JP2000208504A - シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 - Google Patents
シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法Info
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Landscapes
- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、高純度で不純物の少ないテ
トラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を供給することにより
信頼性の高い絶縁膜等を得ることのできるシリカ膜の形
成方法及びこれを用いた電子部品の製造方法を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明のシリカ膜の形成方法は、ＴＥＯ
Ｓ供給装置からＴＥＯＳを気化室に充填する工程；キャ
リアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・
ＴＥＯＳ混合ガスを反応器に導入する工程；酸化剤ガス
供給装置から酸化剤ガスを反応器に導入する工程；反応
器内のシリカ膜被形成基体を所望温度に加熱してシリカ
膜被形成基体上にシリカ膜を形成する工程；反応器から
排気ガスを排出する工程を有するシリカ膜の形成方法に
おいて、ＴＥＯＳ供給装置が、ＴＥＯＳの液量監視手段
として少なくとも１つの光学的液面センサを備えてなる
ことを特徴とする。
トラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を供給することにより
信頼性の高い絶縁膜等を得ることのできるシリカ膜の形
成方法及びこれを用いた電子部品の製造方法を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明のシリカ膜の形成方法は、ＴＥＯ
Ｓ供給装置からＴＥＯＳを気化室に充填する工程；キャ
リアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・
ＴＥＯＳ混合ガスを反応器に導入する工程；酸化剤ガス
供給装置から酸化剤ガスを反応器に導入する工程；反応
器内のシリカ膜被形成基体を所望温度に加熱してシリカ
膜被形成基体上にシリカ膜を形成する工程；反応器から
排気ガスを排出する工程を有するシリカ膜の形成方法に
おいて、ＴＥＯＳ供給装置が、ＴＥＯＳの液量監視手段
として少なくとも１つの光学的液面センサを備えてなる
ことを特徴とする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）法によるシリカ膜の形成方法及びこれを用いた電
子部品の製造方法に関するものである。
ＶＤ）法によるシリカ膜の形成方法及びこれを用いた電
子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品における半導体デバイス
等の絶縁保護膜としてシリカ膜を形成する場合には、化
学気相成長（ＣＶＤ）法が使用されており、原料として
モノシラン（ＳｉＨ4）が用いられてきた。しかし、デ
バイスの高集積化が進むにつれて配線のアスペクト比が
大きくなり、上層絶縁膜のステップカバレッジ（段差被
覆性）が悪くなって配線間にボイドが生ずる結果となっ
た。
等の絶縁保護膜としてシリカ膜を形成する場合には、化
学気相成長（ＣＶＤ）法が使用されており、原料として
モノシラン（ＳｉＨ4）が用いられてきた。しかし、デ
バイスの高集積化が進むにつれて配線のアスペクト比が
大きくなり、上層絶縁膜のステップカバレッジ（段差被
覆性）が悪くなって配線間にボイドが生ずる結果となっ
た。
【０００３】こうした問題点を受けて、現在ではオゾン
等を酸化剤に用い、有機珪素化合物であるテトラエトキ
シシラン［ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4］を原料とし
たＣＶＤ法が多く採用されるに至っている。
等を酸化剤に用い、有機珪素化合物であるテトラエトキ
シシラン［ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4］を原料とし
たＣＶＤ法が多く採用されるに至っている。
【０００４】また、リン原子あるいはホウ素原子をドー
プしたシリカ膜はＬＳＩ製造プロセスに不可欠であり、
表面安定化膜、層間絶縁膜、Ａｌ配線保護膜などに用い
られている。このようなリンあるいはホウ素をドープし
たシリカ膜においても、半導体デバイス等の配線微細
化、高集積化が進むにつれて配線アスペクト比が大きく
なり、絶縁膜層のステップカバレッジ（段差被覆性）が
悪くなって配線間にボイドが生ずる結果となった。こう
した問題点を受けて、現在ではオゾン等を酸化剤に用
い、ＳｉソースとしてＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法が多く
採用されるに至っている。
プしたシリカ膜はＬＳＩ製造プロセスに不可欠であり、
表面安定化膜、層間絶縁膜、Ａｌ配線保護膜などに用い
られている。このようなリンあるいはホウ素をドープし
たシリカ膜においても、半導体デバイス等の配線微細
化、高集積化が進むにつれて配線アスペクト比が大きく
なり、絶縁膜層のステップカバレッジ（段差被覆性）が
悪くなって配線間にボイドが生ずる結果となった。こう
した問題点を受けて、現在ではオゾン等を酸化剤に用
い、ＳｉソースとしてＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法が多く
採用されるに至っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体デバイ
スはさらに微細化とともに多層配線化が進んでいる状況
にあり、例えば絶縁膜においては、より信頼性の高い絶
縁膜が求められており、このためには、より高純度で不
純物の少ないＴＥＯＳの供給が求められている。
スはさらに微細化とともに多層配線化が進んでいる状況
にあり、例えば絶縁膜においては、より信頼性の高い絶
縁膜が求められており、このためには、より高純度で不
純物の少ないＴＥＯＳの供給が求められている。
【０００６】従って、本発明の目的は、上記の問題点を
解決するべく、高純度で不純物の少ないＴＥＯＳを供給
することにより信頼性の高い絶縁膜等を得ることのでき
るシリカ膜の形成方法及びこれを用いた電子部品の製造
方法を提供することにある。
解決するべく、高純度で不純物の少ないＴＥＯＳを供給
することにより信頼性の高い絶縁膜等を得ることのでき
るシリカ膜の形成方法及びこれを用いた電子部品の製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、テトラ
エトキシシラン供給装置からテトラエトキシシランを気
化室に充填する工程；キャリアガスを気化室に導入し、
気化室からキャリアガス・テトラエトキシシラン混合ガ
スを反応器に導入する工程；酸化剤ガス供給装置から酸
化剤ガスを反応器に導入する工程；反応器内のシリカ膜
