TW200816301A - Substrate processing method, substrate processing apparatus, and program storage medium - Google Patents

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200816301 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本申請案係主張2006年9月7日所申請之日本特願 2006-243276號的優先權，因此參照日本特願2006-243276 號全部的內容而將其援用於此。 本發明係關於用來將實施洗淨處理等的處理後之基板 進行乾燥之基板處理方法以及基板處理裝置，特別是關於 能減少乾燥後的基板上所附著之粒子數之基板處理方法以 及基板處理裝置。 【先前技術】 對於矽晶圓等的被處理基板所進行的處理之大部分， 係在用液體弄濕基板的狀態下來進行。其中代表性的處理 方式，係包含清洗處理之洗淨處理。於是，爲了防止經由 液體而使多數個粒子附著於基板，或爲了防止液體乾燥時 水痕等的乾燥痕殘留，在結束使用液體的處理後，爲了防 止該等問題而對基板實施乾燥處理。 再者，前述問題的程度，一般係用粒子計數器等的計 數器所測得的測定値來評價。亦即，根據殘存於乾燥處理 後的基板上之附著物或色斑等，亦即以粒子方式測得之附 著物或色斑等的數目，來進行評價。因此，在以下的說明 ，在沒有另外說明下，「粒子」的用語，除粒狀附著物以 外’也包含：所謂水痕般的白濁模樣、以及其他之起因於 乾燥處理的缺陷。 -4- 200816301 已知之基板的乾燥方法，係將具有揮發性及親液性之 處理液（例如IPA )蒸氣化，在基板周圍形成前述蒸氣化 後之處理液的環境氣氛（例如，日本特開平1〇- 1 25649號 公報）。該方法，係利用處理液之揮發性及親液性，來從 基板除去液體膜及液滴。如日本特開平i i 2 5 6 4 9號公報 所揭示’在該方法，處理液係和非活性氣體（同時具備載 氣的作用）一起供應至加熱裝置內，在加熱裝置內被加熱 而蒸發。 近年來’隨著晶圓上所形成之圖案變得複雜化等，期 望能提昇乾燥能力。這時，必須增加蒸氣化的處理液之供 應量。然而，根據本案發明人等硏究的結果得知，當處理 液之蒸氣的供應量，亦即朝向加熱裝置內之處理液的供應 量增加時，被處理基板上殘存之粒子數會增多。 【發明內容】 本案發明人等，針對加熱裝置（用來加熱含有處理液 和非活性氣體之混合流體）之加熱機構的控制方法和被處 理基板上所殘留之粒子數的關係，進行探討。結果得知， 加熱機構之控制方法會對被處理基板上所殘留之粒子數造 成影響。於是，本發明係根據此認知而構成者。 本發明之第1基板處理方法，係使用藉由加熱裝置（ 具有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口的 流體之一個以上的加熱機構）予以加熱後的流體來使基板 乾燥之基板處理方法；其特徵在於：係具備第1步驟和第 -5- 200816301 2步驟； 該第1步驟，係從前述入口對前述加熱裝置內供應非 活性氣體和處理液，並將含有前述非活性氣體和前述處理 液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，且將從前述加熱裝 置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體，供應至配置 有基板之處理室內； 該第2步驟，係從前述入口對前述加熱裝置內供應非 活性氣體並將前述非活性氣體在前述加熱裝置內加熱，且 將從前述加熱裝置的前述出口排出之加熱後的非活性氣體 供應至前述處理室內； 在前述第1步驟，從對前述加熱裝置供應前述處理液 開始經過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝置之至少一 個加熱機構之輸出維持於預先設定之一定値；在前述第2 步驟’前述加熱裝置之加熱機構之輸出，係以加熱中或加 熱後之非活性氣體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回 授控制來予以決定。 依據本發明之第1基板處理方法，可在適於進行基板 乾燥的狀態下，將含有非活性氣體和處理液之混合流體供 應至收容有基板之處理室內。結果，乾燥處理後之基板上 所附著的粒子數會顯著減少。另外，也能增加處理液的供 應量來提昇乾燥能力。另外，僅藉由改變既有的基板處理 裝置之控制方法，即可實施本發明之基板處理方法。 本發明之第1基板處理方法較佳爲，前述加熱裝置從 入口朝出口依序配置有複數個加熱機構，在前述第1步驟 -6 - 200816301 ，配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在前述既定時 間的期間係維持於預先設定的一定値。這時較佳爲，在前 述第1步驟，配置於最靠近出口側之加熱機構的輸出，係 以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設定値的方 式，藉由回授控制來予以決定。 另外較佳爲，在本發明之第1基板處理方法之前述第 1步驟，前述至少1個加熱機構之輸出，在對前述加熱裝 置供應前述處理液的整個期間，係維持於一定値。依據該 基板處理方法，能使控制方法變得更單純化。或是較佳爲 ，在本發明之第1基板處理方法之前述第1步驟，前述至 少1個加熱機構之輸出，在對前述加熱裝置供應前述處理 液開始經過既定時間後之至少一期間，係以加熱中或加熱 後之混合流體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回授控 制來予以決定。 本發明之第2基板處理方法，係使用藉由加熱裝置（ 具有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口的 流體之複數個加熱機構）予以加熱後的流體來使基板乾燥 之基板處理方法；其特徵在於：係具備：在處理室內配置 基板的步驟、從前述入口對前述加熱裝置內供應非活性氣 體和處理液，將含有前述非活性氣體和前述處理液之混合 流體在前述加熱裝置內加熱，並將從前述加熱裝置的前述 出口排出之加熱後的前述混合流體供應至配置有基板之處 理室內的步驟； 在將前述混合流體供應至處理室之步驟中，前述加熱 200816301 裝置之配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在對前述 加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間， 係維持於預先設定的一定値；配置於最靠近出口側之加熱 機構的輸出，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲 預先設定値的方式，藉由回授控制來予以決定。 依據本發明之第2基板處理方法，可在適於進行基板 乾燥的狀態下，將含有非活性氣體和處理液之混合流體供 應至收容有基板之處理室內。結果，乾燥處理後之基板上 所附著的粒子數會顯著減少。另外，也能增加處理液的供 應量來提昇乾燥能力。另外，僅藉由改變既有的基板處理 裝置之控制方法，即可實施本發明之基板處理方法。 本發明之第2基板處理方法較佳爲，在將前述混合流 體供應至處理室的步驟，前述配置於最靠近入口側之加熱 機構之輸出，在對前述加熱裝置供應前述處理液的整個期 間’係維持於一定値。依據該基板處理方法，能使控制方 法變得更單純化。 