TW201006337A - Printing wiring cardinal plate and method for producing the same - Google Patents

Description

201006337 六、發明說明： •【發明所屬之技術領域】 ' H _於印刷佈線基板及其製造方法 ，更詳細地說， 係關於在絕、缘梏|脂膜與銅被膜層之間採用乾式鍍敷法依專 形成㈣性良好的金屬層與雜性高的金屬層 ’而具有南絕 緣可#_印刷佈線基板及其製造方法。 【先前技術】 鲁 ▼撓性印刷佈線基板係大致區分為：在絕緣樹脂膜上採用 接著劑貼合作為導體層的銅箔的3層樹脂膜金屬膜積層基 板（例如，參照專利文獻1)，和在絕緣樹脂膜上以不採用 接著劑的乾式鍍敷法或濕式鍍敷法直接形成作為導體層的 銅被膜層之2層樹脂膜金屬膜積層基板。 但是，近年來伴隨著電子儀器的高密度化，係要求佈線寬 經窄節距（pitch)化的佈線基板，在上述3層樹脂膜金屬骐 籲積層基板的製造中，將在絕緣樹脂膜上形成的銅被膜層，按 照所希望的佈線圖案利用蝕刻形成導體佈線部，但該導體佈 線部的侧面產生被過度蝕刻的所謂侧蝕，結果產生佈線部的 斷面形狀易變成下部寬大之梯形的問題。 ^ 因此，為了解決該問題，以2層樹脂膜金屬膜積層基板代 . 替原來的貼合銅箔（3層樹脂膜金屬膜積層基板）現已成為 主流。 該2層樹脂膜金屬膜積層基板係在絕緣樹脂膜上形成均 098117258 3 201006337 勾厚度的練覆層，作為其手段，通常係採用電鑛法。而且， 為了進行電鑛，-般是在電卿成前，在絕緣樹脂膜上形成 薄的金屬層而對整個表面賦予導電性，並於其上進行電鑛 (例如’參照專利文獻2)。另外，在絕緣樹脂膜上形成之 薄金屬層，係採用真空蒸鑛法、離子鑛法等乾式魏法來形 成。 如此’絕緣樹脂膜與銅被覆層的密合性係當在其界面形成

