TW201340818A - 內藏有元件之基板的製造方法以及使用該方法製出之內藏有元件之基板 - Google Patents

Abstract

在金屬層(4)上形成主標記(A、B)以及應與電子元件(14)的端子(20)相對的圓環狀的座(60)，接著，以主標記(A、B)為基準將電子元件(14)定位於搭載預定區域(S)並經由接著劑層(18)搭載後，將電子元件(14)與主標記(A、B)埋設於絕緣基板(34)內，其後去除金屬層(4)的一部份，形成個別露出主標記(A、B)以及座(60)的第1以及第2窗(W1、W2)，以露出的主標記(A、B)為基準，對座(60)的中央貫通孔(62)內的接著層(18)照射雷射，形成到達端子(20)為止的雷射通孔(46)，在經由於此雷射通孔(46)內填充銅形成的導通介層窗(47)而與端子(20)電連接的金屬層(4)上形成配線圖案(50)。

Description

內藏有元件之基板的製造方法以及使用該方法製出之內藏有元件之基板

本發明是關於電氣或電子的元件埋入基板內的內藏有元件之基板的製造方法以及使用該方法製出之內藏有元件之基板。

近年來，隨著表面封裝於電子電路基板的元件的高密度化，亦即電子電路基板的高功能化，電子元件埋入作為絕緣層的絕緣基板內之結構的內藏有元件之基板受到注目。此內藏有元件之基板的絕緣基板的表面形成有配線圖案，此配線圖案的規定位置可表面封裝其他的各種電子元件，內藏有元件之基板可作為模組基板使用。而且，內藏有元件之基板可作為在藉由增層法製造內藏有元件之多層電路基板時的核心基板使用。

上述內藏有元件之基板中，前述配線圖案與前述絕緣基板內的電子元件的端子需要電連接，此連接已知使用焊料(例如是請參照專利文獻1)。

然而，模組基板或多層電路基板的製造中，其製造步驟中會經由多次進行各種電子元件的表面封裝。通常，由於在電子元件的表面封裝進行回流方式的焊料黏接，因此內藏 有元件之基板於每次表面封裝時投入回流爐，加熱至熔解焊料的溫度。因此，專利文獻1的內藏有元件之基板的前述絕緣基板內的連接部，經由數次的加熱至焊料的熔融溫度，具有前述連接部的可靠度降低的疑慮。

此處，為了提升內藏有元件之基板的前述連接部的可靠度，已知藉由鍍銅來進行絕緣基板內的電連接以取代焊料(例如是請參照專利文獻2)。亦即是，由於銅的熔點高於焊料的熔點，即使將內藏有元件之基板投入回流爐，連接部亦不會熔解，而維持前述連接部的可靠度。

詳細而言，專利文獻2的製造方法，說明如下。

首先，於銅箔等的金屬層上層積絕緣層以形成層狀體。於此層狀體設置導孔(guide hole)。然後，以此導孔為基準，於前述層狀體形成連接孔，此連接孔形成於前述絕緣層上應配設基板內元件的區域。於此連接孔中以後述步驟填充銅，所填充的銅形成電連接基板內元件的端子與配線圖案的金屬接點(joint)。其後，於前述區域塗佈接著劑，利用此接著劑以固定絕緣層上的基板內元件。此時，基板內元件利用前述連接孔以進行定位。此處，前述基板內元件其端子以對應前述連接孔的方式定位。而且，於前述連接孔流入前述接著劑。

其次，於層狀體的絕緣層上層積應成為絕緣基板之預浸體等的絕緣基材，此時形成在絕緣基材內藏有基板內元件的絕緣基板。所得的絕緣基板在一側的面存在前述層狀體的前述金屬層，於此金屬層的外面前述連接孔為開口狀態。對此狀態的絕緣基板，由前述金屬層的外面側去除前述連接孔內的 接著劑以於連接孔內露出前述基板內元件的端子，其後包含前述連接孔，對前述金屬層的外面的整體進行鍍銅處理。依此，銅成長並填充於前述連接孔內，以將絕緣基板表面所設置的金屬層與基板內元件的端子電連接。其後，蝕刻絕緣基板表面的金屬層的一部分以形成配線圖案，藉此形成內藏有元件之基板。

