[go: up one dir, main page]

TWI480415B - 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法 - Google Patents

多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI480415B
TWI480415B TW102143232A TW102143232A TWI480415B TW I480415 B TWI480415 B TW I480415B TW 102143232 A TW102143232 A TW 102143232A TW 102143232 A TW102143232 A TW 102143232A TW I480415 B TWI480415 B TW I480415B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
thin film
film deposition
mode
reaction chamber
Prior art date
Application number
TW102143232A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201520362A (zh
Inventor
林龔樑
陳建志
董福慶
陳志勇
林士欽
林冠宇
張家豪
吳學憲
Original Assignee
財團法人工業技術研究院
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 財團法人工業技術研究院 filed Critical 財團法人工業技術研究院
Priority to TW102143232A priority Critical patent/TWI480415B/zh
Priority to CN201310712741.8A priority patent/CN104674191B/zh
Priority to US14/138,147 priority patent/US9023693B1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI480415B publication Critical patent/TWI480415B/zh
Publication of TW201520362A publication Critical patent/TW201520362A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H10P14/6336—
    • H10P14/6339—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法
本揭露是有關於一種薄膜沉積設備及薄膜沉積方法，特別是有關於一種多模式薄膜沉積設備及薄膜沉積方法。
有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)中的有機半導體材料及低功函數電極極易受氧氣與水氣劣化，有效的封裝技術以增加元件穩定性及使用壽命一直是有機發光二極體商品化過程的挑戰。傳統封裝方法製作成本高，且不具有可撓曲性，無法滿足需求。利用原子層沉積(ALD)或電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)薄膜封裝技術來製備可撓性阻障薄膜(barrier film)已成為趨勢。
原子層沉積製程沉積高緻密低缺陷無機薄膜如氧化鋁(Al2 O3 )等，由於製程速率慢，為達有效的有機發光二極體封裝需求的厚度(約20~30nm)，製程將需耗費約200~300分鐘，無法有效降低製造成本，市場接受度低。若單純使用電漿輔助化學氣 相沉積製程雖可大幅增加薄膜沉積速度，但有機發光二極體元件卻容易受到電漿環境中高能離子轟擊而造成損害(plasma induced damage)。若結合兩者製程技術的優點，先利用原子層沉積製程沉積數十個原子層(~2nm,20min)的無缺陷薄膜(即氧化鋁薄膜)，再利用電漿輔助化學氣相沉積製程沉積較厚的氮化矽(SiNx)用以保護氧化鋁層避免於大氣中產生水解。由於原子層沉積製程所製備的無缺陷薄膜甚為緻密，於電漿輔助化學氣相沉積製程中可保護有機發光二極體元件不受電漿損害的影響。如此製程方法可大幅降低阻障薄膜的製程所需時間(由原4-5小時降到0.5小時左右)。
然而，對於現今製程技術而言，原子層沉積製程與電漿輔助化學氣相沉積製程分屬兩個不同製程腔體，不僅設備成本高，在元件轉移(transfer)的過程中，未完成封裝的有機發光二極體元件會暴露於環境中，造成阻障薄膜(barrier film)品質的降低。此外，電漿輔助化學氣相沉積製程與原子層沉積製程技術截然不同，電漿輔助化學氣相沉積製程需透過氣體噴灑頭(showerhead)使混合的製程氣體均勻分佈，並產生電漿以解離製程氣體形成鍍膜前驅反應物，因此，氣體噴灑頭會設計1~3層的氣體擴散空間以作為緩衝區域，藉以達到均勻出氣的目的。而原子層沉積製程則是講求在最短的工作週期(low cycle time)讓氣體前驅物飽和分佈並附著在製程基板上。因此，若單純利用電漿輔助化學氣相沉積製程的氣體噴灑頭來進行原子層沉積製程，製程氣體將需要充滿整個氣體噴灑頭以及製程腔空間才能達到飽和分佈，如此一 來，勢必造成工作週期及氣體使用量的增加。
本揭露的多模式薄膜沉積設備適於將基板在單一腔體中進行不同模式的薄膜沉積製程。