被形成基体を所望温度に加熱してシリカ膜被形成基体上
にシリカ膜を形成する工程；反応器から排気ガスを排出
する工程を有するシリカ膜の形成方法において、テトラ
エトキシシラン供給装置が、テトラエトキシシランの液
量監視手段として少なくとも１つの光学的液面センサを
備えてなることを特徴とするシリカ膜の形成方法に係
る。
エトキシシラン供給装置からテトラエトキシシランを気
化室に充填する工程；キャリアガスを気化室に導入し、
気化室からキャリアガス・テトラエトキシシラン混合ガ
スを反応器に導入する工程；酸化剤ガス供給装置から酸
化剤ガスを反応器に導入する工程；反応器内のシリカ膜
被形成基体を所望温度に加熱してシリカ膜被形成基体上
にシリカ膜を形成する工程；反応器から排気ガスを排出
する工程を有するシリカ膜の形成方法において、テトラ
エトキシシラン供給装置が、テトラエトキシシランの液
量監視手段として少なくとも１つの光学的液面センサを
備えてなることを特徴とするシリカ膜の形成方法に係
る。
【０００８】更に、本発明は、シリカ膜を構成要素とす
る電子部品の製造における、シリカ膜の形成にあたり、
上記シリカ膜の形成方法を採用することを特徴とする電
子部品の製造方法に係る。
る電子部品の製造における、シリカ膜の形成にあたり、
上記シリカ膜の形成方法を採用することを特徴とする電
子部品の製造方法に係る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のシリカ膜の形成方法は、
慣用のＣＤＶ装置を使用するものであるが、ＣＤＶ装置
へＴＥＯＳを供給するためのＴＥＯＳ供給装置として、
ＴＥＯＳの液量監視手段として少なくとも１つの光学的
液面センサを備えてなるものを使用するところに特徴が
ある。更に詳細には、該ＴＥＯＳ供給装置は、内部表面
が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及び該容
器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成され、該容器
本体部及び／または蓋部が、該容器本体部へＴＥＯＳを
注入するためのＴＥＯＳ注入口、該容器本体部からＴＥ
ＯＳを取り出すためのＴＥＯＳ供給口、及び少なくとも
１つの光学的液面センサを備えてなる構成のものであ
る。
慣用のＣＤＶ装置を使用するものであるが、ＣＤＶ装置
へＴＥＯＳを供給するためのＴＥＯＳ供給装置として、
ＴＥＯＳの液量監視手段として少なくとも１つの光学的
液面センサを備えてなるものを使用するところに特徴が
ある。更に詳細には、該ＴＥＯＳ供給装置は、内部表面
が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及び該容
器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成され、該容器
本体部及び／または蓋部が、該容器本体部へＴＥＯＳを
注入するためのＴＥＯＳ注入口、該容器本体部からＴＥ
ＯＳを取り出すためのＴＥＯＳ供給口、及び少なくとも
１つの光学的液面センサを備えてなる構成のものであ
る。
【００１０】まず、ＴＥＯＳ供給装置について詳述す
る。本発明に使用するＴＥＯＳ供給装置の特徴は、内部
表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及び
該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成されるＴ
ＥＯＳ供給装置の容器本体部内のＴＥＯＳの残量を検出
するために、光学的液面センサを使用しているところに
ある。
る。本発明に使用するＴＥＯＳ供給装置の特徴は、内部
表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及び
該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成されるＴ
ＥＯＳ供給装置の容器本体部内のＴＥＯＳの残量を検出
するために、光学的液面センサを使用しているところに
ある。
【００１１】ＴＥＯＳ供給装置に使用可能な光学的液面
センサは、投光用光ファイバー及び受光用光ファイバー
を併設し、両光ファイバーの先端部前方に投光用光ファ
イバーから出射された光を受光用光ファイバーへ入射さ
せるための複数の内反射面を有するプリズム部を設置し
た光検出プローブを用いたものである。
センサは、投光用光ファイバー及び受光用光ファイバー
を併設し、両光ファイバーの先端部前方に投光用光ファ
イバーから出射された光を受光用光ファイバーへ入射さ
せるための複数の内反射面を有するプリズム部を設置し
た光検出プローブを用いたものである。
【００１２】この光学的液面センサの光検出プローブを
図３に記載する。図３において、平行に設置されている
投光用光ファイバー（２６）及び受光用光ファイバー
（２７）の先端部には、内反射面を有する直角プリズム
（２８）が設置されている。また、投光用光ファイバー
（２６）及び受光用光ファイバー（２７）を保護するた
めの保護チューブ（２９）は、直角プリズム（２８）と
一体成形されており、フッ素樹脂等からなることができ
る。
図３に記載する。図３において、平行に設置されている
投光用光ファイバー（２６）及び受光用光ファイバー
（２７）の先端部には、内反射面を有する直角プリズム
（２８）が設置されている。また、投光用光ファイバー
（２６）及び受光用光ファイバー（２７）を保護するた
めの保護チューブ（２９）は、直角プリズム（２８）と
一体成形されており、フッ素樹脂等からなることができ
る。
【００１３】このような光検出プローブを備えてなる光
学的液面センサは、下記のように動作する。まず、光検
出プローブの直角プリズム（２８）がＴＥＯＳ中に浸漬
していない場合またはある一定のレベルまでしか浸漬し
ていない場合には、投光用光ファイバー（２６）から出
射光は直角プリズム（２８）の内反射面で反射して受光
用光ファイバー（２７）に入射し、直角プリズム（２
８）を介して外部へ光が散乱しないような構成となって
おり、出射光と入射光の強さを測定した時に出射光と入
射光の強さの差は小さい。
学的液面センサは、下記のように動作する。まず、光検
出プローブの直角プリズム（２８）がＴＥＯＳ中に浸漬
していない場合またはある一定のレベルまでしか浸漬し
ていない場合には、投光用光ファイバー（２６）から出
射光は直角プリズム（２８）の内反射面で反射して受光
用光ファイバー（２７）に入射し、直角プリズム（２
８）を介して外部へ光が散乱しないような構成となって
おり、出射光と入射光の強さを測定した時に出射光と入
射光の強さの差は小さい。
【００１４】これに対して、直角プリズム（２８）があ
る一定のレベル以上にＴＥＯＳ中に浸漬している場合に
は、投光用光ファイバー（２６）からの出射光のほとん
どが直角プリズム（２８）の内反射面を透過し、従っ
て、直角プリズム（２８）の内反射面で反射して受光用
光ファイバー（２７）に入射する入射光はほとんどなく
なる。この場合、出射光は、直角プリズム（２８）を介
してＴＥＯＳ中を進行し、散乱する。従って、直角プリ
ズム（２８）を介して入射する入射光は非常に弱く、出