【先前技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本專利特開2010-027917號公報

【專利文獻2】日本專利特表2008-522396號公報

然而，於上述製造方法中，固定前述基板內元件的接著劑在塗佈於前述區域時，如上所述一部分流入前述連接孔內。其結果接著層的厚度變薄，具有產生以下不妥當的疑慮。

首先，接著劑為了維持硬化後的接著層強度而通常使用含有填料的接著劑。但是，如果接著層的厚度比填料的尺寸還薄的話，填料變得容易從接著層脫落而無法得到所需要的強度。

而且，由於接著層亦作為絕緣層使用，其厚度過薄的話將難以確保所需要的絕緣性。

因此，於上述製造方法中，容易流入連接孔內的低黏度形式、亦或是觸變性低形式的接著劑並不適合，可使用的接著劑 受到限制。

本發明是基於上述事項而成的發明，其目的在於提供一種內藏有元件之基板的製造方法以及使用該方法製出之內藏有元件之基板，該方法對於用於電連接內藏的元件的端子與配線圖案之連接孔，能夠精度良好的定位而形成，並且固定元件的接著劑的選擇範圍可以拓寬。

為了達成上述目的，如依本發明，提供一種內藏有元件之基板的製造方法，於表面具有配線圖案的絕緣基板內，內藏具有與前述配線圖案電連接的端子之電氣或電子的元件，此元件的端子與前述配線圖案電連接，其特徵在於包括：金屬層形成步驟，於支撐板上形成金屬層，此金屬層包括與前述支撐板接觸的第1面以及與此第1面相反側的第2面，此第2面具有用於搭載前述元件的搭載預定區域以及此搭載預定區域以外的非搭載區域；標記形成步驟，於前述第2面的前述非搭載區域形成金屬的主標記；座形成步驟，於前述第2面的前述搭載預定區域，與前述主標記的形成同時的形成具有中央貫通孔的金屬的座；接著劑塗佈步驟，於前述搭載預定區域以及前述座塗佈絕緣性的接著劑以形成接著層，此接著層於前述座的前述中央貫通孔的位置具有以前述接著劑填滿前述中央貫通孔內的填充區域；元件搭載步驟，以前述主標記為基準而定位前述元件，於前述元件的前述端子與前述填充區域接觸的狀態，於前述接著層上搭載前述元件；埋設層形成步驟，於前述第2面上，形成埋設前述元件以及前述主標記的作為前述絕緣 基板的埋設層；剝離步驟，由前述金屬層剝離前述支撐板，藉由此剝離露出前述金屬層的第1面；窗形成步驟，從露出的第1面側去除前述金屬層的一部分，以於前述金屬層個別形成至少露出前述主標記的第1窗以及至少露出前述座的前述中央貫通孔的第2窗；通孔形成步驟，以露出的前述主標記為基準辨認前述元件的端子的位置，將露出的前述座的前述貫通孔內填滿的前述填充區域之前述接著劑去除，於前述填充區域內形成到達前述端子為止的通孔；導通介層窗(via)形成步驟，於前述通孔施行鍍敷處理，其後藉由於前述通孔以及前述第2窗內填充金屬，形成電連接前述端子與前述金屬層的導通介層窗；以及圖案形成步驟，將前述金屬層形成為前述配線圖案。

此處，較佳為前述內藏有元件之基板的製造方法，於前述標記形成步驟中，將金屬的副標記與前述主標記同時的形成在前述第2面的非搭載區域上，且於前述剝離步驟與前述窗形成步驟之間，更具備貫通孔標記形成步驟，使用X線辨認前述副標記，並形成共同貫通前述金屬層、前述副標記以及前述埋設層的貫通孔標記，前述窗形成步驟以前述貫通孔標記為基準形成前述第1窗以及第2窗的態樣。

