TW200919577A

TW200919577A - Etching processes used in MEMS production

Info

Publication number: TW200919577A
Application number: TW097135280A
Authority: TW
Inventors: xiao-ming Yan; Chok Ho; David Heald; Evgeni Gousev; Benjamin W Hertzler; Philip Floyd; Teruo Sasagawa; Ana Londergan; Ion Bita; Todd Zion
Original assignee: Qualcomm Mems Technologies Inc
Priority date: 2007-09-14
Filing date: 2008-09-12
Publication date: 2009-05-01
Also published as: US8308962B2; WO2009036215A8; KR20100061731A; CN101802985A; US20090071932A1; WO2009036215A2; US20090074646A1; JP2011501874A; US20090071933A1; WO2009036215A3; US8323516B2; US20090101623A1

Description

200919577 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於小型機電器件，諸如微機電系統（mems) 或奈機電（nanoelectromechanical)系統（NEMS)器件。【先前技術】 MEMS包括微機械元件、致動器及電子器件。儘管在本說明書中為便利起見而使用術語"MEMS"，但應理解，該術語意欲涵蓋更小型之器件，諸如NEMS。可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或沈積材料層之部分或添加層以形成電氣及機電器件的其他微切削製程來產生微機械元件。一種類型之MEMS器件被稱作干涉調變器。如本文中所使用，術語，，干涉調變器"或"干涉光調變器"指代使用光干涉之原理選擇性地吸收及/或反射光之器件。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，可整體或部分地具有透明及/或反射性，適當電信號時相對運動。在一特定實施你，其中一者或兩者

產生尚未開發之新產品在此項技術中【發明内容】在一態樣中，提供一調變器上的光之光干且利用及/或修改此用以改良現有產品及將為有益的。種製造電子器件之方法該方法包 134464.doc 200919577 待蝕刻層的電子器件，該電子器一蝕刻腔室内；使犧牲 ° ^於 :‘:性氣體氣化物；收集來自該㈣腔室之氣體二: 及處理所收集到之氣體以將該惰性氣體氟化物收集到之氣體分離。〇 n 在另-態樣中，提供一種製造電子器件之方法，該方法包3 .提供一包含一待蝕刻層之電子器件該電子器件位於姓刻腔室内；使犧牲層曝露於一姓刻劑，該㈣劑包含-惰性氣體I化物；收集來自該飯刻腔室之氣體的至少口 p刀’及處理所收集到之氣體以分離—惰性氣體。在另態樣中，提供一種用於製造電子器件之蝕刻器件”亥姓刻器件包含：一钱刻腔室，其用於固持一包含— 待蝕刻層之電子器件；-儲存腔室’其可操作地附著至該蝕刻腔至，其中該儲存腔室經組態以儲存一蝕刻劑，且其中該蝕刻劑包含-惰性氣體氟化物；-分離組件，其可操作地附著至該蝕刻腔室，其中該分離組件經組態以隔離含惰性氣體之處理氣體。在另一態樣中，提供一種製造電子器件之方法，該方法包含·提供一包含一電子器件之處理腔室，該電子器件包含一待姓刻層；將一蝕刻劑引入至一膨脹腔室中，該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；減小該膨脹腔室之體積以增加該钮刻劑之展力；及將該加壓蝕刻劑引入至該處理腔室中’使犧牲層曝露於該蝕刻劑。在另一態樣中，提供一種製造電子器件之方法，該方法 134464.doc 200919577 包含：提供一含有一電子器件之處理腔室，該電子器件包含一待蝕刻層；將一蝕刻劑引入至該處理腔室中，該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；及在引入該蝕刻劑後減小該處理腔室之體積以增加該餘刻劑之分歷。在另一實施例中，提供一種用於製造電子器件之蝕刻器件，該姓刻器件包含：一儲存腔室，其經組態以儲存一蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；及一處理腔室，其經組態以收納一待蝕刻之電子器件，其中該處理腔室與該儲存腔室流體連通，且其中該處理腔室具有—可變體積。在另一實施例中’提供一種用於製造電子器件之蝕刻器件’該钱刻器件包含：一儲存腔室，其經組態以儲存一蝕刻劑’其中該姓刻劑包含一惰性氣體氟化物；一膨脹腔室，其與該儲存腔室流體連通，該膨脹腔室具有一可變體積；及一處理腔室，其經組態以收納一待蝕刻之電子器件，其中該處理腔室與該膨脹腔室流體連通。在另一實施例中，提供一種製造電子器件之方法，該方法包含：提供一含有一電子器件之處理腔室，該電子器件包含一待蝕刻層；將一蝕刻劑引入至該處理腔室中，該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；監控該處理腔室中該蝕刻劑之分壓，及至少部分基於該處理腔室中該蝕刻劑的所監控之分壓將額外蝕刻劑引入至該處理腔室中。在另一實施例中，提供一種用於製造電子器件之蝕刻器件，該蝕刻益件包含：一儲存腔室，其經組態以儲存一蝕 134464.doc 200919577 」劑#中該蝕刻劑包含—惰性氣體氟化物；一蝕刻腔二：用於在蝕刻製程期間固持-電子器件，*中該蝕刻 =與該儲存腔室流體連通；—第—感測器，其經組態以疋：蝕刻腔室内該蝕刻劑之分壓；&一閥’其沿著該儲子腔室與該蝕刻腔室之間的一流體路徑而安置且可操作地連接至該H則器，該閥經組態以至少部分基於該儲存

腔室内該蝕刻劑的所判定之分壓來控制蝕刻劑在該儲存腔室與該蝕刻腔室之間的流動速率。。二樣中，k供一種製造一包含一犧牲材料之電子器件的方法’丨中該方法包含：提供-包含-犧牲材料之電子》。件°亥犧牲材料包含具通式MpXq之化合物，其中M 係選自Mo、w、Si及Ge ; χ係選自c卜F、〇、^si，其中M不同於x ’其中p及q係在1至6之範圍巾，且其中一特定厘之—莫耳體積的MPXq大於一莫耳體積之M;及使該電子器件曝露於一姓刻劑。在另一態樣中，提供一種經部分製造之電子器件，其包含一犧牲材料，該犧牲材料包含具通式MpXq之化合物，其中Μ係選自Mo ' W、Si及Ge ; X係選自Cl、F、〇、N及

Si’其中Μ不同於X’其中p及q係在1至6之範圍中，且其中一特定Μ之一莫耳體積的MpXq大於一莫耳體積之M。在另一態樣中，提供一種用於製造MEMS器件之蝕刻器件，該蝕刻器件包含：一儲存系統，其經組態以儲存一蝕刻劑’其中該蝕刻劑包含XeF2及〇2 ; 一蝕刻腔室，其經組態以在蝕刻製程期間固持MEMS器件，其中該蝕刻腔室與 134464.doc -9- 200919577 該儲存系統流體連通；及一冷阱（cold trap)，其與該蝕亥, 腔至流體連通，其中該冷阱經組態以移除該蝕刻製程之= 產物。田在另一態樣中，提供一種製造電子器件之方法，該方法包含：在一蝕刻腔室内提供一未釋放之電子器件，其/中該未釋放之電子器件包含一犧牲層及鄰近於該犧牲層之—第一側之一或多個光透射層；經由該犧牲層之一部分執行一初始蝕刻；將一氣態蝕刻劑前驅物釋放至該蝕刻腔室中；及用物理方式激勵該氣態蝕刻劑前驅物以便形成能夠蝕刻該犧牲層之剩餘部分的化學活性物質。在另一態樣中，提供一種製造電子器件之方法，該方法包含：在一處理腔室内提供一經部分製造之電子器件，該經部分製造之電子器件包含—⑭刻層之曝露部分；將一x 氣態钮刻劑引入至該處理腔室中，其中該蚀刻劑可藉由曝露於紫外線辕射而活化；及將該待餘刻層之一部分曝露於 =i外線雷射之輻射，其中曝露於該紫外線雷射使該氣態钮刻劑活化。 :另-態樣中，提供一種製造電子器件之方法，該方法 ::丄在-處理腔室内提供一電子器件，《中該電子器件 =a待蝕刻層，提供一氣態前驅物混合物，其中該氣態引驅物此α物包含氟及-惰性氣體；使該氣態前驅物混合物，路於υ卜線_射以形成—惰性氣體&化物；及使該電子為件曝露於該惰性氣體氟化物。在另&樣中’提供—種製造電子器件之方法，該方法 134464.doc 200919577 包含.在一處理腔室内提供一電子器件，其中該電子器件包δ —待触刻層；將一蚀刻劑釋放至該處理腔室中，其中該餘刻劑包含-惰性氣體氟’該姓刻劑與該待姓刻層反應以开^/成元素隋性氣體作為副產物；將氟釋放至該處理腔室中；及使氟及該元素惰性氣體曝露於紫外線輻射以產生額外惰性氣體氟。【實施方式】 Γ'

以下實施方式係針對本發明之某些特定實施例。然而，本發明可以許多不同方式具體化。在此描述中，參看圖式其中始終以相似數字來表示相似部分。如將自以下描述顯而易£，該等實施例可實施於經組態以顯示一影像之任何器件中，無論是運動(例如，視訊)還是靜止影像(例如，靜態影像），且無論是文字還是圖像。更特定言之，預期該等實施例可實施於多種電子器件中或與其相關聯， :亥專電子器件諸如(但不限於)行動電話、無線器件、個人資料助理(PDA)、手持式或攜帶型電腦、Gps接收器，導航器、相機、MP3播放、谨渔撕丨』甘器攜帶型攝像機、遊戲控制台、腕錶、時鐘、計算器、電視監控 w A ^ _ 益+板顯不器、電腦監控态、自動顯不器（例如，里程 m τ..、、負不盗荨）、駕駛艙控制器及/或，.肩不窃、相機視野顯示斋（例如，車輛中之後視相機扳或標誌、投影儀、建筚 …構、封裝及美學結構（例如，— ’、 Α ,, 件珠寶之景夕像顯示器）〇與本文中所描述之MEMS H #处# $ η牛、、α構類似的MEMS器件亦可用於非顯示器應用+，諸如器件亦可電子開關器件中。 134464.doc 200919577 MEMS器件或其他電子器件之製造犧牲層）之蝕刻。由於所栋田左匕括對—層（諸如，故敍刻製程之效率的增加可藉的，造過程之成本。在—實施例中，可將=刻劑來減少製環=;程中，且可移_製程之其他== -實施例中，可將飯刻劑之組份(諸在另且將其用於產生額外物。在:與副產物分離劑及犧牲層中t h 隹具他實施例中’可對蝕刻谢及犧牲層巾之—者或兩麵行改質㈣率，或使得使用較不昂貴之姓刻劑成為可能。製程之效干月：包含干涉MEMS顯示元件之干涉調變器顯此等器件中，像素處在亮狀態或暗狀離在冗（開啟”或"打開"）狀態下，顯示元件將 :之：部分：射給使用者。當在暗(”斷開㈣而/ 70件將極少入射可見光反射給使用者。視實施例而疋’.開啟·'與”斷開"狀離夕出e t

^ 1 K先反射性質可顛倒。MEMS 象^經組態以主要反射選定色彩，從而允許除黑及白外之色彩顯不。二為描綠—視覺顯示器之一系列像素中之兩個鄰近像 …角視圖，其中每-像素包含__mems干涉調變器。在-些實施例中’一干涉調變器顯示器包含此等干涉調變 ^一列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反射層，兩者經定位以使彼此相距一可變且可控距離，以形成一具有至夕可變尺寸之諸振光學間隙。在一實施例中，反射層中之—者可於兩個位置之間移動。在第一位置（本文中稱 134464.doc -12- 200919577 作鬆弛位置）中’可移動反射層位於距一固定之部分反射層相對較大距離處。在第二位置（本文中稱作致動位置）中’可移動反射層位於更緊密地鄰近於該部分反射層處。視可移動反射層之位置而定’自該兩個層反射之入射光相長或相消地干擾，從而為每一像素產生一總體反射或非反射狀態。圖1中之像素陣列之所描繪部分包括兩個鄰近干涉調變器12a及12b。在左邊之干涉調變器12a中，可移動反射層 14a說明為處於距光學堆疊16a一預定距離之鬆弛位置處，該光學堆疊16a包括一部分反射層。在右邊之干涉調變器 12b中’可移動反射層i4b說明為處於鄰近於光學堆疊i6b 之致動位置處。如本文中所提及之光學堆疊16a及16b(總稱為光學堆疊 16)通*包含若干融合層，該等融合層可包括一諸如氧化銦錫（ITO)之電極層、一諸如鉻之部分反射層及一透明介電質。光學堆疊16由此為導電、部分透明及部分反射的，且可（例如）藉由將上述層中之一或多者沈積於透明基板2〇上而得以製造。該部分反射層可由部分反射之多種材料 (諸如，各種金屬、半導體及介電質）形成。部分反射層可由一或多個材料層形成，且該等層中之每一者可由單一材料或材料組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16之層經圖案化為平行條帶，且可如下文進一步所描述形成顯示器件中之列電極。可移動反射層14a、14b可形成為沈積於柱18之頂部之所沈 134464.doc -13- 200919577 入犧層（與列電極16a、16b正交）及沈積於柱狀間的介 #料之—系列平行條帶。當該犧牲材料被蚀刻掉 :’可移動反射層14a、14b與光學堆疊16”⑽相隔一界疋間隙19。高導_雷芬θ u u , 门導電及反射之材料（諸如，鋁）可用於反射層 4，且此等條帶可形成顯示器件中之行電極。由圖1中之像素12a所說明，在無所施加電壓之情況 T ’間隙19保持於可移動反射層！4a與光學堆疊16a之間，可移動反射層l4a處在機械鬆弛狀態。然而，當將電位差 ώ力至所選列及行時，形成於相應像素處之列電極與行電極之交點處的電容器變成帶電的，且靜電力將該等電極牽引在一起。若電壓足夠高，則可移動反射層14變形且壓抵光學堆疊16。如由圖1中右邊之像素所說明，光學堆疊16内之介電層（此圖中未說明）可防止層14與16之間的短路且控制層14與16之間的間隔距離。不管所施加電位差之極性，行為係相同的。以此方式’可控制反射對非反射像素狀態之列/行致動在許多方面相似於習知LCD及其他顯示器技術中使用之致動。圖2至圖5B說明一用於在顯示器應用中使用一干涉調變器陣列之例示性製程及系統。圖2為說明可併有本發明之態樣的電子器件之一實施例的系統方塊圖。在例示性實施例中，該電子器件包括一處理器21 ’其可為任何通用單晶片或多晶片微處理器，諸如，ARM、pentium®、Pentium II®、Pentium III®、 Pentium IV®、pentium® Pro、8051、MIPS®、Power PC®、 134464. doc • 14· 200919577 ALPHA® ’或任何專用微處理 a 器、微控制器或可程式化陸_，纟信號處理處理器2!可經㈣以執> :陣列。如此項技術所習知，，.且也以執仃—或多個軟體模組。除執行作系統外，處理器可經纟且能 _ 丄組態以執行—或多個軟體應用程式，包括網頁劉覽器、電話摩用他軟體應m w以、電子料程式或任何其在一實施例中，處理器21亦經組態以與-陣列驅動器22 通在-實施例中，陣列驅動器22包括將信號提供至顯不益陣列或面板30的一列駆動器電路24及一行驅動器電路 26。圖1中所說明之陳列的措_ 凡月 <丨早歹J的柷截面由圖2中之線展示。對於MEMS干㈣變^言，崎致動協定可利用圖3中所說明之此等器件的磁滯性質。可能需要(例如”0伏電位差使可移動層自鬆弛狀態變形至致動狀態。然而，當電壓自彼值減小時，隨著電壓降回1〇伏以下，可移動層:持其狀態。在圖3之例示性實施例中，直至電壓降至2伏以下可移動層才會完全鬆他。因此，在圖3中所說明之實例中存在-約3 V至7 〃之所施加電壓窗，器件在該窗内穩定地處於鬆弛或致動狀態。本文將此窗稱為”磁滯窗”或"穩定窗％對於一具有圖3之磁滯特性的顯示器陣列而言，可對列/行致動協定進行設計以使得在列選通期間，所選通之列中之待致動像素曝露於約職之電壓差，且待鬆他像素曝露於接近0伏之電壓差。在選通後，像素曝露於約5伏之穩定狀態電壓差，使得其保持於列選通將其置於之狀態下。在經寫入後，每一像素察覺到”穩定窗"内之在此實例中為3伏 134464.doc 200919577 此特徵使圖1中所說明之像素設計在相同至7伏的電位差所鉍加電壓條件下穩定地處於預先存在之致動或鬆弛狀態。由於干涉調變器之每一像素無論處於致動狀態還是鬆弛狀態基本上皆為一由固定及移動反射層形成之電容器，故此穩疋狀悲可保持於一在磁滯窗内之電壓下而幾乎無功率耗散。若所施加電位固定，則基本上無電流流進該像素。

