TW201201632A - Surface treatment device - Google Patents

Description

201201632 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於大氣壓或大氣壓左右對被處理物進 行表面處理之裝置，特別是關於一種適合於一面連續搬送 被處理物一面進行大氣壓電漿處理等表面處理之表面處理 裝置。 【先前技術】 一般而言，於大氣麼電跋處理等表面處理令，為防止處 理氣體成分之洩漏等，而藉由處理槽圍住處理區域（參照 專利文獻1等）。於該處理槽上連接排氣機或排氣泵等排氣 源，抽吸包含處理槽内之處理氣體之氣體並將其排出。於 處理槽之端壁設置有搬入搬出被處理物之開口。於被處理 物為單片狀或者進行批次處理之情形時等，若於上述開口 上設置窗，每當搬入、搬出各被處理物時打開或關閉窗， 而可防止處理氣體之洩漏。但是，於被處理物為連續薄片 狀或者一面沿處理線搬送被處理物一面進行連續處理之情 形時等，窗之打開關閉困難或者不可能。因此，於專利文 獻1中，係將搬入側及搬出側之壁分別設為雙重構造並設 置小室。於各壁上形成始終打開之開口。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2001_102198號公報（〇〇54、圖 8) 【發明内容】 -4 - 154537.doc

S 201201632 [發明所欲解決之問題] 根據上述專利文獻1之搬入側及搬出側之雙重壁，來 處理槽之流出氣體暫時滯留於上述雙重壁内之小h " 疋，存在其後氣體擴散而向外部洩漏之可能。特別是，、 搬出側，接觸被處理物之氣體會由被處理物帶動而易向外 部=。為防止該情形，需要增大排氣機或排氣粟等排1 源之容量0 本發明係鑒於上述情形研究而成者，其主要目的係於一 面例如連續搬送被處理物一面於處理槽内進行表面處理之 ，置t Fp便處理槽之排氣源不大型化亦可充分抑制處理 氣體成分自處理槽向外部漏出之情形。 [解決問題之技術手段] 為解決上述問題，本發明之表面處理裝置之特徵在於， 其於大氣壓或大氣壓左右之處理辱域對被處理物進行表面 處理，且具備： ⑷搬送機構’其於搬送方向上搬送上述被處理物，以便使 其通過上述處理區域； ()處理;fg，其具有含有上述處理區域之主室、及設置於上 述主至之上述搬送方向之搬入側及搬出側中之至少搬出側 且猎由間隔i而與上述主室隔開的副室，且於搬入側之外 2及搬出側t外壁以及上述間隔壁形成有可搬入搬出上述 被處理物之始終打開之開口； Ο}排氣機才冓’其連接於上述主冑，抽吸上述主室内之氣體 而使上述主室之内壓低於上述處理槽之外部之壓力；及 154537.doc 201201632 (d)副室供氣機構，其連接於上述副室，向上述副室内供給 空氣或惰性氣體’使上述副室之内壓高於上述處理槽之外 部之壓力。 自副室供氣機構供給至副室之空氣或惰性氣體因上述壓 力差而自間隔壁之開口流入主室内。藉由該流動，可確實 地防止包含主室内之處理氣體成分之氣體向外部洩漏。特 別是於主室内之搬出側之部分，接觸被處理物之氣體由被 處理物帶動而向搬出側之副室、進而向槽外移動。相對於 $，來自搬出側之副室之氣體流入主室。來自該搬出側副 室之氣體流入方向與上述被處理物之移動方向、進而與被 處理物上之氣體之流動方向大致為反方向。藉由該反方向 之流入氣體，可將被處理物上之氣體推回。藉此，可確實 地防止含有處理氣體成分之氣體與被處理物—併向外部茂 漏。主室之内麼只要低於大氣壓便可，無須增大主室排氣 機構之排氣源之排氣容量，可使排氣源小型化。 ' 又’自副室供氣機構供給至副室之空氣或惰性氣體之一 部分自外壁之開口向外部流出。#由該流動，可防止外部 之環境氣體進入處理槽内。 於上述被處理物為連續薄片狀之情形時，上述搬送機構 較好的是含有捲繞上述被處理物之複數之導親。例如，於 搬入側之槽外設置捲_，於搬出側之槽外設置捲取親，、 :上述捲出輥及上述捲取輥之間排列上述複數之導輥。該 等複數之導親之-部分或全部係配置於處理槽之内部。2 述連續薄片狀之被處理物自捲出輥捲出後，導引至上述導 154537.doc 201201632 輕之行並通過處理槽之含有處理區域之主室及副室，然後 捲取於捲取輥上。 較好的是上述導輥中之第1導輥係收容於上述副室内。 藉由於上述第1導輥上捲繞連續薄片狀之被處理物，而定 位副室内之連續薄片狀被處理物，從而防止偏差。因此， 可將外壁及間隔壁之各開口之開口度設定為基本上無須考 慮連續薄片狀被處理物之偏差。進而，可確實地防止來自 主室之氣體洩漏或外部環境氣體之滲入。 較好的是上述第1導輥之直徑大於區分上述副室之外壁 與間隔壁之間的距離，且上述第i導輥之外周部伸入上述 外壁之開口及上述間隔壁之開口。 藉此’可藉由上述第1導輥而堵住上述開口之大部分。 而且，上述第1導輥之圓周面上之上述連續薄片狀之被處 理物之進入接點及送出接點，可恰好位於上述開口之内部 或上述開口附近。如此，可將上述連續薄片狀之被處理物 之配置於上述副室内之部分的大致全體捲繞於上述第1導 輥。因此，可確實地防止上述副室内之上述連續薄片狀之 被處理物之偏差。由此，可充分減小上述開口之開口度 (即上述開口之緣部與上述第i導輥之圓周面之間所形成之 間隙大小），從而可確實地防止來自主室之氣體浅漏或外 部％境氣體之滲入。副室内只要設置丨個第丨導輥便可，從 而可減少零件數。 於上述第1導輥之圓周面之圓周方向之一側部捲繞有上 述被處理物，上述副至供氣機構較好的是含有於上述副室 I54537.doc 201201632 之：向上述一側部之室部分形成開口之供氣口。藉此，可 確貫地使上述室部分為高Μ。因&，可確實地減少含有主 室内之處理氣體成分之氣體由被處理物帶動而進入副室， 或者外部之環境氣體進人副室内之情形。進而，可更確實 地防止含有處理氣體成分之氣體向外部流出，或者外部之 環境氣體流入主室内之情形。 較好的是上述複數之導輥中之與上述第i導輥鄰接之第2 導輥，配置於上述處理槽之上述搬送方向之外側或上述主 室内’藉由上述第i導輥與上述第2導輕而設定上述被處理 物通過上述開口之位置。 藉此’可充分減小上述開口之開口度，從而確實地防止 來自主室之氣體洩漏或外部環境氣體之滲入。上述第2導 輥係介於1述捲出輥與搬入側之副室内《導輥t間、或者 搬出側之副室内之導輥與上述捲取較之間。即便捲出輕或 捲取輥上之被處理物之繞徑隨著捲出及捲取之進行而變 化’上述位置亦不會變化。因此’可將外壁之開口之開口 度設定地充分小。進而，可確實地防止來自主室之氣體洩 漏或外部環境氣體之滲入。特別是將上述第丨導輥設置於 搬出側之副室’將上述P導報配置於上述搬出側之外壁 與上述捲取輥之間，藉此即便上述捲取輥上之被處理物之 繞徑隨著捲取之進行而增大，亦可避免被處理物自第^導 輥向第2導輥送出之角度變化之狀況，且可避免被處理物 通過上述搬出側之外壁之開口之位置變化的狀況。因此， 可將上述搬出側之外壁之開口之緣與被處理物之間所形成 154537.doc

