在一些實施例中，可使用雷射退火、尖波退火、雷射尖波退火、快速熱處理(RTP)、快速熱退火(RTA)、或毫秒退火。在此等情況之許多者中，將摻質驅動到通道區域內係藉由產生高溫、但僅持續短時間而在「低熱預算」內達成。在一些實施例中，摻質可為硼。在其它實施例中，摻質可為磷或砷。亦可利用此等技術將其它摻質物種有利地傳送到半導體基板上的目標結構/區域。在IC製造操作的一些順序中，可在將摻質驅動到目標結構/區域內之後移除含摻質膜及/或覆蓋膜之至少一部份。
如以上所討論，為了在目標結構中達成均勻的摻質濃度，重要的是沉積之含摻質膜實質上保形於目標結構的形狀。儘管在原則上，任何沉積保形含摻質膜的可行方法皆有可能可搭配前述之通道區域摻雜方式來使用，然而已發現在該領域中常被稱作原子層沉積(ALD)的技術為一有效的選擇。
與使用活化之氣相反應來沉積膜的化學氣相沉積(CVD)製程不同，ALD製程使用表面媒介之沉積反應而以逐層方式沉積膜。舉例來說，在一類ALD製程中，將第一膜前驅物(P1)在氣相下導入處理腔室，使其暴露於基板，並容許其吸附至基板表面上(通常在一群表面活性位置)。P1的一些分子可能在基板表面上形成凝相，該凝相包含P1的化學吸附物種及物理吸附分子。然後將圍繞基板表面的容積抽空以移除氣相及物理吸附之P1而僅留下化學吸附之物種。然後可將第二膜前驅物(P2)導入處理腔室而使P2的一些分子吸附至基板表面。可再次將處理腔室內圍繞基板的容積抽空，這次要移除未受束縛之P2。接著，提供至基板的能量(例如熱能或電漿能)活化已吸附之P1及P2分子之間的表面反應，形成膜層。最後，再次將圍繞基板的容積抽空以移除，假如存在的話，未反應之P1及/或P2及/或反應副產物，結束單個ALD循環。
用以沉積具有各式化學之保形膜—且在基本的ALD製程順序上亦有許多變化形—之ALD技術係在於2011/4/11提申、題為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/084,399號(代理人卷號NOVLP405)；於2011/9/23提申、題為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL DIELECTRIC FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/242,084號(現為美國專利第8,637,411號)(代理人卷號NOVLP427)；於2011/9/1提申、題為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL DIELECTRIC FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/224,240號(代理人卷號NOVLP428)；及於2012/9/7提申、題為「CONFORMAL DOPING VIA PLASMA ACTIVATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/607,386號(代理人卷號NOVLP488)中詳述，以上各者係針對所有目的而在此整體併入做為參考。如在此等前案中所述，用以在基板上沉積單一層材料之基本的ALD循環可包含:(i)使膜前驅物吸附至基板上，使其形成吸附限制層、(ii)將未吸附之前驅物從圍繞已吸附之前驅物的容積移除、(iii)使已吸附之前驅物反應而在該基板上形成膜層、及(iv)將脫附之膜前驅物及/或反應副產物從圍繞形成在該基板上之該膜層的容積移除。操作(ii)及(iv)中的移除可經由將圍繞基板的容積沖洗、抽空、向下泵抽至基底壓力(「泵抽至基底」)等而完成。注意此基本的ALD操作順序(i)到(iv)未必如上述範例中涉及二化學吸附之反應性物種P1及P2，其甚至未必涉及第二反應性物種，但是取決於涉及之期望的沉積化學，可能運用此等可能性/選項。
然而，起因於ALD之吸附限制本質，單個ALD循環僅沉積一薄的材料膜，且經常僅為材料的單一單層(monolayer)。舉例來說，取決於膜前驅物給劑操作之暴露時間及膜前驅物(對基板表面)之黏滯係數，每一ALD循環可沉積厚度僅約0.5到3埃的膜層。因此，通常將一典型之ALD循環中的操作順序—方才描述的操作(i)到(iv)—重複複數次，俾以形成具有期望之厚度的保形膜。因此，在一些實施例中，操作(i)到(iv)係依序連續重複至少1次、或至少2次、或至少3次、或至少5次、或至少7次、或至少10次。可以每ALD循環介於約0.1Å及2.5Å之間、或每ALD循環介於約0.2Å及2.0Å之間、或每ALD循環介於約0.3Å及1.8Å之間、或每ALD循環介於約0.5Å及1.5Å之間、或每ALD循環介於約0.1Å及1.5Å之間、或每ALD循環介於約0.2Å及1.0Å之間、或每ALD循環介於約0.3Å及1.0Å之間、或每ALD循環介於約0.5Å及1.0Å之間的速率沉積摻質ALD膜。
在一些成膜化學中，亦可能運用輔助性反應物或共反應物—除了被稱為「膜前驅物」者之外—。在若干如此實施例中，該輔助性反應物或共反應物可在步驟(i)到(iv)重複時於步驟(i)到(iv)之次組合期間或貫穿步驟(i)到(iv)之各者地持續流動。在一些實施例中，此其它的反應性化學物種(輔助性反應物、共反應物等)可在其與膜前驅物反應之前與該膜前驅物吸附至基板表面上(如在上述涉及前驅物P1及P2的範例中)，然而，在其它實施例中，其可於本身未事先吸附至基板表面上而在其接觸到膜前驅物時與已吸附之該膜前驅物反應。又，在一些實施例中，使已吸附之膜前驅物反應的操作(iii)可涉及將已吸附之膜前驅物與電漿接觸。電漿可提供能量來驅動基板表面上的成膜反應。在若干如此實施例中，電漿可為在反應腔室中利用施加合適的RF功率所產生之氧化性電漿(但是在一些實施例中，其可在遠端產生)。在其它實施例中，可使用惰性電漿，而非氧化性電漿。氧化性電漿可由像是O2 、N2 O、或CO2 之一或更多氧化劑形成，且可選擇性地包含像是Ar、N2 、He之一或更多稀釋劑。在一實施例中，氧化性電漿係由O2 及Ar形成。合適的惰性電漿可由像是He或Ar之一或更多惰性氣體形成。在方才引述(且併入做為參考)之先前的專利申請案中詳述ALD製程上的更進一步變化形。
因此，用以經由ALD製程形成含摻質膜之基本的操作順序係由圖6B中的流程圖示意性地顯示。如圖中所示，用以在基板上形成膜之複數含摻質層的ALD製程可以使含摻質的膜前驅物吸附至基板上而使該前驅物在基板上形成吸附限制層的操作611開始，後接將至少一些未吸附之該含摻質的膜前驅物從圍繞已吸附之該前驅物的容積移除之操作612。之後，在操作613中，使已吸附之含摻質的膜前驅物反應而在基板上形成含摻質層，且在那之後，於操作614中，當在操作613中使已吸附之該前驅物反應後存有脫附之含摻質的膜前驅物及/或反應副產物時，將該脫附之含摻質的膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該含摻質層的容積移除。
前述之操作611到614的順序代表一次ALD循環。然而，由於單個ALD循環通常僅沉積膜的一薄層，因此可依序重複複數ALD循環以形成含摻質膜之複數層(或，等同地，具期望厚度之多層含摻質膜)。因此，再次參照圖6B，在ALD循環以操作614結束後，在操作615中決定是否已形成足夠數目之含摻質膜的層(或是否已沉積足夠厚度的膜)，且若是，則成膜操作結束，然而若否，則製程順序回到操作611以開始另一ALD循環。注意可將圖6A及6B合併視為利用包含操作611到615(圖6B)的ALD製程順序之形成含摻質膜的操作610(圖6A)來摻雜3D電晶體之通道區域的方法。
在一些實施例中，用以摻雜部份製造之3D電晶體之鰭式通道區域的含摻質膜尚可包含富含摻質部份以及實質上無摻質部份(除了可不具摻質的覆蓋膜之外)。因此，舉例來說，在一些實施例中，含摻質膜可包含第一富含摻質部份及第一實質上無摻質部份，該第一富含摻質部份係藉由在沒有實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數含摻質層而形成，該第一實質上無摻質部份係藉由在沒有含摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數實質上無摻質層而形成。
再者，在若干如此實施例中，可具有複數富含摻質部份及複數實質上無摻質部份，其在沉積之膜中形成交替之組成的結構。這麼做的一理由源自於以下事實：在一些情況中，發現使用連續的ALD循環依序沉積含摻質膜層可(在一些實施例中至少在某種程度上)自我抑制，且成長速率可在沉積越來越多富含摻質層後持續下降。舉例來說，在一實驗中，發現使用連續之ALD循環所沉積的B2 O3 膜的總厚度在第50個ALD循環及第100個ALD循環之間並無明顯改變。因此，在一些實施例中，對於一些摻質、及對於一些含摻質之膜前驅物來說，在以ALD形成之保形膜中的摻質量可能無法藉由依序沉積額外的富含摻質層而有效增加。此等面向係在於2012/9/7提申、且題為「CONFORMAL DOPING VIA PLASMA ACTIVATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/607,386號(代理人卷號NOVLP488)中詳述，其係針對所有目的而在此整體併入做為參考。
因此，可能期望形成具交替組成—在富含摻質及實質上無摻質部份之間交替—之含摻質膜。因此，在此等類型的實施例中，含摻質膜可另外包含膜的第二富含摻質部份(亦藉由在沒有實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數含摻質層而形成)、以及第二實質上無摻質部份(同樣地，藉由在沒有含摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數實質上無摻質層而形成)；且可將此等第一及第二、富含摻質及實質上無摻質部份安排成使其在組成上彼此交替—舉例來說，第一實質上無摻質部份係位在第一及第二富含摻質部份之間，第二富含摻質部份係位在第一及第二實質上無摻質部份之間。在如此配置中，可將覆蓋膜定位成使得第一及第二富含摻質部份與第一及第二實質上無摻質部份係位在該覆蓋膜及基板之間。圖7提供一如此範例膜700之示意圖，膜700具有與實質上無摻質部份720相交替之富含摻質部份710，且亦具有SiC/SiN/SiCN覆蓋膜730。
可藉由複數如上述(例如與圖6B相關)之ALD循環而以複數層形成如此膜之富含摻質部份。然而，亦可使用複數ALD循環來形成如此膜之實質上無摻質部份的複數層，但是係使用無摻質(而非含摻質之)膜前驅物。因此，舉例來說，在一些實施例中，形成方才所述(例如見圖7)之第一及第二實質上無摻質部份可包含(i)將無摻質的膜前驅物吸附至基板上，使該前驅物形成吸附限制層、之後(ii)將未吸附之該無摻質的膜前驅物從圍繞已吸附之該前驅物的容積移除、然後(iii)在移除未吸附之該前驅物後使已吸附之該無摻質的膜前驅物反應而在該基板上形成實質上無摻質層，且最後(iv) 當使已吸附之該前驅物反應後存有脫附之該無摻質的膜前驅物及/或反應副產物時，將該脫附之該無摻質的膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該實質上無摻質層的容積移除。如所述，可使用複數ALD循環來形成複數層，而因此可將前述之操作(i)到(iv)的順序重複複數次以形成含摻質膜之複數實質上無摻質層。注意，在一些實施例中，此等實質上無摻質層可包含介電質材料，且在若干如此實施例中，該介電質材料可為SiO2 。
具有交替組成部份之保形膜—包含用以摻雜下方之目標IC結構或基板區域的膜—以及形成此等膜的方法之進一步範例係在於2011/4/11提申、題為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/084,399號(代理人卷號NOVLP405)；於2011/9/23提申、題為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL DIELECTRIC FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/242,084號(現為美國專利第8,637,411號)(代理人卷號NOVLP427)；於2011/9/1提申、題為「PLASMA ACTIVATED CONFORMAL DIELECTRIC FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/224,240號(代理人卷號NOVLP428)；及於2012/9/7提申、題為「CONFORMAL DOPING VIA PLASMA ACTIVATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION」之美國專利申請案第13/607,386號(代理人卷號NOVLP488)中詳述，以上各者係針對所有目的而在此整體併入做為參考。   覆蓋膜之相關細節
在一些實施例中，覆蓋膜亦可經由ALD製程形成。舉例來說，在一些實施例中，覆蓋膜的複數層可經由重複複數次之操作順序(i)到(iv)(方才所述)加以沉積而形成覆蓋膜的複數層。然而，儘管由於以上相關於圖4及5所述之理由，可將實質上無摻質之SiO2 層與膜之富含摻質部份相穿插，惟覆蓋膜通常會由像是SiC、SiN、SiCN、或其組合之適於阻擋摻質回擴散的材料所組成。在其它實施例中，可使用化學氣相沉積(CVD)製程來形成覆蓋膜，而在若干如此實施例中，係使用電漿增強化學氣相沉積(PECVD)製程。然而，由於CVD/PECVD製程係經由氣相反應而非透過形成反應物之吸附限制層來進行，所以與ALD技術相比，CVD/PECVD製程產生較不保形的膜，而因此通常偏好使用ALD製程來形成在此所述之覆蓋膜。
覆蓋膜通常會具有足夠濃度的SiC、SiN、SiCN、或其組合，且通常會基於所涉及之化學及擴散濃度將覆蓋膜形成為足夠的厚度以阻擋摻質回擴散達適當的期望程度。舉例來說，在一些實施例中，覆蓋膜中之SiC的平均濃度可介於約1及4g/cm3 之間、或約2及3g/cm3 之間、或約2.2及2.8g/cm3 之間。同樣地，在一些實施例中，覆蓋膜中之SiCN的平均濃度可介於約1及4g/cm3 之間、或約2及3g/cm3 之間、或約2.2及2.8g/cm3 之間，且在一些實施例中，覆蓋膜中之SiN的平均濃度可介於約1及4g/cm3 之間、或約2及3g/cm3 之間、或約2.2及2.8g/cm3 之間。最後，在一些實施例中，覆蓋膜中之SiC、SiN、及SiCN的平均組合濃度可介於約1及4g/cm3 之間、或約2及3g/cm3 之間、或約2.2及2.8g/cm3 之間。
同樣地，取決於實施例，可形成具有約1、2、3、5、10、20、30、40、50、100、150、200、300、或500埃之平均厚度的覆蓋膜，或者是，對應於特定實施例的覆蓋膜可具有在下限及上限係由前述厚度之任何配對所定義之範圍內的平均厚度，像是舉例來說，覆蓋膜可具有介於約1及500埃之間、或介於約5及200埃之間、或介於約10及100埃之間之平均厚度。在一些實施例中，覆蓋膜可為實質上保形的膜—像是舉例來說，其係經由ALD製程所形成—且因此其可具有相對一致的厚度，其可藉由例如膜之厚度上的相對標準差而量化。因此，在其中覆蓋膜係實質上保形的實施例中，其厚度上的相對標準差可少於約20％、或少於約15％、或少於約10％、或少於約5％、或少於約4％、或少於約3％、或少於約2％、或少於約1％、或甚至少於約0.1％。   ALD製程條件
可在不同溫度下執行用以形成含摻質膜及/或覆蓋膜的ALD製程。在一些實施例中，ALD反應腔室內的合適溫度可在約25°C及450°C之間、或約50°C及300°C之間、或約20°C及400°C之間、或約200°C及400°C之間、或約100°C及350°C之間的範圍。
同樣地，可在不同的ALD反應腔室壓力下執行用以形成含摻質膜及/或覆蓋膜的ALD製程。在一些實施例中，反應腔室內的合適壓力可在約10mTorr及10Torr之間、或約20mTorr及8Torr之間、或約50mTorr及5Torr之間、或約100mTorr及2Torr之間的範圍。
假如在操作(iii)中使用電漿，則可運用不同的RF功率位準來產生電漿。在一些實施例中，合適的RF功率可在約100W及10kW之間、或約200W及6kW之間、或約500W及3kW之間、或約1kW及2kW之間的範圍。
在操作(i)中可運用不同的含摻質膜前驅物流率。在一些實施例中，合適的流率可在約0.1mL/min及10mL/min之間、或約0.5mL/min及5mL/min之間、或約1mL/min及3mL/min之間的範圍。
在各種操作中可使用不同的氣體流率。在一些實施例中，通用的氣體流率可在約1L/min及20L/min之間、或約2L/min及10L/min之間的範圍。對於在操作(ii)及(iv)中可選的惰性氣體沖洗步驟而言，所運用的迸沖流率可在約20L/min及100L/min之間、或約40L/min及60L/min之間的範圍。
再一次地，在一些實施例中，抽至基底步驟係指藉由使反應腔室直接暴露於一或更多真空泵而將該反應腔室泵抽至基底壓力。在一些實施例中，基底壓力通常可為僅數毫托耳(例如介於約1及20mTorr之間)。再者，如以上所指出，抽至基底步驟可或可不由惰性沖洗所伴隨，而因此當一或更多閥開放通往真空泵之傳導路徑時，載送氣體可或可不流動。   用以形成覆蓋膜的化學
可使用各種成膜化學以形成覆蓋膜。覆蓋膜可較佳地包含碳化矽(SiC)材料、氮化矽(SiN)材料、碳氮化矽(SiCN)材料、或其組合。用以沉積此等類型的膜的方法、技術、及操作係在提申於2012年6月12日、題為「REMOTE PLASMA BASED DEPOSITION OF SiOC CLASS OF FILMS」、代理人卷號NOVLP466/NVLS003722之美國專利申請案第13/494,836號；提申於2013年5月31日、題為「METHOD TO OBTAIN SiC CLASS OF FILMS OF DESIRED COMPOSITION AND FILM PROPERTIES」、代理人卷號LAMRP046/3149之美國專利申請案第13/907,699號；及題為「GROUND STATE HYDROGEN RADICAL SOURCES FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON-CARBON-CONTAINING FILMS」之美國專利申請案第14/062,648號中詳述；茲將其各者整體且針對所有目的併入做為參考。
如此膜的沉積可利用可選自各式化合物之一或更多含矽膜前驅物。舉例來說，可使用含矽膜前驅物(像是為了提供期望之組成性質、及在一些情況中為了提供期望之物理或電性質所選定及供應的有機矽反應物)來形成含矽膜(例如碳化矽、矽-碳-氧化物、碳氮化矽、及矽-碳-氮氧化物)。合適的有機矽反應物/膜前驅物之範例可包含矽烷、烷基矽烷、矽氧烷、烷氧基矽烷、及胺基矽烷等等。
關於矽烷，非限制性範例包含矽烷、二矽烷、三矽烷、及更高矽數的矽烷。
關於烷基矽烷，此等化合物包含中心矽原子，而一或更多烷基基團鍵結到該中心矽原子且一或更多氫原子鍵結到該中心矽原子。在若干實施例中，烷基基團之任何一或更多者包含1-5碳原子。烷基基團可為飽和或未飽和。在一些實施例中，此等烷基基團可用於SiC膜。烷基矽烷之非限制性範例包含二甲基矽烷(2MS)、三甲基矽烷(3MS)、四甲基矽烷(4MS)、三乙基矽烷(TES)、及五甲基二矽烷基甲烷(pentamethyldisilamethane)。
其它類型的烷基矽烷可包含烷基碳矽烷(alkylcarbosilane)、烷胺基矽烷、及烷基二矽氮烷。烷基碳矽烷可具有帶有鍵結到矽原子的碳以及鍵結到矽原子的烷基基團之分支聚合結構。範例包含二甲基三甲矽烷基甲烷(DTMSM)及双-二甲矽烷基乙烷(BDMSE)。烷胺基矽烷包含帶有烷基基團並鍵結到矽原子的胺。範例包含二甲胺基二甲基矽烷(DMADMS)、双-二甲胺基甲基矽烷(BDMAMS)、及三-二甲胺基矽烷(TDMAS)。在一些實施例中，此等烷基矽烷可形成SiCN膜。烷基二矽氮烷包含矽氮烷及鍵結到二矽原子的烷基基團。範例包含1,1,3,3-四甲基二矽氮烷(TMDSN)。在一些實施例中，TMDSN可形成SiCN膜。
此外，可用較高階的矽烷來取代單矽烷。來自烷基矽烷類別的一如此二矽烷之範例為六甲基二矽烷(HMDS)。來自烷基矽烷類別的二矽烷之另一範例可包含五甲基二矽烷(PMDS)，其可用以形成SiC膜。在一些實施例中，矽原子之一者可僅有一含碳或含烷氧基的基團與其連接，而矽原子之一者可僅有一氫原子與其連接。