在典型應时，可藉由根據第—列中之某組所要致動像素斷定某組行電極來建立—顯示圖框。接著將列脈衝施加至列1電極，從而致動對應於所斷定之行線之像素。接著該組所斷定之行電極改變以對應於第二列中之該組所要致動像素。接著將一脈衝施加至列2電極，從而根據所斷定之行電極致動列2中之適當像素。列i像素不受列2脈衝影響，且保持於其在列1脈衝期間被設定之狀態下。對於整個列系列，可以順序型式重複此過程以產生圖框。大體而言’藉由以每秒某所要數目之圖框不斷重複此過程，用新的顯示資料再新及/或更新圖框。亦熟知用於驅動像素陣列之列及行電極以產生顯示圖框之廣泛多種協定，且其可與本發明結合使用。圖4、圖5A及圖5B說明一用於在圖2之3x3陣列上建立顯示圖框之可能致動協定。圖4說明可用於像素之展現圖3之磁滯曲線的一組可能之行及列電壓位準。在圖4之實施例中，致動像素涉及將適當行設定為_Vbias，及將適當列設定為+ΔΥ，其可分別對應於_5伏及+5伏。藉由將適當行設 I34464.doc 200919577

定為+Vbias及將適當列設定為相同+av從而在像素上產生〇伏之電位差來實現使像素鬆弛之目的。在列電壓保持於〇伏之彼等列中’像素穩定地處於其原始狀態，而不管行是處於+Vbias還是_vbias。亦如圖4中所說明，應瞭解’可使用與上述電壓之極性相反之電壓，例如，致動一像素可涉及將適當行設定為+Vbias及將適當列設定為_Δν。在此實施例中，藉由將適當行設定為_Vbias及將適當列設定為相同_Δν 從而在像素上產生〇伏之電位差來實現釋放像素之目的。圖5Β為展示一系列施加至圖2之3 χ3陣列之列及行信號的時序圖，其將導致圖5Α中所說明之顯示配置（其中致動像素為非反射性的）。在寫入圖5 Α中所說明之圖框之前，像素可處於任何狀態，且在此實例中，所有列處於〇伏且所有打處於+5伏。在此等所施加電壓的情況下，所有像素穩定地處於其現有致動或鬆弛狀態。在圖 5A圖框中，像素（U)、（1，2)、（2,2)、（3,2)及（3,3) 經致動。為實現此目的，在列丨之”線時間"期間，將行丨及行2設定為·5伏，且將行3設定為+5伏。此並不改變任何像素之狀態，因為所有像素皆保持在3伏_7伏穩定窗中。接者用自0伏升至5伏且返回至。伏之脈衝來選通列卜此致動 (1，1)及（1，2)像素並鬆他（1，3)像素。陣列中之其他像素不受衫響。為了按需要設定列2，將行2設定為_5伏且將行丄及行3設定為+5伏。接著’施加至狀相同選通將致 ⑽且鬆弛像素⑽及（2,3)。又，陣列中之其他像素不受影響。藉由將行2及行3設定為_5伏且將行丨設^為^伏而 134464.doc 200919577 類似地設定列3。列3 #诵知m < Λ & J 、逋如圖5八中所示般設定列3像素。在寫入該圖框之後’列電位為〇,且行電位可保持於+5伏或-5伏，且顯示器接著穩定地處於圖从之配置中。應瞭解，可為幾十或幾百列及行之陣列使用相同程序。亦應瞭解’在上文概述之-般性原理内，用以執行列及行致動之電壓的時序、順序及位準可大幅度地變化且以上實例僅為例示性的，且任何致動電壓方法可與本文中所描述之系統及方法一起使用。 ' 圖6A及請為說明顯示器件4()之_實施例的系統方塊圖。顯示器件40可為（例如）蜂巢式電話或行動電話。然而，顯示器件40之相同組件或其輕微變化亦說明各種類型之顯示器件，諸如，電視及攜帶型媒體播放器。顯示器件40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器 M、輸入||件48及麥克風4卜外殼41大體係由熟習此項技術者所熟知之多種製造過程（包括射出成形及真空成形）中之任一者來形成。另外，外殼41可由多種材料中之任一者製成，包括（但不限於）塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶究或其組合。在一實施例中，外殼41包括可與不同色彩或含有不同標識、圖片或符號之其他可移除部分互換的可移除部分（未圖示）。 ' 例示性顯示器件4 〇之顯示器3 〇可為多種顯示器中之任一者，包括如本文中所描述之雙穩態顯示器。在其他實施例中，顯不器30包括如上所述之平板顯示器（諸如，電漿、肛、〇LED、STNLCD或TFTLCD)或熟習此項技術者所熟 134464.doc •18- 200919577 知之非平板顯示器（諸如，CRT或其他管器件）。然而，為達成描述本實施例之㈣，如本文所描述，顯示器3〇包括一干涉調變器顯示器。例示性顯示器件40之一實施例的組件示意性地說明於圖 6B中。所說明之例示性顯示器件4〇包括一外殼4丨，且可包括至少部分地封閉於其中之額外組件。舉例而言，在一實施例中，例示性顯示器件4〇包括一包括一天線43之網路介面27，天線43耦接至收發器47。收發器47連接至處理器 21，處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節信號（例如，對信號進行濾波）。調節硬體52連接至揚聲器45及麥克風46。處理器21亦連接至輸入器件48及驅動器控制器29。驅動器控制器29耦接至圖框緩衝器28且耦接至陣列驅動器22，陣列驅動器22又耦接至顯示器陣列3〇。如由特定例示性顯示器件40設計所要求，電源5〇將功率提供至所有組件。網路介面27包括天線43及收發器47，使得例示性顯示器件40可經由一網路與一或多個器件通信。在一實施例中，網路介面27亦可具有減輕對處理器2 1之要求的一些處理性能。天線43為熟習此項技術者所知之用於傳輸及接收信號的任何天線。在一實施例中’該天線根據IEEe 802.11標準 (包括 IEEE 802.11(a)、802.11(b)或 802.11(g))來傳輸及接收 RF信號。在另一實施例中’該天線根據BLUET〇〇TH標準來傳輸及接收RF信號。在蜂巢式電話之情況下，天線經設計以接收CDMA、GSM、AMPS，或用以在無線手機網路 134464.doc •19- 200919577 内通的其他已知信號。收發器47預處理自天線43接收到之u ’使知其可由處理器21接收並由處理器21進行進一步操縱。收發器47亦處理自處理器21接收到之信號，使得其可經由天線43自例示性顯示器件4〇傳輸。在一替代實施例中，收發器47可由一接收器替換。在又一替代實施例中’網路介面27可由影像源替換，該影像源可儲存或產生待發送至處理器21之影像資料。舉例而言，該^/像源可為含有影像資料之數位視訊光碟（dvd)或硬碟驅動器，或產生影像資料之軟體模組。處理盗21大體控制例示性顯示器件4〇之總體操作。處理器21自網路介面27或影像源接收資料（諸如，壓縮影像資料），且將該資料處理成原始影像資料或處理成易於處理成原始影像資料之格式。處理器21接著將經處理之資料發送至驅動器控制器29或至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常指代識別一影像内每一位置處之影像特性的資訊。舉例而言，此等影像特性可包括色彩、飽和度及灰度階 (gray-scale level)。在實施例中，處理益21包括控制例示性顯示器件40之操作的微控制器、CPU或邏輯單元。調節硬體52大用於將信號傳輸至揚聲器45及詩自麥克風46接收信號之放大器及濾波器。調節硬體52可為例示性顯示器件4〇内之離散組件，或可併入於處理器21或其他組件内。驅動器控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝器“獲取由處理器21產生之原始影像資料，且適當地重新格式化該 134464.doc -20- 200919577 原始影像資料以供高速傳輸至陣列驅動器22。特定地，驅動器控制器29將原始影像資料重新格式化為具有类員光桃格式之資料流，使得其具有適於越過顯示器陣列30掃描之時間次序。接著，驅動器控制器29將經格式化之資訊發送至 =列驅動器22。儘管驅動器控制器29(諸如，咖控^器）常常作為獨立積體電路(IC)與系統處理器21相關聯，但此等控制器可以許多方式來實施。其可作為硬體嵌入於處理器21中、作為軟體嵌入於處理器21中，或以硬體方式列驅動器22完全整合。 z、早一 L㊉p車列驅動器22自驅動器控制器”接收經格式化之資訊:並將視訊資料重新格式化為一組平行之波形，波形母秒數次地施加至來自顯示器之x_y像素矩且有時數千個引線。早之數百器二中’驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示於本文中所描述的類型之者。舉例而+ + _ 1窃T之任〜一 ~ Q，在一實施例中，驅動器控制器29為習知％不裔控制器戎雔^自知顯或雙穩怨顯示器控制器(例如，制态)。在另一眚士文盗控雙穩態㈣器22為習知驅動器或施例中=器(例如，干涉調變器顯示器)。在-實動器控制器29與陣列驅動器22整在-整合系統(諸如，蜂巢式電話 '腕錶 ,例示器）中為普通的。在又眘他小面積顯典型顯示哭陆實施例中，顯示器陣列30為〜 °列或一雙穩態顯示器陣列（例如，一 & & 干涉調變器陣列之顯示器）。包括〜 134464.doc -21 - 200919577

輸入器件48允許使用者控制例示性 d。注顯不器件40之操作。在一實施例中’輸入器件48包括小鍅輝板（諸如，QWERTY 鍵盤或電話小鍵板)、㈣，、觸碰敏感螢幕，或壓力或熱敏感膜。在-實施例中，麥克風46為用於例示性顯示器件40之輸人器件。當使用麥克風_請輸入至琴件時，可由使用者提供用於控制例示性顯示器件4〇之操作的語音命令。