S 201201632 的間隙大小維持固定。由此，可將上述搬出側之外壁之開 口之開口度設定地充分小。其結果為，可確實地防止來自 主室之氣體自上述搬出側之外壁之開口向外部流出，或者 外部之環境氣體自上述搬出側之外壁之開口流入處理槽内 之狀況。 上述主室之内壓較佳為比上述處理槽之外部之壓力低10 Pa〜50 Pa。由此’可減小主室排氣源之排氣容量。 上述副室之内壓較佳為比上述處理槽之外部之壓力高5 Pa〜20 Pa。藉此’可確實地防止處理氣體成分之洩漏。 此處，所謂大氣壓或大氣壓左右，係指〜 50.663xl〇4 pa之範圍’若考慮壓力調整之容易性及裝置構 成之簡便化，較佳為1.333x104〜1〇·664χ104 Pa，更佳為 9_331xl〇4〜l〇_397xl04 Pa。 [發明之效果] 根據本發明，可充分抑制處理氣體成分自處理槽向外部 漏出。排氣源無須大型化。 【實施方式】 以下’依照圖式而對本發明之實施形態進行說明。 圖1係表示本發明之一實施形態者。本實施形態之被處 理物9係由連續薄片狀之薄膜而構成。被處理薄膜係例如 偏光板等之光學裝置用之光學樹脂薄膜。此處，作為被處 理薄膜9係使用偏光板之保護薄膜之光學樹脂薄膜。作為 被處理薄膜9之主成分，例如可列舉三乙醯纖维素（tac， Triacetyl Cellulose)、聚丙稀（pp，p〇lypr〇pylene)、聚乙烯 154537.doc 201201632 (PE，polyethylene)、環烯烴聚合物（COP，CyCl〇〇lefin polymer)、環烯烴共聚物（COC)、聚對苯二曱酸乙二酯 (PET ’ polyethylene terephthalate)、聚甲基丙稀酸甲酯 (PMMA ’ polymethyl methacrylate)、聚醯亞胺（pi， polyimide)等，但並不限定於此。薄膜之厚度為例如1〇〇 μπι左右。 本實施形態之表面處理裝置1相對於被處理薄膜9而實施 用以提高與偏光薄膜之接著步驟之接著性的表面處理。作 為處理氣體係使用聚合性單體與載體氣體之混合氣體等。 作為聚合性單體，係使用例如丙烯酸（CH2 = CHCOOH)。 丙烯酸具有如醋酸之臭氣’且亦具有爆炸性等，故需要適 當之管理。作為聚合性單體，並不限定於丙烯酸，亦可為 曱基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、2-甲基丙烯醯基丙酸、乙 二醇甲基丙稀酸酯、稀丙醇、曱基丙烯酸羥基乙酯、乙酸 乙烯酯、曱基丙稀酸縮水甘油酯、丙稀酸甲酯、丙婦酸乙 酯、丙稀酸丁酯、丙稀酸第三丁酯、丙烯酸-2-乙基己酷、 丙稀酸辛酯、曱基丙稀酸曱酯、甲基丙烯酸乙酯、曱基丙 烯酸丁酯、曱基丙烯酸第三丁酯、曱基丙烯酸異丙酯、曱 基丙烯酸-2-乙酯、丙烯醛、巴豆醛等。作為載體氣體係使 用惰性氣體。作為惰性氣體可列舉氮氣（N2)，但並不限定 於此，亦可為Ar、He等稀有氣體。 表面處理裝置1具備處理部10、搬送機構20、及處理槽 30 〇 處理部10係藉由利用大氣壓或大氣壓左右電漿對被處理 -10- 154537.doc

