TW200908407A - Photosensitive resin compound for organic thin film transistor - Google Patents

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200908407 九、發明說明： 【發明所属之技術領域】 技術領域 、本發明係有關於_種有機薄膜電晶體用感光性樹脂組 成物=〜有關於_種使用於如有機薄膜電晶體或使用 -亥有機4膜電晶體之可撓式顯示器及〇led需要低溫硬化 矛序’貞7^器的層間絕緣膜及保護膜時，可於熱處理程序 時使剩餘溶劑量最少化，同時可藉由高硬化度確保耐熱性 及财化學穩定性的有機薄膜電晶體用感光性樹脂组成物。 10 背景技術 M itH器之大型化及販售價格持續降低之趨 勢不斷持續努力降低成本，亦活躍地進行利用有機物質 之元件的開發。 15 近來’有機薄膜電晶體（Organic Thin Film 細ist〇r ; 0TFT)之開發因顯示器之低價格化於經濟面 上較以現存無機半導體製作之元件有利，同時因有可賦予 兀件柔軟性之f點’預料可於實現可撓式顯示器方面擔任 核心之角色。然而，於可撓式顯示器元件製造程序中使用 2〇習知200t以上之高溫程序時，通道部所使用之有機半導體 的移動性會快速降低，產生塑膠基板之熱變形問題。 為解決此種問題，必須進行^代以下之低溫程序，但 於使用現存TFT-LCD所使用之層間絕緣膜用感光性樹脂組 成物時’會產生幾個問題。其主要原因係，現存之絕緣膜 200908407 係依據以2贼以上之高溫進彳t硬化之原理設心成，當硬 化溫度低㈣m 内無法揮發之殘存溶劑量變 多，該剩餘溶咖交聯仙基間之立體阻礙而成為使硬化 度降低的主要因素。如此’當有機絕緣膜之硬化度降低， 不僅會於導電性薄膜(_蒸鍍、配向膜塗布及硬化等各種 階段之熱處雌序帽熱性降低，特別會產生以後製程序 上使用之溶劑進行表面浸透造成_彡脹(sweuing)及接著力 降低等耐化學特性惡化之問題。 10 t 明内：2§1 ；J 發明揭示 發明所欲解決之課題 為解決此種習知技術問題，本發明目的係提供使用於 如有機薄膜電晶體或使用該有機薄膜電晶體之可換式顯示 器及OLED需要低溫硬化程序之顯示器的層間絕緣膜及保 15護膜時，可於熱處理程序時使剩餘溶劑量最少化，同時可 藉由高硬化度確保耐熱性及耐化學穩定性的有機薄膜電晶 體用感光性樹脂組成物、及利用該樹脂組成物之圖案形成 方法。 又，本發明亦提供含有有機薄膜電晶體用感光性樹脂 20組成物之硬化體的有機薄膜電晶體。 解決課題之手段 為達成則述目的，本發明係提供—種有機薄膜電晶體 用感光性樹脂組成物，包含有：a)玻璃轉移溫度(Tg)或炫融 溫度為9〇至uot之丙稀酸系共聚物'齡駿清漆樹脂及聚酿 200908407 亞胺Μ月日’ b)l，2-—叠氮化酿（i,2_qUin〇nediazide)化合物； 及c)沸點為90至150°C，於將n_BA(乙酸正丁酯）設為1時蒸發 速度為0.3至1_〇之溶劑。

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則述有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物，宜包含 有· a)玻璃轉移溫度(Tg)或熔融溫度為卯至丨仙艽之丙烯酸 系共聚物、酚醛清漆樹脂及聚醯亞胺樹脂1〇〇重量份；b)1,2_ —疊氮化醌化合物5至50重量份；及幻沸點為卯至丨別^， 將n-BA(乙酸正丁 g旨）設為丨時蒸發速度為〇 3至ι 〇，且使前 述a) + b)之固體部分含量為1()至％重量％之溶劑。 ，又’本發明亦提供一種利用前述有機薄膜電晶體用感 光性樹脂組成物之有機薄膜電晶體關案形成方法。 “又’本發明亦提供-種含有前述有機薄膜電晶體用感 先性樹脂組成物之硬化體的有機薄膜電晶體。 ㈤本發月之有機相電晶體用感光性樹脂組成物 ，於低 件下硬化度優異’特別是於⑽赃之低溫程 適八"^更化度而具有優異之耐熱性及耐化學特性 ，不僅 為*低/皿程序之有機薄犋電晶體(〇㈣)的層 間絕緣 晶體之可撓式顯示器及 、亦可作為使用該有機薄膜電 LED用層間絕、緣膜使用。 【貧施方式】 實施發明之最佳形態 以下，詳細說明本發明。 本發明之有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物，包含 20 200908407 有：a)玻璃轉移溫度(Tg)或溶融溫度為9〇至140°C之丙烯酸 系共聚物、酚醛清漆樹脂或聚醯亞胺樹脂；b)l,2-二疊氮化 酿化合物；及c)沸點為90至150。(：，於將n-BA(乙酸正丁醋） 設為1時蒸發速度為0.3至1.0之溶劑。 5 本發明之有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物中，前 述a)玻璃轉移溫度(Tg)或炼融溫度為9〇至mo°c之丙浠酸系 共聚物、酚醛清漆樹脂或聚醯亞胺樹脂具有可於顯像時輕 易形成圖案的功能。前述共聚物或樹脂係選自於由玻璃轉 移溫度(Tg)或熔融溫度為卯至^^匚之丙烯酸系共聚物、酚 10醛清漆樹脂及聚醯亞胺樹脂，前述丙烯酸系共聚物、酚醛 清漆樹脂及聚醯亞胺樹脂係玻璃轉移溫度(Tg)或熔融溫度 為90至14G°C，可藉眾所周知的製造方法製造。以丙稀酸系 共聚物較佳。 舉-具體例，可將不飽和舰、不飽和叛酸針或該等 15之混合物與烯烴系化合物作為單體，於溶劑及聚合起始劑 之存在下，進行自由基反應，以得到丙稀酸系共聚物。以 更含有將包含有環氧基之不飽和化合物作為單體為佳。 前述丙_系共聚物之共聚合時所使用之不飽和叛 酸，可使用丙烯酸、甲基丙烯酸、亞甲基丁二酸、順丁稀 20二酸、反丁烯二酸、乙酸乙§旨、或該等之岐形態等。 又，本發明中於共聚合時使用之烯煙系不飽和化合物 有：甲基丙烯酸甲醋、甲基丙烯酸乙醋、甲基丙稀酸正丁 醋、甲基丙烯酸二級丁能、甲基丙烯酸三級丁醋、甲基丙 稀酸環己醋、甲基丙稀酸二環戊酷(die#-— 200908407 methacrylate)、丙稀酸環己酯、丙烯酸異莰酯（is〇b〇rnyl acrylate)、曱基丙稀酸異获醋（is〇b〇rnyl acrylate)、曱基丙稀 酸苯酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸苯曱酿、 苯乙烯、α-曱基苯乙烯、m_曱基苯乙烯、p-甲基苯乙烯等， 5 可單獨或混合2種以上使用。 又’於本發明共聚合時使用之可視需要包含的包含有 環氧基之不飽和化合物有：丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸 環氧丙酯、甲基丙烯酸-点―甲基環氧丙酯、甲基丙烯酸_6,7_ 環氧庚酯、〇-乙烯基苯曱基環氧丙基醚、m_乙烯基笨甲基 10環氧丙基醚、P-乙烯基苯甲基環氧丙基醚等，可單獨或混 合2種以上使用。 於製造丙稀酸系共聚物時，相對於全體總單體，前述 不飽和羧酸或其酸酐為5〜9〇重量％，以使用5〜4〇重量％為 佳，較佳者是，使用1〇〜3〇重量％。當於前述範圍内時，可 15適當地維持相對於鹼性顯像液之溶解度。 又，相對於全體總單量，前述烯烴系不飽和化合物以 10〜95重量％為佳，較佳者是，使用2()〜％重量％。當前述稀 烴系不飽和化合物之使用量於前述範圍内時，可提升保存 穩定性，並適當地維持對顯像液之溶解性。 20 X ’相對於全體總單*，前述包含有J袁氧基之不飽和 化口物以使用〇〜7〇重量％為佳較佳者是，使用〇〜6〇重量 /〇田則述包含有環氧基之不飽和化合物之使用量大於70 重篁％時，會降低共聚物之保存穩定性。 