TW200908839A - Solder mask, photoresist pattern forming method and the light-emitting device thereof - Google Patents

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200908839 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種可較佳地 等發光元件之電路基板的阻焊膜發光二極體 使用阻焊膜之光阻圖案形成方法。並且本發明係關於-種 種具有阻焊膜之絲層、積層有U ’本發明係關於一 及搭載於該電路基板上之發光元件的發光裝置電路基板 【先前技術】 對於發光二極體，利用其低電力消耗、長 Γ昭可實現小型及薄型化等優點，而將其應用於行動電 ;=明裝置4通訊號燈、顯示器等各種㈣。於搭載 =光二極體之電路基板上，為了提高發光二極 率而塗佈印刷白色之阻焊油墨，以 反耵 照專利文獻！之實施例25卜 +阻膜（參

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[專利文獻1]日本再表2005/03 1882號公報 【發明内容】 然而，為了防止阻焊油墨（液狀光阻）經由通孔（vh h:〇漏至電路基板之背面’必須在塗佈印刷液狀光阻之 刖，利用其他油墨預先填埋通孔，故導致製造成本上升。 ^又，因塗佈印刷液狀光阻之後，必須使之乾燥，故亦 而要用以回收所揮發之溶劑之成本。並且，由於電路基板 具有形成圖案之配線，故在面内具有凹凸。因此，對於液 200908839 狀光阻而5，存在光阻膜之平坦性較差之虞。 一用X防止上述之製造成本上升，且獲得平坦性優異之 光阻膜的方法，考慮到將阻焊劑製成膜狀。預先製成膜狀 之阻焊劑，已知有乾膜光阻。 ^而於先如習知之乾膜光阻中僅添加顏料而呈白色 者，作為用於提高發光二極體之反射率之白色光阻膜而言 並不充分，無法用作阻桿油墨之代替品。另一方面，若僅 將液狀光阻成膜，則存在如下問題：難以層壓於電路基板 上’表面平坦性差。 本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於，藉由 一種可用以提高發光二極體之反射率之阻焊膜，來提供一 種層麼性優異且平坦性優異之光阻膜。

亦即，本發明係關於一種阻焊膜，其特徵在於：該阻 焊膜具有由含有基質聚合物（A)、乙婦性不飽和化合物 (B )、光聚合起始劑（c )、顏料（D )及溶劑（e )而 成之感光性樹脂組成物所得之光阻層，且該光阻層於進行 下述（1)之處理後的色差計反射模式下之測量中，於Z 長430〜700nm之間每隔1〇nm所測得之分光反射率均在^ %以上。 (1)對整個面上具有35vm厚之銅箔的16mm厚之 FR-4覆銅積層板，以# 600進行一次拋光研磨，接著以# 1〇〇〇進行一次拋光研磨而整平之後，利用真空層壓機來層 壓阻焊膜。 θ 又，本發明係關於一種阻焊膜，其特徵在於具有如下 200908839 特性之光阻層，亦即：不僅於進行上述（1 )之處理後的 色差計反射模式下之測量中，而且於依序進行下述（i) 〜（3 )之處理後的色差計反射模式下之測量中，於波長43〇 〜70〇nm之間每隔l〇nm所測得之分光反射率亦均在65% 以上。 (1 )對整個面上具有35 m厚之銅箔的厚之 FR-4覆銅積層板，以#6〇〇進行一次拋光研磨，接著以# 1000進行一次拋光研磨而整平之後，利用真空層壓機來層 壓阻焊膜。 (2)將21格曝光格數片（step tabiet)重疊於上述阻焊 膜上，以可獲得10格銅格之曝光量對整個面進行曝光， 並使之硬化，然後以最小顯影時間2倍之顯影時間進行顯 影。 C 3)進行U/cm2之紫外線照射後，於15〇它下進行！ 小時之加熱處理。 耳人並且，本發明之阻焊膜較佳為，光阻層係由含有基質 4 口物（A )、乙烯性不飽和化合物（B )、光聚合起始劑 (二）、顏料（D )及溶劑（E )而成之感光性樹脂組成物 斤传之光阻層’更佳為，光聚合起始冑（c)包含酿基氧 化膦系光聚合起始劑（C1)與院基苯酮系光聚合 (C2 )之組合。 本發明之阻焊膜較佳為，光阻層之厚度為25〜 又較佳為，形成光阻層之感光性樹脂組成物之基質聚 7 200908839 合物（A)，係含有重量平均分子量為ι〇〇,〇〇〇〜25〇,〇⑽ 2含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)、以及重量平均 分子量為10，_〜8〇,〇〇〇之含叛基之（甲基）丙稀酸系聚合 物（A2 )而成，較佳為，相對於溶劑（E )除外之感光性 樹脂組成物，含有5〜30重量％之顏料（D)。 又，本發明係關於一種光阻圖案形成方法，係將上述 阻焊膜積層於基板上後，於上述光阻層上曝光出特定之圖 案，並藉由顯影將上述光阻層之未曝光部分除去，其特徵 在於：於上述曝光後且於上述顯影前，對上述光阻層進行 加熱處理。 並且，本發明係關於一種發光裝置，其特徵在於具有： 上述阻焊膜之光阻層、積層有上述光阻層之電路基板、以 及搭载於上述電路基板上之發光元件。 本發明之阻焊膜可提供白色之光阻膜，而且，相較於 利用液狀光阻所形成之光阻膜，平坦性較優異，同時底切 特性較優異，可形成並無端部缺損之圖案。 【實施方式】 以下，就本發明之實施形態加以說明。 本發明之阻焊膜’其特徵在於具有如下特性之光阻層， 亦即：於進行下述（1)之處理後的色差計反射模式下之 測畺中’於波長430〜700nm之間每隔1 〇ηιη所測得之分光 反射率均在65%以上；又，本發明之阻焊膜，其特徵在於 具有如下特性之光阻層，亦即：在依序進行下述（1 )〜 200908839 (3)之處理後的色差計反射模式下之測量中，於波長‘π 〜7〇〇nm之間每隔i〇nm所測得之分光反射率均在65%以 上0 (1)對整値面上具有35/zm厚之銅箔的l.6mm厚之 FR-4覆銅積層板，以# 6〇〇進行一次拋光研磨，接著以# 1000進行一次拋光研磨而整平之後，利用真空層壓機層壓 阻焊膜。