S 201201632 物9進行表面處理之大氣壓電毁處理部而構成。大氣壓電 桌處理4 10具有至少2個電極u。該等電極U形成為圓筒 形狀（輥狀卜2個輥電極丨丨係將軸線朝向與圖t之紙面正交 之水平方向而平行配置。輥電極11、n彼此間之最窄部位 及/、附近之空間成為處理區域i 9。雖省略圖示，但2個親 電極11之—方係連接於電源。另—方之1¾電極11係電性接 地。藉由電源之供電，在大氣壓或大氣壓左右之壓力下於 報電極11、11間生成電聚放電。於處理區域19之上方及下 方刀別配置有喷嘴12。各喷嘴12之喷出口係面向處理區域 19。自未圖示之處理氣體源之處理氣體供給至喷嘴12,並 自喷嘴12向處理區域19喷出。藉此，處理氣體於處理區域 19内被電漿化（包含激發、活性化、自由基化、離子化 等），而進行被處理薄膜9之表面處理。具體而言，處理氣 體中之丙烯酸（聚合性單體）於被處理薄膜9上產生聚合反 應，於被處理薄膜9之表面形成接著性促進層。 可自上下之喷嘴12、12同時喷出處理氣體，亦可僅自上 下中任一噴嘴12喷出處理氣體，並將另一喷嘴12用作處理 區域19之閉塞構件。 亦可於被處理薄膜9之搬送方向之上游側之輥電極丨丨之 圓周面上’使含有丙烯酸等聚合性單體之氣體喷附於被處 理薄臈9並附著，繼而對處理區域19供給氮氣等惰性氣體 而使其電漿化，從而產生聚合性單體之聚合反應。 搬送機構20將被處理薄膜9於搬送方向（圖！中為大致右 方向）搬送。搬送機構20具備捲出輥21、捲取輥22、及導 I54537.doc 201201632 輥23。該等輥21、22、23均為軸線朝向與圖1之紙面正交 之方向之圓筒形狀。捲出輥21係較處理槽30更配置於搬送 方向之上游側即搬入側（圖1中為左）。自捲出輥21中捲出被 處理薄膜9。捲取輥22係配置於較處理槽30更靠搬送方向 之下游側即搬出側（圖1中為右）》將處理完畢之被處理薄膜 9捲取於捲取輥22上。於捲出輥21與捲取輥22之間排列有 複數之導輥23(231〜236)。於該等導輥23上繞有被處理薄 膜9之中間部分。於導輥23之行之中間配置有輥電極u、 11。被處理薄膜9係以半周之程度捲繞於輥電極丨〗、丨！之 上側部分。2個輥電極11之中間之被處理薄膜9穿過處理區 域19。各輥電極11可圍繞軸線而旋轉。輥21、22及親電極 11、11彼此同步地旋轉驅動，搬送被處理薄膜9。輥電極 11構成搬送機構20之一要素❶導輥23(23 1〜236)係對應於被 處理薄膜9之搬送而從動旋轉。藉由導輥23而設定被處理 薄膜9之搬送路徑’且對被處理薄膜9賦予張力。 處理槽30具有主室3 1、搬入側之副室32、及搬出側之副 室33。主室31佔據處理槽3〇之内部容積之大部分。於主室 31之内部配置有處理部1〇，進而配置有處理區域丨今。 處理槽30之搬入側之壁形成為搬入側外壁34與搬入側間 隔壁35之雙重構造。外壁34將處理槽3〇之搬入側之外部與 處理槽30之内部隔開。藉由間隔壁35，而將主室31與搬入 側副室32關。於外壁34與間隔壁35之間形成有搬入側副 至2搬入側田彳至32形成為於與輥23之軸線同方向（與圖j 之紙面正交之方向）上延伸之筒狀空間。搬入側副室32之 154537.doc

S -12· 201201632 内部容積充分小於主室31之内部容積。搬入侧副室32之内 部容積為主室31之㈣容積之例如5叫之⑴咖分之 1 ° 處理槽30之搬出側之壁形成為搬出側外壁36與搬出側間 隔壁37之雙重構造。外壁36將處理槽3()之搬出側之外部與 處理槽30之内部隔開。藉由間隔壁37,而將主室31與搬出 側副室33隔開。於外壁36與間隔壁”之間形成有搬出側副 室33。搬出側副室33形成為於與輥23之軸線同方向（與圖i 之紙面正交之方向）上延伸之筒狀空間。搬出側副室33之 内部容積係與搬入側副室32之内部容積大致相同，且充分 小於主室31之内部容積。搬出側副室33之内部容積為主室 31之内部容積之例如5〇〇分之1至2〇〇〇分之1。搬入側之副 至32之内部容積與搬出側之副室33之内部容積亦可彼此不 同。 進而詳細說明處理槽30之搬入側部及搬出側部之構造。 於搬入側之外壁34形成有搬入側外開口 34a。搬入側副 室32經由開口 34a而與搬入側之外部空間連通。於搬入側 間隔壁3 5形成有搬入側内開口 3 5 a。主室3 1經由開口 3 5 a而 與搬入側副室32連通。被處理薄膜9自外部通過外開口 34a 而搬入至搬入側副室32，進而通過内開口 35a搬入至主室 31。搬入開口 34a、35a為始終打開，且並不設置窗。 於搬入側副室3 2内收容有搬入側副室内導觀2 3 2 (第1導 輥）。副室内導輥232之直徑與副室32之水平短邊方向（圖1 之左右方向）之尺寸即壁34、35間之距離相比略大。副室 154537.doc -13- 201201632 内導輥232之左右之周側部略微伸入各搬入開口 34a、 3 5a。藉由副室内導輥232而堵住搬入開口 34a、35a之大部 分。各搬入開口 34a ' 35a之上下之緣與副室内導輥232之 圓周面之間之間隙（clearance)充分小。各搬入開口 34a、 3 5a之上緣與副室内導輥232之圓周面之垂直方向之相隔距 離較佳為0.5 mm〜4 mm左右，更佳為1 mm左右。各搬入開 口 34a、3 5a之下緣與副室内導輥232之圓周面之垂直方向 之相隔距離比上述上緣侧之相隔距離略大，較佳為i mm〜6 mm左右，更佳為3 mm左右。藉由副室内導輥232， 而將搬入側副室3 2隔開為較導輥232更下側之室部分32a、 及較導輥232更上側之室部分32b。 如圖2所示’副室内導輥232之沿軸線。之軸長短於搬入 側副室32之沿軸線L2之長度，進而略短於搬入開口 34a、 35a之沿軸線La之長度。副室内導輥232之軸線L2方向之端 面、與搬入開口 34a、3 5a之軸線Ls方向之端緣之間的間隙 較佳為1 mm〜3 mm左右。於副室内導輥232之軸方向之兩 側之各端面與搬入側副室32之同側之内端面之間形成有足 夠廣的連通空間32e。副室32之下側之室部分32a與上側之 室部分32b係經由連通空間32e而連通。 如圖1所示，被處理薄膜9係部分捲繞於副室内導輥232 之圓周面之下側部（圓周方向之一側部）。被處理薄膜9之捲 繞於導輥232之捲繞部分9a遍及被處理薄膜9之配置於搬入 側副室32内的部分之大致整體。捲繞部分“係面向搬入側 副室32之下側之室部分32a。藉由副室内導輥232而決定被 •14· 154537.doc