電源50可包括此項技術中熟知之多種能量儲存器件。舉例而言，在-實施例中，電源50為可再充電電池，諸如錄錢電池或μ離子電池。在另-實施例中，電源5G為可再生能源、電容器，或包括塑膠太陽能電池及太陽能電池漆之太陽能電池。在另-實施例中，電源5G經組態以自壁上電源插座接收電力。在一些實施例中，如上所述，控制可程式化性駐留於可位於電子顯示系統中之若干處的驅動器控制器中。在一些實施例中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22中。熟習此項技術者將認識到，上述最佳化可以任何數目之硬體及/ 或軟體組件及以各種組態來實施。根據上文闡述之原理而操作之干涉調變器之結構細節可大幅度地變化。舉例而言，圖7A至圖”說明可移動反射層14及其支撐結構之五個不同實施例。圖7A為圖丨之實施例之彳κ截面，其中一金屬材料條帶丨4沈積於正交延伸之支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14於繫栓32上僅轉角處附著至支撐件。在圖7C中，可移動反射層14自可變形層 134464.doc -22- 200919577 34懸置，可變形層34可包含可撓性金屬。可變形層％直接或間接地連接至在可變形層34之周邊周圍的基板2(^此等連接在本文_被稱作支撐柱。圖7D中所說明之實施例具有支標柱插塞42 ’可變形層34擱置於該等支撐柱插塞42上。如在圖7A至圖7C中，可移動反射層14保持懸置於間隙上方，但可變形層34不藉由填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔來形成該等支撐柱。而是，該等支撐柱係由平坦化材料形成，該平坦化材料用於形成支撐柱插塞42。圖窈中所說明之實施例係基於圖7D中所示之實施例，但亦可經調適以與圖7A至圖7C中所說明的實施例以及未圖示之額外實施例中之任一者一起工作。在圖7E中所示之實施例中，已使用一額外金屬或其他導電材料層來形成一匯流排結構 44。此允許尨號沿著干涉調變器之背面選路，從而消除可能另外必須形成於基板20上之多個電極。在諸如圖7中所示之實施例的實施例中，干涉調變器充當直視器件，其令自透明基板20之前側檢視影像該側與上面配置有調變器之側相對。在此等實施例中，反射層14 光學地遮蔽干涉調變器之在反射層之與基板2〇相對之侧上的部分，包括可變形層34。此允許經遮蔽之區域在不負面地影響影像品質之情況下經組態及操作。此遮蔽允許圖托中之匯流排結構44 ’該結構提供將調變器之光學性質與調變器之機電性質（諸如，定址及由彼定址所引起的移動）分開的能力。此可分開之調變器架構允許選擇用於調變器之機電態樣及光學態樣之結構設計及材料且允許其彼此獨立 134464.doc •23· 200919577 地起作用。此外，圖7C至圖7E中所示之實施例具有得自反射層14之光學性質與其機械性質去偶的額外益處，該去偶由可變形層34進行。此允許相對於光學性質來最佳化用於反射層14之結構設計及材料，且相對於所要機械性質來最佳化用於可變形層34之結構設計及材料。圖8為說明干涉調變器之例示性製造過程8〇〇之一實施例的流程圖，且圖9A至圖9E示意性地說明在此製造過程之一實施例中的相應階段。此等步驟可連同圖16中未展示之其他步驟一起存在於用於製造（例如）圖1及圖7中所說明之通用類型的干涉調變器之製程中。參看圖1、圖7及圖8, 製程800開始於步驟8()5處，在基板2()上方形成光學堆疊 16圖9A說明形成於基板2〇上方之此光學堆疊μ。基板π 可為透明基板（諸如，玻璃或塑膠）且可已經受預先製備步驟（例如，清潔）以促進光學堆疊16之有效形成。如上所論 =，在一些實施例中，光學堆疊16為導電、部分透明及部分反射的’且可（例如）藉由將該等層+之一或多者沈積於透月基板20上而得以製造。詳言之，可見圖9A之光學堆疊包含一包含子層60a、60b及60C之多層結構，但在其他實把例中可包括更多或更少之子層。在—些實施例中’該等子層中之一者包含一針對其光學性質而選擇的部分反射層或吸收層’且另一子層包含—針對其導電性質而選擇的層在其他實施例中，可使用一具有合適光學及電氣性質之單-子層。在一些實施例中’肖等子層中之一或多者經圖案化成平行條帶，且可形成顯示器件中之列電極。在— 134464.doc -24· 200919577 =實細例中’此圖案化可藉由遮罩及蝕刻製程來進行但下文更詳細地論述圖案化之替代方法。在—些實施例光予隹豐16包括一沈積於一或多個金屬層（例如，諸上子層6Ga或6Gb之反射及/或_電層）上方的絕緣或介電層 (諸如，圖9A之子層60c)。圖8中所說明之製程800在步驟810處繼續，在光學堆疊 16上方形成—犧牲層。如下文所論述，職移除該犧牲= (例如’在步驟825處）以形成空腔19,且由此該犧牲層不展不於圖1中所說明之所得干涉調變器以中。圖9B說明一包含形成於光學堆疊16上方之犧牲層62的經部分製造之器件。犧牲層62在光學堆疊16上方之形成可包括以一所選厚度沈積諸如鉬或非晶矽之XeF2可蝕刻材料，以在隨後之移除後提供一具有所要大小的空腔19(見圖1及圖9E)。可使用諸如物理氣相沈積（PVD，例如，濺鍍）、電漿增強型化學氣相沈積（PECVD)、熱化學氣相沈積（熱CVD)或旋塗之沈積技術來進行犧牲材料之沈積。圖8中所說明之製程8〇〇在步驟815處繼續，形成一支撐結構’例如’如圖1、圖7及圖9C中所說明的柱18。柱18之形成可包括以下步驟：圖案化犧牲層以形成支撐結構孔隙’接著使用諸如PECVD、熱CVD或旋塗之沈積方法將一材料（例如，聚合物或二氧化矽）沈積至該孔隙中以形成柱 1 8。在一些實施例中’形成於犧牲層中之支撐結構孔隙延伸穿過犧牲層及光學堆疊16兩者至下伏基板20，使得柱18 之下端接觸基板20(如圖7A中所說明）。在諸如圖9C中所說 134464.doc -25- 200919577 明之實施例的其他實施例中， J τ $成於犧牲層中之孔隙延伸穿過犧牲層但未穿過光學摊最以学隹且1 6。舉例而言，圖說明支樓柱插塞42之與光學堆疊16接觸的下端。在某些實施例中可藉由在犧牲層上方沈積—支撐結構材料層及圖案化該支撲結構材料之遠離犧牲層中之孔隙定位的部分來形成柱18或其他支撐結構。在一些實施例中，如圖％中所說明，該等支揮結構可位於該等孔隙内，但在其他實施例巾，支樓結構之至少—部分可延伸超過犧牲層之-部分。如上所提，犧牲層及/或支撐柱之圖案化可藉由圖案化及 #刻製程來進行，但亦可藉由下文所論述之替代餘刻方法來進行。圖8中所說明之製程800在步驟82〇處繼續，形成可移動反射層或膜，諸如在圖1、圖7及圖9D中所說明的可移動反射層14。藉由使用一或多個沈積步驟如反射層（例如，鋁、鋁合金）沈積連同一或多個圖案化、遮罩及/或蝕刻步驟，可形成可移動反射層14。如上所論述，可移動反射層 14通常為導電的，且本文可將其稱為導電層。在某些實施例中，如圖9D中所示，可移動反射層〗4可包含複數個子層。在某些實施例中，該等子層中之一者64a可包含一針對其光學性質而選擇的高反射子層，且另一子層6仆可包含一針對其機械性質而選擇的機械子層。由於犧牲層仍存在於在製程800之步驟820處形成的經部分製造之干涉調變器中，故在此階段，可移動反射層14通常不可移動。本文可將含有犧牲層的經部分製造之干涉調變器稱為"未釋放" 134464.doc -26- 200919577 干涉調變器。

圖8中所說明之製程800在步驟825處繼續，形成—空腔’例如，在圖1、圖7及圖9E中說明之空腔19。藉由將犧牲材料62(在步驟810處沈積）曝露於蝕刻劑，可形成空腔舉例而言’可藉由乾式化學蝕刻通常相對於空腔^周圍之結構選擇性地移除一可蝕刻犧牲材料（諸如，鉬或非晶矽），例如，藉由將犧牲層曝露於氣態或汽化蝕刻劑（諸如，得自固體二氟化氙（XeF2)之蒸氣）持續一有效地移除所要里之材料的時間週期。亦可使用其他蝕刻方法（例如，濕式蝕刻及/或電漿蝕刻），且在下文中更詳細地論述某些替代蝕刻方法。由於在製程8〇〇之步驟825期間移除犧牲層，故在此階段之後，可移動反射層14通常為可移動的。在移除犧牲材料之後，本文可將所得經完全或部分製造之干涉調變器稱為"已釋放"干涉調變器。如應理解’經由#刻製程移除犧牲層之製程亦可應用於在鄰近組件之間包含間隙或其他間隔的其他MEms器件，且不限於與本文所描述之例示性干涉調變器-起利用。如上所述，此移除可經由多種不同製程來進行，包括（但不限於)濕式蝕刻、乾式蝕刻及電聚蝕刻。舉例而言，上述之啊乾式_可與諸如钥、鍺㈣之犧牲層結合使用。製矛"及使用一蝕刻處理氣體，該蝕刻處理氣體含有 ⑽作為主要蝕刻劑且視情況含有其他蝕刻劑(諸如，氧) 及/或惰性載氣。如將在下文中更心地Μ

將XeF2用作主要蝕列 B 要钱刻劑來論返下述方法中之若干者，但該 134464.doc •27- 200919577 等方法可經調適以利用其他惰性氣體氟化物(諸如，邮) 來替代XeF2。某二實把例中，用於使用XeF>2犧牲蝕刻製造器件之製造過程及設備可經修改以回收ΧΑ及/或回收之氙（Xe)組份。所回收之Xep>2可再循環用於額外蝕刻製程所回收之Xe可與用於產生發生反應，亦可再循環用於額外㈣製程中。在㈣製程期間或之後，可自蝕刻腔室收集處理氣體且接著按需要對其進行處理。處理軋體可包括未使用之XeI?2(或其他蝕刻劑）、蝕刻反應之別產物、雜質及可存在之任何載氣。當使用其他惰性氣體氣化物時，彳回收未使用之惰性氣體氟化物及相應情性氣體組份中之一者或兩者。反應副產物為XeF2蝕刻劑與犧牲層之間的蝕刻反應之產物，且應理解，該等副產物將至少視所使用蝕刻劑及犧牲層之本質而定而不同。對於犧牲層包含鉬之實施例而言，產物將通常包括M〇Fx(其中X為在2至6之範圍中的整數）’且對於將矽用作犧牲層之實施例而言，副產物將通常包括SixFy(其中x為在1至2之範圍中的整數，且其中y為在2至6之範圍中的整數）。在額外蝕刻劑（例如，氧）與XeF2 姓刻劑結合使用之情況下，副產物可包括犧牲元素之複合氟化物（例如，MoOx；Fy)。可存在於蝕刻處理氣體中之普通雜質包括H2〇、HF、 CFX、CHFX、C0Fx、c〇、C〇2、清洗氣體之殘餘及痕量之金屬氣化物。亦應理解，蝕刻處理氣體可含有反應中間物 134464.doc -28· 200919577 (諸如，XeF或F)，但因為此等反應中間物在其進一步反應以形成反應副產物之前具有相當短之壽命’故在下文不對其單獨進行論述。為了回收及/或再循環氙，可利用氙之獨特物理性質，諸如相對較低之沸點及惰性。此等物理及化學性質可用於促進氙與可在蝕刻製程期間收集到的其他處理氣體及其他材料之分離。

圖10說明可用於自處理氣體萃取Xe且利用所收集到之 Xe產生XeF2以用於蝕刻製程的一般化處理流程ι〇〇。然而，應理解，可以多種方式（包括添加或移除步驟）來修改该製程，且可以不同次序來執行該等步驟。該製程開始於蝕刻製程步驟11〇處，在步驟110中，將待製造之memss 件或其他器件曝露於XeF2氣體。在步驟12〇中，（諸如）經由自敍刻反應腔室收集處理廢氣來收集處理氣體。在步驟 130中，可將系統曝露於清洗氣體以便驅動處理流程。在步請中，制一Xe轉化器來自所收集到之處理氣體產生Xe。在步驟15〇中’將所產生之以與處理氣體之剩餘部分分離且（諸如）經由使用冷解將其純化。可在步驟⑽中對此分離Xe加壓或冷凝。可在步驟m中添加氟⑹，且在步驟⑽中產生XeF2。可在步驟⑽中在邮返回至钱刻製程之前純化XeF2。便用爹種方个对尸回收之含Xe物質轉化成元素X”舉例而言’氣轉化器可包含液浴轉化器、固體床 (S〇lid _轉化11，錢浴轉化器，將依次論述其中每一 134464.doc -29- 200919577 者。待轉化之含Xe物質可主要包含未使用之XeF2，外加其他雜質或中間氟化氙，以及複令氟化物（若使用除XeF2外之共同姓刻劑）。

XeFz可在水解反應中與水反應以產生元素心及〇2。然而，為了加速XeF2至Xe之轉化，可使用酸性溶液或鹼性溶液來替代中性水浴液。χ#2以在酸性溶液中在298 〇κ下約 4,2χ 10_4/秒之一階速率常數來進行水解以根據以下反應來釋放氫氟酸、原子氙及分子氧：

XeF^H2〇(l) -> HF{aq) + ze<g) t +〇2(g) t 亦可將驗性溶液用作液浴溶液，包括（例如）Na〇H或 KOH，且對特定鹼性溶液之選擇允許一特定實施例之所要 Μ產物的產生。在一實施例中，諸如Na〇H或KOH之鹼性溶液（其中氫氧化物（OH·)用作還原劑）的使用導致根據以下反應來產生水、元素氙及分子氧：

XeF2{g)+2HO{aq) -> F'aq) +H20{aq) + +~〇2(g) t 在另一實施例中，可見替代還原劑之使用可產生不同副產物，其可為諸如有機酸式鹽之可溶產物，而非將與所釋放Xe混合的氣體。在一特定實施例中，根據以下反應，可使用諸如甲酸鈉（sodium methan〇ate)(亦被稱作甲酸鈉 (sodium formate))之甲酸鹽（methan〇ate sah)(亦被稱作甲酸鹽（formate salt)):

XeF 2(g)+4HCOO；l) ^2Fi：^CO^)+2H2〇(aq)+xe(g； 134464.doc .30- 200919577 此外，若犧牲材料為金屬（諸如，Mo及w)，則其氣態蝕刻副產物（諸如，MgFx)將通常在驗性溶液中水解。自液浴轉化器/勇出之氣體由此包括元素Xe，外加水蒸氣及所使用之任何清'洗氣體。在一特定實施例中，可選擇清洗氣體及浴/奋液，使得清洗氣體連同任何蝕刻副產物由該溶液吸收則更提供執行多個功能的Xe轉化器。在-特定實施例中y將c〇2用作清洗氣體，且在轉化浴中使用含有甲酸納及氫氧化納之水溶液，xeF2將轉化為元素Xe，且清洗氣體及敍刻製程之副產物將被吸收。在其他實施例中’可將固體床轉化器或氣S轉化器用作 Xe轉化器。一固體床轉化器可包含將氟化氙還原成元素以的任何還原劑。對於此等還原劑中之某些(諸如，鎳、銅及鐵）而5，XeF2將起反應以經由吸附或吸收反應而在該等材料之表面上形成固體說化物。其他還原劑包時不限於）形成固體說化物或子氟化物、子氧化物、子氮化物、子函素化合物或有機鹽的材料。在其他實施例中，諸如"或鍺之材料可用作還原劑，且可導致氣體或液體鼠化物而非固體氟化物的形成(例如，視壓力而定其他類似還原劑包括形錢態氟化物及子氟化物、子氧化物、子氮化物、子齒素化合物 '有機物或聚合物的材料。類似地’氣態還原劑可用於氣浴轉化器中，且可包含（例如）諸 :乙院、乙烯及甲搭之有機物或諸如氨、肼及膦之無機物。一旦已在處理氣體内獲得元錢，便可減與其他處理 134464.doc -31 · 200919577 氣體分離且將其絀务。m ^^^^ ' ;將元素氙與其他材料分離之製程的選擇將大部分視在再表在的其他氣體或其他材料中之此點處與山气一起存才科而疋，該等其他氣體或其他材料又視所使用之蝕刻劑與犧在及細節而定。犧牲材科的組合以及心轉化器之存一分離並純化元素氙 m , ” 法為低溫阱，其亦可被稱為冷 ^由於情性氣體具有低“（4之彿點為165。〖，氣之動穿過在高於惰性氣體之沸)故可將處理氣體驅餘組份將冷凝的溫度下的Μ 夠低以使處理氣體之剩體槿…“ 從而留下實質上由情性氣 ”有痕量之其他材料的混合物。當將XeF2用作 =劑且將M。用作犧牲層時，可使用-用⑽如）固體 2(乾冰，通常與丙網結合使用）冷卻至低於c〇2 :溫度㈣來使其他氣體（包括諸如M〇Fx之㈣副產物）在，沸點顯著更高時冷凝。處理氣體内之多數水分亦將通常 &冷凝（乳體中剩餘量之水在通過叫牌後可具有約㈡毫 =之刀壓)’且可使用隨後製程(諸如，Ca〇乾燥劑之使用）來進一步移除水分。在其他實施例中，該等處理氣體可包含具有類似於元素现之彿點的彿點之材料。舉例而言，若將si用作犧牲材料’則敍刻製程之主要副產物之一為叫，其具有接近於 ☆之彿點的為187 1之沸點。圖„說明作為溫度之函數的 Xe及S!F4之蒸氣壓力。可見，吨之蒸氣壓力在h之濟點下為約189托，且由此若冷拼為165。砂之彿點），則叫 134464.doc -32- 200919577 之蒸氣壓力將仍為1 89托’且由此顯著量之SiF4將可能通過冷阱。在圖11中亦可見’在較低溫度下，乂6與以匕之蒸氣壓力之間的差增加。因此，在125 0K下，Xe之蒸氣壓力為19.5托，且SiF4之蒸氣壓力為0.75托，且在120 °K下，此等值分別減小至11.1托及小於0.4托。藉由添加活性化學劑（諸如，NaF)，可進一步消除SiF4。在一實施例中，在 NaF存在之情況下’平衡Sih蒸氣壓力可在室溫下減小至 47托’因為NaF將根據以下反應與siF4反應：

