JP2000246091A

JP2000246091A - 基体の表面処理方法及びその装置並びに表面処理した基体

Info

Publication number: JP2000246091A
Application number: JP11374256A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Kondo; 慶和近藤; Kazuhiro Fukuda; 和浩福田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1998-12-29
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2000-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】基体の高速搬送においても、基体表面の接着
性を向上させ、基体への極性官能基の付与効率が高く、
効率的な且つ均一な表面処理ができる基体・支持体の表
面処理方法及びその装置並びに表面処理した基体・支持
体を提供すること。【解決手段】連続搬送される長尺の基体１を大気圧も
しくはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処
理部２を有する基体１の表面処理方法において、該処理
部２が前記基体１の入口と出口とを有する処理室であ
り、該処理室内の基体１にパルス化された電界を形成し
て発生させたプラズマによって表面処理する際に、該処
理室に封入する処理ガス中の反応ガスの割合が３０％以
上であり、該処理室内の気圧が開放下の大気圧よりも高
くなるように設定されたことを特徴とする基体・支持体
の表面処理方法及びその装置並びに表面処理した基体・
支持体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン化銀写真
感光材料、磁気記録媒体や画像形成用材料等に有用な連
続搬送される基体を大気圧もしくはその近傍の圧力下で
パルス化された電界を用いて放電プラズマ処理を施す基
体の表面処理方法及びその装置並びに表面処理した基体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、構成層の基体への接着性を助長さ
せ得る技術として、真空グロー放電処理や火炎処理等が
提案されて来た。しかし火炎処理は基体に与えるダメー
ジ、炎の揺らぎによる処理面の不均一さ、処理の強弱の
コントロールの難しさ、危険性などがあり、課題も多
い。真空グロー放電処理は処理する設備自体を真空にす
ることにより容量に自ずと限界があり、生産性とコスト
の面から好ましい方法ではない。

【０００３】これに対して、最近、大気圧あるいはその
近傍の圧力下でヘリウムガスを使用して放電し処理する
方法が特開平３−１４３９３０号、同４−７４５２５
号、特公平２−４８６２６号、同６−７２３０８号、同
７−４８４８０号公報等により提案された。これらの多
くは、外気から遮断された処理室を設け、この処理室内
に処理ガスを封入し、処理室内に配置した電極間で放電
を行うことにより、プラズマを発生させるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公報に記
載されている表面処理方法においては、処理する電極間
に供給するガスのヘリウムガスが非常に高価なため、工
業生産には適し難い。このため基体を連続搬送しながら
処理が出来て、ハロゲン化銀写真感光材料の構成層等の
如き非接着物質の基体への接着性を助長し得る、しかも
コストが安く、生産性に優れた処理方法が求められてい
た。

【０００５】また、従来の方法では、基体の搬送速度が
３m/minを越えると、外部空気の巻き込みにより、放電
プラズマ中に空気が混入し、表面処理性能に悪影響を及
ぼす欠点があった。これは搬送される基体に同伴する空
気、いわゆる同伴エアが処理室内に巻き込まれることに
よって、処理ガスが不均一になり、処理室内で放電によ
り発生しているプラズマが不安定になることに起因して
いる。これを解決すべく、特開平１０−１３０８５１号
公報に記載の技術では、走行速度を上げても基体の表面
処理を可能にするために、基体の搬送方向とは逆の方向
から連続的に処理ガスを接触させ、パルス化された電界
を印加する処理方法を開示している。しかし、基体の搬
送方向とは逆の方向から連続的に処理ガスを接触させる
という方法では、基体の搬入及び搬出時に空気の持ち込
みがさけられず、特に処理室と外部との圧バランスが逆
転した場合には、外部空気の量が多くなるか、あるいは
処理ガスの外部放出につながる。外部空気の進入が多く
なれば、基体の表面処理への極性官能基（例えばアミノ
基、カルボキシル基、水酸基、カルボニル基等）の付与
効率が悪くなり、効率的な且つ均一な処理ができなくな
り、特に基体表面に構成層との強固な接着性を必要とす
るハロゲン化銀写真感光材料、画像形成用材料や磁気記
録媒体等に対して品質上重大な欠陥となっており、それ
が超高速搬送になればなるほど、目立つようになった。
また処理ガスの外部放出は無駄にコストを浪費すること
になる。

【０００６】またこの特開平１０−１３０８５１号公報
に記載の技術では、高速搬送と称しているが、実施例を
見てもせいぜい３０m/min程度である。近年では、設備
の効率化から数百m/minというような超高速の搬送速度
が要求されるように成ってきているが、かかる要請を満
足するまでには至っていない。

【０００７】そこで、本発明者は、前者の課題であるコ
ストが安く、生産性に優れた処理技術を開発すべく、鋭
意検討の結果、特別に処理ガスを封入した処理室を必ず
しも必要とせず、開放された大気中であっても基体表面
の接着性向上や、極性官能基の付与効率を向上させる方
法として、パルス化された電界を形成することにより発
生するプラズマ中で表面処理を行うことを見いだした。

【０００８】また本発明者は、後者の課題である、超高
速搬送においても、基体表面の接着性を向上させ、極性
官能基の付与効率が高く、効率的な且つ均一な表面処理
ができる技術を開発すべく、鋭意検討を行った結果、処
理室内の基体にパルス化された電界を印加して表面処理
する際に、該処理部に封入する処理ガス中の反応ガスの
割合が３０％以上であり、該処理室内の気圧が外圧より
高いことにより、課題を解決できることを見出し、本発
明に至ったものである。

【０００９】即ち、本発明の第１の課題は、コストが安
く、生産性に優れた基体の表面処理方法及びその装置並
びに表面処理した基体を提供することにある。

【００１０】また本発明の第２の課題は、基体の超高速
搬送においても、基体表面の接着性を向上させ、基体へ
の極性官能基の付与効率が高く、効率的な且つ均一な表
面処理ができる基体の表面処理方法及びその装置並びに
表面処理した基体を提供することにある。なお、本明細
書中では「基体」という語は表面処理される対象物を示
すものとして、広く用いられる。そして具体的にはウェ
ブなどと呼ばれる長尺の支持体、シート状の支持体など
が挙げられる。

【００１１】本発明の他の課題は、以下の記載によって
明らかになる。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の上記第１の課題
は、任意の基体に対し、プラズマによる表面処理を行う
表面処理方法において、大気圧もしくはその近傍の圧力
下で、パルス化された電界中で発生させたプラズマを用
いることを特徴とする表面処理方法（以下、この方法を
第１の方法という）によって達成される。好ましい態様
は、基体が連続的に搬送される長尺物であること、ある
いは基体がシート状であることである。またさらに好ま
しい態様は、表面処理を行う前に、前記基体表面の帯電
量が±５００Ｖ以下になるまで、除電処理を行うこと、
更に除電処理を行った後に、前記基体表面の塵埃を除去
してから、表面処理を行うことである。

【００１３】また本発明の上記第１の課題は、上記の方
法により表面処理したことを特徴とする表面処理した基
体によって達成される。好ましい態様は、基体がポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポ
リエチレン及びポリプロピレンから選ばれるフィルム、
トリアセチルセルロースまたは樹脂被覆印画紙基体であ
ることであり、また写真感光材料用基体であることであ
る。

【００１４】更に本発明の上記第１の課題は、連続搬送
される長尺状の基体を大気圧もしくはその近傍の圧力
下、連続的にプラズマ処理する処理部を有する基体の表
面処理装置において、該処理部を通過する基体にパルス
化された電界を印加する電極を有し、該処理部が大気開
放されていることを特徴とする基体の表面処理装置（以
下、この装置を第１の装置という）によって達成され
る。