射光と入射光の強さを検出した時に出射光と入射光の強
さの差が大きくなり、ＴＥＯＳの液面が直角プリズム
（２８）のある一定のレベル以上にあることを検出する
ことができる構成となっている。
る一定のレベル以上にＴＥＯＳ中に浸漬している場合に
は、投光用光ファイバー（２６）からの出射光のほとん
どが直角プリズム（２８）の内反射面を透過し、従っ
て、直角プリズム（２８）の内反射面で反射して受光用
光ファイバー（２７）に入射する入射光はほとんどなく
なる。この場合、出射光は、直角プリズム（２８）を介
してＴＥＯＳ中を進行し、散乱する。従って、直角プリ
ズム（２８）を介して入射する入射光は非常に弱く、出
射光と入射光の強さを検出した時に出射光と入射光の強
さの差が大きくなり、ＴＥＯＳの液面が直角プリズム
（２８）のある一定のレベル以上にあることを検出する
ことができる構成となっている。
【００１５】ところで、上記図３に示すような構成を有
する光検出プローブを有する光学的液面センサを容器本
体部の底部付近に設置した場合には、直角プリズム（２
８）を透過してＴＥＯＳ中を進行する出射光が容器本体
部の底部に反射して直角プリズム（２８）を介して入射
光となる場合がある。このような場合には、出射光と入
射光の強さの差が小さくなり、ＴＥＯＳの液面レベルを
検知し難くなることがある。このような場合には、光検
出プローブ部として図４に示すような構成のものを使用
することにより、出射光と入射光の差を大きくすること
ができる。即ち、図４に示すように、投光用光ファイバ
ー（２６）及び受光用光ファイバー（２７）の先端部
が、前方に向かって互いに拡開している構成とすること
により、投光用光ファイバー（２６）の光出射軸及び受
光用光ファイバー（２７）の光入射軸に一定の角度を設
ける構成とする。このような構成を有する光検出プロー
ブは容器本体部の底部近くに設置した場合、円錐プリズ
ム（３０）を透過する出射光がたとえ底部表面に反射し
ても、円錐プリズム（３０）からの入射光として入射す
ることを防止することができ、従って、入射光の強さを
より弱くすることができ、よって、出射光と入射光の強
さを検出した時に出射光と入射光の強さの差をより大き
くすることができる。即ち、ＴＥＯＳの液面が円錐プリ
ズム（３０）のある一定のレベル以上にあることをより
明確に判定することができる。
する光検出プローブを有する光学的液面センサを容器本
体部の底部付近に設置した場合には、直角プリズム（２
８）を透過してＴＥＯＳ中を進行する出射光が容器本体
部の底部に反射して直角プリズム（２８）を介して入射
光となる場合がある。このような場合には、出射光と入
射光の強さの差が小さくなり、ＴＥＯＳの液面レベルを
検知し難くなることがある。このような場合には、光検
出プローブ部として図４に示すような構成のものを使用
することにより、出射光と入射光の差を大きくすること
ができる。即ち、図４に示すように、投光用光ファイバ
ー（２６）及び受光用光ファイバー（２７）の先端部
が、前方に向かって互いに拡開している構成とすること
により、投光用光ファイバー（２６）の光出射軸及び受
光用光ファイバー（２７）の光入射軸に一定の角度を設
ける構成とする。このような構成を有する光検出プロー
ブは容器本体部の底部近くに設置した場合、円錐プリズ
ム（３０）を透過する出射光がたとえ底部表面に反射し
ても、円錐プリズム（３０）からの入射光として入射す
ることを防止することができ、従って、入射光の強さを
より弱くすることができ、よって、出射光と入射光の強
さを検出した時に出射光と入射光の強さの差をより大き
くすることができる。即ち、ＴＥＯＳの液面が円錐プリ
ズム（３０）のある一定のレベル以上にあることをより
明確に判定することができる。
【００１６】図３及び図４に示すような光検出プローブ
を備えてなる光学的液面センサは、先端部のプリズムと
共に一体成形された保護チューブ（例えばフッ素樹脂
製）内に投光用光ファイバー（２６）及び受光用光ファ
イバー（２７）が収容された構成となっており、このよ
うな構成の光学的液面センサは構成部材間での機械的接
触がなく、よって、新たなパーティクルを発生すること
はない。従って、ＴＥＯＳ供給装置の容器本体部の少な
くとも１カ所に、上述のような構成を有する光学的液面
センサを設置してＴＥＯＳの残量を監視することによ
り、ＴＥＯＳを汚染することなく、供給することができ
る。
を備えてなる光学的液面センサは、先端部のプリズムと
共に一体成形された保護チューブ（例えばフッ素樹脂
製）内に投光用光ファイバー（２６）及び受光用光ファ
イバー（２７）が収容された構成となっており、このよ
うな構成の光学的液面センサは構成部材間での機械的接
触がなく、よって、新たなパーティクルを発生すること
はない。従って、ＴＥＯＳ供給装置の容器本体部の少な
くとも１カ所に、上述のような構成を有する光学的液面
センサを設置してＴＥＯＳの残量を監視することによ
り、ＴＥＯＳを汚染することなく、供給することができ
る。
【００１７】また、光学的液面センサの光検出プローブ
部を容器本体部の底部付近の所定の位置に精度良く設置
するために、保護チューブ（２９）中に投光用光ファイ
バー（２６）及び受光用光ファイバー（２７）と共に支
持棒（例えば金属棒）を挿入して光学的液面センサの形
状を保持できるような構成とすることもできる。
部を容器本体部の底部付近の所定の位置に精度良く設置
するために、保護チューブ（２９）中に投光用光ファイ
バー（２６）及び受光用光ファイバー（２７）と共に支
持棒（例えば金属棒）を挿入して光学的液面センサの形
状を保持できるような構成とすることもできる。
【００１８】また、２個以上の光学的液面センサをそれ
らの光検出プローブが段差を有するように設置して、Ｔ
ＥＯＳ残量が下段の光検出プローブのＴＥＯＳ液面検出
位置となる前に、その上方に設けられたもう一方の光検
出プローブのＴＥＯＳ液面検出位置で予告警報等を発す
る構成とすることもできる。
らの光検出プローブが段差を有するように設置して、Ｔ
ＥＯＳ残量が下段の光検出プローブのＴＥＯＳ液面検出
位置となる前に、その上方に設けられたもう一方の光検
出プローブのＴＥＯＳ液面検出位置で予告警報等を発す
る構成とすることもできる。
【００１９】上記のような構成を有するＴＥＯＳ供給装
置を用いることにより、本発明のシリカ膜の形成方法に
おいては、不純物の極めて少ない高純度のＴＥＯＳ原料
を使用することができる。また、ＴＥＯＳ供給装置のＴ
ＥＯＳ残量を精度良く管理することができるため、ＴＥ
ＯＳ供給装置のＴＥＯＳを効率的に使用できると共に、
ＴＥＯＳ供給装置のＴＥＯＳ残量が少なくなった時に、
次のＴＥＯＳ供給装置への取り替え作業等を極めて円滑
に行うことができる。
置を用いることにより、本発明のシリカ膜の形成方法に
おいては、不純物の極めて少ない高純度のＴＥＯＳ原料
を使用することができる。また、ＴＥＯＳ供給装置のＴ
ＥＯＳ残量を精度良く管理することができるため、ＴＥ
ＯＳ供給装置のＴＥＯＳを効率的に使用できると共に、
ＴＥＯＳ供給装置のＴＥＯＳ残量が少なくなった時に、
次のＴＥＯＳ供給装置への取り替え作業等を極めて円滑
に行うことができる。
【００２０】次に、本発明のシリカ膜の形成方法におい
て、ＴＥＯＳは、上記ＴＥＯＳ供給装置からＴＥＯＳ気