而且，較佳為前述主標記、副標記以及前述座是利用抗鍍膜的圖案鍍敷所形成的態樣。

而且，如依本發明，提供使用上述的內藏有元件之基板的製造方法所製造之內藏有元件之基板。

此處，前述內藏有元件之基板較佳是構成為更具備前述副標記與前述貫通孔標記。

本發明的內藏有元件之基板的製造方法，使用形成於金屬層的主標記以進行電氣或是電子的元件的定位，後面步驟形成的通孔，是藉由將與前述主標記同時形成的前述座的前述中央貫通孔內的樹脂去除而形成。因此，形成的通孔位置是根據前述座的前述中央貫通孔而形成。亦即是，由於使用與前述座同時形成主標記所進行的前述元件的定位，是朝向前述座的位置亦即是通孔的位置而進行，因此前述元件與對前述元件的端子進行電連接的通孔的定位，能夠對應極高的位置精度。

而且，於本發明中，由於此與主標記同時形成的座具備作為間隔件的功能，其中此間隔件確保前述元件與前述金屬層(配線圖案)之間的間隔，因此前述元件與前述金屬層之間的接著層的厚度能夠保持一定。其結果，能夠穩定的得到具有優良接著強度以及絕緣性的接著層。而且，此座具有中央貫通孔，由於此中央貫通孔與搭載的前述元件的端子的位置對合，藉由去除中央貫通孔內的接著層的填充區域，能夠依照設計的於正確的位置形成通孔。

而且，本發明的內藏有元件之基板的製造方法，前述元件經由接著劑而搭載在前述金屬層後，將該接著劑硬化以得到接著層。由於在前述金屬層並未預先進行開孔，未硬化的接著劑不會由孔流落。因此，所得的接著層的厚度可為所需要的厚度，能夠確保依照設計的接著強度以及絕緣性。亦即是，如依本發明，接著劑的選擇範圍寬廣。

而且，於本發明中，於標記形成步驟中，副標記與前述主標記同時形成，於前述窗形成步驟之前，使用X線辨認前述副標記，並形成共同貫通前述金屬層、前述副標記以及前述埋設層的貫通孔標記。如依此貫通孔標記為基準，隱藏於金屬層的主標記的位置以及前述元件的端子所對應的位置能夠簡單的辨認，因此能夠容易的形成前述第1窗以及第2窗。

而且，於本發明中，前述主標記、副標記以及前述座，是藉由使用抗鍍膜的圖案鍍敷所形成，因此能夠使用以往一般使用的印刷基板製造設備而簡單的形成。因此，本發明能夠有助於作為內藏有元件之基板整體的生產效率提昇。

而且，本發明的內藏有元件之基板，由於藉由上述製造方法得到，因此內藏的元件與配線圖案的定位精度極高，不良品的發生率低。

1‧‧‧內藏有元件之基板

2‧‧‧支撐板

3‧‧‧第1面

4‧‧‧第1金屬層

5‧‧‧第2面

6‧‧‧覆銅鋼板

8‧‧‧罩幕層

10‧‧‧開口

12‧‧‧標記

14‧‧‧電子元件(基板內元件)

15‧‧‧下面

16‧‧‧接著劑

18‧‧‧接著層

20‧‧‧端子

22、24‧‧‧絕緣基材

28‧‧‧第2金屬層

30‧‧‧貫通孔

34‧‧‧絕緣基板

36‧‧‧一側的面(下面)

38‧‧‧另一側的面(上面)

40‧‧‧中間體

42‧‧‧基準孔

46‧‧‧雷射通孔(第1LVH)

47‧‧‧導通介層窗

48‧‧‧鍍銅層

50‧‧‧配線圖案

60‧‧‧座

62‧‧‧中央貫通孔

63‧‧‧填充區域

A、B‧‧‧內側標記(主標記)