可使用自由基聚合起始劑作為製造前述丙烯酸系共聚 9 200908407 物所使用之聚合起始劑，具體之例可舉例如：可使用2 2, 偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2,4_二曱基戊腈）、2,2，_偶氮雔 (4-曱氧2,4-二曱基戊腈）、u，_偶氮雙（環己烷_丨甲腈）、: 甲基2,2’-偶氮雙異丁酸酯等；前述溶劑可使用例如：丙— 5醇一乙基醚乙酸酯、乙氧丙酸乙酯、乙酿τ 义〗酉旨 (butylacetate)、乙二醇_曱基醚乙酸酯、丙二醇—甲美醚 丙二醇甲基喊乙酸@旨、二乙二醇二甲基趟、二乙二醇甲武 乙基醚、環己酮、3_甲氧丙酸乙醋、或3-乙氧丙酉楚甲酉旨等土， 特別可使用丙二醇一乙基醚、乙氧丙酸乙酯、或乙酸丁酽 10 (butylacetate)。 θ 本發明中使用之丙烯酸系共聚物或樹脂，以聚苯乙烯 換算重量平均分子量（Mw)為5,000〜30,000為佳，γ 5,000〜20,000較佳。當前述^1〜小於5,〇〇〇時所得之祺，會有 顯像性、殘膜率等降低、或圖案形狀、财熱性等劣化的^ 15題；而在大於30,〇〇〇時則會有感度降低或圖案形狀 問題。 ’ 本發明之前述a)共聚物或樹脂的玻璃轉移溫度(丁幻戈 溶融溫度（softening溫度（軟化溫度))為9〇至14(TC，以9〇〜12〇 °C為佳。當前述溫度小於90°C時，圖案特性、殘膜率等會 20降低’特別是耐熱性會劣化，當大於140。(：時，會有硬化度 不佳、耐化學性及與下部膜之接著力下降的問題。 本發明所使用之前述b)l,2-二疊氮化醌化合物係作為 感光性化合物使用。前述1,2-二疊氮化醌化合物，係可使 用1,2-二疊氮化醌-4-磺酸酯、1，2-二疊氮化醌_5_磺酸酯、 200908407 或1,2-二疊氮化醌-6-磺酸酯等。 此種二疊氮化醌化合物可在弱鹼的存在下使二疊氮化 萘酿績酸ii化物與酌·化合物反應而製造。 前述酚化合物可使用2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三 5 羥基二苯曱酮、2,2’-四羥基二苯甲酮、4,4’-四羥基二苯甲 酮、2,3,4,3’-四羥基二苯曱酮、2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮、 2,3,4,2，-四羥基4’-甲基二苯甲酮、2,3,4,4，-四羥基3’-甲氧 二苯甲酮、2,3,4,2’-五羥基二苯曱酮、2,3,4,6’-五羥基二苯 甲酮、2,4,6,3’-六羥基二苯甲酮、2,4,6,4’-六羥基二苯甲酮、 10 2,4,6,5-六羥基二苯甲酮、3,4,5,3’-六羥基二苯甲酮、3,4,5,4’- 六羥基二苯甲酮、3,4,5,5’-六羥基二苯甲酮、雙(2,4-二羥基 苯基）曱烷、雙(P-羥基苯基）甲烷、三(P-羥基苯基）曱烷、 1,1,1-三(p-羥基苯基）乙烷、雙(2,3,4-三羥基苯基）甲烷、2,2-雙(2,3,4-三羥基苯基）丙烷、1,1,3-三(2,5-二甲基4-羥基苯 15 基)-3 -苯基丙烧、4,4’ - [ 1 - [4-[ 1 - [4-輕基苯基]-1-甲基乙基]苯 基]亞乙基]雙酚、或雙(2,5-二甲基4-羥基苯基)-2-羥基苯基 甲烷等，且可單獨或混合2種以上使用前述化合物。 以如此之酚化合物與二疊氮化萘醌磺酸画化物合成二 疊氮化醌化合物時，酯化度以50〜90%為佳。當前述酯化度 20 於前述範圍内時，殘膜率會變佳，並提升保存穩定性。 相對於前述a)共聚物或樹脂100重量份，前述1,2-二疊 氮化醌化合物以含有5〜50重量份為佳，較佳者是含有10〜40 重量份。當其含量小於5重量份時，曝光部與非曝光部之溶 解度差會變小而難以形成圖案；當大於50重量份時，則會 11 200908407 在短時間照射光時，大量殘留未反應之1，2-二疊氮化醌化合 物，且使得對顯像液之鹼水溶液的溶解度變得過低，而有 難以顯像的問題。 I發明之有機薄膜電晶體 的前述c)溶劑係沸點為卯至丨如它，於將n_BA(乙酸正丁酯） 設為1時蒸發速度為0.3至1.0的低沸點高揮發性溶劑。