【００１５】更に本発明の上記第１の課題は、上記の表
面処理装置を用いて表面処理したことを特徴とする表面
処理した基体によって達成される。好ましい態様は、基
体がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる
フィルム、トリアセチルセルロース又は樹脂被覆印画紙
基体であることであり、また写真感光材料用基体である
ことである。

【００１６】更に本発明の上記第２課題は、任意の基体
に対し、プラズマによる表面処理を行う表面処理方法に
おいて、前記基体は連続的に搬送されるものであると共
に、該基体の入口と出口とをそなえた処理室内に、反応
ガスが３０体積％以上の処理ガスを、処理室外の気圧よ
りも高い気圧で封入しておき、該処理室内にパルス化さ
れた電界を形成することによって発生させたプラズマを
用いて、表面処理を行うことを特徴とする表面処理方法
（以下、この方法を第２の方法という）によって達成さ
れる。

【００１７】好ましい態様は、処理室の気圧が外圧より
０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上高いこと、処理室内の酸素濃
度を６００ｐｐｍ以下に調整すること、表面処理前に、
予め基体表面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うこ
とである。

【００１８】更に本発明の上記第２課題は、上記の表面
処理方法により表面処理したことを特徴とする表面処理
した基体によって達成される。好ましい態様は、基体
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる
フィルム、トリアセチルセルロースまたは樹脂被覆印画
紙基体であることであり、また写真感光材料用基体であ
ることである。

【００１９】更に本発明の上記第２課題は、連続搬送さ
れる長尺状の基体を大気圧もしくはその近傍の圧力下、
連続的にプラズマ処理する処理部を有する基体の表面処
理装置において、該処理部が前記基体の入口と出口を有
する処理室であり、該処理室内の基体にパルス化された
電界を印加する電極を有し、該処理室に封入する処理ガ
ス中の反応ガスの割合を３０％以上に調整する手段を有
すると共に該処理室内の気圧を外圧より高く調整する構
成を有することを特徴とする基体の表面処理装置（以
下、この装置を第２の装置という）によって達成され
る。

【００２０】好ましい態様は、（１）前記処理室に隣接
して処理ガスの少なくとも１成分を有している予備室を
具有しており、該予備室は基体の入口側に一つ、または
出入口両側に一つづつ有し、該処理室の気圧が、該処理
室と隣接する予備室の気圧より０．０３ｍｍＡｑＨｇ以
上高いことであり、また（２）前記処理室に隣接して予
備室を具有しており、該予備室は該処理室の基体の入口
側に二つ以上、または出入口の両側にそれぞれ二つ以上
有し、少なくとも１つの予備室の気圧が、隣り合い且つ
処理室より遠い位置の次の予備室の気圧より０．０３ｍ
ｍＡｑＨｇ以上高いことであり、より好ましくは予備室
の少なくとも一つが、処理ガスの少なくとも一成分を有
することである。

【００２１】更に他の好ましい態様は、（３）予備室の
少なくとも１つが、減圧手段を有することであり、
（４）隣接する室間の間仕切り手段が、基体に対して所
定の間隙を保ち、且つ非接触であるか、または隣接する
室間の間仕切り手段が、基体に対して接触する少なくと
も１対のロールであることであり、より好ましくは前記
ロールのうち少なくとも一つがゴムロールであることで
ある。

【００２２】更に他の好ましい態様は、（５）処理室内
の酸素濃度を６００ｐｐｍ以下に調整することであり、
（６）電極が、円筒型電極であるか、ロール型電極であ
るか、又はガスフロー型曲面電極であることである。

【００２３】更に本発明の上記第２課題は、上記の表面
処理装置を用いて表面処理したことを特徴とする表面処
理した基体によって達成される。好ましい態様は、基体
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる
フィルム、トリアセチルセルロース又は樹脂被覆印画紙
基体であることであり、また写真感光材料用基体である
ことである。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００２５】図１は本発明の第１の方法及び装置を説明
するための概略構成図である。

【００２６】図１において、１は連続搬送される長尺状
の基体であり、２は大気圧もしくはその近傍の圧力下、
連続的にプラズマ処理する処理部であり、３、４は一対
の電極である。

【００２７】処理部２は第１の方法を実施するために大
気開放状態になっており、処理室を構成しておらず、一
対の電極３，４の間に形成される間隙が処理部を構成す
る。すなわち処理ガスを封入しておくための処理室を設
けることなく、プラズマを発生させるための電極を大気
開放下に配置している。このような状態を大気開放状態
と呼ぶことにする。

【００２８】処理部２には大気圧もしくはその近傍の圧
力下に自然に存在する空気があればよいが、空気の流れ
を付けたり、あるいはその流れを規制したり、整流する
ための遮蔽板やニップロールを付加することもできる。
また発生した副産物（例えばガス等）を排出、廃棄する
ための廃棄ダクトを設けることもできる。

【００２９】処理部２において表面処理されると、基体
表面への塗布性及び塗膜の膜付き性が向上し、官能基の
付与性が向上し、更に光学的、電気的、機械的等の機能
を有する表面が形成され、塗布性の向上という点でみれ
ば、かかる表面処理後はすぐに塗布することが、処理面
の経時劣化を防ぐ点で好ましい。

【００３０】図示の例で、一対の電極３，４は金属電極
３Ａ,４Ａと固体誘電体3Ｂ、4Ｂで構成され、金属電極
３Ａ,４Ａは銀、金、銅、ステンレス、アルミニウム、
等の通電可能な材料を固体誘電体3Ｂ、4Ｂに貼り付ける
のが一般的であるが、固体誘電体3Ｂ、4Ｂにメッキ、蒸
着、コーティング、溶射等で付けることもできる。

【００３１】固体誘電体3Ｂ、4Ｂとしては、気密性の高
い高耐熱性のセラミックを焼結した焼結型セラミックス
を用いることが好ましい。焼結型セラミックスの材質と
しては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、
炭化珪素系のセラミックスである。焼結型セラミックス
の厚みは０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。また、
体積固有抵抗は１０8Ω・ｃｍ以上が好ましい。

【００３２】焼結型セラミックスとして、アルミナ系焼
結型セラミックスを用いる場合、純度９９．６％以上の
アルミナ系焼結型セラミックスを用いることが、電極の
耐久性を上げる点で好ましい。純度９９．６％以上のア
ルミナ系焼結型セラミックスに関しては、本出願人が先
に提案した発明（特願平９−３６７４１３号）を参考に
できる。

【００３３】この焼結型セラミックスを用いた電極の製
造方法は耐熱性の高いセラミックスを焼結させて焼結型
セラミックスを作り、その焼結型セラミックスにメッ
キ、蒸着、溶射またはコーティング等して金属電極を付
着させる。

【００３４】また固体誘電体3Ｂ、4Ｂとしては、特願平
１０−３００９８４号に記載の低温ガラスライニングを
用いることもできる。

【００３５】金属電極3Ａ、4Ａは固体誘電体3Ｂ、4Ｂに
よって全部が被覆されていてもよいし、一部が被覆され
るだけでもよい。

【００３６】電極間の間隙は、対向する固体誘電体3Ｂ
と4Ｂの表面間の距離で、０．３〜１０ｍｍの範囲が好
ましく、より好ましくは３〜７ｍｍの範囲である。ま
た、図１では一対の電極3、4のように平板電極を用いて
あるが、一方もしくは双方の電極を円筒電極、ロール状
電極としてもよく、あるいはガスフロー型の曲面電極を
用いてもよい。かかる電極の詳細は第２の方法及び装置
の説明で詳述する。