CuO或Cu2〇等脆弱層時變得非常弱，所以，為了保持對印刷 佈線板所要求的與銅被膜層的密合強度，在絕緣樹脂膜與銅 被覆層之間，作為基底金屬層係設置鎳—鉻合金層（參照專 利文獻3)。之後，把基底金屬層與銅被膜層構成的積層體 作為金屬膜。 2層樹脂膜金屬膜積層基板的佈線圖案係可採用減去法 (subtractive process)而形成。該減去法係指把樹脂膜 金屬膜積層基板的金屬膜不需要部分利用化學蝕刻處理加 以除去，以製造印刷佈線基板的製造方法。 該化學姓刻處理係由採用化學姓刻液把不需要的金屬膜 進行侵蝕和用以除去化學蝕刻液的水洗所構成，在化學蝕刻 處理時，一般係將化學蝕刻液或水採用淋浴法等進行嘴射， 或在化學餘刻液等中浸潰而進行。 與銅被膜層的蝕刻對應的化學蝕刻液係例如有氣化鐵 (FeCl3.2H2〇)水溶液、鹽酸酸性氣化銅（CuCl2.2H2〇)水 098117258 4 201006337 溶液，進行使用此等物質的化學蝕刻處理，可形成導體佈線。 k 採用此等化學韻刻液的化學银刻法中，作為基底金屬層， 若從耐蝕性的觀點看，當採用鉻含量高的鎳一鉻合金時，化 學蝕刻不能充分進行，在導體佈線邊緣、導體佈線間會殘留 基底金屬層，產生作為姓刻殘渣的金屬殘渣，有時無法得到 充分的蝕刻成果。 另外’作為絕緣可靠性方面的問題點，在絕緣可靠性的指 Φ 標中，係可實施恆溫恆濕偏流試驗（以下有時稱作HHBT試 驗：High Temperature High Humidity Bias Test)等。產 生上述蝕刻殘渣的基板或採用鉻含量低的基底金屬層的可 撓性印刷佈線基板，在HHBT試驗中明確顯示絕緣可靠性不 充分。 即，將具有含鉻量高的基底金屬層的2層樹脂膜金屬膜積 層基板進行上述化學钱刻處理時，當鎳一絡合金等基底金屬 ❷層由於姓刻不足而殘留之情況，若進行HHBT試驗，相鄰的 導體佈線會因佈線間殘留的基底金屬層成分構成的金屬殘 渣而產生短路的問題。 另一方面，具有含鉻量低的基底金屬層之2層樹脂膜金屬 膜積層基板中，雖無蚀刻殘渣發生，但由於不能確保基底金 - 屬層的耐蝕性，故不能確保HHBT試驗中的絕緣可靠性。因 此，對基底金屬層要求蝕刻性及耐蝕性的相反特性。 於是’作為實現絕緣可靠性的手段之一，必須把上述導體 098117258 5 201006337 佈線間殘留的㈣殘逢除去，而作為相關的該缺點的改正辦 法’例如於專利文獻4巾提出：採用屬於對應於銅被膜的化 學钱刻液之氣化鐵溶液或鹽酸酸性氣化銅溶液進行餘刻處 理後’併用含鹽酸的酸性_彳液過猛㈣溶液等驗性敍刻 液的1種<2種以上進行處理，藉以溶解佈線間的蚀刻殘潰。 另外’專利文獻5中提出：將佈線間的侧殘潰利用含鹽 酸與硫酸的騎it行化學㈣，並於祕_触氧化钟與 氫氧化鈉的混合液中進行浸潰處理。 Λ外’專利文獻6中提出：將佈線間的㈣殘潰利用含鹽 酸的酸性化學烟料叹解H利齡缝化鉀或過 猛酸鹽驗性㈣液進行處理。當使用含鐵氰化鉀或過巍酸 鹽的驗性#刻液之情況’係可採賴佈線的韻少的方法， 將佈線間㈣的錄鉻合金或錄鉻钥合金予以除去。 [專利文獻1]曰本專利特開平6_ 132628號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8—139448號公報 [專利文獻3]日本專利特開平6_12〇63〇號公報 [專利文獻4]日本專利特開2〇〇5_2334〇號公報 [專利文獻5]曰本專利第3888587號 [專利文獻6]日本專利特開2〇〇8一2815{)號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 但是’最近的可撓性印刷佈線基板係進行著伴隨佈線圖案 098117258 6 201006337 的更加高密度化之佈線窄節距化’又’伴隨著高性能化，要 _求在高電壓下使用’其結果，所用之印刷佈線基板的絕緣可 靠性變得重要，而為了耐高電壓，對基底金屬層係要求更高 的耐姓性。 因此，從耐蝕性的觀點考慮，可見設置鎳一鉻合金的鉻含 量高的基底層的傾向’結果是因為化學蝕刻處理而在導體佈 線間有基底金屬層成勿殘留的姓刻殘邊之發生有增高的傾 馨 向。 又，在將習知2層樹脂膜金屬膜積層基板採用減去法而形 成導體佈線圖案時’由於採用氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化 銅水溶液的1種化學蝕刻液進行蝕刻處理，故為了除去蝕刻 殘渣而增加新的蝕刻處理步驟，必須嶄新地導入設備，會有 設備成本及液體管理成本增大的問題以及因步驟增加而導 致生產效率降低之虞。 ❹本發明是為了解決該等問題而提出者，其目的為提供在使 用乾式鍍敷法及紐㈣可触印刷佈祕板之製造中，在 絕緣樹脂膜的至少單面上形成基底金屬層，並於該基底金屬 層上形成紐膜層時，在導體佈線形成時具有高侧性的印 刷佈線基板及其製造方法，具體而言係採用氯化鐵水溶液或 鹽酸酸性氯倾水溶錢行_時，在導體佈線㈣留的基 底金屬層成分的_殘渣少，對導體佈線_加高電壓時， 兼具有高的絕緣可靠性及耐蝕性。 098117258 7 201006337 (解決問題之手段） ;上述狀况’本發明人進行悉心研究，結果發現藉 由在絕緣樹脂膜的單面或兩面上不介隔接著劑地積層金屬 層B、金屬層C、鋼被膜層D，可以實現確保絕緣可靠性與 兼具耐蝕性的印刷佈線基板。 本發明的第1發明係一種印刷佈線基板，係藉由化學餘刻 ^理’選擇性地除去不介隔接著劑而將金屬膜積層在絕緣樹 脂膜A的至少_個表面上所成的樹脂膜金屬膜積層基板之❹ 上述金屬膜的不需要部分’而形成導體佈線者其特徵在 於，構成上述導體佈線的金屬膜包括：在上述絕緣樹脂膜A 的表面上積層的金屬層B，該金屬層b由錄或者含質量％ 以上的錦和未滿15質量％的鉻之錄-絡合金構成；在上述金 屬層B的表面積層的金屬層c，該金屬層c包含含錄、含鉻 15質量％以上的合金；以及在上述金屬層c的表面積層之膜 厚10nm〜35/zm的鋼被膜層D ;僅使用姓刻上述銅被膜層D © 的化學蝴液’以選擇性地除去上述金屬膜的不需要部分β 本發明的第2發明係於第1發明的印刷佈線基板中，對包 含依序積層有上述金屬層Β、金屬層C及銅被膜層D的上述 金屬膜之導體佈線’採用氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水 - 溶液進打化學餘刻處理後，在上述絕緣樹脂膜Α上殘留的金 - 屬的殘》查量’於上述絕緣樹脂膜A的每單位面積係為0. 13 // g/cm2 以下。 098117258 8 201006337 第3發明係於第1發明或第2發明的印刷佈線基板中，上 述金屬層B含有飢13質量％以下、鈦§質量％以下、錮20 質量％以下，而餘量為錄或者含70質量％以上的癌和未滿15 質量％的鉻之鎳-鉻合金與1質量％以下的不 < 避免雜質構 成，其膜厚為3〜20nm。 第4發明係於第1發明至第3發明中任一項所述的印刷佈 線基板中，上述金屬層C係含鉻15質量％以上、鎳〇. 01〜 ❿ 85質量％，1質量％以下的不可避免雜質所構成之合金’或者 含鉻15質量％以上、鎳〇. 01〜85質量％、鉬〇. 〇1~質量％’ 1質量％以下的不可避免雜質所構成之合金，膜庳5〜37nm， 或膜厚5nm以上且與金屬層b合計在4〇nm以下。 第5發明係於第1發明至第3發明中任一項所述的印刷佈 線基板中，上述化學蝕刻液不含錳及氰化物。 第6發明係於第1發明至第3發明中任一項所述的印刷佈 ❹線基板中’上述化學蝕刻液為氣化鐵水溶液或提酸酸性氣化 銅水溶液。 第7發明係於第 .* « q%乐Z發明的印刷佈綵费…，丄 述絕緣樹月日膜A係選自聚酿亞胺系膜、聚酿胺系膝、聚醋系

膜、聚四氟乙歸系膜、聚笨硫㈣膜、聚萘一 f酸匕二醋系 膜第=物系膜之至少1種以上的樹脂I 種印刷佈線基板之製造方法，孫藉由化學钱 X 猶去不介隔接著劑而將金屬膜積yf在絕緣樹脂 098117258 9 201006337 膜A的至少-個表面上所成的樹_金屬_層基板之上 述金屬膜的不需要部分，而形成導體佈線者，其特徵在於 上述樹脂膜金屬膜積層基板係以下述方式形成：在上述絶’ 樹脂膜A的表面上’採用乾式鍍敷法形成鎳或以鎳作為主緣 分的金屬層B，_，在上述金屬層B的表面，採用乾式成 敷法形成以含15質量％以上祕及錄而成的合金、或:= 質量％以上的鉻、鎳及㈣成的合金所構成的金屬層c後15 在上述金屬層C的表面形成由膜厚1()111〇〜35扉的銅被媒屬 D積層而成之金屬膜，將上述金屬膜_ 1種_液進行进 擇性地除去，形成導體佈線。 選 第9發明係於第8發明的印刷佈線基板之製造方法中 述化學蝕刻液不含錳及氰化物。 上 第10發明係於第8發明的印刷佈線基板之製造方 上=1=為氣⑽水溶料㈣紐銅水溶液。 “發明係於第8發明的印刷佈線基板 上述銅被膜層D係於以乾讀數^法中’ 電鍍法而形成铜層。 去形成的銅層表面上，採用 之製造方法巾a第8發明或第11發明所述的印刷佈線基板 子鍍法之任-種。述乾式紐法為真空紐法、雜法或離 (發明效果） 098117258