化室に充填される。ＴＥＯＳ気化室に充填されたＴＥＯ
Ｓは一定の蒸気圧を確保するために一定温度に保温され
る。ここで、ＴＥＯＳは、好ましくは４５℃〜７０℃、
より好ましくは５０℃〜６５℃とするのがよい。ここ
で、ＴＥＯＳ気化室にキャリアガス（例えばＮ2、Ａｒ
などの不活性ガス）を導入することによりキャリアガス
・ＴＥＯＳ混合ガスを発生させ、更に、該混合ガスを反
応器に導入する。ＴＥＯＳの温度を調整することにより
ＴＥＯＳ濃度を制御することができ、また、キャリアガ
スを調整することにより後述のドーピング原料（リン化
合物やホウ素化合物）に対するＴＥＯＳの割合を制御す
ることができる。
て、ＴＥＯＳは、上記ＴＥＯＳ供給装置からＴＥＯＳ気
化室に充填される。ＴＥＯＳ気化室に充填されたＴＥＯ
Ｓは一定の蒸気圧を確保するために一定温度に保温され
る。ここで、ＴＥＯＳは、好ましくは４５℃〜７０℃、
より好ましくは５０℃〜６５℃とするのがよい。ここ
で、ＴＥＯＳ気化室にキャリアガス（例えばＮ2、Ａｒ
などの不活性ガス）を導入することによりキャリアガス
・ＴＥＯＳ混合ガスを発生させ、更に、該混合ガスを反
応器に導入する。ＴＥＯＳの温度を調整することにより
ＴＥＯＳ濃度を制御することができ、また、キャリアガ
スを調整することにより後述のドーピング原料（リン化
合物やホウ素化合物）に対するＴＥＯＳの割合を制御す
ることができる。
【００２１】本発明のシリカ膜の形成方法においては、
上記ＴＥＯＳ含有ガスの反応器への導入と並行して酸化
剤ガスを反応器に導入する。酸化剤ガスとしては、例え
ばオゾン含有ガスなどを好ましいものとして挙げること
ができる。酸化剤ガス供給装置としては、例えばこのよ
うなオゾン含有ガスの場合、Ｏ2ガスをオゾナイザに通
すことでオゾン含有ガスを供給する装置などを挙げるこ
とができる。酸化剤ガスとしてのオゾン含有ガスは、例
えばＯ2に対して１．５〜７％、好ましくは３〜６％の
オゾン濃度であることが良い。
上記ＴＥＯＳ含有ガスの反応器への導入と並行して酸化
剤ガスを反応器に導入する。酸化剤ガスとしては、例え
ばオゾン含有ガスなどを好ましいものとして挙げること
ができる。酸化剤ガス供給装置としては、例えばこのよ
うなオゾン含有ガスの場合、Ｏ2ガスをオゾナイザに通
すことでオゾン含有ガスを供給する装置などを挙げるこ
とができる。酸化剤ガスとしてのオゾン含有ガスは、例
えばＯ2に対して１．５〜７％、好ましくは３〜６％の
オゾン濃度であることが良い。
【００２２】また、本発明のシリカ膜の形成方法におい
て、反応室に希釈用ガス（例えばＮ 2、Ａｒなどの不活
性ガス）を導入することができる。希釈用ガスを導入す
ることにより原料ガス全体の濃度を調整することがで
き、成膜性や成膜速度を制御することができる。なお、
希釈用ガスは直接反応室に導入しても良いし、何れかの
原料ガスに混合しても良い。
て、反応室に希釈用ガス（例えばＮ 2、Ａｒなどの不活
性ガス）を導入することができる。希釈用ガスを導入す
ることにより原料ガス全体の濃度を調整することがで
き、成膜性や成膜速度を制御することができる。なお、
希釈用ガスは直接反応室に導入しても良いし、何れかの
原料ガスに混合しても良い。
【００２３】反応室内に上記ガスを導入した状態で、シ
リカ膜被形成基体を所望温度に加熱することにより、基
体上にシリカ膜が形成（堆積）される。このときの基体
温度は、好ましくは３００℃〜５００℃、より好ましく
は３５０℃〜４５０℃であることがよい。尚、膜成長時
間（シリカ堆積時間）の増減により、任意に膜厚を制御
することができる。
リカ膜被形成基体を所望温度に加熱することにより、基
体上にシリカ膜が形成（堆積）される。このときの基体
温度は、好ましくは３００℃〜５００℃、より好ましく
は３５０℃〜４５０℃であることがよい。尚、膜成長時
間（シリカ堆積時間）の増減により、任意に膜厚を制御
することができる。
【００２４】また、本発明のシリカ膜の形成方法は、シ
リカ膜がリンをドープしたシリカ膜の場合にも使用する
ことができる。リンをドープするには、反応器にリン化
合物ガスを更に導入すればよい。リン化合物ガスとして
は、リンドープ用として公知のものであれば全て使用す
ることができ、例えばホスフィン、トリメチルホスフェ
ート（ＴＭＯＰ）、トリメチルホスファイト（ＴＭ
Ｐ）、トリエチルホスフェート（ＴＥＯＰ）等を使用で
きるが、これらに限定されるものではない。
リカ膜がリンをドープしたシリカ膜の場合にも使用する
ことができる。リンをドープするには、反応器にリン化
合物ガスを更に導入すればよい。リン化合物ガスとして
は、リンドープ用として公知のものであれば全て使用す
ることができ、例えばホスフィン、トリメチルホスフェ
ート（ＴＭＯＰ）、トリメチルホスファイト（ＴＭ
Ｐ）、トリエチルホスフェート（ＴＥＯＰ）等を使用で
きるが、これらに限定されるものではない。
【００２５】使用するリン化合物が常温で気体であれば
そのまま、リン化合物が常温で液体もしくは溶液の場合
には、所望とするリン含量となるような蒸気圧となる温
度に保温し、キャリアガスを導入することにより使用で
きる。なお、キャリアガス及び希釈ガスとしては上記同
様のものが使用でき、酸化剤ガスも上記同様のものを、
上記同様に使用できる。
そのまま、リン化合物が常温で液体もしくは溶液の場合
には、所望とするリン含量となるような蒸気圧となる温
度に保温し、キャリアガスを導入することにより使用で
きる。なお、キャリアガス及び希釈ガスとしては上記同
様のものが使用でき、酸化剤ガスも上記同様のものを、
上記同様に使用できる。
【００２６】更に、本発明のシリカ膜の形成方法は、シ
リカ膜がホウ素をドープしたシリカ膜の場合にも使用す
ることができる。ホウ素をドープするには、反応器にホ
ウ素化合物ガスを更に導入すればよい。ホウ素化合物ガ
スとしては、ホウ素ドープ用として公知のものであれば
全て使用することができ、例えばトリメチルボレート
（ＴＭＢ）、トリエチルボレート（ＴＥＢ）等を使用で
きるが、これらに限定されるものではない。
リカ膜がホウ素をドープしたシリカ膜の場合にも使用す
ることができる。ホウ素をドープするには、反応器にホ
ウ素化合物ガスを更に導入すればよい。ホウ素化合物ガ
スとしては、ホウ素ドープ用として公知のものであれば
全て使用することができ、例えばトリメチルボレート
（ＴＭＢ）、トリエチルボレート（ＴＥＢ）等を使用で
きるが、これらに限定されるものではない。
【００２７】使用するホウ素化合物が常温で気体であれ
ばそのまま、ホウ素化合物が常温で液体もしくは溶液の
場合には、所望とするホウ素含量となるような蒸気圧と
なる温度に保温し、キャリアガスを導入することにより
使用できる。なお、キャリアガス及び希釈ガスとしては
上記同様のものが使用でき、酸化剤ガスも上記同様のも
のを、上記同様に使用できる。
ばそのまま、ホウ素化合物が常温で液体もしくは溶液の
場合には、所望とするホウ素含量となるような蒸気圧と
なる温度に保温し、キャリアガスを導入することにより
使用できる。なお、キャリアガス及び希釈ガスとしては
上記同様のものが使用でき、酸化剤ガスも上記同様のも
のを、上記同様に使用できる。
【００２８】
【実施例】次に、実施例を示し、本発明のシリカ膜の形