前述 瘵發速度係表示以依據揮發性液體之蒸發速率標準試驗法 ASTM D3539_87(1996)的殼式薄膜蒸發計（shdi 了恤_咖 10 15 20 ―刪㈣進行測定時，將ΜΑ(乙酸正丁醋）設為i，並 相對地表示測定之溶劑蒸發量的值。 月J述/分片|J之,弗點以u〇J_14(rc為佳。當於前述範圍内 時，即使純溫硬化條件™純、魏學性及_ 性優異，可提高有機薄膜電晶體之可靠性。 具體而言，前述溶劑可單獨或混合2種以上使用例如·· 丙二醇甲基鍵乙酸龍 '兩二醇乙基趟乙酸酿、或丙二醇丙 基醚乙酸醋等丙二醇燒基鱗乙酸醋類；丙二醇甲基鍵、丙

二醇乙基醚、丙二L 丙基醚、或丙二醇丁基醚等丙二醇一 烧基鍵類；乙酸正丁能。宜使用丙二醇—乙基乙賴、丙 二醇一曱基醚、乙酸正丁酯等。 則述浴劑以使全體有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成 物之固體抑含量(aKb))為職㈣量％地包含者為佳， 較佳者疋，使成為15至4G重量％地包含。當前述全體組成 物之固體部分含量小於1G重量％時，會有㈣厚度變薄、 塗布平坦陡降低的問題；當大於5〇重量％時會有塗布厚 12 200908407 度變厚，且於塗布時過度勉強塗布裝備之問題。 又，本發明之有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物可 視需要添加光敏劑、界面活性劑、熱聚合抑制劑、消泡劑 等具有相溶性的添加劑，含量可分別使用0.001至10重量％。 5 由前述成分構成之本發明有機薄膜電晶體用感光性樹 脂組成物，以0.1〜0.2/z m之Millipore過濾器等過濾後再使用 為佳。 又，本發明係提供使用前述有機薄膜電晶體用感光性 樹脂組成物之有機薄膜電晶體的圖案形成方法、及含有有 10 機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物之硬化體的有機薄膜電 晶體，本發明有機薄膜電晶體之圖案形成方法的特徵係， 於將有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物作為有機絕緣膜 或保護膜材料以形成有機薄膜電晶體用基板之圖案形成方 法中，使用前述有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物。 15 本發明之有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物，可用 於通常形成顯示器之圖案的方法。舉一具體例，可將前述 有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物以喷霧法、輥塗布 法、旋轉塗布法等塗布於有機薄膜基板表面，並藉由預烤 以去除溶劑，形成塗布膜。此時，前述預烤以80〜120°C之 20 溫度實施1〜15分鐘為佳。 其後，藉由預先準備的圖案將可見光線、紫外線、遠 紫外線、電子束、X光等照射於前述形成有塗布膜上，並 以顯像液顯像去除不必要的部分，藉此形成預定的圖案。 此時，硬化溫度以80至150°C為佳。 13 200908407 前述顯像液以使用鹼水溶液為佳，具體而言可使用氫 氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉等無機鹼類；乙基胺、正丙基 胺等一級胺類；二乙基胺、正丙基胺等二級胺類；三甲基 胺、曱基二乙基胺、二曱基乙基胺、三乙基胺等三級胺類； 5 二甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類；或四 甲基銨氫氧化物、四乙基銨氫氧化物等四級銨鹽之水溶液 等。此時，前述顯像液係將鹼性化合物溶解成0.1〜10重量 %之濃度使用，且亦可以適當量添加如甲醇、乙醇等之水 溶性有機溶劑及界面活性劑。 