(2) 將21格曝光格數片重疊於上述阻焊膜上，以可 獲侍ίο格銅格之曝光量（例如100〜 400mJ/cm2)對整個 面進行曝光，並使之硬化，然後以最小顯影時間2倍之顯 Ά間進打顯影。再者，亦可於對整個面曝光之後且於顯 影之前進行加熱處理。加熱處理之條件並無特別限制，例 如，加熱溫度在赋以上、13(rc以下，加熱時間在ι〇分 鐘以上、2小時以下。 (3) 進行UW之紫外線照射後，於15代下 ι 小時之加熱處理。 亦即，本發明之阻焊膜， 層之分光反射率在65%以上， 射率亦在65%以上。 其特徵在於，硬化前之光阻 且硬化後之光阻層之分光反 進行複數 皆在65% 該分光反射率之測量係藉由在任意測量部位 次採樣來進行，實質上，膜整個面之分光 以上。 本發明中，色差計使用 同時測光方式分光式色差計 的是曰本電辛if \ 电巳工業公司製造之 sQ-2〇〇〇型，鎔愛 締零S周整使用的 200908839 是所附屬之「0-CAP」，標準調整使用的是標準白板（standard white plate) ( χ= 93.51/Υ= 95.40/Ζ= 1 12.91 ) 〇 再者’對進行上述（丨）之處理後（且在上述（2 )之 處理前）的光阻層之分光反射率進行測量時，為了防止由 靜電引起之灰塵附著或表面皺褶以抑制數據之偏差，故在 積層有支揮體膜之狀態下進行測量。支撐體膜，由於通常 是使用PET膜等可見光透射率較高之膜，故支撐體膜幾乎 不會對光阻層之分光反射率之測量產生影響。 對於光阻層之分光反射率，於波長430〜700nm之間 每隔10nm進行測量時，均在65%以上，較佳在7〇%以上。 又，分光反射率之上限愈高愈好，但若考慮到顏料之濃度 或膜厚等，則通常上限為9〇%，更佳為。若該分光 反射率過分地低於上述範圍，則反射光會過弱，或可透過 "玄光阻層而看見電路基板上之銅電路，並不實用。 又，。亥波長範圍之分光反射率之最大值與最小值之差， 車又仏在12%以下，更佳在1〇%以下。若該差過大，則有 反射光產生著色之傾向。 再者，代替分光反射率而以Huntei< [虬值來表示時， L值在80以上，&及b值均小於3。 …本發明之阻焊膜至少含有光阻層，典型為具有積層於 光阻層之早面上用以支撐光阻層之支撐體膜（載體膜）、 乂及用以保護光阻層之另一面之保護膜（覆蓋膜）的三層 結構。 本發明之阻焊膜，光阻層之厚度較佳為25〜i〇〇"m， 10 200908839 更佳為3〇〜7s 亦即當積;®於+ $光阻層之厚度過薄，則有如下傾向， 泡。例二板上時，電路（配線）附近會產生氣 m時，會有如二之：度為液狀光阻之典型膜厚即… 被覆不充分即電路基板上之電路（配線）之 法滿足作為阻二確保電路（配線）上之光阻，而無 度過厚，則有如下傾向，：一方面，若光阻層之厚 量將會不充八 亦卩糸外線照射時之紫外線透射 卢窄二 而產生底切，即，硬化後之光阻之下部寬 度乍於上部寬度。 丨見 (A)本V:阻焊膜較佳為’光阻層係由含有基質聚合物 二、：性不飽和化合物⑻、光聚合起始劑（c)、 ⑺）及溶劑⑻而成之感光性樹脂組成物所得。以 广述（A)〜（E)之各構成成分加以說明。 基質聚合物（A)若可溶於驗性水溶液者，則並無特 j阳定較佳為，以分子量不同之兩種特定聚合物（A】、 A2)作為主成分。再者，本發明中，所謂「作為主成分」 係指’亦包括基質聚合物（A)僅由分子量不同之兩種特 定聚合物（Al、A2 )所構成之情形。 分子量不同之兩種特定聚合物（A1'A2)中，其中一 種來合物係重s:平均分子量（Mw)為1〇〇,〇〇〇〜25〇,〇〇〇 之範圍的含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)，藉由使 用該含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)，可賦予較高 之成形性以及優異之可撓性。 再者，另一種特定聚合物係重量平均分子量（Mw )為 200908839 10,000〜80,〇〇〇的含缓基之（甲基）丙婦酸系聚合物（八2)， 藉由使用該含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A〗），可提 高各成分之相容性，賦予對電路之優異均覆性及較高之顯 影性’以及提高埋入電路中後之表面平滑性。分子量不同 之兩種特定聚合物（Al、A2 )較佳為酸值均為50〜 250mgKOH/g。 再者’重量平均分子量（Mw )，係使用GPC ( Gel Permeation Chromatography’凝膠滲透層析）裝置，以聚 苯乙烯基準來測量乾燥聚合物之THF ( TetraHydr〇Furan， 四氫呋喃）溶解液所得之值。 又本發明中’所谓（甲基）丙稀酸，係指丙烯酸、甲 基丙烯酸兩者，將該等統稱並記作「（甲基）丙烯酸」，所 謂（甲基）丙烯酸酯，係指丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯兩者， 將其等統稱並記作「（甲基）丙烯酸酯」。 上述重量平均分子量（Mw)為1〇〇 〇〇〇〜25〇 〇〇〇之 範圍的高分子量之含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1) ’ 例如，可列舉（甲基）丙烯酸與（甲基）丙烯酸酯之共聚物，更 佳可列舉（甲基）丙烯酸與（甲基）丙烯酸酯與苯乙烯之共聚 物。 上述（甲基）丙烯酸酯，例如可列舉（甲基）丙烯酸曱酯、 (甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、 (甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2_乙基己酯、（甲基）丙烯 馱％己酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸苄酯等芳 香族（甲基）丙烯酸酯；（曱基）丙烯酸二曱基胺基乙酯等含胺 12 200908839 基之（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸羥基乙酯、（甲基）丙歸 酸羥基丙酯等含羥基之（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸縮水 甘油醋等含環氧基之（甲基）丙烯酸酯等。該等可單獨使用， 亦可併用兩種以上。

而且，上述共聚物中，就可撓性、對電路之均覆性之 方面而S，較佳為均聚物（h〇m〇p〇lymer )之玻璃轉移溫 度（Tg )在20 c以下之（甲基）丙烯酸酯，就透明性、顯影 性等方面而言，較佳為含有甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸 之共聚物，更佳為進一步亦含有苯乙烯之共聚物。玻璃轉 移溫度（Tg)纟2(rc以下之單體之—例，可列舉丙婦酸甲 酯、丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯 '丙烯酸異丁酯、（甲 基）丙烯酸2-乙基己醋、（甲基）丙稀酸月桂酷、丙稀酸經基 乙酯、丙烯酸羥基丙酯等。 又，上述含鲮基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)之重 &平句刀子量（^4\¥)’較佳為1〇〇,〇〇〇〜25〇,〇〇〇之範圍， 尤佳為120,000〜200,000之範圍。若重量平均分子量 過低，則會具有可換性差之傾向，反之，#重量平均分子 量（Mw)過高，則會具有顯影性下降而導致解析度下降、 或顯影後出現殘渣之傾向。 而且，上述含缓基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)， 較佳為酸值為50〜250mgK〇H/g，更佳為酸值為⑶〜 24〇mgK〇H/g。若酸值過低，則會具有光阻顯影性不充分 之傾向，若酸值過高，則會具有光阻®案之細線密合性變 差之傾向。 13 200908839 接著’使用與上述高分子量之含羧基之（甲基）丙烯酸 系聚合物（A1) —起使用之含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合 物（A2 )，該含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A2 )具有 重量平均分子量（Mw)為1〇,〇〇〇〜80,000之範圍的中等 程度分子量（中分子量）。該具有中分子量之含緩基之聚 合物（A2 )，例如可列舉（甲基）丙烯酸與（曱基）丙稀酸醋 之共聚物、苯乙稀與（甲基）丙烯酸與（甲基）丙烯酸酯之共聚 物、苯乙烯與（甲基）丙烯酸之共聚物等，其中，較佳為苯 乙烯與（曱基）丙烯酸與（曱基）丙烯酸酯之共聚物、苯乙烯與 (甲基）丙烯酸之共聚物。 上述（曱基）丙浠酸S旨，與上述相同，例如可列舉（甲基） 丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲 基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2_乙基 己酯、（甲基）丙烯酸環己酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；（甲 基）丙烯酸苄酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸二 甲基胺基乙醋等含胺基之（甲基）丙烯酸醋；（甲基）丙稀酸經 基乙酯、（曱基）丙烯酸羥基丙酯等含羥基之（甲基）丙烯酸 酉旨；（f基）丙稀酸縮水甘油醋等含環氧基之（甲基）丙烯酸醋 等。該等可單獨使用，亦可併用兩種以上。 旦此種上述含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A2)之重 ΐ平均分子量（Mw) ’較佳為1G，_〜8M⑽之範圍， 尤佳為15,000〜70，_之範圍。若重量平均分子量（M 過低，則會具有可撓性差之傾向m重量平均分子 量過高，則會具有對電路之均覆性差，或與上述 200908839 含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)之相容性差而導致 光阻圖案之平滑性較差之傾向，或者是會具有埋入電路中 後之表面平滑性差之傾向。 而且，上述含羧基之（曱基）丙烯酸系聚合物（A2)， 較佳為酸值為50〜25〇mgKOH/g，更佳為酸值為12〇〜 240mgKOH/g。若酸值過低，則會具有光阻顯影性差之傾 向，若酸值過高，則會具有與含羧基之（甲基）丙烯酸系聚 合物（A1 )之相容性變差而導致光阻圖案之平滑性較差之 傾向’或者具有與基材之密合性差之傾向。 上述高分子量之含羧基之（曱基）丙烯酸系聚合物（Αι) 與中分子量之含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A2)之併 用比例’以重量比計較佳為設定在Al/A2 = 20/80〜70/30 之她圍’尤佳為A1 /A2 = 3 0/70〜6 0/40之範圍，更佳為Ai /A2 =3 5/65〜50/50之範圍。當偏離該併用比例之範圍時，則 有耐化學性差、或對銅電路之均覆性差之傾向。 而且’本發明中，當聚合物成分（A)使用上述高分 子量之含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)與中分子量 之含叛基之（甲基）丙稀酸系聚合物（A2 )此兩種（甲基）丙 烯酸系聚合物之情形時’並未限定於各一種之組合，亦可 為一種以上之A1與一種以上之A2的組合。特定之聚合物 (Al、A2 )以外之聚合物成分，可適當地使用任意之（曱 基）丙烯酸系聚合物、含乙烯性不飽和基之（甲基）丙稀酸系 官能性聚合物（例如’參照曰本特開2006-220804號公報 之實施例）。 15 200908839 又，基質聚合物（A)，並非僅限定於上述高分子量 之含羧基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)與中分子量之含 叛基之（曱基）丙烯酸系聚合物（A2)的摻合物，亦可使用 可开> 成膜之聚合物，例如重量平均分子量為5〇,〇〇〇〜 250,000左右之含羧基之（曱基）丙烯酸系聚合物。