成方法を具体的に説明する。 ［実施例１］図１は、本発明のシリカ膜の形成方法に用
いるＣＶＤ装置の模式的構造図である。図１において、
シリカ膜を形成するための反応器（チャンバ）（５）
は、ディスパージョンヘッド（６）、ヒ−タ（７）、シ
リカ膜被形成基体としてのＳｉウエハ基板（８）及び排
気口（９）から構成されている。また、反応器（５）中
で反応に供されるオゾン含有ガスは、流量計（１ａ）、
バルブ（２ａ）、オゾナイザー（３）、バルブ（２ｄ）
を介して反応器（チャンバ）（５）に導入できる構成と
なっている。更に、希釈用ガスは、流量計（１ｂ）、バ
ルブ（２ｂ）を介して供給できる構成となっている。ま
た、キャリアガスは、流量計（１ｃ）、バルブ（２ｃ）
を介してＴＥＯＳ気化室（４）に供給できる構成となっ
ている。
成方法を具体的に説明する。 ［実施例１］図１は、本発明のシリカ膜の形成方法に用
いるＣＶＤ装置の模式的構造図である。図１において、
シリカ膜を形成するための反応器（チャンバ）（５）
は、ディスパージョンヘッド（６）、ヒ−タ（７）、シ
リカ膜被形成基体としてのＳｉウエハ基板（８）及び排
気口（９）から構成されている。また、反応器（５）中
で反応に供されるオゾン含有ガスは、流量計（１ａ）、
バルブ（２ａ）、オゾナイザー（３）、バルブ（２ｄ）
を介して反応器（チャンバ）（５）に導入できる構成と
なっている。更に、希釈用ガスは、流量計（１ｂ）、バ
ルブ（２ｂ）を介して供給できる構成となっている。ま
た、キャリアガスは、流量計（１ｃ）、バルブ（２ｃ）
を介してＴＥＯＳ気化室（４）に供給できる構成となっ
ている。
【００２９】次に、図１に示されるＴＥＯＳ供給装置
（１８）を図２により詳述する。図２に示されるＴＥＯ
Ｓ供給装置（１８）は、内部表面が電解研磨されたステ
ンレス鋼製のＴＥＯＳ供給装置容器本体（１０）及び該
ＴＥＯＳ供給装置容器本体（１０）に接合可能な形状の
蓋部（２０）から構成されている。ここで、ＴＥＯＳ供
給装置容器本体（１０）と蓋部（２０）は例えばフラン
ジ部をボルト及びナット（１９）のような接合手段によ
り気密状態に接合されている。また、蓋部（２０）に
は、ＴＥＯＳ供給装置容器本体（１０）へＴＥＯＳを注
入するためのＴＥＯＳ注入口（１２）、ＴＥＯＳ供給装
置容器本体（１０）からＴＥＯＳを取り出すためのＴＥ
ＯＳ供給口（１１）、及び光学的液面センサ（１３）が
備えられている。なお、ＴＥＯＳ注入口（１２）には、
ＴＥＯＳの注入を制御するためのバルブ（２ｇ）が、Ｔ
ＥＯＳ供給口（１１）には、ＴＥＯＳの供給を制御する
ためのバルブ（２ｆ）がそれぞれ設置されている。ま
た、光学的液面センサ（１３）の先端部の光検出プロー
ブ（１４）は、ＴＥＯＳ供給装置本体（１０）の底部周
辺の所定の位置に設置されている。また、光学的液面セ
ンサ（１３）には、投受光器（１５）及び検出回路（１
６）が接続されており、検出回路（１６）から出力され
た信号によりＴＥＯＳの残量の検出及び残量が所定量以
下となった時にＴＥＯＳの供給停止や、ＣＶＤ装置の運
転を停止するような様々な制御を行うことができる構成
となっている。
（１８）を図２により詳述する。図２に示されるＴＥＯ
Ｓ供給装置（１８）は、内部表面が電解研磨されたステ
ンレス鋼製のＴＥＯＳ供給装置容器本体（１０）及び該
ＴＥＯＳ供給装置容器本体（１０）に接合可能な形状の
蓋部（２０）から構成されている。ここで、ＴＥＯＳ供
給装置容器本体（１０）と蓋部（２０）は例えばフラン
ジ部をボルト及びナット（１９）のような接合手段によ
り気密状態に接合されている。また、蓋部（２０）に
は、ＴＥＯＳ供給装置容器本体（１０）へＴＥＯＳを注
入するためのＴＥＯＳ注入口（１２）、ＴＥＯＳ供給装
置容器本体（１０）からＴＥＯＳを取り出すためのＴＥ
ＯＳ供給口（１１）、及び光学的液面センサ（１３）が
備えられている。なお、ＴＥＯＳ注入口（１２）には、
ＴＥＯＳの注入を制御するためのバルブ（２ｇ）が、Ｔ
ＥＯＳ供給口（１１）には、ＴＥＯＳの供給を制御する
ためのバルブ（２ｆ）がそれぞれ設置されている。ま
た、光学的液面センサ（１３）の先端部の光検出プロー
ブ（１４）は、ＴＥＯＳ供給装置本体（１０）の底部周
辺の所定の位置に設置されている。また、光学的液面セ
ンサ（１３）には、投受光器（１５）及び検出回路（１
６）が接続されており、検出回路（１６）から出力され
た信号によりＴＥＯＳの残量の検出及び残量が所定量以
下となった時にＴＥＯＳの供給停止や、ＣＶＤ装置の運
転を停止するような様々な制御を行うことができる構成
となっている。
【００３０】まず、原料の高純度ＴＥＯＳをバルブ（２
ｇ）の操作によりＴＥＯＳ注入口（１２）を介してＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）に充填した。次に、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）からＴＥＯＳ気化室
（４）へバルブ（２ｆ）の操作によりＴＥＯＳ供給口
（１１）を介してＴＥＯＳを充填した。このとき、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）内に設置された光検出プ
ローブ（１４）を有する光学的液面センサ（１３）を用
いてＴＥＯＳ供給量の終点を監視した。
ｇ）の操作によりＴＥＯＳ注入口（１２）を介してＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）に充填した。次に、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）からＴＥＯＳ気化室
（４）へバルブ（２ｆ）の操作によりＴＥＯＳ供給口
（１１）を介してＴＥＯＳを充填した。このとき、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）内に設置された光検出プ
ローブ（１４）を有する光学的液面センサ（１３）を用
いてＴＥＯＳ供給量の終点を監視した。
【００３１】ＴＥＯＳ気化室（４）に充填したＴＥＯＳ
を６０℃に保温して蒸気圧を一定にし、また、反応室
（５）内のＳｉウエハ基板（８）をヒータ（７）で４０
０℃に加熱した。次に、キャリアガスとしてＮ2をＴＥ
ＯＳ気化室（４）へ３リットル／分で吹き込み、反応器
（５）内にＴＥＯＳを含むガスを導入した。同時に、希
釈用ガスとしてＮ2を１８リットル／分で導入し、さら
にＯ2ガスをオゾナイザ（３）に通し、オゾン濃度をＯ2
に対して５％に設定して導入することにより、Ｓｉウエ
ハ基板（８）上に１．２μｍのシリカ（ＳｉＯ2）膜を
得た。
を６０℃に保温して蒸気圧を一定にし、また、反応室
（５）内のＳｉウエハ基板（８）をヒータ（７）で４０
０℃に加熱した。次に、キャリアガスとしてＮ2をＴＥ
ＯＳ気化室（４）へ３リットル／分で吹き込み、反応器
（５）内にＴＥＯＳを含むガスを導入した。同時に、希
釈用ガスとしてＮ2を１８リットル／分で導入し、さら
にＯ2ガスをオゾナイザ（３）に通し、オゾン濃度をＯ2
に対して５％に設定して導入することにより、Ｓｉウエ
ハ基板（８）上に１．２μｍのシリカ（ＳｉＯ2）膜を
得た。
【００３２】同様の操作を行なったときのＴＥＯＳ供給
