JP2010020264A - ソルダーレジストフィルム、レジストパターン形成方法および発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ソルダーレジストインクから形成されたレジスト膜と同等以上に発光ダイオードの反射率を高めることができるとともに、表面平坦性やレジスト硬化・現像性に優れるレジストフィルムを提供すること。
【解決手段】下記（１）の処理を行った後の色差計反射モードでの測定において、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とするソルダーレジストフィルムである。
（１）全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでソルダーレジストフィルムをラミネートする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、発光ダイオード等の発光素子が搭載される回路基板に好適に適用されるソルダーレジストフィルムに関する。また、本発明は、ソルダーレジストフィルムを用いたレジストパターン形成方法に関する。さらに、本発明は、ソルダーレジストフィルムのレジスト層と、このレジスト層が積層された回路基板と、この回路基板上に搭載された発光素子とを有する発光装置に関する。

発光ダイオードは、低消費電力、長寿命、高い指向性、小型・薄型化が可能であるなどの利点を活かし、携帯電話、照明装置、交通信号灯、ディスプレイなど様々な用途に利用されている。発光ダイオードが搭載される回路基板には、発光ダイオードの反射率を高めるために、白色のソルダーレジストインクが塗布印刷され、白色のレジスト膜が形成されている（特許文献１の実施例２５を参照）。
再表２００５／０３１８８２号公報

しかしながら、ソルダーレジストインク（液状レジスト）を塗布印刷する前に、スルーホール（ビアホール）を介して回路基板の裏面に液状レジストが漏れるのを防ぐために、別のインクでスルーホールを予め埋めておく必要があるので、製造コストの上昇を招く。

また、液状レジストを塗布印刷した後、乾燥させる必要があるので、揮発した溶剤を回収するためのコストも必要となる。さらに、回路基板はパターン形成された配線を有するので、面内に凹凸を有する。そのため、液状レジストでは、レジスト膜の平坦性が劣るおそれがある。

上記のような製造コストの上昇を防ぎ、平坦性に優れるレジスト膜を得る手段として、ソルダーレジストを予めフィルム状としたもの、例えばドライフィルムレジストが知られている。

本発明者等が知得する限りにおいて、ドライフィルムレジストに白色等の顔料を添加することは公知ではないが、ドライフィルムレジストに白色顔料を単に添加した場合を想定しても、発光ダイオードの反射率を高めるために用いられる白色レジスト膜としては、反射率が不十分である。また、十分な反射率を得るために、ドライフィルムレジストに添加する白色顔料の含有率を高くしたり、回路基板上に積層したときの表面平坦性を上げるために、ドライフィルムレジストを厚膜にしたりすることも想定できるが、それらの場合には、露光時の紫外線透過量が不十分となるので、レジスト硬化・現像性が低下するおそれがある。具体的には、硬化したレジストの下部の幅が上部の幅よりも狭くなるアンダーカットやパターン端部の欠けが生じるおそれがある。したがって、ドライフィルムレジストに白色顔料を単に添加しても、ソルダーレジストインクの代替えとして用いることができない。

一方、従来の液状レジストを単に製膜化してフィルムレジストを調製した場合を想定すると、液状レジストは回路基板への塗布・乾燥後の形状維持のために流動し難い特性が必要とされるので、従来の液状レジストの組成でフィルム化したレジストは、流動性が劣ることにより、基板上の回路や配線の段差をレジストで充填することが難しく、回路基板にラミネートすることが困難であり、ラミネート後の表面平坦性が劣るといった問題がある。また、液状レジストは可撓性が必要とされないので、従来の液状レジストの組成でフィルム化したレジストは、可撓性の不足により、回路基板にラミネートする際のハンドリング時に、レジストの割れや支持体フィルムからの脱落が発生しやすいといった問題もある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ソルダーレジストインクから形成されたレジスト膜と同等以上に発光ダイオードの反射率を高めることができるとともに、表面平坦性やレジスト硬化・現像性に優れるレジストフィルムを提供することである。

しかるに本発明者等は、かかる事情に鑑み鋭意研究を重ねた結果、分光反射率がソルダーレジストインクから形成されたレジスト膜の分光反射率と同等以上であるレジスト層を有するフィルム状のソルダーレジストであって、表面平坦性やレジスト硬化・現像性に優れるレジストフィルムの開発に成功したものである。

すなわち、本発明は、下記（１）の処理を行った後の色差計反射モードでの測定において、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とするソルダーレジストフィルムに関するものである。

（１）全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでソルダーレジストフィルムをラミネートする。

また、本発明は、上記（１）の処理を行った後の色差計反射モードでの測定のみならず、下記（１）〜（３）の処理を順次行った後の色差計反射モードでの測定においても、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とするソルダーレジストフィルムに関するものである。

（１）全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでソルダーレジストフィルムをラミネートする。

（２）２１段ステップタブレットを上記ソルダーレジストフィルム上に重ねて、銅ステップ１０段が得られる露光量で全面を露光し、硬化させた後、最小現像時間の２倍の現像時間で現像を行う。

（３）１Ｊ／cm^２の紫外線照射を行った後、１５０℃で１時間の加熱処理を行う。

さらに本発明のソルダーレジストフィルムは、レジスト層が、ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、顔料（Ｄ）及び溶剤（Ｅ）を含有してなる感光性樹脂組成物から得られるレジスト層であることが好ましく、より好ましくは、光重合開始剤（Ｃ）が、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との組み合わせを含む。

本発明のソルダーレジストフィルムは、レジスト層の厚みが２５〜１００μｍであることが好ましい。

また、レジスト層を形成する感光性樹脂組成物のベースポリマー（Ａ）は、重量平均分子量１００，０００〜２５０，０００のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）と、重量平均分子量１０，０００〜８０，０００のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）を含有してなることが好ましい。さらに、顔料（Ｄ）は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物に対して５〜３０重量％含有してなることが好ましい。

また、本発明は、上記ソルダーレジストフィルムを基板上へ積層した後、前記レジスト層に所定のパターンを露光し、現像により前記レジスト層の未露光部分の除去を行うレジストパターン形成方法において、前記露光後かつ前記現像前に前記レジスト層に加熱処理を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法に関するものである。

さらに、本発明は、上記ソルダーレジストフィルムのレジスト層と、前記レジスト層が積層された回路基板と、前記回路基板上に搭載された発光素子とを有することを特徴とする発光装置に関するものである。

本発明のソルダーレジストフィルムは、分光反射率がソルダーレジストインクから形成されたレジスト膜の分光反射率と同等以上であるレジスト層を有しており、表面平坦性やレジスト硬化・現像性に優れている。したがって、本発明のソルダーレジストフィルムは、ソルダーレジストインクを用いた場合に生じ得る製造コストや平坦性の問題を解消しつつ、発光素子が搭載される回路基板に白色レジストとして好適に使用することができる。また、本発明のソルダーレジストフィルムを用いて露光・現像を行うことによって、表面平坦性に優れ、同時に、アンダーカットや端部の欠けの問題が殆どないレジストパターンを形成することができる。

以下、本発明の実施形態を説明する。
本発明のソルダーレジストフィルムは、下記（１）の処理を行った後の色差計反射モードでの測定において、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とし、また、下記（１）〜（３）の処理を順次行った後の色差計反射モードでの測定においても、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とするものである。