本發明之第1基板處理裝置，係具備：加熱裝置、處 理室以及控制裝置；該加熱裝置具有：入口、出口、從入 口延伸至出口之流路、用來加熱流路之一個以上的加熱機 構；該處理室係連結於前述加熱裝置之前述出口，藉由從 前述加熱裝置供應加熱後的流體，而使收容於內部之基板 乾燥；該控制裝置係控制前述一個以上的加熱機構之輸出 前述控制裝置，在進行具備第i步驟（將藉由前述加 200816301 熱裝置加熱後之含有非活性氣體和處理液之混合流 至前述處理室）及第2步驟（將藉由前述加熱裝置 之非活性氣體供應至前述處理室）之基板乾燥處理 前述第1步驟，從對前述加熱裝置供應前述處理液 過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝置之至少一 機構之輸出維持於預先設定之一定値；在前述第2 前述加熱裝置之加熱機構之輸出，係以加熱中或加 非活性氣體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回 來予以決定。 依據本發明之第1基板處理裝置，可在適於進 乾燥的狀態下，將含有非活性氣體和處理液之混合 應至收容有基板之處理室內。結果，乾燥處理後之 所附著的粒子數會顯著減少。另外，也能增加處理 應量來提昇乾燥能力。 本發明之第1基板處理裝置較佳爲，前述加熱 入口朝出口依序配置有複數個加熱機構，前述控制 在前述乾燥處理之前述第1步驟，配置於最靠近入 加熱機構的輸出，在前述既定時間的期間係維持於 定的一定値。這時較佳爲，前述控制裝置，在前述 理之前述第1步驟，配置於最靠近入口側之加熱機 出，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預 値的方式，藉由回授控制來予以決定。 另外較佳爲，在本發明之第1基板處理裝置， 制裝置，在前述乾燥處理之前述第1步驟，在對前 體供應 加熱後 時，在 開始經 個加熱 步驟， 熱後之 授控制 行基板 流體供 基板上 液的供 裝置從 裝置， 口側之 預先設 乾燥處 構的輸 先設定 前述控 述加熱 -9- 200816301 裝置供應前述處理液的整個期間，將前述至少1個加熱機 構之輸出維持於一定値。或是較佳爲，在本發明之第1基 板處理裝置，前述控制裝置，在前述乾燥處理之前述第1 步驟，在對前述加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時 間後之至少一期間，前述至少1個加熱機構之輸出，係以 加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設定値的方式 藉由回授控制來予以決定。 本發明之第2基板處理裝置，係具備：加熱裝置、處 理室以及控制裝置；該加熱裝置具有：入口、出口、從入 口延伸至出口之流路、用來加熱流路之複數個加熱機構； 該處理室係連結於前述加熱裝置之前述出口，藉由從前述 加熱裝置供應加熱後的流體，而使收容於內部之基板乾燥 ;該控制裝置係控制前述複數個加熱機構之輸出； 前述控制裝置，在進行基板乾燥處理（具備：將藉由 前述加熱裝置加熱後之含有非活性氣體和處理液之混合流 體供應至前述處理室之步驟）時，將前述加熱裝置之配置 於最靠近入口側之加熱機構的輸出，從對前述加熱裝置供 應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間，維持於預先 設定之一定値；將配置於最靠近出口側之加熱機構之輸出 ，以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設定値的 方式，藉由回授控制來予以決定。 依據本發明之第2基板處理裝置，可在適於進行基板 乾燥的狀態下’將含有非活性氣體和處理液之混合流體供 應至收容有基板之處理室內。結果，乾燥處理後之基板上 -10- 200816301 所附著的粒子數會顯著減少。另外，也能增加處理液的供 應量來提昇乾燥能力。 本發明之第2基板處理裝置較佳爲，前述控制裝置， 在對前述加熱裝置供應前述處理液的整個期間，係將前述 配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出維持於一定値。 本發明之第1程式，係藉由用來控制具備加熱裝置（ 具有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口之 流體的一個以上的加熱機構）之基板處理裝置之控制裝置 來執行之程式；藉由前述控制裝置之執行，能用藉由加熱 裝置加熱後的流體來使基板乾燥之基板處理方法，係具備 第1步驟和第2步驟， 該第1步驟，係從前述入口對前述加熱裝置內供應非 活性氣體和處理液，並將含有前述非活性氣體和前述處理 液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，且將從前述加熱裝 置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體，供應至配置 有基板之處理室內； 該第2步驟，係從前述入口對前述加熱裝置內供應非 活性氣體並將前述非活性氣體在前述加熱裝置內加熱，且 將從前述加熱裝置的前述出口排出之加熱後的非活性氣體 供應至前述處理室內； 在前述第1步驟，從對前述加熱裝置供應前述處理液 開始經過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝置之至少一 個加熱機構之輸出維持於預先設定之一定値；在前述第2 步驟，前述加熱裝置之加熱機構之輸出，係以加熱中或加 -11 - 200816301 熱後之非活性氣體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回 授控制來予以決定； 且該基板處理方法係讓基板處理裝置實施。 本發明之第1記錄媒體，係記錄有藉由控制裝置執行 的程式之記錄媒體，該控制裝置係用來控制具備加熱裝置 (具有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口 之流體的一個以上的加熱機構）之基板處理裝置；藉由前 述控制裝置來執行前述程式，能用藉由加熱裝置加熱後的 流體來使基板乾燥之基板處理方法，係具備第1步驟和第 2步驟， 該第1步驟，係從前述入口對前述加熱裝置內供應非 活性氣體和處理液，並將含有前述非活性氣體和前述處理 液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，且將從前述加熱裝 置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體，供應至配置 有基板之處理室內； 該第2步驟，係從前述入口對前述加熱裝置內供應非 活性氣體並將前述非活性氣體在前述加熱裝置內加熱，且 將從前述加熱裝置的前述出口排出之加熱後的非活性氣體 供應至前述處理室內； 在前述第1步驟，從對前述加熱裝置供應前述處理液 開始經過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝置之至少一 個加熱機構之輸出維持於預先設定之一定値；在前述第2 步驟，前述加熱裝置之加熱機構之輸出，係以加熱中或加 熱後之非活性氣體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回 -12- 200816301 授控制來予以決定； 且該基板處理方法係讓基板洗淨裝置實施。 本發明之第2程式，係藉由用來控制具備加熱裝置（ 具有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口之 流體的複數個加熱機構）之基板處理裝置之控制裝置來執 行之程式；藉由前述控制裝置之執行，能用藉由加熱裝置 加熱後的流體來使基板乾燥之基板處理方法，係具備：在 處理室內配置基板的步驟、從前述入口對前述加熱裝置內 供應非活性氣體和處理液，將含有前述非活性氣體和前述 處理液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，並將從前述加 熱裝置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體供應至配 置有基板之處理室內的步驟； 在將前述混合流體供應至處理室之步驟中，前述加熱 裝置之配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在對前述 加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間， 係維持於預先設定的一定値；配置於最靠近出口側之加熱 機構的輸出，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲 預先設定値的方式，藉由回授控制來予以決定； 且該基板處理方法係讓基板處理裝置實施。 