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TW200816484A - Inverted-trench grounded-source FET structure with trenched source body short electrode - Google Patents

Inverted-trench grounded-source FET structure with trenched source body short electrode Download PDF

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TW200816484A
TW200816484A TW096134596A TW96134596A TW200816484A TW 200816484 A TW200816484 A TW 200816484A TW 096134596 A TW096134596 A TW 096134596A TW 96134596 A TW96134596 A TW 96134596A TW 200816484 A TW200816484 A TW 200816484A
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TW
Taiwan
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field effect
effect transistor
source
trench
region
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TW096134596A
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English (en)
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TWI390731B (zh
Inventor
Sik K Lui
Francois Hebert
Anup Bhalla
Original Assignee
Alpha & Amp Omega Semiconductor Ltd
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Publication date
Application filed by Alpha & Amp Omega Semiconductor Ltd filed Critical Alpha & Amp Omega Semiconductor Ltd
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Description

200816484 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及半導體功率器件，更具體地涉及逆槽溝的 和源極接地的場效應電晶體結構（FET)，其中採用了槽溝 的源體短路電極的傳導基底。 【先前技術】 Γ、 對於包含源極電感的FET、MOSFET (金屬氧化物半 導體場效應電晶體）和JFET (結型場效應管）等半導體功 率為件，常規技術對於進一步降低其源極電感面臨一此技 術困難和局限性。尤其是，本領域的技術人員對於減^源 極電感面臨技術挑戰。同時，因為越來越多的功率器件應 Z要求這些科具有高效率、高增益和適應高頻率的^ 能、，對於半導體功率器件這些不斷增長的需求都要求減小 其源極電感。—般來說，取消半導體功率ϋ件包内的焊接 線就能減小源極電感。通過配置半導體基底作為源極來連 接半導體功率器件，做了許多努力來取消焊接線。這類辦 法也有困難’因為在通常的垂直式半導體功率器件中是將 漏=安排在基底上的。參照第1Α圖和第1Β _分別表示 ，▼槽溝的和平面的DM〇S(雙擴散錄絲半導體器件） ili這兩類垂直式功率器件制基底作為漏極，‘的 件勺壯原極机到下面設置在基底的底上的漏極區域。在器 綠=工藝中對於頂上的源電極的電連接通常需要焊接 、、、’廷樣就增加了源極電感。 參妝第 ic 圖，由 Seung(hulLee 等人在 physicaCripta 6 200816484 Τ1〇1，ΡΡ· 58-60, 2002所披露的新型垂直式溝道LDM〇s(橫 12 ^放金屬氧化物半導體）II件，圖示為標準的垂直式帶 槽溝的DMOS結構，其中漏極接點設置在頂面邊緣上，而 源極仍叹在活性區頂面。然而，這個器件中頂上的漏極接 ”、、占所茜的檢向間隔造成單元橫距變大的局限性。除了單元 橫距變大的局限性，帶有槽溝的FET —般财製造成本的 問題，由於製備帶槽溝的FET所需的工藝條件並非所有的 鑄造工廠都有的，這就提高了製造成本。由於這樣的緣故， 將功率器件實施成橫平式器件並採用平面門極也是合乎需 要的。
已經披露了幾種帶有接地的基底和源極的橫平式 DMOS器件。橫平式DMOS器件通常包括連接頂上的源極 到P+基底之間的P+陷阱區（或者代之以槽溝）。由於陷阱 或槽溝要佔據空間，陷阱區域或槽溝使得單元橫距增大。 芩見第1D圖所示G· Cao等人發表的器件的截面圖 (u Comparative Study of Drift Region Designs in RF LDMOSFETs”，IEEE Electron Devices，August 2004，pp 1296-1303)。以及 Ishiwaka O 等人的文章（“A 2.45 GHz power LdMOSFET with reduced source inductance by V-groove connections” ，International Electron Devices Meeting. Technical Digest, Washington DC，USA，1-4 Dec· 1985, pp· 166-169)。Leong 嘗試了在 P+和 P-epi 二層的介面 上用埋層來減少橫向擴散從而減小橫距（US Patent 6372557, Apr· 16, 2002)。在 D’Anna and Hubert (US Patent 5821144， 7 200816484