（１）全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでソルダーレジストフィルムをラミネートする。

（２）２１段ステップタブレットを上記ソルダーレジストフィルム上に重ねて、銅ステップ１０段が得られる露光量（例えば、１００〜４００ｍＪ／ｃｍ^２）で全面を露光し、硬化させた後、最小現像時間の２倍の現像時間で現像を行う。なお、全面露光後、かつ現像前に、加熱処理を行なっても良い。加熱処理の条件は、特に制限されないが、例えば、加熱温度が５０℃以上、１３０℃以下、加熱時間が１０分以上、２時間以下である。

（３）１Ｊ／cm^２の紫外線照射を行った後、１５０℃で１時間の加熱処理を行う。

即ち、本発明のソルダーレジストフィルムは、硬化前のレジスト層の分光反射率が６５％以上であることを特徴とするものであり、また、硬化後のレジスト層の分光反射率が６５％以上であることを特徴とするものである。

かかる分光反射率の測定は、任意の測定箇所において複数サンプリングすることにより行われ、実質的にはフィルム全面にわたり分光反射率が６５％以上である。

本発明において、色差計は日本電色工業社製、同時測光方式分光式色差計ＳＱ−２０００型を、ゼロ調整は付属の「０−ＣＡＰ」を、標準調整には標準白板（Ｘ＝９３．５１／Ｙ＝９５．４０／Ｚ＝１１２．９１）をそれぞれ使用する。

なお、上記（１）の処理を行った後（かつ上記（２）の処理前）におけるレジスト層の分光反射率を測定するに際しては、静電気によるホコリ付着や表面タックを防いで、データのばらつきを抑えるために、支持体フィルムを積層させた状態で測定を行う。支持体フィルムとしては、ＰＥＴフィルム等の可視光透過率の高いフィルムが一般に用いられるので、支持体フィルムがレジスト層の分光反射率の測定に影響を与えることは殆どない。

レジスト層の分光反射率は、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定したとき、すべて６５％以上、好ましくは７０％以上である。また、分光反射率の上限は、高ければ高い程好ましいが、顔料の濃度や膜厚などを考慮すると、通常は９０％が上限であり、好ましくは８５％である。かかる分光反射率が上記範囲より低すぎると反射光が弱すぎたり、回路基板上の銅回路が透けて見えたりして、実用的ではない。

また、当該波長範囲の分光反射率の最大値と最低値の差は、１２％以下が好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。かかる差が大きすぎると反射光が着色する傾向がある。

なお、分光反射率に代えてハンターＬａｂ値で表した場合、Ｌ値が８０以上、ａ及びｂ値が共に３未満となる。

本発明のソルダーレジストフィルムは、レジスト層を少なくとも含むものであり、典型的には、レジスト層の片面に積層されて、レジスト層を支持する支持体フィルム（キャリアフィルム）と、レジスト層の他面を保護する保護フィルム（カバーフィルム）との三層構造を有するものである。ただし、本発明のソルダーレジストフィルムは、支持体フィルムや保護フィルム等の他の層を持たず、レジスト層のみから構成されることもある。

本発明のソルダーレジストフィルムは、レジスト層の厚みが２５〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがさらに好ましく、４０〜５５μｍであることが特に好ましい。レジスト層の厚みが薄すぎる場合、回路基板上に積層したときに、回路（配線）際に気泡が生じる傾向がある。例えば、レジスト層の厚みが液状レジストの典型的な膜厚２０μｍである場合、回路基板上の回路（配線）の被覆や回路（配線）上のレジスト確保が不十分となり、ソルダーレジストとしての要求特性を満足できなくなる傾向がある。一方、レジスト層の厚みが厚すぎると、紫外線照射時の紫外線透過量が不十分となり、硬化したレジストの下部の幅が上部の幅よりも狭くなるアンダーカットが生じる傾向がある。

本発明のソルダーレジストフィルムは、レジスト層がベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、顔料（Ｄ）及び溶剤（Ｅ）を含有してなる感光性樹脂組成物から得られることが好ましい。以下、上記（Ａ）〜（Ｅ）の各構成成分について説明する。

ベースポリマー（Ａ）は、アルカリ水溶液に可溶なものであれば、特に限定されないが、分子量の異なる２種類の特定のポリマー（Ａ１，Ａ２）を主成分とするものが好ましい。なお、本発明において「主成分とする」とは、ベースポリマー（Ａ）が分子量の異なる２種類の特定のポリマー（Ａ１，Ａ２）のみからなる場合も含める趣旨である。

分子量の異なる２種類の特定のポリマー（Ａ１，Ａ２）のうち、一つは、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００〜２５０，０００の範囲であるカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）であり、このカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）を用いることにより、高い成形性および優れた可撓性を付与することが可能となる。

そして、もう一つは、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００〜８０，０００であるカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）であり、このカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）を用いることにより、各成分の相溶性の向上と、回路に対する優れた追従性と、高い現像性ならびに回路への埋め込み後における表面平滑性の向上を付与することが可能となる。分子量の異なる２種類の特定のポリマー（Ａ１，Ａ２）は、いずれも酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。

なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）装置を用い、乾燥ポリマーのＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶解液をポリスチレン基準で測定した値である。

また、本発明において、（メタ）アクリルとは、アクリル、メタクリルの双方を意味しており、これらを総称して「（メタ）アクリル」と記載し、（メタ）アクリレートとは、アクリレート、メタクリレートの双方を意味しており、これらを総称して「（メタ）アクリレート」と記載する。

上記重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００〜２５０，０００の範囲である高分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）としては、例えば、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルの共重合体があげられ、さらに好ましくは（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルとスチレンの共重合体があげられる。

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、等の脂肪族（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、等の芳香族（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、等のアミノ基含有（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、等の水酸基含有（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、等のエポキシ基含有（メタ）アクリレート、等が挙げられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

そして、上記共重合体のなかでも、可撓性、回路への追従性の点でホモポリマー（単独重合体）のガラス転移温度（Ｔｇ）が２０℃以下となる（メタ）アクリル酸エステルと、透明性・現像性などの点からメチルメタクリレートとメタクリル酸とを含んだ共重合体、好ましくはさらにスチレンをも含んだ共重合体であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）２０℃以下のモノマーの一例として、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチルアクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、等があげられる。

また、上記カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００，０００〜２５０，０００の範囲であることが好ましく、特には１２０，０００〜２００，０００の範囲であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が低すぎると可撓性に劣る傾向がみられ、逆に高すぎると現像性が低下して解像度の低下を招いたり、現像後に残渣が出たりする傾向がみられる。

そして、上記カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）は、酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、酸価が１２０〜２４０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。酸価が低すぎるとレジスト現像性が不充分となる傾向がみられ、高すぎるとレジストパターンの細線密着性が悪くなる傾向がみられる。

つぎに、上記高分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）とともに用いられる重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００〜８０，０００の範囲である中程度の分子量（中分子量）を有するカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）が用いられる。かかる中分子量を有するカルボキシル基含有ポリマー（Ａ２）としては、例えば、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、スチレンと（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、スチレンと（メタ）アクリル酸の共重合体、等があげられるが、中でもスチレンと（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、スチレンと（メタ）アクリル酸の共重合体が好適である。

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、先に述べたと同様、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、等の脂肪族（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、等の芳香族（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、等のアミノ基含有（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、等の水酸基含有（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、等のエポキシ基含有（メタ）アクリレート、等が挙げられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