V 上述聚合物成分（A)之含量較佳為，設定在溶劑（e) 除外之感光性樹脂組成物整體之2〇〜5〇重量％之範圍， 就對電路之均覆性之方面而言，尤佳為25〜45重量％， 更佳為30〜40重量％。若上述聚合物成分（A)之含量過 ^ ’則雖然有感光性樹脂組成物（光阻）於電路間之埋入 性變良好之傾向，但使用感光性樹脂組成物製成積層體（阻 焊膜）時，會具有如下傾向，亦即感光性樹脂層之膠黏性 會變仔過大，而在層壓於電路上時空氣容易進入，或以輥 T來保f感光性樹脂積層體時容易出現皺褶，或感光性樹 月曰、’且成物層容易自端面滲出等，因此保管性變差，或無法 。保用以對通孔進行蓋孔（tenting)之充分強度而產生破 知’或者具有如下傾肖’亦即光•阻過於柔軟，而在積層於 :路日:光阻發生流動而難以於配線上形成足夠厚之絕緣 尽，焊料耐熱性、耐溶劑性、耐鹼性等下降等。 有士反之，若上述聚合物成分（A)之含量過多，則會具 :#向，亦即電路基板與感光性樹脂組成物之間容易 /成空間，難^^^ 光性樹脂芦容易自雷之絕緣性，或由於該空間而使感 層合易自電路基板剝離。 與上述基質聚合物& ^ ^ Α； 起使用之乙烯性不飽和化 16 200908839 合物（B)，並無特別限定，例如，可適當地使用含乙烯 性不飽和基之(甲基)丙烯酸系單體。而且，較佳為使用兩 種以上之複數種此類單體成分。藉由如此使用複數種此類 單體成分，可平衡性良好地賦予焊料耐熱性、可撓性、耐 溶劑性、耐化學性等。

上述乙烯性不飽和化合物（B ),例如可列舉在、1分 子中含有至少兩個0H…氧(甲基)丙烯酸醋化合： (BO。藉由使用上述環氧（曱基）丙烯酸酯化合物（bi), 而使高溫反應（加熱硬化）之結果為，可賦予高度之交聯， 從而獲得優異之耐熱性及耐溶劑性。而且，上述環氧（甲基） 丙烯酸酯化合物㈤”，就耐熱性之方面而言，較：為 又酚A改性型環氧丙烯酸酯。此種雙酚a改性型環氧丙烯 酸醋，具體可列舉Daisel UCB公司製造之「服㈣」系 列之 600 系統之 645、648 或 3412、3500、3700 系統之 37〇1 等，新中村化學工業公司製造之EA-1020、1025、1026、10M k 等。違等化合物可單獨使用，亦可併用兩種以上。 使用上述％氧（甲基）丙烯酸酯化合物（βι)時之含量， #乂佳為Sx疋在溶劑（E )除外之感光性樹脂組成物整體之3 〜40重置％之範圍，就對電路之均覆性的方面而言，尤佳 重畺/ 若上述環氧（甲基）丙婦酸酯化合物（b !) g里认夕則會具有焊料耐熱性差之傾向，若上述環氧（甲 基）丙烯酸酯化合铷γ Ώ λ θ Μ 田化σ物（m)之含量過多，則會具有可 下降之傾向。 本發明中，上述乙烯性不飽和化合物（B )，除上述 17 200908839 環氧（曱基）丙稀酸酯化合物（B1)以外，亦可進一步使用 其他具有乙稀性不飽和基之（甲基）丙烯酸系單體成分。其 他（甲基）丙烯酸系單體成分’並無特別限定，若考慮到耐 熱性、耐溶劑性及耐化學性，則較佳為使用二官能以上之 多官能化合物。具體而言’可列舉環氧乙燒改性雙盼A二 (甲基）丙浠酸酯、三羥甲基丙貌三丙氧基三（甲基）丙烯酸 酯、乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、 四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、 f % 丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丁 一醇一（曱基）丙稀酸醋、新戊一醇二（甲基）丙稀酸酉旨、1,6_ 己二醇二（甲基）丙烯酸酯、甘油二（曱基）丙烯酸酯、季戊四 醇二（甲基）丙烯酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二（甲基）丙烯酸 酯、二乙二醇二縮水甘油醚二（甲基）丙烯酸酯、鄰苯二甲 酸二縮水甘油酯二（曱基）丙烯酸酯、羥基特戊酸改性新戊 二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二（曱基）丙烯酸酯、 ί 1，6_六甲基二縮水甘油醚二（甲基）丙烯酸酯、三羥曱基丙烧 \ ^ 二（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四 醇五（甲基）丙烯酸酯、甘油聚縮水甘油醚聚（曱基）丙烯酸 醋、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯 酸S旨、2,2’-雙（4-(甲基）丙烯醯氧基二乙氧基苯基）丙烷、2,2，_ 雙（4_(甲基）丙烯醯氧基五乙氧基苯基）丙烷、2,2，-雙（4·(甲 基）丙稀醯氧基聚乙氧基苯基）丙烷、丙烯酸2_羥基_3_(甲基） 丙稀酿氧基丙酯、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚三（甲基）丙 稀酸S旨、胺基曱酸乙酯（曱基）丙烯酸酯系化合物等多官能 200908839 單體。 上述胺基甲酸乙酯（甲基）丙烯酸酯系化合物，係用以 藉由後述光聚合起始劑（c)之作用而具有硬化性之重要 化合物。又’藉由使用上述胺基甲酸乙酯（曱基）丙烯酸酯 系化合物可獲得可撓性亦優異者，就此方面而言較佳。此 種胺基甲酸乙西曰（甲基）丙稀酸酯系化合物，具體而言，可 列舉以下述通式（1)所表示之胺基甲酸乙酯（曱基）丙烯酸 醋化合物。藉由使用該以通式（1 )所表示之胺基甲酸乙 酯（甲基）丙烯酸酯化合物，除優異之可撓性以外，亦可赋 予良好之顯影性。 H0 CHi4-C-0- (X3 Bh (COCHiCHiCH, 〇H HO CH2CH,0)n-CHii-Z-i-C- (V)k …（1) [通式（1)中’R表示氳原子或甲基，χ、Υ分別表示 υ -CH2CH(CH3)〇-、-CH(CH3)CH2〇-或-ch2ch2〇_，既可相同 或亦可不同。又，z表示碳數為2〜20之二價烴基，k表 示1〜30之整數’m表示卜1〇之整數，n表示卜8之整 數] 上述通式（υ中，R較佳為曱基，x較佳為—cH2CH2〇_， Y 較佳為-ch2ch(ch3)o-。 上述通式（1)中，以Z.表示之碳數為2〜2〇之二價 煙基，例如，除_(ch2)6•以外，可列舉下述所示者。其中， 較佳為-(CH2)6-。 19 200908839 CH* w