P刷伟線基板係錢軸脂膜A與銅被膜層D 201006337 之間配置含絡15質量％以上的 蝕性，同時，在纟s 、，因而具有優良的耐 •量未们5 ^ 與金屬層C之間配置包含絡含 • ‘ #量_合金的金屬層B，藉此，金屬膜可换田 種化學㈣丨液無_地除去，可大 1 緣可靠性，其工業利用價值極高。心刷佈線基板的絕 【實施方式] =:刷佈線基板是在2層樹脂膜金屬 (以下稱作樹脂膜金屬膜積層基板）上 半加成法所進行的加工而製造。 採用減去法或 •樹脂膜金屬膜積層基板 本發明的印刷佈線基板中使用的樹脂膜金屬膜積層體係 在絕緣樹脂膜A的至少^面上’不介隔接著劑地形成依序 積層有金屬層B、金屬層c及銅被膜層D的金屬膜。 ❹ 圖1表示本發日㈣印刷佈線基板中使用之樹賴金屬膜 積層體的斷面。金騎B及金屬層c係相當於2層樹脂膜金 屬膜積層基板的基底金屬層。又，該樹賴金屬膜積層體係 絕緣樹賴A與各金屬層積層而成，由於不存在接著劑層， 故相當於2層樹脂膜金屬臈積層基板。 以下針對本發明的樹脂膜金屬膜積層基板之各構成要素 加以詳細說明。 (金屬層B) 金屬層B係在絕緣樹賴A的表面上騎隔接著劑地積 098117258 201006337 層’包含含錄或含錦7G 以上、 該金屬層B的鉻含量較佳為H.5質量k #量％的合金。 量％以下。當鉻含量為15質量％以上時，盖下更隹為14質 鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶 ，採用氣化 去金屬層B，*能保持絕緣可靠性。仃的化學麵刻來除 又，金屬層B可含有鈒13質量％以下 鉬20質量％以下。 欽8質量％以下、 :等飢、鈦，的含有，既可將所選擇 金屬層B’也可添加多種元讀添加至 與繼、鈦、_種元素的合金金 上元素的合金。另…是二 與絡及選自飢、欽、銷的1種元素的合金，也可以是包 含鎳、鉻、及選自叙、欽、㈣2種以上元素的合金。 釩、欽、錮的各元素可提高金屬層B的咖性，當為叙 13質«以下、鈦8質量％以下、⑽質量％以下的含量時， 在採用氣化鐵水溶㈣魏酸性氣化銅水賴所進行的蚀

刻步驟中’不會產生金屬層B的殘渣。另外，當金屬層B 的添加π素僅由鈦構成時，在採用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性 氣化銅水溶液所進行的蝕刻步驟中，會產生金屬層Β的殘 潰0 如此’金屬層Β中為了提高耐熱性及耐钱性，可以與目的 特性一致地適當添加過渡金屬元素。另外，金屬層Β中除該 098117258 12 201006337 等口金以外’亦可存在有製造目標物時進入等而含有的^ 質量％以下的不可避免的雜質。 金屬層B的形成方法，可採用公知的蒸鍍法、減鑛法、離 子鍍法’制是_法’ 丨起較㈣减成分之合 金發生組成變動而形成，因此較佳。 ❹ ❹ 备金屬層B的膜厚小於3nm時，導體佈線加工時採用氯化 鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液所進行的化學儀刻中，金 屬層C與金屬層B均未被溶解而殘留在導體佈線間。其理由 可以認為是由於金屬層B未以完整膜型式形成，局部在絕緣 樹脂膜A上直接形成金屬層c，或金屬層c與金屬層b 一起 溶解的現象不易發生，而當考慮導體佈線加工 時，金屬層B儘可能薄為宜。當膜厚大於2〇mQ，對導體佈 線施加電壓時，金屬層B的成分逐漸溶出，易成為路 的原因。 不良 另外，金屬層Β的膜厚可從形成條件推定，例如， ☆ 用濺鑛法時’根據向麟陰極投人的電力及_時間== 條件’膜厚係、呈直線變化，可從條件求出金㈣1 (金屬層C) β的膜厚。 金屬層C係在絕緣樹脂膜a上的金屬層β的矣 接著劑而形成。 面，不介隔 金屬層C是以鎳與鉻作為主成分的合金， 15暫畺G/Hi 、絡含量未滿 098117258 買重時，佈線加工後的耐蝕性不能充分保持，由於金屬 13 201006337 層c或銅的溶出而使絕緣可靠性降低。另一方面者鉻人θ 大於70質量％時，鉻有可能在晶粒邊界析出，較3量 外，當金騎C僅由Cr構成時，由於會因鹽酸而溶解^ 致耐酸性降低’所以若麟則步驟及職步驟，會造成《 緣可靠性之下降，故較佳為15〜7〇質量％。 浥 以 另外’金屬層G的鎳含量，在確保鉻含量之前提下 0· 01〜85質量％為宜。 另外’在金屬層C中亦可含〇1〜4〇質量％之翻。 當然係將錄、鉻及不可避免的雜f的含量加起來調整至 質量％。 顧也具有提高耐錄的效果，當翻含量超過40質量％時， 财熱剝離有極端降低的傾向，是不佳的。 當金屬層C的膜厚未滿5nm日夺，不能確保對銅的阻隔性， 絕緣可靠性降低。又，當金屬層B與金屬層c的合計膜厚大 於4〇咖時，朗應力變高，產生細狀及㈣，密合強度 可能降低’金屬層B與金屬層c的合計膜厚較佳為4〇⑽ 以下。 另外，金屬層C的膜厚，可從形成條件求出，例如，已知 採用濺鍍法時’根據向_陰極施加的電力、賴時間等條 件’膜厚呈直線變化，能夠從該條件求出膜厚。 (銅被膜層D) 其次’鋼被膜層D在形成較薄的銅被膜層之情況係採用乾 098117258 201006337 式鍍敷法形成。另-方面，也可在採用乾式鍵敷法形成薄的 -銅被膜層後’在該薄的銅被膜層上採用濕式鑛敷法，積層較 具厚度的銅被膜層而形成。 該銅被膜層的膜厚較佳為10腿〜35_的厚度，當膜厚未 滿lOmn，钸線部的導電性易產生問題，或有可能出現強度 上的問題。另一方面，若膜厚超過35//ιη而變厚，會有產生 細裂紋及翹曲等而使密合強度降低之情況，是不佳的。 ® 採用乾式鍍敷法形成銅被膜層後，在該銅被膜層上採用濕 式鍍敷法積層較厚的鋼被膜層而形成時，可以採用乾式鍍敷 法形成膜厚l〇nm〜1//Π!左右的銅被膜層後，採用濕式鍍敷 法進行積層，直到成為所希望膜厚的銅被膜層或導體佈線。 (絕緣樹脂膜） 絕緣樹脂膜係選自聚醯亞胺系膜、聚醢胺系膜、聚對苯二 甲酸乙二酿（PET)及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系膜、聚四 參敦乙烯系膜、聚苯硫驗系膜、聚萘二曱酸乙二醋系膜或液晶 聚合物系膜的絕緣樹脂膜，可考慮耐熱性、介電體特性、電 、、色緣性及印刷佈線基板的製造步驟及後續步驟的耐藥品性 等，根據用途適當選擇。 例如’聚酿亞胺系膜係有東麗.Dupont (股）製之Kapton (*主冊商標）、宇部興產（股）製之UPILEX (註册商標）、 鐘淵化學工業（股）製之APICAL (註冊商標）、東洋紡（股） 製之ΧΕΝ0 (註册商標）等。另外，作為屬於芳香族聚醯胺 098117258 15 201006337 系膜的芳醯胺系膜，有東麗（股）製之Mictr〇n(註冊商 帝人Advanced Fihn (股）製之紅⑽如（註冊商標）^、 另外，本發明的印刷佈線基板，除了於絕緣樹腊膜A的單 面上形成有導體佈_印刷佈線基板外，也可以採用在絕緣 樹脂膜A的兩Φ上形成轉__印刷佈線基板。另外， 也可積層多個本發_印刷佈線基板，用作多層印刷佈線基 板。