このような上記カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜８０，０００の範囲であることが好ましく、特には１５，０００〜７０，０００の範囲であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が低すぎると可撓性に劣る傾向がみられ、逆に高すぎると回路への追従性が劣ったり、前記カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）との相溶性に劣り、レジストパターンの平滑性が劣る傾向がみられたり、回路へ埋め込み後の表面平滑性に劣る傾向がみられる。

そして、上記カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）としては、酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、酸価が１２０〜２４０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。酸価が低すぎるとレジスト現像性に劣る傾向がみられ、高すぎるとカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）との相溶性が悪くなり、レジストパターンの平滑性が劣る傾向や、基材との密着性に劣る傾向がみられる。

上記高分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）と中分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）との併用割合は、重量比で、Ａ１／Ａ２＝２０／８０〜７０／３０の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくはＡ１／Ａ２＝３０／７０〜６０／４０の範囲であり、更に好ましくはＡ１／Ａ２＝３５／６５〜５０／５０の範囲である。かかる併用割合の範囲から外れる場合は、耐薬品性に劣ったり、銅回路への追従性に劣る傾向がある。

そして、本発明において、ポリマー成分（Ａ）には、上記高分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）と中分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）の２種類の（メタ）アクリル系ポリマーを用いる場合に、各々１種の組み合わせに限らず、Ａ１を１種以上とＡ２を１種以上との組み合わせであっても構わない。特定のポリマー（Ａ１，Ａ２）以外のポリマー成分としては、任意の（メタ）アクリル系ポリマー、エチレン性不飽和基を有する（メタ）アクリル系官能性ポリマーが好適に使用できる（例えば、特開２００６−２２０８０４号公報の実施例を参照）。

また、ベースポリマー（Ａ）としては、上記の高分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）と中分子量のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）のブレンドのみに限られることなく、膜形成可能なポリマー、例えば、重量平均分子量５０，０００〜２５０，０００程度のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマーを用いてもよい。

上記ポリマー成分（Ａ）の含有量は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物全体の２０〜５０重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは回路への追従性の点から２５〜４５重量％、更に好ましくは３０〜４０重量％である。少なすぎると、回路間への感光性樹脂組成物（レジスト）の埋め込み性は良好になる傾向となるものの、感光性樹脂組成物を用いて積層体（ソルダーレジストフィルム）を作製した場合には、感光性樹脂層のべたつきが大きくなり過ぎて、回路へのラミネート時に空気が入り易くなってしまったり、感光性樹脂積層体をロール状で保管する際に、皺がつき易かったり、端面から感光性樹脂組成物層が滲み出し易い、等により、保管性が悪くなったり、スルーホールをテンティングするための充分な強度を確保できずに破れてしまう傾向にあったり、レジストが柔らか過ぎて回路への積層時にレジストが流れて配線上に絶縁層の厚さを充分に形成することが困難となり、半田耐熱、耐溶剤性、耐アルカリ性、等が低下する等の傾向がみられる。逆に、多すぎると、回路基板と感光性樹脂組成物との間に空間が形成され易くなり、充分な絶縁性を確保することが困難となったり、この空間が原因となって、感光性樹脂層が回路基板から剥がれ易くなったりする傾向がみられる。

上記ベースポリマー（Ａ）とともに用いられるエチレン性不飽和化合物（Ｂ）としては、特に限定するものではなく、例えばエチレン性不飽和基を有する（メタ）アクリル系モノマーが好適に用いられる。そして、このようなモノマー成分を２種以上の複数種用いることが好ましい。このように複数種用いることにより、半田耐熱性、可撓性、耐溶剤性、耐薬品性、等をバランス良く付与することが出来る。

上記エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として、例えば、１分子中にＯＨ基を少なくとも２個含有するエポキシ（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１）があげられる。上記エポキシ（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１）を用いることにより、高温反応（加熱硬化）の結果、高度な架橋を付与することが可能となり、優れた耐熱性および耐溶剤性が得られるようになる。そして、上記エポキシ（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１）の中でも、ビスフェノールＡ変性タイプのエポキシアクリレートを用いることが、耐熱性の点から好ましい。このようなビスフェノールＡ変性タイプのエポキシアクリレートとしては、具体的には、ダイセルＵＣＢ社製の「Ebecryl 」シリーズの６００系統である６４５、６４８や、３４１２、３５００、３７００系統の３７０１等、新中村化学工業社製のＥＡ−１０２０、１０２５、１０２６、１０２８、等があげられる。これら化合物は単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

この上記エポキシ（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１）を用いる場合の含有量は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物全体の３〜４０重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは回路への追従性の点から５〜３０重量％である。少なすぎると、半田耐熱性に劣る傾向がみられ、多すぎると、可撓性が低下する傾向がみられる。

本発明において、上記エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として、上記エポキシ（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１）に加えて、他のエチレン性不飽和基を有する（メタ）アクリル系モノマー成分をさらに用いてもよい。他の（メタ）アクリル系モノマー成分としては、特に限定するものではないが、耐熱性および耐溶剤性、耐薬品性を考慮すると、２官能以上の多官能の化合物を用いることが好ましい。具体的には、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリプロポキシトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸変性ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサメチルジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２，２′−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２′−ビス（４−（メタ）アクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、２，２′−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルアクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート系化合物、等の多官能モノマーがあげられる。

上記ウレタン（メタ）アクリレート系化合物は、後述の光重合開始剤（Ｃ）の作用により、硬化性を持たせるために重要なものである。また、上記ウレタン（メタ）アクリレート系化合物を用いることにより可撓性に関しても優れたものが得られるようになる点で好ましい。このようなウレタン（メタ）アクリレート系化合物としては、具体的には、下記の一般式（１）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物があげられる。この一般式（１）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物を用いることにより、優れた可撓性に加えて良好な現像性が付与されるようになる。

〔一般式（１）において、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、Ｘ，Ｙはそれぞれ−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｚは炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を示し、ｋは１〜３０の整数を示し、ｍは１〜１０の整数を示し、ｎは１〜８の整数を示す。〕

上記一般式（１）において、Ｒはメチル基が好ましく、Ｘは−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−が好ましく、Ｙは−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）Ｏ−が好ましい。

上記一般式（１）において、Ｚで表される炭素数２〜２０の２価の炭化水素基としては、例えば、−（ＣＨ_２）_６−の他、下記に示すものがあげられる。なかでも、−（ＣＨ_２）_６−が好ましい。

上記一般式（１）において、ｋは１０〜２０の整数が好ましく、ｍは３〜６の整数が好ましく、ｎは３〜６の整数が好ましい。

上記一般式（１）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５００〜３５００の範囲が好ましく、特に好ましくは２０００〜３０００である。

そして、上記一般式（１）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物のなかでも、Ｒ＝−ＣＨ_３、Ｘ＝−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、Ｙ＝−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）Ｏ−、Ｚ＝−（ＣＨ_２）_６−、ｋ＝１５、ｍ＝６、ｎ＝４で表される化合物が特に好ましい。

また、上記多官能モノマーとともに単官能モノマーを適当量併用することもでき、このような単官能モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

上記エチレン性不飽和化合物（Ｂ）全体の含有量は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物全体の４０〜６０重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは４５〜５５重量％である。少なすぎると、硬化後の半田耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性に劣る傾向がみられる。逆に、多すぎると、感光性樹脂組成物層のべたつきが大きくなり過ぎて、回路へのラミネート時に空気が入り易くなってしまったり、ロール状で保管する際に皺がつき易くなる、等の問題が生じる傾向がみられる。