C、D‧‧‧外側標記(副標記)

N‧‧‧非搭載區域

P‧‧‧雷射照射範圍的中心軸線

R‧‧‧雷射照射範圍

S‧‧‧搭載預定區域

t‧‧‧應設置端子的位置

T‧‧‧座60存在的部分(座存在部)

W1‧‧‧第1窗

W2‧‧‧第2窗

X‧‧‧箭頭

圖1(a)~(e)為概略表示本發明的實施型態的內藏有元件之基板的製造方法中，至支撐板的金屬層上形成標記及座為止的順序的剖面圖。

圖2為概略表示圖2的座的立體圖。

圖3為概略表示於圖1(e)的金屬層上供給有接著劑的狀態的剖面圖。

圖4為概略表示於圖3的接著劑上搭載有電子元件的狀態的剖面圖。

圖5為概略表示於搭載有電子元件的金屬層上層積絕緣基 材以及銅箔的狀態的剖面圖。

圖6為概略表示於搭載有電子元件的金屬層上層積絕緣基材以及銅箔並一體化的狀態的剖面圖。

圖7為概略表示由金屬層剝離支撐板的狀態的剖面圖。

圖8為概略表示於中間體施加X線孔加工的狀態的剖面圖。

圖9為概略表示於圖8的中間體形成有窗的狀態的剖面圖。

圖10為概略表示於圖9的中間體形成有雷射通孔的狀態的剖面圖。

圖11為概略表示於圖9的中間體照射雷射的狀態的剖面圖。

圖12為概略表示於圖10的中間體施加有鍍敷處理的狀態的剖面圖。

圖13為概略表示本發明的實施型態的內藏有元件之基板的剖面圖。

在絕緣基板內內藏有電子元件(以下稱為基板內元件)14的內藏有元件的基板，適用於本發明的內藏有元件之基板的製造方法而對製造的順序說明如下。

於本發明中，首先，於支撐板上形成金屬層(金屬層形成步驟)。

本步驟，如圖1(a)所示，準備支撐板2。此支撐板2例如 是不銹鋼製的薄板。然後，如圖1(b)所示，於支撐板2上形成薄膜所構成的第1金屬層4。此第1金屬層4例如是藉由電鍍所得的鍍銅膜所構成。依此得到覆銅鋼板6。此處，於第1金屬層4中，與支撐板2接觸的面為第1面3，此第1面3的相反側的面為第2面5。而且，此第2面5具有用於搭載基板內元件14的搭載預定區域S以及此搭載預定區域以外的非搭載區域N。

其次，於覆銅鋼板6上形成銅製的柱狀體所構成的定位用的標記(標記形成步驟)並同時形成銅製的環狀體所構成的座(座形成步驟)。

詳細而言如圖1(c)所示，於所準備的覆銅鋼板6的第1金屬層4上形成罩幕層8。此罩幕層8例如是規定厚度的乾膜所構成的抗鍍劑，於規定位置設置有規定形狀的開口10，由此開口10露出第1金屬層4。對具有此種罩幕層8的覆銅鋼板6施行銅電鍍，藉此於前述露出的部分優先的析出銅7(圖1(d))。其後，藉由去除作為罩幕層8的乾膜，於第1金屬層4的第2面5上的規定位置形成銅柱(圖1(e))。此銅柱形成成為圓柱狀的定位用的標記12以及成為圓環狀的座60。此處，座60詳細而言如圖2所示，成為在扁平的圓柱體的中心具有中央貫通孔62的形狀。而且，此些銅柱形成為與乾膜高度為相同的高度，但是至少座60其高度設定為與後續步驟所形成的接著劑18所要求的厚度為相同尺寸。