本揭露的一實施例提供一種多模式薄膜沉積設備。多模式薄膜沉積設備包括一反應腔室、一承載座、一氣體噴灑頭、一惰性氣體供應源、一第一進氣系統與一第二進氣系統。反應腔室具有一第一開口及一第二開口，第一開口與第二開口係為同一軸向，以貫穿反應腔室。承載座適於承載一基板，且設置於反應腔室中。氣體噴灑頭具有一氣體混合室與多個氣孔，其中所述氣孔位於氣體混合室的一側，且所述氣孔係朝向承載座，氣體混合室藉由所述氣孔而與反應腔室連通。第一進氣系統，適於提供一第一薄膜沉積模式時所需的一第一製程氣體，且第一進氣系統係連接於該第一開口。惰性氣體供應源，係連接於氣體噴灑頭的氣體混合室，適於提供不與第一製程氣體反應的一惰性氣體。第二進氣系統，適於提供一第二薄膜沉積模式時所需的一第二製程氣體，且第二進氣系統係連接於氣體噴灑頭的氣體混合室。
本揭露的又一實施例係提出一種利用上述的多模式薄膜沉積設備進行的薄膜沉積方法，其包括：提供一基板，配置於承載座上。進行該第一薄膜沉積模式，同步開啟第一進氣系統及惰性氣體供應源，使第一進氣系統經由第一開口提供第一製程氣體 至反應腔室，同時惰性氣體經由氣體噴灑頭的所述氣孔進入到反應腔室，接著控制惰性氣體的進氣，使氣體混合室與所述氣孔的壓力大於反應腔室，藉由氣體噴灑頭噴出惰性氣體以將第一製程氣體附著在基板上，並於基板上形成一第一薄膜，之後關閉第一進氣系統及惰性氣體供應源。進行該第二薄膜沉積模式，開啟第二進氣系統，使第二製程氣體經由氣體噴灑頭的所述氣孔進入到反應腔室，並於基板上形成一第二薄膜。
本揭露的再一實施例係提出一種薄膜沉積方法，其包括：提供一基板，配置於一反應腔室中。進行一原子層沉積製程模式，提供一第一製程氣體，包含至少二不同的前驅物氣體分別經由一第一開口進入反應腔室，接著在二前驅物氣體進入反應腔室時，經由一氣體噴灑頭同步提供一惰性氣體，藉由氣體噴灑頭噴出惰性氣體以將第一製程氣體附著在基板上，並於基板上形成一第一薄膜。進行一電漿輔助化學氣相沉積製程模式，由氣體噴灑頭提供一第二製程氣體，以於基板上形成一第二薄膜。其中原子層沉積製程與電漿輔助化學氣相沉積製程是在同一反應腔室中進行。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1‧‧‧多模式沉積設備
10‧‧‧反應腔室
12‧‧‧第一開口
14‧‧‧第二開口
20‧‧‧承載座
22‧‧‧基板
24‧‧‧承載座升降機構
30‧‧‧第一進氣系統
32‧‧‧第一氣體供應源
34‧‧‧第二氣體供應源
36‧‧‧第一氣體供應管路
38‧‧‧第二氣體供應管路
40‧‧‧氣體噴灑頭
42‧‧‧氣體混合室
44‧‧‧氣孔
50‧‧‧惰性氣體供應源
60‧‧‧第二進氣系統
70‧‧‧抽氣系統
80‧‧‧第一電壓供應源
82‧‧‧第二電壓供應源
90‧‧‧流量控制單元
PC1‧‧‧第一前驅物氣體
PC2‧‧‧第二前驅物氣體
PS1‧‧‧第一製程氣體
PS2‧‧‧第二製程氣體
IG‧‧‧惰性氣體
圖1為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備的示意圖。
圖2為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備進行第一薄膜沉積模式時，製程氣體流動的示意圖。
圖3為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備進行第二薄膜沉積模式時，製程氣體流動的示意圖。
圖1為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備的示意圖。請參照圖1，其為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備。多模式薄膜沉積設備1係包含一反應腔室10、一承載座20、一第一進氣系統30、一氣體噴灑頭40、一惰性氣體供應源50及一第二進氣系統60。反應腔室10具有一第一開口12與一第二開口14，第一開口12與第二開口14的開口方向係可為同一軸向，以橫向的貫穿整個反應腔室10。承載座20設置在反應腔室10中，且適於承載基板22。舉例而言，在本實施例中，多模式薄膜沉積設備1可更包括一承載座升降機構24，係連接於承載座20，適於調節承載座20的位置。第一進氣系統30適於提供一第一薄膜沉積模式時所需的第一製程氣體PS1，且第一進氣系統30連接於第一開口12。其中，承載座20的設置方向平行於第一開口12與第二開口14的軸向，使由第一開口12進入的第一製程氣體PS1能沿著基板22設置方向流動至第二開口14。氣體噴灑頭40具有一氣體混合室42與多個氣孔44，所述氣孔44位於氣體混合室42的一 側，且朝向承載座20，氣體混合室42藉由所述氣孔42而與反應腔室連通。惰性氣體供應源50係連接於氣體噴灑頭40的氣體混合室42，以適於提供一惰性氣體IG。要注意的是，此處所指的惰性，意指不與第一製程氣體PS1產生反應的氣體，在一實施例中，惰性氣體IG可為元素週期表上VIIIA族，例如是：氬(Ar)，但不以此為限。第二進氣系統60係連接於氣體噴灑頭40的氣體混合室42，適於提供一第二薄膜沉積模式時所需的第二製程氣體PS2。
在本實施例中，多模式薄膜沉積設備1更可包括一抽氣系統70，係連接於反應腔室10的第二開口14。抽氣系統70例如是幫浦，但不以此為限。抽氣系統70主要為在模式轉換或是模式執行過程中，提供抽氣作用，將反應腔室10及氣體混合室42中的氣體及製程反應物抽出，避免造成污染。
詳細來說，第一進氣系統30包含一第一氣體供應源32與一第二氣體供應源34，第一氣體供應源32係透過一第一氣體供應管路36而與反應腔室10的第一開口12連接，第二氣體供應源34係透過一第二氣體供應管路38而與反應腔室10的第一開口12連接。在本實施例中，第一薄膜沉積模式為原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)模式。當執行第一薄膜沉積模式時，第一製程氣體PS1會包含一第一前驅物氣體PC1及一第二前驅物氣體PC2，且第一前驅物氣體PC1及第二前驅物氣體PC2係分別經由第一氣體供應源32與第二氣體供應源34所提供。