【００３７】この一対の電極３、４のうち一方の電極３
に高周波電源５が接続され、他方の電極４はアース６に
より接地されており、一対の電極３、４間にパルス化さ
れた電界を印加できるように構成されている。

【００３８】第１の方法において、表面処理前に、予め
基体表面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うこと
は、表面処理の均一性が更に向上するので好ましい。除
電手段としては、通常のブロアー式、接触式以外に、複
数の正負イオン生成用除電電極と基体を挟むようにイオ
ン吸引電極を対向させた除電装置と、その後正負の直流
式除電装置を設けた高密度除電システム（特開平７−２
６３１７３号）を用いることも好ましい。またこのとき
の基体帯電量は±５００V以下が好ましい。また除電処
理後のゴミ除去手段としては、非接触式のジェット風式
減圧型ゴミ除去装置（特開平７−６０２１１号）等が好
ましいが、これに限定される訳ではない。表面処理を行
う前に基体表面の帯電量を減らし、かつ付着した塵埃な
どのゴミを除去することは、プラズマによる表面改質効
果を向上・安定させるのに好ましい。特に帯電量を減ら
すことを除電処理と呼び、塵埃などのゴミを除去するこ
とをゴミ除去と呼ぶこととする。

【００３９】本発明の第１の方法及び装置において、大
気圧近傍の圧力下とは、１００〜８００Torrの圧力下で
あり、好ましくは７００〜７８０Torrの範囲である。

【００４０】この方法では、上記対向する電極間にパル
ス化された電界を形成することにより、プラズマを発生
させるが、パルス波形は例えば図２に示す例が挙げられ
るが、これに限定されず、特開平１０−１３０８５１号
公報の図１の（a）〜（d）のパルス波形であってもよ
い。図２において、縦軸はパルス電圧、横軸は時間であ
る。

【００４１】かかるパルス化された電界を印加すること
により発生した放電プラズマを表面処理に用いると、空
気中であっても十分表面処理機能があることを見出し、
本発発明に至ったものである。

【００４２】パルス電界の周波数は、５k〜１００kHzの
範囲が好ましい。

【００４３】一つのパルス電界が印加される時間は１μ
s〜１０００μsであることが好ましい。一つのパルス電
界が印加される時間というのは、図２における一つのパ
ルス波形のパルスが印加される時間である。

【００４４】対向電極に印加する電圧の大きさは、特に
限定されないが、電極に印加した時の電界強度が１〜１
００kV/cmとなる範囲になるようにすることが好まし
い。

【００４５】次に本発明の第２の方法及び装置について
説明する。

【００４６】図３は本発明の第２の方法及び装置の一実
施の形態を示す概略構成図である。

【００４７】同図に示すように、連続搬送される長尺状
の基体１を大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的に
プラズマ処理するための処理部２が前記基体１の入口２
Ｂと出口２Ｂを有する間仕切りされた処理室によって構
成されている。以下、処理部を処理室として説明する。

【００４８】処理室２には対向する平板電極３，４が設
けられている。この平板電極の構成は第１の方法及び装
置で使用したものと同一でよい。

【００４９】図示の例では、処理室２に隣接して基体の
入口側に予備室１０が設けられ、その予備室１０に隣接
して予備室１１が設けられている。基体の出口側にも処
理室２に隣接して予備室１２が設けられている。

【００５０】予備室を設ける場合、図示のように、基体
１の入口側に二つ、出口側に一つを設ける態様であって
もよいが、これに限定されず、基体１の出入口側に一つ
づつ設ける態様、入口側に二つ設け、出口側に設けない
態様、あるいは入口側に二つ以上、出口側に二つ以上設
ける態様でもよい。

【００５１】いずれの態様であっても、処理室内の気圧
が、該処理室と隣接する予備室の気圧より高いことが必
要であり、好ましくは０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上高いこ
とである。このように処理室と予備室の間でも圧力差
を設けることによって、外部空気の混入を防止し、反応
ガスの有効使用が可能となり、表面処理効果も更に向上
する。

【００５２】また処理室に隣接して入口側に二つ以上、
出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室と隣
り合う予備室の間の気圧は、処理室に近い側の予備室の
気圧が高く設定されることが好ましく、０．０３ｍｍＡ
ｑＨｇ以上高く設定されることが好ましい。このように
複数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによっ
て、外部空気の混入をより効果的に防止し、反応ガスの
有効使用がより可能となり、表面処理効果も更に向上す
る。

【００５３】予備室には、処理ガスの少なくとも１成分
を有していることが反応ガスの効率的な使用と表面処理
効果の向上の観点から好ましい。

【００５４】更に予備室を複数設けて圧力差を設けるに
は、減圧手段１５を設けることが好ましい。この減圧手
段としては吸引ファンあるいは真空ポンプ等が挙げられ
る。

【００５５】処理室と予備室、予備室同士の部屋には間
仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手
段としては、図示のように、入口側にニップロール７，
７、出口側にニップロール８，８を設ける態様も好まし
い。

【００５６】かかるニップロールは、基体に対して接触
しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋
同士を完全に間仕切りできないので、本発明の様な圧力
差を設ける手段が有効に機能するのである。

【００５７】また間仕切り手段としては、基体に対して
所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であってもよ
い。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方式
等を採用できる。また後述する図１０及び図１１に示す
装置を用いることも好ましい。なお予備室を設けない場
合には、処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。

【００５８】図３において、図１と同一の符号の部位は
同一の構成であるので、その説明を省略する。図３に
示す装置を用いて処理するには、先ず搬送される基体１
が処理室２内に入り、その処理室２内でパルス化された
電界が印加される。かかる印加によって基体の表面がプ
ラズマ処理され、表面処理される。

【００５９】第２の方法は、かかる表面処理の際に、処
理室２に封入する処理ガス中の反応ガスの割合が３０％
以上であること、及び処理室２内の気圧が処理室外の気
圧より高いことを特徴とするものである。

【００６０】処理室２内の気圧を外圧より高くすること
によって、外部からの気体が処理室２内に進入しないた
め、必要に応じ、特定の処理したい（基体に導入させた
い）元素を持つガスのみを該処理室内に高純度で封入さ
せることができ、より効率的な処理ができる。また、処
理ガス中の反応ガスの割合が３０％以上であることによ
って、不活性ガスの量を減らし、低コストで効率的な処
理を行うことができる。

【００６１】本発明では、処理室２の気圧が外圧より
０．０３ｍｍＡｑ以上高い態様によって、更に最低限の
気密性で最大限の効果を上げることができる。

【００６２】更に表面処理前に、予め基体表面の除電処
理を行い、更にゴミ除去を行うことによって、表面処理
の均一性が更に向上するので好ましい。除電手段及び除
電処理後のゴミ除去手段としては、前述の第１の方法の
ところで説明した手段と同様の手段を採用できる。

【００６３】処理室２に封入する処理ガス中の反応ガス
の割合は３０％以上であるが、かかる反応ガスとして
は、窒素（Ｎ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス、アンモニア
（ＮＨ３）ガス、フッ素ガス、水蒸気等があり、例えば
アミノ基、カルボキシル基、水酸基、カルボニル基等の
極性官能基ないし化学的活性基を付与できるガスであれ
ばよい。また反応ガスとしては、酸素元素含有化合物
（酸素、オゾン、水、一酸化炭素、二酸化炭素の他、メ
タノール等のアルコール、アセトン等のケトン、アルデ
ヒド類等）、窒素元素含有化合物（窒素、アンモニア、
一酸化窒素、二酸化窒素等の窒素含有無機物、アミン系
化合物、その他窒素含有有機物等）、フッ素含有化合物
（フッ素、有機フルオロ化合物など）等を用いることも
できる。