S 201201632 處理薄膜9之於搬入側副室32内的位置或姿勢❶藉由副室 内導輥232及鄰接於其前段之槽外導輥231(第2導輥），而決 定被處理薄膜9自槽外進入副室内導輥232之角度及接觸副 室内導親232之圓周面之位置（進入接點a)、以及被處理薄 膜9通過外開口 34a的位置。上述進入接點a恰好係位於外 開口 34a或其附近。藉由副室内導輥232及鄰接於其後段之 主室内導輥233(第2導輥），而決定被處理薄膜9自副室内導 輥232之圓周面送出之位置（送出接點b)及角度、以及被處 理薄膜9通過内開口 3 5 a的位置。上述送出接點b恰好位於 内開口 35a之内部或其附近。 上述槽外導輥231係近接於外開口 34a而配置於處理槽3〇 之搬入側之外部。槽外導輥23 1係介於捲出輥21與搬入側 之外壁34之間。 上述主室内導報233係近接於内開口 35a而配置於主室31 之内部。 同樣地，於處理槽3〇之搬出側之間隔壁37形成有搬出側 内開口 37a。搬出侧副室33係經由開口 37&而與主室31連 通。於搬出側外壁36形成有搬出侧外開口 36a。搬出側副 室33與搬出側之外部空間係經由開口 36a而連通。由處理 部ίο處理完畢之被處理薄膜9自主室31通過内開〇37a而自 搬出側副室33搬出’進而通過外開口遍而搬出至外部。 搬出開口 36a、37a為始終打開，且不設置窗。 如圖3及圖4所示，於搬出側副室33内收容有搬出側副室 内導親235(第i導輥）。副室内導輥加之直徑與副室33之水 154537.doc •15· 201201632 平短邊方向（圖1之左右方向）之尺寸即壁36、37間之距離相 比略大。副室内導輥235之左右之周側部略微伸入各搬出 開口 36a、37a。藉由副室内導輥235而堵住搬出開口 36a、 37a之大部分。各搬出開口 36a、37a之上下之緣與副室内 導報235之圓周面之間之間隙（clearance )充分窄。各搬出 開口 36a、37a之上緣與副室内導輥235之圓周面之垂直方 向之相隔距離較佳為0.5 mm~4 mm左右，更佳為1 mm左 右。各搬出開口 36a、37a之下緣與副室内導輥235之圓周 面之垂直方向之相隔距離比上述上緣側之相隔距離略大， 較佳為1 mm〜6 mm左右，更佳為3 mm左右。藉由副室内 導輥235 ’而將搬出側副室33隔開為較導輥235更下側之室 部分33a、及較導輥235更上側之室部分33b。 如圖2及圖4所示，副室内導輥235之沿軸線L3之軸長短 於搬出側副室33之沿軸線L3之長度，進而略短於搬出開口 36a、37a之沿軸線La之長度。副室内導輥235之軸線L3方 向之端面、與搬出開口 36a、37a之抽線L3方向之端緣之間 的間隙較佳為1 mm〜3 mm左右》於副室内導輥235之軸方 向之兩側之端面與搬出側副室3 3之同側之内端面之間，形 成有足夠廣之連通空間33e »副室33之下側之室部分33a與 上側之室部分33b係經由連通空間33e而連通。 如圖1所不’被處理薄膜9係部分捲繞於副室内導輥235 之圓周面之下側部（圓周方向之一側部）。被處理薄膜9之捲 堯於導輥23 5之捲繞部分外遍及被處理薄膜9之配置於搬出 側副室33内的部分之大致整體。捲繞部分％係面向搬出側 154537.doc •16· 201201632 副室33之下側之室部分33a。藉由副室内導輥235而決定被 處理薄膜9之於搬出側副室3 3内的位置或姿勢。藉由副室 内導輥235及鄰接於其前段之主室内導輥234(第2導輥），而 決定被處理薄膜9自主室31進入副室内導輥235之角度及接 觸田彳至内導輥235之圓周面的位置（進入接點c)、以及被處 理薄膜9通過内開口 35a之位置，上述進入接點〇恰好係位 於内開口 35a或其附近。藉由副室内導輥235及鄰接於其後 段之槽外導輥236(第2導輥），而決定被處理薄膜9自副室内 導輥23 5之圓周面送出之位置（送出接點d)及角度、以及被 處理薄膜9通過外開口 36a之位置。上述送出接點d恰好係 位於外開口 36a之内部或其附近。 上述主室内導輥234係配置於主室31内，且近接間隔壁 37進而近接其開口 37a而配置。 上述槽外導輥236係近接於外開口 36a而配置於處理槽3〇 之搬出側之外部。槽外導輥23 6係介於搬出側之外壁3 6與 捲取輥22之間。 於處理槽30之主室31連接有主室排氣機構4〇。排氣機構 40包含排氣口 41、及排氣源43。於主室31之底部設置有排 氣口 41。自排氣口 41起延伸有排氣路徑42。該排氣路徑42 係連接於排氣源43。排氣源43係由吹風機構成，但亦可由 排氣泵構成。藉由排氣源43之驅動，主室31内之氣體自排 氣口 41吸入’並經排氣路徑42而排出。 如圖1所示，於搬入側副室32連接有搬入側副室供氣機 構5 1。副室供氣機構5丨包含複數之供氣口 5 lp、及供氣源 154537.doc 17 201201632 5 1X如圖2所示，供氣口 5 1 p係於搬入側副室32之底部沿 軸線L2而隔開間隔設置。如圖【所示，各供氣口51p係於搬 入側副室32之下側之室部分32a處開口。副室内導輥232之 下側部（繞有被處理薄膜9之部分）與供氣口 51p係上下對 向0 供氣源5lx係由吹風機構成，但亦可由供氣泵構成。來 自供氣源51x之供氣路徑51a分支為複數個（圖中為5個），且 連接於各供氣口 51p。藉由供氣源51χ之驅動，空氣經供氣 路徑5 1 a而自各供氣口 5 1 ρ供給至搬入側副室3 2内。 如圖1所示，於搬出側副室33連接有搬出側副室供氣機 構52 ^副室供氣機構52包含複數之供氣口 52p、及供氣源 52x。如圖2及圖4所示，供氣口 52p係於搬出側副室33之底 部沿軸線L3而隔開間隔設置。如圖3及圖4所示，各供氣口 52p係於搬出側副室33之下側之室部分33a處開口。副室内 導輥23 5之下側部（繞有被處理薄膜9之部分）與供氣口 52p係 上下對向。 供氣源52x係由吹風機構成，但亦可由供氣泵構成。i個 供氣源亦可作為搬入側副室供氣源5 1χ及搬出側副室供氣 源52χ而共用》來自供氣源52χ之供氣路徑52a分支為複數 個（圖中為5個），且連接於各供氣口 52p。藉由供氣源52χ之 驅動’工氣經供氣路從5 2 a而自各供氣口 5 2 ρ供給至搬出側 副室3 3内。 以處理槽30内之壓力控制為中心而對上述構成之表面處 理裝置1之動作進行說明。 154537.doc