此外，在另一實施例中，第一薄膜沉積模式亦可為單晶圓電漿輔助原子層沉積(Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition,PEALD)模式，此時多模式薄膜沉積設備1更包括一第二電壓供應源82，耦接於第一進氣系統130。在執行單晶圓電漿輔助原子層沉積模式時，第二電壓供應源82係可對第一製程氣體PS1施加偏壓以產生電漿。更進一步來說，第二電壓供應源82可對第一製程氣體PS1中的第一前驅物氣體PC1與第二前驅物氣體PC2其中的一施加偏壓，使其中一前驅物氣體形成一單晶圓電漿，以在基板上形成薄膜。
另一方面，本揭露的多模式薄膜沉積設備1更可包括一第一電壓供應源80，耦接於氣體噴灑頭40，且第二薄膜沉積模式為電漿輔助化學氣相沉積(Plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)模式。在執行電漿輔助化學氣相沉積模式時，第一電壓供應源80係可對由第二進氣系統60進入氣體噴灑頭40的第二製程氣體PS2施加一偏壓，以產生電漿，並藉以執行電漿輔助化學氣相沉積模式。
此外，本揭露的多模式薄膜沉積設備1可包含一流量控制單元90，分別與第一進氣系統30、第二進氣系統60以及惰性氣體供應源50連接，以在不同的薄膜沉積模式進行中，控制第一製程氣體PS1、第二製程氣體PS2與惰性氣體IG的氣體流量。
以下將搭配圖2及圖3針對多模式薄膜沉積設備在各薄膜沉積模式中的運作情形進行描述： 圖2為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備進行第一薄膜沉積模式時，製程氣體流動的示意圖。請參照圖2，首先，提供基板22，配置於反應腔室10的承載座20上。接著，進行第一薄膜沉積模式。請參照圖2，當進行第一薄膜沉積模式時，同步開啟第一進氣系統30及惰性氣體供應源50，使第一進氣系統30經由第一開口12提供第一製程氣體PS1至反應腔室10，同時惰性氣體IG經由氣體噴灑頭40的所述氣孔44進入到反應腔室10。此時，流量控制單元90控制惰性氣體供應源50調控惰性氣體IG的進氣，使氣體噴灑頭40的氣體混合室42與所述氣孔44的壓力大於反應腔室10。詳細來說，第一製程氣體PS1由第一開口12進入到反應腔室10時，第一製程氣體PS1原本會先充滿反應腔室10與氣體混合室42，並順著流動方向而往第二開口14流出，但藉由氣體噴灑頭40噴出的惰性氣體IG，壓力差的關係致使第一製程氣體PS1無法經由所述氣孔44進入到氣體混合室42中，如此一來，可避免第一製程氣體PS1薄膜沉積在氣孔44上造成阻塞。再者，若無惰性氣體IG的灌入來充滿氣體噴灑頭40的氣體混合室42與所述氣孔44，當進行第一薄膜沉積模式時，第一製程氣體PS1便須充滿整個反應腔室10及氣體噴灑頭40的氣體混合室42與所述氣孔44的空間，如此將會造成第一製程氣體PS1的浪費。進一步來說，由於反應腔室10通入有不與第一製程氣體PS1反應的惰性氣體IG，因此第一製程氣體PS1在反應腔室10中便會如圖2所示，順著方向往第二出口14流動。在本實施例中，第一開 口12與第二開口14的開口方向為同一軸向，且橫向貫穿反應腔室10，氣體噴灑頭40的所述氣孔44朝向承載座20，如此的配置關係可使從第一開口12進入的第一製程氣體PS1在往第二出口14方向流動的過程中，藉由氣體噴灑頭40噴出的惰性氣體IG，以將第一製程氣體PS1附著在基板22上，並於基板22上形成一第一薄膜。
更詳細而言，在本實施例中，第一薄膜沉積模式係為原子層沉積製程模式，因此第一製程氣體PS1包含至少二種不同的前驅物氣體(如前所述的第一前驅物氣體PC1與第二前驅物氣體PC2)，二前驅物氣體可分別由第一氣體供應源32與第二氣體供應源34提供，並經由第一開口12進入到反應腔室10。其中，第一前驅物氣體PC1與第二前驅物氣體PC2具有時間間隔地輸入反應腔室10中。詳細來說，在原子層沉積製程模式中，會先將第一前驅物氣體PC1輸入於反應腔室10中，此時氣體噴灑頭40同步提供惰性氣體IG，流量控制單元90會控制第一前驅物氣體PC1與惰性氣體IG的進氣量，使氣體混合室42的壓力大於反應腔室10。在一實施例中，第一前驅物氣體PC1與惰性氣體IG在反應腔室10的流量比例介於2/3至5/4之間。然而，第一前驅物氣體PC1與惰性氣體IG在反應腔室10的流量比例流量並不以上述為限，控制單元90控制第一前驅物氣體PC1與惰性氣體IG的進氣量，使第一前驅物氣體PC1僅於基板22表面達到飽和分布即可執行原子層沉積製程模式。之後，藉由抽氣系統70經第二開口14對反 應腔室10抽氣，以將第一前驅物PC1及惰性氣體IG抽出。於一時間間隔後，再將第二前驅物氣體PC2輸入，此時同步灌入惰性氣體IG，詳細情形與第一前驅物氣體PC1雷同，於此不再贅述。當第二前驅物氣體PC2接觸到基板22時，反應產生第一薄膜，此時關閉第一進氣系統30及惰性氣體供應源50，以完成原子層沉積製程模式。在一實施例中，在進行原子層沉積製程時，亦可全程開啟抽氣系統70，以調節反應腔室10的氣體壓力。
圖3為本揭露一實施例的多模式薄膜沉積設備進行第二薄膜沉積模式時，製程氣體流動的示意圖。另一方面，請參考圖3，當進行第二薄膜沉積模式時，開啟第二進氣系統60，第二製程氣體PS2會先進入到氣體噴灑頭40的氣體混合室42充分混合後，再經由所述氣孔44進入到反應腔室10。在本實施例中，第二薄膜沉積模式可為電漿輔助化學氣相沉積製程模式。當氣體噴灑頭40提供的第二製程氣體PS2進入到反應腔室10時，開啟第一電壓供應源80，以提供一射頻偏壓於第二製程氣體PS2，進而產生電漿，以於基板22上形成第二薄膜。