mr / m, 、\ 1 / T，K較住馮 1 0〜 為3〜6之整數，η較佳為3〜6之整數 上述以通式（1 )表示之胺基甲酸乙酯（甲基）丙烯酸酯 化合物之重量平均分子量（MW)，較佳為1500〜35〇〇之 範圍’尤佳為2000〜3000。 而且，上述以通式（丨）表示之胺基甲酸乙酯（甲基）丙 烯酸酯化合物中，尤佳為以_CH3、χ= _CH2CH2〇·、Υ CH2CH(CH3)0-、Z= -(CH2)6_、k= 15、m= 6、n= 4 所 表不之化合物。 又’亦可將適當量之單官能單體與上述多官能單體併 用’此種單官能單體’例如可列舉（曱基）丙稀酸2-輕基乙 酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2_羥基丁酯、 (甲基）丙烯酸2-苯氧基-2-羥基丙酯、鄰苯二甲酸2-(甲基） 丙細·醯氧基-2 -羧基丙醋、（甲基）丙晞酸3 -氣-2-經基丙S旨、 甘油單（甲基）丙烯酸酯、酸式磷酸2-(甲基）丙烯醯氧基乙 酯、鄰苯二甲酸衍生物之半（甲基）丙烯酸酯、N-羥甲基（甲 20 200908839 基）丙稀酿胺等。該等可單獨使用，或亦可併用兩種以上。 …上述乙烯性不飽和化合物（B)整體之含量，較佳為 «又:在冷Μ (E)除外之感光性樹脂組成物整體之〜的 重量％之範圍，尤佳為45〜55重量％。若上述乙烯性不 飽和化合物（Β )萼艚人θ )整體之含置過少，則會具有硬化後之焊 枓耐熱性、耐溶劑性、耐化學性差之傾向。反之，若上述 乙烯性不飽和化合物⑻整體之含量過多，則會具有產 生如下問題之傾向，亦即感光性樹脂組成物層之谬黏性變 ϋ大’層壓於電路上時空氣容易進入，或以輥狀來保管 日守谷易出現皺糟等。 與上述基質聚合物（Α)及乙歸性不餘和化合物⑻ Κ吏用之光聚合起始劑（c) ’並無特別限定，可使用 切公知者。例如，可列舉醯基氧化膦系1基苯剩系、 女息㈣、二苯^酮系（例如二苯甲酮、2•甲基二苯甲啊、 4,4’_二乙基胺基苯基二苯甲酮等）、噻噸酮系（例如2_異 丙基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2_甲基噻噸_、2,4_二乙基噻 頓酮等）、醌系（例如蒽醌、樟腦醌等）、吖啶系、吖啶 剩系"各吩二聚物系、茂金屬系等。該等可單獨使用：或 :可併用兩種以上。該等之中，較佳為將醯基氧化膦系光 κ s起始劑（C1)與燒基苯酮系光聚合起始劑（C2)併用 藉由併用光聚合起始劑（C1、C2)，可獲得如下優點，亦 即即使在後述顏料（D)之濃度較高時或光阻層為厚膜時， 光阻適性亦優異，可抑制底切。 酿基氧化膦系光聚合起始劑（C1)，例如可列舉甲 21 200908839 基笨甲醯基-二苯基氧化膦、2,4,6·三甲基苯曱醯基-二苯基 氧化物、2,4,6-二曱基苯甲醯基_苯基膦酸曱酯等單醯基氧 化膦類；雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）·苯基氧化膦、雙（2,4,6_ 二甲基苯甲醯基）-苯基氧化膦、雙（2,6_二甲氧基苯甲醯 基）-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦等雙醯基氧化膦類，烷基笨 酮系光聚合起始劑（C2 )，例如可列舉丨_經基-環己基_笨 基-酮、2-羥基-2-甲基-1-笨基_丙烷_丨·酮、羥基乙 f '氧基）苯基]-2_羥基_2_甲基-1·丙烷-1·酮、2-羥基-l-{4-[4-(2_ 羥基-2-甲基-丙醯基）苄基]苯基卜2_甲基_丙烷酮所代表 羥基烷基苯酮類；2,2_二甲氧基_丨，2_二苯基乙烷_丨_酮 等苄基縮酮類，· 2-苄基-2-二甲基胺基-丨气仁嗎啉基苯基）· 丁 酮二、2-(二甲基胺基）_2_[(4_甲基苯基）甲基嗎啉 基）苯基]-1-丁酮、2-甲基-1-(4-甲基硫苯基）_2_嗎啉基丙烷_ ^同等胺基烷基苯酮類。其中，尤其就獲取之容易性、 減 > 底切、提高短波長侧之反射率的方面而言，較佳為， t 將作為醯基氧化膦系光聚合起始劑（Cl)之2,4,6_三曱基 苯甲醯基-二笨基氧化膦、與作為烷基苯酮系光聚合起始劑 (C2)之羥基烷基苯酮類的丨_羥基_環己基-苯基_甲_ 併用之組合。 上述光聚合起始劑（C)之含量，較佳為設定在溶劑 E)以外的感光性樹脂組成物整體之1〜15 圍，太、社蛊 里/0〈乾 住為2〜1〇重量％。若上述光聚合起始 含旦、晶W、 ^ \ ^ ^ 0 ’ 則會具有靈敏度變得不充分而無法進行上述乙 缚性不飽和化合物（B )之充分硬化的傾向，反之，若上 22 200908839 ’則會具有產生解析性 述光聚合起始劑（c)之含量過多 差等不良狀況之傾向。 並且，於將醯基氧化膦系光聚合起 苯酮系光聚合起始劑（C2)併用之情 坑基 曰 障$時’其含有比例以 重置比計較佳為㈣2 = 8咖〜4咖之範圍，尤佳為7〇/3〇 〜60/40 <範圍。若上述含有比例偏離該範圍，則有如下 傾向’亦即無法獲得硬化光阻之表面光澤，或光阻圖案之 底切ά大，或無法獲得實用之曝光靈敏度。 與上述基質聚合物（Α)、乙婦性不飽和化合物（β) 以及光聚合起始劑（C) 一起使用之顏料（D)，若可將感 光性樹脂組成物著色為白色，則並無特別限定，典型的是， 可使用金紅石型、銳鈦礦型等各種氧化鈦。其中，金紅石 型氧化鈦顏料以較少之使用量即可確保反射率，故較佳。 又為了使顏料（D)穩定地分散於光阻樹脂中，通常會 對顏料粒子進行表面處理。市售之氧化鈦，例如可列舉

Titone SR-1、Titone R-650、Titone R-3L、Titone A-110、

Titone A-150、Titone R-5N (以上均為堺化學工業股份有 限公司製造）’ Tipaque R-580、Tipaque R-930、Tipaque A-100、Tipaque A-220、Tipaque CR-58 (以上均為石原產 業股份有限公司製造），Kronos KR-3 10、Kronos KR-380、