作為標記12的設置位置，可以在非搭載區域N內任意的選定，但較佳是設置在光學系定位裝置(未圖示)的光學 系感測器容易辨識的位置，其中此光學系定位裝置用以進行應內藏於絕緣基板內的基板內元件14的定位。於本實施型態，如圖1(e)所示，標記12以夾著預定搭載基板內元件14的搭載預定區域S的方式，於覆銅鋼板6的兩端部的非搭載區域N各形成2個。此處，關於各標記，於圖1(e)中，接近搭載預定區域S的位置的標記為內側標記(主標記)A、B，此些內側標記A、B所夾的搭載預定區域S之相反側的位置的標記為外側標記(副標記)C、D。

另一方面，座60的設置位置位於搭載預定區域S內，且為以應設置基板內元件14的端子20的端子位置t與中央貫通孔62相對的方式而設置的位置。

其次，於搭載預定區域S供給接著劑16(接著劑塗佈步驟)。

首先，如圖3所示，於金屬層4上的元件的搭載預定區域S供給應成為絕緣性的接著層的接著劑16。此時，作為所供給的接著劑16的型態並沒有特別的限定，可為將低黏度形式或高黏度形式的漿(paste)狀的接著劑16以規定厚度塗佈的型態。於本實施型態，如圖3所示，使用低黏度形式的接著劑16，以僅覆蓋座60程度的厚度而覆蓋搭載預定區域S的整體的方式進行塗佈。此處，在座60的中央貫通孔62內亦導入接著劑16，成為中央貫通孔62內填滿接著劑16的狀態。依此，接著層具有在中央貫通孔62內填滿接著劑的填充區域63。

如圖3所明示，中央貫通孔62的一側(圖3中的下側)由金屬層4所阻塞，接著劑16會儲存於中央貫通孔62內。 此處，接著劑16覆蓋搭載預定區域S的全體即可，接著劑16的定位精度較低亦可。而且，較佳是在進行接著劑16的定位時，以內側標記A、B為基準辨認搭載預定區域S，於辨認的位置塗佈接著劑16，如此可提昇接著劑16的定位精度。

上述的接著劑16硬化而成為規定厚度的接著層18。所得的接著層18將基板內元件14固定於規定位置，並具有規定的絕緣性。作為接著劑16，只要是硬化後可以發揮規定的接著強度與規定的絕緣性者並沒有特別的限制，但例如是使用在紫外線硬化型的環氧系樹脂或是聚醯亞胺系樹脂內添加填料者，或是在熱硬化型的環氧系樹脂或是聚醯亞胺系樹脂內添加填料者。作為此填料，例如是使用二氧化矽(silica)、玻璃纖維等的微粉末。於本實施型態，使用在熱硬化型的環氧系樹脂中添加二氧化矽的微粉末之低黏度形式的接著劑。

其次，於覆銅鋼板6上經由接著劑16搭載基板內元件14(元件搭載步驟)。

首先，如圖4所示，在搭載預定區域S所塗佈的接著劑16上搭載基板內元件14。此處，如圖4所明示，基板內元件14為在IC元件等(未圖示)覆蓋有樹脂的直方體狀的封裝元件，此封裝元件的下部設置有多個端子20。此基板內元件14以內側標記A、B為基準而定位於搭載預定區域S。詳細而言，基板內元件14成為定位於基板內元件14的端子20配置於與座60的中央貫通孔62相對的位置之位置、且端子20與填充區域63接觸的狀態。然後，由第1金屬層4側按壓基板內元 件14，其下面15與座60的上端部抵接。依此，第1金屬層4的第2面5與基板內元件14的下面15之間能確保規定厚度的空間。其後，接著劑16以規定的溫度加熱硬化以形成接著層18。依此，接著層18的厚度成為如同設計的厚度，確保所需要的接著強度與絕緣性。其結果，基板內元件14被固定於所規定的位置。