其中，由於在第一薄膜沉積模式運作時，會注入惰性氣體IG於反應腔室10中，因此不需過多的第一製程氣體PS1即可進行第一薄膜沉積製程。此外，也因為惰性氣體IG的注入，能夠避免第一製程氣體PS1阻塞氣體噴灑頭40的所述氣孔40，以維持第二薄膜沉積模式運作時的品質。據此，第一薄膜沉積模式(原子層沉積製程)與第二薄膜沉積模式(電漿輔助化學氣相沉積製 程)時，皆可在同一該反應腔室中進行。
此外，當進行原子層沉積製程模式時，第一電壓供應源係為關閉狀態。然而當多模式薄膜沉積設備1包括有耦接於第一進氣系統130的第二電壓供應源82時，更可進一步執行單晶圓電漿輔助原子層沉積製程。執行單晶圓電漿輔助原子層沉積製程時，開啟第二電壓供應源82，使第一前驅物氣體PC1與第二前驅物氣體PC2其中一形成單晶圓電漿，以於基板22上形成第三薄膜。
本揭露的多模式薄膜沉積設備在第一薄膜沉積模式中，藉由控制第一製程氣體與惰性氣體在反應腔室的流量，以使第一製程氣體能在基板上產生反應並進行薄膜沉積。此外，由於在第一薄膜沉積模式進行時，會加入惰性氣體，如此可避免第一製程氣體流入氣孔中而造成阻塞，更可避免第一製程氣體充滿整個氣體噴灑頭與反應腔室，造成第一製程氣體的浪費。因此，本揭露的多模式薄膜沉積設備在各薄膜沉積模式執行時，可在同一反應腔室中進行，而不需因應不同的薄膜沉積需求而將基板移轉到不同的腔室中，能省下腔室之間基板移轉過程中所耗費的時間。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧多模式沉積設備
10‧‧‧反應腔室
12‧‧‧第一開口
14‧‧‧第二開口
20‧‧‧承載座
22‧‧‧基板
24‧‧‧承載座升降機構
30‧‧‧第一進氣系統
32‧‧‧第一氣體供應源
34‧‧‧第二氣體供應源
36‧‧‧第一氣體供應管路
38‧‧‧第二氣體供應管路
40‧‧‧氣體噴灑頭
42‧‧‧氣體混合室
44‧‧‧氣孔
50‧‧‧惰性氣體供應源
60‧‧‧第二進氣系統
70‧‧‧抽氣系統
80‧‧‧第一電壓供應源
82‧‧‧第二電壓供應源
90‧‧‧流量控制單元
PC1‧‧‧第一前驅物氣體
PC2‧‧‧第二前驅物氣體
PS1‧‧‧第一製程氣體
PS2‧‧‧第二製程氣體
IG‧‧‧惰性氣體

Claims (21)

  1. 一種多模式薄膜沉積設備，包括：一反應腔室，具有一第一開口及一第二開口，該第一開口與該第二開口係為同一軸向，以貫穿該反應腔室；一承載座，適於承載一基板，該承載座設置於該反應腔室中；一第一進氣系統，適於提供一第一薄膜沉積模式時所需的一第一製程氣體，該第一進氣系統係連接於該第一開口；一氣體噴灑頭，具有一氣體混合室與多個氣孔，其中該些氣孔位於該氣體混合室的一側，且該些氣孔係朝向該承載座，該氣體混合室藉由該些氣孔而與該反應腔室連通；一惰性氣體供應源，係連接於該氣體噴灑頭的該氣體混合室，適於提供不與該第一製程氣體反應的一惰性氣體；以及一第二進氣系統，適於提供一第二薄膜沉積模式時所需的一第二製程氣體，該第二進氣系統係連接於該氣體噴灑頭的該氣體混合室。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，更包括一承載座升降機構，係連接於該承載座，適於調節該承載座的位置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，更包括一抽氣系統，連接至該反應腔室的該第二開口。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，更包括一第一電壓供應源，係耦接於該氣體噴灑頭，適於將該第二製 程氣體施加一射頻偏壓以產生電漿。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，更包括一第二電壓供應源，係耦接於該第一進氣系統，適於將該第一製程氣體施加一偏壓以產生電漿。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，其中該第一進氣系統包含一第一氣體供應源與一第二氣體供應源，該第一氣體供應源係透過一第一氣體供應管路而與該反應腔室的該第一開口連接，該第二氣體供應源係透過一第二氣體供應管路而與該反應腔室的該第一開口連接。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的多模式薄膜沉積設備，其中該第一薄膜沉積模式為原子層沉積模式，該第一製程氣體包含一第一前驅物氣體及一第二前驅物氣體，且該第一前驅物氣體及該第二前驅物氣體係分別經由該第一氣體供應源與該第二氣體供應源所提供。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，其中該第二薄膜沉積模式為電漿輔助化學氣相沉積模式。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的多模式薄膜沉積設備，更包括一流量控制單元，分別與該第一進氣系統、該第二進氣系統以及該惰性氣體氣體供應源連接，以控制該第一製程氣體、該第二製程氣體與該惰性氣體的氣體流量。