S 201201632 自捲出輥21中連續捲出被處理薄膜9，沿導輥23及輥電 極11之行而連續搬送，於途中之處理區域19進行表面處 理’並藉由捲取輥22而連續捲取。 與上述被處理薄膜9之搬送及表面處理同時地，藉由主 室排氣機構40抽吸主室31内之氣體並將其排出。藉此，主 室31之内壓於大氣壓或大氣壓左右之壓力範圍内變得低於 處理槽30之外部之壓力（大氣壓）。較佳為，主室31之内壓 比大氣壓低10 pa〜50 Pa左右，更佳為低2〇 pa左右。 進而，藉由副室供氣機構51、52而對副室32、33供給空 氣。該空氣自供氣口 51p、52p首先填充副室32、33之下側 之室部分32a、33a，進而通過連通空間32e、33e而填充上 側之室部分32b、33b内。藉此，副室32、33之内壓於大氣 壓或大氣壓左右之壓力範圍内變得高於處理槽3〇之外部之 塵力（大氣壓）。更佳為副室32、33之内壓比大氣壓高5 Pa〜20 Pa左右。因此，以下之關係成立。 (主室31之内壓）<(大氣壓）<(副室32、33之内壓）（式1) 因此’自副室供氣機構51、52供給至副室32、33之空氣自 外開口 34a、36a向外部流出，並且自内開口 35a、37a流入 主室3 1内。藉由自外開口 34a、36a向外部流出之流動，可 防止外部之環境氣體進入處理槽30内》藉由自内開口 35丑、37a流入主室31内之流動’可防止含有主室31内之處 理氣體成分之氣體向外部洩漏。 進而，來自供氣口 5 lp、52p之空氣直接被供給至下側之 室部分32a、33a，並自該部分擴散至上側之室部分32b、 154537.doc -19- 201201632 33b，故以下之關係成立。 (下側之室部分32a、33a之内壓）>(上側之室部分32b、 33b之内壓） ·..（式2) 因此’可使下側之室部分32a、33a、即被處理薄膜$之捲 繞部分9a、9b所面對之室部分32a、33a之内壓確實地變為 高壓。由此，可更確實地防止含有主室31内之處理氣體成 分之氣體經室部分32a、33a向外部流出，或者外部之環境 氣體經室部分32a、33a流入主室32内之狀況。特別是，如 圖3所示，於主室3 1之搬出側之部分，接觸被處理薄膜9之 氣體gl由被處理薄膜9帶動而向搬出側副室33移動，進而 向處理槽30之搬出側之外部移動。相對於此，薄臈捲繞側 之室部分33a内之空氣通過搬出側副室内導輥235與搬出側 内開口 37a之下緣之間而流入主室3丨内。該流入氣體g3之 流動方向係與被處理薄膜9之搬送方向、進而與被處理薄 膜9上之氣體gl之流動為反方向。藉由該反方向之流入氣 體g3，可將被處理薄膜9上之氣體gl推離被處理薄膜9而推 回主室3 1之内側。藉此，可確實地防止氣體gl與被處理薄 膜9一併向槽外流出之狀況。因此，可確實地防止處理氣 體成分向外部漏出之狀況。由此，可減輕環境負擔。於處 理氣體含有丙烯酸之情形時，可確實地防止丙烯酸特有之 如醋酸之臭氣散佈至外部環境氣體中，從而可確保良好之 作業環境》 主室3 1之内壓只要略低於大氣壓便可，無須增大主室排 氣源43之排氣容量，從而可使主室排氣源43小型化。 154537.doc