10 再者，以如此的顯像液顯像後，用超純水洗滌30〜90 秒以去除不必要的部分，並乾燥形成圖案，藉由烘箱等加 熱裝置以80〜150°C之溫度加熱處理前述圖案30〜90分鐘， 可得最終之圖案。 以下，揭示較佳實施例以理解本發明，但以下實施例 15 僅為例示本發明者，且本發明之範圍未受以下實施例所限 制。 [實施例] 實施例1 (製造丙烯酸系共聚物） 20 於具有冷凝管與攪拌器的錐型瓶中加入2,2’-偶氮雙 (2,4-二曱基戊腈）10重量份、四羥基呋喃600重量份、甲基 丙烯酸30重量份、甲基丙烯酸環氧丙酯30重量份、苯乙 烯20重量份、及甲基丙烯酸異莰酯20重量份，進行氮氣 置換後，緩慢地攪拌。使前述反應溶液升溫至60°C，且一 14 200908407 • 邊維持此溫度26小時，一邊製造包含丙烯酸系共聚物之聚 合物溶液。 為了去除聚合物溶液之未反應單體，以相對於不良溶 劑（Poor Solvent)之正己烧(n — hexane)10,000重量份，沉澱 5 前述聚合物溶液1,000重量份。沉澱後，藉由利用篩網(mesh) 之過漉（filtering)程序去除溶解有未反應物的不良溶劑。之 後，為去除含有於過濾程序後仍殘留之未反應單體的溶 劑，藉於30°C以下進行真空乾燥，而完全去除，以製造丙 f 烯酸系共聚物。前述所製造之丙烯酸系共聚物之玻璃轉移 10 溫度為97°C。 (製造有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物） 混合前述所製造的丙烯酸共聚物100重量份，與 4,4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-曱基乙基]苯基]亞乙基]雙酚 1,2-二疊氮化萘醌-5-磺酸酯20重量份，並以丙二醇一乙基 15 乙酸酯使其溶解，使前述混合物之固體部份含量成為30重 量％，並以0.2//m之Millipore過濾器過濾，以製造有機薄 膜電晶體用感光性樹脂組成物。 實施例2 於製造前述實施例1之丙烯酸系共聚物時，使用曱基丙 20 烯酸30重量份、甲基丙烯酸異莰酯60重量份、甲基丙烯酸 二環戊酯10重量份，製造玻璃轉移溫度為117°C之丙烯酸系 共聚物，除了使用丙二醇一甲基醚作為電晶體用感光性樹 脂重物之溶劑以外，實施與實施例1相同之方法，以製造有 機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物。 15 200908407 實施例j· 於製造前述實施例1之丙烯酸系共聚物時，使用甲基兩 烯酸25重量份、曱基丙烯酸環氧丙酯25重量份、甲基丙烯 酸異莰酯15重量份、曱基丙稀酸二環戊酯35重量份，製造 5玻璃轉移溫度為13〇°C之丙婦酸系共聚物，除了使用乙酸正 丁酯作為電晶體用感光性樹脂重物之溶劑以外，實施與實 施例1相同之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光性樹脂系且 成物。 實施例1 ίο 於製造前述實施例1之丙烯酸系共聚物時，除了使用甲 基丙烯酸30重量份、甲基丙烯酸異莰酯30重量份、甲基@ 烯酸二環戊酯1〇重量份、笨乙烯30重量份，製造玻璃轉移 溫度為111°C之丙烯酸系共聚物以外，實施與實施例1相同 之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物。 15 實施例5 於製造前述實施例1之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物時，除了使用玻璃轉移溫度或softening溫度(炼融溫 度）為120°C之酚醛清漆系共聚物以外，實施與實施例1相同 之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物。 