關於矽氧烷(亦為可能的有機矽膜前驅物類別)，在一些實施例中，矽氧烷可為環狀。環矽氧烷可包含環四矽氧烷，像是2,4,6,8-四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、及七甲基環四矽氧烷(HMCTS)。其它環矽氧烷可包含但不限於環三矽氧烷及環五矽氧烷。環矽氧烷為可將孔隙度導入SiC膜的環狀結構，而孔洞的尺寸對應於環之半徑。舉例來說，環四矽氧烷環可具有約6.7埃的半徑。在一些實施例中，矽氧烷可具有三維或籠狀結構。籠狀矽氧烷具有經由氧原子加以彼此橋接而形成多面體或任何3D結構的矽原子。籠狀矽氧烷前驅物分子之範例為倍半矽氧烷。籠狀矽氧烷結構係在致Cleemput等人之共同持有的美國專利第6,576,345號中進一步詳述，該專利係針對所有目的而在此整體併入做為參考。與環狀矽氧烷類似，籠狀矽氧烷可將孔隙度導入SiC膜。在一些實施例中，孔隙度尺度為中孔性(mesoporous)。在一些實施例中，矽氧烷可為線性。線性矽氧烷可包含但不限於二矽氧烷，像是五甲基二矽氧烷(PMDSO)、四甲基二矽氧烷(TMDSO)、及六甲基三矽氧烷。PMDSO及TMDSO可用以形成SiOC膜。矽氧烷之結構性配置(亦即，線性、環狀、或籠狀)可影響膜孔隙度性質。舉例來說，環狀矽氧烷可形成具有根據環狀環的尺寸之孔洞的微孔性膜，而籠狀矽氧烷可形成中孔性膜。
含矽膜亦可包含氧原子(例如矽-碳-氧化物及矽-碳-氮氧化物)，且此等者亦可使用矽氧烷(例如以上所列該等者)、以及其它包含氧之有機矽反應物(像是烷氧基矽烷)而形成。烷氧基矽烷包含中心矽原子，而一或更多烷氧基團鍵結到該中心矽原子且一或更多氫原子鍵結到該中心矽原子。範例包含但不限於三甲氧矽烷(TMOS)、二甲氧矽烷(DMOS)、甲氧矽烷(MOS)、甲基二甲氧矽烷(MDMOS)、二乙氧甲基矽烷(DEMS)、二甲基乙氧矽烷(DMES)、二甲胺基甲氧矽烷(DMAMES)、及二甲基甲氧矽烷(DMMOS)。此等前驅物之許多者可用以形成SiOC膜。
含矽膜亦可包含氮原子(例如矽-碳-氮化物及矽-碳-氮氧化物)且可使用包含氮之有機矽反應物(像是胺基矽烷及矽氮烷)而形成。胺基矽烷之非限制性範例包含2,2-双(二甲胺基)-4,4-二甲基-2,4-二矽烷基戊烷、2,2,4-三甲基-4-二甲胺基-3,4-二矽烷基戊烷、二甲胺基二甲基矽烷、双(二甲胺基)甲基矽烷、及三(二甲胺基)矽烷。1,1,3,3-四甲基二矽氮烷為矽氮烷之非限制性範例。胺基矽烷之進一步範例為單-、二-、三-及四-胺基矽烷(分別為H3 Si(NH2 )4 、H2 Si(NH2 )2 、HSi(NH2 )3 及Si(NH2 )4 )、以及經取代之單-、二-、三-及四-胺基矽烷，例如第三丁胺基矽烷、甲胺基矽烷、第三丁矽烷基胺、双(第三丁胺基)矽烷(SiH2 (NHC(CH3 )3 )2 )(BTBAS)、第三丁矽烷基胺甲酸酯、SiH(CH3 )-(N(CH3 )2 )2 、SiHCl-(N(CH3 )2 )2 、(Si(CH3 )2 NH)3 及類似者。胺基矽烷之進一步範例為三矽烷基胺(N(SiH3 )3 )。
再者，在一些實施例中，膜前驅物可包含併入單一前驅物之複數化學基團。舉例來說，單一前驅物可包含烷氧基、胺基、及烷基基團，像是DMADMS。
在沉積含SiC膜時，製程氣體中可能存在著複數有機矽膜前驅物。舉例來說，可一起使用矽氧烷及烷基矽烷，或可一起使用矽氧烷及烷氧基矽烷。個別前驅物之相對比例可基於所選前驅物之化學結構及所致SiC膜之應用來選擇。舉例來說，矽氧烷的量可在莫耳百分比上大於矽烷的量以產生多孔性膜。
針對氮化矽(SiN)及碳氮化矽(SiCN)的沉積，可將適當的含矽反應物/膜前驅物(像是上述該等者)與含氮共反應物搭配使用。可使用之含氮共反應物的非限制性範例包含氨、聯氨、胺(像是甲基胺、二甲基胺、乙基胺、異丙基胺、第三丁基胺、二第三丁基胺、環丙基胺、第二丁基胺、環丁基胺、異戊基胺、2-甲基丁烷-2-胺、三甲基胺、二異丙基胺、二乙基異丙基胺、二第三丁基聯氨)、以及含芳香胺(像是苯胺、吡啶、及苄基胺)。胺可為一級、二級、三級或四級(例如四烷基銨化合物)。含氮共反應物包含至少一氮，但亦可包含氮以外的雜原子。因此，舉例來說，羥基胺、第三丁氧羰基胺、及N-第三丁基羥基胺被視為含氮反應物。
最後，針對矽氧化物(SiOx )的沉積—儘管其本身就形成覆蓋膜而言並不受偏好，然而在一些實施例中，偏好將其與含摻質膜之富含摻質部份相穿插—可將如上述之適當的含矽反應物/膜前驅物與適當的氧化性反應物搭配使用。氧化性反應物之範例包含氧、臭氧、氫、一氧化二氮、一氧化碳、以上各者之混合物等。在一特定範例中，可藉由ALD製程沉積氧化物膜，該ALD製程在例如ALD操作(iii)中搭配用作氧化劑的氧或一氧化二氮而使用双(第三丁胺基)矽烷(BTBAS)做為含矽膜前驅物，取決於實施例，氧或一氧化二氮在BTBAS的輸送期間(在ALD操作(i)中)可或可不連續流動。   用以形成含摻質膜的化學
如以上列舉且併入做為參考之專利申請案(美國專利申請案第13/084,399、13/242,084、及13/224,240號)中所述，可將各種含摻質膜前驅物用以形成含摻質膜，像是硼摻雜矽酸玻璃(BSG)(在以上圖4及5之範例中用作含摻質膜)、磷摻雜矽酸玻璃(PSG)、硼磷摻雜矽酸玻璃(BPSG)、砷(As)摻雜矽酸玻璃(ASG)、及類似者的膜。含摻質膜可包含B2 O3 、B2 O、P2 O5 、P2 O3 、As2 O3 、As2 O5 、及類似者。
在摻質為硼的情況下之一較佳的含摻質膜前驅物為三甲基硼酸酯(TMB)。其它合適的含硼膜前驅物可包含：其它烷基硼酸酯(像是三乙基硼酸酯、三異丙基硼酸酯、及三正戊基硼酸酯)、以及三甲基硼、三乙基硼、三苯基硼、三正戊基硼酸酯、B-三溴環硼氮烷、三(五氟苯基)硼烷、及其它類似的含硼化合物。
如以上所指出，具有硼以外的摻質之含摻質膜亦為可行。範例包含鎵、磷、或砷摻質、或其它適於摻雜半導體基板的元素(像是其它III及V族元素)。
具有砷做為摻質之特定的含摻質膜可包含但不限於砷矽酸鹽或砷摻雜矽酸玻璃(ASG)、砷氧化物(例如As2 O3 、As2 O5 )、及砷氧氫化物。具有砷做為摻質之含摻質膜前驅物可包含但不限於烷基胂、烷氧基胂、及胺基胂化學族，且包含但不限於以下具體化合物：胂；三乙基砷酸酯；三甲基胂；三乙基胂；三苯基胂；三苯基胂氧化物；乙烯双(二苯基胂)；三(二甲胺基)胂；及As(OR)3 ，其中R為-CH3 或-C2 H5 或其它烷基基團(包含飽和及未飽和之烷基基團)；及其它類似的含砷化合物。
具有磷做為摻質之特定的含摻質膜可包含但不限於磷摻雜矽酸玻璃(PSG)、及磷氧化物(例如P2 O5 、P2 O3 )。具有磷做為摻質之含摻質膜前驅物可包含但不限於三乙氧基膦氧化物(triethoxyphosphine oxide)、烷基磷酸酯(像是三甲基磷酸酯)、三甲基亞磷酸酯、及其它類似的含磷化合物。摻質前驅物的選擇通常由整合到既存輸送系統之容易度、純度要求、及整體成本所決定。
在一些實施例中，含摻質膜前驅物可結合含矽膜前驅物或其它共反應物一起使用。可用於此目的之含矽膜前驅物包含但不限於矽烷(SiH4 )、二矽烷(Si2 H6 )、及有機矽烷(像是甲基矽烷、乙基矽烷、異丙基矽烷、第三丁基矽烷、二甲基矽烷、二乙基矽烷、二第三丁基矽烷、丙烯基矽烷、第二丁基矽烷、2,3-二甲基-2-丁基矽烷(thexylsilane)、異戊基矽烷、第三丁基二矽烷、二第三丁基二矽烷、及類似者)。取決於實施例，亦可將以上列舉為適用於覆蓋層形成的其它含矽膜前驅物用於含摻質膜的形成。
同樣地，可重複複數ALD循環以建立保形層之疊堆。在一些實施例中，每一層可具有實質上相同的組成，然而在其它實施例中，以ALD依序沉積的層可具有不同的組成，或在若干如此實施例中，組成可在層與層之間交替或如上述可存在重複順序之具有不同組成的層。因此，取決於實施例，可將若干疊堆設計概念(像是以上列舉且併入做為參考之專利申請案(美國專利申請案第13/084,399、13/242,084、及13/224,240號)中所揭露之該等者)用以調控此等膜中的硼、磷、或砷濃度。   設備
在此所述之方法可利用任何合適的半導體基板處理設備來執行。合適的設備包含用以完成製程操作之硬體及具有用以根據在此所揭露之各種通道摻雜方法而控制該等製程操作之指令的系統控制器。在一些實施例中，硬體可包含一或更多製程站及控制器，該一或更多製程站係包含在多站基板處理工具中，該控制器具有(或可取用)用以根據在此所揭露之處理技術而控制製程操作之機器可讀指令。
因此，在一些實施例中，適於摻雜半導體基板表面上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域之設備可包含各自具有基板固持器、包含在一或更多處理腔室中的複數製程站；用以控制含摻質膜前驅物到製程站之流動的一或更多閥；及用以將含摻質膜前驅物從圍繞包含在一或更多處理腔室中之製程站的容積移除之一或更多以閥操作的真空源。又，如此設備亦可包含具有(或可取用)用以操作一或更多閥及一或更多真空源以摻雜基板表面上之鰭式通道區域之機器可讀指令的控制器。因此，在一些實施例中，藉由控制器所執行之該等指令可包含用以在包含於處理腔室中的製程站於基板上形成含摻質膜、其中該膜之複數含摻質層係由ALD製程所形成的指令。因此，在若干如此實施例中，藉由控制器所執行之該等指令可包含用以執行如上述之ALD操作(i)到(iv)的指令、及用以將ALD操作(i)到(iv)重複複數次以在基板處理設備之複數製程站於複數基板上形成含摻質膜之複數層的指令。又，在一些實施例中，藉由控制器所執行的指令可更包含用以形成包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合之覆蓋膜的指令；及用以將摻質從含摻質膜驅入複數基板上之部份製造的3D電晶體之鰭式通道區域的指令。
因此，圖8示意性地顯示反應腔室製程站800的實施例。為了簡明起見，將製程站800繪示成具有用於維持低壓環境之製程腔室體802的獨立製程站。然而，將察知在共同的製程工具環境中(例如在共同的反應腔室內)可包含複數製程站800。舉例來說，圖9繪示多站處理工具之實施例。再者，將察知在一些實施例中，製程站800之一或更多硬體參數(包含以上詳加討論之該等者)可由一或更多系統控制器而程式化地調整。
製程站800與反應物輸送系統801流體連通，以便將製程氣體輸送到分配噴淋頭806。反應物輸送系統801包含用於混和及/或處理輸送至噴淋頭806之製程氣體的混合容器804。一或更多混合容器入口閥820可控制製程氣體至混合容器804導入。
一些反應物可在汽化及後續輸送到製程腔室802之前以液體形式儲存。圖8之實施例包含用於使待供應至混合容器804之液體反應物汽化的汽化點803。在一些實施例中，汽化點803可為加熱之液體加熱模組。在一些實施例中，汽化點803可為加熱之汽化器。當未使用適當的控制時(例如當在汽化/原子化液體反應物期間未使用氦時)，由如此模組/汽化器所產生之飽和的反應物蒸氣可在下游的輸送管路中凝結。使不相容的氣體暴露到凝結之反應物可能產生小微粒。此等小微粒可能阻塞管路、阻礙閥的運作、污染基板等。處理此等問題的一些方式涉及掃除及/或排空輸送管路以移除剩餘的反應物。然而，掃除輸送管路可能增加製程站的循環時間、降低製程站的產量。因此，在一些實施例中，在汽化點803下游的輸送管路可受熱處理。在一些範例中，混合容器804亦可受熱處理。在一非限制性範例中，在汽化點803下游的管路具有增加之溫度分佈，該溫度分佈從大約攝氏100oC 延伸到在混合容器804之大約攝氏150o C。
如所提及，在一些實施例中，汽化點803可為加熱之液體注射模組(簡稱「液體注射器」)。如此液體注射器可將液體反應物之脈衝注入混合容器上游的載送氣體流。在一情況中，液體注射器可藉由將液體從較高壓力急驟轉至較低壓力而使反應物汽化。在另一情況中，液體注射器可將液體霧化成分散之微液滴，該等微液滴接著在加熱之輸送管路中汽化。將察知較小的液滴可比較大的液滴更快汽化，減少液體注射及完全汽化之間的延遲。更快的汽化可減少從汽化點803起之下游的管路之長度。在一情況中，可將液體注射器直接安裝到混合容器804。在另一情況中，可將液體注射器直接安裝到噴淋頭806。
在一些實施例中，可在汽化點803上游設置液體流控制器(LFC)以控制用於汽化及輸送至製程站800的液體之質量流。舉例來說， LFC可包含位於LFC下游的熱質量流量計(MFM)。接著響應由與MFM電連通之比例-積分-微分(PID)控制器所提供的回饋控制信號而調整LFC的柱塞閥。然而，使用回饋控制來穩定液體流可能耗費一秒或更多。此可能延長液體反應物的給劑時間。因此在一些實施例中，LFC可在回饋控制模式及直接控制模式之間動態切換。在一些實施例中，可藉由停用LFC的感應管及PID控制器而將LFC從回饋控制模式動態切換至直接控制模式。
噴淋頭806將製程氣體及/或反應物(例如含摻質膜前驅物)朝在製程站的基板812加以分配，該等製程氣體及/或反應物的流動係由在噴淋頭起之上游的一或更多閥(例如閥820、820A、805)所控制。在顯示於圖8的實施例中，基板812係位於噴淋頭806的下方，並顯示成安置於基座808上。將察知噴淋頭806可具有任何合適的形狀，且可具有任何合適的通口數量及配置以便將製程氣體分配到基板812。
在一些實施例中，微容積807係位於噴淋頭806下方。於製程站內靠近基板的微容積中而非在處理腔室的之整體容積中執行ALD製程可減少反應物暴露及掃掠時間、可減少改變製程條件(例如壓力、溫度等)的次數、可限制製程站機器人對製程氣體的暴露等。範例微容積尺寸包含但不限於介於0.1公升及2公升之間的容積。
在一些實施例中，可使基座808上升或下降以將基板812暴露於微容積807及/或改變微容積807的容積。舉例來說，在基板傳送階段中，可使基座808下降以容許基板812裝載至基座808上。於在基板上沉積的製程階段期間，可使基座808上升以將基板812置於微容積807內。在一些實施例中，微容積807可完全包圍基板812以及基座808之一部份而在沉積製程期間產生一高流動阻抗的區域。
可選地，可在沉積製程之部分者期間使基座808上升及/或下降以調節微容積807內的製程壓力、反應物濃度等。在製程腔室體802於製程期間維持在基底壓力的一情況中，使基座808下降可容許微容積807被排空。微容積對製程腔室容積的範例比例包含但不限於介於1:500及1:10之間的容積比。將察知在一些實施例中，基座高度可藉由合適的電腦控制器而程式化地調整。
在另一情況中，調整基座808的高度可容許電漿密度在包含於例如ALD或CVD製程的電漿活化及/或處理循環期間被變化。在沉積製程階段的末了，可使基座808在另一基板傳送階段期間下降以容許將基板812從基座808移除。
儘管在此所述之範例微容積變化形係指高度可調整之基座，然而將察知在一些實施例中，噴淋頭806的位置可相對於基座808受調整以變化微容積807之容積。再者，將察知在本揭露內容之範疇內，可藉由任何合適的機構變化基座808及/或噴淋頭806之鉛直位置。在一些實施例中，基座808可包含用於旋轉基板812之位向的旋轉軸。將察知在一些實施例中，此等範例調整之一或更多者可藉由具有用以執行前述操作之所有者或子集合之機器可讀指令的一或更多合適的系統控制器而加以程式化地執行。
回到圖8中所示的實施例，噴淋頭806及基座808可與用於驅動電漿之RF電源814及匹配網路816電連通。在一些實施例中，電漿能量可(例如經由具有適當之機器可讀指令的系統控制器)藉著控制製程站壓力、氣體濃度、RF源功率、RF源頻率、及電漿功率脈衝時間點之一或更多者而受控制。舉例來說，可使RF電源814及匹配網路816運作於任何合適的功率，俾以形成具有期望之自由基物種組成的電漿。合適的功率之範例係包含於上述者。同樣地，RF電源814可提供任何合適頻率的RF功率。在一些實施例中，可將RF電源814用以彼此獨立地控制高頻及低頻RF功率來源。範例低頻RF頻率可包含但不限於介於50kHz及500kHz之間的頻率。範例高頻RF頻率可包含但不限於介於1.8MHz及2.45GHz之間的頻率。將察知任何合適的參數皆可非連續或連續地受調變，俾以提供用於表面反應之電漿能量。在一非限制性範例中，可間歇性地使電漿功率脈衝，俾以相對於連續驅動之電漿而減少對基板表面之離子轟擊。
在一些實施例中，電漿可被一或更多電漿監測器原位地監測。在一情況中，電漿功率可被一或更多電壓、電流感測器(例如VI探測器)監測。在另一情況中，電漿密度及/或製程氣體濃度可被一或更多光學發射光譜學(OES)感測器量測。在一些實施例中，可基於來自如此原位電漿監測器的量測結果而程式化地調整一或更多電漿參數。舉例來說，可將OES感測器用於回饋迴圈中以提供對電漿功率之程式化控制。將察知在一些實施例中，可使用其它監測器以監測電漿及其它製程特徵。如此監測器可包含但不限於紅外線(IR)監測器、聲學監測器及壓力轉換器。
在一些實施例中，電漿可經由輸入/輸出控制(IOC)排序指令來控制。在一範例中，可將用於設定電漿活化階段之電漿條件的指令包含在製程配方之相對應的電漿活化配方階段中。在一些情況中，可將複數製程配方階段加以依序安排，使得一製程階段的所有指令係與該製程階段同時執行。在一些實施例中，可在電漿製程階段之前的配方階段中包含用以設定一或更多電漿參數的指令。舉例來說，第一配方階段可包含用以設定惰性氣體(例如氦)及/或反應物氣體之流率的指令、用以將電漿產生器設定在功率設定點的指令、及用於第一配方階段之時間延遲指令。第二、後續的配方階段可包含用以啟用電漿產生器的指令及用於第二配方階段的時間延遲指令。第三配方階段可包含用以停用電漿產生器的指令及用於第三配方階段的時間延遲指令。將察知在本揭露內容的範疇內可以任何合適的方法將此等配方階段進一步細分及/或重複。
在一些沉積製程中，電漿閃擊在時間上持續約數秒或更長。於在此所述之若干實施方式中，可在處理循環期間施加更短許多的電漿閃擊。此等者可為約50毫秒到1秒，而以0.25秒為具體範例。如此短的RF電漿閃擊要求電漿之快速穩定。為達成此者，可配置電漿產生器而使阻抗匹配係預設在一特定電壓，而頻率係容許浮動。習知上，高頻電漿係產生於在約13.56MHz的RF頻率。於在此所揭露之不同實施例中，頻率係容許浮動至與此標準值不同的值。藉由允許頻率浮動但將阻抗匹配固定於預設電壓，電漿可更快許多地穩定，此為一在使用與ALD循環相關之非常短的電漿閃擊時可能重要的結果。
在一些實施例中，基座808可經由加熱器810加以溫控。再者，在一些實施例中，可由一或更多以閥操作的真空源(像是蝴蝶閥818)提供對製程站800的壓力控制。如圖8之實施例中所示，蝴蝶閥818調節由下游的真空泵(未顯示)所提供的真空。然而，在一些實施例中，製程站800的壓力控制也可藉由變化導入製程站800之一或更多氣體的流率而調整。在一些實施例中，可將一或更多以閥操作的真空源─像是蝴蝶閥818─用於在適當的ALD操作階段期間從圍繞製程站的容積移除含摻質膜前驅物。
如以上所述，可將一或更多製程站包含在多站處理工具中。圖9示意性地顯示在共同的低壓處理腔室914中包含複數製程站901、902、903、904的多站處理工具900之範例。藉由將各站維持在低壓環境中，可避免由膜沉積製程之間的真空破除而造成之缺陷。
如圖9中所示，多站處理工具900具有入站負載鎖922及出站負載鎖924，其一者或兩者可包含遠端電漿源。處於大氣壓力的機器人926係用以將晶圓從透過盒928所裝載之卡匣經由大氣通口920移入入站負載鎖922。晶圓被機器人926置於入站負載鎖922中的基座912上，大氣通口920關閉，然後負載鎖被泵抽減壓。在入站負載鎖922包含遠端電漿源的情況中，晶圓可在被導入處理腔室914之前於負載鎖中暴露於遠端電漿處理。再者，晶圓亦可在入站負載鎖2402中被加熱，俾以例如移除水氣及吸附的氣體。接下來，往處理腔室914的腔室傳送通口916打開，然後另一機器人(未顯示)將進入反應腔室的晶圓置於在製程站901的基座918上。儘管圖9中所繪示的實施例包含負載鎖，然而將察知在一些實施例中可設置晶圓基板進入處理腔室的直接入口。
顯示於圖9中之所繪示的處理腔室914提供四製程站901、902、903、904。每一站具有加熱之基座(針對製程站901係顯示於918)及氣體線路入口。將察知在一些實施例中，每一製程站可具有不同或多重目的。舉例來說，在一些實施例中，製程站可在ALD製程模式及CVD製程模式之間為可切換。除此之外或替代地，在一些實施例中，處理腔室914可包含一或更多匹配之成對的ALD/CVD製程站。儘管所繪示之處理腔室914包含4製程站，然而將理解根據本揭露內容之處理腔室可具有任何合適數目的站。舉例來說，在一些實施例中，處理腔室可具有1、或2、或3、或4、或5、或6、或7、或8、或9、或10、或11、或12、或13、或14、或15、或16、或更多製程站(或可將一實施例集合描述成每一反應腔室具有在由前述值之任何配對所定義之範圍內的製程站數目，像是每一反應腔室具有2到6製程站、或每一反應腔室具有4到8製程站、或每一反應腔室具有8到16製程站等)。