Oct 13, 1998)和 Hubert (US Patent 5869875, Feb· 9, 1999,
Lateral Diffused MOS transistor with trench source contact59) 兩個專利中彼露的器件中通過將源極陷阱或者槽溝設置在 該結構的外周來減小單元橫距。然而在這些檔中，圖示器 件的大多數採用同一種金屬作源極/體（極）接點區域和門 極遮罩區域，而某些器件採用了第二種金屬來作漏極和門
極遮罩區域。這些配置中的橫向擴散增大了水平面上的漂 移長度，一般會有大的單元橫距。大的單元橫距會使通態 電阻大，通態電阻是電阻和科面積的函數。大的單元橫 距引起器件尺寸變大，包的尺寸也敎，於是使得器件的 成本增大。 珂於叨平牛導體器件的設計和製造技術，仍然 需要提供新的器件配置和製備方法來形成功率器件，以便 解決上面討論的問題和局限性。 【發明内容】 本發明提供的-種具有槽溝的源體短路電極的、逆槽 溝和源極接地的場效應電晶體結構，解決了背景技術中 論的問題和局限。 因此本發賴—個方面提供—種新的和改進 補溝的财到重度摻雜的基底，例如，重換雜讲 ς氏匕的源極在底上而漏極在頂上，通過採用槽溝體/ 源紐路結構，並且不用ρ咨阱 _ W工虫 方使侍具有減小了的單元橫 攸、現了低的製造成本。低的製造 於低的有效管芯成本，加上在實施改進的器件 200816484 I單元橫距。這就克服了上面討論過的常規半導體功率器 <遇到的無法收縮單元橫距的技術困難和局限性。
特暇’本發明的-個方面提供—種新的和改 極接地的、逆槽溝的FET射度摻雜的基底，例如，重接 雜N+基底上’它的雜在底上而祕在頂上，它取消 極?線從㈣顯減小了源極電感，同時採用了集成的分佈、 在。。件中的體·源短路結構或者金屬互連層從*最小化了特 本發明的另—方面提供—種新的和改進的源極接地 的、逆槽溝的FET 度摻雜的基底，例如，重捧雜讲 基底上’ b的源極在底上㈣極在頂上，它可適應於相舍 寬範圍的高和低電壓的顧。本發明所披露的這種二 功率器件由於採用了分散式龜接點配置，減小了閉 能性’減小了氧化物Η極造成的鋪流子注人和峰值帝芦 生成等問題’從而進-步實現了敎可靠的卫作。电ι 本發明的另-方面提供—種新的和改進的源 的、逆槽溝的服到重度摻雜的基底，例如，重換雜n+ 基底上’它的源極在底上而漏極在頂上，它可提供帶有可 控漂移區長度的垂直f流溝道從而更能適胁W橫祕 配置。它通過料基底和在槽溝底部形成馳接點跟重戶 摻雜的N+基底直接接觸來建立源極跟底面的連接。從而= 除了對於採用深度阻抗陷牌或者槽溝接點的需求。响 本發明的另一方面提供-種新的和改進的源極接地 的、逆槽溝的服到重度摻雜的基底，例如，重 = 9 200816484 基底上，它的源極在底上而漏極在頂上，使得可以容易地 配置成集成的高端（Hs)和低端（LS)帶槽溝的功率型 MOSFET並集成在同—塊半導體管芯上，來適合降壓變流 态的應用。作為耶酣的源極和LSFET的漏極的一個基 底就建立了 HSFET的源極和LSFET#漏極之間的直接接 觸。 …簡單敍述本發明的一個較佳實施例披露的一種半導體 功率器件包括一個源極接地的、逆槽溝的FET到重摻雜N+ 基底上，匕的源極在底上而漏極在頂上，它進一步包括多 個，溝來形成射關極。該半導體功辆件還包括分佈 在為件中作為埋置的導體的體_源接點，以便在重摻雜N+ 基底上將體區跟源區電連接起來。 此外本發明披露了一種製備應用於降壓變流器的、集 成的尚M (HS)和低端（LS)帶槽溝的功率型m〇sfe丁 的方法。此方法包括步驟··在同一塊基底上同時製備一個 逆槽溝的場效應電晶體（rr_FET)半導體器件起hsfet# 能以及-個肖特基FET ϋ件起LS FET功能，通過將 iT_FET的源極形成到基底的底面上以直接電連接到肖特基 FET的漏極。而且，在一個較佳實施例，同時製備一個 iT-FET (逆槽溝的場效應電晶體）半導體器件以及一個肖 特基FET器件的步驟還包括步驟··將該iT_FET半導體器 件及肖特基FET器件集成到該半導體基底的同一管芯 上，從而可以不用鉛框而將降壓變流器製備成單一管芯上 的單個晶片。 〜 200816484 雜提供的具有槽溝騎、體短路電_、逆槽溝和 财縣晶聽構，歧了常辭導體功率哭 極造成的熱载流子注=:=;:了_ 半鲁泪π竿值冤壓生成等問題，從而進一 Γ ί者槽溝作，贿了對雜贿雜抗贿 【實施方法】 多照第2圖的本發明的、具有底源頂漏（即源極在底 孙漏極在頂部）#、源極接地的逆·财餅的截面 圖。該源極接地的逆槽溝财器妓支撐在域面源電極 作用的N+基底105上。起P體區功能的P-外延生長層110 支撐在基底105頂上。基底上配置了活性單元區，終止區 通常設置在基底週邊。該FET器件励有多條開口在基底 頂面上的槽溝’其珠度達夕卜延生長層11〇的較低部。開在 活性單兀區上的槽溝充以門極多晶矽層以形成門極12〇，槽 溝側壁墊了一層槽溝壁氧化層125。在終止區的槽溝形成4 極流道120’，槽溝門極120延伸到該處。N+區16〇設置在 門極槽溝下並在N+基底和源區155之間延伸，後者包圍在 P摻雜區130内，而P摻雜區no則形成於圍繞槽溝門極 120的外延生長層内。在體區130頂部形成N聯結區135 來接觸N漂移區145 ’後者被基底頂面附近的n+漏極接點 區140所包圍。在門極側壁的上部形成較厚的門極氧化物 層125^來將槽溝門極120跟N漂移區145絕緣，以便減 11 200816484 小cgd (門漏電容）。在源區155和N聯接區i45之間由p 區130形成了一個溝道。可代替地，門極槽溝可達到N+基 底’區域155和160都不需形成了。 帶槽溝垂直式FET H件還包括在活性單元區内埋置的 傳導體槽溝底上職齡源短路結構⑼。