Kronos KR-480 ' Kronos KA-10 ' Kronos KA-20 ' Kronos KA-30 (以上均為鈦工業股份有限公司製造），Ti-PureR- 900、Ti-Pure R-93 1 (日本杜邦股份有限公司製造），Titanix JR-300、Titanix JR-600A、Titanix JR-800、Titanix JR-801 23 200908839 y驳伤有限公司製造）等。 上述顏料（D)之八旦 ^ ^ „ , 置’較佳為設定在溶劑（E)除外 之感光性樹脂組成物整^ ςW I )除外 以使Η=顏料（D)=〜：重量％之範圍’尤佳為， 茸屮 /農度（重量％ ) X樹脂厚（# m )所 具出之Η之範圍為4〇〇〜 濃度。若顏料（D)、“' 设定顏料（D)之 $ ，則會具有無法獲得充分之反射 = 顏？…過多，則會具有如下傾向，亦即 硬化、1ί透射夏變低’故藉由紫外線照射所進行之光阻 不刀，而無法形成適當之光阻形狀。 與上述基質聚合物（Α)、乙烯性不飽和化合物（Β)、 光聚合起始劑（C)及顏料（D) 一起使用之溶劑⑻， :為了容易將感光性樹脂組成物塗佈於後述支撐體膜上而 用。上述溶劑⑻並無特別限^，例如可列舉丙嗣、 甲基乙基酮等_類；甲#、乙醇、異丙醇等醇類；丙二醇 早甲峻、丙二醇單乙崎、丙二醇甲趟乙酸醋等喊類；醋酸 乙酯、醋酸丁酯等醋酸酯類；曱苯、=甲苯、四氫呋喃等 環式有機化合物；該等可單獨㈣，或亦可併用兩種以上。 而且，其濃度，係根據製作後述阻焊膜時所應用之方法、 黏度而適當設定，通常係固體成分為35〜6〇重量％之範 圍。 感光性樹脂組成物中，除上述基質聚合物（Α )、乙 烯性不飽和化合物（B)、光聚合起始劑（c)、顏料 及溶劑（E)以外，可視需要而適當地配合體質顏料、非 著色性填充劑、熱交聯劑、抗氧化劑、密合賦予劑、光吸 24 200908839 收剤、螢先增白劑、調平劑、阻趣 制^ ^ w 蝻泡劑等其他添加 劑。此種其他添加劑之含量，較佳 — 、 兩叹疋在溶剤（£ )除 外之感光性樹脂組成物整體之〇 〇 J〜^ Λ 4 * 重量％左六之益 圍。體質顏料或非著色性填充劑 ,...、 彳例如，可列舉二氧化矽 ^氫氧化銘1 、滑石等無機粒子，樹脂珠 粒等有機材料，視需要可單獨使用或併用兩種以上。 本發明中，將上述感光性樹脂組成物均句地塗佈於支 撐體膜之單面後進行乾燥，藉此可獲得光阻層。上述支撐 體膜’若為透明且具有可換性、紛命&虹 丹旁J視Γ生、耐塗佈乾燥者，則並無特 別限定，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二醋（ΡΕΤ， Ρ〇⑽hylene 丁erephthaIate)膜等聚醋膜、或延伸聚丙烯 (⑽，〇rientedPolypropylene)膜等，較佳為 ρΕτ 膜。 又，為了提高光阻之表面光澤而增大反射率，有效的 是，於表面平滑性不產生問題之範圍内使用高透明之支撲 體膜。該支撐體膜之裳# i 膜之霧度值較佳在2.5%以下，更佳在15 %以下。 並^，於製成觀狀來使用支撑體膜與光阻層之積層體 之情形時，為了防止具有黏著性之光阻層沾黏於支擇體膜 等可於光阻層之另一面（與支撐體膜相反之侧之面）上 加塵積層保護膜。 上述保護膜，例如可列舉聚乙烯（PE)膜、PET膜、 延伸聚丙烯（OPP ) 勝、忒四亂乙烯（PTFE )膜、聚乙烯 醇膜、尼龍膜等，鲂杜& ^ 較佳為PE膜。並且，較佳為使用保護 膜之光阻層側之表面的i 卸的千均粗糙度（Ra)在1以上者。通 25 200908839 常’其上限為Ra=3。藉由使用此種表面平均粗糙度（^) 之保-蒦膜，而將成為其粗縫面之凹凸面轉印至光阻層表面 上，因此當於電路上層愿光阻層時，若剥離保護膜而使所 轉印之凹凸面對向並接觸於電路面，並使用真空層麼機進 行層壓，則空氣之脫除變得良好，對電路 好’因而較佳。而且，若上述表面平均粗趟度（Ra)=良 則會具有對光阻之凹凸面轉印不充分之傾向。再者，上述 2面平均粗韓度（Ra)如JIS_B_〇6〇1_1994所示，係粗链 X曲線之面積除以測量長度所得之平均高度。 上述支撐體膜之厚度較佳為15〜…m。若支擇體臈 匕溥’則會具有阻焊膜自身之耐性差、切膜剝離時容易 產生破損之傾向’反之’若支撐體膜過厚’則會具有支撐 體膜變硬’且由於該硬度而導致光阻層對電路之均覆性差 之傾向。而且’上述保護膜之厚度通常為iq〜 佳為15〜35#m。 以 較 接著’就本發明之光阻圖案形成方法加以說明。本發 明之光阻圖案形成方法，係將本發明之阻焊膜積層於基板 =後’在上述光阻層上曝光出特定之圖案，並藉由顯影 夺上述光阻層之未曝光部分除去，其特徵在於，於上述曝 先之後且於上述顯影之前，對上述光阻層進行加熱處理。 以下，就用以使用具有支撐體膜/光阻層/保護臈三層結構 之阻焊膜來形成光阻圖案之各步驟加以說明。 [層壓] 自阻焊膜將保護膜加以剝離之後，使用層麗機將此阻 26 200908839 焊膜之光阻層之表面貼合於基板面。基板，例如可列舉後 述電路基板或構裝基板。貼合所使用之層壓機並無特別限 疋例如亦可使用在大氣壓下進行加熱加壓之層虔機，伸 右使用真空層壓機貼合於電路基板上，則對電路之均覆性 非常高，故較佳。 [曝光] 使圖案遮罩直接接觸（密合）於支撐體膜上並進行曝 光。又，近接式曝光、投影曝光之情形時，係使圖案遮罩 處於非接觸狀態來進行曝光。並且，亦可不使用圖案遮罩， 而進行使用雷射之直接成像（直接曝光）。上述曝光通常 係藉由紫外線（uv)照射而進行，此時之光源，可使用高 堡水銀燈、超高麼水銀燈、碳弧燈、氣氣燈、金屬齒素燈、 化學燈、雷射二極體(LD，Laser Di〇de )、釔鋁石榴石(Μ， Y«num Aluminum Garnet)雷射第三諧波、氬雷射等。

[加熱處理J

…進行該加熱處理而進行下一步驟之顯影，但藉 二對光阻層之加熱處理、換言之即增加對基板進行加 /皿之步驟，可促進曝光時硬化 卜兄刀之先阻層下部之硬化 夂應，減少顯影步驟中之所謂「側 丨叫额」，即底切量。 加熱處理若於曝光步驟之後 φ , _ 俊且於顯影步驟之前的期間 ij可於任意時點實施，為了碑 的θ A s , j筏侍穩定之效果，較理想 的疋使曝光步驟後至加熱處理 門 Ί始為止之時間為固定時 較佳在50°C以上、 加熱處理時之溫度並無特別限制 27 200908839 uot以下，更佳為80°c以上、no°c以下。若加熱溫度過 # ’則有底切量減少效果變小之傾向，若加熱溫度過高， 則有光阻層之未曝光部分亦產生硬化而難以獲得所需圖案 之傾向。

加熱時間亦並無特別限制，較佳在1 〇分鐘以上、2小 時以下，更佳在30分鐘以上、90分鐘以下。若加熱時間 過短’則有底切量減少效果變小之傾向，若加熱時間過長， 則有難以獲得所需圖案之傾向。 再者’加熱處理時，為了最大限度地提高效果，較理 想的是不除去光阻層上之支撐體膜來進行加熱處理。

【顯影J 剝離支撐體膜之後，藉由顯影而將未曝光部分（未硬 化部）加以溶解、分散除去。於光阻層為稀鹼顯影型之情 形時，顯影液係使用碳酸鈉、碳酸鉀等鹼濃度為〇3〜2重 夏％左右之稀薄水溶液。進行上述顯影時，就解析、密合 之穩定性之觀點而言，較佳為以均勻壓力進行噴霧之方 法。再者，上述鹼性水溶液中，亦可混入界面活性劑、消 泡劑或用以促進顯影之少量有機溶劑等。而且，顯影後充 分進行水洗並使之乾燥。 但較佳為增加下 藉由經由以上步驟而形成光阻圖案 述(紫外線）固化或熱固化各步驟。 [UV (紫外線）固化] 為了提高表面硬化性、焊料耐熱性、耐化學性等特性， 有效的是於充分進行顯影後之乾燥德， 、’ 乾琮後再進行UV固化（後 28 200908839 曝光）° UV固化通常係於0.5〜10J/cm2下使用。藉此， 可使所殘存之乙烯性不飽和化合物（B )反應以及使光聚 合起始劑（C )失去活性。

[熱固化J 為了進一步提高表面硬化性、焊料耐熱性、耐化學性 等特性’而進一步經由交聯反應步驟。作為該熱固化之交 聯反應步驟，通常係於135〜175。(：下保持20〜120分鐘。 接著’就本發明之發光裝置加以說明。本發明之發光 裝置’具有本發明之阻焊膜之光阻層、積層有上述光阻層 之电路基板、及搭載於上述電路基板上之發光元件。電路 基板’係具有用以對發光元件施加驅動電壓之電極、及連 接於電極之導體配線的絕緣性基板。所謂發光元件，係指 具有Pn接合或pin等雙異質接合之發光二極體（LED)、 超級發光二極體（SLD，Super Luminescent Diode)或半導 體雷射二極體（LD )等發光元件。一邊參照圖式，一邊加 以具體說明。 圖1，係示意性地表示搭載有表面構裝型LED之發光 裝置之剖面圖。發光裝置20，具有本發明之阻焊膜之光阻 層SR、積層有光阻層SR之電路基板21、及搭載於電路基 板21上之表面構裝型LED10。 電路基板21中，形成有在厚度方向上貫通電路基板21 之通孔（亦稱為盲通孔（blind Wa hole)) 21a，表側與背側 之各配線（典型的是將銅箔加以圖案化而成者）22經由通 孔21a而相連接。配線22連接於設置在電路基板21上之 29 200908839 電極焊墊23、24 ’電極焊墊23、24經由焊料膏25而連接 於表面構裝型LED 10之表面構裝用端子部I#、15。電路 基板21係由減成法（subtractive pr〇cess)、半加成法（semi_ ditive process)、全加成法（fuii additive process)、喷墨 等公知之步驟而製成β 本發明之阻焊膜之光阻層SR至少積層於電路基板2ι 之LED構裝面上即可，對於未構裝有LED之面而言，可