【００６４】処理ガス中の反応ガス以外のガスとして、
不活性ガスを用いることができる。不活性ガスとして
は、アルゴン（Ａｒ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、ヘリ
ウム（Ｈｅ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン
（Ｘｅ）ガスなどがある。

【００６５】本発明において、処理室２内に導入するに
先立ち、予め不活性ガスと反応性ガスとを混合した処理
ガスを使用することが好ましいが、各ガスを独立して導
入しても、処理室２内の電極３と４の間の雰囲気が、上
述した反応ガスの割合になっていればよい。

【００６６】更に本発明によると、搬送して来る基体が
同伴して来る空気を遮断し、処理室内の酸素濃度を６０
０ｐｐｍ以下に調整することで本発明の表面処理を基体
表面に効果的に行うことができる。処理室内の酸素濃度
を更には２００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。

【００６７】以上説明した態様に用いた電極は平板電極
であるが、これに代えて電極を円筒型電極、ロール型電
極、又はガスフロー型曲面電極とすることも好ましい。

【００６８】はじめに円筒型電極を用いた例を説明す
る。

【００６９】図４は、第２の装置の他の好ましい形態を
示す概略構成図であり、同図に示す形態は、図３に示す
形態で用いた平板電極に代えて、円筒型電極を用いた例
である。

【００７０】なお、図４に示す符号のうち、図３に示す
符号と同一の部位は同一の構成であるので、その説明を
省略する。

【００７１】本実施の形態では、複数の円筒の電極３を
基体１の両面側に併設している。併設の方法は図示のよ
うにチドリ状に配置してもよいが、対向させて配置する
こともできる。電極間間隙Ｌは基体１の上側の電極の最
下端と下側の電極の最上端との距離で表される。電極間
の間隔は均等でもよいし、そうでなくてもよい。

【００７２】円筒電極は内部に導電性金属が配置され、
外部に誘電体が配置された二重管構造であり、導電性金
属と誘電体の構成は前述の構成を採用できるし、また、
セラミックパイプの中に金属管や棒を挿入することもで
きる。

【００７３】なお、２０、２１，２２は搬送ロールであ
る。

【００７４】かかる円筒電極を用いることにより、電極
間にガスを導入し易くなることによって、反応ガスと電
極との接触効率が上昇し、その結果、表面処理効果も向
上する。また構造的にも簡便で、互換性に優れ、低コス
トでの処理が可能となる。また基体の高速搬送において
も優れた効果を発揮する。

【００７５】次にロール型電極を用いた例を説明する。

【００７６】図５〜図８は、第２の装置の他の好ましい
形態を示す概略構成図であり、同図に示す形態は図３に
示す形態で用いた平板電極に代えて、ロール型電極を用
いた例である。

【００７７】なお、図５〜図８に示す符号のうち、図３
に示す符号と同一の部位は同一の構成であるので、その
説明を省略する。

【００７８】図５（a）,(b)に示す形態は、一方の電極
３は円筒状のロール型電極であり、自ら回転し、基体１
がその表面に接触しながら搬送される。この電極はロー
ル状の導電性金属の表面に誘電体が設けられている。

【００７９】一方、電極４はロール型電極の曲面に平行
な曲面を有する曲面電極である。

【００８０】この電極３，４を図示のように配置し、曲
面電極４側から、図示しない供給口から供給されたガス
を矢符で示すように図示しない複数の孔から噴出する。
ガスの噴出方向は、図５（a）に示すようにロールの半
径方向でもよいが、図５(b)に示すようにロールの接線
方向でもよい。またガスの噴出孔は丸孔でもスリットで
もよい。

【００８１】複数の孔からガスが噴出されると、そのガ
スによって搬送されている基体１の表面に十分行き渡
り、安定した放電を可能にする。また一方のロール電極
で基体を接触支持しているので、曲面電極は基体により
近接でき、表面処理が安定し、処理効果が向上する。ま
たロール電極は回転しているので、基体の搬送の際に傷
をつけるこがない。図３に示す形態と比較するとニップ
ロールの数を減少できる効果もある。またこの形態は、
基体の高速搬送においても優れた効果を発揮する。

【００８２】図６に示す形態は、複数のロール型電極と
曲面電極の組合せで、処理室を形成した例であり、実際
的な装置を提供するものである。またこの形態は基体の
高速搬送においても優れた効果を発揮する。

【００８３】図７に示す形態は、ロール型電極と複数の
円筒型電極の組み合わせた例であり、図８に示す例は図
７に示す形態の装置を複数設けて実用的な装置を構成し
た例である。なお、図７、図８に示す符号のうち、図３
に示す符号と同一の部位は同一の構成であるので、その
説明を省略する。またこれらの形態は基体の高速搬送に
おいても優れた効果を発揮する。

【００８４】次にガスフロー型曲面電極を用いた例を説
明する。

【００８５】図９は、第２の装置の他の好ましい形態を
示す概略構成図であり、同図に示す形態は図３に示す形
態で用いた平板電極に代えて、曲面電極を用いた例であ
る。なお、図９に示す符号のうち、図３に示す符号と同
一の部位は同一の構成であるので、その説明を省略す
る。

【００８６】本実施の形態の電極３，４は基体１の表面
と平行であり、基体１の搬送方向と直行する方向から見
たときに、対向する面の断面形状が、曲面となっている
曲面電極である。

【００８７】この電極３，４を複数（図９においては、
３つ）搬送方向に並べることにより、搬送されている基
体１が蛇行するように構成されている。従って、図示し
ない供給口から供給されたガスを矢符で示すように図示
しない複数の孔から噴出される。噴出は均等に成される
ようにすることが好ましい。ガスの噴出孔は丸孔でもス
リットでもよい。

【００８８】複数の孔からガスが噴出されると、そのガ
スによって搬送されている基体１はその間隙が約１０ｍ
ｍ以下に設定された一対の電極３，４に非接触で搬送さ
れる。かかる態様は一対の電極間に直接ガスを噴出する
のでガスの拡散を促進し、安定した放電を可能にする。
また基体１の両面を同時に処理することができ、処理効
率に優れる。

【００８９】この形態では基体１を蛇行搬送することに
より、直線的な搬送（図３に示す搬送）に比較し、安定
した搬送ができ、そのため電極間隙をさらに狭めること
が可能で、放電効果も増加する。またこの形態は基体の
高速搬送においても優れた効果を発揮する。

【００９０】なお、図示の形態では蛇行搬送している
が、非接触搬送が可能な形態であれば、更に種々の改良
形態を採り得る。

【００９１】以上説明した装置において、基体が同伴し
て来る空気を遮断する効果を更に向上させるために図１
０及び図１１に示す装置を用いることも好ましいことで
ある。

【００９２】図１０はガス流ブレード装置の拡大図であ
る。ガス流ブレード装置は搬送ロール３０の上を搬送し
ている基体１の表面とスリット部３１との間隙ｄを微調
整出来るようになっており、ガス流ブレード装置の内部
（図では右側）から放出ガス３２が加圧された状態でス
リット３１から基体表面に、放出角度を基体１の搬送方
向と逆方向に取って放出するが、好ましくはその角度は
６０〜９０゜が好ましい。ガスはスリットからの放出の
みでもよいが、放出されたガスが基体１の搬送方向と逆
方向に減圧吸引しガスの流れ３３とする方が一層効果的
に処理が出来る。スリット３１の幅は小さい方がよく、
２．０ｍｍ以下が好ましい。この態様は図１の装置にも
適用できる。処理室と予備室、予備室と他の予備室の間
仕切りに適用できる。