上記ベースポリマー（Ａ）およびエチレン性不飽和化合物（Ｂ）とともに用いられる光重合開始剤（Ｃ）としては、特に限定するものではなく従来公知のものが用いられる。例えば、アシルホスフィンオキサイド系、アルキルフェノン系、ベンゾインエーテル、ベンゾフェノン系（例えば、ベンゾフェノン、２−メチルベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノフェニルベンゾフェノン、等）、チオキサントン系（例えば、２−イソプロピルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、等）、キノン系（例えば、アントラキノン、カンファーキノン、等）アクリジン系、アクリドン系、ロフィン二量体系、メタロセン系、等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これらのなかでも、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との併用が好ましい。光重合開始剤（Ｃ１，Ｃ２）の併用により、後述の顔料（Ｄ）の濃度が高いときやレジスト層が厚膜のときでも、レジスト適性に優れ、アンダーカットが抑制されるという利点が得られる。

アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）としては、例えば、２−メチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−フェニルフォスフィン酸メチルエステル、等のモノアシルフォスフィンオキサイド類、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、等のビスアシルフォスフィンオキサイド類があげられ、アルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）としては、例えば、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オンに代表されるα−ヒドロキシアルキルフェノン類、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、等のベンジルケタール類、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルフォリニル）フェニル］−１−ブタノン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、等のα−アミノアルキルフェノン類があげられる。中でも特に、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）として２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイドと、アルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）としてα−ヒドロキシアルキルフェノン類である１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンとを併せて用いる組み合わせが入手の容易さと、アンダーカット低減と、短波長側での反射率向上との点で好ましい。

上記光重合開始剤（Ｃ）の含有量は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物全体の１〜１５重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは２〜１０重量％である。少なすぎると、感度が不充分となり上記エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の充分な硬化が行われない傾向がみられ、逆に、多すぎると、解像性に劣る等の不良を生じる傾向がみられる。

更に、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）とを併用する場合においては、その含有割合は、重量比で、Ｃ１／Ｃ２＝８０／２０〜４０／６０の範囲であることが好ましく、特に好ましくは７０／３０〜６０／４０の範囲である。かかる範囲から外れると硬化レジストの表面光沢が得られなかったり、レジストパターンのアンダーカットが大きくなったり、実用的な露光感度が得られなくなる傾向がある。

上記ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）および光重合開始剤（Ｃ）とともに用いられる顔料（Ｄ）は、感光性樹脂組成物を白色に着色するものであれば特に限定されないが、典型的には、ルチル型、アナターゼ型などの各種の酸化チタンが使用できる。なかでもルチル型酸化チタン顔料が少量で反射率を確保できるので好ましい。また、レジスト樹脂中での分散を安定させる目的で、顔料粒子に表面処理を行うことが一般的である。市販の酸化チタンとしては、例えば、タイトーンＳＲ−１、同Ｒ−６５０、同Ｒ−３Ｌ、同Ａ−１１０、同Ａ−１５０、同Ｒ−５Ｎ（以上、堺化学工業（株）製）、タイペークＲ−５８０、同Ｒ−９３０、同Ａ−１００、同Ａ−２２０、同ＣＲ−５８（以上、石原産業（株）製）、クロノスＫＲ−３１０、同ＫＲ−３８０、同ＫＲ−４８０、同ＫＡ−１０、同ＫＡ−２０、同ＫＡ−３０（以上、チタン工業（株）製）、タイピュアＲ−９００、同Ｒ−９３１（デュポン・ジャパン・リミテッド社製）、チタニックスＪＲ−３００、同ＪＲ−６００Ａ、同ＪＲ−８００、同ＪＲ−８０１（以上、テイカ（株）製）、等が挙げられる。

上記顔料（Ｄ）の含有量は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物全体の５〜３０重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくはＨ＝顔料（Ｄ）の濃度（重量％）×樹脂厚（μｍ）で算出されるＨの範囲が４００〜１０００となるように顔料（Ｄ）の濃度を設定する。顔料（Ｄ）が少なすぎると、充分な反射率が得られなくなる傾向がみられ、多すぎると、紫外線透過量が低くなるので、紫外線照射によるレジスト硬化が不十分となり、適正なレジスト形状を形成できなくなる傾向がみられる。

上記ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及び顔料（Ｄ）とともに用いられる溶剤（Ｅ）は、感光性樹脂組成物を後述の支持体フィルム上に塗布し易くする目的で使用される。上記溶剤（Ｅ）としては、特に限定するものではないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、等のケトン類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、等の酢酸エステル類、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、等の環式有機化合物があげられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、その濃度としては、後述のソルダーレジストフィルムの作製に際して適用される工法、粘度に応じて適宜設定されるが、通常、固形分３５〜６０重量％の範囲である。

感光性樹脂組成物には、上記ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、顔料（Ｄ）及び溶剤（Ｅ）に加えて、体質顔料、非着色性充填剤、熱架橋剤、酸化防止剤、密着付与剤、光吸収剤、蛍光増白剤、レベリング剤、難燃剤、消泡剤、等の他の添加剤を必要に応じて適宜配合することができる。このような他の添加剤の含有量は、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物全体の０．０１〜２０重量％程度の範囲に設定することが好ましい。体質顔料あるいは非着色性充填剤としては、例えば、二酸化珪素（シリカ）、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、タルク、等の無機質粒子、樹脂ビーズ、等の有機材料が挙げられ、必要に応じて単独もしくは２種以上を併せて用いることができる。

本発明においては、上記感光性樹脂組成物を支持体フィルムの片面に均一に塗工した後、乾燥することによりレジスト層が得られる。上記支持体フィルムとしては、透明で可撓性を有し、塗工乾燥に耐えうるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、等のポリエステルフィルムや、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルム、等があげられ、好ましくはＰＥＴフィルムである。

また、レジストの表面光沢を高めて、反射率を向上させる目的で、表面の滑り性に問題を起こさない範囲で高透明な支持体フィルムを用いることが有効である。かかる支持体フィルムのヘーズ値として２．５％以下が好ましく、さらに好ましくは１．５％以下である。

さらに、支持体フィルムとレジスト層の積層体をロール状にして用いる場合に、粘着性を有するレジスト層が支持体フィルムへ転着等するのを防止する目的で、レジスト層の他面（支持体フィルムに対して反対側の面）に保護フィルムを加圧積層することができる。

上記保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ＰＥＴフィルム、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルム、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ナイロンフィルム、等があげられ、好ましくはＰＥフィルムである。さらに、保護フィルムのレジスト層側の表面の平均粗さ（Ｒａ）が１以上となるものを用いることが好ましい。通常、その上限は、Ｒａ＝３である。このような表面平均粗さ（Ｒａ）のものを用いることにより、その粗さ面となる凹凸面がレジスト層表面に転写されるので、回路上にレジスト層をラミネートする際に、保護フィルムを剥がして、転写された凹凸面を回路面に対峙されて接触させ、真空ラミネート機を用いてラミネートすると、空気の抜けが良好となり、回路への追従性が良好となり好ましい。そして、上記表面平均粗さ（Ｒａ）が小さすぎると、レジストに対する凹凸面の転写が不充分となる傾向がみられる。なお、上記表面平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１−１９９４に示されるように、粗さ曲線の面積を測定長さで除した平均高さである。

上記支持体フィルムの厚みは、好ましくは１５〜２５μｍである。薄すぎると、ソルダーレジストフィルム自体の耐性に劣り、支持フィルム引き剥がしの際に破れやすくなる傾向がみられ、逆に厚すぎると、支持体フィルムが硬くなり、その硬さに起因して、回路に対するレジスト層の追従性に劣る傾向がみられる。そして、上記保護フィルムの厚みは、通常、１０〜５０μｍであり、好ましくは１５〜３５μｍである。