源短路結 構15〇採用傳導芯杆W來形成，例如它可為一個ή(欽）、 Co (銘）、W的石夕化物做的芯杆，被p摻雜區155和n+基 底（或可選用傳導芯杆150下的重摻雜N++區）所圍繞， 以形成-個高度傳導、低電阻率的體韻路結構。漏:金 屬Π0覆蓋了活性單元區，而門極金屬18〇形成在終止區。 漏極金屬和Η極金屬分職過漏極接闕口和門極接點開 口電接觸漏極140和Η極流道12〇,，這兩個開口分別通過 鈍化層185、介電層175例如一個BpSG(硼磷矽玻璃)層、 和絕緣層例如氧化層165，覆蓋了 FET ϋ件的頂面。所示 集成的體/源短路150是充填槽溝的埋置的傳導體芯杆，用 以形成分佈到整個器件的體·源短路結構。這一配置的Ν漂 移區留下不連接，因為沒有到終止區的接點。由於基底處 於源電位，就是NMOS (Ν溝道MOS電路）器件的接地電 位，該浮動的Ν漂移區145可能工作在地電位。圖示的該 器件配置還有一個優點，在劃線區鋸斷管芯產生的任何損 傷都趨向於將該浮動Ν漂移區短路到接地的基底。此器件 結構提供了一個包括將源極連接到基底底上的底源的垂直 溝道。跟常規底源器件不同，本發明的底源器件並不用靠 在源極區底下的Ρ+陷阱來實現。反之，本發明的底源器件 12 200816484 採用體/源短路結構來作為 器件結構節省了_ 、杆I50。所以，本發明的 參二免了。+_向擴散。 施例，它« 2 逆贿FET科的可替代實 在讲基底上，而該基底 =該盗件形成 體層m。該體源短路=層用離子注入來形成 Γ
路槽溝侧壁的至少一部分上:；的;形1在體-源短 導芯杆150的體接觸。 來改進跟傳 參照第4 _鱗本發_—個可替代的實施 構，=器it第4圖的器件具有跟第3圖相同的結 150，將設置在;^區有—個槽溝體-源短路芯杆連接 土 &底上的埋置源極1〇5跟設置 广這， 上。 、4 ’知用相同材料沉積在漏極金屬17〇 如苐2圖和第3闯％ - .. 石夕層聊，起門終止區的槽溝填進門極多晶 的槽溝門極m的連續延^b_；ff設置在活性單元區上 極金屬170同時妒成在„、。^刀。門極金屬180跟漏 金屬和卿為漏極 作為接地電極。 成在基底的底面， 按照上述器件配置，實生 管芯可實現較低有效找_ ’因為用小的 本。最重要^，1林*而補了較高的製造成 、疋^過域基底源極細朗了低的源極 13 200816484 賴，輯過實齡佈在料上的源_體短路結構使得源極 電阻最小化。而且，如上所述器件的小的橫距進一步減小 了它在給定的卫作電壓下的特徵的Rsp。這種器件配置便於 相容設計的縮放並適應於工作在相當寬範圍的高和低電壓 下的器件。這種器件由於通過源_體短路結構的分散式體極 接點配置，減小了閉鎖可能性，減小了熱載流子注入，和 能夠對付Η極氧化物造成的峰值賴生成制題，從而進 —步實現了穩定可靠的工作。所以，這裏就彼露了-種逆 、， 槽溝的源極接地的FET器件，它允許垂直電流通過垂直溝 道。用這種垂直溝道實施的漂移區的可控的漂移長度，使 知可能製造小而可縮放的單元橫距。由於設在槽溝底部的 源極接點直接接觸重度摻雜的基底，就減小了源極電阻。 再也不需要如常規底源FET器件通常實施的深度阻抗的陷 阱區或槽溝接點。 ξ 第5Α圖是用於降壓變流器的集成高端和低端槽溝功 ι 率M〇SFET的截面圖，第5Β圖是降壓變流器的電路圖。 第5A圖和第5B圖所示降壓變流器集成了第2圖所示的 iT_FET器件和專利申請N〇 11/〇56346和11/356944所披露 的肖特基MOS器件。本申請參考並包括了這兩個申請所 披硌的内容。任何別種肖特基二極體也可跟平面的和槽溝 的FET或者iT_FET集成來做降壓變流器應用。該汀_即丁 為件和宵特基FET支撐在共同的基底1〇5上，後者起 it_FET器件的源極和肖特基fET器件的漏極的功能。該肖 特基FET器件包括被接近頂面的源區145，圍繞的槽溝門極 14 200816484 =〇又包圍在體區110内。源區145，跟源極金屬層i7〇, :接觸。該肖特基FET器件的槽溝門極被襯墊了門極 乳化物層125'並且跟門極金屬·電連接。以往在電路板 1尺準或者在集成包的水準組裝㈣變流騎制複雜的 公框，代之以本發明，可在一個半導體管芯上集成hs和 LSM0SFET的降壓變流n，_減小了包的尺寸。由於採 用了較為簡單触框結構，包的成本也就降低了。 多…、弟6A圖至第6K圖的系列橫截面圖，來說明第5a 圖所示的ϋ件結構的製造工藝過程。如第6a圖，實施^丁〇 ⑷盈氧化物）沉積來形成氧化物層215，接著加上槽溝掩 膜。然後進行氧化物餘刻#槽溝敍刻來形成捕在基底2〇5 上的外延層21G中的多條槽溝2G9，然後除去掩膜。然後加 工轉體管芯的兩倾域：高端iT_FET區和低端服區。 在第6B圖中，先進行犧牲氧化來形成犧牲氧化物層，接著 施加底源光刻膠掩膜遞來實施G度槽溝底源注入以便在 高端iT-FET區形成多個底源區22〇，同時低端FET區是被 光刻膠208擋住的。在第6C圖中，除去掩膜观，實施犧 牲氧化物烟，接著進行門極氧化工藝來形成門極氧化物 層225，並擴散槽溝底源區220。在第6D圖中，沉積多晶 矽層，摻雜，然後再蝕刻回去。氧化物蝕刻之後進行遮罩 氧化來形成氧化物層235。 如第6E圖’用體掩膜實施選擇性體摻雜劑注入來形成 體區240,接著進行體擴散工藝以便將體區24〇擴散進入外 延層21G。此步驟中也生成—個氧化物層。施加源/漏光刻 15 200816484 膠掩膜237 ’先實施氧化物_，接著將n+捧雜劑注入來 分別為iT-FET和肖特基器件形成漏區245_d和源區 245-S。如第6F圖，除去源/漏掩膜撕，施加l叫橫向 漂移擴散）掩膜238，為it術器件注入該咖區—。 如第6G圖，施加接觸槽溝光刻膠掩膜，進行氧化物侧來 開關多條接觸槽溝252，接著進行魏刻和大⑽接觸注 入0 如第6H圖，進行魏刻進一步侧接觸槽溝，施加底 部接觸槽溝光刻膠掩膜239，為iT_FET器件注人槽溝底部 接觸區255，以便接觸底源區。第61目中，除去光刻膠掩 膜239，接著進行退火工藝，然後沉積鎢的石夕化物26〇，或 者用別的類型的金屬例如鈦或銘的⑧化物做沉積，然後姓 刻回去。