装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度ＴＥＯＳ中
の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数を測定
することにより測定した。結果は１５．７（個／ミリリ
ットル）であった。また、得られたシリカ膜の絶縁性を
調べるために誘電率を測定したところ、４．３と、大容
量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造に適したものであ
り、これから製造された大容量半導体メモリは良好なも
のであった。
装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度ＴＥＯＳ中
の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数を測定
することにより測定した。結果は１５．７（個／ミリリ
ットル）であった。また、得られたシリカ膜の絶縁性を
調べるために誘電率を測定したところ、４．３と、大容
量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造に適したものであ
り、これから製造された大容量半導体メモリは良好なも
のであった。
【００３３】［実施例２］図５は、本実施例に用いたＣ
ＶＤ装置の模式的構造図である。即ち、図１に示すＣＶ
Ｄ装置に、シリカ膜をリンでドープするために、リン原
料化合物であるトリメチルホスフェート（ＴＭＯＰ）を
反応器（５）へ導入するための手段を設けたものであ
る。気化器（１７）で気化されたＴＭＯＰは流量計（１
ｅ）、バルブ（２ｊ）を介して導入されるキャリアガス
によりバルブ（２ｋ）を介して反応器（５）へ導入され
る構成となっている。
ＶＤ装置の模式的構造図である。即ち、図１に示すＣＶ
Ｄ装置に、シリカ膜をリンでドープするために、リン原
料化合物であるトリメチルホスフェート（ＴＭＯＰ）を
反応器（５）へ導入するための手段を設けたものであ
る。気化器（１７）で気化されたＴＭＯＰは流量計（１
ｅ）、バルブ（２ｊ）を介して導入されるキャリアガス
によりバルブ（２ｋ）を介して反応器（５）へ導入され
る構成となっている。
【００３４】まず、原料の高純度ＴＥＯＳをバルブ（２
ｇ）の操作によりＴＥＯＳ注入口（１２）を介してＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）に充填した。次に、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）からＴＥＯＳ気化室
（４）へバルブ（２ｆ）の操作によりＴＥＯＳ供給口
（１１）を介してＴＥＯＳを充填した。このとき、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）内に設置された光検出プ
ローブ（１４）を有する光学的液面センサ（１３）を用
いてＴＥＯＳ供給量の終点を監視した。
ｇ）の操作によりＴＥＯＳ注入口（１２）を介してＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）に充填した。次に、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）からＴＥＯＳ気化室
（４）へバルブ（２ｆ）の操作によりＴＥＯＳ供給口
（１１）を介してＴＥＯＳを充填した。このとき、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）内に設置された光検出プ
ローブ（１４）を有する光学的液面センサ（１３）を用
いてＴＥＯＳ供給量の終点を監視した。
【００３５】ＴＥＯＳ気化室（４）に充填したＴＥＯＳ
を６５℃に、又、気化室（１７）のＴＭＯＰを６０℃に
保温してそれぞれ蒸気圧を一定にし、また、反応室
（５）内のＳｉウエハ基板（８）をヒータ（７）で４０
０℃に加熱した。次に、キャリアガスとしてＮ2をＴＥ
ＯＳ気化室（４）へ３リットル／分で吹き込み、反応器
（５）内にＴＥＯＳを含むガスを導入した。また、キャ
リアガスとしてＮ2を気化室（１７）へ１．５リットル
／分で吹き込み、反応器（５）内にＴＭＯＰを含むガス
を導入した。同時に、希釈用ガスとしてＮ2を１８リッ
トル／分で導入し、さらにＯ2ガスをオゾナイザ（３）
に通し、オゾン濃度をＯ2に対して５％に設定して導入
することにより、Ｓｉウエハ基板（８）上に１．２μｍ
のリンドープシリカ膜を得た。
を６５℃に、又、気化室（１７）のＴＭＯＰを６０℃に
保温してそれぞれ蒸気圧を一定にし、また、反応室
（５）内のＳｉウエハ基板（８）をヒータ（７）で４０
０℃に加熱した。次に、キャリアガスとしてＮ2をＴＥ
ＯＳ気化室（４）へ３リットル／分で吹き込み、反応器
（５）内にＴＥＯＳを含むガスを導入した。また、キャ
リアガスとしてＮ2を気化室（１７）へ１．５リットル
／分で吹き込み、反応器（５）内にＴＭＯＰを含むガス
を導入した。同時に、希釈用ガスとしてＮ2を１８リッ
トル／分で導入し、さらにＯ2ガスをオゾナイザ（３）
に通し、オゾン濃度をＯ2に対して５％に設定して導入
することにより、Ｓｉウエハ基板（８）上に１．２μｍ
のリンドープシリカ膜を得た。
【００３６】同様の操作を行なったときのＴＥＯＳ供給
装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度ＴＥＯＳ中
の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数を測定
することにより測定した。結果は１６．２（個／ミリリ
ットル）であった。また、得られたリンドープシリカ膜
の絶縁性を調べるために誘電率を測定したところ、４．
４と、大容量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造に適した
ものであり、これから製造された大容量半導体メモリは
良好なものであった。
装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度ＴＥＯＳ中
の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数を測定
することにより測定した。結果は１６．２（個／ミリリ
ットル）であった。また、得られたリンドープシリカ膜
の絶縁性を調べるために誘電率を測定したところ、４．
４と、大容量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造に適した
ものであり、これから製造された大容量半導体メモリは
良好なものであった。
【００３７】［実施例３］図５は、本実施例に用いたＣ
ＶＤ装置の模式的構造図である。即ち、図１に示すＣＶ
Ｄ装置において、シリカ膜をホウ素でドープするため
に、ホウ素原料化合物であるトリエチルボレート（ＴＥ
Ｂ）を反応器（５）へ導入するための手段を設けたもの
である。気化器（１７）で気化されたＴＥＢは流量計
（１ｅ）、バルブ（２ｊ）を介して導入されるキャリア
ガスによりバルブ（２ｋ）を介して反応器（５）へ導入
される構成となっている。
ＶＤ装置の模式的構造図である。即ち、図１に示すＣＶ