本發明之第2記錄媒體，係記錄有藉由控制裝置執行 的程式之記錄媒體，該控制裝置係用來控制具備加熱裝置 (具有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口 之流體的複數個加熱機構）之基板處理裝置；藉由前述控 制裝置來執行前述程式，能用藉由加熱裝置加熱後的流體 -13- 200816301 來使基板乾燥之基板處理方法，係具備：在處理室內配置 基板的步驟、從前述入口對前述加熱裝置內供應非活性氣 體和處理液，將含有前述非活性氣體和前述處理液之混合 流體在前述加熱裝置內加熱，並將從前述加熱裝置的前述 出口排出之加熱後的前述混合流體供應至配置有基板之處 理室內的步驟； 在將前述混合流體供應至處理室之步驟中，前述加熱 裝置之配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在對前述 加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間， 係維持於預先設定的一定値；配置於最靠近出口側之加熱 機構的輸出，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲 預先設定値的方式，藉由回授控制來予以決定； 且該基板處理方法係讓基板洗淨裝置實施。 依據本發明，乾燥處理後之基板上所附著的粒子數會 顯著減少。另外，也能增加處理液的供應量來提昇乾燥能 力。 【實施方式】 以下，參照圖式來說明本發明之一實施形態。在以下 的實施形態係說明，將本發明之基板處理裝置適用於半導 體晶圓的處理裝置，具體而言係適用於半導體晶圓的洗淨 裝置的例子。然而，本發明之基板洗淨裝置，並非限定於 半導體晶圓洗淨的用途，而能廣泛適用於基板的處理。 第1圖至第9圖係顯示本發明的基板處理方法以及基 -14- 200816301 板處理裝置之一實施形態。其中，第1圖係槪略顯示基板 處理裝置的構造，第2圖係用來說明基板處理方法的圖式 〇 首先，參照第1圖來說明基板處理裝置1 〇。如第1圖 所示，本實施形態之基板處理裝置1 〇係具備：用來洗淨 所收容的半導體晶圓（被處理基板）w之洗淨室3 5、連 接於洗淨室3 5且接收來自洗淨室3 5之洗淨完成的晶圓w 之處理室3 0、連接於處理室3 0之加熱裝置40、連接於加 熱裝置40之控制裝置20。該基板處理裝置10，係用來洗 淨半導體晶圓W且將洗淨後的晶圓W予以乾燥。 如第1圖所示，在本實施形態，在洗淨室3 5可收容 複數片的晶圓W (例如5 0片晶圓W)。洗淨室3 5連接於 純水源3 6，而接收來自純水源3 6之純水（DIW )。在洗 淨室3 5內，對於受過洗淨處理後之複數片晶圓W，藉由 來自純水源3 6之純水來實施清洗處理（沖洗處理）。在 洗淨室3 5內實施之對晶圓的洗淨處理，例如包括超音波 洗淨。 同樣地如第1圖所示，在處理室3 0也能收容複數片 的晶圓W (例如5 0片晶圓W )。在處理室3 0內設有噴出 口 31。該噴出口 31連結於加熱裝置40。如後述般，加熱 後的流體從加熱裝置4 0經由噴出口 3 1送往處理室3 0內 ，而將處理室3 0內所收容之晶圓W予以乾燥。 在處理室30設有排液管32。排液管32上設有閥32a ，藉由進行閥32a之開閉操作，可調整處理室30的內壓 -15- 200816301 如第1圖所示，在洗淨室3 5和處理室3 0之 閉機構3 4。藉由閉合該開閉機構3 4，來將洗淨_ 理室3 0之間遮斷。開閉機構3 4，可使用開閉器 )等公知的開閉手段。 接著詳細說明加熱裝置40。如第1圖所示， 形態，加熱裝置係具備：入口 4 1 a、4 1 b、出口 口 41a、41b延伸至出口 44之配管（流路）50、 配管50之加熱機構56、57、58、59。 如第1圖所示，在加熱裝置40設有二個入 4 1 b。一個入口 4 1 a係連接於非活性氣體源27， 4 1b係連接於處理液源28。在本實施形態，非活 27，係透過流量控制閥等適當的機器類，而以既 氮氣供應至入口 41a。另一方面，在本實施形態 源2 8，係透過流量控制閥等適當的機器類，而以 將IPA (異丙醇）流體供應至入口 41b。二個入 4 1 b都連接到合流部42，而使各入口 4 1 a、4 1 b 流體能合流在一起。合流部4 2，例如是由混合閥 閥等所構成。 在本實施形態，在加熱裝置40設有：依從Λ 4 1 b朝出口 44的順序配置之第1至第4加熱機;| 、5 8、5 9。在本實施形態，各加熱機構5 6、5 7 係由呈棒狀延伸之鹵素燈所構成。如第1圖所示 機構5 6、5 7、5 8、5 9分別連接於獨立的電力調整 間設有開 [3 5和處 (shutter 在本實施 4 4、從入 用來加熱 □ 4 1a、 另'入口 性氣體源 定流量將 ，處理液 既定量流 □ 41a、 所供應之 、二流體 .P 4 1a、 i 56 ' 57 、58 、 59 ，各加熱 :器 56a、 -16- 200816301 57a、 58a、 59a，以從電力調整器 56a、 57a、 58a、 59a 進 行電力的供應。各電力調整器56a、57a、58a、59a係連 接於控制裝置20。此外，各電力調整器56a、57a、58a、 5 9a對鹵素燈之電力供應量，係藉由控制裝置20來獨立控 制，藉此來決定各加熱機構5 6、5 7、5 8、5 9之輸出。 如第1圖所示，配管5 0係對應於第1至第4加熱機 構56、57、58、59，依從入口 41a、41b朝出口 44的順序 設有第1至第4螺旋部51、52、53、54。各螺旋部51、 52、53、54，係以大致無間隙的方式呈螺旋狀捲繞而形成 配管5 0的一部分，結果形成圓筒狀。如第1圖所示，以 貫穿圓筒形之螺旋部51、52、53、54的中心之方式，配 置著細長狀延伸之加熱機構56、57、58、59。換言之，以 將對應的加熱機構5 6、5 7、5 8、5 9從外方包圍的方式， 配置著各螺旋部5 1、5 2、5 3、5 4。 在這種構造的加熱裝置4 0，從鹵素燈構成之加熱機構 5 6、5 7、5 8、5 9照射的能量，係由包圍加熱機構5 6、5 7 、58、59之螺旋部51、52、53、54所接收。藉由所接收 的能量，螺旋部51、52、53、54會進行加熱，結果能將 流過螺旋部51、52、53、54內之液體予以加熱。 在這種加熱裝置40，爲了高效率地吸收來自加熱機構 5 6、5 7、5 8、5 9之光能量，宜將螺旋部5 1、5 2、5 3、5 4 塗裝成黑色。爲了防止能量損失，包含加熱機構56、57、 5 8、5 9之螺旋部5 1、5 2、5 3、5 4，宜配置於隔熱材所形 成之收容體內。 -17- 200816301 如第1圖所示，在本實施形態，第2螺旋邰5 2和第3 螺旋部5 3之間設有用來測定配管5 0內的溫度之中間溫度 感測器45。另外，在第4螺旋部54和出口 44之間設有用 來測定配管50內的溫度之最終溫度感測器46 °又在第4 螺旋部54和出口 44之間設有用來調整流過配管50內的 流體流量之質量流量計4 7。前述中間溫度感測器4 5、最 終溫度感測器46、質量流量計47，如第1圖所示係連接 於控制裝置20。 另外，在配管5 0設有排液管4 8。如第1圖所示’該 排液管4 8係配置於質量流量計4 7之上游側。在排液管4 8 設有閥48a，藉由進行閥48a之開閉操作，能使流過配管 5 0內的流體排放至外部。 控制裝置20，係連接於基板處理裝置1 0之各構成要 素，以控制各構成要素的動作。在本實施形態，控制裝置 2 0係包含：電腦2 1、電腦2 1可讀取之程式記錄媒體22。 