使用本發明之阻焊膜之光阻層SR，或者亦可使用其他阻焊 膜或液狀阻焊劑。 本發明之阻焊膜積層於電路基板21之最外表面，通 常’係以除去電極焊墊23、241連接部分而被覆整個表 面之形態來形成光P且展 層SR之圖案。又，根據光反射特性 之要求’有時亦僅被覆電路基板2…部分。再者，於 =^裳其他電子零件之情形時，並不被覆用以構裝該零件 之電極焊墊之連接部分，而是使其開口。 精由被覆通孔21a，可形成所謂之蓋孔，即，使通孔… 乍為空洞而殘留， 且亦維持光阻層來保護空洞部， P且油黑& ϋ 平坦性。因此，無須以液狀光 丨且油墨來填充通孔2la内 2 . _ 内攸而可抑制製造成本之提高。 事置糸不意性地表示搭載有接腳構裝型LED之發光 忒置之剖面圖。發井奘 層认、積層有朵P " ，/、有本發明之阻焊膜之光阻 板31上之：腳槿：層狀之電路基板31、及搭載於電路基 之接腳構裝型LED40。 於電路基板31中插人接腳構裝型㈣40之接腳41， 30 200908839 =二進行焊接之構裝孔31a及通孔叩，表側與背 之各配線32經由構裝孔31a及通孔m而相連接。圖2 所不之發光裝置30中，以除去 μ八 牙、去電路基板3 1之構裝孔3 1 a

^刀而被覆整個面之形態來形成光阻層SR 可藉由光阻層SR來祜蘧 y 孓被覆通孔31b而形成蓋孔，因此，無 須以液狀光阻油墨來填夯捅 · 术異充通孔31b内，從而可抑制製造成 冬之知南。 圖1以及圖2所示之發光裝置2〇、30,除LEm〇、4〇 之外’還具有電容器等構裝零件，搭載有構裝零件之電路 ，板2卜31上之部位亦利用已知之方法來焊接自光阻層⑽ 路出之電極與構裝零件。 圖1以及圖2所示之發光裝置2〇、3〇中形成於電路 基板2卜31表面之光阻層SR在較廣之波長範圍内且有高 光反射率，故不會影響LE⑽、4Q之發光色㈣，可高效 率地進行光反射。亦即，藉由本發明之阻焊膜可製成可 i 尚效率地進行光反射而不會影響咖構裝之發光色特性之 電路基板。 ^ 本發明之發光裝置並不限定於圖！所示之表面構裝型 或圖2所示之接腳構裝型，亦可為將表面構裝與接腳構袭 相混合之類型。 本發明之發光裝置可藉由如下方式製造，亦即：經由 上述層壓、曝光、加熱處理、顯影、uv (紫外線）固化、 熱固化各步驟而於電路基板上形成光阻層後，進行下述發 光元件之構裝。再者’於電路基板上形成光阻層時，亦可 31 200908839 省略加熱處理、UV (紫外结、儿 /… 化、熱固化各步驟，但較 it為增加該等各步驟。 —旱父

[發光元件之構裝J 利用常規方法將LED構裝於電路基板上。亦即 接腳構襄型㈣封裳進行構裝時，於基板 孔卡插人LED構裝之㈣m Μ之構裝 M/ 焊料來進料接，而進

仃與基板電極之電性連接。又，在對表面構裝型LE 進行構裝時，於自基板上之#阳思帝t 褒 曰土极上之先阻層露出之電極 焊料膏，暫時安裝LED封裳以I tED 金佈 机a從封裝之電極盥| 之電極相重合後，藉由回流焊進行連接。 〃 本發明之阻焊膜，亦可於LED元件（LED封裝）中用 作形成於LED晶片周圍之框狀構件（反射罩）之材料。失 照圖式並加以具體說明。 > 圖3係示意性地表示表面構裝型LED之剖面圖。表 構裝型LED10具備：封奘其te11 ^ ^ 侑封褒基板11、構裝於封裝基板u上 之藍色LED晶片16、於封裝基板u上形成於藍色㈣晶 片16周圍之框狀構件17、以及填充於框狀構件η内之封 入树月曰18。封裝基板11構成為平坦之覆銅配線基板，於 其表面上具備有晶片構料電塾（land)i2、電極導電塾^， 而且於其兩端緣具備表面構裝用端子部14、 ，若^ ^ 日曰乃構裝 ¥私12上放置有藍色LED晶片16，藉由接合焊線 咖祕叩_)19而分別電性連接於晶片構料電墊12及 鄰接之電極導電塾13，並且，將分散有微粒子狀榮光體之 封入樹脂18填充於框狀構件17之内側，並進行硬化。藉 32 200908839 此，將藍色LED晶片16接著固定於封裝基板u上。 框狀構件17於中央附近具有開口，於該開口内設有藍 色LED晶片16，藉此包圍藍色LED晶片16之周邊。籃色 led晶片16係藉由分散有螢光體之封入樹脂18加以封入， 故藉由來自藍色LED晶片16之藍色光來激發螢光體，產 生屬螢光之白色光。 本實施形態中，框狀構件17係由本發明之阻焊膜所形 f 成，故可高效率地反射屬勞光之白色光。亦即，可由阻焊 膜來製作反射罩。 形成LED封裝之情料，將咖元件載置於自封裝 基板上之光阻層所露出之電極上，利用接合焊線來連接咖 元件，並利用透明之環氧樹脂（白色發光元件之情形時分 散有螢光體）進行密封。 〔實施例〕 以下，列舉實施例進一步具體說明本發明，本發明只 要不超出其主曰，則並不限定於以下實施例。

[測量評價方法I 首先，就下述實施例中所進行之測量評價方法加以說 明。 (1)反射率（初期） 對整個面上具有35 厚銅箔之16mm厚之FR 4覆 銅積層板，以#_進行一次拋光研磨，接著以#1〇〇〇進 仃-次拋光研磨而整平，然後利用真空層麼機來層麼光阻 層。於此狀態下，使用曰本電色工業公司製造之同時測光 33 200908839 ^式刀光式色差計Sq_2〇〇〇型，歸零調整係使用配套之 CAP」‘準調整係使用標準白板（93 5ΐ/γ= 95 4〇/z =112.91)，來測量反射率。 於波長 4 3 0 ^ 7 〇〇nm 夕 P弓 π_ . 之間母1 Onm所測量之分光反射 率均為7 0 %以上時記作「砂 ^ ◎」’分光反射率為65%以上、 小於70%時記作「〇」，其他情況記作「χ」。 (2 )電路埋入性 於具有3以m厚之銅電路（mom—)之（_ 予之覆銅基板之銅續矣；μ 以阻焊膜之光阻層與 銅:表面相對向之方式載置並暫時附著阻焊膜，使用膜月 「(⑽職）式真空層愿機（Nichig〇_M〇rt〇n公司製造， ·130」），於減壓時間3〇秒、a ^ ^ , n, D 澄板/皿度60 C、到達真 工度〗.OhPa、加壓〇·1Μρ加屡 θ 刀縻時間30秒之條件下進行 孝貝層。顯微鏡觀察之評價基準如下所述。 订 〇.無氣泡 V... △:電路附近出現零星氣泡 X :電路附近出現連續氣泡 (3 )表面平坦性 將（2) t所獲得之積層品於2〇。〇下 後述10格銅格之曝光量 _ ^ ^ 時以 除去啦#之後，❹使之硬化。 跌m 使用Buhier試樣溆祚撬 厚銅電路d32G/32()/Zm)形 ’^斷35_ Μ而襄成剖面觀察試樣。此處，剖而夕+ 於铜帝丄 ° 之切斷係在垂直 於钔免路之長度方向的方向（寬度隹实直 遲行。接著， 34 200908839 使用Mitutoyo製造之測量顯微鏡，分別測量FR_4玻螭環 氧基材表面至光阻表面之距離之最大值及最小值，並算出 其差。評價基準如下所述。 〇.未達3.0 // m △ : 3.0〜5.0 // m X :超過 5.0// m (4 )底切 將於整個面上具有35μ m厚之銅箔之1 6mm厚的FR_ 覆銅積層板之銅箔表面上以（2 )所示之條件層壓有阻焊 膜之積層品’於20°C下放置2小時，使Stouffer公司製造 之21格曝光格數片密合於PET膜上。利用狄胃之水銀短 弧燈（平仃光曝光機），以最小顯影時間2倍之顯影時間