20 實施例6 於製造前述實施例1之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物時，除了使用玻璃轉移溫度為127°C之聚醯亞胺樹脂 以外，實施與實施例1相同之方法，以製造有機薄膜電晶體 用感光性樹脂組成物。 200908407 比車交ί列1 於製造前述實施例1之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物時，除了使用二乙二醇甲基醚作為溶劑以外，實施 與實施例1相同之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光性樹 5 脂組成物。 比較例2 於製造前述實施例1之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物時，除了使用丙二醇甲基醚丙酸酯作為溶劑以外， 實施與實施例1相同之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光 10 性樹脂組成物。 比車交Ϊ歹1J 3 於製造前述實施例1之丙烯酸系共聚物製造時，除了使 用甲基丙烯酸30重量份、甲基丙烯酸環氧丙酯10重量份、 甲基丙烯酸二環戊酯40重量份、苯乙烯20重量份，製造玻 15 璃轉移溫度為152°C之丙烯酸系共聚物以外，實施與實施例 1相同之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成 物。 比幸交命J 4 於製造前述實施例1之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 20 組成物時，除了使用玻璃轉移溫度或softening溫度（熔融溫 度）為82°C之酚醛清漆系共聚物以外，實施與實施例1相同 之方法，以製造有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物。 比較例5 於製造前述實施例1之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 17 200908407 組成物時，除了使用玻璃轉移溫度為155°C之聚醯亞胺樹脂 以外，實施與實施例1相同之方法，以製造有機薄膜電晶體 用感光性樹脂組成物。 使用旋轉塗布器將前述實施例1至6及比較例1至5 5所製造之有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物塗布於裸矽 晶片（Bare silicon wafer)後，在加熱板上以90。(：預烤2分 鐘，而形成厚度3.6# m之膜。於以此種方法形成之膜上使 用預定的圖案遮罩(pattern mask)，照射於365nm之強度為 lOmW/cm2的紫外線，並以1〇"ml:1CD作為基準曝光量。 10之後，以0.38重量❶之四甲基銨氫氧化物水溶液於23。〇顯 像2分鐘後，以超純水洗滌丨分鐘得到圖案膜後，照射全 面曝光(floodExp〇sure)500mJ/cm2後，以150°C之對流供箱 (Convection oven)進行硬化（Curing)6〇分鐘後得到薄膜。於 評價該薄膜之以下物理特性後，將該結果顯示於以下表i。 15 a)耐化學性：將前述形成於晶片上的薄膜以7(TC浸潰 (dipping)於NMP5分鐘後，以超純水漂洗(rinse)，並藉由 FE-SEM測定截面以測定NMp處理前後的1〇"mCD變化 率。當變化率為0〜20%時係以〇表示，為2〇〜4〇%時以△表 示，大於40%或產生圖案剝離時以χ表示。 20 b)TGA分析：以刀剝出前述形成於晶片上的薄膜後， 得到分別為3Gmg之試料。藉由TGA(熱重量分析裝備）以 220 C 60分鐘之等溫條件下測定所得試料之重量損失 (weight loss%)。此時，當產生之重量損失為〇 5重量％時係 以〇表不，為0.5〜1.5重量％時以△表示，大於15重量％ 18 200908407 時以X表示。 C)厚度變化率：將前述形成於晶片上的薄膜再以15〇 C之對/瓜Μ目進行硬化6〇分鐘後，藉由fe_sem測定截面 以測定厚度變化率。若變化率為0〜3%時係以〇表示，為 5 3〜1〇%時以△表示，為10%以上時以X表示。 [表1] 實知實施實施& I I ,_l I I kK4$^ thfe tKfe