次に、本発明のレジストパターン形成方法について説明する。本発明のレジストパターン形成方法は、本発明のソルダーレジストフィルムを基板上へ積層した後、前記レジスト層に所定のパターンを露光し、現像により前記レジスト層の未露光部分の除去を行うレジストパターン形成方法であって、前記露光後かつ前記現像前に前記レジスト層に加熱処理を行うことを特徴とする。以下、支持体フィルム／レジスト層／保護フィルムの三層構造を有するソルダーレジストフィルムを用いてレジストパターンを形成するための各工程を説明する。

〔ラミネート〕
ソルダーレジストフィルムから保護フィルムを剥離した後、そのレジスト層の表面を基板面にラミネータを用いて貼り合わせる。基板としては、例えば、後述する回路基板やパッケージ基板が挙げられる。貼り合わせに使用するラミネータは、特に限定されず、例えば大気圧下で加熱加圧するラミネータを用いることもできるが、真空ラミネータを用いて回路基板に貼り合わせると、回路への追従性が非常に高くなるので好ましい。

〔露光〕
支持体フィルム上にパターンマスクを直接接触（密着）させて露光する。また、プロキシミティ露光、投影露光の場合は、パターンマスクを非接触状態として露光する。さらに、パターンマスクを使用せずにレーザーを用いたダイレクトイメージング（直接露光）を行ってもよい。上記露光は、通常、紫外線（ＵＶ）照射により行い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、ケミカルランプ、ＬＤ、ＹＡＧレーザー第三高調波、アルゴンレーザー、等が用いられる。

〔加熱処理〕
本加熱処理を行なわずに、次工程の現像を行なっても良いが、レジスト層に対する加熱処理、言い換えれば基板を加温する工程を加えることによって、露光時に硬化不充分であったレジスト層下部の硬化反応を促進し、現像工程での所謂「食われ」、すなわちアンダーカット量を低減することが可能となる。

加熱処理は、露光工程後でかつ現像工程前までの間であれば、どのタイミングで実施しても良いが、安定した効果を得るためには、露光工程後から加熱処理が開始されるまでの時間を一定にすることが望ましい。

加熱処理時の温度は、特に制限されないが、５０℃以上、１３０℃以下が望ましく、さらに望ましくは８０℃以上、１１０℃以下である。加熱温度が低すぎると、アンダーカット量低減効果が低くなる傾向があり、加熱温度が高すぎると、レジスト層の未露光部分も硬化するので、所望のパターンが得られ難くなる傾向がある。

加熱時間も特に制限されないが、１０分以上、２時間以下が望ましく、さらに望ましくは３０分以上、９０分以下である。加熱時間が短すぎると、アンダーカット量低減効果が低くなる傾向があり、加熱時間が長すぎると、所望のパターンが得られ難くなる傾向がある。

なお、加熱処理に際しては、最大限に効果を上げるために、レジスト層上の支持体フィルムを除去せずに行なうことが望ましい。

〔現像〕
支持体フィルムを引き剥がしてから未露光部分（未硬化部）を現像によって溶解・分散除去する。レジスト層が稀アルカリ現像型である場合、現像液には、炭酸ソーダ、炭酸カリウム、等のアルカリ濃度０．３〜２重量％程度の稀薄水溶液を用いる。上記現像に際しては、均一圧力でスプレーする方法が、解像、密着の安定性の観点から好ましい。なお、上記アルカリ水溶液中には、界面活性剤，消泡剤や、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。そして、現像後は、水洗を充分に行い、乾燥させる。

以上の工程を経ることによってレジストパターンが形成されるが、下記のＵＶ（紫外線）キュアや熱キュアの各工程を加えることが好ましい。

〔ＵＶ（紫外線）キュア〕
表面硬化性、半田耐熱性、耐薬品性、等の特性を高めるために、現像後の乾燥を充分に行った後、ＵＶキュア（後露光）を行うことが効果的である。ＵＶキュアは、通常、０．５〜１０Ｊ／cm^２にて使用される。これによって、残存するエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の反応および光重合開始剤（Ｃ）の失活が行われる。

〔熱キュア〕
表面硬化性、半田耐熱性、耐薬品性、等の特性をさらに高めるために、さらなる架橋反応工程を経由させる。この熱キュアとなる架橋反応工程では、通常、１３５〜１７５℃で２０〜１２０分間保持することが行われる。

次に、本発明の発光装置について説明する。本発明の発光装置は、本発明のソルダーレジストフィルムのレジスト層と、前記レジスト層が積層された回路基板と、前記回路基板上に搭載された発光素子とを有する。回路基板は、発光素子に駆動電圧を印加するための電極と、電極に接続された導体配線とを有する絶縁性基板である。発光素子とは、ｐｎ接合またはｐｉｎなどダブルヘテロ接合を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）、スーパルミネッセントダイオード（ＳＬＤ）または半導体レーザダイオード（ＬＤ）などの光発生素子をいう。図を参照しながら、具体的に説明する。

図１は、表面実装型ＬＥＤが搭載された発光装置を模式的に示す断面図である。発光装置２０は、本発明のソルダーレジストフィルムのレジスト層ＳＲと、レジスト層ＳＲが積層された回路基板２１と、回路基板２１上に搭載された表面実装型ＬＥＤ１０とを有する。

回路基板２１には、回路基板２１を厚み方向に貫通するスルーホール（ブラインドビアホールともいう。）２１ａが形成され、表側と裏側の各配線（典型的には、銅箔をパターニングしたもの）２２がスルーホール２１ａを介して接続されている。配線２２は回路基板２１上に設けられた電極パッド２３，２４に接続され、電極パッド２３，２４は、はんだペースト２５を介して、表面実装型ＬＥＤ１０の表面実装用端子部１４，１５に接続されている。回路基板２１は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法、インクジェット、等の公知の工程で作成される。

本発明のソルダーレジストフィルムのレジスト層ＳＲは、回路基板２１のＬＥＤ実装面に少なくとも積層されていれば良く、ＬＥＤを実装しない面については、本発明のソルダーレジストフィルムのレジスト層ＳＲを用いてもよく、或いは他のソルダーレジストフィルムや液状ソルダーレジストを用いてもよい。

本発明のソルダーレジストフィルムは、回路基板２１の最外面に積層され、一般的には電極パッド２３，２４の接続部分を除いて、全面を被覆する形でレジスト層ＳＲがパターン形成される。また、光反射特性の要求から、回路基板２１の一部を被覆することもある。なお、他の電子部品も実装する場合は、当該部品実装のための電極パッドの接続部分を被覆せずに開口させる。

スルーホール２１ａを被覆することにより、スルーホール２１ａ内部を空洞として残し、レジスト層ＳＲにより空洞部を保護し、レジスト層ＳＲ表面の平坦性も維持する所謂テンティングが可能となる。したがって、スルーホール２１ａ内を液状レジストインクで充填する必要がなく、製造コストの上昇を抑えることができる。

図２は、ピン実装型ＬＥＤが搭載された発光装置を模式的に示す断面図である。発光装置３０は、本発明のソルダーレジストフィルムのレジスト層ＳＲと、レジスト層ＳＲが積層された回路基板３１と、回路基板３１上に搭載されたピン実装型ＬＥＤ４０とを有する。