進竹顯衫時’以金屬部分露出之曝光格數片之數值達到W (1〇格銅格）之曝光量，曝光出具有線前端（末端）之圖 案（L/S= 320/320 μ m)。 此處，所謂顯影時間，係指曝露於顯影液之噴霧下之 時間’所謂最小顯影時間，係指對未經曝{(未硬化之） 之光阻層進仃顯影時，至光阻層溶解而基板面（或者鋼箔 或鋼電路面）露出為止之顯影時間。 / 显旦除去PET膜，並以最小顯影時間2倍之顯影時間進行 二後’利用上述Buhler試樣製作機，製成光阻圖案之剖 。忒樣。剖面之切斷係在垂直於光阻圖案之長度方向的方 ^ (見度方向）上進行。將所製成之剖面試樣，以剖面與 物台面平行之方式’固定於Mitut〇y〇製造之測量顯微鏡 35 200908839 之載物台上。 圖4係不意性地表示 忐阻圖案之剖面之顯微鏡圖像， 一邊參照圖4，一邊今明念i曰 遺說明底切量之測量方法。使 覆銅基板（基材）面之測#娩 冰， 主且、 、量線V，使測量線V貼合於光阻 層側壁之上部（最夬官； 又。卩之輪廓。接著，使顯微鏡載 物〇在光阻層之寬度方向（4中為女古a、 # PB ® Bit 為右方向）上滑動，使 :阻層側壁之下部（最小寬度部）之輪廓與基材之接點貼 5 ^測量、^ 據此時之顯微鏡載物台之位移量（光阻 層之寬度方向上之位移量）來丨吾曰 來底董U(#m)。評價 基準如下所述。 ◎:未達15" m 〇：15以m以上、未達2〇um △ · 20ym以上、3〇“m以下 X :超過30 # m (5 )缺損 立（4)對底切評價用基板之L/S= 320/320" m圖案形成 行”’’頁〜之後，利用光學顯微鏡來觀察光阻圖案之缺 損。評價基準如下所述。 〇：無缺損 X :有缺損 (6 )反射率（uv處理後） ,曰進行（1)之處理後，以（4)所記载之10格銅格之曝 光夏對整個面進行曝光硬化。將PET膜除去之後，以 顯旦{主 取ΛΙ、 、如日’間2倍之顯影時間進行顯影。接著，利用輸送帶式 36 200908839 uv固化裝置進行1J/cm2之紫外線照射，並且，放入⑴ °C之熱風循環式烘箱中1小時’藉此完全硬化。 於波長430〜700nm之間每隔1〇nm所 率均為以上時，記作「◎」，分光反射率為65 = 上、未達70%時記作r〇」，其他情況記作「X」。 (7)反射率之最大值與最小值之差 針對初期及uv處理後之各反射率，算出於波長43〇 〜70〇nm之間每隔1〇nm所測量之分光反射率之最大值與 最小值之差’按下述基準進行評價。 〇：10%以下 △:超過10%、12%以下 X :超過12% [感光性樹脂組成物] 準備以下物質作為基質聚合物（A)、乙稀性不飽和 化合物（B )、光聚合起始劑（C )、顏料（〇 )、溶劑（E )、 以及其他成分（F )。 (1 )可溶於驗性水溶液之基質聚合物（A ) A1 .南分子罝之含竣基之聚合物 以曱基丙細酸甲醋/甲基丙稀酸正丁醋/苯乙烯/曱基丙 烯酸=45/15/15/25 (重量比）之比例聚合而成之含叛基之 聚合物（重量平均分子量Mw = 168,000 ,酸值為 l63mgKOH/g) A2:中分子量之含羧基之聚合物 以苯乙烯/丙烯酸=75/25 (重量比）之比例聚合而成 37 200908839 之含羧基之聚合物（重量平均分子量Mw=2〇,〇〇〇，酸值 為 195mgKOH/g) (2 )乙稀性不飽和化合物（b ) B1 : Daicel-Cytec公司製造之「仙似…⑽」（其係 1分子中含有2個以上之〇H基之雙酚a環氧丙烯酸酯） B2 .壞氧乙烷改性雙酚A二丙烯酸酯（環氧乙烷之重 複數：10) B3 : Sartomer公司製造之「SR492」（其係三羥甲基 丙烧三丙氧基三丙烯酸S旨） (3 )光聚合起始劑（c )

Cl : Ciba公司製造之「Darocur TPO」（其係2,4,6-三 甲基本甲酿基-二苯基_氧化膊） C2.Ciba公司製造之「irgacure 184」（其係經基_ 環己基-苯基-酮） C3 _ Ciba公司製造之「irgacure 65 1」（其係2,2-二甲 氣基-1,2 -二苯基乙烧-1-酮） C4: Ciba公司製造之「irgacure 369」（其係2 -苄基_ 2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基）-丁酮-1) (4 )顏料（£)) D1 : Tayca公司製造之「Titanix JR-8 00」（其係金紅 石型二氧化鈦顏料，經氧化紹、碎酸表面處理，平均粒徑 為 0.28 // m ) (5 )溶劑（e ) E1 :甲基乙基酮 38 200908839 E3:丙二醇甲醚乙酸酯 (6 )其他成分（F ) F1 :作為體質顏料或非著色性之填充劑，未經表面處 理之煙熏二氧化石夕 F2 :作為熱交聯劑’ Cytec公司製造之「Resimene 735」 F3:作為阻燃劑，雙酌· a雙（鱗酸二曱笨酯）

F4 .作為調平劑，Surface Specialties公司製造之 Modaflow」 [阻焊膜Νο. 1〜6之製作及評價】 以表1所示之比例（重量份）將該表丨所示之各成分 A〜F溶解於溶劑中，製備感光性樹脂組成物溶液。接著， 使用敷料@ ’將该感光性樹脂組成物溶液均勾地塗佈於厚 霧度2.3%之航膜（支撐體膜）上，於室溫下 置刀30私之後，於13〇(>c之棋箱中乾燥 具Γ阻層之阻焊膜，該光阻層具有纟！所示之厚度將 = 膜之初期及UV處理後之反射率的測量結果、 ί : St表1中。再者，…組成中之顏料(-^表不顏料相對於溶劑除外之 反射率攔之「A.R4k 手又， 之砰價。 」標圮，係表示「反射率：反射率差」

No. 1 〜6 使用 路埋入性、表 果一併示於表 之阻焊膜， 面平垣性、底切 1中。 依照上述評價方法來進行電 、缺損之評價。將該等之結 39 200908839 [表1] 膜No. 組成 A1 [A2-ΓΓ —- _______ B1 ___ ~B2 HZ ~B3 ~ci ~C2 ~C3 ~C4 m HI Τϊ Ϊ2 : Ϊ3 ::: έγ^ΖΖΖΖΞ E2 m ^E3 HZ ~SiT(wt%)" 13 ~Ϊ9 22~互 Ίο^ 2 Π 19 ~22~互 Ίο~ 0.6 ~0Α1Γ 2.5 ~ΪΙ ~02 "55" ~20~ ~Ύ 13 0.6 "0J1Γ ~Τ~ JJ U ~02 ~55~ ~20~ τ~ 13 ◎:〇