圖9亦繪示用於在處理腔室914內傳送晶圓之晶圓搬運系統990的實施例。在一些實施例中，晶圓搬運系統990可在不同製程站之間及/或在製程站及負載鎖之間傳送晶圓。將察知可運用任何合適的晶圓搬運系統。非限制性範例包含晶圓旋轉架及晶圓搬運機器人。
圖9亦繪示用以製程工具900及其製程站之製程條件及硬體狀態的系統控制器950之實施例。系統控制器950可包含一或更多記憶體裝置956、一或更多大量儲存裝置954、及一或更多處理器952。處理器952可包含一或更多CPU、ASIC、(複數)通用電腦及/或(複數)特用電腦、一或更多類比及/或數位輸入/輸出連接、一或更多步進馬達控制器板等。
在一些實施例中，系統控制器950控制製程工具900之操作(包含其個別製程站之操作)的一些或所有者。系統控制器950可在處理器952上執行機器可讀之系統控制指令958－在一些實施例中，系統控制指令958係由大量儲存裝置954載入記憶體裝置956。系統控制指令958可包含用以控制由製程工具900所執行之特定製程的時間點、氣體及液體反應物之混合、腔室及/或站壓力、腔室及/或站溫度、晶圓溫度、目標功率位準、RF功率位準、RF暴露時間、基板基座、夾頭及/或承座位置、以及其他參數的指令。此等製程可包含不同類型的製程(包含但不限於與在基板上之膜沉積相關的製程)。系統控制指令958可以任何合適的方式加以配置。舉例來說，可撰寫不同製程工具構件子程序或控制物件以控制實行不同製程工具製程所需之製程工具構件的操作。系統控制指令958可以任何合適的電腦可讀程式語言加以編碼。在一些實施例中，系統控制指令958係實施成軟體，在其它實施例中，該等指令可被實施成硬體－例如硬體編碼(hard-coded)成ASIC(特殊應用積體電路)中的邏輯，或在其它實施例中被實施成軟體及硬體的組合。
在一些實施例中，系統控制指令958可包含用於控制上述不同參數的輸入/輸出控制(IOC)排序指令。舉例來說，沉積製程或複數沉積製程之每一階段可包含用以被系統控制器950執行的一或更多指令。舉例來說，可將用以設定含摻質膜沉積製程階段之製程條件的指令包含在相應的沉積配方階段中，且對於覆蓋膜沉積階段亦同。在一些實施例中，可將複數配方階段加以依序安排，使得一製程階段的所有指令係與該製程階段同時執行。
在一些實施例中，可運用儲存在與系統控制器950相關聯之大量儲存裝置954及/或記憶體裝置956的其它電腦可讀指令及/或程式。程式或程式部份之範例包含基板定位程式、製程氣體控制程式、壓力控制程式、加熱器控制程式、及電漿控制程式。
基板定位程式可包含供製程工具構件用的指令，該等製程工具構件係用以將基板裝載到基座918上並控制基板及製程工具900之其它零件之間的間距。定位程式可包含用以如在基板上沉積含摻質膜及覆蓋膜所需而將基板適當地移進及移出反應腔室的指令。
製程氣體控制程式可包含用以控制氣體組成及流率、及選擇性地用以在沉積之前使氣體流入圍繞一或更多製程站的容積以穩定此等容積中的壓力之指令。在一些實施例中，製程氣體控制程式可包含用以在於基板上沉積含摻質膜的期間將若干氣體導入圍繞處理腔室內之一或更多製程站的(複數)容積、及用以在於基板上沉積覆蓋膜的期間導入不同氣體的指令。製程氣體控制程式亦可包含指令以取決於所沉積之膜的組成而以相同速率、相同持續時間或以不同速率及/或不同持續時間來輸送此等氣體。製程氣體控制程序亦可包含用以在加熱之注射模組中於氦或一些其它載送氣體存在的情況下將液體反應物原子化/汽化的指令。
壓力控制程式可包含用以藉由調節例如製程站之排放系統中的節流閥、進入製程站之氣體流等而控制製程站內之壓力的指令。壓力控制程式可包含用以在於基板上沉積不同膜類型的期間維持相同或不同之壓力的指令。
加熱器控制程式可包含用以控制通往加熱基板用之加熱單元的電流之指令。替代地或除此之外，加熱器控制程式可控制熱傳氣體(像是氦)往基板的輸送。加熱器控制程式可包含用以在於基板上沉積不同膜類型的期間於反應腔室及/或圍繞製程站之容積中維持相同或不同溫度的指令。
電漿控制程式可包含用以根據在此之實施例設定在一或更多製程站中的RF功率位準、頻率、及暴露時間的指令。在一些實施例中，電漿控制程式可包含用以在於基板上沉積含摻質膜及覆蓋膜類型的期間使用相同或不同的RF功率位準及/或頻率及/或暴露時間的指令。
在一些實施例中，可具有與系統控制器950相關聯之使用者介面。使用者介面可包含顯示螢幕、設備及/或製程條件之圖形化軟體顯示、及像是指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等的使用者輸入裝置。
在一些實施例中，藉由系統控制器950所調整的參數可與製程條件相關。非限制性範例包含製程氣體組成和流率、溫度、壓力、電漿條件(像是RF偏壓功率位準及暴露時間)等。此等參數可以可利用使用者介面加以輸入的配方之形式而提供給使用者。
用於監測製程的訊號可藉由系統控制器950之類比及/或數位輸入連接而由各種製程工具感測器提供。用於控制製程的訊號可輸出在製程工具900之類比及/或數位輸出連接。可受監測之製程工具感測器的非限制性範例包含質流控制器(MFC)、壓力感測器(像是壓力計)、熱電偶等。經適當編程的回饋及控制演算法可與來自此等感測器的數據一起使用以維持製程條件。
系統控制器950可提供用以實施上述沉積製程的機器可讀指令。該等指令可控制各種製程參數，像是DC功率位準、RF偏壓功率位準、壓力、溫度等。該等指令可控制參數以執行根據在此所述之不同實施例之膜疊堆的原位沉積。
系統控制器通常會包含用以執行機器可讀指令俾使設備將根據在此所揭露之製程而執行操作的一或更多記憶體裝置及一或更多處理器。可將包含用以根據在此所揭露之基板摻雜製程而控制操作的指令之機器可讀、非暫態媒體耦接至系統控制器。
上述之各種設備及方法可搭配微影圖案化工具及/或製程使用，以供例如半導體元件、顯示器、LED、光電板及類似者的製造或生產。儘管並非必要，然而通常會在共同的製造設施中一起及/或同時使用如此工具或執行製程。
膜之微影圖案化通常包含以下操作之一些或所有者，每一操作係利用一些可能工具來實現：(1)使用旋塗或噴佈工具在基板(例如其上形成有氮化矽之基板)上施加光阻；(2)使用熱板或爐或其它合適的固化工具將光阻固化；(3)利用像是晶圓步進機之工具將光阻暴露於可見或UV或X射線光；(4)使用像是濕檯或噴淋顯影機之工具將阻劑顯影，以選擇性地移除阻劑並藉此將其圖案化；(5)藉由使用乾式或電漿輔助蝕刻工具將阻劑圖案轉移到下方膜或基板中；及(6)使用像是RF或微波電漿光阻剝除機之工具將阻劑移除。在一些實施例中，在施加光阻之前可沉積可灰化硬遮罩層(像是非晶性碳層)及另一合適的硬遮罩(像是抗反射層)。   其它實施例
儘管已為了促進明晰及理解的目的而在特定實施例的背景內詳述先前揭露之製程、方法、系統、設備、及組成，然而對於該領域中具有通常知識者將顯而易見的是，具有在本揭露內容之精神內之執行此等製程、方法、系統、設備、及組成的許多替代性方式。因此，在此所述之實施例將被視為對於所揭露之發明概念係說明性而非限制性，且不應被用做過度限制最後指向本揭露內容之標的的任何請求項之範圍的不允許基礎。
100‧‧‧電晶體
101‧‧‧電晶體
110‧‧‧矽基板
120‧‧‧源極
121‧‧‧源極
130‧‧‧通道
131‧‧‧通道
140‧‧‧汲極
141‧‧‧汲極
149‧‧‧閘極介電質
150‧‧‧閘極
151‧‧‧閘極
231‧‧‧通道
232‧‧‧通道
233‧‧‧通道
234‧‧‧通道
251‧‧‧閘極材料
255‧‧‧阻劑材料
310‧‧‧含摻質膜
320‧‧‧覆蓋膜
610‧‧‧操作
611‧‧‧操作
612‧‧‧操作
613‧‧‧操作
614‧‧‧操作
615‧‧‧操作
620‧‧‧操作
630‧‧‧操作
700‧‧‧膜
710‧‧‧富含摻質部份
720‧‧‧實質上無摻質部份
730‧‧‧SiC/SiN/SiCN覆蓋膜
800‧‧‧製程站
801‧‧‧反應物輸送系統
802‧‧‧製程腔室
803‧‧‧汽化點
804‧‧‧混合容器
805‧‧‧閥
806‧‧‧噴淋頭
807‧‧‧微容積
808‧‧‧基座
810‧‧‧加熱器
812‧‧‧基板
814‧‧‧RF電源
816‧‧‧匹配網路
818‧‧‧蝴蝶閥
820‧‧‧閥
820A‧‧‧閥
900‧‧‧多站製程工具
901‧‧‧製程站
902‧‧‧製程站
903‧‧‧製程站
904‧‧‧製程站
912‧‧‧基座
914‧‧‧處理腔室
916‧‧‧腔室傳送通口
918‧‧‧基座
920‧‧‧大氣通口
922‧‧‧入站負載鎖
924‧‧‧出站負載鎖
926‧‧‧機器人
928‧‧‧盒
950‧‧‧系統控制器
952‧‧‧處理器
954‧‧‧大量儲存裝置
956‧‧‧記憶體裝置
958‧‧‧系統控制指令
990‧‧‧晶圓搬運系統
圖1A顯示傳統的平面式IC電晶體之側視示意圖。
圖1B顯示現今之3D IC電晶體的剖面示意圖。
圖1C顯示運用鰭式通道區域之現今的三閘極(tri-gate)IC電晶體之透視示意圖。
圖1D顯示運用鰭式通道區域之現今的三閘極IC電晶體之另一透視示意圖。
圖2A示意性地顯示在嘗試經由習知的離子佈植技術來摻雜高高寬比之鰭式結構的通道區域時所可能發生的遮蔽效應。此圖顯示對於相鄰之鰭結構的遮蔽效應係由於存在著沉積之閘極電極材料而增加的情況。
圖2B亦示意性地顯示在嘗試經由習知的離子佈植技術來摻雜高高寬比之鰭式結構的通道區域時所可能發生的遮蔽效應。此圖顯示對於相鄰之鰭結構的遮蔽效應係由於存在著圖案遮罩層而增加的情況。
圖2C再次示意性地顯示在嘗試經由習知的離子佈植技術來摻雜高高寬比之鰭式結構的通道區域時所可能發生的遮蔽效應。此圖顯示對於相鄰之鰭結構的遮蔽效應係由於存在著沉積之閘極電極材料且亦受到圖案遮罩層的存在而增加的情況。
圖3A示意性地顯示具有覆蓋膜之含摻質膜。
圖3B示意性地顯示為了摻雜通道區域而設置在鰭式通道區域上之圖3A的含摻質膜。
圖4A及4B顯示夾在二氧化矽(SiO2 )層之間之含摻質硼矽酸玻璃(BSG)膜的示意圖，其係用以經由圖4C中所示的SIMS實驗來演示硼摻質穿過SiO2 層的擴散。
圖4C顯示二次離子質譜術(SIMS)實驗的結果，其演示硼摻質穿過示意性地顯示於圖4A及4B中之膜的SiO2 的擴散。
圖5顯示SIMS實驗的結果，其演示硼摻質穿過包夾BSG膜之碳化矽(SiC)層的擴散相對於圖4C中所展現之穿過SiO2 的摻質擴散減少。
圖6A呈現示意性地說明使用含摻質膜及具有碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合之覆蓋膜來摻雜半導體基板上之部份製造的3D電晶體的鰭式通道區域之方法的流程圖。
圖6B呈現用以沉積含摻質膜之原子層沉積(ALD)製程順序的流程圖。
圖7示意性地顯示與圖3A中所示者相似、但在圖7中展現一膜結構的含摻質膜，在該膜結構中，富含摻質部份係與實質上無摻質的部份相穿插。
圖8示意性地顯示適於執行像是在此揭露的方法中所運用之該等者之成膜ALD操作的基板處理站。
圖9示意性地顯示適於執行像是在此揭露的方法中所運用之該等者之成膜ALD操作的多站基板處理工具。
700‧‧‧膜
710‧‧‧富含摻質部份
720‧‧‧實質上無摻質部份
730‧‧‧SiC/SiN/SiCN覆蓋膜

Claims (31)

  1. 一種半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，該方法包含： (a)     在該半導體基板上形成含摻質膜，其中該含摻質膜之複數含摻質層係藉由包含以下各者的原子層沉積製程而形成： (i)      使含摻質膜前驅物吸附至該半導體基板上，使得該含摻質膜前驅物在該半導體基板上形成吸附限制層； (ii)    將至少一些未吸附之該含摻質膜前驅物從圍繞已吸附之該含摻質膜前驅物的容積移除； (iii)  在(ii)中移除未吸附之該含摻質膜前驅物之後，使已吸附之該含摻質膜前驅物反應以在該半導體基板上形成含摻質層； (iv)  當使已吸附之該含摻質膜前驅物反應之後存在有脫附之該含摻質膜前驅物及/或反應副產物時，將脫附之該含摻質膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該含摻質層的容積移除；及 (v)    重複(i)到(iv)以形成該含摻質膜之複數該含摻質層； (b)    形成覆蓋膜，該覆蓋膜包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合，該覆蓋膜係定位成使得在(a)中所形成的該含摻質膜係位在該半導體基板及該覆蓋膜之間；及 (c)     將摻質從該含摻質膜驅動至該鰭式通道區域中。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，更包含： (d)    在(c)之後，將該含摻質膜之至少一部份及/或該覆蓋膜之至少一部份從該半導體基板移除。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該含摻質膜實質上保形於該鰭式通道區域的形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中在(c)中的驅動包含熱退火，該熱退火增強該摻質從該含摻質膜到該鰭式通道區域之擴散。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該摻質為硼。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該等含摻質層之至少一些者包含硼矽酸玻璃。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該含摻質膜前驅物為烷基硼酸酯。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該烷基硼酸酯為三甲基硼酸酯。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該摻質為磷。
  10. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該摻質為砷。
  11. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中在(a)(iii)中的反應包含使已吸附之該含摻質膜前驅物與電漿接觸。
  12. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中在(a)(iii)中的反應包含使已吸附之該含摻質膜前驅物與另一反應性化學物種反應，該另一反應性化學物種可或可不先行吸附至該半導體基板上。
  13. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中形成該覆蓋膜包含化學氣相沉積製程。
  14. 如申請專利範圍第13項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該化學氣相沉積製程係受電漿增強。
  15. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中形成該覆蓋膜包含原子層沉積製程。
  16. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該鰭式通道區域具有小於約12奈米之寬度。
  17. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該覆蓋膜的平均厚度係介於約10及100埃之間。
  18. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該覆蓋膜之厚度上的相對標準差係小於約10％。
  19. 如申請專利範圍第1項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該覆蓋膜中之碳化矽、氮化矽及碳氮化矽的平均合併濃度係介於約2到3g/cm3 之間。
  20. 如申請專利範圍第1項到第19項的任一者之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中(a)更包含形成複數實質上無摻質的材料層，該等實質上無摻質層之至少一些者係由包含以下各者的原子層沉積製程所形成： (vi)  使無摻質膜前驅物吸附至該半導體基板上，使得該無摻質膜前驅物在該半導體基板上形成吸附限制層； (vii)將未吸附之該無摻質膜前驅物從圍繞已吸附之該無摻質膜前驅物的容積移除； (viii)    在(vii)中移除未吸附之該無摻質膜前驅物之後，使已吸附之該無摻質膜前驅物反應以在該半導體基板上形成實質上無摻質層； (ix)  當使已吸附之該無摻質膜前驅物反應之後存在有脫附之該無摻質膜前驅物及/或反應副產物時，將脫附之該無摻質膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該實質上無摻質層的容積移除；及 (x)    重複(vi)到(ix)以形成該含摻質膜之複數該實質上無摻質層。
  21. 如申請專利範圍第20項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該等實質上無摻質層之至少一些者包含介電材料。
  22. 如申請專利範圍第21項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中該介電材料為二氧化矽。
  23. 如申請專利範圍第20項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中在(a)中： 該含摻質膜的第一富含摻質部份係藉由在沒有該實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序於(i)到(v)中沉積複數該含摻質層而形成；且 該含摻質膜的第一實質上無摻質部份係藉由在沒有該含摻質層之沉積介入的情況下依序於(vi)到(x)中沉積複數該實質上無摻質層而形成。
  24. 如申請專利範圍第23項之半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域的摻雜方法，其中在(a)中： 該含摻質膜的第二富含摻質部份係藉由在沒有該實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序於(i)到(v)中沉積複數該含摻質層而形成；且 該含摻質膜的第二實質上無摻質部份係藉由在沒有該含摻質層之沉積介入的情況下依序於(vi)到(x)中沉積複數該實質上無摻質層而形成；且 其中該含摻質膜之該第一富含摻質部份及該第一實質上無摻質部份與該第二富含摻質部份及該第二實質上無摻質部份係以以下順序加以沉積：該第一富含摻質部份，然後該第一實質上無摻質部份，然後該第二富含摻質部份，然後該第二實質上無摻質部份。
  25. 一種含摻質膜，用以摻雜半導體基板上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域，該含摻質膜包含： 該含摻質膜的第一富含摻質部份，藉由在沒有實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數含摻質層而形成； 該含摻質膜的第一實質上無摻質部份，藉由在沒有該含摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數該實質上無摻質層而形成； 該含摻質膜的第二富含摻質部份，藉由在沒有該實質上無摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數該含摻質層而形成； 該含摻質膜的第二實質上無摻質部份，藉由在沒有該含摻質層之沉積介入的情況下依序保形地沉積複數該實質上無摻質層而形成； 覆蓋膜，包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合； 其中： 該第一實質上無摻質部份係位在該第一富含摻質部份及該第二富含摻質部份之間； 該第二富含摻質部份係位在該第一實質上無摻質部份及該第二實質上無摻質部份之間；且 該覆蓋膜層係定位成使得該第一富含摻質部份及該第二富含摻質部份與該第一實質上無摻質部份及該第二實質上無摻質部份係在該半導體基板及該覆蓋膜之間。
  26. 如申請專利範圍第25項之含摻質膜，其中該摻質為硼。
  27. 如申請專利範圍第26項之含摻質膜，其中該等含摻質層之至少一些者包含硼矽酸玻璃。
  28. 如申請專利範圍第27項之含摻質膜，其中含摻質膜前驅物為烷基硼酸酯。