  10. 一種利用多模式薄膜沉積設備進行的薄膜沉積方法，係利用申請專利範圍第1至9項其中之一所述的多模式薄膜沉積設 備進行，其薄膜沉積方法包括：提供該基板，配置於該承載座上；進行該第一薄膜沉積模式，包括：同步開啟該第一進氣系統及該惰性氣體供應源，使該第一進氣系統經由該第一開口提供該第一製程氣體至該反應腔室，同時該惰性氣體經由該氣體噴灑頭的該些氣孔進入到該反應腔室；控制該惰性氣體的進氣，使該氣體混合室與該些氣孔的壓力大於該反應腔室，藉由該氣體噴灑頭噴出該惰性氣體以將該第一製程氣體附著在該基板上，並於該基板上形成一第一薄膜；以及關閉該第一進氣系統及該惰性氣體供應源；進行該第二薄膜沉積模式，包括：開啟該第二進氣系統，使該第二製程氣體經由該氣體噴灑頭的該些氣孔進入到該反應腔室，並於該基板上形成一第二薄膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的薄膜沉積方法，其中該第一製程氣體包含一第一前驅物氣體及一第二前驅物氣體，該第一前驅物氣體與該第二前驅物氣體具有時間間隔地輸入該反應腔室中。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的薄膜沉積方法，其中該第一製程氣體與該惰性氣體在該反應腔室的流量比例介於2/3至5/4 之間。
  13. 一種薄膜沉積方法，包括：提供一基板，配置於一反應腔室中；進行一原子層沉積製程模式，包括：提供一第一製程氣體，該第一製程氣體包含至少二不同的前驅物氣體，該二前驅物氣體分別經由一第一開口進入該反應腔室；在該二前驅物氣體進入該反應腔室時，經由一氣體噴灑頭同步提供一惰性氣體，藉由該氣體噴灑頭噴出該惰性氣體以將該第一製程氣體附著在該基板上，並於該基板上形成一第一薄膜；以及進行一電漿輔助化學氣相沉積製程模式，包括：由該氣體噴灑頭提供一第二製程氣體，以於該基板上形成一第二薄膜；以及其中該原子層沉積製程與該電漿輔助化學氣相沉積製程是在同一該反應腔室中進行。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的薄膜沉積方法，其中該第一前驅物氣體與該第二前驅物氣體具有時間間隔地輸入該反應腔室中。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的薄膜沉積方法，其中可藉由一抽氣系統於該第一前驅物氣體與該第二前驅物氣體輸入該反應腔室的時間間隔中進行該反應腔室的抽氣，該抽氣系統係連接 該反應腔室的一第二開口。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的薄膜沉積方法，其中該第一製程氣體與該惰性氣體在該反應腔室的流量比例介於2/3至5/4之間。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的薄膜沉積方法，其中該氣體噴灑頭包含有一氣體混合室，進行該原子層沉積製程模式的方法更包括：控制該惰性氣體的進氣，使該氣體混合室的壓力大於該反應腔室。
  18. 如申請專利範圍第13項所述的薄膜沉積方法，其中進行該電漿輔助化學氣相沉積製程模式時，開啟一第一電壓供應源，該第一電壓供應源係耦接於該氣體噴灑頭。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的薄膜沉積方法，其中進行該原子層沉積製程模式時，該第一電壓供應源係為關閉狀態。
  20. 如申請專利範圍第13項所述的薄膜沉積方法，其中進行該原子層沉積製程模式時，開啟一第二電壓供應源，該第二電壓供應源係耦接於提供該第一製程氣體的一第一進氣系統，使其中一該前驅物氣體形成一單晶圓電漿，並於該基板上形成一第三薄膜，以執行單晶圓電漿輔助原子層沉積製程。
  21. 如申請專利範圍第13項所述的薄膜沉積方法，其中該第一製程氣體、該第二製程氣體與該惰性氣體，係透過一流量控制單元進行流量的控制。
TW102143232A 2013-11-27 2013-11-27 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法 TWI480415B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102143232A TWI480415B (zh) 2013-11-27 2013-11-27 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法
CN201310712741.8A CN104674191B (zh) 2013-11-27 2013-12-20 多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法
US14/138,147 US9023693B1 (en) 2013-11-27 2013-12-23 Multi-mode thin film deposition apparatus and method of depositing a thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102143232A TWI480415B (zh) 2013-11-27 2013-11-27 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI480415B true TWI480415B (zh) 2015-04-11
TW201520362A TW201520362A (zh) 2015-06-01

Family

ID=53001646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102143232A TWI480415B (zh) 2013-11-27 2013-11-27 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9023693B1 (zh)
CN (1) CN104674191B (zh)
TW (1) TWI480415B (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