藉由電腦2 1來執行預先儲存於記錄媒體22之程式，以進 行使用基板洗淨裝置1 0之被處理晶圓W的處理。 例如’控制裝置20，係根據預先設定的程式（資料） ，來個別控制從各電力調整器5 6 a、5 7 a、5 8 a、5 9 a朝對 應的加熱機構5 6、5 7、5 8、5 9之電力供應量。控制裝置 20 ’爲了使流過配管50內之流體成爲期望的溫度，係根 據各溫度感測器45、46之檢測値來進行回授控制，而算 出各加熱機構56、57、58、59之輸出。這時，根據各溫 度感測器4 5、4 6所檢測出的溫度，電力調整器5 6 a、5 7 a -18 - 56、 200816301 、5 8a、5 9a之電力供應量會改變，結果各加熱機構 57、58、59之輸出也會改變。另一方面，在本實施形 控制裝置20，也能以各加熱機構56、57、58、59之 成爲一定値的方式，從電力調整器 56a、57a、58a 對加熱機構5 6、5 7、5 8、5 9進行電力供應。這時， 各溫度感測器4 5、4 6之檢測値產生變動，電力調整器 、57a、5 8a、5 9a之電力供應量仍會維持一定値。 接著說明，使用前述構成之基板處理裝置10之 W處理方法的一例。 如第2圖所示，在本實施形態，被處理晶圓W 洗淨室3 5內進行洗淨處理（洗淨步驟）。如上述般 淨處理係包含使用洗淨液之超音波洗淨等。然後，在 室3 5內係進行清洗處理（清洗步驟）。在該步驟， 理晶圓W例如係浸漬於供應自純水源之純水，而將 處理所使用之洗淨液予以清除。 當清洗步驟完成後，區隔洗淨室3 5和處理室3 0 閉機構3 4打開，洗淨室3 5和處理室3 0形成連通。 ，複數個晶圓W朝處理室3 0內向上昇。當複數個晶 移動至處理室3 0內後，開閉機構3 4再度關閉，而將 室3 5和處理室3 0隔開。如此般將晶圓W配置於處 3 0內（配置步驟）。 然後，在處理室3 0內，使收容的晶圓W乾燥之 步驟開始進行。 然而，和上述之洗淨步驟、清洗步驟、晶圓配置 能 ， 輸出 、59a 即使 I 56a 晶圓 係在 ，洗 洗淨 被處 洗淨 之開 接著 圓W 洗淨 理室 乾燥 步驟 -19- 200816301 並行的’從非活性氣體源27經由入口 4 1 a朝加熱裝置40 內供應非活性氣體（例如氮氣）。流過配管5 0內之氮氣 ’當通過第1至第4螺旋部5 1、5 2、5 3、5 4內時，係被 從第1至第4加熱機構5 6、5 7、5 8、5 9施加於各螺旋部 51、52、53、54之熱量所加熱。 這時，控制裝置20，係根據儲存於記錄媒體22之程 式’以中間溫度感測器45之測定値成爲既定値的方式， 來控制第1電力調整器56a對第1加熱機構56之電力供 應量、以及第2電力調整器5 7a對第2加熱機構5 7之電 力供應量。亦即，控制裝置2 0，爲了使加熱中之非活性氣 體的溫度成爲預先設定的溫度，係使用以中間溫度感測器 45的測定値作爲輸入値之回授控制，來決定第1加熱機構 5 6的輸出和第2加熱機構5 7的輸出。 同樣地，控制裝置20，係根據儲存於記錄媒體22之 程式，以最終溫度感測器46之測定値成爲既定値的方式 ，來控制第3電力調整器58a對第3加熱機構58之電力 供應量、以及第4電力調整器59a對第4加熱機構59之 電力供應量。亦即，控制裝置20，爲了使加熱後之非活性 氣體的溫度成爲預先設定的溫度，係使用以最終溫度感測 器46的測定値作爲輸入値之回授控制，來決定第3加熱 機構5 8的輸出和第4加熱機構5 9的輸出。關於控制裝置 2 0之控制方式，可採用各種公知的控制方法，一般有效的 方法例如爲PID控制。 在這期間，加熱後之非活性氣體的一部分被導入處理 -20- 200816301 室3 0內，剩下的非活性氣體則從排液管4 8排放至配管5 0 外。如此般在乾燥步驟開始進行前，使配管5 0的溫度保 持於期望的溫度，而在乾燥步驟開始時，能從加熱裝置40 的出口 44供應被加熱成期望溫度（或是期望溫度附近） 之非活性氣體。 如第2圖所示，在本實施形態，乾燥步驟係具有第1 步驟和第2步驟。在第1步驟，係在加熱裝置40將非活 性氣體和ΙΡΑ之混合流體予以加熱，並將加熱後之混合流 體經由噴出口 31供應至處理室30內。另一方面，在第2 步驟，係在加熱裝置40將非活性氣體予以加熱，並將加 熱後之非活性氣體噴出口 3 1供應至處理室3 0內。以下依 序說明第1步驟及第2步驟。 在第1步驟，首先，非活性氣體係從非活性氣體源27 經由入口 41a供應至加熱裝置40，且液體（ΙΡΑ)係從處 理液源2 8經由入口 4 1 b供應至加熱裝置4 0。供應至加熱 裝置40之非活性氣體和IPA在合流部42合流後，以混合 流體的形式流經配管5 0內。 混合流體，在通過配管5 0之第1至第4螺旋部5 1、 52、53、54內時，藉由對應之各加熱機構56、57、58、 5 9的熱量而被加熱。在此，使用表1來說明第1步驟中各 加熱機構5 6、5 7、5 8、5 9的輸出。 -21 - 200816301 表1 第1步驟 第2步驟 第1加熱機構 一定値 回授控制 第2加熱機構 一定値 回授控制 第3加熱機構 回授控制 回授控制 第4加熱機構 回授控制 回授控制 如表1所示，控制裝置20在第1步驟中，係根據記 錄媒體22所儲存的程式，使第1電力調整器56a對第1 加熱機構56之電力供應量及第2電力調整器57a對第2 加熱機構5 7之電力供應量成爲一定値。亦即，控制裝置 20係以第1加熱機構56的輸出及第2加熱機構57的輸出 成爲一定値的方式，來控制第1加熱機構5 6的輸出及第2 加熱機構5 7的輸出。第1加熱機構5 6的輸出及第2加熱 機構57的輸出，可設定成額定輸出，或是額定輸出之既 定比例（例如70%、80%等）。另一方面，控制裝置20係 根據記錄媒體22所儲存的程式，以使最終溫度感測器46 之測定値成爲既定値的方式，來控制第3電力調整器5 8 a 對第3加熱機構58之電力供應量及第4電力調整器59a 對第4加熱機構5 9之電力供應量。亦即，控制裝置2 〇係 以加熱後的混合流體之溫度成爲預先設定的溫度之方式， 使用回授控制來決定第3加熱機構5 8的輸出及第4加熱 機構59的輸出。因此，在第丨步驟中，中間溫度感測器 45係僅具備監視用感測器的作用。 當乾燥步驟之第1步驟開始時，開始對加熱裝置4 〇 內供應液體IPA。IPA之供應量通常爲2ml/sec，頂多 -22- 200816301 4ml/sec左右。藉由供應液體IPA，混合流體的溫度變得 比原先流過配管5 0內之非活性氣體溫度更低。因此，配 管50的溫度也變得比原先維持之期望溫度更低。 另一方面，如上述般，第1加熱機構56的輸出及第2 加熱機構5 7的輸出係維持於一定値。因此，配置於第2 螺旋部5 2 (被第2加熱機構5 7加熱）的後方之中間溫度 感測器45的測定値，不會隨著時間經過而產生上下反覆 變動。中間溫度感測器45的測定値較佳爲，在第1步驟 開始時一旦降低，然後就持續上昇。中間溫度感測器45 後方之第3螺旋部5 3及第4螺旋部5 4所施加的加熱量， 係根據最終溫度感測器46的測定値來控制。結果，在通 過加熱裝置40的出口 44時，混合流體變成具有期望的溫 度，而使混合流體中之IPA成爲蒸氣化的狀態。 如此般，含有蒸氣化IPA和氮氣之混合流體，係經由 噴出口 31供應至處理室30內。因此，處理室30內之環 境氣氛，會被含有蒸氣化IPA和氮氣之混合流體所取代。 藉由這種含有IPA蒸氣之環境氣氛，能將附著於晶圓W 表面之純水膜和純水滴從晶圓W表面迅速除去。這時， 純水膜和純水滴所含之粒子，不致殘存於晶圓 W表面， 而能和純水膜和純水滴一起從晶圓W表面除去。第1步 驟，例如持續進行60秒至120秒，在IPA源28停止供應 IPA時即結束。