Ｄ装置において、シリカ膜をホウ素でドープするため
に、ホウ素原料化合物であるトリエチルボレート（ＴＥ
Ｂ）を反応器（５）へ導入するための手段を設けたもの
である。気化器（１７）で気化されたＴＥＢは流量計
（１ｅ）、バルブ（２ｊ）を介して導入されるキャリア
ガスによりバルブ（２ｋ）を介して反応器（５）へ導入
される構成となっている。
【００３８】まず、原料の高純度ＴＥＯＳをバルブ（２
ｇ）の操作によりＴＥＯＳ注入口（１２）を介してＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）に充填した。次に、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）からＴＥＯＳ気化室
（４）へバルブ（２ｆ）の操作によりＴＥＯＳ供給口
（１１）を介してＴＥＯＳを充填した。このとき、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）内に設置された光検出プ
ローブ（１４）を有する光学的液面センサ（１３）を用
いてＴＥＯＳ供給量の終点を監視した。
ｇ）の操作によりＴＥＯＳ注入口（１２）を介してＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）に充填した。次に、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）からＴＥＯＳ気化室
（４）へバルブ（２ｆ）の操作によりＴＥＯＳ供給口
（１１）を介してＴＥＯＳを充填した。このとき、ＴＥ
ＯＳ供給装置容器本体（１０）内に設置された光検出プ
ローブ（１４）を有する光学的液面センサ（１３）を用
いてＴＥＯＳ供給量の終点を監視した。
【００３９】ＴＥＯＳ気化室（４）に充填したＴＥＯＳ
を６５℃に、又、気化室（１７）のＴＥＢを１５℃に保
温してそれぞれ蒸気圧を一定にし、また、反応室（５）
内のＳｉウエハ基板（８）をヒータ（７）で４００℃に
加熱した。次に、キャリアガスとしてＮ2をＴＥＯＳ気
化室（４）へ３リットル／分で吹き込み、反応器（５）
内にＴＥＯＳを含むガスを導入した。また、キャリアガ
スとしてＮ2を気化室（１７）へ１．５リットル／分で
吹き込み、反応器（５）内にＴＥＢを含むガスを導入し
た。同時に、希釈用ガスとしてＮ2を１８リットル／分
で導入し、さらにＯ2ガスをオゾナイザ（３）に通し、
オゾン濃度をＯ2に対して５％に設定して導入すること
により、Ｓｉウエハ基板（８）上に１．２μｍのホウ素
ドープシリカ膜を得た。
を６５℃に、又、気化室（１７）のＴＥＢを１５℃に保
温してそれぞれ蒸気圧を一定にし、また、反応室（５）
内のＳｉウエハ基板（８）をヒータ（７）で４００℃に
加熱した。次に、キャリアガスとしてＮ2をＴＥＯＳ気
化室（４）へ３リットル／分で吹き込み、反応器（５）
内にＴＥＯＳを含むガスを導入した。また、キャリアガ
スとしてＮ2を気化室（１７）へ１．５リットル／分で
吹き込み、反応器（５）内にＴＥＢを含むガスを導入し
た。同時に、希釈用ガスとしてＮ2を１８リットル／分
で導入し、さらにＯ2ガスをオゾナイザ（３）に通し、
オゾン濃度をＯ2に対して５％に設定して導入すること
により、Ｓｉウエハ基板（８）上に１．２μｍのホウ素
ドープシリカ膜を得た。
【００４０】同様の操作を行なったときのＴＥＯＳ供給
装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度ＴＥＯＳ中
の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数を測定
することにより測定した。結果は１５．１（個／ミリリ
ットル）であった。また、得られたホウ素ドープシリカ
膜の絶縁性を調べるために誘電率を測定したところ、
４．３と、大容量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造に適
したものであり、これから製造された大容量半導体メモ
リは良好なものであった。
装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度ＴＥＯＳ中
の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数を測定
することにより測定した。結果は１５．１（個／ミリリ
ットル）であった。また、得られたホウ素ドープシリカ
膜の絶縁性を調べるために誘電率を測定したところ、
４．３と、大容量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造に適
したものであり、これから製造された大容量半導体メモ
リは良好なものであった。
【００４１】［比較例］実施例１と同様にして、但し、
ＴＥＯＳ供給装置として光学的液面センサの替わりに従
来使用されているフロート式液面センサを有するＴＥＯ
Ｓ供給装置を使用して１．０μｍのホウ素ドープシリカ
膜の形成を行なった。同様の操作を行なったときのＴＥ
ＯＳ供給装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度Ｔ
ＥＯＳ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル
数を測定することにより測定した。結果は９６２（個／
ミリリットル）であった。また、得られたホウ素ドープ
シリカ膜の絶縁性を調べるために誘電率を測定したとこ
ろ、５．５と、大容量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造
には実用性に欠けるものであり、これから製造された大
容量半導体メモリは不良品であった。
ＴＥＯＳ供給装置として光学的液面センサの替わりに従
来使用されているフロート式液面センサを有するＴＥＯ
Ｓ供給装置を使用して１．０μｍのホウ素ドープシリカ
膜の形成を行なった。同様の操作を行なったときのＴＥ
ＯＳ供給装置からＴＥＯＳ気化室に充填された高純度Ｔ
ＥＯＳ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル
数を測定することにより測定した。結果は９６２（個／
ミリリットル）であった。また、得られたホウ素ドープ
シリカ膜の絶縁性を調べるために誘電率を測定したとこ
ろ、５．５と、大容量（６４ＭＢ）半導体メモリの製造
には実用性に欠けるものであり、これから製造された大
容量半導体メモリは不良品であった。
【００４２】
【発明の効果】本発明のシリカ膜の形成方法において
は、光学的液面センサを備えてなるＴＥＯＳ供給装置を
用いることにより、不純物の極めて少ない高純度のＴＥ
ＯＳ原料を使用することができ、誘電率の極めて低い、
良好な絶縁性を有するシリカ膜を形成することができ
る。
は、光学的液面センサを備えてなるＴＥＯＳ供給装置を
用いることにより、不純物の極めて少ない高純度のＴＥ
ＯＳ原料を使用することができ、誘電率の極めて低い、
良好な絶縁性を有するシリカ膜を形成することができ
る。
【図１】本発明の実施例１に用いるＣＶＤ装置の模式的
構造図である。
構造図である。
【図２】実施例において使用したＴＥＯＳ供給装置の該
略図である。
略図である。