SiF4(g) + NaF(s) Na2SiF6(s) 同樣’可使用其他鹼及鹼土氟化物來減少siF4之存在。可以多種方式來提供在此等低溫度下之冷阱。在一些實施例中’經由固液熔合來冷卻冷阱，諸如經由氯乙烯之使用。在其他實施例中，經由液氣融合來冷卻冷阱，諸如經由氪之使用。在又其他實施例中，可使用低壓下之固液汽化，諸如丙烷中之固體CL。熔合及融合系統適於在持續很久之時間週期内維持一精確溫度。固液汽化系統提供對冷浴中之溫度的額外控制。在特定實施例中，丙烷中之固體CF4可用於藉由使壓力自5托變化至76〇托而提供溫度在。艮_14〇〇κ之範圍中的冷岭。在某些實施例中，諸如仏或He之清洗氣體（其可 2有，氙或經分離且純化之另一氣體之沸點低的沸點）可、不藉由初始冷阱來分離，因為其在Xe保持為氣體形式時將保持為氣體形式。可使用一隨後冷阱（諸如，液體乂冷 134464.doc •33- 200919577 牌）來使Xe冷凝，且清洗氣體將保持為氣相。 ^如上所心修改此再循環方法則更應㈣方被其他基於惰性氣靜夕爲力丨衣再備再循m 舉例而言，此方法可用於再盾=以下各者之惰性氣體：款化氣(諸： χ ;;XeF8及叫邮等）、“素氟化物(諸如， XeCIF5 等）、…化物(χ_2、一、及V:广0Ffi4)、其他氤化合物(諸如，⑽及㈣等) “生氣體化合物(邮等）。上述方法中之某些對於不同化學物可更有效。由本文提供之揭示内容指導㈣規實驗可用於識別特定情形之合適條件。導的吊規亦應理解，可使用不同於用於分離Xe之方法的方法來將㈣與處理氣體分離。如下文更詳細地論述，叫之分離亦可在钮刻製程期間進行以增加敍刻製程之效率。冰或知之分離可經由本文所述之方法中之任一者來進行，且可藉由利用其物理或化學性質來進行。舉例而言，在真空蒸館或冷凝製程期間可利用蒸氣壓力之差，在蒸潑及過渡製間可利用相變溫度(諸如’沸點或熔點)之差，在萃取 ^程中可利用溶解度之差’或在再結晶製程中可使用晶體二構之差異。可使用其他性質如電離能、分子量、擴散率、抢度、吸收作用、吸附作用及色譜性質來分離材料。在—特定實施例中，XeF2與處理氣體中之其他分子相比可具有相當大之分子。使用大小鑑別膜或分子篩，XeF2可與其他分子分離且可返回至製程（有時在額外純化之後）。圖12說明此製程200之一實施例，其開始於步驟210處， 134464.doc -34- 200919577 在步驟210中在蝕刻製程。I』1尺用入et2·!虫刻。在步驟220 中’可自㈣腔室排出處理氣體。在步驟23〇中，經由使尺寸4«別為（諸如，尺寸鐘別膜或分子筛）或分離之另-合適方法來將XeF2與其他分子（包括元素叫分離。在步驟240中經分離之邮可返回至蝕刻製程，且在步驟… 中元素Xe可以某方式自身再循環。以類似於上文論述之元素Xe分離方式之方式使用冷味來分離XeF2。在將邮料㈣劑且將m。用作犧牲層時，主要钱刻副產物為M〇F6。冷胖之合適溫度為約23〇 °κ，但應理解可使用高於及低於23〇〇κ之溫度。在Μ。汉下，MoF6之蒸氣壓力為幾托，而XeF2之蒸氣壓力低於ο」托可以少種方式來維持此溫度，諸如經由使用固液四氣乙烷（其在1個大氣壓下將維持於約23〇 8 〇κ之溫度下）或液氣氣二氟碘甲烷（其在1個大氣壓下將維持於約232,5之溫度下）。圖13說明用於使用冷阱分離及收集XeF2之例示性製程 300。在步驟31〇中，收集處理廢氣。在步驟32〇中，可經由使用乾燥劑而自處理氣體移除水蒸氣。該製程可接著移動至步驟330，在步驟330中，使用冷阱自其他處理氣體移除XeF2。該製程亦可包括步驟37〇，在步驟37〇中，再循環在冷阱中與XeFz分離之元素xe。在於步驟33〇中經由冷味分離XeF2後，可在步驟340及步驟350中進一步純化XeF2，在步驟340中xeF2經受蒸餾或過濾製程，在步驟35〇中使 XeF2再結晶。詳言之，χ^2可在一個位置處汽化且接著在 134464.doc -35- 200919577 另一位置處再結晶。在一些實施例中，必要時可重複步驟 340及350以獲得所要純度等級。最終，在步驟36〇中，可獲得足夠純之XeF2，若執行再結晶步驟35〇，則其可為固體形式。如上所提，可使用許多不同方法來分離XeF2，且特定方法之合適性將大部分視將與XeF2分離的其他材料而定。在將XeF2用作蝕刻劑且河〇用作犧牲層之實施例中，如上所 k，主要田彳產物將通常為M〇F6。在約290 0K至307 0K之範圍中的溫度下且在一個大氣壓下，Μ〇ρ>6為液體且XeF2為固體。因此，可使用在室溫下進行之過濾來分離該固體與該液體。如上所提，可使用所收集到之元素Xe來產生XeF2。在一實施例中，Xe可於高壓下曝露於Fa以使用鎳作為催化劑來升y成XeFj。在另一實施例中，Xe在曝露於熱、光或來自放電之照射時可與按化學計量近似等於兩倍之量的匕直接反應。在—特定實施例中，可用波長約250 nm至350 nm 之UV光來照射以及，從而產生實質上純淨之乂#2。因此，應理解，上述之各種方法可以各種方式來組合，可仏改替換或完全省去某些步驟。在某些實施例中，可自處理廢氣萃取元素Xe’且可將其儲存以供稍後再循或可用於經由上述之製程或經由其他合適製程來產生

XeF2。在其他實施例中，可分離及純化未使用之。在、實包例中，如將在下文更詳細地論述，可使所產生或分離之XeF2返回至蝕刻製程。 134464.doc • 36 - 200919577 圖14說明一典型化學反應之反應物組合物。可使用平衡時〇=〇〇)之壓力與開始時（户〇)之壓力的比來判定理論效率 (亦即’可能之最大值）。如一般熟習此項技術者所理解，可使用反應物及產物之標準吉布斯自由能來計算此判定。在使用1托下之XeF2敍刻Mo犧牲層且Mo與XeF2之莫耳比為 1:3之蝕刻製程中，在室溫下之XeF2之平衡壓力為約1χΐ〇·58 托’意謂理論效率非常接近於i 00。/(^實際蝕刻製程之效率的當前估計顯著低於100%，為約5〇%。實際效率與理論效率之間的差異之可疑原因包括不平衡之製程條件及蝕刻製程係針對過度蝕刻而設計的，以確保完全移除犧牲材料。儘管此等因素可防止達到理論最大效率，但儘管如此仍可至少藉由將反應配位向前移動及修改蝕刻製程流程來改良效率。由此可改良XeF2蝕刻製程之效率。在某些實施例中，可修改蝕刻製程以增加釋放速率。大體而言，可藉由以下關係來表述釋放速率：

Rate = k · A Pn , pm 〇/ SQC XeF2 rPr〇duct\ ' %toduct2 ^ * * 其中免為速率常數，為犧牲材料之曝露表面積，且户為各別產物之分壓。各種反應物及產物之反應次序由„、历、/等給定，且《為正數’而所及/為零或負數。可見’曝露之犧牲材料表面積4之增加將使钱刻製程之釋放速率增加。在；g；此杳在某二實施例中，此可經由包括或添延伸穿過上覆層及；鱼耸& 隹許存取犧牲層之蝕刻孔來增加。在其他貝細例中’ &等姓刻孔可為准許ΧΑ通過的奈米大小孔+例而。，如與提供相對較少相對較大银刻孔且餘刻 134464.doc -37- 200919577 氣體及副產物需要行進相對較遠以退出空腔内之反應區域 (在其形成時）的典型實施例相比，提供相對較大數目之相對較小奈米大小孔使空腔内由蝕刻氣體及副產物橫越之距離減小，且可提供更快之釋放速率。在其他實施例中，可使用多孔犧牲材料以在蝕刻製程之給定點處增加曝露表面積。在另一實施例中，可減小副產物之分壓，且蝕刻劑之分壓經維持或減小程度最小。圖1 5說明經組態以利用先前所論述之某些技術來達成此結果的系統4〇〇。此系統包括一蝕刻腔室410，蝕刻腔室410經由閥412與XeF2供應器420分離，閥4 12控制XeF2流進蚀刻腔室41 0中之速率。可提供監控姓刻腔室4 1 〇之狀態的一或多個感測器。在所說明之實施例中，系統4〇〇包含一經組態以監控總壓力之感測器432 及一經組態以監控XeF2壓力之感測器434，從而准許判定在银刻製程期間任何給定點處XeF2之分壓。循環栗44〇經由閥4 14與蝕刻腔室分離，且經組態以經由閥4丨6將處理氣體推向副產物移除器450 ’副產物移除器450在某些實施例中為可基於XeFs分子之大小將XeF2與材料之剩餘部分分離的尺寸鑑別器。因此，副產物移除器450可包含（例如）滲透膜或大小選擇性吸收器或吸附器。可提供一 Xe分離裝置 460以自姓刻副產物產生元素。在必要時，閥419可打開且使用真空泵470來自蝕刻腔室移除處理氣體。接著可准許所分離之XeF2流回至姓刻腔室中。在某些實施例中，該等閥可為雙向閥。 134464.doc • 38 · 200919577 因此，在一實施例中，循環泵440在蝕刻製程期間朝向副產物移除器450驅動處理氣體。在蝕刻期間經由副產物移除器450移除蝕刻副產物，以減小副產物之分壓。藉由使所分離之XeF2循環回至蝕刻腔室41〇中，可減緩Xeh分壓之減小速率。在必要或需要時，可使用監控XeF2分壓之感測器432及434來提供閥412應打開多久以便釋放額外

XeFz的指示，以在所要位置處維持以匕之分壓。

在另一實施例中，可在副產物移除器45〇與蝕刻腔室41〇之間提供一閥418以准許在脈衝蝕刻模式下之操作，其中閥414及416週期性地打開以准許處理氣體流向副產物移除器450，且接著閥418打開以准許經純化之流進钮刻腔室彻中。在兩個步驟中可使用循環果44〇以促進氣體流動0 在另一實施例中’可在脈純刻製程中使用可變體積腔室以增加㈣製程之速率常數。已將使用邱對翻層之敍刻展示為-階反應。即，一特定工件之在一特定溫度下之姓刻反應速率（假定曝露之論表面積為怪定的）如下.

Rate = k^P；eF2，

其中鸿反應速率常數，且％為處理腔室中XeF2之分當姓刻發生於閉合容器中時，歸因於㈣M。之XeF ==速率獨立於處理腔室中邮之初始分麼。此相2 ^耗速率可依據腔室内XeF2之—半時間（消耗叫之鄉的時間）來表述，其中該—〜

Hn(2/々）。 •坩 Π口疋· 134464.doc •39- 200919577 触刻劑之一半時間由此判定蝕刻製程之使用效率。對於給定製程而言’ 2ί1/ζ之停留時間將導致π%之使用效率，且之停留時間將導致94%之使用效率。因此，藉由使停留時間加倍至一半時間之四倍，使Xep>2之使用效率增加了幾乎20% ’但以產量之減小為代價。