  29. 如申請專利範圍第25項到第28項的任一者之含摻質膜，其中該等實質上無摻質層之至少一些者包含介電材料。
  30. 如申請專利範圍第29項之含摻質膜，其中該介電材料為二氧化矽。
  31. 一種多站基板處理設備，用以摻雜在複數製程站之複數半導體基板之表面上的部份製造之3D電晶體的鰭式通道區域，該設備包含： 複數製程站，包含在一或更多處理腔室中，每一製程站具有一基板固持器； 一或更多閥，用以控制含摻質膜前驅物到該等製程站的流動； 一或更多以閥操作之真空源，用以將該含摻質膜前驅物從圍繞包含在該一或更多處理腔室中的該等製程站之容積移除；及 一或更多控制器，包含用以操作該一或更多閥及該一或更多真空源以摻雜該等半導體基板之表面上的該等鰭式通道區域之機器可讀指令，該一或更多控制器包含用於以下各者之指令： (a)     在包含於一製程腔室之一製程站的一半導體基板上形成含摻質膜，其中該含摻質膜之複數含摻質層係由包含以下各者的原子層沉積製程所形成： (i)      將含摻質膜前驅物導入包含具有固持該半導體基板的該基板固持器之該製程站的該製程腔室，並容許該含摻質膜前驅物吸附至該半導體基板的表面上，使得該含摻質膜前驅物在該半導體基板上形成吸附限制層； (ii)    將未吸附之該含摻質膜前驅物從圍繞已吸附之該含摻質膜前驅物的容積移除； (iii)  在(ii)中移除未吸附之該含摻質膜前驅物之後，使已吸附之該含摻質膜前驅物反應以在該半導體基板上形成含摻質層； (iv)  當使已吸附之該含摻質膜前驅物反應之後存在有脫附之該含摻質膜前驅物及/或反應副產物時，將脫附之該含摻質膜前驅物及/或該反應副產物從圍繞該含摻質層的容積移除；及 (v)    重複(i)到(iv)以形成該含摻質膜之複數該含摻質層； (b)    形成覆蓋膜，該覆蓋膜包含碳化矽材料、氮化矽材料、碳氮化矽材料、或其組合，該覆蓋膜係定位成使得在(a)中所形成的該含摻質膜係在該半導體基板及該覆蓋膜之間；及 (c)     將摻質從該含摻質膜驅動到一鰭式通道區域中。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11549181B2 (en) 2013-11-22 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for atomic layer deposition of SiCO(N) using halogenated silylamides
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10100407B2 (en) 2014-12-19 2018-10-16 Lam Research Corporation Hardware and process for film uniformity improvement
US9515072B2 (en) * 2014-12-26 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. FinFET structure and method for manufacturing thereof
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
KR102323248B1 (ko) * 2015-03-25 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US9947658B2 (en) * 2015-10-28 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) * 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) * 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10553465B2 (en) * 2016-07-25 2020-02-04 Lam Research Corporation Control of water bow in multiple stations
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10446681B2 (en) * 2017-07-10 2019-10-15 Micron Technology, Inc. NAND memory arrays, and devices comprising semiconductor channel material and nitrogen
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10297611B1 (en) 2017-12-27 2019-05-21 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells
US10559466B2 (en) 2017-12-27 2020-02-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming a channel region of a transistor and methods used in forming a memory array
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP7674105B2 (ja) 2018-06-27 2025-05-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
SG11202108291SA (en) 2019-01-31 2021-08-30 Lam Res Corp Low stress films for advanced semiconductor applications
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP7671696B2 (ja) 2019-03-12 2025-05-02 ラム リサーチ コーポレーション 独立して調節可能な台座を用いるマルチステーション半導体処理
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
WO2020222853A1 (en) 2019-05-01 2020-11-05 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
CN110106550A (zh) * 2019-05-15 2019-08-09 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种外延片的制备方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20220006663A (ko) 2019-06-07 2022-01-17 램 리써치 코포레이션 원자 층 증착 동안 막 특성들의 인-시츄 (in-situ) 제어
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11186909B2 (en) * 2019-08-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Methods of depositing low-K films
KR20210028093A (ko) * 2019-08-29 2021-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유전체 층을 포함하는 구조체 및 이를 형성하는 방법
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
CN113257655A (zh) 2020-02-13 2021-08-13 Asm Ip私人控股有限公司 包括光接收装置的基板处理设备和光接收装置的校准方法
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
CN111900075A (zh) * 2020-06-22 2020-11-06 中国科学院微电子研究所 一种氮化硅膜及其沉积方法、半导体器件
CN113838794B (zh) * 2020-06-24 2024-09-27 Asmip私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
TWI893183B (zh) 2020-08-14 2025-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理方法
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
KR102855073B1 (ko) 2020-08-26 2025-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
FI130211B (fi) * 2020-10-29 2023-04-24 Beneq Oy Puolijohdeseostusmenetelmä ja välivaiheen puolijohdetuote
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
US11447865B2 (en) 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11882770B2 (en) 2020-12-10 2024-01-23 International Business Machines Corporation Area-selective deposition of metal nitride to fabricate devices
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
KR102852324B1 (ko) 2021-01-15 2025-08-28 삼성전자주식회사 반도체 장치
US12322592B2 (en) * 2021-02-12 2025-06-03 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon-based dielectric films
US11538919B2 (en) 2021-02-23 2022-12-27 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (461)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843472A (zh) 1971-10-04 1973-06-23
US4500563A (en) 1982-12-15 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing
CA1327338C (en) 1987-02-02 1994-03-01 Chorng-Ping Chang Process for producing devices containing silicon nitride films
JPH0293071A (ja) 1988-09-29 1990-04-03 Toshiba Corp 薄膜の形成方法
JPH0311635A (ja) 1989-06-08 1991-01-18 Sekiyu Sangyo Katsuseika Center 化合物半導体装置の製造方法
US5094984A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Hewlett-Packard Company Suppression of water vapor absorption in glass encapsulation
US5344454A (en) 1991-07-24 1994-09-06 Baxter International Inc. Closed porous chambers for implanting tissue in a host
US5230929A (en) 1992-07-20 1993-07-27 Dow Corning Corporation Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes
TW201848B (zh) 1991-11-08 1993-03-11 Advanced Micro Devices Inc
DE4136987A1 (de) 1991-11-11 1993-05-13 Leybold Ag Verfahren zur oberflaechenpassivierung von sensoren
JPH05226279A (ja) 1992-02-10 1993-09-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5223443A (en) 1992-02-19 1993-06-29 Integrated Device Technology, Inc. Method for determining wafer cleanliness
JPH06177120A (ja) 1992-10-27 1994-06-24 Sony Corp 層間絶縁膜の形成方法
US5932286A (en) 1993-03-16 1999-08-03 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon nitride thin films
US5496608A (en) 1993-09-22 1996-03-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Optical recording medium
JPH09102494A (ja) 1995-10-09 1997-04-15 Toshiba Corp 半導体装置の保護膜およびその形成方法
US6191026B1 (en) 1996-01-09 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Method for submicron gap filling on a semiconductor substrate
US5593914A (en) 1996-03-19 1997-01-14 Radiant Technologies, Inc. Method for constructing ferroelectric capacitor-like structures on silicon dioxide surfaces
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US6399221B1 (en) * 1996-06-25 2002-06-04 Northwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control
US6156149A (en) 1997-05-07 2000-12-05 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a dielectric oxide layer and anti-reflective coating
US5670432A (en) 1996-08-01 1997-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal treatment to form a void free aluminum metal layer for a semiconductor device
US5916365A (en) 1996-08-16 1999-06-29 Sherman; Arthur Sequential chemical vapor deposition
JPH1098032A (ja) 1996-09-20 1998-04-14 Hitachi Ltd 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US5994209A (en) 1996-11-13 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming ultra-shallow doped regions using doped silicon oxide films
US6809421B1 (en) 1996-12-02 2004-10-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Multichip semiconductor device, chip therefor and method of formation thereof
US6069058A (en) 1997-05-14 2000-05-30 United Semiconductor Corp. Shallow trench isolation for semiconductor devices
US7393561B2 (en) 1997-08-11 2008-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films
US5874368A (en) 1997-10-02 1999-02-23 Air Products And Chemicals, Inc. Silicon nitride from bis(tertiarybutylamino)silane
US6861356B2 (en) 1997-11-05 2005-03-01 Tokyo Electron Limited Method of forming a barrier film and method of forming wiring structure and electrodes of semiconductor device having a barrier film
US5856003A (en) 1997-11-17 1999-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming pseudo buried layer for sub-micron bipolar or BiCMOS device
US6346741B1 (en) 1997-11-20 2002-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same
US6100202A (en) * 1997-12-08 2000-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Pre deposition stabilization method for forming a void free isotropically etched anisotropically patterned doped silicate glass layer
US6509601B1 (en) 1998-07-31 2003-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device having capacitor protection layer and method for manufacturing the same
KR100275738B1 (ko) 1998-08-07 2000-12-15 윤종용 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법
US6218293B1 (en) 1998-11-13 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Batch processing for semiconductor wafers to form aluminum nitride and titanium aluminum nitride