回路基板３１には、ピン実装型ＬＥＤ４０のピン４１を挿入し、はんだ付けするための実装穴３１ａやスルーホール３１ｂが形成され、表側と裏側の各配線３２が実装穴３１ａやスルーホール３１ｂを介して接続されている。図２に示す発光装置３０では、回路基板３１の実装穴３１ａ部分を除いて、全面を被覆する形でレジスト層ＳＲがパターン形成されている。したがって、スルーホール３１ｂがレジスト層ＳＲにより被覆され、テンティングが可能となるので、スルーホール３１ｂ内を液状レジストインクで充填する必要がなく、製造コストの上昇を抑えることができる。

図１および図２に示す発光装置２０，３０は、ＬＥＤ１０，４０の他に、コンデンサ等の実装部品を有しており、実装部品が搭載される回路基板２１，３１上の箇所もレジスト層ＳＲから露出した電極と実装部品とが既知の方法ではんだ付けされる。

図１および図２に示す発光装置２０，３０において、回路基板２１，３１表面に形成されたレジスト層ＳＲは広い波長範囲で高い光反射率を有しているので、ＬＥＤ１０，４０の発光色特性に影響を与えず、効率良く光反射させることができる。すなわち、本発明のソルダーレジストフィルムにより、ＬＥＤパッケージの発光色特性に影響を与えず、効率良く光反射させ得る回路基板を作成することができる。

本発明の発光装置は、図１に示す表面実装型や図２に示すピン実装型に限定されず、表面実装とピン実装を混在させたタイプでも良い。

本発明の発光装置は、前述のラミネート、露光、加熱処理、現像、ＵＶ（紫外線）キュア、熱キュアの各工程を経て、回路基板上にレジスト層を形成した後、下記の発光素子の実装を行なうことによって製造することができる。なお、回路基板上にレジスト層を形成するに際しては、加熱処理、ＵＶ（紫外線）キュア、熱キュアの各工程を省くこともできるが、これら各工程を加えることが望ましい。

〔発光素子の実装〕
回路基板上にＬＥＤパッケージを定法により実装する。即ち、ピン実装型ＬＥＤパッケージを実装する場合、基板に形成された実装穴にＬＥＤパッケージのピンを挿入し、はんだバスなどによりはんだ付けをおこない、基板電極との電気的接続を行う。また、表面実装型ＬＥＤパッケージを実装する場合、基板上のレジスト層から露出した電極パッド上にはんだペーストを塗布し、ＬＥＤパッケージの電極と基板の電極が重なるようにＬＥＤパッケージを仮付け後、はんだリフローにより接続する。

本発明のソルダーレジストフィルムは、ＬＥＤ素子（ＬＥＤパッケージ）において、ＬＥＤチップの周りに形成された枠状部材（リフレクタ）の材料として利用することもできる。図を参照しながら、具体的に説明する。

図３は、表面実装型ＬＥＤを模式的に示す断面図である。表面実装型ＬＥＤ１０は、パッケージ基板１１と、パッケージ基板１１上に実装された青色ＬＥＤチップ１６と、パッケージ基板１１上にて青色ＬＥＤチップ１６の周りに形成された枠状部材１７と、枠状部材１７内に充填された封入樹脂１８とを備える。パッケージ基板１１は、平坦な銅張り配線基板として構成されており、その表面にチップ実装ランド１２、電極ランド１３、そして両端縁に表面実装用端子部１４，１５を備えている。チップ実装ランド１２上に青色ＬＥＤチップ１６が置かれ、チップ実装ランド１２及び隣接する電極ランド１３に対してボンディングワイヤ１９によりそれぞれ電気的に接続され、さらに微粒子状の蛍光体を分散した封入樹脂１８が枠状部材１７の内側に充填され、硬化されている。これにより、青色ＬＥＤチップ１６がパッケージ基板１１上に接着固定される。

枠状部材１７は、中央付近に開口を有しており、この開口内に青色ＬＥＤチップ１６が設けられることにより、青色ＬＥＤチップ１６の周りが包囲される。青色ＬＥＤチップ１６は蛍光体を分散した封入樹脂１８により封入されているので、青色ＬＥＤチップ１６からの青色光によって蛍光体が励起され、蛍光として白色光が発生する。

本実施形態において枠状部材１７は、本発明のソルダーレジストフィルムから形成されているので、蛍光として発生した白色光を効率よく反射することができる。すなわち、ソルダーレジストフィルムからリフレクタを作成することができる。

ＬＥＤパッケージを形成する場合、ＬＥＤ素子をパッケージ基板上のレジスト層から露出した電極上に載せ、ＬＥＤ素子をボンディングワイヤにて接続し、透明のエポキシ樹脂（白色発光素子の場合は蛍光体が分散されている）にて封止する。

以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定されるものではない。

〔測定評価方法〕
はじめに、下記実施例で行った測定評価方法について説明する。

（１）反射率（初期）
全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでレジスト層をラミネートする。かかる状態で、色差計は日本電色工業社製、同時測光方式分光式色差計ＳＱ−２０００型を、ゼロ調整は付属の「０−ＣＡＰ」を、標準調整には標準白板（Ｘ＝９３．５１／Ｙ＝９５．４０／Ｚ＝１１２．９１）をそれぞれ使用して、反射率を測定した。

反射率の評価基準は、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて７０％以上であるときに「◎」、６５％以上７０％未満であるときに「○」、６５％未満であるときに「×」とした。

（２）回路埋込性
３５μｍ厚の銅回路（Ｌ／Ｓ＝３２０／３２０μｍ）を有する１．６ｍｍ厚ＦＲ−４銅張基板の銅箔表面に、ソルダーレジストフィルムのレジスト層が対峙するよう載置して仮付けし、ダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用いて、減圧時間３０秒、プラテン温度６０℃、到達真空度１．０ｈＰａ、加圧０．１ＭＰａ、加圧時間３０秒という条件にて積層した。顕微鏡観察による評価基準は下記の通りである。
○；気泡なし、
△；回路際に点々と気泡、
×；回路際に連続気泡

（３）表面平坦性
上記（２）回路埋込性で得られた積層品を２時間、２０℃にて放置し、下記（４）アンダーカットに記載の銅ステップ１０段の露光量で全面露光、硬化させた。ＰＥＴフィルムを除去後、ビューラー試料製作機にて、３５μｍ厚銅回路（Ｌ／Ｓ＝３２０／３２０μｍ）形成部分を切断、樹脂包埋、研磨を行い、断面観察試料を作成した。ここでは、断面の切断は銅回路の長手方向に対して垂直な方向（幅方向）にて行った。次いで、ミツトヨ製測定顕微鏡にて、ＦＲ−４ガラスエポキシ基材表面からレジスト表面までの距離を、最大箇所と最小箇所でそれぞれ測定し、その差を算出した。評価基準は下記の通りである。
○；３．０μｍ未満、
△；３．０〜５．０μｍ、
×；５．０μｍ超

（４）アンダーカット
全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚ＦＲ−４銅張積層板の銅箔表面に、上記（２）回路埋込性に示す条件でソルダーレジストをラミネートした積層品を２時間、２０℃にて放置し、ＰＥＴフィルムの上にストウファー（Stouffer）社製の２１段ステップタブレットを密着させた。２ｋＷの水銀ショートアーク灯（平行光露光機）にて、最小現像時間の２倍の現像時間で現像したとき、金属部分が出ているステップタブレットの数値が１０となる（銅ステップ１０段）露光量で、ライン先端（末端）を有するパターン（Ｌ／Ｓ＝３２０／３２０μｍ）を露光した。