在脈衝蝕刻製程中使用之一系列較短停留時間提供較大姓刻，以XeF2姓刻劑之較低使用效率為代價。因此，在一實施例中，可使用一系列三個XeF2脈衝蝕刻循環，其中將 1托分壓下之XeF2引入至蝕刻腔室中，各自之停留週期為 30秒’在循環之間繼之以泵出清洗。在此蝕刻製程期間XeF2之一半時間為約丨5秒的實施例中，作為總蝕刻停留時間之函數的在處理腔室内未使用之 XeF2與初始XeF2之比展示於圖16中。可見，此製程之未使用之Xeh與初始XeF2之比554在每一循環之末尾減小至約〇.25。總以匕之75%由此用於此製程中。如上所論述，可回收及/或再循環剩餘XeF2。如上所提，XeF2消耗之相對速率獨立於以匕之初始分壓。藉由使XeF2之初始分壓增加，一半時間將保持值定且 Mo之敍刻速率將增加。在另—實施例中，上述之三循環蝕刻可用單一循環來替換，初始分星為3托且停留時間為約9〇秒。由於㈣劑之相對消耗速率獨立於初始分麼，故 ::間之函數的未使用之XeF2與初始邮之比的圖表5“ 停留時間之第一個三十秒與來自前述脈衝蝕刻製程之相同比之圖表564相@，且接著向下延伸，使得在9時停留 134464.doc -40- 200919577 時間之末尾處使用了約99%之xeF2。由於在3托下在單一蝕刻循環中引入與在丨托下由三個蝕刻循環之組合引入的XeF2之總量相同的XeF2總量，故可見，已藉由引入較高分壓下之XeF2而顯著地增加效率。儘管相對於單一延長蝕刻循環來進行描述，但應理解，在較高XeF2分壓下之多個循環可接連地用於一蝕刻製程中，其中以姓刻效率為代價的產量之增加可為所要的。圖17說明經組態以在增加之分壓下將蝕刻劑引入至處理腔室480中的系統470之一實施例。系統47〇類似於圖15之系統400，但在兩個顯著方面不同。因為系統47〇無需恆定地維持處理腔室470内蝕刻劑之分壓，故系統4〇〇之感測器 43 2及434無需包括於系統470中，但在需要時可包括監控系統470之分壓的感測器。系統47〇亦包括一位於又“^原 420與處理腔室480之間的膨脹腔室482。膨脹腔室482可包含一用於使膨脹腔室482之體積變化以便增加XeF2之壓力的機構。在另一實施例中，處理腔室48〇亦可包括一用於使處理腔室480之體積變化的機構，且在特定實施例中，當處理腔室480具有可變體積時可能無需膨脹腔室482。在系統470包含具有變化體積之膨脹腔室482的實施例中，一蝕刻製程可如下進行。打開閥411以准許XeF2自 XeF2儲存腔室420流進膨脹腔室482中。接著可壓縮膨脹腔室482中之XeF2以增加膨脹腔室482内XeF2之壓力。接著可打開閥412以允許經加壓之XeI?2自膨脹腔室482流進處理腔至480中。因為經加壓之XeF2流進處理腔室48〇中，故處理 134464.doc • 41 · 200919577 腔室48G内XeF2之分壓將增加，且每單位時間消耗的犧牲材料之量將相應地增加，因為消耗之相對速率在腔室内具有較大初始量之蝕刻劑的情況下將保持恆定。若將使用多個循環，則如上所論述可在循環之間使用循環泵440來將處理氣體抽取出處理腔室48〇。類似地，如上所論述，可使用尺寸鑑別器450及Xe再循環器46〇來再循環在触刻循環之末尾處腔室480内所剩餘之Xe。另外，在使用多個循環時，可藉由在前一循環之停留時間期間將額外 XeF2引入至膨脹腔室482中來減少循環之間的時間。藉由在此時或期間壓縮膨脹腔室482中之XeF2，在前一蝕刻循環之末尾處栗出製程完成後，經加壓之Xep2即可準備好立即釋放至處理腔室中。在其他實施例中’一旦引入XeF2 ’處理腔室480之體積便可減小以增加钱刻劑之分壓。此可替代膨脹腔室482中飯刻劑之壓縮或在膨脹腔室482中蝕刻劑之壓縮之後進行。在其他實施例中，XeF2在引入至處理腔室480之前可維持於較高溫度下，而膨脹腔室482保持於正常處理溫度下。處理腔室480内之壓力係視膨脹腔室482之體積及膨脹腔室4M與處理腔室480之間的體積比而定。可藉由控制 XeF2儲存區域420、膨脹腔室482及氣體歧管中之最小溫度來控制膨脹腔室482内之壓力。此最小溫度愈高，膨脹腔室482内之可能壓力愈高。只要處理腔室480内之壓力保持低於處理溫度下XeF2之蒸氣壓力，則可避免XeF2蝕刻劑之 134464.doc •42· 200919577 冷凝。舉例而言，在氣體釋放時處理腔室彻與膨脹腔室482之間的體積比為1:1的料實施例中，可將在5(TC之溫度及23 托之屢力下的XeF2釋放至保持於机之處理腔室彻中且將在處理腔室彻内產生約8托之冰蒸氣壓力。所使用之特定溫度及壓力可視多種設計考慮、㈣，包括（但不限於）製造過程之所要產出率、所要處理溫度及待㈣之結構。在另一實施{列中，㈣常數灸可增加以便增加姓刻速率。大體上，速率常數々由阿瑞尼斯方程式界定： k = f.e~^ 其中A：為速率常數，/為前指數因子，心為活化能及為通用氣體常數’『為絕對溫度。對於特定反應而言V及心為I·亙疋的。使執行蝕刻製程時之溫度增加將增加蝕刻速率。然而，增加溫度之有效性大部分視活化能而定。所製造之器件亦可限制可執行蝕刻製程時之溫度。亦應理解，可藉由更改蝕刻製程來使速率常數變化。此可藉由更改蝕刻劑或犧牲材料或藉由添加共同蝕刻劑來進行。在一實施例令，除了Xeh外還使用氧來蝕刻鉬犧牲層’其中反應由下式給定：

Mo(s) +\°2ω + ^eF2(g) Mo〇F4(g) + 2Xe(g)

XeF2亦可與Mo直接反應以形成MoF6 由於MoF6接著可與氧反應以形成額外M0OF4，故M0OF4可為主要最終副產物。由於MoOF4具有比xeF2低之蒸氣壓力，故處理氣體可 134464.doc -43- 200919577 通過冷阱以使M0OF4冷凝且將所分離之Xep>2再循環回至蝕刻腔室中。圖18說明可經組態用於與上述XeF2及〇2蝕刻製程一起使用的例示性系統500。該系統包括位於系統各處之閥 5〇6(在本文中特定閥由特定後綴識別）。該系統亦包括壓力感測器502及504，其在所說明之實施例中分別包含1〇〇托壓力計及1000托壓力計，但可使用其他壓力感測器。使用 XeFs儲存腔室512及〇2儲存腔室514來儲存蝕刻劑，且亦可提供一清洗氣體腔室516，且清洗氣體腔室516可含有（例如）氮。可經由閥506a來提供對xep2流之控制，且可經由閥506b來提供對〇2流之控制。同樣’亦可利用質量流控制器5 0 8來提供對氣體流之額.外控制。儘管可經由閥5 0 6 k將氣體中之任一者直接施配至蝕刻腔至5 1 0中，但χ#2與〇2可混合且儲存於獨立钱刻劑混合腔室5 1 8中，其中可控制該混合物之成份，且經由與混合腔至連通之壓力感測器來監控壓力。可使用閥來將該钱刻劑混合物施配至蝕刻腔室51 0中。在必要時，可打開閥 506e ’且可經由循環泵520自蝕刻腔室510牵引處理氣體。在需要時’可關閉旁通閥506f，且可打開冷阱入口閥5〇6a 及出口閥506h，從而將流體流指引通過冷味530。冷牌530 將由此隨著處理氣體流經冷阱而收集經冷凝之M〇〇F4。未使用之XeF2接著可導引回至蝕刻腔室中。系統之不同於冷拼之組件在一些實施例中可維持於高溫下以便防止收集殘餘物。 134464.doc •44- 200919577 在延長操作後自冷阱53 0移除過量2M〇〇F4可變成必要的。在此情況下，可關閉冷阱入口閥5〇4及出口閥5〇补，將冷阱升溫至足以准許MoOF4之汽化的溫度，可打開閥 506ι，且經由排氣泵54〇抽出經汽化2Μ〇〇ι?4。一尺寸鑑別器550可提供於排氣泵下游處，且可與氙再循環製程結合使用以隔離或移除所要物質。在打開閥5〇6j時，亦可使用排氣泵來自蝕刻腔室移除氣體，諸如與清洗氣體之釋放結合0 因此，系統500可減小諸如Mo〇F4之副產物的分壓，而將XeF2與〇2混合物連續地泵入至蝕刻腔室5丨〇中（且將所隔離之未使用之蝕刻劑再循環至蝕刻腔室51〇中）以便維持蝕刻劑之所要分壓。亦應理解，系統500之部分可與本文所揭示之其他器件及製程結合使用，且在適當時可替換、重新配置或完全移除系統500之部分。在另一實施例中，可使用替代犧牲材料或結構。在某些實施例中，可藉由利用不同於Mo、Si*Ge之犧牲層來增加蝕刻速率。詳言之，具有較高莫耳體積之材料（例如，較輕之材料）的使用將減少給定體積中需要填充之材料的量，從而減少用於移除給定體積之犧牲材料的蝕刻劑之量。另外，在利用多個逐步反應來蝕刻犧牲材料之情況下，將此等反應之中間產物用作犧牲材料可減少用於蝕刻犧牲材料的蝕刻劑之量，且亦可增加蝕刻製程之速度。如上所提，當使用蝕刻作為犧牲材料之m〇時，計 ® 化予（stoichiometric chemistry)如下： 134464.doc -45- 200919577 M〇U)+3XeF2{g)^3Xe{g)+MoF6(g) 若替代地將上述反應之中間產物（諸如，低說化翻）用作起始犧牲材料，則釋放製程之計量化學現在如下：

MoF3(s)+lXeF2(g)^LXe{g)+M〇F^ 因此，可見與釋放-特定莫耳體積之純铜所利用之量相比，利用少50%之XeF2蝕刻劑來釋放給定莫耳體積之 m〇f3。然而，亦應理解，較高體積之M〇F3(32 96 耳對9.53 emV莫耳之⑷將減少為填充—特^空間所要沈積之MoF3的量。舉例而言，與需要〇 1〇5莫耳之m〇相比，^ 填充一立方公分之空間將用〇.〇3莫耳之M〇F”與移除一立方公分之Mo所利用之〇·315莫耳XeF2相比，移除相同體積之祕3所制之XeF2的量為GG45莫耳。因此，藉由使用 MoF3來替代Mo，蝕刻犧牲層所利用之XeF2的量可減少至钱刻Mo所利用之量的約丨4〇/〇。對犧牲層(諸如’部分氟化之叫)之蝕刻可比對僅— 之蚀刻更快地發生。此加速#刻已在部分氧化之m〇層中觀測到，諸如Mo犧牲層之鄰近於蝕刻孔或使^^層曝露之其他孔隙的曝露部分。應理解，廣泛多種中間產物及用作犧牲材料之其他含

Mo、Si、W及/或Ge之材料可提供所利用蝕刻劑之量的類似減少。表1為此等材料之實何的非限制性清單，連同其莫耳體積、X#2化學計量、熔點，及對給定體積之材料而言其XeF2使用與Mo的比。 134464.doc -46- 200919577 莫耳體積 XeF2 熔點 XeF2使用材料 (cm3/莫耳）化學計量 (C) 對Mo Mo 9.53 3 2622 1 Si 12.06 2 1414 0.527 W 9.42 3 3414 1.01 Ge 13.63 2 938.25 0.466 MoF3 32.96 1.5 >600 0.1451 MoF5 54.55 0.5 67 0.029 MoF4 未知 1 未知未知 MoN 11.95 3 1750 0.797 MoSi2 24.53 7 1900 0.9067 *Mo02 19.77 2 1100 0.321 *M〇〇3 30.63 2 860 0.207 Mods 54.09 3 1027 0.176 wn2 27.51 3 600 0.346 WC14 70.49 3 450 0.135 *W〇2 19.99 3 1500 0.477 wf4 未知 1 800 未知 *SiO 20.22 2 >1200 0.314 S13N4 44.25 6 1900 0.431 GeF2 30.39 1 表1 110 0.105 表1中所示之XeF2化學計量假定最終副產物為所列出的子氟化物之全氟化物、子氧化物之全氣化物及氟氧化物、子氮化物之全氟化物及分子氮，及子氯化物之全II化物及分子氣。應理解，在各種實施例及製程條件下，實際蝕刻反應可變化。此外，體積係基於塊狀材料資料而列出的，且薄膜及多孔材料之莫耳值可顯著地改變。對於Mo02、 Mo03、W02及SiO而言，在上表中給定之計量化學係基於某些假定。儘管未列出，但亦可使用非化學計量材料。熟習此項技術者應理解，本文所描述之各種物理性質 (諸如，沸點）可藉由修改判定其時所處之條件（諸如，壓力）而調整。因此，鑒於本文所提供之指導，本文中對特 134464.doc -47- 200919577 定物理性質（諸如，給定壓力下之沸點及分離條件）之描述將被理解為在其他條件下對相應物理性質（諸如，在其他壓力下之相應沸點）的描述。應瞭解，以本文所描述之方式中之任一者自特定触刻製程回收的Xe及XeF2無需絕對純化以便可用於再循環及再用於其他製程中，諸如隨後之蝕刻製程中（亦即，再使用之蝕刻氣體可包括大濃度之雜質且仍可用於蝕刻）。舉例而言，為了釋放Si犧牲層，再循環少如4%(按體積)之Μ!仍可充當商業可行之蝕刻劑。一實施例提供一經回收之Xe產物，其藉由本文所描述之方法來充分地純化以使其可用於與F2進行隨後之反應以形成一含XeF2之蝕刻氣體，該蝕刻氣體充分地無有害雜質以便可用於隨後之蝕刻製程以製造 (例如）如本文所描述iMEMS器件。另一實施例提供一經· 回收之XeF2產物，其藉由本文所描述之方法來充分地純化使得其充分地無有害雜質以便可用於隨後之蝕刻製程以製造（例如）如本文所描述之MEMS器件。除X#2之外，可使用廣泛多種其他蝕刻劑來蝕刻犧牲層。視實施例而定，在某些應用中，此等蝕刻劑中之一些可此不以足夠速率來與犧牲層反應，且如下所提，可與化予或物理激勵製程結合使用。另外，視所使用之特定材料及結構而定，此等蝕刻劑中之某些可與蝕刻障壁層結合使用以保護可另外受蝕刻劑損害之層。一些合適之替代蝕刻劑為基於氟的。舉例而言，可為合適之—些氧氟化物及衍生物包括（但不限於）f2o、F202、 134464.doc -48 - 200919577 F2〇4、FONO及F〇N〇2。可為合適之一些_素氟化物及衍生物包括（但不限於）C1F、BrF、C1F3、C1F5、、 OC1F、〇2C1F、〇3C1F、邮、响、％、卜、C叫及

NCF。在將某些鹵素氟化物用作釋放蝕刻劑時，如上所論述，可使用蝕刻障壁層，尤其保護鋁層。另外，BrF3可用氟來重新氟化且在需要時以類似於上文所論述之方法中之某些的方式來再循環以供再使用。可為合適之一些氮氟化物及衍生物包括（但不限於）Nf3、n2f4、〇NF、〇3NF、 C(NF2)4、_二氟胺、氟化環己烷、 1，1，4,4-四二氟胺、F2C(NF2)及 F2C(NF2)3。另外，同樣，其他材料可為合適的’包括（但不限於”匕、F〇〇F、NF3及 NH3。在某些實施例中’可在㈣製程中使用具有類似於xeF2 之化予性質的化學性質之触刻劑。在特定實施例中，沉2 及其衍生物-包括（但不限於）FOOF、CF3〇F、c2F5OF、 SFjOF及其他_可用作各向同性蝕刻劑，且在特定實施例中可用於ϋ刻犧牲層（諸如’ &及M。），但亦可钮刻諸如以、、之其他材料。待蝕刻之材料可與OF2&其衍生物反應 '开/成揮&物。如下文將更詳細地論述，可以多種方式來激勵蝕刻劑以弓丨起或加速蝕刻製程。