DE10080457T1 (de) 1999-02-12 2001-04-26 Gelest Inc CVD-Abscheidung von Wolframnitrid
US6200893B1 (en) 1999-03-11 2001-03-13 Genus, Inc Radical-assisted sequential CVD
WO2000055901A1 (en) 1999-03-17 2000-09-21 Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg Method for filling gaps on a semiconductor wafer
KR100273473B1 (ko) 1999-04-06 2000-11-15 이경수 박막 형성 방법
AU5932500A (en) * 1999-07-22 2001-02-13 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices
US6313042B1 (en) 1999-09-03 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Cleaning contact with successive fluorine and hydrogen plasmas
US6576053B1 (en) 1999-10-06 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming thin film using atomic layer deposition method
FI118804B (fi) 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
KR100356473B1 (ko) 1999-12-29 2002-10-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 알루미늄 옥사이드 박막 형성 방법
EP1266054B1 (en) 2000-03-07 2006-12-20 Asm International N.V. Graded thin films
JP3437832B2 (ja) 2000-03-22 2003-08-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP2001274404A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US6759325B2 (en) 2000-05-15 2004-07-06 Asm Microchemistry Oy Sealing porous structures
US20030008070A1 (en) 2001-06-12 2003-01-09 Applied Materials,Inc Low-resistivity tungsten from high-pressure chemical vapor deposition using metal-organic precursor
JP2002009072A (ja) 2000-06-23 2002-01-11 Tokyo Electron Ltd シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置
WO2001099166A1 (en) 2000-06-08 2001-12-27 Genitech Inc. Thin film forming method
KR100721503B1 (ko) 2000-06-08 2007-05-23 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
US20050230047A1 (en) 2000-08-11 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus
US6482726B1 (en) 2000-10-17 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Control trimming of hard mask for sub-100 nanometer transistor gate
JP2002134497A (ja) 2000-10-23 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US6689220B1 (en) 2000-11-22 2004-02-10 Simplus Systems Corporation Plasma enhanced pulsed layer deposition
JP3437830B2 (ja) 2000-11-28 2003-08-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US6576345B1 (en) 2000-11-30 2003-06-10 Novellus Systems Inc Dielectric films with low dielectric constants
US6428859B1 (en) 2000-12-06 2002-08-06 Angstron Systems, Inc. Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
KR100385947B1 (ko) 2000-12-06 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법
US6416822B1 (en) 2000-12-06 2002-07-09 Angstrom Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6878402B2 (en) 2000-12-06 2005-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
US20020076507A1 (en) 2000-12-15 2002-06-20 Chiang Tony P. Process sequence for atomic layer deposition
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
KR100408733B1 (ko) 2001-02-02 2003-12-11 주성엔지니어링(주) 박막 증착 방법
KR101050377B1 (ko) 2001-02-12 2011-07-20 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정
US6632478B2 (en) 2001-02-22 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film
JP4406178B2 (ja) 2001-03-28 2010-01-27 株式会社渡辺商行 成膜装置
US7005392B2 (en) 2001-03-30 2006-02-28 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same
US6610169B2 (en) 2001-04-21 2003-08-26 Simplus Systems Corporation Semiconductor processing system and method
US6528430B2 (en) 2001-05-01 2003-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3
US6828218B2 (en) 2001-05-31 2004-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a thin film using atomic layer deposition
US6391803B1 (en) 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US7098131B2 (en) 2001-07-19 2006-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for forming atomic layers and thin films including tantalum nitride and devices including the same
JP2003045864A (ja) 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7138336B2 (en) 2001-08-06 2006-11-21 Asm Genitech Korea Ltd. Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) equipment and method of forming a conducting thin film using the same thereof
US6756318B2 (en) 2001-09-10 2004-06-29 Tegal Corporation Nanolayer thick film processing system and method
US6551893B1 (en) 2001-11-27 2003-04-22 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of capacitor dielectric
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
DE10208450B4 (de) 2002-02-27 2004-09-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Abscheiden dünner Schichten mittels ALD/CVD-Prozessen in Verbindung mit schnellen thermischen Prozessen
US6962876B2 (en) 2002-03-05 2005-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device
US7250083B2 (en) 2002-03-08 2007-07-31 Sundew Technologies, Llc ALD method and apparatus
KR20030081144A (ko) 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
US6987240B2 (en) 2002-04-18 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Thermal flux processing by scanning
KR100468729B1 (ko) 2002-04-25 2005-01-29 삼성전자주식회사 Ｈｃｄ 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법
US7374617B2 (en) 2002-04-25 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods and chemical vapor deposition methods
US6777308B2 (en) 2002-05-17 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Method of improving HDP fill process
US20040129212A1 (en) 2002-05-20 2004-07-08 Gadgil Pradad N. Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
KR100472777B1 (ko) 2002-06-26 2005-03-10 동부전자 주식회사 박막 적층 방법
US7294582B2 (en) 2002-07-19 2007-11-13 Asm International, N.V. Low temperature silicon compound deposition
JP5005170B2 (ja) 2002-07-19 2012-08-22 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法
KR100542736B1 (ko) 2002-08-17 2006-01-11 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 산화막의 형성방법 및 이를이용한 반도체 장치의 캐패시터 형성방법
EP1535321A4 (en) * 2002-08-18 2009-05-27 Asml Us Inc LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON OXIDES AND OXINITRIDES
US6784049B2 (en) 2002-08-28 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method for forming refractory metal oxide layers with tetramethyldisiloxane
US6794284B2 (en) 2002-08-28 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes
US6730164B2 (en) 2002-08-28 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming strontium- and/or barium-containing layers
US6967159B2 (en) 2002-08-28 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using organic amines
US6774040B2 (en) 2002-09-12 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for surface finishing a silicon film
AU2003279751A1 (en) 2002-10-03 2004-04-23 Pan Jit Americas, Inc. Method of fabricating semiconductor by nitrogen doping of silicon film
KR100496265B1 (ko) 2002-11-29 2005-06-17 한국전자통신연구원 반도체 소자의 박막 형성방법
US7097886B2 (en) 2002-12-13 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Deposition process for high aspect ratio trenches
US7172792B2 (en) 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
CN100567564C (zh) 2002-12-20 2009-12-09 应用材料有限公司 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备
US6890656B2 (en) 2002-12-20 2005-05-10 General Electric Company High rate deposition of titanium dioxide
KR100546852B1 (ko) 2002-12-28 2006-01-25 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US7122222B2 (en) * 2003-01-23 2006-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof
US7713592B2 (en) 2003-02-04 2010-05-11 Tegal Corporation Nanolayer deposition process
US6930059B2 (en) 2003-02-27 2005-08-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition
US7084076B2 (en) 2003-02-27 2006-08-01 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming silicon dioxide film using siloxane
US7288292B2 (en) * 2003-03-18 2007-10-30 International Business Machines Corporation Ultra low k (ULK) SiCOH film and method
US6930058B2 (en) 2003-04-21 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Method of depositing a silicon dioxide comprising layer doped with at least one of P, B and Ge
WO2004094695A2 (en) 2003-04-23 2004-11-04 Genus, Inc. Transient enhanced atomic layer deposition
US7115528B2 (en) 2003-04-29 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Systems and method for forming silicon oxide layers
US6949442B2 (en) * 2003-05-05 2005-09-27 Infineon Technologies Ag Methods of forming MIM capacitors
US6765303B1 (en) * 2003-05-06 2004-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. FinFET-based SRAM cell
JP4329403B2 (ja) 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6930060B2 (en) 2003-06-18 2005-08-16 International Business Machines Corporation Method for forming a uniform distribution of nitrogen in silicon oxynitride gate dielectric
US7125815B2 (en) 2003-07-07 2006-10-24 Micron Technology, Inc. Methods of forming a phosphorous doped silicon dioxide comprising layer
US7264849B2 (en) 2003-07-11 2007-09-04 Optisolar, Inc. Roll-vortex plasma chemical vapor deposition method