於是在iT-FET器件上形成多個底源接觸芯杆26〇, 而在肖特基器件上形成多個帶槽溝的肖特基二極體 260-S。如第6J圖，實施LTO沉積過程來形成頂部氧化物 層265接者做BPSG層沉積並且回流。施加接觸掩膜來開 闢多個接觸開口，以使得iT_FET器件的門極和漏極245_d 接觸，也使得用肖特基器件以及帶槽溝的肖特基二極體 260-S的低端MOSFET中的門極和源極245-S接觸。在第 6K圖中，先沉積一個金屬層，然後對爪FET器件，形成 其門極金屬270-G和漏極金屬270-D的圖形，而將其源端 形成在底面。對採用肖特基器件的低端MOSFET，進一步 將其金屬層形成門極金屬280G和源極金屬280-S的圖形。 雖然現在採用了這些較佳的實施方案來描述本發明， 16 200816484 應該理解這些公開不得解釋為限制性的。本領域的技術人 員在閱讀了上面所公開的之後，無疑可能做出各種更動和 修改。因此，後面的申請專利範圍才應該解釋成覆蓋了落 在本發明的真實精神和範圍内的所有更動和修改。 17 200816484 【圖式簡單說明】 第1A圖和第1B圖分姻示通常的垂直式功率器件的 配置的槽朗極和平面門極兩種實施方㈣截面圖； 第1C圖是垂直溝道LDMOS器件的截面圖； 第1D圖疋為即（射頻）用途的LDMOSFET(橫向擴 =金屬氧化物半導體場效應電晶體）器件的漂移區設計的 截面圖； 第2圖是作為本發明一個實施例的、帶有在重推雜讲 =十曰上形成的底源的、採用了作為分佈在ϋ件内的埋置導 -“形成賴_雜路結構的、馳接地的逆槽溝fet哭 的截面圖； 第3圖疋作為本發明另一個實施例的、帶有在重換雜 + &層上形成的底源的、採用了作為器件中的金屬互連声 =體_源短路結構的、另，源極接』^ 件的截面圖； 广、、4圖7^細騎（中的）雜接縣從頂面連接到 仏、的另-他原極接地的逆槽溝fet器件的截面圖. iTiJ二Γ和第5B圖分別是本發明所採用的以—個 -FET时_部聊科魏及—個肖 ，底部器件功能的集成組合式降壓變流器的截面圖和= …第6A圖至第6K圖為說明製造第圖所 =流器的集成高端和低端的帶#_ μ_ετ “ # 藝步驟的系列截面圖。 的衣備工 200816484 【主要元件符號說明】 100 FET器件 105 > 205 基底 110 外延生長層 120 門極 120， 門極流道 125 槽溝壁氧化層 125,、225 門極氧化物層 130 、 240 P摻雜區；體區 135 N聯結區 140 N+漏極接點區 145 N漂移區 150 體-源短路結構，傳導芯杆 152 P+摻雜區 155、145,、245-S 源區 160 區域 165 氧化層 170、270-D、280-S 漏極金屬 170， 源極金屬層 175 介電層 180、180,、270-G、280-G 門極金屬 185 純化層 190 源襯 208 掩膜 19 200816484
209 、 252 210 215、235、265 220 237 238 239 245-D 245-S 250 255 260 260-S LDD FET 槽溝 外延層 氧化物層 底源區 源/漏光刻膠掩膜 LDD掩膜 光刻膠掩膜 漏區 源極 LDD區 接觸區 矽化物；接觸芯杆 肖特基二極體 橫向漂移擴散 場效應電晶體結構
20

Claims (1)

  1. 200816484 申請專利範圍： L -種逆槽溝場效應電晶體半導難件，包括半導體基 底和设置在基底底上的源極和設置在基底頂上的漏 極其特徵在於，所述逆槽溝場效應電晶體半導體器 件還包括： 沿著槽溝中的門極設置在所述源極和所述漏極之間的 垂直式電流傳導溝道，該門極被開口在所述半導體基 底上的槽溝的各侧壁上所設置的門極氧化物所襯墊了 及由設置在埋置的傳導體槽溝中的向下延伸的傳導芯 杆構成的源_體鱗結構，絲騎述基底巾的體區跟 設置在所述基底的所述底面上的所述源極電學短路。 2·如申明專利範圍第1項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，所述垂直式電流傳導溝道還包括 設置在所述基底上的摻雜溝道區，它圍繞著所述槽溝 的底部’並且延伸到所述基底的所述底面上設置的所 述源極。 3·如申請專利範圍第2項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，還包括： 設置在所述基底的所述頂面附近的漂移區，它圍繞著 所述槽溝的上部，並且包圍了所述漏極；及設置在所 述漂移區下麵的聯接區，它向下延伸到所述摻雜溝道 區’用來將所述漂移區跟所述摻雜溝道區聯接起來。 4·如申請專利範圍第2項的逆槽溝場效應電晶體丰篡縣 器件，其特徵在於，其中： ~ 21 所述ΐ短路結構的所述傳導芯杆還包括石夕化鈦傳導 怒扞L它從所述槽溝的底部向下延制所述源區。 如申知專利範圍第2項的逆槽溝場效應電晶體 器件，其特徵在於，其中： 所述體=短路結構的所述傳導芯杆還包括石夕化钻傳導 芯杆&匕從所述槽溝的底部向下延伸到所述源區。 他圍第2項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中·· 所述體1 原短路結構的所述傳導芯杆還包括石夕化鶴傳導 Α_>杆&從所述槽溝的底部向下延伸到所述源區。 如申請，範圍第i項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，還包括·· 設置在所述槽溝門極的底面下的源極摻雜區，它被所 述摻雜溝道區所圍繞。 ^申請專利範圍第1項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中·· 所述槽溝卩1_包括設置在所述各繼的上部的厚氧 化物墊片層，用來將所述槽溝門極跟所述基底的頂面 附近設置的所述漏極絕緣，以進-步減小門漏搞合電 容。 =申明專利知圍第】項的逆槽溝場效應電晶體半導體 斋件，其特徵在於，其中·· 所述源極觀括設置麵職底的所述絲的N 雜區。 > 200816484 10·如申睛專利範圍第9項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件’其特徵在於，其中·· 所述漏極還包括設置在所述基底的所述頂部的N+摻 雜區。 u·如申請專利範圍第9項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中·· 所述推雜溝道區包括設置在所述基底内的p摻雜區， 匕圍繞著所述槽溝的底部，並且延伸到所述源極。 12·如申請專利範圍第9項的逆槽溝場效應電晶體半導體 斋件’其特徵在於，其中： 所述基底的底部還包括一個N+摻雜接觸增進帶，來增 進所述源_體短路結構跟所述源區的電接觸。 13·如申請專利範圍第丨項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，還包括： 終止區包括跟所述槽溝門極電連接的槽溝門極流道， 用來跟設置在所述終止區内的門極金屬電連接。 14· ^申明專利範圍第1項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，所述逆槽溝場效應電晶體半導體 an件還b括個金屬氧化物半導體場效應電晶體器 件。 I5.專利範圍第丨項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件’其特徵在於，所述逆槽溝場效應電晶體半導體 器件還包括-個功能增進模式的金屬氧化物半導體場 效應電晶體器件。 23 200816484 16·如申請專利範圍第1項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中： 所述逆槽溝場效應電晶體半導體器件還包括一個耗盡 模式的金屬氧化物半導體場效應電晶體器件。 17·如申請專利範圍第1項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中： 所述逆槽溝場效應電晶體半導體器件還包括：設置在 開口於所述半導體基底頂面的傳導體槽溝中的、向下 延伸的傳導芯杆構成的源_體短路結構，用來將所述基 底中的體區跟設置在所述基底的所述底面上的所述源 極電學短路，所述源-體短路芯杆電連接到設置在半導 體所述頂部的頂面上的源電極。 如申叫專利範圍第1項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中·· 所述源-體短路結構由設置在所述埋置的傳導體槽溝中 的所述傳導芯杆所構成，該槽溝設置在所述半導體基 底上的活性單元區，用來將所述基底中的體區跟設置 在所述基底的所述底面上的所述雜電學短路。 如申明專利範圍第i項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，還包括： 多個所述源-體短路結構，它們形成為設置在多個埋置 的傳導體槽溝中的埋置的傳導芯杆，這些槽溝分佈在 所述逆槽溝場效應電晶體半導體器件上。 如申明專利範圍第3項的逆槽溝場效應電晶體半導體 24 200816484 • 器件，其特徵在於，其中包括·· • 所述#移區S’ N漂移區並且留下不連接，以構成 牙動的N漂移區，且實質上具有源極電壓，藉此，將 所述N漂移區接地弓丨發的所述逆槽溝場效應電晶體半 導體器件的管芯傷得到減輕。 21·如申明專利範圍第3項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中包括： ('、 所述體_絲所述轉縣絲的N外延層内，作 為一個注入的體區。 22·如申研專利範圍第3項的逆槽溝場效應電晶體半導體 器件，其特徵在於，其中包括： 所述源-體短路結構由從埋置的傳導體槽溝的底面向下 延伸的傳導芯杆所構成，該槽溝設置在所述半導體基 底上的終止區，用來將所述基底中的體區跟設置在所 述基底的所述底面上的所述源極電學短路，並且進一 步將β又置在所述基底的所述底面上的所述源極跟設置 在所述半導體基底的頂面上的一個源極墊片電學短 路。 23· —種積體電路器件，包括： 一個逆槽溝場效應電晶體半導體器件，它包括半導體 基底和設置在基底底上的源極和設置在基底頂上的漏 極，起降壓變流器的高端場效應管功能； 一個功率金屬氧化物半導體場效應電晶體器件，它具 有没置在所述半導體基底上的漏極來跟所述逆槽溝場 25 200816484 效應電晶體半導體n件集成，峡壓變流器的低端場 效應管功能。 24·如申請專利範圍第23項的積體電路器件，其中： 所述低端場效應管還包括一個集成肖特基二極體。 25·如申請專利範圍第24項的積體電路器件，其中：所述 肖特基二極體是帶槽溝的肖特基二極體。 26.如申請專利範圍第23項的積體電路器件，其中·· 所述場效應官為件包括被所述半導體基底的所述頂面 附近的源區圍繞的槽溝門極，它被所述場效應管的體 區所包圍。 27·如申請專利範圍第23項的積體電路器件，其中： 所述起高端場效應管半導體器件功能的所述逆槽溝場 效應電晶體半導體H件，以及所述起低端場效應管功 忐的所述場效應管器件，被集成在所述半導體基底的 單一管芯上，使得所述逆槽溝場效應電晶體半導體器 件的源極跟所述場效應管器件的漏極直接電連接在所 述半導體基底的所述底面，從而使得所述降壓變流器 製造成為在所述單一管芯上的單個晶片。 28· -種製備降壓變流器所應用的積體電路器件的方法， 包括： 在同一塊基底上同時製備一個逆槽溝的場效應電晶體 半導體器件起高端場效應管功能以及一個場效應管器 件起低端場效應管功能，通過將所述逆槽溝的場效應 屯晶體半導體器件的源極形成到所述基底的底面上以 26 200816484 便直接電連翻所述場效絲的漏極。 29.如申請專利範圍第％項的方法，其中： 所述同時製備所述逆槽溝的場效應電晶體半導體器件 以及所述場效應管器件的步驟還包括步驟：將該逆槽 溝的場效應電晶體半導體器件及該場效應管器件集^ 到.亥半$體基底的同一官芯上’從而可以不用錯框而 Ο 將所述降壓變流器製備成在所述單—管芯上的單個晶 片。 30·如申請專利範圍第28項的方法，其中·· 所述同時製備所述逆槽溝的場效應電晶體半導體器件 以及所述場效應管器件的步驟還包括集成肖特基二極 體的步驟。 L 27