(金屬的殘渣量） 其次’對絕緣樹脂膜A上殘留的金屬殘渔量進行說明。 如佈線間殘留包含金屬原子的層，在贿試驗中，會成 為伴隨著料間的㈣短路，並使絕緣可靠性大幅降低的原 因。已知亦有偏向局部殘留的部m賴顏的全部表 面由1層金屬原子覆蓋時的金屬殘渣量，係相當於約〇15 "g/cm2 ° ❹ 在此’為了瞭解鎳-鉻合金中的鉻含量與絕緣樹脂膜上的 殘渣量的關係’求出在經預先乾騎去水分的絕緣樹脂膜 (聚醯亞胺膜）上利㈣鍍形成銻—鉻合金（相當於金屬層 B或金屬層〇,接著把採用魏及電鑛而形成有銅被膜層的 基板，用氯化鐵溶液進行飿刻，此時的錄―鉻合金中的絡濃 度與聚醯亞胺膜上殘留的鎳—鉻合金層的成分的合計亦即 與餘刻殘渣量合計的_4结果示於圖2。 在圖2中，右鉻含量為15質量％，當對絕緣樹脂膜的蝕刻 098117258 16 201006337 雜量多時，絕緣樹脂膜每W為〇.15心^，該值係 如上所述’相當於絕緣樹脂膜的全部表面被包含1層的金屬 原子覆蓋的量’實際上’亦有偏向局部殘留的部分，若在佈 線間殘留包含金屬原子的層，在刪了試驗中，隨著佈線間 的經時短路’會使絕緣可靠性大幅降低。 9 特別疋為了形成數十_節距的高精細饰線，要求把不需 要。I5刀的金屬㈣贿去，若將崎樹賴的表面上形成有 ί錄间的鉻3量15質量％以上的金屬膜之樹脂膜金屬膜 積層基板使用氣化鐵水溶液進行化學钱刻處理而加工成印 刷佈線基板雖除去不需要的金屬_使絕緣細旨膜Α之表 面目視上為露出’但由於佈線間殘留1層以上金屬的原子 層’故無法得到充分的絕緣可靠性。 反之田絕緣樹脂膜的表面上設置絡含量未滿15質量％ 的金屬層’並錢金屬層上設置鉻含〇的金屬層時，即使 吏用作為#刻_化學㈣液之氣化鐵水溶液或鹽酸酸 、氯化銅水☆液，也可以利用化學編彳處理而除去不需要部 人旦3量夕的金屬層。相反地’當在絕緣樹脂膜上設置絡 3里15質量％以上的金屬層，並在該金屬層上設置絡含量少 屬層時Μ使用氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶 二不月b除去不需要部分的鉻含量為15質量％以上的金屬 不使用過疑酸卸或鐵氰化钟等含 化學钱 時則、除去困難。 098117258 17 201006337 為此’本發明的印刷佈線基板中，將包含金屬層 層C及銅制層D的積層的導體佈線❹鐵水溶液屬 制後在絕緣樹脂膜A上殘留的金 丁 :單位_為。.13一下、更 另外，若除去積層有金屬層B、金屬層c 導體佈線，絕緣樹脂膜A的表面露出，同__致^的 殘淺也呈現在絕緣樹脂膜八的表面。藉由 其 屬 7脂膜A上殘留的金屬量，可以求心= 渣量，因此，可以推定絕緣可靠性。 戈 定絕緣樹脂膜A上殘留的金屬殘渣量係用下列方法進行測 將印難線練㈣_線錢_切料鹽 亂化銅水驗猜鮮刻處㈣除衫需㈣部分’ 緣樹脂膜A的表面露出，根據需要進行洗淨或後處理其 次，將經除去導體佈線的印刷佈線基板的表層部亦即露出 的絕緣樹脂膜A之表層部上所殘留的金屬成分溶解，得 留金屬成分的溶解液。 在該殘留金屬成分的溶解中採用酸，但在金屬*定量# 析時，不能使用含有妨礙檢測光譜的成分的酸。例如，為= 容易溶解 Ni、Cu、Mo、Ta、Ti、V、Cr、L η f e ' L〇等殘留金屬， 鹽酸是有效的，但鹽酸的Cl檢測光譜，有可萨妨礙上述金 098117258 18 201006337 屬成分的微小的檢測光譜，因此是不佳的。另外，硝酸雖不 妨礙上述檢測光譜，但以顧溶解後，在絕緣膜側易發生金 屬成分的殘留，作為溶解液是不適合的。 因此’本發明中，為了钮刻後的絕緣樹脂膜的表層部中殘 留之金屬成分的溶解，係使用韻7G〜駕與過氧化氯1〇 〜30%所構成的溶液’制微波分解裝置進行溶解處理。利 用該方法’定量分析時不妨礙檢測光譜，並且可完全溶解絕 ❿緣膜上殘留的全部金屬成分。 、 另外，藉由採用該微波分解裝置，係與採用熱板等進行間 接加熱時不同’由於以微波直接加熱密閉容器内的酸，故向 Μ為漏的熱> ’且來自外部的污染也變少。因此，殘留金 屬成刀可在短時間内以少量酸分解，故試料的分解及測定時 間約5〜6小時左右，可極快地進行評估。 將如轉_轉㈣金屬成分料定量純。作為分析 方法並未_限定，採用可定量微量金屬成分的介電結合電 4離子源質量分析裝置（下面有時稱作似—⑹為佳。 (化學蝕刻液） 與本發月中使用的化學姓刻液係對銅被膜層進行餘刻的化 子姓刻液縣為氯化鐵水純或舰雜㈣銅水溶液之 任種的化學餘刻液。氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶 系字銅氧化進行侧，同時，在本發明的金屬膜的積層結 構中除去金屬層Β及金屬層C。 098117258 19 201006337 一般’就耐蝕性的觀點而言’於將在絕緣樹脂膜的表面上 設置有鉻含量高的鎳一鉻合金的基底金屬層（本發明中的金 屬層c)的樹脂膜金屬膜積層體，使用對銅被膜層進行蝕刻 的氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進行化學餘刻處 理而製造印刷佈線基板時’由於基底金屬層的不需要部分未 完全蚀刻除去而殘留，有時成為蝕刻所致的金屬殘渣。 特別是當基底金屬層的鉻含量在15質量％以上時，有時可 顯著看到蝕刻所致的金屬殘渣的產生，離絕緣樹脂膜表面以 0. 1〜數nm之厚度殘留著基底金屬層成分，為了將其除去， 必須採用能溶解該金屬殘渣的鐵氰化钾水溶液或驗性過鍾 酸鹽水溶液等的溶解處理。又，基底金屬層亦有採用氣化鐵 水溶液使其鈍化之情況，此種基底金屬層的鈍化係成為蝕刻 中的金屬殘渣’也成為絕緣可靠性降低的原因。 另一方面，本發明的印刷佈線基板係於絕緣樹脂膜A的表 面依序設置金屬層B、金屬層C、銅被膜層D的積層結構， 含鉻15質量％以上的金屬層c設置在絕緣樹脂膜4與銅被膜 層D之間，在金屬層c與絕緣樹脂膜A之間，由於介隔著以 蝕刻銅被膜層D的化學蝕刻液進行蝕刻的含鉻未滿15質量％ 的金屬層B ’故僅以對應於銅被膜層D的化學蝕刻液（例如 氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化銅水溶液）進行化學蝕刻處 理，也可以除去含金屬層c之金屬膜的不需要部分。 在該絕緣樹脂膜A的表面所設置之金屬膜，由於是按金屬 098117258 20 201006337 * 層B、金屬層c、銅被膜層D的順序設置的積層結構，故即 • 使不探用鐵氰化鉀水溶液或鹼性過錳酸鹽水溶液進行化學 蝕刻處理，仍可除去金屬層B、金屬層C、鋼被膜層D，其 理由雖然不明’但當將絕緣樹脂膜A的表面積層的順序改變 成=金屬層C、金屬層B、銅被膜屬D之情況，採用氯化鐵 水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進行化學蝕刻處理時，會產 生金屬層C成分的金屬殘渣。 ❿（2)印刷佈線基板之製造方法 其次，對本發明的印刷佈線基板之製造方法進行詳細說 m ° ° 樹脂膜金屬膜積層基板係藉_用減去法或半加成法的 製迨印刷佈線基板。即，該樹脂膜金屬膜積層基板表 面的匕3銅被媒層D、金屬層c及金屬層B的金屬膜，其不 參需要部分係採用化學钱刻等加以除去，形成導體佈線。 ’ 、士擦用減去法製造本發明的印刷饰線基板之情況 進盯說明1所謂減去法係指將樹脂膜金屬膜積層基板的金屬 膜不需要# >利用化學侧處理等加以除去，以製造印刷佈 線基板的製造方法。 本發月的印刷佈線基板係在樹脂膜金屬膜積層基板的金 屬膜中作為導體饰線而殘留處的表面，設置抗㈣。即，抗 钱劑=為佈線圖案的形狀。然後，經過採用與銅被膜層對應 的化干之化學侧處理、水洗，轉性地除去金屬膜 098117258 21 201006337 的不需要部分’形成導體佈線。 »亥選擇性地除去係可採用蝕刻銅被膜層的化學融刻液的 僅1種化學蝕刻液來對金屬膜進行化學蝕刻處理，故不需新 . 增加蝕刻處理步驟，不必重新引進設備，沒有設備成本、液 - 體管理成本及工作時間的增加。 另外，抗蝕劑可採用公知的抗蝕劑，對化學蝕刻液具有耐 受性’且％成佈線後可除去即可。抗钱劑如果是在銅被膜層 D的表面用絲網印刷形成’或用照射紫外線等而硬化的感光魯 性抗蝕劑即可，硬化成規定形狀等加以配置。 在本發明中’採用對銅被膜層進行蝕刻的氣化鐵水溶液或 鹽酸酸性氣化銅水溶液的任—種化學働彳液的僅__種進行 金屬膜則彳’除去不需要的部分。氯化鐵水溶液或鹽酸酸性 氯化銅水溶㈣將銅氧化進行則，同時在本發明的金屬膜 的積層結構中’也具有除去金屬層B及金屬層C的作用。 如此’化學蝕刻液不採用過錳酸鉀水溶液等過錳酸鹽水溶❹ 液或鐵氰化料氰化物’故在侧步職也不必除去猛，由 於化學蚀刻液中不含結及氰化物，故在實施金鍵敷步驟前的 印刷佈線基板中不含猛及氰化物，即使實施金鍍敷的印刷佈 線基板也不含有链。 另外’不含錳及氰化物是指作為不可避免雜質的錳及氰化 物被排除在外。 又’本發明的印刷佈線基板係不採用與金屬層C的钱刻對 098117258 22 201006337 應的化學蝕刻液進行化學蝕刻處理。與金屬層c對應的化學 蝕刻液中，鹼性過錳酸鹽水溶液會除去絕緣樹脂膜A的表 層，但由於不採用鹼性過錳酸鹽水溶液，即使金屬層c被除 去，絕緣樹脂膜的表面仍未被除去。亦即，已知若將包含金 屬層B、金屬層C及銅被膜層D的導體佈、線採用氣化鐵水溶 液予以除去’將露出的絕緣樹脂膜A的表面的凹凸採用光學 輪廓加工機（optical叩0衍161*)進行測定，在測定界限以下 參是平滑的。這意指露出的絕緣樹脂膜A的表面不能被化學飯 刻液所溶解。 形成導體佈線後的導體佈線表面上所生成的氧化物膜之 除去’可採用公知的微⑽法’又，形成印刷佈線基板的導 體佈線後，採用銅被膜對應的化學蝕刻液以外的化學蝕刻 液，可通過下列步驟適當選擇。