US7399388B2 (en) 2003-07-25 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Sequential gas flow oxide deposition technique
US6943097B2 (en) 2003-08-19 2005-09-13 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition of metallic contacts, gates and diffusion barriers
KR100568859B1 (ko) 2003-08-21 2006-04-10 삼성전자주식회사 디램 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법
KR100500472B1 (ko) * 2003-10-13 2005-07-12 삼성전자주식회사 리세스 게이트 트랜지스터 구조 및 형성방법
US7261919B2 (en) 2003-11-18 2007-08-28 Flx Micro, Inc. Silicon carbide and other films and method of deposition
US20050109276A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US7291271B2 (en) 2003-12-09 2007-11-06 Separation Design Group, Llc Meso-frequency traveling wave electro-kinetic continuous adsorption system
JP2005210076A (ja) 2003-12-25 2005-08-04 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 窒化珪素膜の成膜方法及びこの方法を使用する半導体装置の製造方法
KR100545697B1 (ko) 2003-12-29 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 트렌치 소자분리 방법
KR100560654B1 (ko) 2004-01-08 2006-03-16 삼성전자주식회사 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법
US20050181535A1 (en) 2004-02-17 2005-08-18 Yun Sun J. Method of fabricating passivation layer for organic devices
US7088003B2 (en) 2004-02-19 2006-08-08 International Business Machines Corporation Structures and methods for integration of ultralow-k dielectrics with improved reliability
JP4279176B2 (ja) 2004-03-02 2009-06-17 株式会社アルバック シリコン窒化膜の形成方法
KR100538096B1 (ko) 2004-03-16 2005-12-21 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법을 이용하는 커패시터 형성 방법
JP2005310927A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Toshiba Corp 紫外線照射による高品質シリコン窒化膜の成膜方法
US7259050B2 (en) 2004-04-29 2007-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of making the same
US7001844B2 (en) 2004-04-30 2006-02-21 International Business Machines Corporation Material for contact etch layer to enhance device performance
US7651729B2 (en) 2004-05-14 2010-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating metal silicate layer using atomic layer deposition technique
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
KR100591157B1 (ko) 2004-06-07 2006-06-19 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조방법
US7449345B2 (en) 2004-06-15 2008-11-11 Headway Technologies, Inc. Capping structure for enhancing dR/R of the MTJ device
JP4396547B2 (ja) 2004-06-28 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US20050287747A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 International Business Machines Corporation Doped nitride film, doped oxide film and other doped films
US7488690B2 (en) 2004-07-06 2009-02-10 Applied Materials, Inc. Silicon nitride film with stress control
JP4595702B2 (ja) 2004-07-15 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7241686B2 (en) 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
JP4179311B2 (ja) 2004-07-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4470023B2 (ja) 2004-08-20 2010-06-02 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード シリコン窒化物膜の製造方法
US7629270B2 (en) 2004-08-27 2009-12-08 Asm America, Inc. Remote plasma activated nitridation
EP1784690A2 (en) 2004-09-01 2007-05-16 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing process for increasing photoresist removal rate and plasma apparatus with cooling means
US20060084283A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
US7148155B1 (en) 2004-10-26 2006-12-12 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US20060105106A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Tensile and compressive stressed materials for semiconductors
KR100648252B1 (ko) 2004-11-22 2006-11-24 삼성전자주식회사 텅스텐막 형성 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자의 형성방법
JP4701691B2 (ja) 2004-11-29 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US7482247B1 (en) 2004-12-30 2009-01-27 Novellus Systems, Inc. Conformal nanolaminate dielectric deposition and etch bag gap fill process
US7205187B2 (en) 2005-01-18 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor
US20060162661A1 (en) 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
US7838072B2 (en) 2005-01-26 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monolayer deposition (MLD)
US20060183055A1 (en) 2005-02-15 2006-08-17 O'neill Mark L Method for defining a feature on a substrate
KR100622609B1 (ko) 2005-02-16 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 박막 형성 방법
US7629267B2 (en) 2005-03-07 2009-12-08 Asm International N.V. High stress nitride film and method for formation thereof
JP4258518B2 (ja) 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7109129B1 (en) 2005-03-09 2006-09-19 Novellus Systems, Inc. Optimal operation of conformal silica deposition reactors
CN100554506C (zh) 2005-03-09 2009-10-28 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜方法及装置
KR100640638B1 (ko) 2005-03-10 2006-10-31 삼성전자주식회사 원자층 증착법에 의한 고유전막 형성 방법 및 고유전막을 갖는 반도체소자의 제조 방법
JP4506677B2 (ja) 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7608549B2 (en) 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
JP2006261434A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude シリコン酸化膜の形成方法
US7341959B2 (en) 2005-03-21 2008-03-11 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7435454B2 (en) 2005-03-21 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7314835B2 (en) 2005-03-21 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
JP4228150B2 (ja) 2005-03-23 2009-02-25 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US7422636B2 (en) 2005-03-25 2008-09-09 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination
JP4607637B2 (ja) 2005-03-28 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム
US7365027B2 (en) 2005-03-29 2008-04-29 Micron Technology, Inc. ALD of amorphous lanthanide doped TiOx films
US7687409B2 (en) 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7361538B2 (en) 2005-04-14 2008-04-22 Infineon Technologies Ag Transistors and methods of manufacture thereof
US7390756B2 (en) 2005-04-28 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited zirconium silicon oxide films
US7875556B2 (en) 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US7176084B2 (en) 2005-06-09 2007-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Self-aligned conductive spacer process for sidewall control gate of high-speed random access memory
US7473655B2 (en) 2005-06-17 2009-01-06 Applied Materials, Inc. Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US20060286774A1 (en) 2005-06-21 2006-12-21 Applied Materials. Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4752349B2 (ja) 2005-06-23 2011-08-17 大日本印刷株式会社 パターン形成体およびその製造方法
JP2007019145A (ja) 2005-07-06 2007-01-25 Tokyo Electron Ltd シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム
JP2007043147A (ja) 2005-07-29 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd 原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法
JP4305427B2 (ja) 2005-08-02 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US7132353B1 (en) 2005-08-02 2006-11-07 Applied Materials, Inc. Boron diffusion barrier by nitrogen incorporation in spacer dielectrics
KR100652427B1 (ko) 2005-08-22 2006-12-01 삼성전자주식회사 Ａｌｄ에 의한 도전성 폴리실리콘 박막 형성 방법 및 이를이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR100734748B1 (ko) 2005-09-08 2007-07-03 주식회사 아이피에스 인시튜 질화물(in-situ nitride) 박막증착방법
US20070065576A1 (en) 2005-09-09 2007-03-22 Vikram Singh Technique for atomic layer deposition
US20070087581A1 (en) 2005-09-09 2007-04-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for atomic layer deposition
US7524743B2 (en) 2005-10-13 2009-04-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conformal doping apparatus and method
JPWO2007043709A1 (ja) 2005-10-14 2009-04-23 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法およびその製造装置
KR101019293B1 (ko) 2005-11-04 2011-03-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마-강화 원자층 증착 장치 및 방법
US7897217B2 (en) 2005-11-18 2011-03-01 Tokyo Electron Limited Method and system for performing plasma enhanced atomic layer deposition
WO2007064376A2 (en) 2005-11-28 2007-06-07 Honeywell International Inc. Organometallic precursors and related intermediates for deposition processes, their production and methods of use
US7592251B2 (en) 2005-12-08 2009-09-22 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum titanium oxide films
US7615438B2 (en) 2005-12-08 2009-11-10 Micron Technology, Inc. Lanthanide yttrium aluminum oxide dielectric films
US7829159B2 (en) 2005-12-16 2010-11-09 Asm Japan K.K. Method of forming organosilicon oxide film and multilayer resist structure
JP2007180362A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Corp 半導体装置
JP4434149B2 (ja) 2006-01-16 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US20070218701A1 (en) 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20070215036A1 (en) 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