其次，層積絕緣基材並進行基板內元件14、內側標記A、B以及外側標記C、D的埋設(埋設層形成步驟)。

首先，如圖5所示，準備絕緣基材22、24。此些絕緣基材22、24互相為樹脂製。此處，絕緣基材22、24較佳使用於玻璃纖維中含浸未硬化狀態的熱硬化樹脂而成片狀的所謂的預浸體。此絕緣基材22具有貫通孔30。此貫通孔30形成為可插通基板內元件14的尺寸。以使基板內元件14通過此貫通孔30的方式將第1金屬層4層積於絕緣基材22上，於其上側重合絕緣基材24，更於其上側重合應成為第2金屬層28的銅箔後，對全體進行熱壓。

依此，預浸體的未硬化狀態的熱硬化樹脂，經加壓而填充於貫通孔30等的空隙後，藉由熱壓的熱而硬化。其結果如圖6所示，形成絕緣基材22、24所構成的絕緣基板34，基板內元件14埋設於絕緣基板34內。此處，由於在絕緣基材22預先設置貫通孔30(請參照圖5)，在熱壓時可緩和對基板內元件14所施加的壓力。因此，即使是大型的基板內元件14亦可以埋設於絕緣基板內。

其次，如圖7所示，剝離支撐板2(剝離步驟)。

本步驟將第1金屬層4由支撐板2剝離，藉由此剝離露出第1金屬層4的第1面3。依此得到內藏有元件之基板的中間體40。此中間體40具備內部含有基板內元件14的絕緣基板34、形成於此絕緣基板34的一側的面(下面)36的第1金屬層4、形成於另一側的面(上面)38的第2金屬層28。

其次，對所得的中間體40，去除第1金屬層4的規定部位以形成窗(窗形成步驟)。

首先，如圖8所示，檢測出外側標記C、D的位置，利用鑽頭形成共同貫通兩金屬層4、28、絕緣基板34以及外側標記C、D的基準孔(貫通孔標記)42、42。此處，外側標記C、D的位置檢測，使用通常的X線孔加工時所使用的X線照射裝置(未圖示)以進行。

此後，以基準孔42為基準，辨認內側基板A、B以及座60存在的部分(以下稱為座存在部)T，關於已辨認的部位，由第1金屬層4的第1面3側藉由通常所使用的蝕刻法將第1金屬層4的一部分去除。依此，形成露出內側標記A、B以及共同露出部分絕緣基板34的第1窗W1以及露出包含座存在部T的接著層18的部位的第2窗W2。此時，第1窗W1如圖9所示，形成為比此些內側標記A、B更大。依此由第1窗W1能夠容易的辨識內側標記A、B整體。另一方面，第2窗W2完全露出座60的中央貫通孔62的填充區域63即可， 即使未露出座60的全體亦無妨。而且，於本實施型態，第1窗W1以及第2窗W2都為較大的尺寸以露出內側標記A、B的整體以及座60的整體。於此情形，窗形成時的定位精度不高亦可，這是因為有助於提升生產效率而較佳。

其次，將座60的中央貫通孔62內的接著層18的填充區域63去除，於此填充區域63形成通孔(通孔形成步驟)。

首先，以光學系定位裝置(未圖示)的光學系感測器辨識露出的內側標記A、B。然後，以內側標記A、B的位置為基準辨認以接著層18所隱藏的基板內元件14的端子20的位置。其後，向辨認的端子位置照射雷射(例如是碳酸氣體雷射)，為使基板內元件14的端子20露出而去除接著層18的填充區域63。前述雷射能夠以某程度寬度的照射範圍R照射，將照射範圍R內的接著層18去除。