TW096134596A 2006-09-17 2007-09-14 具有槽溝的源體短路電極的、逆槽溝和源極接地的場效應電晶體結構及其製備方法 TWI390731B (zh)

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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8618601B2 (en) * 2009-08-14 2013-12-31 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Shielded gate trench MOSFET with increased source-metal contact
US8193580B2 (en) 2009-08-14 2012-06-05 Alpha And Omega Semiconductor, Inc. Shielded gate trench MOSFET device and fabrication
US8008897B2 (en) * 2007-06-11 2011-08-30 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Boost converter with integrated high power discrete FET and low voltage controller
US7750447B2 (en) 2007-06-11 2010-07-06 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd High voltage and high power boost converter with co-packaged Schottky diode
TWI384620B (zh) * 2006-09-08 2013-02-01 Fairchild Semiconductor 具有金屬氧化半導體閘極式溝渠對溝渠之橫向電流流量之裝置、方法及系統
DE102007008777B4 (de) 2007-02-20 2012-03-15 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement mit Zellenstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
US20080206944A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Pan-Jit International Inc. Method for fabricating trench DMOS transistors and schottky elements
US8456141B2 (en) 2007-06-11 2013-06-04 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Boost converter with integrated high power discrete FET and low voltage controller
TW200903806A (en) * 2007-07-11 2009-01-16 Promos Technologies Inc Power MOSFET structure and manufacturing method for the same
US7781832B2 (en) * 2008-05-28 2010-08-24 Ptek Technology Co., Ltd. Trench-type power MOS transistor and integrated circuit utilizing the same
US7910992B2 (en) 2008-07-15 2011-03-22 Maxim Integrated Products, Inc. Vertical MOSFET with through-body via for gate
US20100090270A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Force Mos Technology Co. Ltd. Trench mosfet with short channel formed by pn double epitaxial layers
US8304829B2 (en) 2008-12-08 2012-11-06 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
US10205017B2 (en) * 2009-06-17 2019-02-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Bottom source NMOS triggered Zener clamp for configuring an ultra-low voltage transient voltage suppressor (TVS)
US8124468B2 (en) * 2009-06-30 2012-02-28 Semiconductor Components Industries, Llc Process of forming an electronic device including a well region
US9306056B2 (en) * 2009-10-30 2016-04-05 Vishay-Siliconix Semiconductor device with trench-like feed-throughs