US7959985B2 (en) 2006-03-20 2011-06-14 Tokyo Electron Limited Method of integrating PEALD Ta-containing films into Cu metallization
US7601651B2 (en) 2006-03-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
CN101416293B (zh) 2006-03-31 2011-04-20 应用材料股份有限公司 用于介电膜层的阶梯覆盖与图案加载
US7645484B2 (en) 2006-03-31 2010-01-12 Tokyo Electron Limited Method of forming a metal carbide or metal carbonitride film having improved adhesion
JP4929811B2 (ja) 2006-04-05 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2007287890A (ja) 2006-04-14 2007-11-01 Kochi Univ Of Technology 絶縁膜の成膜方法、半導体装置の製法、プラズマｃｖｄ装置
JP2007287889A (ja) 2006-04-14 2007-11-01 Kochi Univ Of Technology 絶縁膜の成膜方法、半導体装置の製法
US7524750B2 (en) 2006-04-17 2009-04-28 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD
US7727413B2 (en) 2006-04-24 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density
FR2900276B1 (fr) 2006-04-25 2008-09-12 St Microelectronics Sa Depot peald d'un materiau a base de silicium
KR100756809B1 (ko) 2006-04-28 2007-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7498273B2 (en) 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
US20070281106A1 (en) 2006-05-30 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Process chamber for dielectric gapfill
JP5543203B2 (ja) 2006-06-16 2014-07-09 フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． 大気圧グロー放電プラズマを使用した原子層堆積の方法及び装置
US7625820B1 (en) 2006-06-21 2009-12-01 Novellus Systems, Inc. Method of selective coverage of high aspect ratio structures with a conformal film
US8232176B2 (en) 2006-06-22 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
US20080014759A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate dielectric layer utilized in a gate structure
KR100791334B1 (ko) 2006-07-26 2008-01-07 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법
US7435684B1 (en) 2006-07-26 2008-10-14 Novellus Systems, Inc. Resolving of fluorine loading effect in the vacuum chamber
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
US7592231B2 (en) 2006-08-01 2009-09-22 United Microelectronics Corp. MOS transistor and fabrication thereof
US7749879B2 (en) 2006-08-03 2010-07-06 Micron Technology, Inc. ALD of silicon films on germanium
JP4929932B2 (ja) 2006-09-01 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
WO2008035678A1 (en) 2006-09-19 2008-03-27 Tokyo Electron Limited Plasma cleaning process and plasma cvd method
JP5258229B2 (ja) 2006-09-28 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
TWI462179B (zh) 2006-09-28 2014-11-21 東京威力科創股份有限公司 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置
US7939455B2 (en) 2006-09-29 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
KR101427142B1 (ko) 2006-10-05 2014-08-07 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 금속 규산염 막의 원자층 증착
US20080087890A1 (en) 2006-10-16 2008-04-17 Micron Technology, Inc. Methods to form dielectric structures in semiconductor devices and resulting devices
US20080139003A1 (en) 2006-10-26 2008-06-12 Shahid Pirzada Barrier coating deposition for thin film devices using plasma enhanced chemical vapor deposition process
KR100816759B1 (ko) 2006-11-09 2008-03-25 삼성전자주식회사 가변저항 스토리지를 갖는 비휘발성 기억 장치 및 동작방법
US20080119098A1 (en) 2006-11-21 2008-05-22 Igor Palley Atomic layer deposition on fibrous materials
US20080142483A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills
US7923068B2 (en) 2007-02-12 2011-04-12 Lotus Applied Technology, Llc Fabrication of composite materials using atomic layer deposition
US20080213479A1 (en) 2007-02-16 2008-09-04 Tokyo Electron Limited SiCN film formation method and apparatus
US20080207007A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
KR100805018B1 (ko) 2007-03-23 2008-02-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US7651961B2 (en) 2007-03-30 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films
US7776733B2 (en) 2007-05-02 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Method for depositing titanium nitride films for semiconductor manufacturing
KR101457656B1 (ko) 2007-05-17 2014-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법, 표시장치의 제조방법, 반도체장치,표시장치 및 전자기기
JP2008294260A (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Sony Corp 半導体装置とその製造方法並びに積層絶縁膜とその形成方法
JP5151260B2 (ja) 2007-06-11 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
KR100956210B1 (ko) 2007-06-19 2010-05-04 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법
US7638170B2 (en) 2007-06-21 2009-12-29 Asm International N.V. Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition
US8017182B2 (en) 2007-06-21 2011-09-13 Asm International N.V. Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD
US7566627B2 (en) 2007-06-29 2009-07-28 Texas Instruments Incorporated Air gap in integrated circuit inductor fabrication
EP2011898B1 (en) 2007-07-03 2021-04-07 Beneq Oy Method in depositing metal oxide materials
US7572052B2 (en) 2007-07-10 2009-08-11 Applied Materials, Inc. Method for monitoring and calibrating temperature in semiconductor processing chambers
US20090041952A1 (en) 2007-08-10 2009-02-12 Asm Genitech Korea Ltd. Method of depositing silicon oxide films
JP5098882B2 (ja) 2007-08-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7633125B2 (en) 2007-08-31 2009-12-15 Intel Corporation Integration of silicon boron nitride in high voltage and small pitch semiconductors
US20090065896A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 Seoul National University Industry Foundation CAPACITOR HAVING Ru ELECTRODE AND TiO2 DIELECTRIC LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
KR101542267B1 (ko) 2007-09-18 2015-08-06 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 규소 함유 막의 형성 방법
US8119424B2 (en) 2007-09-28 2012-02-21 Everspin Technologies, Inc. Electronic device including a magneto-resistive memory device and a process for forming the electronic device
US7867923B2 (en) 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
CN101442004B (zh) * 2007-11-23 2011-01-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 淀积含碳的薄膜用于形成掺杂区域间隔层的方法
US7651959B2 (en) 2007-12-03 2010-01-26 Asm Japan K.K. Method for forming silazane-based dielectric film
KR20090057665A (ko) 2007-12-03 2009-06-08 주식회사 아이피에스 금속을 함유하는 박막 형성방법
US20090155606A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Asm Genitech Korea Ltd. Methods of depositing a silicon nitride film
KR101221598B1 (ko) 2007-12-18 2013-01-14 삼성전자주식회사 유전막 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리소자 제조방법.
US7964515B2 (en) 2007-12-21 2011-06-21 Tokyo Electron Limited Method of forming high-dielectric constant films for semiconductor devices
KR20090067576A (ko) 2007-12-21 2009-06-25 삼성전자주식회사 트렌치의 매립 방법 및 이를 이용한 소자 분리막 구조물의형성 방법
JP4935684B2 (ja) 2008-01-12 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP4935687B2 (ja) 2008-01-19 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5297048B2 (ja) 2008-01-28 2013-09-25 三菱重工業株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TWI388078B (zh) 2008-01-30 2013-03-01 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 電子組件之製造方法及電子組件
JP4959733B2 (ja) 2008-02-01 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
US20090203197A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Hiroji Hanawa Novel method for conformal plasma immersed ion implantation assisted by atomic layer deposition
US8153348B2 (en) 2008-02-20 2012-04-10 Applied Materials, Inc. Process sequence for formation of patterned hard mask film (RFP) without need for photoresist or dry etch
JP5405031B2 (ja) 2008-03-06 2014-02-05 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 シリカ質膜の製造に用いる浸漬用溶液およびそれを用いたシリカ質膜の製造法
JP2009260151A (ja) 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
KR101436564B1 (ko) 2008-05-07 2014-09-02 한국에이에스엠지니텍 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법
US20090286402A1 (en) 2008-05-13 2009-11-19 Applied Materials, Inc Method for critical dimension shrink using conformal pecvd films
US8133797B2 (en) 2008-05-16 2012-03-13 Novellus Systems, Inc. Protective layer to enable damage free gap fill
US7622369B1 (en) 2008-05-30 2009-11-24 Asm Japan K.K. Device isolation technology on semiconductor substrate
US8298628B2 (en) 2008-06-02 2012-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature deposition of silicon-containing films
KR101266135B1 (ko) * 2008-06-03 2013-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 실리콘 함유 막의 저온 증착
JP5190307B2 (ja) 2008-06-29 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2011529126A (ja) 2008-07-24 2011-12-01 コヴィオ インコーポレイテッド アルミニウムインク及びその製造方法、アルミニウムインクを堆積する方法、並びにアルミニウムインクの印刷及び／又は堆積により形成されたフィルム
US8373254B2 (en) 2008-07-29 2013-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure for reducing integrated circuit corner peeling
ES2335638B1 (es) 2008-08-01 2011-02-09 Cosentino, S.A. Articulo en forma de tabla o losa fabricado de aglomerado petreo recubierto con laminas delgadas transparentes de tio2 o zno mediante tecnicas de deposicion en via seca con alta resistencia frente a la degradacion solar.