KR102424597B1 (ko) * 2015-06-30 2022-07-25 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR102381344B1 (ko) 2015-09-18 2022-03-31 삼성전자주식회사 캠형 가스 혼합부 및 이것을 포함하는 반도체 소자 제조 장치들
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
CN106876299B (zh) * 2015-12-11 2019-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
JP6718730B2 (ja) * 2016-04-19 2020-07-08 株式会社ニューフレアテクノロジー シャワープレート、気相成長装置及び気相成長方法
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
CN106048561B (zh) * 2016-08-17 2019-02-12 武汉华星光电技术有限公司 一种原子层沉积装置及方法
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10128116B2 (en) 2016-10-17 2018-11-13 Lam Research Corporation Integrated direct dielectric and metal deposition
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
US10655222B2 (en) * 2016-12-02 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Thin film encapsulation processing system and process kit
DE102017206612A1 (de) * 2017-04-19 2018-10-25 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat sowie Halbleitersubstrat
KR102416568B1 (ko) * 2017-08-14 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화막 형성 방법 및 플라즈마 강화 화학기상증착 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US11018048B2 (en) * 2017-11-21 2021-05-25 Watlow Electric Manufacturing Company Ceramic pedestal having atomic protective layer
US11404275B2 (en) 2018-03-02 2022-08-02 Lam Research Corporation Selective deposition using hydrolysis
WO2020222853A1 (en) 2019-05-01 2020-11-05 Lam Research Corporation Modulated atomic layer deposition
TW202045753A (zh) * 2019-06-04 2020-12-16 金碳洁股份有限公司 循環式磊晶沉積系統
KR102837863B1 (ko) 2019-06-04 2025-07-23 램 리써치 코포레이션 패터닝시 반응성 이온 에칭을 위한 중합 보호 라이너
KR20220006663A (ko) 2019-06-07 2022-01-17 램 리써치 코포레이션 원자 층 증착 동안 막 특성들의 인-시츄 (in-situ) 제어
CN112342528B (zh) * 2019-08-06 2023-02-17 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体制程机台及其应用的方法
JP2022544104A (ja) 2019-08-06 2022-10-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン含有膜の熱原子層堆積
US12412742B2 (en) 2020-07-28 2025-09-09 Lam Research Corporation Impurity reduction in silicon-containing films
JP2024524553A (ja) 2021-07-09 2024-07-05 ラム リサーチ コーポレーション ケイ素含有膜のプラズマ強化原子層堆積
CN116288261A (zh) * 2021-12-07 2023-06-23 拓荆科技股份有限公司 沉积系统及方法
TWI790028B (zh) * 2021-12-09 2023-01-11 財團法人工業技術研究院 沉積設備及沉積方法
CN115537781B (zh) * 2022-10-27 2024-10-22 上海埃延半导体有限公司 一种弥漫层流反应腔体及控制方法
CN118563288B (zh) * 2023-12-26 2025-08-19 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW540093B (en) * 2001-04-05 2003-07-01 Angstron Systems Inc Atomic layer deposition system and method