US20110210956A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Dev Alok Girdhar Current sensor for a semiconductor device and system
TW201140798A (en) * 2009-12-30 2011-11-16 Intersil Inc Current sensor for a semiconductor device and system
US8431457B2 (en) * 2010-03-11 2013-04-30 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Method for fabricating a shielded gate trench MOS with improved source pickup layout
US8367501B2 (en) 2010-03-24 2013-02-05 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Oxide terminated trench MOSFET with three or four masks
US8394702B2 (en) * 2010-03-24 2013-03-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Method for making dual gate oxide trench MOSFET with channel stop using three or four masks process
US8409989B2 (en) 2010-11-11 2013-04-02 International Business Machines Corporation Structure and method to fabricate a body contact
US20120168819A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Fabio Alessio Marino Semiconductor pillar power MOS
CN102610609B (zh) * 2011-01-19 2014-09-10 万国半导体股份有限公司 集成一个电容的双金属氧化物半导体场效应晶体管
TWI488285B (zh) * 2011-01-19 2015-06-11 萬國半導體股份有限公司 集成一個電容的雙金屬氧化物半導體場效應電晶體
US9159828B2 (en) 2011-04-27 2015-10-13 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Top drain LDMOS
US8742490B2 (en) * 2011-05-02 2014-06-03 Monolithic Power Systems, Inc. Vertical power transistor die packages and associated methods of manufacturing
US8471331B2 (en) * 2011-08-15 2013-06-25 Semiconductor Components Industries, Llc Method of making an insulated gate semiconductor device with source-substrate connection and structure
CN103367444A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 万国半导体股份有限公司 顶部漏极横向扩散金属氧化物半导体
US9171838B2 (en) 2012-08-14 2015-10-27 Sony Corporation Integrated semiconductor device
US9153672B2 (en) 2012-12-21 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vertical BJT for high density memory
US20150221764A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-06 Infineon Technologies Ag Wafer based beol process for chip embedding
CN104900694A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 无锡华润上华半导体有限公司 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
US10418476B2 (en) * 2014-07-02 2019-09-17 Hestia Power Inc. Silicon carbide semiconductor device
US10388781B2 (en) 2016-05-20 2019-08-20 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Device structure having inter-digitated back to back MOSFETs
US10446545B2 (en) 2016-06-30 2019-10-15 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Bidirectional switch having back to back field effect transistors