US8129555B2 (en) 2008-08-12 2012-03-06 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same
US8357617B2 (en) 2008-08-22 2013-01-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of patterning a metal gate of semiconductor device
US20100051578A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Shuo-Che Chang Method for fabricating an integrated circuit
JP2010103484A (ja) 2008-09-29 2010-05-06 Adeka Corp 半導体デバイス、その製造装置及び製造方法
US8303780B2 (en) 2008-09-30 2012-11-06 Tdk Corporation Method of forming mask for dry etching and manufacturing method of magnetic head using the same method
JP5233562B2 (ja) 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US8591661B2 (en) 2009-12-11 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics
US7910491B2 (en) 2008-10-16 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Gapfill improvement with low etch rate dielectric liners
US7745346B2 (en) 2008-10-17 2010-06-29 Novellus Systems, Inc. Method for improving process control and film conformality of PECVD film
US8252653B2 (en) 2008-10-21 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Method of forming a non-volatile memory having a silicon nitride charge trap layer
CN102197459A (zh) 2008-10-27 2011-09-21 应用材料股份有限公司 三元化合物的气相沉积方法
US8580993B2 (en) 2008-11-12 2013-11-12 Air Products And Chemicals, Inc. Amino vinylsilane precursors for stressed SiN films
US8647722B2 (en) 2008-11-14 2014-02-11 Asm Japan K.K. Method of forming insulation film using plasma treatment cycles
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
CN101736326B (zh) 2008-11-26 2011-08-10 中微半导体设备(上海)有限公司 电容耦合型等离子体处理反应器
US20100136313A1 (en) 2008-12-01 2010-06-03 Asm Japan K.K. Process for forming high resistivity thin metallic film
GB0823565D0 (en) 2008-12-24 2009-01-28 Oxford Instr Plasma Technology Signal generating system
JP5293168B2 (ja) 2008-12-25 2013-09-18 富士通株式会社 レジスト組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010183069A (ja) 2009-01-07 2010-08-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US7919416B2 (en) 2009-01-21 2011-04-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US7972980B2 (en) 2009-01-21 2011-07-05 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
US8142862B2 (en) 2009-01-21 2012-03-27 Asm Japan K.K. Method of forming conformal dielectric film having Si-N bonds by PECVD
JP2010177652A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5298938B2 (ja) 2009-02-24 2013-09-25 住友電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP4792097B2 (ja) 2009-03-25 2011-10-12 株式会社東芝 不揮発性記憶装置及びその製造方法
US8197915B2 (en) 2009-04-01 2012-06-12 Asm Japan K.K. Method of depositing silicon oxide film by plasma enhanced atomic layer deposition at low temperature
JP2010251654A (ja) 2009-04-20 2010-11-04 Elpida Memory Inc 成膜方法および半導体装置の製造方法
JP5408483B2 (ja) 2009-07-03 2014-02-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20110008972A1 (en) 2009-07-13 2011-01-13 Daniel Damjanovic Methods for forming an ald sio2 film
JP2011023718A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Asm Japan Kk ＰＥＡＬＤによってＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法
JP2011023576A (ja) 2009-07-16 2011-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2011023655A (ja) 2009-07-17 2011-02-03 Shimadzu Corp 窒化シリコン薄膜成膜方法および窒化シリコン薄膜成膜装置
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8169024B2 (en) * 2009-08-18 2012-05-01 International Business Machines Corporation Method of forming extremely thin semiconductor on insulator (ETSOI) device without ion implantation
JP5569153B2 (ja) 2009-09-02 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR101680899B1 (ko) 2009-09-02 2016-11-29 소니 주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR101732187B1 (ko) 2009-09-03 2017-05-02 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 플라즈마 강화된 화학기상 증착법에 의해 규소-질소 결합을 갖는 등각성 유전체 막을 형성하는 방법
US8072800B2 (en) 2009-09-15 2011-12-06 Grandis Inc. Magnetic element having perpendicular anisotropy with enhanced efficiency
US8278224B1 (en) 2009-09-24 2012-10-02 Novellus Systems, Inc. Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases
US8076241B2 (en) 2009-09-30 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Methods for multi-step copper plating on a continuous ruthenium film in recessed features
US8173554B2 (en) 2009-10-14 2012-05-08 Asm Japan K.K. Method of depositing dielectric film having Si-N bonds by modified peald method
JP5692085B2 (ja) 2009-11-11 2015-04-01 日本電気株式会社 抵抗変化素子、半導体装置、および抵抗変化素子の形成方法
US8691675B2 (en) * 2009-11-25 2014-04-08 International Business Machines Corporation Vapor phase deposition processes for doping silicon
CN102652353B (zh) 2009-12-09 2016-12-07 诺发系统有限公司 新颖间隙填充整合
US20110143548A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 David Cheung Ultra low silicon loss high dose implant strip
JP2013515376A (ja) 2009-12-22 2013-05-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 連続プラズマを用いるｐｅｃｖｄ（プラズマ化学気相堆積）マルチステップ処理
US8662053B2 (en) 2009-12-22 2014-03-04 Cummins Inc. Pre-combustion device for an internal combustion engine
US8501629B2 (en) 2009-12-23 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Smooth SiConi etch for silicon-containing films
US20110159202A1 (en) 2009-12-29 2011-06-30 Asm Japan K.K. Method for Sealing Pores at Surface of Dielectric Layer by UV Light-Assisted CVD
JP2011166106A (ja) * 2010-01-13 2011-08-25 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US8703625B2 (en) 2010-02-04 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Methods to prepare silicon-containing films
JP5514129B2 (ja) 2010-02-15 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
JP5742185B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、回転数の最適化方法及び記憶媒体
US8012859B1 (en) * 2010-03-31 2011-09-06 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition of silicon and silicon-containing films
CN102471885A (zh) 2010-04-01 2012-05-23 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 使用氨基金属与卤化金属前体组合的含金属氮化物的薄膜沉积
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US8993460B2 (en) 2013-01-10 2015-03-31 Novellus Systems, Inc. Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants
US8728956B2 (en) 2010-04-15 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal film deposition
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
EP2388833B1 (en) 2010-05-21 2019-11-13 ASM International N.V. Solar cell, and method of manufacturing the same
US8343881B2 (en) 2010-06-04 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide layer deposited with BDEAS
KR101710658B1 (ko) 2010-06-18 2017-02-27 삼성전자 주식회사 관통 전극을 갖는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 시그널링 방법
KR20130062980A (ko) 2010-07-22 2013-06-13 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리
US8669185B2 (en) 2010-07-30 2014-03-11 Asm Japan K.K. Method of tailoring conformality of Si-containing film
KR101147728B1 (ko) 2010-08-02 2012-05-25 주식회사 유진테크 사이클릭 박막 증착 방법
US8394466B2 (en) 2010-09-03 2013-03-12 Asm Japan K.K. Method of forming conformal film having si-N bonds on high-aspect ratio pattern
US20120064682A1 (en) 2010-09-14 2012-03-15 Jang Kyung-Tae Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US8524612B2 (en) 2010-09-23 2013-09-03 Novellus Systems, Inc. Plasma-activated deposition of conformal films
US8101531B1 (en) 2010-09-23 2012-01-24 Novellus Systems, Inc. Plasma-activated deposition of conformal films
US20120213940A1 (en) 2010-10-04 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of silicon nitride using dual-source precursor and interleaved plasma
TW201224190A (en) 2010-10-06 2012-06-16 Applied Materials Inc Atomic layer deposition of photoresist materials and hard mask precursors
KR101815527B1 (ko) 2010-10-07 2018-01-05 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US20120108079A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Film With Tunable Refractive Index And Absorption Coefficient And Methods Of Making
CN103168344A (zh) * 2010-11-03 2013-06-19 应用材料公司 用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
CN103228983A (zh) 2010-11-10 2013-07-31 纳米系统公司 量子点薄膜、照明器件及照明方法
US9719169B2 (en) 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
US20120164834A1 (en) 2010-12-22 2012-06-28 Kevin Jennings Variable-Density Plasma Processing of Semiconductor Substrates
US8901016B2 (en) 2010-12-28 2014-12-02 Asm Japan K.K. Method of forming metal oxide hardmask
JP2012160671A (ja) 2011-02-02 2012-08-23 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
JP5661523B2 (ja) 2011-03-18 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US20120258261A1 (en) 2011-04-11 2012-10-11 Novellus Systems, Inc. Increasing etch selectivity of carbon films with lower absorption co-efficient and stress
US8647993B2 (en) 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
WO2012148439A1 (en) 2011-04-25 2012-11-01 William Marsh Rice University Direct growth of graphene films on non-catalyst surfaces
US9006802B2 (en) 2011-08-18 2015-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers
JP5551129B2 (ja) 2011-09-07 2014-07-16 株式会社東芝 記憶装置
JP2013058521A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Toshiba Corp 記憶装置及びその製造方法
WO2013039881A2 (en) 2011-09-13 2013-03-21 Applied Materials, Inc. Carbosilane precursors for low temperature film deposition
TW201319299A (zh) 2011-09-13 2013-05-16 應用材料股份有限公司 用於低溫電漿輔助沉積的活化矽前驅物
KR102084901B1 (ko) 2011-09-23 2020-03-05 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 플라즈마 활성화된 컨포멀 유전체 막 증착
US8809169B2 (en) 2011-09-30 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Multi-layer pattern for alternate ALD processes
JP6043546B2 (ja) 2011-10-21 2016-12-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
WO2013065806A1 (ja) 2011-11-02 2013-05-10 宇部興産株式会社 トリス（ジアルキルアミド）アルミニウム化合物及び当該アルミニウム化合物を用いるアルミニウム含有薄膜の製造方法
US9318431B2 (en) 2011-11-04 2016-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit having a MOM capacitor and method of making same
KR20130056608A (ko) 2011-11-22 2013-05-30 에스케이하이닉스 주식회사 상변화 메모리 장치 및 그의 제조방법
WO2013095396A1 (en) 2011-12-20 2013-06-27 Intel Corporation Conformal low temperature hermetic dielectric diffusion barriers
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US8728955B2 (en) 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
JP5843318B2 (ja) 2012-02-14 2016-01-13 株式会社Adeka Ａｌｄ法用窒化アルミニウム系薄膜形成用原料及び該薄膜の製造方法
US8846484B2 (en) 2012-02-15 2014-09-30 Intermolecular, Inc. ReRAM stacks preparation by using single ALD or PVD chamber
US9390893B2 (en) 2012-02-22 2016-07-12 Lam Research Corporation Sub-pulsing during a state
JP5547763B2 (ja) 2012-03-16 2014-07-16 三井造船株式会社 プラズマ生成方法、この方法を用いた薄膜形成方法及びプラズマ生成装置
JP6125247B2 (ja) 2012-03-21 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US8952765B2 (en) 2012-03-23 2015-02-10 Mks Instruments, Inc. System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
SG195494A1 (en) 2012-05-18 2013-12-30 Novellus Systems Inc Carbon deposition-etch-ash gap fill process
US8956704B2 (en) 2012-05-21 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Methods for modulating step coverage during conformal film deposition
US8716149B2 (en) 2012-05-29 2014-05-06 GlobalFoundries, Inc. Methods for fabricating integrated circuits having improved spacers
US10211310B2 (en) * 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US8962078B2 (en) 2012-06-22 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Method for depositing dielectric films
US20140030444A1 (en) 2012-07-30 2014-01-30 Novellus Systems, Inc. High pressure, high power plasma activated conformal film deposition
US20140049162A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 George Thomas Defect reduction in plasma processing
WO2014035933A1 (en) 2012-08-28 2014-03-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming tantalum silicate layers on germanium or iii-v semiconductor devices
US8795774B2 (en) 2012-09-23 2014-08-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Hardmask
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
US9362133B2 (en) 2012-12-14 2016-06-07 Lam Research Corporation Method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask
US9304396B2 (en) 2013-02-25 2016-04-05 Lam Research Corporation PECVD films for EUV lithography
US8846550B1 (en) 2013-03-14 2014-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silane or borane treatment of metal thin films
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9012336B2 (en) 2013-04-08 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Method for conformal treatment of dielectric films using inductively coupled plasma
CN104347421A (zh) 2013-08-07 2015-02-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 鳍式场效应管的形成方法
KR102081195B1 (ko) 2013-08-28 2020-02-25 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
US9564361B2 (en) 2013-09-13 2017-02-07 Qualcomm Incorporated Reverse self aligned double patterning process for back end of line fabrication of a semiconductor device
US9368348B2 (en) 2013-10-01 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-aligned patterning process
JP2017501530A (ja) 2013-10-17 2017-01-12 ナノシス・インク． 発光ダイオード（ｌｅｄ）デバイス
WO2015072589A1 (en) 2013-11-13 2015-05-21 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Group 5 transition metal-containing compounds for vapor deposition of group 5 transition metal-containing films
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
TWI480415B (zh) 2013-11-27 2015-04-11 財團法人工業技術研究院 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法
US20150159271A1 (en) 2013-12-09 2015-06-11 Veeco Ald Inc. Deposition of non-isostructural layers for flexible substrate
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
CN103928396A (zh) 2014-04-08 2014-07-16 上海华力微电子有限公司 扩大沟槽开口的方法
US9305837B2 (en) 2014-04-10 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor arrangement and formation thereof
US9543375B2 (en) 2014-06-27 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. MIM/RRAM structure with improved capacitance and reduced leakage current
TWI673753B (zh) 2014-08-22 2019-10-01 美商蘭姆研究公司 一狀態期間中的次脈動方法
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9620377B2 (en) 2014-12-04 2017-04-11 Lab Research Corporation Technique to deposit metal-containing sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
CN105719954B (zh) 2014-12-04 2018-09-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
US9496169B2 (en) 2015-02-12 2016-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof
US9595424B2 (en) 2015-03-02 2017-03-14 Lam Research Corporation Impedance matching circuit for operation with a kilohertz RF generator and a megahertz RF generator to control plasma processes
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US10043690B2 (en) 2015-03-31 2018-08-07 Lam Research Corporation Fault detection using showerhead voltage variation
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US9406693B1 (en) 2015-04-20 2016-08-02 Sandisk Technologies Llc Selective removal of charge-trapping layer for select gate transistors and dummy memory cells in 3D stacked memory
US9502428B1 (en) 2015-04-29 2016-11-22 Sandisk Technologies Llc Sidewall assisted process for wide and narrow line formation
US9859088B2 (en) 2015-04-30 2018-01-02 Lam Research Corporation Inter-electrode gap variation methods for compensating deposition non-uniformity
US9299830B1 (en) 2015-05-07 2016-03-29 Texas Instruments Incorporated Multiple shielding trench gate fet
US20160329206A1 (en) 2015-05-08 2016-11-10 Lam Research Corporation Methods of modulating residual stress in thin films
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US9653571B2 (en) 2015-06-15 2017-05-16 International Business Machines Corporation Freestanding spacer having sub-lithographic lateral dimension and method of forming same
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
CN106373880B (zh) 2015-07-22 2021-05-25 联华电子股份有限公司 半导体元件及其形成方法
US9523148B1 (en) 2015-08-25 2016-12-20 Asm Ip Holdings B.V. Process for deposition of titanium oxynitride for use in integrated circuit fabrication
US9768272B2 (en) 2015-09-30 2017-09-19 International Business Machines Corporation Replacement gate FinFET process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity
KR102250656B1 (ko) 2015-10-08 2021-05-11 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10703915B2 (en) 2016-09-19 2020-07-07 Versum Materials Us, Llc Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer

Also Published As

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US9997357B2 (en) 2018-06-12

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