US20060137608A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Choi Seung W Atomic layer deposition apparatus
WO2006123870A1 (en) * 2005-05-19 2006-11-23 Piezonics Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition with shower head and method therof
US20070128861A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Kim Myoung S CVD apparatus for depositing polysilicon
TWI288184B (en) * 2003-08-29 2007-10-11 Ips Ltd Method for depositing thin film on wafer
US20090266911A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same
TWI336733B (en) * 2003-04-30 2011-02-01 Aixtron Ag Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleiterschichten mit zwei prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
TW201250017A (en) * 2011-06-08 2012-12-16 Ind Tech Res Inst Method and apparatus for depositing selenium thin-film and plasma head thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1866465A2 (en) * 2005-01-18 2007-12-19 ASM America, Inc. Reaction system for growing a thin film
US8815014B2 (en) 2005-11-18 2014-08-26 Tokyo Electron Limited Method and system for performing different deposition processes within a single chamber
WO2010042577A2 (en) 2008-10-07 2010-04-15 Applied Materials, Inc. Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells
WO2012039310A1 (ja) * 2010-09-22 2012-03-29 株式会社アルバック 有機ｅｌ素子の製造方法、成膜装置、有機ｅｌ素子
US20120135609A1 (en) 2010-11-30 2012-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US8906160B2 (en) 2010-12-23 2014-12-09 Intermolecular, Inc. Vapor based processing system with purge mode
EP2688851B1 (en) * 2011-03-23 2019-01-23 Pilkington Group Limited Apparatus for depositing thin film coatings and method of deposition utilizing such apparatus
CN102420272B (zh) * 2011-12-14 2013-11-06 无锡迈纳德微纳技术有限公司 一种太阳能电池钝化层分层镀膜装置
KR20140116120A (ko) 2012-01-03 2014-10-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 결정질 실리콘 태양 전지들을 패시베이팅하기 위한 진보된 플랫폼
TW201335974A (zh) * 2012-02-17 2013-09-01 Pinecone Material Inc 水浴槽及使用此水浴槽之薄膜沈積裝置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW540093B (en) * 2001-04-05 2003-07-01 Angstron Systems Inc Atomic layer deposition system and method
TWI336733B (en) * 2003-04-30 2011-02-01 Aixtron Ag Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleiterschichten mit zwei prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
TWI288184B (en) * 2003-08-29 2007-10-11 Ips Ltd Method for depositing thin film on wafer