接著，藉由停止IPA源28之供應IPA，開始進行乾 燥步驟之第2步驟。亦即，在第2步驟，係停止供應IP A -23- 200816301 ，但持續從非活性氣體源27經由入口 4 1 a將非活性氣體 供應至加熱裝置40。非活性氣體，在通過配管50之第1 至第4螺旋部5 1、5 2、5 3、5 4內時，係藉由對應之各加 熱機構56、57、58、59的熱量而被加熱。 如表1所示，控制裝置20在第2步驟中，係根據記 錄媒體22所儲存的程式，以使中間溫度感測器45之測定 値成爲既定値的方式，來控制第1電力調整器5 6a對第1 加熱機構56之電力供應量及第2電力調整器57a對第2 加熱機構5 7之電力供應量。亦即，控制裝置2 0係以加熱 中的非活性氣體溫度成爲預先設定的溫度之方式，藉由回 授控制來決定第1加熱機構5 6的輸出及第2加熱機構5 7 的輸出。另一方面，控制裝置20係根據記錄媒體22所儲 存的程式，以使最終溫度感測器46之測定値成爲既定値 的方式，來控制第3電力調整器58a對第3加熱機構58 之電力供應量及第4電力調整器59a對第4加熱機構59 之電力供應量。亦即，控制裝置20係以加熱後的非活性 氣體溫度成爲預先設定的溫度之方式，藉由回授控制來決 定第3加熱機構5 8的輸出及第4加熱機構5 9的輸出。 結果，在通過加熱裝置40之出口 44時，非活性氣體 成爲期望的溫度。加熱成期望溫度之非活性氣體，係經由 噴出口 31供應至處理室30內。藉此將處理室30內之 IPA蒸氣排出。結果，處理室30內之環境氣氛被非活性 氣體取代，而將晶圓W予以完全乾燥 <。如此般之第2步 驟，例如持續6 0秒至2 4 0秒。 -24- 200816301 從後述的實施例可明顯看出，如上述般當第1 第1加熱機構5 6的輸出及第2加熱機構5 7的輸出 定値時，乾燥處理後殘存於晶圓W上之粒子數變 少。產生這種現象之機制雖不是很清楚，以下說明 到的一個機制。但本發明並不限定於以下所推定的 當第1加熱機構56的輸出及第2加熱機構57 係藉由回授控制來決定時，從液體IPA之供應時間 十秒的期間，上游側之螺旋部內的溫度會反覆進行 動。第3圖係第4圖係顯示出，在液體IPA之供應 1螺旋部5 1之入側外表面溫度tIO、入側內部溫度 間外表面溫度tMO、出側外表面溫度tOO、出側內 t〇I (各位置參照第1圖）、最終溫度感測器之測 第1加熱機構56之輸出比（相對於額定輸出）， 間經過之數値。第3圖及第4圖所示之例子中，第 機構5 6的輸出，係以第1螺旋部5 1的出側外表面 持既定溫度的方式，藉由PID控制來決定。圖4所 子，相較於第3圖所示的例子，係將PID控制之輸 出側外表面溫度too)之感度提高。 如第3圖及第4圖所示，從液體IPA之供應時 數十秒的期間，第1螺旋部5 1內各位置的溫度會 行激烈的上下變動。亦即，通過第1螺旋部5 1內 溫度不穩定。另一方面，通過最終溫度感測器46 體溫度，係使用下游側的加熱機構進行溫度控制， 定地形成期望値。 步驟中 成爲一 得非常 可考慮 機制。 的輸出 開始數 上下變 時，第 til、中 部溫度 定値、 隨著時 1加熱 溫度維 示的例 入値（ 間開始 反覆進 之流體 時之流 而能穩 -25- 200816301 然而，爲了使IP A穩定地蒸氣化，不僅將混合流體加 熱至既定溫度以上’且必須在既定溫度以上維持既定時間 。亦即，將IP A供應所造成之溫度降低明顯的上游側之加 熱機構的輸出，當作回授控制（具體而言爲PID控制）所 求之變動輸出’而使流體溫度反覆進行上下變動的作法， 基於讓IPA確實地蒸氣化之觀點並不理想。另一方面，將 加熱機構之輸出設定成固定輸出，使流體溫度提早開始上 昇且進行穩定上昇的作法，則有利於讓IPA確實地蒸氣化 〇 * 此外，在IPA供應時產生大幅溫度變動的，就時間而 言爲IPA開始供應的時期，就位置而言爲配置於最靠上游 側之第1螺旋部51內。基於此觀點可考慮，至少將配置 於最上游側之加熱機構5 1的輸出，至少在從開始對加熱 裝置40供應IPA起經過既定時間的期間，設定成固定輸 出，藉此減少乾燥後的晶圓W上所殘留之粒子數。 依據上述般之本實施形態，在乾燥步驟之第1步驟的 期間、亦即對加熱裝置40供應IPA的期間，控制裝置20 係將上游側的加熱機構之輸出維持於一定値。因此，藉由 該加熱裝置40加熱而流過配管50內之混合流體的溫度穩 定。結果，含有非活性氣體和IPA之混合氣體能以IPA蒸 氣化的狀態供應側處理室3 0內。如此般，在處理室3 0內 ，能在有效防止粒子附著的狀態，進行晶圓之乾燥處理。 又藉由在固定輸出時增大加熱機構之輸出，即可對應於 IPA供應量變多的情形。這種晶圓處理方法，僅藉由改變 -26- 200816301 控制方法即可採用既有的設備。 關於上述實施形態，在不脫離本發明主旨之範圍內能 進行各種不同的改變。以下說明變形例之一例。 在上述實施形態之基板處理裝置1 0，可將上述溫度感 測器等的機械類以外的機器，例如用來監視控制流過配管 5 0內之流體狀態和流量等之機器類設置於種種的位置。 又在上述實施形態，在第2步驟中，第1加熱機構5 6 的輸出及第2加熱機構5 7的輸出，係藉由根據中間溫度 感測器4 5的輸出値所進行的回授控制來予以決定，但並 不限於此。以使加熱中或加熱後的流體溫度成爲預設値的 方式，根據各種輸入値來進行回授控制，藉此來決定第1 加熱機構5 6的輸出及第2加熱機構5 7的輸出亦可。在此 ，關於各種輸入値，例如可使用第1螺旋部51及第2螺 旋部52任一個位置之表面溫度等。 同樣地，在上述實施形態，在第1步驟中及第2步驟 中，第3加熱機構5 8的輸出及第4加熱機構5 9的輸出， 係藉由根據最終溫度感測器46的輸出値所進行的回授控 制來予以決定，但並不限於此。以使加熱中或加熱後的流 體溫度成爲預設値的方式，根據各種輸入値來進行回授控 制，藉此來決定第3加熱機構5 8的輸出及第4加熱機構 5 9的輸出亦可。在此，關於各種輸入値，例如可使用第3 螺旋部53及第4螺旋部54任一個位置之表面溫度等。 在上述實施形態，係設置四個加熱機構5 6、5 7、5 8、 59，並對應於其等設置四個螺旋部51、52、53、54，但並 -27- 200816301 不限於此。也能設置僅一個加熱機構及一個螺旋部，或是 二個加熱機構及二個螺旋部，或是三個加熱機構及三個螺 旋部，或是五個加熱機構及五個螺旋部。 在上述實施形態，在第1步驟的期間，第1加熱機構 5 6的輸出及第2加熱機構5 7的輸出係成爲一定値，但並 不限於此。如上述般可推定：至少將配置於最上游側之加 熱機構51的輸出，至少在從開始對加熱裝置40供應IP A 起經過既定時間的期間，設定成固定輸出，藉此可減少乾 燥後的晶圓W上所殘留之粒子數。因此，如表2所示， 僅在從開始對加熱裝置40供應IPA起經過既定時間的期 間（表2之「初期」），亦即第1步驟中之一期間，使第 1加熱機構56之輸出及第2加熱機構57之輸出成爲固定 輸出。 表2 第1 步驟 第 2 步 驟 初期 初 期 以 後 第 1 加 熱 機 構 一定値 回 授 控 制 回 授 控 制 第 2 加 熱 機 構 一定値 回 授 控 制 回 授 控 制 第 3 加 熱 機 構 回授控制 回 授 控 制 回 授 控 制 第 4 加 熱 機 構 回授控制 回 授 控 制 回 授 控 制 如表2所示亦可爲，僅在從開始對加熱裝置4 0供應 IPA起經過既定時間的期間（表2之「初期」），使第1 加熱機構5 6之輸出及第2加熱機構5 7之輸出維持於一定 値（但如額定輸出之80% )，而在其後的期間，使第1加 熱機構5 6之輸出及第2加熱機構5 7之輸出維持於和前述 -28- 200816301 一定値不同之一定値（例如額定輸出之5 0 % )。此外，如 表3所示，亦可將第1步驟區分成三個以上期間，在各期 間，以不同方法控制加熱機構的輸出。另外如表3所示， 亦可將第1加熱機構5 6的輸出値（例如額定輸出之8 0 % )和第2加熱機構57之輸出値（例如額定輸出之60% ) 設置成不同値。 表3 第1步驟 第2步驟 第1期 第2期 第3期 第1加熱機構 一定値(80%) 一定値(50%) 回授控制 回授控制 第2加熱機構 一定値(60%) 回授控制 回授控制 回授控制 第3加熱機構 回授控制 回授控制 回授控制 回授控制 第4加熱機構 回授控制 回授控制 回授控制 回授控制 此外亦可爲，在從開始對加熱裝置40供應IPA起經 過既定時間，僅使最上游側的加熱機構之輸出成爲固定輸 出，其他加熱機構之輸出則爲藉由PID控制所決定之變動 輸出。