【００９３】図１１は、機密性を高めるフィルム状のブ
レードを設置した装置の一部の拡大図である。基体１の
通過する間隙以外の隙間の機密性を、フィルム状のブレ
ード４３を、間仕切りにロールを使用している箇所、例
えば搬送ロール４１、フリーロール４２の背側に擦らせ
てタッチさせることによって高められる。４１と４２が
対になってニップロールであってもよく、また基体１の
上側にロールがない場合には搬送ロール４１だけでもよ
い。

【００９４】次に、本発明の表面処理された基体は、上
記の全ての方法及び装置によって処理された基体を含む
ものである。

【００９５】本発明の表面処理の際のプラズマの発生
は、ＯｐｔｉｃａｌＥｍｉｓｓｉｏｎＳｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ法（略してＯＥＳ）、あるいはＰｈｏｔｏ
ｅｌｅｃｔｏｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ法（光
電子分光法）（略してＰＥＳ）の測定により知ることが
出来る。本発明の放電プラズマ処理によりプラスティ
ック基体表面に発現する活性基については光電子分光法
（ＥＳＣＡ）により知ることが出来る。例えばＶＧ社製
ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒが使用できる。

【００９６】以下、本発明を適用できる基体について説
明する。

【００９７】本発明においては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及び
ポリプロピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセ
ルロースまたは樹脂被覆印画紙基体であることが好まし
く、また写真感光材料用基体であることがより好ましい
ことである。

【００９８】樹脂被覆印画紙基体には、用途に応じて、
白色顔料を混合させてもよい。この用途は印画紙基体で
あり、反射画像として見るために基体面が白色となって
いる。白色顔料としては、硫酸バリウム、酸化チタン、
炭酸マグネシウム、酸化亜鉛等が好ましく、これらの
内、酸化チタンが特に好ましい。酸化チタンはルチル型
とアナターゼ型の２種がよく用いられるが、その中でも
白さの安定性からアナターゼ型が好ましい。

【００９９】本発明のパルス放電プラズマ処理した基体
には下引層はもとより、ゼラチン層、ハロゲン化銀写真
感光材料の構成層、磁気記録媒体の構成層、またその他
の樹脂層等を接着することが出来る。

【０１００】本発明に適する下引層や他の層のポリマー
バインダーとしては、塩化ビニル、塩化ビニリデン、メ
タクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン
酸、ジオレフィン等の共重合体、ゼラチン、セルロース
ナイトレート等を挙げることが出来る。

【０１０１】ゼラチンとしては、酸処理ゼラチン、アル
カリ処理ゼラチンの他ゼラチンの製造過程で酵素処理を
する酵素処理ゼラチン、及び、ゼラチン誘導体、即ち、
分子中に官能基としてのアミノ基、イミノ基、ヒドロキ
シ基、カルボキシ基を持ち、それらと反応し得る基を持
った試薬で処理し改質したものでもよい。ゼラチンの製
法に関しては、例えば、Ｔ．Ｈ．Ｊａｍｅｓ：Ｔｈｅ
ＴｈｅｏｒｙｏｆｔｈｅＰｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ
Ｐｒｏｃｅｓｓ４ｔｈ．ｅｄ．１９７７（Ｍａｃｍ
ｉｌｌａｎ）５５頁、科学写真便覧（上）７２〜７５頁
（丸善）、写真工学の基礎−銀塩写真編１１９〜１２４
（コロナ社）等の記載を参考にすることが出来る。

【０１０２】ゼラチン中のカルシウムイオン（Ｃａ＋
＋）含有量は塗布液の安定性付与のため、乾燥ゼラチン
に対して２５００ｐｐｍ以下がよく、１０００ｐｐｍ以
下がより好ましく、更にこのましくは５００ｐｐｍ以下
である。ゼラチン中のカルシウムイオンを２５００ｐｐ
ｍ以下にするには、ゼラチンを水に溶解した後、脂肪不
純物を除去し、続いてゼラチン水溶液をカチオン交換樹
脂のカラムに通すか、またバッチ処理によりカチオン交
換樹脂と接触させることにより得ることが出来る。本発
明に用いられるゼラチンは、動物の骨や皮の主成分であ
るコラーゲンまたはオセインから製造工程で塩酸等によ
る処理を伴って製造された酸処理ゼラチン、石灰などに
よる処理を伴って製造された石灰処理ゼラチン、官能基
を置換したゼラチン誘導体及び変性ゼラチン、酵素処理
ゼラチンである。これらの製法、性質の詳細はアーサー
・ヴァイス（ＡｒｔｈｅｒＶｅｉｓ）著、ザ・マクロ
モレキュラー・ケミストリー・オブ・ゼラチン（Ｔｈｅ
ＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒＣｈｅｍｉｓｔｒｙ
ｏｆＧｅｌａｔｉｎ）、（アカデミック・プレス、
ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ）、１９６４年、の１８
７〜２１７頁に記載されている。更に、ゼラチン下引層
塗布液の凝集防止や下引層塗布性のために、ノニオン性
界面活性剤を含有させることが好ましい。好ましいノニ
オン性界面活性剤としては、特公平３−２７０９９号公
報記載の化合物Ｉ−５、化合物Ｉ−６、化合物Ｉ−１
２、化合物Ｉ−１３、化合物Ｉ−２３、化合物Ｉ−３１
等が挙げられる。

【０１０３】これらのゼラチン層に添加する硬膜剤とし
ては、ゼラチンと反応して硬膜する硬膜剤であれば制限
なく使用できるが、それら代表的な硬膜剤としては、ア
ルデヒド系、アジリジン系（例えば、ＰＢレポート、１
９９２１、米国特許第２，９５０，１９７号、同２，９
６４，４０４号、同２，９８３，６１１号及び同３，２
７１，１７５号の各明細書、特公昭４６−４０８９８号
及び特開昭５０−９１３１５号の各公報に記載のも
の）、イソオキサゾール系（例えば、米国特許第３，３
３１，６０９号明細書に記載あるもの）、エポキシ系
（例えば、米国特許第３，０４７，３９４号、西独特許
第１，０８５，６６３号及び英国特許第１，０３３，５
１８号の各明細書、更に特公昭４８−３５４９５号公報
に記載のもの）、ビニルスルホン系（例えば、ＰＢレポ
ート１９，９２０、西独特許第１，１００，９４２号、
同２，３３７，４１２号、同２，５４５，７２２号、同
２，６３５，５１８号、同２，７４２，３０８号、同
２，７４９，２６０号及び英国特許第１，２５１，０９
１号の各明細書、また特公昭４９−１３５６３号及び同
４８−１１０９９６号、更に、米国特許第３，５３９，
６４４号及び同３，４９１，９１１号の各明細書に記載
のもの）、アクリロイル系（例えば、特公昭５３−７７
８号公報及び米国特許第３，６４０，７２０号明細書に
記載のもの）、カルボジイミド系（例えば、米国特許第
２，９３８，８９２号、同４，０４３，８１８号及び同
４，０６１，４９９号各明細書に記載のもの）、トリア
ジン系（例えば、西独特許第２，４１０，９７３号、同
２，５５３，９１５号及び米国特許第３，３２５，２８
７号の各明細書、更に特開昭５２−１２７２２号公報に
記載のもの）、オキサゾリン系（例えば、特開平５−２
９５２７５号公報に記載のもの）、高分子型（例えば、
英国特許第８２２，０６１号、米国特許第３，６２３，
８７８号、同３，３９６，０２９号及び同３，２２６，
２３４号の各明細書）、特公昭４７−１８５７８号、同
４７−１８５７９号及び同４７−４８８９６号の各公報
に記載のもの）、イソシアネート系、ポリアミド−エピ
クロルヒドリン樹脂（例えば、特開昭５１−３６１９号
記載のもの）、反応性のハロゲンを有する化合物、その
他マレイミド系、アセチレン系、メタンスルホン酸エス
テル系、Ｎ−メチロール系の硬膜剤を挙げることが出来
る。