US20060137608A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Choi Seung W Atomic layer deposition apparatus
WO2006123870A1 (en) * 2005-05-19 2006-11-23 Piezonics Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition with shower head and method therof
US20090178616A1 (en) * 2005-05-19 2009-07-16 Chul Soo Byun Apparatus for chemical vapor deposition (cvd) with showerhead
US8298370B2 (en) * 2005-05-19 2012-10-30 Piezonics Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead
US20070128861A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Kim Myoung S CVD apparatus for depositing polysilicon
US20090266911A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same
TW201250017A (en) * 2011-06-08 2012-12-16 Ind Tech Res Inst Method and apparatus for depositing selenium thin-film and plasma head thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN104674191B (zh) 2017-04-12
TW201520362A (zh) 2015-06-01
CN104674191A (zh) 2015-06-03
US9023693B1 (en) 2015-05-05
US20150147890A1 (en) 2015-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI480415B (zh) 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法
US20200087786A1 (en) Multi-cycle ald process for film uniformity and thickness profile modulation
KR102139211B1 (ko) Oled 박막 인캡슐레이션을 위한 불소-함유 플라즈마 중합 hmdso
US20180233349A1 (en) Selective deposition of silicon oxide
KR102595355B1 (ko) 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법
KR20160061885A (ko) 실리콘-함유 막들의 원자층 증착에서의 선택적인 억제
SG188537A1 (en) Plasma-activated deposition of conformal films
KR101862309B1 (ko) 박막 증착장치 및 복합막 증착방법
KR20070122169A (ko) Ｐｅｃｖｄ 비결정질 탄소막의 막-내 결함 개선 방법
TW200609377A (en) Method for depositing thin film and thin film deposition system having separate jet orifices for spraying purge gas
WO2018212882A3 (en) METHOD FOR CONTROLLING THE CONSTRAINTS OF THIN FILMS LAID DOWN BY CVD FOR DISPLAY TYPE APPLICATION
KR20230142395A (ko) 기판 처리 방법 및 그를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
KR20160137743A (ko) 원자층 증착 장치 및 방법
KR102490340B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR20170103117A (ko) 증착 장치 및 방법
KR20200034878A (ko) SiCN막의 형성 방법
CN102420109A (zh) 一种提高mim器件电容均匀性的方法
KR101134909B1 (ko) 실리콘 산화막의 건식 식각 방법
KR100744528B1 (ko) 알에프 파워가 인가되는 가스 분리형 샤워헤드를 이용한플라즈마 원자층 증착장치 및 방법
KR102756737B1 (ko) 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102729660B1 (ko) 박막 증착 장치
KR102125473B1 (ko) 박막 증착 방법
CN107858664A (zh) 用于沉积复合层的设备和其沉积方法
KR100782291B1 (ko) 가스분리형 샤워헤드 및 이를 이용한 펄스 ｃｖｄ 장치
KR20140041021A (ko) Ｃｖｄ 모드와 ａｌｄ 모드를 구비한 증착장치