再者亦可爲，在從開始對加熱裝置40供應IPA起 經過既定時間，僅使最下游側的加熱機構以外的加熱機_ 之輸出成爲固定輸出，僅最下游側之加熱機構之輸出爲胃 由PID控制所決定之變動輸出。 在此，係針對上述實施形態之幾個變形例作說明’ <旦 當然也能將複數個變形例予以適當組合來運用。 如上述般，基板處理裝置1 〇係具備包含電腦2 1之控 -29- 200816301 制裝置2 0。藉由該控制裝置2 0，使基板處理裝置1 〇的 構成要素動作，而執行對被處理晶圓W之處理。爲了 用基板處理裝置10來實施晶圓W處理，藉由控制裝置 之電腦2 1執行之程式也屬於本發明的對象。記錄有程 之電腦可讀取的記錄媒體22，也是本發明的對象。 在以上的說明中，本發明之基板處理方法、基板處 裝置、程式以及記錄媒體，雖是適用用晶圓W的處理 但不限於此，也能適用於LCD基板或CD基板等的處理 實施例 藉由實施例來更詳細的說明本發明。 使用第1圖所示的基板處理裝置，對於清洗處理後 晶圓實施乾燥處理，該乾燥處理係具備：將含有IPA和 氣之混合流體供應至處理室之第1步驟、將氮氣加熱後 應至處理室之第2步驟。第1至第4加熱機構之額定輸 都是2000W。第1步驟中氮氣供應量爲lOOL/min，第2 驟中氮氣供應量爲l〇〇L/min。第2步驟之總時間爲150 〇 在第1步驟和第2步驟的期間，第3加熱機構的輸 及第4加熱機構的輸出，係以最終溫度感測器之測定値 爲既定値的方式，藉由根據最終溫度感測器之測定値所 行之回授控制來決定。在第2步驟的期間’第1加熱機 的輸出及第2加熱機構的輸出，係以中間溫度感測器之 定値成爲既定値的方式，藉由根據中間溫度感測器之測 各 使 20 式 理 的 氮 供 出 步 秒 出 成 進 構 測 定 -30- 200816301 値所進行之回授控制來決定。回授控制之控制方式係採用 PID。 以下，針對各實施例及比較例所個別設定的條件’參 照第5圖來說明。第5圖係用來說明各實施例之第1步驟 中的第1加熱機構及第2加熱機構的控制方法。 (實施例1 A ) 如第5圖所示，在實施例1A，第1步驟的總時間爲 90秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱 機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第2 加熱機構的輸出値，如表4所示，設定爲額定輸出的60% 、70%、80%、90%及100%計五種（分別爲實施例1A-1〜 實施例1A-5)。 IPA液體之供應量爲4ml/sec。 (實施例1 B ) 如第5圖所示，在實施例1B，第1步驟的總時間爲 90秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱 機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第2 加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的60%。 IPA液體之供應量爲3ml/sec。 (實施例1 C ) 如第5圖所示，在實施例1 C，第1步驟的總時間爲 -31 - 200816301 90秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱 機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第2 加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的60% ° IPA液體之供應量爲2ml/sec。 (實施例2A) 如第5圖所示，在實施例2A，第1步驟的總時間爲 60秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱 機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第2 加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的80%。 IPA液體之供應量爲4ml/sec。 (實施例2B ) 如第5圖所示，在實施例2B，第1步驟的總時間爲 60秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱 機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第2 加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的7 0 %。 IPA液體之供應量爲3ml/sec。 (實施例2C) 如第5圖所示，在實施例2C，第1步驟的總時間爲 6 0秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱 機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第2 加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的6 0 %。 -32- 200816301 IPA液體之供應量爲2ml/sec。 (實施例3 A ) 如第5圖所示，在實施例3 A，第1步驟的總時間爲 120秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加 熱機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第 2加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的80%。 IPA液體之供應量爲4ml/sec。 (實施例3 B ) 如第5圖所示，在實施例3 B，第1步驟的總時間爲 120秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加 熱機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第 2加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的70%。 IPA液體之供應量爲3ml/sec。 (實施例3 C ) 如第5圖所示，在實施例3 C，第1步驟的總時間爲 120秒。在第1步驟期間，第1加熱機構的輸出及第2加 熱機構的輸出設定成一定値。第1加熱機構的輸出値及第 2加熱機構的輸出値，設定爲額定輸出的60%。 IPA液體之供應量爲2ml/sec。 (實施例4A) -33- 200816301 如第5圖所示，在實施例4 A，第1步驟的總時間爲 90秒。從第1步驟開始時起30秒的期間，第1加熱機構 的輸出及第2加熱機構的輸出設定成一定値。第1加熱機 構的輸出値及第2加熱機構的輸出値，如表4所示，設定 爲額定輸出的60%及100%計二種（分別爲實施例4A-1及 實施例4A-2 )。 另一方面，在第1步驟之剩餘的60秒期間，第1加 熱機構的輸出及第2加熱機構的輸出，係以中間溫度感測 器之測定値成爲既定値的方式，藉由根據中間溫度感測器 的測定値所進行之回授控制來決定。回授控制之控制方式 係採用PID控制。 IPA液體之供應量爲4ml/sec。 (比較例 1 A、1 B、1 C ) 在比較例1，第1步驟之總時間爲90秒。在第1步驟 的期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱機構的輸出，係 以中間溫度感測器之測定値成爲既定値的方式，藉由根據 中間溫度感測器的測定値所進行之回授控制來決定。回授 控制之控制方式係採用PID控制。 IPA 液體之供應量爲 4ml/sec、3ml/sec、2ml/sec (分 別爲比較例1A、比較例1B、比較例1 C )。 (比較例 2A、2B、2C ) 在比較例2，第1步驟之總時間爲60秒。