【０１０４】本発明の放電プラズマ処理した基体に塗布
し得るポリマーバインダー層の疎水性ポリマーとして
は、熱可塑性ポリマー、放射線硬化性ポリマー、熱硬化
性ポリマー、その他の反応性ポリマーなどを挙げること
が出来る。熱可塑性ポリマーとしては、塩化ビニル−酢
酸ビニルコポリマー、塩化ビニルポリマー、酢酸ビニル
ービニルアルコールコポリマー、塩化ビニル−塩化ビニ
リデンコポリマー、塩化ビニル−アクリロニトリルコポ
リマー、エチレンービニルアルコールコポリマー、塩素
化ポリ塩化ビニル、エチレン−塩化ビニルコポリマー、
エチレン−酢酸ビニルコポリマー、エチレン−酢酸ビニ
ル−ビニルアルコールターポリマー体等のビニル系ポリ
マーあるいはコポリマー、セルロースナイトレート、セ
ルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート
プロピオネートなどのセルロース誘導体、、アクリロニ
トリル−スチレンコポリマー、塩素化ポリエチレン、ア
クリロニトリル−塩素化ポリエチレン−スチレンターポ
リマー、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン
ターポリマー、ポリアクリルエステル、ポリビニルアセ
タール、ポリビニルブチラール、ポリエステルポリウレ
タンコポリマー、ポリエーテルポリウレタンコポリマ
ー、ポリカーボネートポリウレタンコポリマー、ポリエ
ステル、ポリエーテル、ポリアミド、スチレンーブタジ
エンコポリマー、ブタジエンーアクリロニトリルコポリ
マーやシリコーン系ポリマー、フッ素系ポリマー等を挙
げることができる。これらは単独または２種類以上併用
して使用することが出来る。熱可塑性ポリマーのＴｇ
（絶対温度）は１７０〜４２０゜Ｋの範囲のものが好ま
しく、２１０〜４００゜Ｋの範囲のものがより好まし
い。

【０１０５】放射線硬化ポリマーとしては、電子線、紫
外線などの放射線によって硬化するポリマーで、アクリ
ル型、無水マレイン酸型、ウレタンアクリル型、エーテ
ルアクリル型、エポキシアクリル型、エポキシ型等を挙
げることが出来る。

【０１０６】また熱硬化性ポリマー、その他の反応性ポ
リマーとしては、フェノールポリマー、アミノポリマ
ー、エポキシポリマー、ポリウレタン系硬化型ポリマ
ー、イソシアネート系硬化型ポリマー、メラミンポリマ
ー、尿素ポリマー、アルキッドポリマー、シリコーン系
硬化型ポリマー、オキサゾリン系硬化型ポリマーなどが
挙げられる。これら単独または２種類以上併用して使用
することが出来る。

【０１０７】本発明の放電プラズマ処理した基体に塗布
し得るポリマーバインダー層の親水性ポリマーとして
は、本発明に使用できる親水性ポリマーとしては、例え
ば、リサーチ・ディスクロージャー（以降ＲＤと略す）
Ｎｏ．１７６４３（以降Ｎｏ．を略す）、２６頁、およ
び同１８７１６、６５１頁に記載されている水溶性ポリ
マーやラテックスポリマーを挙げることができる。

【０１０８】ゼラチン以外の水溶性ポリマーとしては、
カゼイン、寒天、アルギン酸ソーダ、澱粉等の天然加工
物、ポリビニールアルコール、アクリル酸系コポリマ
ー、無水マレイン酸コポリマー等付加重合ポリマー類、
金属スルホ置換ジカルボン酸を含むジカルボン酸とエチ
レングリコールのようなジオールとの水溶性ポリエステ
ル類等を挙げることが出来る。また、ゼラチンの一部を
コロイド状アルブミン、カゼイン、カルボキシメチルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプ
ロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース等のセ
ルロースエーテル類などのセルロース誘導体、寒天、ア
ルギン酸ソーダ、デンプン誘導体、デキストランなどの
糖誘導体、合成親水性コロイド、例えば、ポリビニルア
ルコール、ポリＮ−ビニルピロリドン、アクリル酸系コ
ポリマー体、ポリアクリルアミドまたはこれらの誘導
体、部分加水分解物、ゼラチン誘導体などで置き換えた
ものでもよい。水溶性ポリエステルも有用である。水溶
性ポリエステルは、ジカルボン酸成分としてテレフタル
酸、ナフタレジカルボン酸、フタル酸等と、ジオール成
分としてはエチレングリコール、１，４−シクロヘキサ
ンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジーオール等
との組み合わせによるポリエステルに水溶性成分とし
て、金属スルホフタル酸、ポリエチレングリコールを共
重合成分として組み込んだものが好ましい。

【０１０９】ラテックスポリマーとしては、塩化ビニ
ル、塩化ビニリデン、アクリル酸エステル、酢酸ビニ
ル、ブタジエン、スチレンまたはスチレン誘導体等のモ
ノマーを適宜組み合わせて乳化重合したラテックスポリ
マーが挙げられる。

【０１１０】上記列挙の親水性ポリマーまたは疎水性ポ
リマーは、その分子中に極性基を有していてもよい。極
性基としては、エポキシ基、−ＣＯＯＭ、−ＯＨ、−Ｎ
Ｒ２、−ＮＲ３Ｘ、−ＳＯ３Ｍ、−ＯＳＯ３Ｍ、−ＰＯ
３Ｍ３、−ＯＰＯ３Ｍ（Ｍは各々、水素原子、アルカリ
金属又はアンモニウムを、Ｘはアミン塩を形成する酸
を、Ｒは各々、水素原子、アルキル基を表す）等が挙げ
られ、これにより該ポリマーバインダー層内の架橋を促
進したり、種々の添加剤の混合状態を安定化したり、ま
た上の層とのアフィニティーを増したりすることが出来
る。

【０１１１】

【実施例】以下に、本発明を実施例で具体的に説明する
が、これに限定されるものではない。実施例１実施条件図１に示す装置を用い、下記条件で、基体を搬送させて
処理を行いながら、続いてスライドビード塗布方式でゼ
ラチン水溶液を塗布し、乾燥後、サンプリングし、接着
試験を行った。

【０１１２】＜表面処理条件＞大気圧下で空気雰囲気中：２５℃、５０％ＲＨ放電面積：幅２５０mm、長さ５００mm 誘電体：厚み１mmのパイレックガラス電極間ギャップ：５mm 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製）周波数：１０kHz 出力：１kw 基体：幅２００mm、厚み１００μｍのＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート）基体搬送速度：１０m/min ＜塗布条件＞ゼラチン水溶液：５％（w/vol）塗布膜厚：６０μｍ比較例１図１３に示す放電装置に、ヘリウムガス１０リットル/m
in、窒素ガス０．５リットル/minを混合して処理ガスを
導入しながら、従来のサイン波高周波電源（神鋼電機社
製、周波数：１０kHz、出力：１kw）により印加し、プ
ラズマ処理を実施し、実施例１と同様にして試験を行っ
た。比較例２表面処理装置として、図１４に示すコロナ放電処理装置
（春日電機社製、周波数：４０kHz、出力：１kw）を用
いて実施例１と同様にして試験を行った。（接着性試験）塗膜試料に対し、剃刃で４５゜及び９０
゜の角度で入刀した後、ニチバン製セロテープ（幅２５
mm）を張り付け、ピール試験法により、塗膜の残り状況
を確認し、接着性を評価し、その結果を表１に示した。