且層厚度(^m) 反射率 初期 20 55 χ · χ UV處理後 埋又S

膜No. 1係光阻層具有液狀阻焊劑之通常厚度（2〇 β 之阻焊膜。初期及uv處理後之反射率均未達65%。盔法 良好地層Μ於覆銅基板上，且捲人有氣泡。又，光阻表面 之平坦性差，無法使用作為液狀光阻之代替品。 Ν〇_2係藉由增大由與No.l相 的膜厚而使初期反射率為65%以上 同组成所形成之光阻層 之阻焊膜。藉由增大膜 40 200908839 厚，電路埋入性、平坦性會提高，但底切量增大，又，無 法使uv處理後之反射率達到65%以上。 膜Νο·3係藉由將光聚合起始劑改變為醯基氧化膦系光 聚合起始劑（ci)與烷基苯酮系光聚合起始劑（c2)之組 。，並進一步增大顏料濃度，而使初期之反射率為Η %以 上。由於其係膜厚4 ，故層壓於覆銅基板上 時發現少量氣泡之捲入，但uv處理後之反射率亦為⑽ / 以上，表面平坦性優異，底切量較小，亦不存在端部之缺 、 損。 膜Νο·4之顏料濃度以及膜厚與N〇 2相同，且使用醯 基氧化膦系光聚合起始劑（C1)與烷基苯酮系光聚合起始 劑（C2 )之組合來作為光聚合起始劑。與n〇 2相比，藉 由光聚合起始劑之變更而使底切得到改善，又，亦可使uv 處理後之反射率達到65%以上。 膜Νο·5係使用與No 3、N〇 4相同之光聚合起始劑， I 且降低顏料濃度，增大膜厚。與Ν〇·4同樣，可滿足電路埋 入性、光阻硬化性、UV處理後之色調穩定性。 膜Νο.6係使用與ν〇.3、Νο.4相同之光聚合起始劑， 使顏料濃度低於膜Ν〇4且使膜厚薄於膜Νο.4。可使反射 率（初期、UV處理後）為65%以上，與Νο.4同樣，可滿 足電路埋入性、光阻硬化性、UV處理後之色調穩定性。 根據以上結果可知’藉由調整顏料濃度、膜厚，可提 供初期反射率為65%以上之阻焊膜。然而，為了將UV處 理後之反射率亦保持為65 %以上，使用如下感光性樹脂組 41 200908839 成物較為有用，該感光性樹脂組成物係使用醯基氧化膦系 光小合起始劑（C1)與烷基苯酮系光聚合起始劑（C2)所 '且《之光聚合起始劑。並且，由使用醢基氧化膦系光聚合 起始劑（ci)與烷基苯酮系光聚合起始劑（c2)之組合的 感光性樹脂組成物所構成之阻焊膜，即便減少顏料含有 率，增大膜厚’亦不會降低硬化後之光阻層之物性、尤其 是底切特性。 [阻焊膜Νο·2〜6與熱處理之關係】 使用上述所製作之阻焊膜Ν〇 2〜6，於曝光後（於進 二步伴有顯影步驟之評價方法中，係於曝光後且於顯影 …所示之條件進行加熱處理後，根據上述評價 方法對曝光後之物性即表面平坦性、底切、缺損進行評價。 將該等之結果示於表2中。 、 42 200908839 80°Cx60 分鐘 〇 〇 〇 ◎ 〇 ίη ◎ 〇 〇 〇 〇 寸 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 ΠΊ ◎ 〇 〇 ◎ 〇 (Ν X X 〇 〇 〇 110°Cx90 分鐘 〇 〇 〇 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 寸 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 ΠΊ ◎ 〇 〇 ◎ 〇 (Ν X X 〇 ◎ 〇 110°Cx60 分鐘 Ό 〇 〇 〇 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 〇 〇 寸 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 CN X X 〇 〇 〇 110°Cx30 分鐘 v〇 〇 〇 〇 ◎ 〇 in ◎ 〇 〇 〇 〇 寸 ◎ 〇 〇 〇 〇 m ◎ 〇 〇 ◎ 〇 <N X X 〇 < 〇 熱處理條件 膜No uv處理後反射率 反射率差 表面平坦性 底切 缺損 特性 200908839 由表2可知，藉由加熱處理，任—膜均可改善底切。 就底切之改善效果而言，可知膜N〇 2、N〇 3、N〇 4、n〇 6 較顯著’ Μ越薄則底切改善效果越大。又可知，藉由於ιι〇 °C下進行60分以上之加执虚理· 加热慝理可抑制厚膜化所導致之 底切增大（參照膜No.2 )。 【圖式簡單說明】 圖1 ’係示意性地表示搭載有矣 ^ w 戰有表面構裝型LED之發光 裝置之剖面圖。 圖2，係示意性地表示搭載 裝置之剖面圖。 妾腳構裝型LED之發光 圖3’係示意性地表示表面構裝 圖4，係干音&主 主白色LED之剖面圖。 係不忍性地表示光阻圖案 一之4面之顯微鏡圖像。 主要元件符號說明】 10 11 12 13 Η、15 16 17 18 19 表面構裝型LED 構裝基板 晶片構裝導電塾 電極導電墊 表面構裝用端子部 藍色LED晶片 框狀構件（反射罩） 封入樹脂 接合焊線 44 200908839 20 ' 21、 21a 11、 23、 25 31a 40

41 SR 30 發光裝置 31 電路基板 、31b 通孔 32 配線 24 電極焊墊 焊料膏 構裝孔 接腳構裝型LED 接腳 光阻層 45

Claims (1)

1. 200908839 十、申請專利範圍： 丨·一種阻焊膜，其特徵在於： 其具有由含有基質聚合物（A)、乙烯性不飽和化合 物（B)、光聚合起始劑（C)、顏料（D)及溶劑 而成之感光性樹脂組成物所得之光阻層，且該光阻層在進 行下述（1)之處理後的色差計反射模式下之測量中，於 波長430〜700nm之間每隔1〇nm所測得之分光反射率均 6 5 %以上； _ (1)對整個面上具有35^m厚之銅簿的16mm厚之 FR-4覆銅積層板，以#6〇〇進行一次拋光研磨，接著以# 1_進行-次拋光研磨而整平之後，㈣真空層壓機來層 壓阻焊膜。 2·如申請專利範圍帛i項之阻焊膜，其具有如下光阻 層’該光阻層在依序進行下述⑴〜⑴之處理後的色 差計反射模式下之測量中’於波& 43〇〜—之間每隔 l〇nm所測得之分光反射率均為65%以上； (1) 對整個面上具有3&m厚之銅箱的16mm厚之 FR_4覆鋼積層板，以# 600二欠進行一次抛光研磨，接著以 #1_進行—次拋光研磨而整平之後，利用真空層壓機來 層壓阻焊膜； (2) 將21格曝光格數片重疊於該阻焊膜上，以可择 得10格鋼格之曝光量對整個面進行曝光，並使之硬化^ 然後以最小顯影時間2倍之顯影時間進行顯影； (3) 進行UW之紫外線照射後，於下進行i 46 200908839 小時之加熱處理。 3_—種阻焊膜，其特徵在於： 其具有由含有基質聚合物（A)、乙烯性不飽和化入 物（B )、醯基氧化膦系光聚合起始劑（C1 )與烷基笨綱 系光聚合起始劑（C2 )之組合、顏料（d )及溶劑（E )而 成之感光性樹脂組成物所得的光阻層，且該光阻層於進行 下述（1 )之處理後的色差計反射模式下之測量中，於波 長430〜70〇nm之間每隔i〇nm所測得之分光反射率均為65 %以上； (1 )對整個面上具有35/z m厚之銅箔的1.6mm厚之 FR-4覆銅積層板，以#6〇〇進行一次拋光研磨，接著以# 1000進行一次拋光研磨而整平之後，利用真空層壓機來層 壓阻焊膜。 4.如申請專利範圍第3項之阻焊膜，其具有如下光阻 層，該光阻層在依序進行下述（1)〜（3)之處理後的色 差计反射模式下之測量中，於波長43〇〜7〇〇nm之間每隔 10nm所測得之分光反射率均為65%以上； (1 )對整個面上具有35 m厚之銅箔的16mm厚之 FR-4覆銅積層板，以# 6〇〇進行一次拋光研磨，接著以# 1000進行—次拋光研磨而整平之後，利用真空層壓機來層 壓阻焊膜； (2)將21格曝光格數片重疊於該阻焊膜上，以可獲 得10格銅格之曝光量對整個面進行曝光，並使之硬化， 然後以最小顯影時間2倍之顯影時間進行顯影； 47 200908839 )進行lJ/cm2之紫外線照射後，於150°c下進行1 小時之加熱處理。 5’如申請專利範圍第1至4項中任一項之阻焊膜，其 中’光阻層之厚度為25〜1〇〇# m。 6. 如申睛專利範圍第1至4項中任一項之阻焊膜，其 相對於’谷劑（E )除外之感光性樹脂組成物，含有5〜3 0 重量％之顏料（D )。 7. 如申凊專利範圍第1至4項中任一項之阻焊膜，其 中’基質聚合物（A)係含有重量平均分子量為100,〇〇〇〜 25〇,〇〇〇之含鲮基之（甲基）丙烯酸系聚合物（A1)、及重量 平均分子罝為10,0〇〇〜8〇,〇〇〇之含羧基之（曱基）丙烯酸系 聚合物（A2 )而成。 8 ’種光阻圖案形成方法，係將申請專利範圍第1至 4項中任一項之阻焊膜積層於基板上之後，於該光阻層上 曝光出特疋之圖案，並藉由顯影而將該光阻層之未曝光部 分除去，其特徵在於： 於该曝光後且於該顯影前，對該光阻層進行加熱處理。 9. 一種發光裝置’其特徵在於具有： 申請專利範圍第1 i 4項中任—項之阻焊膜之該光阻 層、積層有該光阻層之電路基板、及搭載於該電路基板上 之發光元件。 十一、圖式： 如次頁。 48