EP3510637B1 (en) * 2016-09-09 2025-06-25 United Silicon Carbide Inc. Trench vertical jfet with improved threshold voltage control
US10103140B2 (en) 2016-10-14 2018-10-16 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Switch circuit with controllable phase node ringing
US10199492B2 (en) 2016-11-30 2019-02-05 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Folded channel trench MOSFET
JP6872951B2 (ja) * 2017-03-30 2021-05-19 エイブリック株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI846185B (zh) * 2018-03-29 2024-06-21 澳門商萬國半導體（澳門）股份有限公司 充電器
US10593754B2 (en) 2018-07-25 2020-03-17 Globalfoundries Inc. SOI device structures with doped regions providing charge sinking
JP7127413B2 (ja) * 2018-08-03 2022-08-30 富士電機株式会社 抵抗素子及びその製造方法
CN109755322B (zh) * 2019-02-14 2024-06-18 厦门芯光润泽科技有限公司 碳化硅mosfet器件及其制备方法
US11195680B2 (en) * 2019-03-20 2021-12-07 TE Connectivity Services Gmbh Electrical assembly with contacts with modified mating surfaces
KR102902895B1 (ko) * 2020-05-13 2025-12-19 삼성전자 주식회사 표준 셀을 포함하는 집적 회로, 및 이를 제조하기 위한 방법
CN111883515A (zh) * 2020-07-16 2020-11-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽栅器件及其制作方法
EP4098125A1 (en) 2021-06-01 2022-12-07 Avril A soybean protein concentrate and process for its production
US11869967B2 (en) * 2021-08-12 2024-01-09 Alpha And Omega Semiconductor International Lp Bottom source trench MOSFET with shield electrode
CN116525660B (zh) * 2023-07-03 2023-09-12 北京智芯微电子科技有限公司 纵向栅氧结构的ldmosfet器件及制造方法
US20250072089A1 (en) * 2023-08-22 2025-02-27 Nanya Technology Corporation Semiconductor device with recessed gate and method for fabricating the same
CN117080077B (zh) * 2023-09-25 2025-01-14 南京芯干线科技有限公司 一种mosfet器件制备方法及mosfet器件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134448A (en) * 1990-01-29 1992-07-28 Motorola, Inc. MOSFET with substrate source contact
JPH07122749A (ja) * 1993-09-01 1995-05-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
DE19638439C2 (de) * 1996-09-19 2000-06-15 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
CN1464562A (zh) * 2002-06-25 2003-12-31 中仪科技股份有限公司 高密度快闪存储器
CN1240138C (zh) * 2002-09-09 2006-02-01 北京大学 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
US6987305B2 (en) * 2003-08-04 2006-01-17 International Rectifier Corporation Integrated FET and schottky device
US6906380B1 (en) * 2004-05-13 2005-06-14 Vishay-Siliconix Drain side gate trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor
US7446374B2 (en) * 2006-03-24 2008-11-04 Fairchild Semiconductor Corporation High density trench FET with integrated Schottky diode and method of manufacture

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