S -20· 201201632 搬出側副室3 3内之被處理薄膜9係藉由繞於搬出側副室 内導親235而進行定位。因此，可防止被處理薄膜9於搬出 側副室33内晃動。而且，被處理薄膜9之於搬出側副室33 内之部分的大致整體係繞於副室内導輥235上，故可確實 地防止搬出側副室3 3内之偏差。此外，藉由搬出側主室内 導輥234及搬出側副室内導輥235 ’可確定被處理薄膜9之 向搬出側副室内導輥23 5之進入接點c、以及被處理薄膜9 橫切搬出側間隔壁37之位置及角度。因此，可使搬出側内 開口 3 7a之下緣與副室内導輥23 5之圓周面之間隙充分小。 由此’被處理薄膜9上之氣體g 1難以通過開口 37a，可確實 地防止氣體g 1之向槽外之流出。來自副室3 3之氣體g3之流 入勢頭增大，亦有助於防止氣體gl之向槽外之流出。 藉由搬出側副室内導輥235及搬出側槽外導輥236，可確 定被處理薄膜9之自搬出側副室内導輥235之送出接點d、 以及被處理薄膜9橫切搬出側外壁3 6之位置及角度。藉由 於搬出側副室内導輥235與捲取輥22之間介入槽外導概 236，即便捲取輥22上之被處理薄膜9之繞徑隨著捲取之進 行而變化，上述副室内導輥235之圓周面上之送出接點d以 及被處理薄膜9橫切外壁36之位置及角度亦不會變化（如圖 3之兩點鎖線所示，槽外導輥23 6與捲取輥22之間之被處理 薄膜9之角度係隨著捲取之進行而變化）。因此，可使搬出 側外開口 36a之下緣與副室内導輥235之圓周面之間隙充分 小。又’各搬出開口 36a、37a之上緣與副室内導親235之 圓周面之間之間隙，於副室内導輥235不接觸各搬出開口 154537.doc -21 _ 201201632 36a、37a之上緣的範圍内可儘可能地小。 其結果為，可進一步確實地防止含有主，室31内之處理氣 體成分之氣體經搬出側副室3 3而向外部茂漏之狀況。又， 可確實地防止外部之環境氣體經搬出側副室33流入主室31 内之狀況。 搬入側副室32内之被處理薄膜9係藉由繞於搬入側副室 内導輥232而進行定位。因此，可防止被處理薄膜9於搬入 側副至3 2内晃動。而且，被處理薄膜9之於搬入側副室3 2 内之部分之大致整體係繞於副室内導觀2 3 2上，故可確實 地防止搬入側副至3 2内之偏差。此外，藉由搬入側槽外導 輥23 1及搬入側副室内導輥232，可確定被處理薄膜9之向 搬入側副室内導輥232之進入接點a、以及被處理薄膜9橫 切搬入側外壁34之位置及角度。藉由於捲出輥21與副室内 導輥232之間介入槽外導輥231，即便捲出輥21上之被處理 薄膜9之繞徑隨者捲出之進行而變化，上述副室内導親2 3 2 之圓周面上之進入接點a以及被處理薄膜9橫切外壁34的位 置及角度亦不會變化。因此，可使搬入側外開口 34a之下 緣與副室内導輥232之圓周面之間隙充分小。藉由搬入側 副室内導輥232及搬入側主室内導輥233，可確定被處理薄 膜9之自搬入側副室内導輥232之送出接點b、以及被處理 薄膜9橫切搬入側間隔壁35之位置及角度。因此，可使搬 入側内開口 3 5a之下緣與搬入側副室内導輥232之圓周面之 間隙充分小。又’各搬入開口 34a、35a之上緣與副室内導 輥232之圓周面之間之間隙，於副室内導輥232不接觸各搬 154537.doc •22· 201201632 入開口 34a、35a之上緣的範圍内可儘可能地小。其結果 為’可確實地防止含有纟室31内之處理氣體成分之氣體經 搬入側副室32而向外部洩漏之狀況，且可確實地防止外部 之環境氣體經搬入側副室32而流入主室3丨内之狀況。 由此，可將表面處理裝置丨簡單地組入例如偏光板之生 產線寺’可容易地進行線内化。 本發明並不限定於上述實施形態，於不脫離其主旨之範 圍内可進行各種改變。 例如’自副室供氣機構5 1、52供給至副室32、33之氣體 並不限於空氣，亦可為氮氣等惰性氣體。 處理槽30中只要設置搬入側副室32及搬出側副室33中之 至少搬出側副室3 3即可。特別是，就防止含有處理槽3 〇内 之處理氣體成分之氣體與被處理薄膜9 一併向外部漏出之 觀點而言’亦可僅設置搬入側副室3 2及搬出側副室3 3中之 搬出側副室3 3，省略搬入側副室3 2。 再者’就防止槽外之氣體與被處理薄膜9 一併進入處理 槽30内之觀點而言，亦可僅設置搬入側副室32及搬出側副 室33中之搬入副室32。 亦可將副室供氣機構51、52連接於副室32、33之上側之 室部分5 lb、52b，自副室供氣機構51、52將氣體直接供給 至上述上側之室部分5 lb、52b。亦可自副室供氣機構5 1、 52將氣體分別直接供給至副室32、33之上側之室部分 51b、52b及下側之室部分51a、52a。 副室内導輥232、235之直徑既可與副室32、33之水平短 154537.doc -23- 201201632 邊方向（圖1之左右）之内尺寸相等，亦可小於上述内尺寸。 該情形時，副室32、33之開口 34a、35a、36a、37a之上下 方向之寬度較佳為1〜mm左右β 亦可於搬出側副室33内配置2個以上之導輥235 »該情形 時，較佳為將1個導輥23 5配置於内開口 37a附近，將另1個 導輥235配置於外開口 36a附近。 亦可於搬入側副室32内配置2個以上之導輥。該情形 時，較佳為將1個導輥232配置於外開口 34a附近，將另^固 導輥232配置於内開口 35a附近。 亦可於副室33之内部或間隔壁37附近設置風刀噴嘴，沿 被處理薄膜9之表面喷附風刀，使被處理薄膜9上之氣體以 離開被處理薄膜9'或者推回主室31之内側。處理部1〇之 電極構造並不限於一對輥電極11，既可為報電極與平板電 極之組合’亦可為輥電極與具有沿該輥電極之圓周面之凹 曲面之凹板電極的組合，還可為平行平板電極。 處理部10並不限於在—對電極間導人被處理物並直接照 射電衆之所謂直接式之電漿處理部，亦可為噴出-對電極 間生成之電漿氣體，並將其喷附至自電極間空間隔開配 之被處理物之所謂間接式之電漿處理部。 被處理薄膜9並不限於連續薄膜，亦可為玻璃基板 導體晶圓❶搬送機構20並不限於輥21、 仃，亦可 為移動平台、滾動輸送機、操作器。 處理内容並不限於用以提高樹脂薄膜之接著性之電聚产 理。進而，處理内容並不限於雷 处 於電毁處理。本發明可適用於 I54537.doc •24- 201201632 清洗、表面改質、蝕刻、成膜等各種表面處理。 處理氣體之成分可根據處理内容而適當選擇。例如，於 斥水化處理或矽含有膜之蝕刻處理中，作為處理氣體成分 而使用 CF4、C2F6、C3F6、C3F8、chf3、ch2f2、ch3f、 SF6 NF3 XeF2專3氟化合物。於親水化處理中，使用 〇2、N2等作為處理氣體成分。 [實施例1] 對實施例進行說明，但本發明並不限定於以下之實施 例。 使用與圖1及圖2實質上相同構造之裝置1。 使用T A C薄膜作為被處理薄膜9。薄膜9之寬度（與圖1之 紙面正交之方向之尺寸）為154〇 mm。 導輥232、235之軸長為1586 mm。導輥23 2、235之直徑 為 φ100 mm。 副室32、33之上述軸長方向之長度為1〇95爪爪^副室32 之水平短邊方向之尺寸為128 mm。 開口 34a、35a、36a、37a之下緣與副室内導輥232、235 之圓周面之間的間隙於垂直方向上為3 mm。 開口 34a、35a、36a、3 7a之上緣與副室内導輥232、235 之圓周面之間的間隙於垂直方向上為1 mm。 開口 34a、3 5a、3 6a、37a之軸線L2 ' L3方向之端緣與副 室内導輥232 ' 235之端面之間之間隙為2 mm ° 主室排氣機43之排氣流量設定為i〇m3/min。 搬入側副室供氣吹風機51χ及搬出側副室供氣吹風機52χ 154537.doc •25- 201201632 之供氣流量分別設定為0.5 m3/min。 薄膜9之搬送速度係於5 m/min〜4〇 m/min之範圍内調 節。 處理部1 0之電衆條件係如下所示。