ここで、現像時間とは、現像液のスプレーに暴露されている時間のことであり、最小現像時間とは、未露光の（硬化していない）レジスト層を現像したとき、レジスト層が溶解し基板面（又は銅箔や銅回路面）が露出するまでの現像時間のことである。

ＰＥＴフィルムを除去し、最小現像時間の２倍の現像時間で現像した後、上記ビューラー試料作製機にて、レジストパターンの断面試料を作成した。断面の切断はレジストパターンの長手方向に対して垂直な方向（幅方向）にて行った。作成した断面試料をミツトヨ製測定顕微鏡のステージ上に断面がステージ面に平行になるように固定した。

図４はレジストパターンの断面の顕微鏡画像を模式的に示す図であり、図４を参照しながら、アンダーカット量の計測手法を説明する。銅張基板（基材）面に垂直な測定線ｖを使用し、レジスト層側壁の上部（最大幅部）の輪郭に測定線ｖを合わせる。次いで、顕微鏡ステージをレジスト層の幅方向（図４では右方向）にスライドさせて、レジスト層側壁の下部（最小幅部）の輪郭と基材の接点を測定線ｖに合わせた。そのときの顕微鏡ステージの変位量（レジスト層の幅方向の変位量）から、アンダーカット量ｕ（μｍ）を計測した。評価基準は下記の通りである。
◎；１５μｍ未満、
○；１５μｍ以上２０μｍ未満、
△；２０μｍ以上３０μｍ以下、
×；３０μｍ超

（５）欠け
上記（４）アンダーカット評価用基板のＬ／Ｓ＝３２０／３２０μｍパターン形成部を現像後に、光学顕微鏡にて、レジストパターンの端部の欠けを観察した。評価基準は下記の通りである。
○；欠けなし、
×；欠けあり

（６）反射率（ＵＶ処理後）
上記（１）反射率（初期）の処理を行った後、上記（４）アンダーカットに記載の銅ステップ１０段の露光量で全面を露光硬化させた。ＰＥＴフィルムを除去した後、最小現像時間の２倍の現像時間で現像を行った。次いで、コンベヤ式ＵＶキュア装置で１Ｊ／cm^２の紫外線照射を行い、さらに１５０℃の熱風循環式オーブンに１時間入れることにより硬化を完全にした。

かかる状態で、色差計は日本電色工業社製、同時測光方式分光式色差計ＳＱ−２０００型を、ゼロ調整は付属の「０−ＣＡＰ」を、標準調整には標準白板（Ｘ＝９３．５１／Ｙ＝９５．４０／Ｚ＝１１２．９１）をそれぞれ使用して、反射率を測定した。

反射率の評価基準は、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて７０％以上であるときに「◎」、６５％以上７０％未満であるときに「○」、そうでないときに「×」とした。

（７）反射率の最大値と最低値の差
初期及びＵＶ処理後の各反射率において、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率の最大値と最低値の差を算出し、下記の基準でそれぞれ評価した。
○；１０％以下、
△；１０％超１２％以下、
×；１２％超

〔感光性樹脂組成物〕
ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、顔料（Ｄ）、溶剤（Ｅ）、その他成分（Ｆ）として以下のものを準備した。

（１）アルカリ水溶液に可溶なベースポリマー（Ａ）
Ａ１：高分子量のカルボキシル基含有ポリマー
メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／スチレン／メタクリル酸＝４５／１５／１５／２５（重量比）の割合で重合させてなるカルボキシル基含有ポリマー（重量平均分子量Ｍｗ＝１６８，０００、酸価１６３ｍｇＫＯＨ／ｇ）
Ａ２：中分子量のカルボキシル基含有ポリマー
スチレン／アクリル酸＝７５／２５（重量比）の割合で重合させてなるカルボキシル基含有ポリマー（重量平均分子量Ｍｗ＝２０，０００、酸価１９５ｍｇＫＯＨ／ｇ）

（２）エチレン性不飽和化合物（Ｂ）
Ｂ１：ダイセルサイテック社製の「Ebecryl ６４８」（これは、ＯＨ基を１分子中に２個以上含有するビスフェノールＡエポキシアクリレートである。）
Ｂ２：エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（エチレンオキサイドの繰返し数：１０）
Ｂ３：サートマー社製の「ＳＲ４９２」（これは、トリメチロールプロパントリプロポキシトリアクリレートである。）

（３）光重合開始剤（Ｃ）
Ｃ１：Ｃｉｂａ社製の「Darocur ＴＰＯ」（これは、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイドである。）
Ｃ２：Ｃｉｂａ社製の「Irgacure１８４」（これは、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンである。）
Ｃ３：Ｃｉｂａ社製の「Irgacure６５１」（これは、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンである。）
Ｃ４：Ｃｉｂａ社製の「Irgacure３６９」（これは、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１である。）

（４）顔料（Ｄ）
Ｄ１：テイカ社製の「Titanix ＪＲ−８００」（これは、ルチル型二酸化チタン顔料、アルミナ・ケイ酸表面処理、平均粒子径０．２８μｍである。）

（５）溶剤（Ｅ）
Ｅ１：メチルエチルケトン
Ｅ２：２−プロパノール
Ｅ３：プロピレングリコールメチルエーテルアセテート

（６）その他成分（Ｆ）
Ｆ１：体質顔料あるいは非着色性の充填剤として、表面処理していないフュームドシリカ
Ｆ２：熱架橋剤として、サイテック社製の「Resimene７３５」
Ｆ３：難燃剤として、ビスフェノールＡビス（ジクレジルホスフェート）
Ｆ４：レベリング剤として、Surface Specialties 社製の「Modaflow」

〔ソルダーレジストフィルムＮｏ．１〜６の作製及び評価〕
表１に示す各成分Ａ〜Ｆを同表に示す割合（重量部）で溶剤に溶解して、感光性樹脂組成物溶液を調製した。ついで、この感光性樹脂組成物溶液を、アプリケーターを用いて厚み１９μｍ、ヘーズ２．３％のＰＥＴフィルム（支持体フィルム）上に均一に塗工し、室温にて１分３０秒放置した後、１３０℃のオーブンで３分間乾燥して、表１に示す厚みのレジスト層を有するソルダーレジストフィルムを得た。

上記（１）反射率（初期）及び（６）反射率（ＵＶ処理後）に従って、得られたソルダーレジストフィルムの初期及びＵＶ処理後の反射率を測定し、さらに、上記（７）反射率の最大値と最低値の差に従って、初期及びＵＶ処理後のそれぞれにおける反射率の最大値と最低値の差を算出した。これらの評価結果を表１に示す。尚、表１の組成における顔料（ｗｔ％）は、溶剤（Ｅ）を除いた組成物に対する顔料（Ｄ）の含有率を示している。また、反射率の欄では「反射率の評価結果：反射率差の評価結果」を示している。

Ｎｏ．１〜６のソルダーレジストフィルムを用いて、上記測定評価方法（２）〜（５）に従い、回路埋込性、表面平坦性、アンダーカット、欠けの各評価を行った。これらの評価結果を合わせて表１に示す。

フィルムＮｏ．１は、レジスト層が液状ソルダーレジストの一般的厚み（２０μｍ）を有するソルダーレジストフィルムである。初期及びＵＶ処理後の反射率が、いずれも６５％未満であった。銅張基板上にうまくラミネートできず、気泡が巻きこまれていた。また、レジスト表面の平坦性に劣り、液状レジストの代替えとして使用することはできない。