XeF2為在與5GG°C —樣高之溫度下熱穩定的線性分子。 -有約250 kj/莫耳之第一解離能，顯著高於約莫耳之卩2解離旎。地之第二解離能(自—自由基至元素χ。土）為約15 kJ/莫耳。類似地，〇F2之第一解離能 134464.doc -49· 200919577 (自OF2至OF及F自由基）接近於XeF2之第一解離能，亦為約 250 U/莫耳。0F2之第二解離能（將OF自由基分裂成〇及|7) 小於第一解離能’為約丨6〇 kJ/莫耳。藉由用取代基來替換〇F2分子中F原子令之一者，可修改分子之性質以提供具有所要性質之分子。舉例而言，XeF2 具有為170 amu之分子量。藉由用Sf5替換F原子中之一者，形成SFsOF，具有162 amu之分子量的分子，其分子量接近於XeF2之分子量。若需要具有較低第一解離能之分子，則可用CF3來替換ρ原子中之一者以形成CF3〇F，其具有約180 kJ/莫耳之第一解離能，小於〇f2之第一解離能。在某些實施例中，諸如CjWF及F〇C2F4〇F之〇F2衍生物可包含OF及碳氟化合物基團兩者。此等分子不僅可充當犧牲蝕刻劑，且亦可充當碳氟化合物沈積前驅物。在某些實施例中，當正蝕刻之電子器件包含諸如干涉調變器之 MEMSII件時，由將此等材料用作敍刻劑而產生的所沈積之碳氟化合物可用作抗靜摩擦層’該抗靜摩擦層防止 MEMS器件中兩個鄰近層之間的不合需要的或持久的黏附。亦可經由使用諸如二磁甲烧之鏈增長反應物來增加碳鏈長度。在使用OF2來蚀刻Si之例示性實施例中，〇F2分子可經受與Si層之各種化學反應’此視解離條件而定…可能反應進行如下：〇F2(g)->〇F + F Siis)+4F^SiFA(g) 134464.doc -50· 200919577 OF2與Si層之另一可能反應進行如下·· 2(g)

-^0 + 2F

Si(s)+OF + F-^Si〇F2(g} 大體而言，許多化學物可用物理方式激勵以弓丨起解離且產生化學活性物質，或可用物理方式激勵以使處於惰性狀態之化學物被激勵至化學活性激勵狀態。此等化學物可被稱作#刻劑前驅物。以上所論述之Fz之UV活化為材料之1；¥解離的一個此實例。在另-實例中，SF6可用於下游電聚姓刻製程中以便各向同性地蝕刻Si犧牲層。因為此等活性物質中之許多可為不穩定的（或亞穩定的），故在某些實施例中可產生緊密接近待蝕刻之犧牲材料的化學活性物質。在其他實施例中，可選擇對於所要應用而言具有足夠長之壽命的活性物質。可利用各種物理激勵方法，諸如電漿（RF或放電）、曝露於UV光及諸如X射線或伽瑪輻射之其他高能量輻射、雷射活化、高溫、微波加熱，及高能離子入射。在某些實施例中可僅經由熱月匕來活化餘刻劑前驅物。〇F2將在25〇。〇與謂。c之間的溫度下開始分解。然而，為了增加〇F2之㈣速率，可用CF3分子來替換F原子，從而形成cF3〇F。第一解離I由此自約250 kj/莫耳減小至約18〇 kJ/莫耳。在饥之溫度下，解離速率比OF2之解離速率快得多（快約ι〇11 倍）。具有與XeF2之性質類似之性質的另_〇匕衍生物為F〇_ 134464.doc 200919577 CF2-CF2-〇F、1，1，2,2_四氟乙基^^二氫勞石。此化合物具有” XeF2之刀子里相同的為17〇 &爪口之分子量，且預期具有自FOC2F4〇F至F自由基及f〇C2f4〇的類似第一解離能（約 1 80 kj/莫耳）。類似地，自1?〇(：2174〇至F自由基及oQho之第二解離能預期與XeF2之第二解離能類似，因為自由基為非常南能的。藉由將此飯刻劑或姓刻劑前驅物加熱至足以引起解離之程度，可使㈣速率增加至所要程度。由於增加之溫度可更改㈣劑之_選擇性，故使溫度維持低於—特定溫度可為必要的。在—實施例中，將㈣劑或_劑前驅物加熱至小於3GGC之溫度。在—實施例中，將㈣劑或姓刻劑前驅物加熱至大於25(rc之溫度。所使用之特定溫度可至少部分基於特定❹丨劑或_劑前驅物、待㈣之電子器件中正使用之其他材料，及所要解離速率及/或姓刻時間而變化。對於在犧牲層之下之層為至少部分 _ 乂口丨刀光透射的MEMS器件而言’曝露於UV或其他輻射可藉由』精田鉍由此等光透射層之曝露來進行。在某些實施例中， ^ 6 Τ犧牲層或待蝕刻之其他層自身可包含光透射材料，諸如Si 沈積卜 ^Sl為（例如，藉由PECVD來在某些實施例中，F2在由υλ^ 桕Λ 9 1^丄* 双勒以根據以下反應形成呈F自由基之形式的活化蝕刻物 ,,r; ^ 寻1"用於I虫刻S i，此反應破稱作光解或光解離： 134464.doc •52· 200919577 F2 •f + -f 此等F自由基可自低昼力（例如，2〇托&中達至卜2托）下之F2藉由在藍寶石管中使用微波加熱、曝露於㈣光、雷射活化，或藉由置放於足夠高溫度（諸如，3〇η：與繼。〇之間)之爐子中來產生。纟一實施例中，可藉由具有約携 nm之波長光對F2進行光解離，但亦可使用其他波長之UV光。

由於F2之低解離能’ F2可解離成具有幾分鐘之壽命的F 自由基’但該壽命將至少部公鉬刀視F自由基在惰性氣體中之分Μ而定。此等F自由基不對多數合金具有高腐姓性，且由此可經由銅或不鏽鋼管道系統來用管輸送。 (8 μιη/sec)之速率來蝕刻。此等F自由基實質上對諸如吨及从〇3之材料無反應，且由此可用於相對於鄰近叫或仰3層選擇性地触刻諸㈣或鳩之犧牲層。此外’ F自由基與Mo氣體之間（形成 M〇F6)或與Si氣體之間（形成叫）的反應速率相對較高，使得在多數實施例中F2之光解速率將控制姓刻速率。光解速率可視光強度、F2之光子橫截面，及解離反應之量子產率而定。在一特定實施例中，钮刻劑包含曝露於具有290 nm 之波長及5 WW之強度的UV光的在400托及饥之溫度下的f2。在此實施例中，M〇將由F自由基以約⑽⑽咖在圖19中所描繪之眘点丨士實知例中’一犧牲層710已沈積於對光至少部分透射且尤其可」wuv先至少部分透射之基板7〇〇上方。在某些實施例f^ „ 1歹如，所說明之實施例）中，犧牲層 134464.doc -53- 200919577 710已沈積於位於該基板上之光學堆疊72〇上方，其中該光學堆豐亦對uv光至少部分透射。一機械層73〇已沈積於犧牲層上方，且一蝕刻孔732形成於該機械層中以使犧牲層之一部分曝露。已執行一初始蝕刻以便移除犧牲材料之一部分712以使下伏光學堆疊72〇曝露。接著可將可用物理方式激勵之化學物（諸如，氣態化學物）引入至執行此製程的飯刻腔至中。此可激勵化學物將進入犧牲層之移除部分 712 ° 接著經由光透射層使可激勵化學物曝露於uv輻射，從而激勵該化學物以產生與犧牲材料相互作用以便蝕刻犧牲材料的活性物質。因為可激勵化學物將透過由所移除犧牲層界定之空腔，故隨著犧牲層經蝕刻，uv光將在鄰近於犧牲層之邊緣處繼續產生活性物質。此製程由此准許使用可能具有短壽命且將另外不能沿著空腔之長度各向同性地向下擴散以到達犧牲層之部分的活性物質。在一特定實施例中，可藉由使曝露之犧牲層曝露於來自可移動層之相對侧的UV輻射來執行初始蝕刻。在某些實施例中’可使用單一UV光源，且一旦初始钱刻已蝕刻穿過基板，該基板便旋轉或該光源相對於該基板移動。在其他實施例巾，可使用在兩側上之uv光源。在犧牲層包含光透射材料之實施例t，可能僅需要在基板之側上光源。在其他實施例中，可藉由另i刻方法來執行初始㈣’諸如在可移動層中形成触刻孔後的敍刻。在某些實施例中’此敍刻可使用與用於形成敍刻孔之遮罩相同的遮 I34464.doc -54- 200919577 罩或藉由使用經圖案化 h純之了移動層自身作為遮罩來進行。所淪述之條件（400托F2、55t：、5 w/ 2 29〇㈣UV光)下，且假定〇2 5W/cm強度之假疋〇_2 μΐΏ間隙中之額外10 ^^底二在經由康寧1737玻璃曝露時，Μ。之底切勉刻速率將 :’” 5 。在其他實施例中，藉由使上述製程條件變化，可增加或減小蝕刻速率β

多種可激勵化學物可用於此㈣製程中。舉例而言，可如上所論述而激勵f2。包含？2及〇2之混合物可曝露於^光、產生FQOF及FQ◦自由基。亦應理解特定可激勵化學物可與特定犧牲材料結合使用。舉例而言，SF6及NF3可經激勵並用於蝕刻Si。NH3可經激勵並用於蝕刻si〇2。此激勵可經由t漿或以上述方式類似於電衆般起作用經由, 輻射來進行。具有248 nm之波長的UV輻射具有5 eV之光子能，其足以破壞多數單鍵。較短波長仍可提供額外能量。在一些實施例中，隨著釋放犧牲層，脈衝調變汛及/ 或Μ波能量開啟/關閉（或振幅調變）可將反應物"泵"入或果"出空腔。亦應理解’可以類似於以上所論述之方式的方式來激勵其他氟化物f之許多。在某些實施例中’同質催化劑可與υν或其他類型之激勵結合使用。在一實施例中，在用化學方式或物理方式激勵蝕刻劑之條件下’ KrF2(或Kr+F2)可用作蝕刻劑。晶形 KrF2在213 °K下昇華’且在室溫下，KrF2為氣體。可獲得 KrF2氣體壓力，其比XeF2氣體之壓力大一個或兩個數量級’此可增加犧牲材料之蝕刻速率，如上所論述。另外， 134464.doc -55- 200919577

KrFz比XeFz顯著地較不昂貴。其具有許多個小時之壽命，且在製造線中現場產生其並在附近之系統中用於蝕刻製程中可為實用的。KrF2之遞送可經由不鏽鋼或銅管系來進打。其可藉由使Kr與F2之混合物曝露於具有在約25〇 11111至約3 5 0 nm之範圍中的波長的uv光來產生。

KrF2 —旦產生便可在有進一步純化或無進一步純化之情況下用於敍刻製程中。KrF2亦可在用作姓刻腔室之同一腔室中產生，從而消除將KrF2用管輸送至蝕刻腔室的需要。在一特定實施例甲，將待蝕刻之器件裝載至該腔室中，且接著將Kr及F2釋放至該腔室中。接著在可操作接近該腔室處活化UV光，且產生KrF2。在某些條件下，亦可產生F2 ^ KrF2及F自由基兩者將開始飯刻犧牲材料。根據以下反應，KrF2分子中之Kr在犧牲材料之氟化期間將用作同質催化劑：

Mo(s) + 3F2(g) —> MoF6(g) 可見，此氟化製程並未消耗Kr，且由此，將自該敍刻反應再生相同量之Kr。另外，KrF2分子之延長壽命使其適於用於蝕刻高縱橫比之犧牲層（諸如，干涉調變器中之犧牲層），其中該餘刻劑在到達犧牲材料之部分之前在正被釋放時沿著空腔内之長路徑向下擴散。類似地，可將Xe用作UV活化F2蝕刻製程中之同質催化劑，從而根據以下化學反應導致原位產生XeF2及餘刻諸如 Si或Mo層之層（關於餘刻Mo層來描述）： 134464.doc -56 - 200919577 3F2 +3Xe—^3XeF2 3XeF2 + Mo(s) -> MoF6(g) + 3Xe 若利用足夠之Xe使得Xe並非XeF2產生反應之限制試劑，則XeF2產生速率將視Fa存在之量、材料曝露於uv光之程度（例如，面積或體積曝露率），及1；¥光源之波長及功率輸出而定。在處理腔室包含400托f2及在大小為1〇

cmxlO cm之面積上發出約290 nm之波長的光的1〇〇〇 w UV 燈的實施例中，可產生1_2 g/min之XeF>2。若替代地使用 400托之OF?，且该燈發出具有248 nm之波長的光，則可以 5.4 g/min之速率來產生XeF2。如上文關於使用Kr來描述，將Xe用作催化劑，但並不被消耗。在蝕刻製程結朿時，可使用合適方法（諸如，以上所論述之方法）來回收在該蝕刻製程中所利用之Xe或Kr中的一些或全部。適於蝕刻n縱橫比犧牲層或其他層之蝕刻劑在周圍層對 UVfe射不顯著透射時可尤其適於使S，諸如在包含在製造過程期間由犧牲層分離的兩個金屬或另外不透明層的非光干MEMS器件中。|例而t ’此钱刻製程可適於钱刻在。括由犧牲層分離之兩個鄰近不透明層之某些細應開關中的犧牲層。在另實施例中，將諸如Kr或Xe之惰性氣體用作同質催产劑y用於維持初始餘刻劑包含一諸如或Μ!之惰性氣體氟化物的蝕刻迤 J表私。在一特定實施例中，藉由將XeF2 釋放至處理腔室中央 τ木開始一蝕刻製程。亦可將匕釋放至該 134464.doc •57· 200919577 腔至中，連同XeF2—起或在不同時間時，諸如在xeF2釋放之後。由於元素Xe可為XeF2蝕刻製程之副產物中之一者，故處理腔室内之處理氣體可最終含有元素Xe，即使其並非以彼形式釋放至處理腔室中。

接著可使處理腔室内之處理氣體曝露於uv輻射，如上所論述，此將使元素Xe及F2形成XeF2。XeF2接著將繼續蝕刻製程。可以此方式在不引入額外XeF2之情況下或在引入比另外將必需之XeF2少的額外XeFz之情況下維持以匕製程。在某些實施例中，可隨時間過去而釋放額外&，連續地或以脈衝方式。在特定實施例中，可藉由使處理氣體經由透射基板及/或其他透射層而曝露於UV輻射來產生 XeF2 ’使得可在蝕刻邊界處直接產生XeI?2。儘管關於XeF2 來論述，但此方法可與其他惰性氣體氟化物（諸如，KrF2) 一起使用，以亦使用彼等蝕刻劑來維持蝕刻製程。 UV激勵亦可用於一蝕刻製程之一實施例中，其中分子或其衍生物中之0-F鍵經解離以形成自由基。如上所提，解離條件可判定Oh分子藉以解離之方式。舉例而言，在使用具有約250 nm或更小之波長的光子時，子將在以下反應中完全解離成Ο及F自由基： of2~^f + f + o 改长的光子，則〇1?2分若使用具有約250 nm至495 子將按以下方式來解離：