【図３】本発明のホウ素ドープシリカ膜の形成方法に使
用するＴＥＯＳ供給装置の光学的液面センサの光検出プ
ローブの構成を示す図である。
用するＴＥＯＳ供給装置の光学的液面センサの光検出プ
ローブの構成を示す図である。
【図４】光学的液面センサの光検出プローブの他の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図５】本発明の実施例２及び３に用いるＣＶＤ装置の
模式的構造図である。
模式的構造図である。
１ａ〜１ｄ：流量計 ２ａ〜２ｉ：バルブ ３ ：オゾナイザ ４ ：ＴＥＯＳ気化室 ５ ：反応器（チャンバ） ６ ：ディスパーションヘッド ７ ：ヒ−タ ８ ：Ｓｉウエハ基板 ９ ：排気口 １０ ：ＴＥＯＳ供給装置容器本体 １１ ：ＴＥＯＳ供給口 １２ ：ＴＥＯＳ注入口 １３ ：光学的液面センサ １４ ：光検出プローブ １５ ：投受光器 １６ ：検出回路 １７ ：気化室 １８ ：ＴＥＯＳ供給装置 １９ ：ボルト及びナット ２０ ：蓋部 ２６ ：投光用光ファイバー ２７ ：受光用光ファイバー ２８ ：直角プリズム ２９ ：保護チューブ ３０ ：円錐プリズム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月１５日（１９９９．１０．
１５）
１５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F014 AB02 AB03 FA02 4K030 AA06 AA14 AA20 BA26 BA44 CA04 CA12 EA01 JA06 KA39 LA02 5F045 AB32 AB36 AC08 AC09 AC11 AC15 AC19 AD08 BB15 BB19 CB05 DC63 DP03 EE03 EE04 EE05 5F058 BA09 BC02 BC04 BF02 BF25 BF29 BF32 BF33 BG02 BG10 BJ02
Claims (9)
- 【請求項１】 テトラエトキシシラン供給装置からテト
ラエトキシシランを気化室に充填する工程；キャリアガ
スを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・テトラ
エトキシシラン混合ガスを反応器に導入する工程；酸化
剤ガス供給装置から酸化剤ガスを反応器に導入する工
程；反応器内のシリカ膜被形成基体を所望温度に加熱し
てシリカ膜被形成基体上にシリカ膜を形成する工程；反
応器から排気ガスを排出する工程を有するシリカ膜の形
成方法において、テトラエトキシシラン供給装置が、テ
トラエトキシシランの液量監視手段として少なくとも１
つの光学的液面センサを備えてなることを特徴とするシ
リカ膜の形成方法。 - 【請求項２】 反応室に希釈用ガスを導入して原料ガス
濃度を調節する工程を更に有するものである、請求項１
に記載のシリカ膜の形成方法。 - 【請求項３】 シリカ膜が、リンドープシリカ膜であ
り、リン化合物ガス導入工程を更に有するものである、
請求項１または２記載のシリカ膜の形成方法。 - 【請求項４】 シリカ膜が、ホウ素ドープシリカ膜であ
り、ホウ素化合物ガス導入工程を更に有するものであ
る、請求項１または２記載のシリカ膜の形成方法。 - 【請求項５】 テトラエトキシシラン供給装置は、内部
表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及び
該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成され、該
容器本体部及び／または蓋部が、該容器本体部へテトラ
エトキシシランを注入するためのテトラエトキシシラン
注入口、該容器本体部からテトラエトキシシランを取り
出すためのテトラエトキシシラン供給口、及び少なくと
も１つの光学的液面センサを備えてなる構成のものであ
る、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のシリカ膜
の形成方法。 - 【請求項６】 光学的液面センサが、投光用光ファイバ
ー及び受光用光ファイバーを併設し、両光ファイバーの
先端部前方に投光用光ファイバーから出射された光を受
光用光ファイバーへ入射させるための複数の内反射面を
有するプリズム部を設置した光検出プローブを用いたも
のである、請求項５記載のシリカ膜の形成方法。 - 【請求項７】 光検出プローブにおける投光用光ファイ
バー及び受光用光ファイバーの先端部が、前方に向かっ
て互いに拡開している、請求項６記載のシリカ膜の形成
方法。 - 【請求項８】 内部電解研磨ステンレス容器が、内部洗
浄可能な程度に広口の蓋部を備えてなる、請求項５ない
し７のいずれか１項に記載のシリカ膜の形成方法。 - 【請求項９】 シリカ膜を構成要素とする電子部品の製
造における、シリカ膜の形成にあたり、請求項１ないし
８の何れか１項に記載のシリカ膜の形成方法を採用する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057099A JP2000208504A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057099A JP2000208504A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208504A true JP2000208504A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11753909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057099A Pending JP2000208504A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208504A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8020315B2 (en) * | 2006-09-07 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and program storage medium |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP1057099A patent/JP2000208504A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8020315B2 (en) * | 2006-09-07 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and program storage medium |
| US8266820B2 (en) | 2006-09-07 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, and program storage medium therefor |
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