於本發明中，由於基板內元件14的端子20的位置與座60的中央貫通孔62對合，因此向包含中央貫通孔62的座60的下端面照射雷射。依此將中央貫通孔62內的接著層18的填充區域63去除，中央貫通孔62形成到達端子20為止的雷射通孔(以下稱為LVH)46(圖10)。此處，由於座60的中央貫通孔62內的位置與基板內元件14的端子20的位置預先對合於正確的位置，如將中央貫通孔62的接著層18的填充區域63去除，能夠如同設計的在正確的位置形成LVH46，此處，於本發明中，假設雷射的照射範圍R如圖11的箭頭X所示的產生若干偏移，由於金屬製的座60成為標記，可以防止將預 先設定的部位以外的接著層18去除，而將中央貫通孔62內的接著層18的填充區域63優先的去除。依此，本發明能夠於正確的位置更安定的形成LVH46。而且，圖11中的標號P所示的點劃線(chain dashed line)為雷射的照射範圍的中心軸線。

由上述態樣可明瞭，於本發明中，其特徵為基板內元件14的定位所使用的內側標記A、B於形成LVH46時再度使用。亦即是，能夠發揮極高的定位精度，對於隱藏在接著層18的端子20，能夠於正確的位置形成LVH46。

其次，於形成有LVH46的中間體40施行鍍敷處理後，於LVH46內填充銅。形成基板內元件14的端子20與第1金屬層4電連接的導通介層窗(導通介層窗形成步驟)。

首先，包含在LVH46內而於第1窗W1以及第2窗W2內施行銅的無電解鍍敷，依此，於第1窗W1以及第2窗W2的部分露出的絕緣基板34以及接著層18的表面、LVH46的內璧面以及基板內元件14的端子20的表面被覆銅。其後，施行銅的電鍍處理，如圖12所示，使LVH46內所含的被覆第1金屬層4全體的鍍銅層48成長。依此，在LVH46內形成以銅填充的導通介層窗47，此導通介層窗47與第1金屬層4一體化，且電連接基板內元件14的端子20與第1金屬層4。

其次，去除絕緣基板34表面的第1金屬層4以及第2金屬層28的一部分，以形成規定的配線圖案50(圖案形成步驟)。

兩金屬層4、28的一部分的去除，使用通常的蝕刻法。依此，如圖13所示，得到在表面具有規定的配線圖案50的絕緣 基板34內，藏有具有與此配線圖案50電連接的端子20之基板內元件14的內藏有元件之基板1。

於本發明中，由於不預先在搭載預定區域S的金屬層4進行開孔，因此接著劑不會流落至金屬層4的下側。依此，可使用黏度低形式的接著劑。

以上所得的內藏有元件之基板1，可於表面將其他電子元件表面封裝而成為模組基板。而且，亦可以此內藏有元件之基板1作為核心基板，利用通常所進行的增層法而形成多層電路基板。

而且，上述各實施型態是使用內側標記A以及內側標記B兩者來作為基板內元件14的定位以及LVH的定位的標記，但本發明並不限定於此實施型態，亦可以為使用內側標記A以及內側標記B的其中之一來進行基板內元件14以及LVH的定位的態樣。本發明的特徵在於基板內元件的定位以及設置LVH時的端子位置的辨認是使用相同的標記，即使僅使用內側標記A以及內側標記B中的其中之一，亦能夠發揮相當高的定位精度。上述的實施型態，是屬於更提昇定位精度的較佳態樣，而以同時使用內側標記A以及內側標記B的兩者的態樣來進行說明。

而且，本發明並不限定於將定位用的標記設置於搭載預定區域S的附近的態樣，亦可以將定位用的標記設置於離開搭載預定區域S的部分。此種將例如是定位用的標記設置於離開搭載預定區域S的部分的態樣，例如是於大片的工件製作置入多 個內藏有元件之基板(片(piece))。詳細而言，此工件為周圍具備大框部的基板，此大框部的內側形成多個薄片(sheet)，各薄片個別於周圍具備小框部，此小框部的內側形成多個片。然後，最終而言切下各片以得到個別的內藏有元件的基板。於此工件中，例如是在前述小框部形成主標記(內側標記)，在前述大框部形成副標記(外側標記)。依此，在大片的工件中，在上述大框部以及小框部的所謂離開片(搭載預定區域S)的部分形成主標記與副標記(定位用的標記)，以此些標記為基準進行元件的定位以及設置LVH時的端子位置的辨認。