在第1步驟 -34- 200816301 的期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱機構的輸出’係 以中間溫度感測器之測定値成爲既定値的方式，藉由根據 中間溫度感測器的測定値所進行之回授控制來決定。回授 控制之控制方式係採用PID控制。 IPA 液體之供應量爲 4ml/sec、3ml/sec、2ml/sec (分 別爲比較例2A、比較例2B、比較例2C )。 (比較例 3A、3B、3C ) 在比較例3，第1步驟之總時間爲120秒。在第1步 驟的期間，第1加熱機構的輸出及第2加熱機構的輸出’ 係以中間溫度感測器之測定値成爲既定値的方式’藉由根 據中間溫度感測器的測定値所進行之回授控制來決定。回 授控制之控制方式係採用PID控制。 IPA 液體之供應量爲 4ml/sec、3ml/sec、2ml/sec (分 別爲比較例3 A、比較例3 B、比較例3 C )。 (粒子數之計測） 對上述各實施例及各比較例，使用粒子計數器，測定 一片晶圓上所殘存之粒子的平均數。 表4係顯示實施例1A-1〜1A-5、實施例4A-1及4A-2 、比較例1A之測疋結果。表4中顯不’藉由松子g十數挤 測定0.0 6/z m以上的粒子數之測定結果，〇.〇9// m以上的 粒子數之測定結果，〇 · 1 6 // m以上的粒子數之測定結果。 從表4可明顯看出，實施例1 A-1〜1A-5和實施例4A-1及 -35- 200816301 4A-2，相較於比較例1 A，可大幅減少一片晶圓上所殘存 之平均粒子數。 表4 -定値 回授控制 粒子數（個/晶圓） 時間 輸出比 時間 0.06以上 0.09以上 0.16以上 實施例1A-1 %秒 60% 0秒 25.3 12.4 5.6 實施例1A-2 %秒 70% 〇秒 19.3 7.2 1.3 實施例1A-3 90秒 80% 〇秒」 22.3 9.0 5.9 實施例1A-4 90秒 90% 0秒 27.0 10.3 4.3 實施例1A-5 卯秒 100% 0秒 29.2 7.7 3.4 實施例4A-1 30秒 60% 60秒 33.9 17.8 10.6 實施例4A-2 30秒 100% 60秒 36.9 11.6 5.7 比較例1A - - 90秒 154.8 50.8 26.3 第6圖及第7圖係顯示：比較例1A及實施例1A-3中 ，隨著時間經過之最終溫度感測器的測定値、中間溫度感 測器的測定値、以及第1螺旋部的出側外表面（參照第1 圖）之溫度測定値。在圖中之二點鏈線的時間開始進行第 1步驟。實施例和比較例之最終溫度感測器的測定値係成 爲穩定的大致一定値。 另一方面，第8圖及第9圖係顯示各實施例（中空） 和相對應的比較例（斜線）的粒子測定結果。第8圖係顯 示藉由粒子計數器測定0.1 6 // m以上的粒子數時的測定結 果。第9圖係顯示藉由粒子計數器測定0.06 // m以上的粒 子數時的測定結果。第8圖及第9圖之實施例1A的測定 結果，係採用實施例1 A-3的測定結果。當IPA供應量爲 3 m 1 / s e c及4 m 1 / s e c的情形，相較於比較例，不拘第1步驟 -36- 200816301 的時間長短，都能大幅減少一片晶圓上所殘留之平均粒子 數。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明的基板處理裝置的一實施形態之 槪略構成圖。 第2圖係用來說明本發明的基板處理方法之一實施形 態。 第3圖係顯示：在供應液體IPA時，隨著時間經過之 第1螺旋部之入側外表面溫度、入側內部溫度、中間外表 面溫度、出側外表面溫度、出側內部溫度、最終溫度感測 器之測定値、第1加熱機構5 6之輸出比（相對於額定輸 出）。 第4圖係顯示：在供應液體IPA時，隨著時間經過之 第1螺旋部之入側外表面溫度、入側內部溫度、中間外表 面溫度、出側外表面溫度、出側內部溫度、最終溫度感測 器之測定値、第1加熱機構5 6之輸出比（相對於額定輸 出）。 第5圖係用來說明各實施例之第1步驟中的第1加熱 機構及第2加熱機構的控制條件。 第6圖係顯示：比較例1 A中’隨著時間經過之最終 溫度感測器的測定値、中間溫度感測器的測定値、第1螺 旋部的出側外表面的溫度測定値。 第7圖係顯示：實施例1A -3中’隨著時間經過之最 -37- 200816301 終溫度感測器的測定値、中間溫度感測器的測定値、第！ 螺旋部的出側外表面的溫度測定値。 第8圖係顯示各實施例（中空）及相對應的比較例（ 斜線）之粒子的測定結果。 第9圖係顯示各實施例（中空）及相對應的比較例（ #線）之粒子的測定結果。 【主要元件符號說明】 1 〇 :基板處理裝置 20 :控制裝置 21 :電腦 22 :記錄媒體 27 :非活性氣體源 28 :處理液源 3 〇 :處理室 3 1 :噴出口 3 2 :排液管 3 2 a :閥 34 :開閉機構 3 5 :洗淨室 3 6 :純水源 40 :加熱裝置 41a、 41b:入口 4 2 :合流部 -38- 200816301 44 :出口 45 :中間溫度感測器 46 :最終溫度感測器 4 7 :質量流量計 48 :排液管 48a :閥 5 〇 :配管 51、 52、 53、 54:螺旋部 56、 57、 58、 59:加熱機構 56a、57a、58a、59a ：電力調整器 -39-

Claims (1)

1. 200816301 十、申請專利範圍 1 · 一種基板處理方法，係使用藉由加熱 :入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述 之一個以上的加熱機構）予以加熱後的流體來 之基板處理方法；其特徵在於：係具備第1步 驟， 該第1步驟，係從前述入口對前述加熱裝 活性氣體和處理液，並將含有前述非活性氣體 液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，且將從 置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體， 有基板之處理室內； 該第2步驟，係從前述入口對前述加熱裝 活性氣體並將前述非活性氣體在前述加熱裝置 將從前述加熱裝置的前述出口排出之加熱後的 供應至前述處理室內； 在前述第1步驟，從對前述加熱裝置供應 開始經過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝 個加熱機構之輸出維持於預先設定之一定値； 在前述第2步驟，前述加熱裝置之加熱機 係以加熱中或加熱後之非活性氣體的溫度成爲 的方式，藉由回授控制來予以決定。 2.如申請專利範圍第1項記載之基板處 中，前述加熱裝置從入口朝出口依序配置有複 構， 裝置（具有 出口的流體 使基板乾燥 驟和第2步 置內供應非 和前述處理 前述加熱裝 供應至配置 置內供應非 內加熱，且 非活性氣體 前述處理液 置之至少一 構之輸出， 預先設定値 理方法，其 數個加熱機 -40- 200816301 在前述第1步驟，配置於最靠近入口側之加熱機構的 輸出，在前述既定時間的期間係維持於預先設定的一定値 〇 3. 如申請專利範圍第2項記載之基板處理方法，其 中，在前述第1步驟，配置於最靠近出口側之加熱機構的 輸出，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設 定値的方式，藉由回授控制來予以決定。 4. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理方法，其 中，前述第1步驟中前述至少1個加熱機構之輸出，在對 前述加熱裝置供應前述處理液的整個期間，係維持於一定 値。 5. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理方法，其 中，前述第1步驟中前述至少1個加熱機構之輸出，在對 前述加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間後之至少 一期間，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預先 設定値的方式，藉由回授控制來予以決定。 