其次，對採用半加成法製造本發明的印刷佈線基板之情況 加以說明。 所謂半加成法係指在樹脂膜金屬膜積層基板的金屬膜表 面，在想要形成佈線的場所使金屬膜附著，在確保作為佈線 的膜厚後，除去絕緣樹脂膜的表面之不需要的金屬膜，以製 造印刷佈線基板的方法。 詳細而言，在樹脂膜金屬膜積層基板的金屬膜表面，在不 希望形成佈線的場所形成抗蝕劑膜，在露出的金屬膜表面上 採用電鍵等形成銅料，以化學_處㈣在除去抗银劑而 098117258 23 201006337 露出的上述金屬膜除去，形成佈線，以製造印刷佈線基板。 在此所用的抗蝕劑只要可耐銅之鍍敷液即可，可以採用任 何公知的抗蝕劑。另外，關於不需要之金屬膜的除去，由於 表面為銅被膜層，故採用與利用銅對應的化學蝕刻液加以除 去之減去法同樣的方法進行。 另外，以上係利用採用可撓性絕緣樹脂膜的可撓性印刷佈 線基板說明本發明，當然，採用環氧樹脂或酚樹脂、Tef (註冊商標）等材料的剛性印刷佈線基板中，也可實施本發 明。 以下’利用實施例說明本發明。 絕緣樹脂膜A係採用膜厚38/zm的聚醯亞胺膜（東麗.