【０１１３】評価基準：塗膜残存率により以下の基準で
評価した。

【０１１４】 ◎：１００％（ハクリなし） ○：９０％以上 ○△：９０％未満７０％以上 △：７０％未満５０％以上 △×：５０％未満３０％以上 ×：３０％未満５％以上 ××：５％未満

【０１１５】

【表１】実施例２実施例１において、基体を１８０μｍ厚のＰＥＴに代え
ても実施例１と同様の効果であった。実施例３実施例１において、基体を１００μｍ厚のＰＥに代えて
も実施例１と同様の効果であった。実施例４実施例１において、基体を１５０μｍ厚のＰＰに代えて
も実施例１と同様の効果であった。実施例５実施例１において、基体を１２０μｍ厚のＴＡＣに代え
ても実施例１と同様の効果であった。実施例６実施例１において、基体のゼラチン水溶液を写真用白黒
乳剤に代えた以外は、同様にして塗膜を形成し、以下の
試験方法によって評価を行った。

【０１１６】＜液条件＞ゼラチン濃度５％の写真用白黒
乳剤に下記ジクロロ・Ｓ−トリアジン型架橋剤をゼラチ
ンに対して６％添加した塗布液を用い、付き量が３g/m2
になるように塗膜を形成した。

【０１１７】

【化１】比較例３比較例１と同条件にて表面処理を行い、実施例６と同様
に塗膜を形成した。比較例４比較例２と同条件にて表面処理を行い、実施例６と同様
に塗膜を形成した。（接着性試験）実施例６，比較例３、４で作成した塗膜
を４０℃、８０％ＲＨの環境下で、１週間架橋反応を促
進させた後、ｐＨ１２で温度４２℃の現像液に１０min
間浸漬させた後、２ｍｍ間隔で、格子状に切り込みを入
れて、ゴム手袋を装着して手で強固に擦り剥がす操作を
実施し、剥離状況を観察した。

【０１１８】以下の評価基準で評価し、その結果を表２
に示す。

【０１１９】評価基準：塗膜残存率により以下の基準で
評価した。

【０１２０】 ◎：１００％ ○：９０％以上 ○△：９０％未満７０％以上 △：７０％未満５０％以上 △×：５０％未満３０％以上 ×：３０％未満５％以上 ××：５％未満

【０１２１】

【表２】実施例７図３に示すプラズマ放電装置を用い、基体を搬送させて
処理を行いながら、続いて実施例１と同様の塗布方式で
ゼラチン水溶液を塗布し、乾燥後、サンプリングし、接
着試験を行った。ここで不活性ガスとしてはアルゴンガ
スを、反応ガスとしては窒素ガスを用い、表３に示す混
合比で放電試験を行った。

【０１２２】＜表面処理条件＞電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製）周波数：１０kHz 出力：１．５kw 基体：幅２００mm、厚み１００μｍのＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート）基体搬送速度：３０m/min ＜塗布条件＞ゼラチン水溶液：５％（w/vol）塗布膜厚：６０μｍ＜処理室の内圧と外圧＞処理室の内圧と外圧の差：０．０５mmAq 比較例５実施例７において、印加する電源を従来のサイン波高周
波電源（神鋼電機社製）に代え、下記条件でプラズマ処
理を実施し、実施例７と同様にして試験を行った。

【０１２３】周波数：１０kHz 出力：MAX１．５kw（但し、ガス混合比により異なる）（接着性試験）実施例１と同様の試験方法に従い、９０
゜の角度で入刀した時の結果の接着性を評価し、その結
果を表３に示した。評価基準は実施例１と同じにした。

【０１２４】

【表３】実施例８実施例７において、基体を１８０μｍ厚のＰＥＴに代え
ても実施例７と同様の効果であった。実施例９実施例７において、基体を１００μｍ厚のＰＥに代えて
も実施例７と同様の効果であった。実施例１０実施例７において、基体を１５０μｍ厚のＰＰに代えて
も実施例７と同様の効果であった。実施例１１実施例７において、基体を１２０μｍ厚のＴＡＣに代え
ても実施例７と同様の効果であった。実施例１２実施例７において、基体のゼラチン水溶液を写真用白黒
乳剤に代えた以外は同様にして塗膜を形成し、実施例６
と同様に接着性試験を行い評価した。その結果を表４に
示す。

【０１２５】＜液条件＞実施例６と同じ比較例６比較例５と同条件にて表面処理を行い、実施例１２と同
様に塗膜を形成した。

【０１２６】

【表４】実施例１３〜１９、比較例７実施例７において、表５に示す条件変更を行って、同様
の処理試験を行い、同様の評価を行った。

【０１２７】予備室の数による条件変更条件１：図１２（a）に示すように予備室を設けずに、
処理室内部と外部の差圧を表５に示すように設定した。

【０１２８】条件２：図１２（b）に示すように予備室
を１つ儲けて、処理室内部と外部の差圧を表５に示すよ
うに設定した。

【０１２９】条件３：図１２（c）に示すように予備室
を２つ設けて、処理室内部と外部の差圧を表５に示すよ
うに設定した。

【０１３０】予備室へのガスの導入表５に示すようにガスの導入のある場合とない場合につ
いて試験した。

【０１３１】減圧手段の採用の有無表５に示すように減圧手段を設けた場合と設けない場合
について評価した。

【０１３２】処理室内の酸素濃度基体の搬送速度を１８０mm/minと３００mm/minの分けて
試験し、各々の場合の濃度を測定し、表５に示した。

【０１３３】接着試験結果試験方法は実施例７と同様にし、基体の搬送速度を１８
０mm/minと３００mm/minの分けて試験し、各々の場合の
結果を表５に示した。

【０１３４】

【表５】実施例２０実施例１９と同一の条件で、放電電極部を以下の形式に
変更し、効果の確認を行った。

【０１３５】＜表面処理条件＞装置１パイプ電極平行配置型プラズマ装置（図４に示す装置）パイプ径：１０mmφ 放電面積：２５０mm×５００mm 誘電体：アルミナセラミックスを１mm溶射電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製）周波数：１０kHz 出力：１．５ｋｗ装置２ロール電極型プラズマ装置（図５に示す装置）パイプ電極：装置１と同じロール電極：１．５ｍφ,幅２５０ｍｍ(アルミナセラミ
ックスを１mm溶射) 放電面積：２５０mm×５００mm 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製）周波数：１０kHz 出力：１．５ｋｗ装置３ガスフロー型曲面電極（図９に示す装置）電極：曲率１ｍ,幅５００ｍｍ,長さ５００ｍｍ（パンチ
板）穴に内径５mmφ、外径８mmφのセラミックパイプを
埋め込み後、アルミナセラミックスを１mm溶射放電面積：５００mm×５００mm×２電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製）周波数：１０kHz 出力：３kw ＜基体＞装置１及び２：幅２００mm,厚さ１００μｍのＰＥＴ装置３：幅４００mm,厚さ１００μｍのＰＥＴ＜塗布条件＞ゼラチン水溶液：５％（w/vol）塗布膜厚：６０μｍ（接着性試験）実施例１と同様の試験方法に従い、45゜
の角度で入刀した時の接着力を確保できる限界処理速度
を評価し、その結果を表６に示した。