6 · —種基板處理方法，係使用藉由加熱裝置（具有 :入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出口的流體 之複數個加熱機構）予以加熱後的流體來使基板乾燥之基 板處理方法；其特徵在於：係具備： 在處理室內配置基板的步驟、從前述入口對前述加熱 裝置內供應非活性氣體和處理液，將含有前述非活性氣體 和前述處理液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，並將從 前述加熱裝置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體供 -41 - 200816301 應至配置有基板之處理室內的步驟； 在將前述混合流體供應至處理室之步驟中’前述加熱 裝置之配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在對前述 加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間， 係維持於預先設定的一定値； 配置於最靠近出口側之加熱機構的輸出，係以加熱中 或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由 回授控制來予以決定。 7.如申請專利範圍第6項記載之基板處理方法，其 中，在將前述混合流體供應至處理室的步驟中，前述配置 於最靠近入口側之加熱機構之輸出，在對前述加熱裝置供 應前述處理液的整個期間，係維持於一定値。 8 · —種基板處理裝置，係具備：加熱裝置、處理室 以及控制裝置； 該加熱裝置具有：入口、出口、從入口延伸至出口之 流路、用來加熱流路之一個以上的加熱機構；該處理室係 連結於前述加熱裝置之前述出口，藉由從前述加熱裝置供 應加熱後的流體，而使收容於內部之基板乾燥；該控制裝 置係控制前述一個以上的加熱機構之輸出； 前述控制裝置，在進行具備第1步驟（將藉由前述加 熱裝置加熱後之含有非活性氣體和處理液之混合流體供應 至前述處理室）及第2步驟（將藉由前述加熱裝置加熱後 之非活性氣體供應至前述處理室）之基板乾燥處理時，在 前述第1步驟’從對前述加熱裝置供應前述處理液開始經 -42- 200816301 過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝置之至少一個加熱 機構之輸出維持於預先設定之一定値；在前述第2步驟， 前述加熱裝置之加熱機構之輸出，係以加熱中或加熱後之 非活性氣體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回授控制 來予以決定。 9.如申請專利範圍第8項記載之基板處理裝置，其 中’前述加熱裝置從入口朝出口依序配置有複數個加熱機 構’前述控制裝置，在前述乾燥處理之前述第1步驟，將 配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在前述既定時間 的期間維持於預先設定的一定値。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中， 前述控制裝置，在前述乾燥處理之前述第1步驟，將配置 於最靠近出口側之加熱機構的輸出，以加熱中或加熱後之 混合流體的溫度成爲預先設定値的方式，藉由回授控制來 予以決定。 11.如申請專利範圍第8項記載之基板處理裝置，其 中，前述控制裝置，在前述乾燥處理之前述第1步驟，在 對前述加熱裝置供應前述處理液的整個期間，將前述至少 1個加熱機構之輸出維持於一定値。 12·如申請專利範圍第8項記載之基板處理裝置，其 中，前述控制裝置，在前述乾燥處理之前述第1步驟中， 在對前述加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間後之 至少一期間，將前述至少1個加熱機構之輸出，以加熱中 或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設定値的方式藉由回 -43- 200816301 授控制來予以決定。 1 3 · —種基板處理裝置，係具備：加熱裝置、 以及控制裝置；該加熱裝置具有：入口、出口、從 伸至出口之流路、用來加熱流路之複數個加熱機構 理室係連結於前述加熱裝置之前述出口，藉由從前 裝置供應加熱後的流體，而使收容於內部之基板乾 控制裝置係控制前述複數個加熱機構之輸出； 前述控制裝置，在進行基板乾燥處理（具備： 前述加熱裝置加熱後之含有非活性氣體和處理液之 體供應至前述處理室之步驟）時，將前述加熱裝置 於最靠近入口側之加熱機構的輸出，從對前述加熱 應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間，維持 設定之一定値；將配置於最靠近出口側之加熱機構 ，以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲預先設 由回授控制來予以決定。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項記載之基板處理 其中，前述控制裝置，在對前述加熱裝置供應前述 的整個期間，係將前述配置於最靠近入口側之加熱 輸出維持於一定値。 1 5 · —種記錄媒體，係記錄有藉由控制裝置執 式之記錄媒體，該控制裝置係用來控制具備加熱裝 有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述出 體的一個以上的加熱機構）之基板處理裝置；藉由 制裝置來執行前述程式，能用藉由加熱裝置加熱後 處理室 入口延 :該處 述加熱 燥；該 將藉由 混合流 之配置 裝置供 於預先 之輸出 定値藉 裝置， 處理液 機構的 行的程 置（具 口之流 前述控 的流體 -44- 200816301 來使基板乾燥之基板處理方法，係具備第1步驟 驟， 該第1步驟，係從前述入口對前述加熱裝置 活性氣體和處理液，並將含有前述非活性氣體和 液之混合流體在前述加熱裝置內加熱，且將從前 置的前述出口排出之加熱後的前述混合流體，供 有基板之處理室內； 該第2步驟，係從前述入口對前述加熱裝置 活性氣體並將前述非活性氣體在前述加熱裝置內 將從前述加熱裝置的前述出口排出之加熱後的非 供應至前述處理室內； 在前述第1步驟，從對前述加熱裝置供應前 開始經過既定時間爲止的期間，將前述加熱裝置 個加熱機構之輸出維持於預先設定之一定値；在 步驟，前述加熱裝置之加熱機構之輸出，係以加 熱後之非活性氣體的溫度成爲預先設定値的方式 授控制來予以決定； 且該基板處理方法係讓基板洗淨裝置實施。 16. —種記錄媒體，係記錄有藉由控制裝置 式之記錄媒體，該控制裝置係用來控制具備加熱 有：入口、出口、用來加熱從前述入口流向前述 體的複數個加熱機構）之基板處理裝置；藉由前 置來執行前述程式，能用藉由加熱裝置加熱後的 基板乾燥之基板處理方法，係具備：在處理室內 和第2步 內供應非 前述處理 述加熱裝 應至配置 內供應非 加熱，且 活性氣體 述處理液 之至少一 前述第2 熱中或加 ，藉由回 執行的程 裝置（具 出口之流 述控制裝 流體來使 配置基板 -45- 200816301 的步驟、從前述入口對前述加熱裝置內供應非活性氣體和 處理液，將含有前述非活性氣體和前述處理液之混合流體 在前述加熱裝置內加熱，並將從前述加熱裝置的前述出口 排出之加熱後的前述混合流體供應至配置有基板之處理室 內的步驟； 在將前述混合流體供應至處理室之步驟中，前述加熱 裝置之配置於最靠近入口側之加熱機構的輸出，在對前述 加熱裝置供應前述處理液開始經過既定時間爲止的期間， 係維持於預先設定的一定値；配置於最靠近出口側之加熱 機構的輸出，係以加熱中或加熱後之混合流體的溫度成爲 預先設定値的方式，藉由回授控制來予以決定； 且該基板處理方法係讓基板洗淨裝置實施。 - 46-