フィルムＮｏ．２は、フィルムＮｏ．１と同様の組成からなるレジスト層の膜厚を厚くすることによって初期の反射率を７０％以上としたソルダーレジストフィルムである。厚膜にすることによって、回路埋込性、平坦性はフィルムＮｏ．１よりも向上したが、アンダーカット量が増加し、また、ＵＶ処理後の反射率を６５％以上とすることはできなかった。

フィルムＮｏ．３は、光重合開始剤を、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との組み合わせに変更し、さらに顔料濃度を増大することによって、初期の反射率を７０％以上としたソルダーレジストフィルムである。膜厚が３０μｍで薄膜であるので、銅張基板へのラミネート性（回路埋込性）については、少し気泡の巻きこみが認められたが、ＵＶ処理後も反射率が７０％以上であり、表面平坦性に優れ、アンダーカット量が小さく、端部の欠けも認められなかった。

フィルムＮｏ．４は、顔料濃度および膜厚はフィルムＮｏ．２と同じであるが、光重合開始剤として、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との組み合わせを使用したソルダーレジストフィルムである。フィルムＮｏ．２との比較から判るように、光重合開始剤の変更により、アンダーカットが改善され、またＵＶ処理後の反射率も７０％以上とすることができた。

フィルムＮｏ．５は、フィルムＮｏ．３，４との比較において、同じ光重合開始剤を使用し、顔料濃度を低くし、膜厚を厚くしたソルダーレジストフィルムである。フィルムＮｏ．４と同様に、初期及びＵＶ処理後の反射率（色調安定性）、回路埋込性、表面平坦性、レジスト硬化・現像性（アンダーカットや端部の欠け）のいずれも満足できる結果であった。

フィルムＮｏ．６は、フィルムＮｏ．３，４，５と同じ光重合開始剤を使用し、フィルムＮｏ．４より顔料濃度を低くし、膜厚を薄くしたソルダーレジストフィルムである。初期及びＵＶ処理後の反射率を６５％以上７０％未満とすることができ、Ｎｏ．４と同様に、回路埋込性、表面平坦性、レジスト硬化・現像性（アンダーカットや端部の欠け）のいずれも満足できる結果であった。

以上の結果から、顔料濃度や膜厚を調整することによって、初期の反射率が６５％以上のソルダーレジストフィルムを提供できることがわかる。また、ＵＶ処理後の反射率も６５％以上を保持するためには、光重合開始剤として、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との組み合わせを使用した感光性樹脂組成物を用いることが有用であることがわかる。さらに、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との組み合わせを用いた感光性樹脂組成物で構成されるソルダーレジストフィルムでは、顔料含有率を高くし（フィルムＮｏ．３）、あるいは厚膜にした場合（フィルムＮｏ．５）でも、硬化後のレジスト層の物性、特にアンダーカット性を低下させずに済むことがわかる。

なお、本発明のソルダーレジストフィルムは、光重合開始剤として、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）との組み合わせを使用したものに限定されないことを念のために付言する。

〔ソルダーレジストフィルムＮｏ．２〜６と熱処理の関係〕
上記で作製したソルダーレジストフィルムＮｏ．２〜６を用いて、露光後（さらに現像工程を伴う評価方法については、露光後かつ現像前）に、表２に示す条件で加熱処理した後、上記測定評価方法（３）〜（５）に基づいて、露光後の物性である表面平坦性、アンダーカット、欠けについて評価した。これらの評価結果を表２に示す。

表２から、加熱処理により、いずれのフィルムでもアンダーカットを改善できることがわかる。アンダーカットの改善効果は、フィルムＮｏ．２，３，４，６で顕著であり、薄膜であるほどアンダーカット改善効果が大きいことがわかる。また、１１０℃で、６０分以上の加熱処理により、厚膜化によるアンダーカットの増大を抑制できることがわかる（フィルムＮｏ．２，４，５を参照）。

表面実装型ＬＥＤが搭載された発光装置を模式的に示す断面図である。 ピン実装型ＬＥＤが搭載された発光装置を模式的に示す断面図である。 表面実装型白色ＬＥＤを模式的に示す断面図である。 レジストパターンの断面の顕微鏡画像を模式的に示す図である。

符号の説明

１０ 表面実装型ＬＥＤ
１１ パッケージ基板
１２ チップ実装ランド
１３ 電極ランド
１４，１５ 表面実装用端子部
１６ 青色ＬＥＤチップ
１７ 枠状部材（リフレクタ）
１８ 封入樹脂
１９ ボンディングワイヤ
２１，３１ 回路基板
２２，３２ 配線
２３，２４ 電極パッド
２５ はんだペースト
２１ａ，３１ｂ スルーホール
３１ａ 実装穴
４０ ピン実装型ＬＥＤ
４１ ピン
ＳＲ レジスト層

Claims (9)

1. 下記（１）の処理を行った後の色差計反射モードでの測定において、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とするソルダーレジストフィルム。
   （１）全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでソルダーレジストフィルムをラミネートする。
2. 下記（１）〜（３）の処理を順次行った後の色差計反射モードでの測定において、波長４３０〜７００ｎｍの間で１０ｎｍおきに測定した分光反射率がすべて６５％以上であるレジスト層を有することを特徴とする請求項１記載のソルダーレジストフィルム。
   （１）全面に３５μｍ厚の銅箔を有する１．６ｍｍ厚のＦＲ−４銅張積層板をバフ研磨＃６００次いで＃１０００で１回ずつ整面した後、真空ラミネータでソルダーレジストフィルムをラミネートする。
   （２）２１段ステップタブレットを上記ソルダーレジストフィルム上に重ねて、銅ステップ１０段が得られる露光量で全面を露光し、硬化させた後、最小現像時間の２倍の現像時間で現像を行う。
   （３）１Ｊ／cm^２の紫外線照射を行った後、１５０℃で１時間の加熱処理を行う。
3. レジスト層の厚みが２５〜１００μｍであることを特徴とする請求項１または２記載のソルダーレジストフィルム。
4. レジスト層がベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、顔料（Ｄ）及び溶剤（Ｅ）を含有してなる感光性樹脂組成物から得られることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のソルダーレジストフィルム。
5. 顔料（Ｄ）が、溶剤（Ｅ）を除く感光性樹脂組成物に対して５〜３０重量％含有してなることを特徴とする請求項４記載のソルダーレジストフィルム。
6. 光重合開始剤（Ｃ）が、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤（Ｃ１）とアルキルフェノン系光重合開始剤（Ｃ２）を含むことを特徴とする請求項４または５記載のソルダーレジストフィルム。
7. ベースポリマー（Ａ）が、重量平均分子量１００，０００〜２５０，０００のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ１）と、重量平均分子量１０，０００〜８０，０００のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（Ａ２）を含有してなることを特徴とする請求項４〜６いずれか記載のソルダーレジストフィルム。
8. 請求項１〜７いずれか記載のソルダーレジストフィルムを基板上へ積層した後、前記レジスト層に所定のパターンを露光し、現像により前記レジスト層の未露光部分の除去を行うレジストパターン形成方法において、前記露光後かつ前記現像前に前記レジスト層に加熱処理を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
9. 請求項１〜７いずれか記載のソルダーレジストフィルムの前記レジスト層と、前記レジスト層が積層された回路基板と、前記回路基板上に搭載された発光素子とを有することを特徴とする発光装置。

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