供電：1200 W

施加電壓：Vpp = 17 kV 輥電極11、11間之間隙：1 mm 於上述親電極11、11間引起空氣放電，產生臭氧。不進 行自喷嘴12之氣體供給。 藉由差壓感測器測定主室3 1之内壓時，於薄膜9之搬送 速度為5 m/min~15 m/min之範圍内，可將主室31之内壓維 持為比大氣壓低20 Pa之負壓。即便搬送速度為4〇 m/min， 亦可將主室3 1之内壓維持為比大氣壓低丨7 pa之負壓。因 此，可確認即便增大搬送速度，亦可抑制來自搬入開口 34a之氣體流入量，無須增大主室排氣機構之排氣流量。 進而’於各外壁開口 34a、36a之外側設置臭氧檢測器 (理研計器株式會社製、型號GD-K77D)而進行臭氧檢測 時，無論搬送速度如何，任一開口 34a、36a側均未檢測到 臭氧。因此’確認可充分防止主室3丨内之氣體自開口 34a、36a向外部洩漏之狀況。再者，上述臭氧檢測器之檢 測極限臭氧濃度為0.02 ppm。 [實施例2] 於實施例2中，使用與實施例1相同之裝置1，將主室排 氣機43之排氣流置於2.5 m3/min~30 m3/min之範圍内調 •26· 154537.doc