由刖述表1可知，藉由本發明所製造的實施例1至6之使 用丙稀酉夂系共聚物樹脂、齡駿清漆共聚物及聚醯亞胺樹脂 -低/弗點之特疋溶劑所得之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 1〇、.且成物’即使於低溫硬化條件下，硬化度亦良好，且於後 製程序時面臨之對熱處理製程及特定溶劑之耐熱性及耐化 學特性優異。特別是，於比較例4中，有祕清漆樹脂之财 熱性下降的贿’於比較例5中，則有於所賦予之硬化條件 下不會產生充分之硬化的問題。 15 依據以上結果，可確認本發明於作為需要低溫程序之 有機溥膜電晶體的層間絕緣膜及使用該有機薄膜電晶體之 可撓式顯示器及OLED用保護膜時，具有優異之性賴性。 【阚式簡單說明】 盈。 20 【主要元件符號說明】 無 19

Claims (1)

1. 200908407 十、申請專利範圍： l 一種有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物，包含有： a) 玻璃轉移溫度(Tg)或疼融溫度為9〇至14(TC之丙 稀酸系共聚物、酚醛清漆樹脂及聚醯亞胺樹脂； b) l，2-二疊氮化醌化合物；及 c) 沸點為90至15〇。(：，於將n-BA(乙酸正丁酯）設為1 時蒸發速度為0.3至1.〇之溶劑。 2.如申請專利範圍第1項之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物，包含有： a) 玻璃轉移溫度(Tg)或熔融溫度為9〇至M(rc之丙 稀酸系共聚物、酚醛清漆樹脂及聚醢亞胺樹脂1〇〇重量 份； b) l，2-二疊氮化醌化合物5至5〇重量份；及 c) 彿點為90至15〇。(：，於以依據ASTM D3539-87之 殼式薄膜蒸發計測定時，將n_BA(乙酸正丁酯）設為1時 蒸發速度為0.3至1.〇’且使前述勾+ 13)之固體部分含量為 10至50重量％之溶劑。 3·如申請專利範圍第1項之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物’其中前述a)之共聚物或樹脂的聚笨乙烯換算重 量平均分子量(Mw)為5,〇〇〇至30,000。 4.如申請專利範@第丨項之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物’其中前述溶劑之沸點為110至140。(：。 5·如申請專利範圍第1項之有機薄膜電晶體用感光性樹脂 組成物’其中前述溶劑係選自於由乙酸正丁酯、丙二醇 20 200908407 甲基醚乙s旨、丙二醇甲基騎構成之群之}種以上。 6. =财機薄臈電晶體之㈣形成方法，制对請專利 範圍第1至5項中任-項之有機薄膜電晶體用感光性樹 脂組成物。 7. 如申請專利範圍第6項之有機薄膜電晶體之圖案形成方 $去，其中丽述圖案形成時之硬化溫度為8〇至15〇它。 1種有機薄膜電晶體，係含有申請專利範圍第⑴項中 項之有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物的硬化 體者。 )·如申請專利範圍第8項之有機薄膜電晶體，其中前述硬 化體為有機薄膜電晶體之絕緣膜或保護膜。 21 200908407 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（無）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 無 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：