Dupont (股）製之製品名「Kapton 150EN」），依序積層金屬 層B、金屬層C、銅被膜層D，製成樹脂膜金屬膜積層基板。 對所得到的樹脂膜金屬膜積層基板評估初期剝離強度、耐熱 剝離強度、钱刻性、钱刻後的金屬殘渣量、絕緣可靠性。只 要對供作各特性的試料未作特別限定，則採用以下（a)、 (b)、（c)所述的試料。 (a)剝離強度測定 初期剝離強度係按照IPC —TM-650、NUMBER 2. 4. 9的測 定方法來進行。其測定條件為剝離的角度為9〇。。試料係用 如下的減去法形成：導線寬度為lmm ,於樹脂膜金屬膜積層 基板的銅被膜層D之表面上塗佈感光性抗蝕劑（東京應化 098117258 24 201006337 (股）製造，PMER P —RH30 PM)，進行曝光使形成寬lmm . 的圖案，用濃度0.3質量％的碳酸鈉水溶液顯影，於氣化鐵 溶液（比重40°波美（Baume)，溫度43°C )中浸漬2分鐘後 進行水洗、乾燥。抗蝕劑的剝離係採用濃度4質量％的氮氧 化鈉水溶液。 又，耐熱剝離強度係將與初期剝離強度同樣形狀的試料於 150 C保持168小時後取出，冷卻至室溫後，與初期剝離強 • 度同樣’以剝離的角度為90。來測定該剝離強度。 如初期剝離強度為600N/m以上、耐熱試驗後的剝離強度 (耐熱剝離強度）為400N/m以上，則判斷為良好。 (b) 蝕刻性及金屬殘渣量 蚀刻性的評估係將樹脂膜金屬膜積層基板切出3cmx 3cm ’於化學蝕刻液中浸潰2分鐘後進行水洗、乾燥。目測 確認絕緣樹脂膜上金屬層是否殘留，當有明顯殘留時，則判 ❹斷不可僅用上述化學蝕刻液進行佈線加工。另一方面，當難 以目測確認判斷及無法確認殘留時，為了測定蝕刻後的金屬 殘潰量，係將除去金屬層而使表面露出的絕緣樹脂膜A，採 用微波分解裝置’用硝酸5ml與過氧化氫1ml構成的溶液進 * 行溶解’對所得到的溶液中的金屬成分用ICP —MS (高頻感 應電漿發光分光/質量分析）進行定量分析，測定金屬殘渣 量（金屬層B及金屬層c的合計量）。 (c) 絕緣可靠性 098117258 25 201006337 絕緣可靠性的評估係依JPCA〜ET04標準進行。 測定試料係對樹脂膜金屬膜積層基板，將圖3所示的4〇 以m節距（線寬20/zm、間隔寬度20//m)的梳型佈線，與 剝離強度測定同樣用減去法形成。梳型佈線是係梳齒狀導體 之重疊長度（10)為20mm’梳齒狀導體前端與短路棒（处〇忖 bar)的間隙（11a、lib)為5mm。對佈線間施加電位差DC6〇v， 於溫度85°C、相對濕度85%放置1000小時，絕緣電阻值係 採用遷移試驗機（IMV杜製造，商品名：MIG—87)進行測 定。把電阻值達到106Ω以下的時點判斷為短路不良，經過 1000小時後才達到1〇6Ω以上，則判斷為合格。 (實施例1) 將厚38gm的聚醯亞胺膜（東麗.Dupont(股）製之製〇名 「Kaptonl50EN」）設置在濺鍍裝置上，真空排氣至 後’用紅外線加熱器加熱聚醯亞胺膜，把膜中的水分除去 後’真空排氣至lxl(T4Pa。接著，導入Ar氣，將裝置内壓 力保持在0· 3Pa’在聚醯亞胺膜的單面上用濺鍍法依序_成 膜厚10nm的Ni —7質量％Cr層、膜厚10nm的Ni〜18哲 賀量 %Cr-10質量％Mo層、膜厚〇. 1 // m的銅被膜層後，從丨賤 置中取出。接著，在銅被膜層上用電鍍法形成膜厚的 銅層，得到絕緣膜金屬膜積層體1。 由所得之樹脂膜金屬膜積層基板1製造剝離強度測定試 料及絕緣可靠性測定試料，供給各試驗。 098117258 26 201006337 初始制離強度為654N/m、耐熱剝離強度為576N/m，為良 好。又’絕緣可靠性試驗係對3個試料進行試驗’經過1〇〇〇 小時後均仍保持106〇以上的電阻，為良好。 #刻性的評估係將樹脂膜金屬膜積層基板1切出3cmx 乍為化學钱刻液係採用氣化鐵水溶液（比重40。波美， 孤度43C ) ’進行2分鐘蝕刻，用目測觀察絕緣樹脂膜上的 金屬層1全>容解。另外’絕緣樹賴的表層部上稍殘留的金 肇屬成刀係使用微波分解裝置，用硝酸5ml與過氧化氫imi 、’液進行溶解，將所得到的溶液中的金屬成分用1C? MS進订疋量分析，結果是少至〇.〇34/zg/cm2,為良好。 其結果整理於表丨。 (實施例2) 〇吏用金屬層請用膜厚3nm的Ni —7質量％Cr、金屬 ❿ + Μ厚Μη"1 ^ Nl —2G質量·形成金屬膜而得到的 屬膜積層基板2以外，與實施例i同樣製造試料， 進订各錢’其結果示於表卜 (實施例3) 厘η用金屬層請用膜厚5酿的Ni、金屬層c採用膜 厚 20nm 的 Ni、β _ 磁接質 形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬 ^ h外，與實施们同樣製造試料，騎各試驗， 其結果不於表1。 (實施例4) 098117258 27 201006337 除了使用金屬層B採用膜厚20nm的Ni — 7質量％的Cr、 金屬層C採用膜厚10nm的Ni —18質量％Cr-10質量％的Mo 形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板4以外，與實施 例1同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例5) 除了使用金屬層B採用膜厚15nm的Ni — 7質量％的Cr、 金屬層C採用膜厚5nm的Ni —18質量％Cr-10質量％Mo形成 金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板5以外，與實施例1 同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例6) 除了使用金屬層B採用膜厚5nm的Ni-14質量％Cr、金屬 層C採用膜厚20nm的Ni —20質量％0形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板6以外，與實施例1同樣製造試料， 進行各種試驗，其結果示於表1。 (實施例7) 除了使用金屬層B採用膜厚15nm的Ni — 7質量％Cr、金屬 層C採用膜厚25nm的Ni — 40質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板7以外，與實施例1同樣製造試料， 進行各試驗，其結果示於表1。 (實施例8) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —7質量如!·、金屬 層C採用膜厚5nm的Ni —70質量％(：1·形成金屬膜而得到的 098117258 28 201006337 樹脂膜金屬膜積層基板以外，與實施例1同樣製造試料，進 行各试驗’其結果示於表1。 (實施例9) 除了使用金屬層B採用膜厚i〇nm的Ni —5. 6質量队!*一 質量％Mo、金屬層C採用膜厚i〇nm的Ni —20質量％Cr形成 金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板9以外，與實施例1 同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 Φ (實施例10) 除了使用金屬層B採用膜厚l〇nm的Ni —13質量％V、金屬 層C採用膜厚10nm的Ni —2〇質量％(^形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板1〇以外，與實施例丨同樣製造試料， 進行各试驗’其結果示於表1。 (實施例11) 除了使用金屬層B採用膜厚l〇nm的Ni —7_ 5質量。/ji、金 •屬層C採用膜厚1〇咖的Ni_2〇質量％以形成金屬膜而得到 的樹脂膜金屬膜積層基板u以外，與實施例丨同樣製造試 料，進行各試驗，其結果示於表丨。 化 (實施例12) ' 除了對樹脂膜金屬膜積層基板1的蝕刻性進行評估的 .學蚀刻液係採用鹽酸酸性氯化銅水溶液（:農声 lmol/卜 CuCl2:比重 i 3、〇Rp: 58〇mV、溫度：4代）/ · 與實施例1同樣製料料，騎各試驗，餘㈣於^ ’ 098117258 29 201006337 (比較例1) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —18質量％Cr—10 質量％Mo、金屬層C採用膜厚10nm的Ni —7質量…!'形成而 得到的樹脂膜金屬膜積層基板13以外，與實施例1同樣製 造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (比較例2) 除了使用金屬層B採用膜厚20nm的Ni-18質量°/〇Cr—10 質量％Mo、不設置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂 膜金屬膜積層基板14以外，與實施例1同樣製造試料，進 行各試驗，其結果示於表1。 (比較例3) 除了使用金屬層B採用膜厚20nm的Ni — 20質量％(：1·、不 設置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜積層 基板15以外，與實施例1同樣製造試料，進行各試驗，其 結果示於表1。 (比較例4) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —7質量％Cr、不設 置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜積層基 板16以外，與實施例1同樣製造試料，進行各試驗，其結 果示於表1。 (比較例5) 除了使用金屬層B採用膜厚2nm的Ni —7質量％Cr、金屬 098117258 30 201006337 層C採用膜厚15nm的Ni — 20質量％Cr形成金屬膜而得到的 樹脂膜金屬膜積層基板17以外，與實施例1同樣製造試料， 進行各試驗，其結果示於表1。 (比較例6) 除了使用金屬層B採用膜厚10nm的Ni —7質量％0合金、 金屬層C採用膜厚3nm的Ni —18質量％Cr—10質量％Mo形成 金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜積層基板18以外，與實施例 Φ 1同樣製造試料，進行各試驗，其結果示於表1。 (參考例） 除了使用金屬層B採用膜厚5nm的Ni-7質量％Cr合金、 金屬層C採用膜厚lOOnm的Ni — 20質量％Cr形成金屬膜而 得到的樹脂膜金屬膜積層基板19以外，與實施例1同樣製 作試料，進行蝕刻性試驗，其結果示於表1。