S 201201632 節。薄膜9之搬送速度設為15 m/min(固定）。除此之外的條 件及檢測方法係與實施例1相同。 當主室排氣機43之排氣流量為2.5 m3/min~5.0 m3/min 時，於兩開口 34a、36a側檢測出臭氧。排氣流量5 〇 1113/111丨11時之主室31之内壓為比大氣壓低4.5?3之負壓。 當主室排氣機43之排氣流量為7.5 m3/min時，有時檢測 到臭氧有時檢測不到。 當主室排氣機43之排氣流量為1〇.〇 m3/min〜30.0 m3/min 時’任一開口 34a、36a側均未檢測到臭氧。排氣流量1〇 〇 m3/min時之主室31之内壓為比大氣壓低165 pa之負壓。排 氣流量15.0 m3/min時之主室31之内壓為比大氣壓低34.5 Pa 之負Μ。排氣流量20.0 m3/min時之主室31之内壓為比大氣 壓低48 Pa之負塵。 因此’確認只要主室3 1之内壓比大氣壓低10 Pa左右， 便可防止洩漏。確認只要主室31之内壓比大氣壓低i5 pa 左右以上，便可充分防止洩漏。由此，無須增大主室排氣 機構之排氣容量。 [產業上之可利用性] 本發明可適用於例如偏光板等之光學裝置之製造。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第丨實施形態之表面處理裝置之概略 構成的解說正面圖； 圖2將破處理薄膜省略而表示上述表面處理裝置之處理 槽之搬入側之部分及搬出側之部分，且係沿圖RH-Π線 154537.doc •1Ί· 201201632 之平面剖面圖； 圖3係將上述處理槽之搬出側之部分放大表示之正面剖 面圖；及 圖4係沿圖3之IV-IV線之、上述處理槽之搬出侧之部分 之側面圖。 【主要元件符號說明】

S 1 表面處理裝置 9 被處理物 9a、9b 捲繞部分 10 處理部 11 輥電極 12 喷嘴 19 處理區域 20 搬送機構 21 捲出輥 22 捲取輥 23 導輥 30 處理槽 31 主室 32 搬入側之副室 32a 搬入側副室之下側（被處理薄膜之捲繞側） 之室部分 32b 搬入側副室之上側（非捲繞側）之室部分 32e 搬入側之連通空間 154537.doc •28· 201201632 33 搬出側之副室 33a 搬出側副室之下側(被處理薄膜之捲繞側) 之室部分 33b 搬出側副室之上側（非捲繞側）之室部分 33e 搬入側之連通空間 34 搬入側之外壁 34a 搬入側外開口（外壁之開口） 35 搬入側之間隔壁 35a 搬入側之内開口（間隔壁之開口） 36 搬出側之外壁 36a 搬出側之外開口（外壁之開口） 37 ^ 搬出側之間隔壁 37a 搬出側之内開口（間隔壁之開口） 40 主室排氣機構 41 排氣口 42 排氣路徑 43 排氣源 51 搬入側之副室供氣機構 51a > 52a 供氣路徑 5lp 、 52p 供氣口 51x、52x 供氣源 52 搬出側之副室供氣機構 231 搬入側之槽外導輥（第2導輥） 232 搬入側之副室内導輥（第1導輥） 154537.doc -29- 201201632 233 搬入側之 234 搬出側之 235 搬出側之 236 搬入側之 a ' c 進入接點 b ' d 送出接點 主室内導輥（第2導輥） 主室内導輥（第2導輥） 副室内導親（第1導親） 槽外導輥（第2導輥） -30· 154537.doc

S

Claims (1)

1. 201201632 七、申請專利範圍： 1· 一種表面處理裝置’其特徵在於，其係於大氣壓附近之 處理區域對被處理物進行表面處理者，且具備： (a) 搬送機構，其於搬送方向上搬送上述被處理物，以 使其通過上述處理區域； (b) 處理槽，其具有包含上述處理區域之主室、及設置 於上述主室之上述搬送方向之搬入側及搬出側中之至少 搬出側且藉由間隔壁而與上述主室隔開的副室，且於搬 入側之外壁及搬出側之外壁及上述間隔壁，形成有可搬 入搬出上述被處理物之始終打開之開口； (C)排氣機構其連接於上述主室，抽吸上述主室内之 氣體，而使上述主室之内壓低於上述處理槽之外部之壓 力；及 ⑷β至供氣機構，其連接於上述副室，對上述副室内 供-工虱或惰性氣體，使上述副室之内壓高於上述處理 槽之外部之壓力。 2' t請求項1之表面處理裝置，其中上述被處理物為連續 且上述搬送機構含有繞著上述被處理物之複數之導 輥J上述導輥中之第1導輥係收容於上述副室内。 “求項2之表面處理裝置’其中上述第1導輥之直徑大 於區刀上述副室之外壁與間隔壁之間之距離，且上述第 1 口導輥之外周部伸人上述外壁之開σ及上述間隔壁之開 154537.doc 201201632 (如請求項2或3之表面處理裝置，其中於上述&導輕之 圓周面之BJ周方向之—側部繞有上述 室供氣機構含有於面向上述室之卜、f 这田J 上述田】至之上述一側部之室部分 開口的供氣口。 5·如請求項2或3之表面處理裝置，其中上述複數之導親中 之與上述第i導輥鄰接之第2導輥係配置於上述處理槽之 述搬送方向之外側或上述主室内，藉由上述第1導報 與上述第2導輥而設定上述被處理物通過上述開口之位 6·如請求項5之表面處理裝置’其中上述搬送機構更含有 捲取親’其配置於較上述處理槽更#上述搬出側之外 側’且捲取上述被處理物，上述第2導輥係配置於上述 搬出側之外壁與上述捲取輥之間。 7.如請求項1至3中任一項之表面處理裝置其中上述主室 之内壓比上述處理槽之外部之壓力低1〇 ρ&〜5〇 pa，上述 副室之内壓比上述處理槽之外部之壓力高5 Pa〜20 Pa。 154537.doc S