OF2 + OF 若使用具有約495 nm至550 nm之波長的光子，則〇f2分 134464.doc -58 - 200919577 子將根據以下反應來解離： of2-^f2+〇 OF2之解離速率視（例如）〇F2分子之吸收率、uv光之強度及量子產率而定。若假定量子產率在uv光譜内實質上恆定，則解離速率為OF2對UV光之吸收率與uv*通過任何介入媒體之透射率的乘積。在鄰近於犧牲材料之Oh經由光透射基板而曝露於UV光的實施例中，uv光之透射率之優勢因子（dominant factor)為基板之透射率。在一特定實施例中’所使用之基板為〇·7 mm厚之康寧1737玻璃基板。圖20A為作為波長之函數的uV光之〇F2吸收的圖表。圖 2{^為如由康寧1737資料表給定的〇.7111111康寧173 7玻璃之 UV透射的圖表。圖2〇C為作為透射通過此基板之uv光之波長的函數的OF2之解離速率的圖表。可見，使用具有在約310 nm至約350 nm之範圍中的波長的UV光將出現最高解離速率。如上所提’曝露於此波長之UV光將引起至〇及 OF之解離。當用於蝕刻Mo犧牲層時，一蝕刻副產物將為 M0F4 ’其比一些其他蝕刻反應之副產物較不易受水影響且對矽具有較小腐蝕性，從而促進相對於鄰近層對M〇層之選擇性餘刻且亦促進對姓刻副產物之處理。儘管已關於寬面積之UV曝露來論述UV激勵或UV光解離餘刻劑之上述實施例，但可使用更聚焦之UV曝露來定位姓刻市售之UV雷射能夠產生具有小於1 之寬度的點束’諸如ESI 9850UV工具，其能夠產生〇.8 μπι點大小之 134464.doc •59- 200919577 uv束。對於UV光解離蝕刻劑（諸如，由點uv束光解離之cl2或 F2)而言，C1或F自由基將實質上僅沿著射束路徑來形成。給定適當製程條件，可產生具有與次微米點大小uv束相同數量級之平均自由路徑的C1或F自由基。在某些實施例中，此可經由包括防止自由基之鏈傳播及擴散之自由基清除劑來進行。舉例而言，可將4〇〇托之〇2用作自由基清除齊J藉由50 C之UV增強CL餘刻來圖案化si。在此等條件下，藉由Ch分子之光解離而產生之〇1自由基的平均自由路徑將小於0.5 μηι。因此，在適當製程條件下，υν雷射或其他點υν源之使用了准4對材料之無遮罩姓刻。如上所論述，諸如干涉調變器之MEMS器件的製造通常包含多個圖案化步驟，其可 /ν及或夕個遮罩之使用。在某些實施例中，可使用點 υν增強圖案化來以MEMS器件製造所要之解析度來精確地圖案化此等層。舉例而言，以上所論述之干涉調變器製造過程可包含犧牲層之圖案化以形成支撐結構之孔隙。在一實施例中，此係在不使用遮罩之情況下藉由將UV增強蝕刻劑及自由基 /月除劑引入至處理腔t中及經由諸如uv雷射之uv點光源來使待蝕刻之犧牲層之部分曝露於uv光來進行。自由基係產生於光束之路徑中，且犧牲層曝露於uv光源之部分將藉由所產生之自由基蝕刻。在一特定實施例中，可使用在UV照射下解離的基於氟之化合物來圖案化包含河^或“ 134464.doc -60· 200919577 之犧牲層，如上所論述。可以此方式蝕刻之其他犧牲層包括（但不限於）Ge及Ge-Si層》亦可使用其他合適之UV活化蝕刻劑，且亦可以此方式來圖案化MEMS器件内之其他材料或層。舉例而言，河〇亦可用於光學堆疊中，且可在UV照射下藉由匕蝕刻，如上所論述。MoCr層可用於光學堆疊中，且可在uv照射下藉由F2蝕刻以形成MoF6&CrF5。刈可用作高反射層（諸如在可移動反射子層中），且可在uv照射下藉由Ch蝕刻以形成

Al2ci6 〇在使用uv雷射來激勵蝕刻劑（尤其與自由基清除劑組合）時’可能不需要遮罩或將蝕刻約束於橫向方向上之其他方法，因為自由基將實質上僅存在於uv雷射束之路徑中。然而，由於蝕刻將曝露下伏層，故在下伏層易受所產生之自由基蝕刻時，可在待蝕刻之層下面提供蝕刻終止層。在某二實施例令，該蚀刻終止層可包含一合適之氧化物或氮化物。舉例而言，在特定實施例中，可用作在待蝕刻之層下方的姓刻終止層的材料包括（但不限於）Si〇2、及 A1203 0 在其他實施例中，可利用化學激勵。在特定實施例中，額外材料可與犧牲層一起沈積或鄰近於犧牲層以用作蝕刻反應中之催化劑或試劑。可（例如）藉由自由基產生來進行化學激勵。在一些實施例中，可使用來自偶氮-腈族之自由基起始劑。一實例為2,2-偶氮二[2-甲基_]·丙腈 (AZDH)。可使用此族中之各種分子來在不同溫度下產生 134464.doc -61- 200919577 自由基，且此等自由基可持續幾個小時。偶氮腈自由基起始劑可在商業上獲得（例如，由Dupont生產之Vaz〇⑧族有機過氧化物（例如，二第三丁基過氧化物）' 超過氧化物 (例如，正十二烷基超過氧化物）及過酸酯（例如，過氧化苯酸乙酯）為自由基起始劑之其他實例。在使用OF,解離來產生蝕刻特定材料之自由基的實施例中，NO可連同ο。一起被引入以便加速ο。之解離。N〇為具有可根據以下反應引起Oh之解離的未成對電子的分子自由基：

〇F2+NO-^F + FONO FONO接著可根據以下反應來進一步分解： FONO F + NO 2 F自由基與NO藉由此反應而產生，且？自由基接著可與待姓刻之材料反應。儘管未關於個別系統或方法來特定地論述，但應理解，適於執行上述實施例之_系統可包含_電腦或其他控制系統。此電腦或其他控制系統可操作地連接至該系統之组件中之一或多I ’且亦可連接至未圖示之系統組件，諸如壓力系統或其他監控設備。亦應理解，本文所論述之各種方法之至少-些步驟可藉由—電腦來執行，且此電腦可利用-電腦可讀媒體’該電腦可讀媒體包含用於執行本文所論述之各種方法之某些步驟的指令。應理解，上述實施例之各種組合為可能的。舉例而言，如上所提，可使用其他惰性氣體氟化物來替代上述實施例 134464.doc -62 - 200919577 中之XeF2。亦應認識到，視實施例而— 定且清楚規定，否則本文所述之任a弋’除非本文另有特以其他順序執行，可被添加 °方法的動作或事件可並非所有動作或事件為該等方 u去（例如，德势Ρ β 一 ^ <貫殘所必要的）。儘吕已展不、描述了以上實施方式並指出了本發明應用於各種實施例的新穎特徵，但應之如者可在不脫離本發明之精神的情況下對所說= 件的形式及細節進行各種省略、取代 ^ 咖日碰中所閣述之所有特徵及益處的形式内具體化本發明，因為一此特實踐。 —特徵了與其他特徵分開使用或【圖式簡單說明】大圖！為描緣一干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等角視圖’其中第一干涉調變器之可移動反射層處於鬆弛位置’且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。圖2為說明併有3X3干涉調變器顯示器之電子器件之-實施例的系統方塊圖。圖為圖1之干涉調變器 < 一例示性實施例的可移動鏡面位置對所施加電壓的圖。 ®4為可用於驅動一干涉調變器顯示器之一組列電壓及行電壓的說明。圖5 A說a月圖2之3x3干涉調變器顯示器中之顯示資料的一例示性圖框。圖5B說明可用於寫入圖5A之圖框之列及行信號之一例 134464.doc -63- 200919577 示性時序圖。圖6A及圖6B為說明一包含複數個干涉調變器之視覺顯示器件之一實施例的系統方塊圖。圖7A為圖1之器件之一橫截面。圖7B為一干涉調變器之一替代實施例之一橫載面。圖7C為一干涉調變器之另一替代實施例之一橫截面。圖7D為一干涉調變器之又一替代性實施例之一橫截面。圖7E為一干涉調變器之一額外替代實施例之一橫截面。圖8為說明在製造干涉調變器之方法之一實施例中的某些步驟的流程圖。圖9A至圖9E為在製造干涉調變器之方法中的各個階段之橫截面示意性說明。圖10為隔離元素氙且產生XeF2的處理流程之一實例的流程圖。圖11為作為溫度之函數的乂6及SiF4之蒸氣壓力的圖表。圖12為利用一尺寸鑑別器再循環未使用之XeF2的處理流程之流程圖。圖13為利用一冷阱再循環未使用之XeF2的處理流程之流程圖。圖14為說明一典型化學反應之反應物組合物之圖表。圖15為一包含副產物移除器之蝕刻系統的示意圖。圖16為作為兩個不同蚀刻製程之停留時間的函數的未使用之XeFa與初始xep2之比的圖表。圖P為經組態以增加一處理腔室内一蝕刻劑之初始分壓 134464.doc -64 - 200919577 的蝕刻系統之示意圖。圖1 8為一包含一冷阱之姓刻系統的示意圖。圖19為在用於製造MEMS器件之製程中之一階段的横裁面示意性說明，其中使用UV光來用物理方式激勵一蝕刻劑前驅物。圖20A為作為波長之函數的UV光之of2吸收的圖表。圖20B為作為波長之函數的0.7 mm康寧1737玻璃之UV透射的圖表。

圖20C為作為波長之函數的之離解率的圖表。【主要元件符號說明】 12a 干涉調變器/像素 12b 干涉調變器/像素 14 可移動反射層/金屬材料條帶 14a 可移動反射層 14b 可移動反射層 16 光學堆疊 16a 光學堆疊/列電極 16b 光學堆疊/列電極 18 柱/支撐件 19 間隙/空腔 20 透明基板 21 處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動器電路 134464.doc •65· 200919577 26 行驅動器電路 27 網路介面 28 圖框缓衝器 29 驅動器控制器 30 顯示器陣列或面板/顯示器 32 繫栓 34 可變形層 40 顯示器件 41 外殼 42 支撐柱插塞 43 天線 44 匯流排結構 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入器件 50 電源 52 調節硬體 60a 子層 60b 子層 60c 子層 62 犧牲層/犧牲材料 64a 子層 64b 子層 134464.doc -66- 200919577 f 100 一般化處理流程 200 製程 300 例示性製程 400 系統 410 蝕刻腔室 411 閥 412 閥 414 閥 416 閥 418 閥 419 閥 420 XeF2供應器/XeF2#/XeF2儲存腔: 432 感測器 434 感測器 440 循環泵 450 副產物移除器/尺寸鑑別器 460 Xe分離裝置/Xe再循環器 470 真空泵/系統 480 處理腔室 482 膨脹腔室 500 例示性系統 502 壓力感測器 504 壓力感測器 506 閥 134464.doc -67- 200919577 506a 閥 506b 閥 506c 閥 506d 閥 506e 閥 506f 閥 5〇6g 閥 506h f 閥 506i 閥 506j 閥 506k 閥 508 質量流控制器 510 蝕刻腔室 512 XeF2儲存腔室 514 〇2儲存腔室 516 ^ j 清洗氣體腔室 518 獨立蝕刻劑混合腔室 520 循環泵 530 冷阱 540 排氣泵 550 尺寸鑑別器 700 基板 710 犧牲層 712 犧牲層之移除部分 134464.doc -68- 200919577 720 光學堆疊 730 機械層 732 蝕刻孔 134464.doc -69-

