TW201104801A - Chip package structure and its method - Google Patents

Description

201104801 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有_裝技術’ _是-種“塊結構及其方法。 【先前技術】 由於使用者對於高速化、多功能化、高容量化與輕、薄、短、 小的要求，使得半導體元件的構裝密度越來越高。—般而言，基本的 晶片封裝結構至少包括··-基板；至少—晶片設置於其上^與^板電 性連接α及-封裝㈣覆蓋晶片、電性連接結顺部分基板。於封 裝領域，如何減少製程步驟、降低成核提高缝㈣度是—個無止 盡的目標與重要的課題。 【發明内容】 為了解決上述問題’本發明目的之一係提供一種晶片封裝结構 及其方法’藉由使用賴取代原有基板與職材料來封裝整個封裝 體。 本發明目的之-係提供-種“域結構及其綠，藉由膠膜 ^曰曰片密狀兩牌膜，其職方關單城有效避餅來物影響晶 片0 為了達到上述目的，本發明一實施例之一種晶片封裝結構， ·—第—膠膜’係具有複數個内接點於—上表面與複數個外接 =於-下表面，其中内無與外接·_電性連接；至少_晶片，係咬 =第-膠膜之上表面並與内接點m連接；—第二膠膜，係覆蓋於 =片上並與第-膠卿成—封财間容置晶片；以及複數個導電焊 球’係設置於外接點上。 201104801 本發明另一實施例之一種晶片封裝方法，係包括下列步驟： 提供-第-膠膜，其中第-膠膜係具有複數個内接點於—上表面與複 數個外接點於一下表面，且内接點與外接點係電性連接；設置至少;一 晶片於第一膠膜之上表面並使晶片與内接點電性連接；設置複數個導 電焊球於外接點上；設置H膜於；上；以及糊—沖壓步驟 移除多餘第一膠膜與第二膠膜並使第一膠膜與第二膠膜連接形成一 封閉空間以容置晶片。 【實施方式】 鲁 請參照® 1E，於本實施例中’晶片封裝結構包括：一第一膠 膜10，至> 一晶片20 ’ 一第二膠膜40 ;以及複數個導電焊球3〇。第 膠臈10具有複數個内接點12於-上表面與複數個外接點14於一 下^面，其中内接點12與外接點Μ係祕連接。晶片20係設置於 第一膠膜10之上表面並與内接點12電性連接。第二膠膜4〇係覆蓋 於晶片20上並與第一膠膜10形成一封閉空間容置晶片20。導電焊球 30係設置於外接點14上。 於實鈀例中，内接點12與外接點14可利用第一膠膜内1〇之 • 金屬線路（圖上未示）互相電性連接。於一實施例中，晶片2〇具有 ，數個銅凸塊（圖上未示）與内接點12電性連接。於一實施例中， 曰片封裝結構可设置複數個晶片2〇。於一實施例中，晶片 I互相堆疊設置’如圖2所示。於一實施例中，晶片20亦可 並排設置（圖上未示）。 月“.、圖1A圖1B、圖ic、圖id與圖1E，於本實施例中晶 褒方法包括下列步驟。如圖1A所示，提供一第一膠膜10， ^ 膠膜1G係具有複數個内接點12於—上表面與複數個外接點 於—下表面，且内接點12與外接點14係電性連接。設置至少一晶 於第朦膜10之上表面並使晶片2〇與内接點12電性連接，如 201104801 圖1B所不。晶片20可利用複數個銅凸塊（圖上未示）與内接點 12電性連接。參照圖1C，設置複數個導電焊球3〇於外接點14上。 設置一第二膠膜40於晶片20上並利用一沖壓步驟移除多餘第一膠膜 1〇與第一膠膜40。使第一膠膜10與第二膠膜40連接形成一封閉空 間以容置晶片2G ’如圖1D與圖1E所示。 於—實施例中’沖壓步驟時更可同時提供一加熱步驟幫助 第一膠膜_10與第二膠膜4〇連接。於不同實施例中，複數個晶片扣 互相堆疊。又置（如圖2所示）或並排設置。於一實施例中， 隹k之日曰片2〇可利用石夕穿孔（through-silicon via，TSV )枯 • 術電性連接。 本^明藉由膠膜當作整個封裝技術的核心，並利用重壓（punch) 的=式結合與分段。本發明職之使用可糊既有的捲帶技術。覆蓋 於晶片上之觀是否絲牢非主要要求，僅需隔絕絲物即可。若需 避免膠膜在熱脹冷縮環境下變化過大，可於勝膜内增加細微的小礼減 少膨脹的現象產生以避免膠膜撐破。 紅合上述，本發明藉由使用膠膜取代原有基板與封裝材料來封 裝整個封裝體；藉由膠麟晶4賴於兩牌助，其封裝方法簡單 φ 且能有效避免外來物影響晶片。 以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目 的在使熟習此碰#之人士賴瞭解本發明之内容並據以實施，當不 能，之限定本㈣之專纖圍，即大驗本發衝揭示之精神所作之 均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍内。 201104801 【圖式簡單說明】 圖1A、圖1B、圖1C、圖1D與圖1E所示為根據本發明一實施例之 示意圖。 圖2所示為根據本發明一實施例之示意圖。 【主要元件符號說明】 10 第一膠膜 12 内接點 14 外接點 20 晶片 30 導電焊球 40 第二膠膜

Claims (1)

1. 201104801 七 、申清專利範圍·· 1·-種晶片封裝結構，係包含： 於—下表 j係具有複數個内接點於一上表面與複數個外接點 至少一 s 2，、中該些内接點與該些外接點係電性連接； 電性連接； —第二膠膜 間谷置該晶片；以及 片，係設置於該第一膠膜之該上表面並與該些内接點 ’係覆蓋於該晶#上並與該第_膠細彡成一封閉空 2知妹、七複數個導铸球，係設置於該些外接點上。

   凸塊i該H點所電^:封裝結構，其_該晶片具有複數個鋼 堆疊設置項1所述之晶片封裝結構，更包含複數個該晶片互相 4.種日日片封裝方法，係包含下列步驟： ίΓί複數個外接點於—下表面，且該些内接點與該些外接點係電 提供第’其巾該第—膠磨具有雛個 一 ，與… ' 性連接 接點=了晶片於該第一膠膜之該上表面並使該晶片與該些内 設置複數個導電焊球於該些外接點上； 設置一第二膠膜於該晶片上；以及 利用一沖壓步驟移除多餘該第一膠膜與該第二膠膜並使該第— 膠膜與該第二膠膜連接形成一封閉空間以容置該晶片。 50如請求項4所述之晶片封裝方法，於該沖壓步驟時更可同時 提供一加熱步驟。 、 6. 如請求項4所述之晶片封裝方法，其中可提供複數個該晶 互相堆疊設置。 7. 如請求項6所述之晶片封裝方法，其中堆疊之該些晶片係 用石夕穿孔（through-silicon via ’ TSV )技術電性連接。 201104801 8.如請求項4所述之晶片封裝方法，其中該晶片係利用一主動 面複數個銅凸塊與該些内接點電性連接。