【０１３６】

【表６】

【発明の効果】本発明によれば、コストが安く、生産性
に優れた基体の表面処理方法及びその装置並びに表面処
理した基体を提供すること及び、基体の超高速搬送にお
いても、基体表面の接着性を向上させ、基体への極性官
能基の付与効率が高く、効率的な且つ均一な表面処理が
できる基体の表面処理方法及びその装置並びに表面処理
した基体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の方法及び装置の一形態を示す概
略構成図

【図２】パルス波の一形態を示す図

【図３】本発明の第１の方法及び装置の一形態を示す概
略構成図

【図４】円筒型電極を用いた形態を示す概略構成図

【図５】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図

【図６】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図

【図７】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図

【図８】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図

【図９】ガスフロー型曲面電極を用いた形態を示す概略
構成図

【図１０】気密保持向上のための装置例を示す概略構成
図

【図１１】気密保持向上のための他の装置例を示す概略
構成図

【図１２】本発明の実験条件を示した説明図

【図１３】比較例を示す図

【図１４】比較例を示す図

【符号の説明】

１：基体２：処理部乃至処理室３、４：電極５：電源６：アース７，８：ニップロール１５：減圧手段１０、１１、１２：予備室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｃ 1/91 Ｇ０３Ｃ 1/91

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】任意の基体に対し、プラズマによる表面処
理を行う表面処理方法において、大気圧もしくはその近
傍の圧力下で、パルス化された電界中で発生させたプラ
ズマを用いることを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】前記基体が連続的に搬送される長尺物であ
ることを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
【請求項３】前記基体がシート状であることを特徴とす
る請求項１記載の表面処理方法。
【請求項４】表面処理を行う前に、前記基体表面の帯電
量が±５００Ｖ以下になるまで、除電処理を行うことを
特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
【請求項５】前記除電処理を行った後に、前記基体表面
の塵埃を除去してから、表面処理を行うことを特徴とす
る請求項１記載の表面処理方法。
【請求項６】請求項１乃至５に記載の方法により表面処
理したことを特徴とする表面処理した基体。
【請求項７】基体が、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロピ
レンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロースま
たは樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求項
６に記載の表面処理した基体。
【請求項８】基体が、写真感光材料用基体であることを
特徴とする請求項７に記載の表面処理した基体。
【請求項９】連続搬送される長尺状の基体を大気圧もし
くはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処理
部を有する基体の表面処理装置において、該処理部を通
過する基体にパルス化された電界を印加する電極を有
し、該処理部が大気開放されていることを特徴とする基
体の表面処理装置。
【請求項１０】請求項９に記載の表面処理装置を用いて
表面処理したことを特徴とする表面処理した基体。
【請求項１１】基体が、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロ
ピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロース
または樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求
項１０に記載の表面処理した基体。
【請求項１２】基体が、写真感光材料用基体であること
を特徴とする請求項１１に記載の表面処理した基体。
【請求項１３】任意の基体に対し、プラズマによる表面
処理を行う表面処理方法において、前記基体は連続的に
搬送されるものであると共に、該基体の入口と出口とを
そなえた処理室内に、反応ガスが３０体積％以上の処理
ガスを、処理室外の気圧よりも高い気圧で封入してお
き、該処理室内にパルス化された電界を形成することに
よって発生させたプラズマを用いて、表面処理を行うこ
とを特徴とする表面処理方法。
【請求項１４】処理室の気圧が外圧より０．０３ｍｍＡ
ｑＨｇ以上高いことを特徴とする請求項１３に記載の基
体の表面処理方法。
【請求項１５】処理室内の酸素濃度を６００ｐｐｍ以下
に調整することを特徴とする請求項１３又は１４に記載
の基体の表面処理方法。
【請求項１６】表面処理前に、予め基体表面の除電処理
を行い、更にゴミ除去を行うことを特徴とする請求項１
３、１４又は１５に記載の基体の表面処理方法。
【請求項１７】請求項１３〜１６の何れかに記載の表面
処理方法により表面処理したことを特徴とする表面処理
した基体。
【請求項１８】基体が、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロ
ピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロース
または樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求
項１７に記載の表面処理した基体。
【請求項１９】基体が、写真感光材料用基体であること
を特徴とする請求項１８に記載の表面処理した基体。
【請求項２０】連続搬送される長尺状の基体を大気圧も
しくはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処
理部を有する基体の表面処理装置において、該処理部が
前記基体の入口と出口を有する処理室であり、該処理室
内の基体にパルス化された電界を印加する電極を有し、
該処理室に封入する処理ガス中の反応ガスの割合を３０
％以上に調整する手段を有すると共に該処理室内の気圧
を外圧より高く調整する構成を有することを特徴とする
基体の表面処理装置。
【請求項２１】前記処理室に隣接して処理ガスの少なく
とも１成分を有している予備室を具有しており、該予備
室は基体の入口側に一つ、または出入口両側に一つづつ
有し、該処理室の気圧が、該処理室と隣接する予備室の
気圧より０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上高いことを特徴とす
る請求項２０に記載の基体の表面処理装置。
【請求項２２】前記処理室に隣接して予備室を具有して
おり、該予備室は該処理室の基体の入口側に二つ以上、
または出入口の両側にそれぞれ二つ以上有し、少なくと
も１つの予備室の気圧が、隣り合い且つ処理室より遠い
位置の次の予備室の気圧より０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上
高いことを特徴とする請求項２０に記載の基体の表面処
理装置。
【請求項２３】予備室の少なくとも一つが、処理ガスの
少なくとも一成分を有することを特徴とする請求項２２
に記載の基体の表面処理装置。
【請求項２４】予備室の少なくとも１つが、減圧手段を
有することを特徴とする請求項２０、２１又は２２に記
載の基体の表面処理装置。
【請求項２５】処理室と外部又は隣接する室間の間仕切
り手段が、基体に対して所定の間隙を保ち、且つ非接触
であることを特徴とする請求項２０〜２４の何れかに記
載の基体の表面処理装置。
【請求項２６】処理室と外部又は隣接する室間の間仕切
り手段が、基体に対して接触する少なくとも１対のロー
ルであることを特徴とする請求項２０〜２４の何れかに
記載の基体の表面処理装置。
【請求項２７】前記ロールのうち少なくとも一つがゴム
ロールであることを特徴とする請求項２６に記載の基体
の表面処理装置。
【請求項２８】処理室内の酸素濃度を６００ｐｐｍ以下
に調整することを特徴とする請求項２０〜２７の何れか
に記載の基体の表面処理装置。
【請求項２９】電極が、円筒型電極であることを特徴と
する請求項２０〜２８の何れかに記載の基体の表面処理
装置。
【請求項３０】電極が、ロール型電極であることを特徴
とする請求項２０〜２８の何れかに記載の基体の表面処
理装置。
【請求項３１】電極が、ガスフロー型曲面電極であるこ
とを特徴とする請求２０〜２８の何れかに記載の基体の
表面処理装置。
【請求項３２】請求項２０〜３１の何れかに記載の表面
処理装置を用いて表面処理したことを特徴とする表面処
理した基体。
【請求項３３】基体が、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロ
ピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロース
または樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求
項３２に記載の表面処理した基体。
【請求項３４】基体が、写真感光材料用基体であること
を特徴とする請求項３３に記載の表面処理した基体。