Claims

200919577 十、申請專利範圍： 1· -種製造一電子器件之方法，其包含： k供-包含一待蝕刻層之電子器件該電子器件位於一蝕刻腔室内； :犧牲層曝露於—蝕刻劑，該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；收集來自該蝕刻腔室之氣體；及處理该等所收集到之氣體以將該惰性氣體氟化物與該專所收集到之氣體分離。 2·如請求項1之方法，其中該惰性氣體氟化物包含XeF2。 3. Π:托項1之方法，其另外包含使該所分離之惰性氣體氟化物返回至該蝕刻腔室。 4·如凊求項1之方法，其中該蝕刻劑進-步包含〇2。 5·如味求項1之方法，其中處理該等所收集到之氣體包含使用-冷醉來分離該惰性氣體氣化物。 6.如β求項i之方法，其中處理該等所收集到之氣體包含使用一尺寸㈣器來分離該惰性氣體氟化物。 7· 求項1之方法’其另外包含純化該所分離之惰性氣體氣化#勿。 8. ^求項1之方法’其另外包含在該使該犧牲層曝露於刻劑之製程期間將額外惰性氣體氟化物釋放至該姓刻腔室中以使XeF2之分壓維持於一預定位準。 9·如清求項1之方法’其中該待㈣層包含_犧牲材料。 1〇.如請求们之方法’其中該電子器件包含一 mems器件。 134464.doc 200919577 11.如請求項1之方法器。其中該電子器件包含— 干涉調變 12. 一種製造一電子器件之方法，其包含：提供-包含一待钮刻層之電子器件，該電子器件位於一蝕刻腔室内；使該犧牲層曝露於-敍刻劑，該名虫刻劑包含一惰體氟化物； A 收集來自該姓刻腔室之氣體，·及處理該等所收集到之氣體以分離一惰性氣體。 13.如請求項12之方法，其中該惰性氣體氟化物包含X叱，且其中該惰性氣體包含Xe。 14. 如請求们2之方法，其中處理該等所收集到之氣體以分離該惰性氣體包含轉化該等所收制之氣體内的含惰性乳體物質以獲得元素惰性氣體。 15. 如請求項14之方法，其中轉化該含惰性氣體物質包含使 ^ 至乂者液洛轉化器、一固體床轉化器或一氣浴轉化器。 16.如凊求項12之方法，其中處理該等所枚集到之氣體以分 =丨“生氣體包含使來自該蝕刻腔室之該等氣體的至少 -部分曝露於—活性劑，該活性劑經組態以與—具有一接近於A隋性氣體之沸點的沸點之副產物相互作 17. 求項12之方法’其中處理該等所收集到之氣體以分離該惰性氣體包含使用一冷阱。 134464.doc 200919577 18·如請求項12之方法，盆中該電 '、τ次电卞态件包含一 MEMS器件。〇 19·如請求項12之方法，其雷卉甲电于器件包含一干涉調變器。 2〇· -種用於製造一電子器件之蝕刻器件，該蝕刻器件包含：蝕刻腔室，其用於固持一包含一待蝕刻層之電子器件； —儲存腔室，其可操作地附著至該蝕刻腔室，其中該儲存腔至經組邊以儲存一蝕刻劑，且其中該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物； —分離組件，其可操作地附著至該蝕刻腔室，其中該分離組件經組態以隔離一含惰性氣體之處理氣體。 21_如請求項20之蝕刻器件，其中該惰性氣體氟化物包含 XeF!。 22·如請求項20之蝕刻器件，其中該含惰性氣體之處理氣體包含元素惰性氣體。 23·如請求項20之蝕刻器件，其中該含惰性氣體之處理氣體包含該惰性氣體氟化物。 24. 如請求項20之蝕刻器件，其中該分離組件包含一冷阱。 25. 如請求項20之蝕刻器件，其中該分離組件包含一尺寸梦別器。 a 26. —種製造一電子器件之方法，其包含：提供一包含一電子器件之處理腔室，該電子器件包含 134464.doc 200919577 一待餘刻層；將一蝕刻劑引入至一膨脹腔室中，該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；減小該膨脹腔室之體積以增加該蝕刻劑之壓力；及將該經加壓之蝕刻劑引入至該處理腔室中以將犧牲層曝露於該钮刻劑。 27·如請求項26之方法，其中該惰性氣體氟化物包含又#2。 28. 如凊求項26之方法，其中該钱刻劑保持於該處理腔室中歷時一預定停留時間’該方法進一步包含在該停留時間結束時自該處理腔室移除該等氣體之至少一部分。 29. 如請求項27之方法，其另外包含在自該處理腔室移除該等氣體之至少一部分後將額外蝕刻劑引入至該處理腔室中。 3〇·如請求項29之方法，其另外包含將該額外蝕刻劑引入至該膨脹腔室中且在自該處理腔室移除該等氣體之至少一部分之前壓縮該額外蝕刻劑。 3 1 如吻求項26之方法，其另外包含使該膨脹腔室維持於— 比該處理腔室高之溫度下。 32. 如請求項26之方法，其中該電子器件包含_ mems器件’且其中該待钱刻層包含一犧牲層。 33. —種製造一電子器件之方法，其包含：提供一含有一電子器件之處理腔室，該電子器件包含一待飯刻層；將一蚀刻劑引入至該處理腔室中，該蝕刻劑包含一情 134464.doc 200919577 性氣體氟化物；及在引入該姓刻劑後減小該處理腔室之體積以增加該蝕刻劑之分壓。 34.如晴求項33之方法，其中該惰性氣體氟化物包含xej^。 35·如請求項33之方法，其另外包含將該蝕刻劑引入至一具有可變體積之膨脹腔室中及在將該姓刻劑引入至該處理腔室中之前減小該膨脹腔室之該體積。月求項3 3之方法，其中該|虫刻劑保持於該處理腔室中歷時—預定停留時間，該方法另外包含：自該處理腔室移除該等氣體之至少一部分；增加該處理腔室之該體積；在增加該處理腔室之該體積後將額外钮刻劑引入至該處理腔室中；及在引入該額外蝕刻劑後減小該處理腔室之該體積。 37. —種用於製造一電子器件之蝕刻器件，該蝕刻器件包含：儲存腔至，其經組態以儲存一钱刻劑，其中該姓刻劑包含一惰性氣體氟化物；及一處理腔室’其經組態以收納一待蝕刻之電子器件，其中該處理腔室與該儲存腔室流體連通，且其中該處理腔室具有一可變體積。 3 8.如請求項37之姓刻器件，其中該惰性氣體氟化物包含 XeF2。 39· —種用於製造一電子器件之蝕刻器件，該蝕刻器件包 134464.doc 200919577 含：一儲存腔室，其經組態以儲存一蝕刻劑，其^該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；膨服腔至’其與該儲存腔室流體連通，該膨脹腔室具有一可變體積；及處理腔至，其經組態以收納一待蚀刻之電子器件，其中該處理腔室與該膨脹腔室流體連通。 40_如請求項39之器件，其中該惰性氣體氟化物包含XeF2。 41. 一種製造一電子器件之方法，其包含：提供一含有一電子器件之處理腔室，該電子器件包含一待I虫刻層；將一钮刻劑引入至該處理腔室中，該蝕刻劑包含一惰性氣體氟化物；監控該處理腔室中該蝕刻劑之分壓；及至^、。卩分基於邊處理腔室中該触刻劑之該所監控分壓；來將額外蝕刻劑引入至該處理腔室中。 42. 如請求項41之方法，其另外包含監控該處理腔室之總壓力。 43. 如凊求項41之方法，其中基於該處理腔室中該蝕刻劑之 '亥所I控分壓來將額外蝕刻劑引入至該處理腔室中包含在蚪間週期内維持該處理腔室中該蝕刻劑之至少一最小分壓。 44_如凊求項41之方法，其中基於該處理腔室中該蝕刻劑之該所It控分壓來將額外蝕刻劑引入至該處理腔室中包含 134464.doc 200919577 在該蚀刻劑之該分壓降至-所要值以下時_性地將額外银刻劑引入至該處理腔室中。 45·如請求項41之方法’其另外包含自該處理腔室移除處理氣體。 46. 如清求項45之方法，其另外包含過滤該等處理氣體以將一惰性氣體與該等處理氣體分離。 47. 如凊求項45之方法’其另外包含過濾該等處理氣體以將該惰性氣體與該等處理氣體分離。 48. 如請求項41之方法，其中該電子器件包含__ 件。 49. -種用於製造一電子器件之蝕刻器件，該蝕含：啫存腔至，其經組癌以儲存—姓刻劑，其中該钮刻劑包含一惰性氣體氟化物；钱刻腔室，其用於在_ #刻製程期間固持—電子器件其中該蝕刻腔室與該儲存腔室流體連通；第—感測器，其經組態以判定該蝕刻腔室内該蝕刻劑之分壓；及二閥，其沿著該儲存腔室與該蝕刻腔室之間的一流體路徑而安置且可操作地連接至該第-感測器，該閥經組態以至少部分基於該儲存腔室内該蝕刻劑之該所判定分壓來控制該㈣劑在該儲存腔室與該㈣腔室之間的流動速率。 θ求項49之㈣器件’其另外包含—可操作地連接至 134464.doc 200919577 該閥的第二感測器，其中該第二感測器經組態以判定該敍刻腔室内之總壓力。 51. 如請求項49之蝕刻器件，其另外包含一經組態以將未使用之惰性氣體氟化物與自該處理腔室收集到之其他氣體分離的副產物移除器。 52. 如請求項49之蝕刻器件，其另外包含一經組態以將一惰性氣體與其他處理氣體分離的尺寸鑑別器。 53. 如請求項49之㈣器件，其中該惰性氣體氟化物包含 XeF2。 54. -種製造一包含一犧牲材料之電子器件的方法，其中該方法包含：提供一包含一犧牲材料之電子器件，該犧牲材料包含具通式MpXq之化合物，其中Μ係選自Mo、W、Si及 ^ ’ X係選自CI、F、0、N及Si，其中μ不同於X，其中 Ρ及q係在1至6之範圍中，且其中對一特定Μ而言， MpXq之莫耳體積大於Μ之莫耳體積；及於一飯刻劑。其中該蚀刻劑包含一惰性氣體氟化使S亥電子器件曝露 55.如請求項54之方法，物。 56. 如晴求項夕士、+ 、之方法，其中該蝕刻劑進一步包含〇 57. 如請求項55之古、1 之方法’其中該蝕刻劑包含XeF2。 58. 如晴求項57夕士、+ 去’其中對於一特定Μ而言，—莖且置位之Μρχ盥—苴兴斗早蝕刻 q-莫耳早位之Μ相比可由一較小體積之XeF2 134464.doc 200919577 59. 如請求@ 54之方法， 60. 如請求項 54之方法， 61. 如請求項 54之方法， 62. 如請求項 54之方法， 63. 如請求項 54之方法， 64. 如請求項 54之方法， 65. 如請求項 54之方法， 66. 如請求項 54之方法， 67. 如請求項 54之方法， 68. 如請求項 54之方法， 69. 如請求項 54之方法， 70. 如請求項 54之方法， 71. 如請求項 54之方法， 72. 如請求項 54之方法， 73. 如請求項 54之方法， 74. 一種包含一犧牲材料其中該犧牲材料包含MoF3。其中該犧牲材料包含MoF4。其中該犧牲材料包含MoF6。其中該犧牲材料包含MoN。其中該犧牲材料包含MoSi2。其中該犧牲材料包含Mo02。其中該犧牲材料包含Mo03。 / 其中該犧牲材料包含MoC13。其中該犧牲材料包含WN2。其中該犧牲材料包含WC14。其中該犧牲材料包含w〇2。其中該犧牲材料包含WF4。其中該犧牲材料包含Si〇。其中該犧牲材料包含Si3N4。其中該犧牲材料包含GeF2。之經部分製造之電子器件，該犧牲材料包含一具通式MpXq之化合物，其中Μ係選自M〇、 W、Sj Ge ; X係選自c卜F、〇、以及^ ’其中M不同於 X，其中？及4係在1至6之範圍中，且其中對一特定河而 έ 莫耳體積大於Μ之莫耳體積。 75.如請求項74之器件，其中對於一特定Μ而言，一莫耳單位之MpXq與一莫耳單位之μ相比可由一較小體積之XeF2 姓刻 76. 種用於製造一MEMS器件之蝕刻器件，該蝕刻器件包 134464.doc 200919577 含·· -儲存系統，其經組態以儲存—蝕刻劑1中該蝕刻劑包含XeF2及〇2 ; -餘刻腔室，其經組態以在一蝕刻製程期間固持一 MEMS器件，其中該#刻腔室與該儲存系統流體連通；及一冷阱，其與該蝕刻腔室流體連通，其中該冷阱經組態以移除該蝕刻製程之一副產物。 77. 如請求項76之蝕刻器件，其中該儲存系統包含：一第一儲存腔室，其經組態以儲存XeF2 ; 一第二儲存腔室，其經組態以儲存〇2 ;及此合腔室，其與該第一儲存腔室及該第二儲存腔室兩者流體連通。 78. 如請求項76之蝕刻器件，其另外包含一清洗儲存腔室，其中該清洗儲存腔室經組態以儲存一清洗氣體，且其中該清洗儲存腔室與該蝕刻腔室流體連通。 79·如請求項76之蝕刻器件，其另外包含：排氣泵，其與該蝕刻腔室流體連通，其中該排氣泵經組態以自該蝕刻腔室移除處理氣體；及尺寸鑑別，其經組態以將組份與該等處理氣體分離。 80. 一種製造-電子器件之方法，其包含：在蝕刻腔室内提供一未釋放之電子器件，其中該未釋放之電子器件包含：一犧牲層；及 134464.doc 200919577 鄰近於該犧牲層之一第一側的一或多個光透射層；，、里由該犧牲層之一部分來執行一初始蝕刻；將一氣態蚀刻劑前驅物釋放至該蝕刻腔室中；及用物理方式激勵該氣態蝕刻劑前驅物以形成一能夠蝕刻該犧牲層之一剩餘部分的化學活性物質。 81 ·如δ青求項80之方法’其中該初始蝕刻使該等光透射層之至少一部分曝露。 82’如5月求項80之方法，其中用物理方式激勵該氣態蝕刻劑月’j驅物包含經由該等光透射層使該蝕刻劑前驅物曝露於 υν光。 83’如切求項80之方法，其中用物理方式激勵該氣態蝕刻劑月，j驅物不包含執行一電漿蝕刻。 84’如明求項8〇之方法’其另外包含將一同質催化劑釋放至該蝕刻腔室中。其中該同質催化劑包含Kr或Xe。其中該氣態蝕刻劑包含OF2。其中該氣態触刻劑包含〇f2之一衍 85.如請求項84之方法， 86·如請求項80之方法， 87·如請求項80之方法生物。如°青求項80之方法，其中該電子器件包含一 MEMS器件。 89 Jrp 士主 ‘㈣衣項80之方法’其中該電子器件包含一干涉調變器。 90·種製造一電子器件之方法，其包含：在一處理腔室内提供一經部分製造之電子器件，該經 134464.doc 200919577 曝露部分；其1ί7該韻刻劑部分製造之電子器件包含一待蝕刻層之— 將—氣態餘刻劑引入至該處理腔室中，可藉由曝露於紫外線輻射而活化；及使垓待蝕刻層之—部分曝露於來自一紫外線雷射之輻 91 92. 93. 94. 95. 96. 97. &其中曝露於該紫外線雷射使該氣態勤刻劑活化。求項9G之方法’其另外包含在使該待㈣層之該部刀曝露於紫外線輕射之前將—自由基清除劑引人至理腔室中。义如切求項90之方法’其中該氣態蝕刻劑經組態以在曝露於紫外線輻射時解離。如請求項90之方法，其中該氣態蝕刻劑經組態以在曝露於紫外線輻射時被激勵至一化學活性狀態。一種製造一電子器件之方法，其包含：在—處理腔室内提供一電子器件，其中該電子器件包含一待蝕刻層；提供-氣態前驅物混合物，其中該氣態前驅物混合物包含氟及一惰性氣體；使該氣態前驅物混合物曝露於紫外線輻射以形成一情性氣體氟化物；及使該電子器件曝露於該惰性氣體氟化物。如明求項94之方法，其中該惰性氡體包含以。如請求項94之方法，其中該惰性氣體包含D。如叫求項94之方法，其中該氣態蝕刻劑前驅物係在一與該處理腔室流體連通之分離腔室内曝露於輻射，且其 I34464.doc 12 200919577 中使該電子器件曝露於該惰性氣體氟化物包含將該惰性氣體乳化物自該分離腔室釋放至該處理腔室中。 98. 如請求項94之方法，其令該氣態前驅物混合物係釋放至該處理腔室中，且其中曝露於紫外線輻射原位產生該惰性氣體氟化物。 99. 一種製造一電子器件之方法，其包含：在一處理腔室内提供一電子器件，其中該電子器件包含一待姑刻層；將一姓刻劑釋放至該處理腔室中，其中該勉刻劑包含一惰性氣體t，該姓刻劑與該待㈣層反應以形成元素惰性氣體作為一副產物；〃將氟釋放至該處理腔室中；及使該氟及該元素惰性氣體曝露於紫外線輻射以產生額外惰性氣體氟。刚·如:求項99之方法，其中該惰性氣體氟包含乂仏。 101 2求物之方法，其中該電子器件包含鄰近於該待蚀惰二，弟一側的一或多個光透射層，且其中該氟及該露於：體之至；部分係經由該-或多個光透射層而曝路於該紫外線輻射。 102.如請求項99之古、、土、、，，、中該電子器件包含一 MEMS器且該待蝕刻層包含-犧牲層。 134464.doc 13