098117258 31 201006337 e - ° 〔I<〕 8SZXH860 201006337 由表1明顯可知’實施例1〜12製造的本發明例1〜12 - 係絕緣樹脂膜A的表面積層鉻含量未滿15質量％的金屬層 . B，在金屬層B的表面，積層鉻含量15質量％以上的金屬層 C，在金屬層C的表面，積層銅被膜層的印刷佈線基板，具 有良好的剝離強度’蝕刻後的金屬殘渣也少，得到高的絕緣 可靠性。 另一方面，比較例1 ’金屬層B的鉻含量超過15質量％、 ^ 金屬層C的絡含量未滿15質量％。由於金屬層B的鉻含量超 過15質量％ ’蝕刻後目測可以觀察到金屬殘渣，可知無法碟 保絕緣可靠性。 ;比較例2中’由於僅鉻含量超過15質量％的金屬層B為基 底金屬層’與比較例1同樣地，蚀刻後目測可以觀察到金屬 殘渣’可知無法確保絕緣可靠性。而比較例3係與比較例2 ❹同樣地’僅金屬層B形成基底金屬層，目測觀察钱刻性，可 以觀察到聚醮亞胺膜的表面露出，測定金屬殘逢量時超過 0· 15/zg/cm2，可知無法確保絕緣可靠性。 比較例4中，金屬層B的鉻含量為7質量％，蝕刻性及金 屬殘渣量良好，但由於基底金屬層僅由金屬層B構成，可知 無法確保絕緣可靠性。 比較例5中’金屬層B及金屬層C的鉻含量處於本發明的 申請專利範圍内’但由於金屬層B的膜厚為2nm，即使可滿 098117258 33 201006337 足目測的娜，但金屬殘渣量為〇15—，可 確保絕緣可靠性，而比較例，金屬層B及金屬層c的欲 含量處於本發明的中請專利範圍内，但金屬層^的 3nra，可知無法確保絕緣可靠性。 、馬 中’金騎B及金屬層含量處於本發明 相專利範園内，僅金屬層C的厚度達到⑽⑽，比—般的厚 很多，但目測賴刻性良好，金屬殘潰量也少至〇〇 g/cm2 ’是良好的。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之印刷佈線基板中所使用的樹脂膜金屬膜 積層體的斷面圖。 圖2為表示錄-路合金的鉻量與_殘潰量的關係之圖。 圖3為絕緣可罪性評估中使用的梳齒狀佈線之概略圖。 【主要元件符號說明】