而且，於本發明中，作為絕緣基板內所內藏的元件，並不限定於封裝元件，亦可以將晶片元件等其他的各種電子元件作為對象。

1‧‧‧內藏有元件之基板

4‧‧‧第1金屬層

12‧‧‧標記

14‧‧‧電子元件(基板內元件)

18‧‧‧接著層

20‧‧‧端子

28‧‧‧第2金屬層

34‧‧‧絕緣基板

46‧‧‧雷射通孔(第1LVH)

47‧‧‧導通介層窗

50‧‧‧配線圖案

60‧‧‧座

A、B‧‧‧內側標記(主標記)

C、D‧‧‧外側標記(副標記)

Claims (5)

1. 一種內藏有元件之基板的製造方法，於表面具有配線圖案的絕緣基板內，內藏具有與前述配線圖案電連接的端子之電氣或電子元件，此元件的端子與前述配線圖案電連接，其特徵在於包括：金屬層形成步驟，於支撐板上形成金屬層，此金屬層包括與前述支撐板接觸的第1面以及與此第1面相反側的第2面，此第2面具有用於搭載前述元件的搭載預定區域以及此搭載預定區域以外的非搭載區域；標記形成步驟，於前述第2面的前述非搭載區域形成金屬的主標記；座形成步驟，於前述第2面的前述搭載預定區域，與前述主標記的形成同時的形成具有中央貫通孔的金屬的座；接著劑塗佈步驟，於前述搭載預定區域以及前述座塗佈絕緣性的接著劑以形成接著層，此接著層於前述座的前述中央貫通孔的位置具有以前述接著劑填滿前述中央貫通孔內的填充區域；元件搭載步驟，以前述主標記為基準而定位前述元件，於前述元件的前述端子與前述填充區域接觸的狀態，於前述接著層上搭載前述元件；埋設層形成步驟，於前述第2面上，形成埋設前述元件以及前述主標記的作為前述絕緣基板的埋設層；剝離步驟，由前述金屬層剝離前述支撐板，藉由此剝離露出前述金屬層的第1面； 窗形成步驟，從露出的第1面側去除前述金屬層的一部分，以於前述金屬層個別形成至少露出前述主標記的第1窗以及至少露出前述座的前述中央貫通孔的第2窗；通孔形成步驟，以露出的前述主標記為基準辨認前述元件的端子的位置，將露出的前述座的前述貫通孔內填滿的前述填充區域之前述接著劑去除，於前述填充區域內形成到達前述端子為止的通孔；導通介層窗(via)形成步驟，於前述通孔施行鍍敷處理，其後藉由於前述通孔以及前述第2窗內填充金屬，形成電連接前述端子與前述金屬層的導通介層窗；以及圖案形成步驟，將前述金屬層形成為前述配線圖案。
2. 如申請專利範圍第1項所述的內藏有元件之基板的製造方法，其中於前述標記形成步驟中，將金屬的副標記與前述主標記同時的形成在前述第2面的非搭載區域上，且於前述剝離步驟與前述窗形成步驟之間，更具備貫通孔標記形成步驟，使用X線辨認前述副標記，並形成共同貫通前述金屬層、前述副標記以及前述埋設層的貫通孔標記，前述窗形成步驟以前述貫通孔標記為基準形成前述第1窗以及第2窗
3. 如申請專利範圍第1或2項所述的內藏有元件之基板的製造方法，其中前述主標記、副標記以及前述座是利用抗鍍膜的圖案鍍敷所形成。
4. 一種內藏有元件之基板，使用如申請專利範圍第1項所述的內藏有元件之基板的製造方法而製造。
5. 如申請專利範圍第4項所述的內藏有元件之基板，其中更具備如申請專利範圍第2項的前述副標記以及前述貫通孔標記。