^ 絕緣樹脂膜 ; 金屬層 : 金屬層 銅被膜層 短路棒（short bar) 樹脂膜金屬膜積層基板 梳齒狀導體 098117258 34 201006337 10 梳齒狀導體之重疊長度 10a、10b 梳型佈線 11a、lib 間隙

098117258 35

Claims (1)

1. 201006337 七、申請專利範圍： 1. 一種印刷佈線基板，侧由化學㈣處理，選擇性地除 去不介隔接著劑而將金屬_層在絕緣樹賴a的至少一 個表面上所成的樹賴金制積層基板之 需要部分，而形成導體佈線者，其特徵在於，構成上述= 佈線的金屬膜包括： 在上述絕緣樹脂膜A的表面上積層的金屬層b，該金屬層

   B由錁或者含70質量％以上的鎳和未滿15質量％的絡之錦_ 鉻合金構成； ' 在上述金屬層B的表面積層的金屬層C，該金屬層c包含 含鎳、含鉻15質量％以上的合金；以及 層^上述金屬層c的表面積層之膜厚應m〜35_的銅被膜 僅使用蘭上述鋼被膜層〇的化學餘刻液以選擇性地除 去上述金屬膜的不需要部分。 2·如申請專利範圍第i項之印刷佈線基板其中，對包含 依序積層有上述金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的上述金 屬膜之導體佈線’制氣化鐵水料錢酸雜氣化銅水溶 液進行化予侧處理後，在上述絕緣樹脂膜A上殘留的金屬 的殘潰量，於上述絕緣樹賴A的每單位面_為〇. ^ g/cm2以下。 3.如申請專利範㈣1項之印刷佈線基板，其中，上述金 098117258 36 201006337 屬層B含有釩13質量%以下、鈦 以下，而餘量為錄或者含7〇質量°銦20質量％ 的鉻之錄-鉻合金與！質量％以下^上的鎳和未滿15質量％ 厚為3〜施m。#量…的不可避免雜質構成，其膜 4.如申請專利第2項之㈣_基板，其中，上述金 屬層B含有叙13質量％以下、欽 0質置：％以下、銷20質量％ 以下，而餘量為鎳或者含70質量 參 的鉻之錄-鉻合金與】質她下/的錄和未滿15質量% 厚為一質她下的不可避免雜質構成，其膜 3.如T堉寻利範園第i ^ 仕一項之印刷佈線基板， 八中，上述金屬層c係含鉻15 f量％以上、鎳質 量％ ’ 1質量％以下的不可避免雜質所構成之合金，或者含絡 15質量％以上、鎳Ο.ον^質量％、鉬〇 〇1〜切質量％ ] 質量％以下的不可避免雜質所構成之合金， 應 序&〜37nm ’ 響或膜厚5111"以上且與金屬層B合計在4〇nm以下。 6.如申請專利翻第丨至4項中任—項之印刷佈線基板， 其中，上述化學蝕刻液不含錳及氰化物。 7.如申請專利第丨至4項中卜項之印刷佈線基板， 其中’上述化學蝕刻液為氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水 溶液。 8·如申請專利範圍第1或2項之印刷佈線基板，其令，上 述絕緣樹脂膜A係選自聚醯亞胺系膜、聚醯胺系祺、聚妒系 098117258 37 201006337 膜、聚四氟乙烯系臈、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二酯系 膜、液晶聚合物域之至少1種以上的樹脂膜。 、 9. 一種印刷佈線基板之製造方法，係藉由化學蝕刻，選擇 性地除去不介隔接著劑而將金屬膜積層在絕緣樹脂膜A的 至少-個表Φ上所成的_膜金屬崎層基板之上述金屬 膜的不需要部分，而形成導體佈線者，其特徵在於， 上述樹脂膜金屬臈積層基板係以下述方式形成：在上述絕 緣樹脂膜A的表面上，採用乾式雜法形成鎳或以鎳作為主參 成分的金屬層B，然後，在上述金屬層B的表面，採用乾式 鑛敷法形成以含15質量％以上的鉻及鎳而成的合金、或含 15質量％以上的鉻、錦及銦而成的合金所構成的金屬層c 後，在上述金屬層C的表面形成由膜厚施瓜〜的銅被 層積層而成之金屬膜，將上述金屬膜採用丄種飾刻液進 行選擇性地除去，形成導體佈線。 U利㈣第9項之印刷佈線基板之製造方法， 其中’上述化學_液不含鐘及氰化物。 溶液 其1中範圍第9項之印刷佈線基板之製造方法， =，上述化予姓刻液為氣化鐵水溶液或鹽酸酸性氣化銅水 其^•如巾請專職圍第9項之印刷佈線基板之激造方法， Γ2Γ被臈層D係於以乾式錢敷法形成_層表面 上，採用電鑛法而形成銅層。 098117258 38 201006337 13.如申請專利範圍第9或12項之印刷佈線基板之製造方 法，其中，上述乾式鍍敷法為真空蒸鍍法、濺鍍法或離子鍍 法之任一種。

   098117258 39