JP2001049434A - ＴｉＮ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 - Google Patents
ＴｉＮ膜の形成方法及び電子部品の製造方法Info
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- JP2001049434A JP2001049434A JP11226477A JP22647799A JP2001049434A JP 2001049434 A JP2001049434 A JP 2001049434A JP 11226477 A JP11226477 A JP 11226477A JP 22647799 A JP22647799 A JP 22647799A JP 2001049434 A JP2001049434 A JP 2001049434A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、高純度で不純物の少な
いテトラキス（ジアルキルアミノ）チタン（ＴＤＡＡ
Ｔ）を供給することにより信頼性の高いバリア膜等を得
ることのできるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを用いた電
子部品の製造方法を提供したことにある。 【解決手段】 本発明のＴｉＮ膜の形成方法は、ＴＤ
ＡＡＴ供給装置からＴＤＡＡＴを気化室に充填する工
程；キャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリ
アガス・ＴＤＡＡＴ混合ガスを反応器に導入する工程；
（窒素化合物ガスを反応器に導入する工程；）反応器内
のＴｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱してＴｉＮ膜被
形成基体上にＴｉＮ膜を形成する工程；反応器から排気
ガスを排出する工程を有するＴｉＮ膜の形成方法におい
て、ＴＤＡＡＴ供給装置が、ＴＤＡＡＴの液量監視手段
として少なくとも１つの光学的液面センサを備えてなる
ことを特徴とする。
いテトラキス（ジアルキルアミノ）チタン（ＴＤＡＡ
Ｔ）を供給することにより信頼性の高いバリア膜等を得
ることのできるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを用いた電
子部品の製造方法を提供したことにある。 【解決手段】 本発明のＴｉＮ膜の形成方法は、ＴＤ
ＡＡＴ供給装置からＴＤＡＡＴを気化室に充填する工
程；キャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリ
アガス・ＴＤＡＡＴ混合ガスを反応器に導入する工程；
（窒素化合物ガスを反応器に導入する工程；）反応器内
のＴｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱してＴｉＮ膜被
形成基体上にＴｉＮ膜を形成する工程；反応器から排気
ガスを排出する工程を有するＴｉＮ膜の形成方法におい
て、ＴＤＡＡＴ供給装置が、ＴＤＡＡＴの液量監視手段
として少なくとも１つの光学的液面センサを備えてなる
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）法によるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを用いた電
子部品の製造方法に関するものである。
ＶＤ）法によるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを用いた電
子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品における半導体デバイス等にお
いては、配線工程における熱処理により接続孔底部にお
いて配線材料であるアルミニウム等の金属と基板のシリ
コンが反応し、接合が破壊される問題が生じる。この問
題を避けるため、アルミニウム等の金属と基板のシリコ
ンとの間に、ＴｉＮ（窒化チタン）膜をバリア層として
形成することが行われている。
いては、配線工程における熱処理により接続孔底部にお
いて配線材料であるアルミニウム等の金属と基板のシリ
コンが反応し、接合が破壊される問題が生じる。この問
題を避けるため、アルミニウム等の金属と基板のシリコ
ンとの間に、ＴｉＮ（窒化チタン）膜をバリア層として
形成することが行われている。
【０００３】従来、このようなＴｉＮのバリア層はスパ
ッタ法にて形成されていたが、半導体デバイスの高集積
化に伴いアスペクト比が大きくなった結果、スパッタ法
では段差被覆性に問題が生じることとなった。
ッタ法にて形成されていたが、半導体デバイスの高集積
化に伴いアスペクト比が大きくなった結果、スパッタ法
では段差被覆性に問題が生じることとなった。
【０００４】そのため、近年は段差被覆性に優れるＣＶ
Ｄ法によりＴｉＮ膜が形成されており、テトラキス（ジ
アルキルアミノ）チタン（ＴＤＡＡＴ）を原料として、
あるいは更に添加ガスとしてアンモニア等の窒素化合物
ガスを使用してＣＶＤ法が行われている。
Ｄ法によりＴｉＮ膜が形成されており、テトラキス（ジ
アルキルアミノ）チタン（ＴＤＡＡＴ）を原料として、
あるいは更に添加ガスとしてアンモニア等の窒素化合物
ガスを使用してＣＶＤ法が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体デバイ
スはさらに微細化とともに多層配線化が進んでいる状況
にあり、バリア層においてもより信頼性の高い膜が求め
られており、このためには、より高純度で不純物の少な
いＴＤＡＡＴの供給が求められている。
スはさらに微細化とともに多層配線化が進んでいる状況
にあり、バリア層においてもより信頼性の高い膜が求め
られており、このためには、より高純度で不純物の少な
いＴＤＡＡＴの供給が求められている。
【０００６】従って本発明の目的は、上記の問題点を解
決するべく、高純度で不純物の少ないＴＤＡＡＴを供給
することにより信頼性の高いバリア膜等を得ることので
きるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを用いた電子部品の製
造方法を提供することにある。
決するべく、高純度で不純物の少ないＴＤＡＡＴを供給
することにより信頼性の高いバリア膜等を得ることので
きるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを用いた電子部品の製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、ＴＤＡＡ
Ｔ供給装置からＴＤＡＡＴを気化室に充填する工程；キ
ャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス
・ＴＤＡＡＴ混合ガスを反応器に導入する工程；反応器
内のＴｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱しＴｉＮ膜被
形成基体上にＴｉＮ膜を形成する工程；反応器から排気
ガスを排出する工程を有するＴｉＮ膜の形成方法におい
て、ＴＤＡＡＴ供給装置が、ＴＤＡＡＴの液量監視手段
として少なくとも１つの光学的液面センサを備えてなる
ことを特徴とするＴｉＮ膜の形成方法にかかり、また、
更に窒素化合物ガスを反応器に導入する工程を有するＴ
ｉＮ膜の形成方法にかかる。
Ｔ供給装置からＴＤＡＡＴを気化室に充填する工程；キ
ャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス
・ＴＤＡＡＴ混合ガスを反応器に導入する工程；反応器
内のＴｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱しＴｉＮ膜被
形成基体上にＴｉＮ膜を形成する工程；反応器から排気
ガスを排出する工程を有するＴｉＮ膜の形成方法におい
て、ＴＤＡＡＴ供給装置が、ＴＤＡＡＴの液量監視手段
として少なくとも１つの光学的液面センサを備えてなる
ことを特徴とするＴｉＮ膜の形成方法にかかり、また、
更に窒素化合物ガスを反応器に導入する工程を有するＴ
ｉＮ膜の形成方法にかかる。
【０００８】更に、本発明はＴｉＮ膜を構成要素とする
電子部品の製造における、ＴｉＮ膜の形成にあたり、上
記ＴｉＮ膜の形成方法を採用することを特徴とする電子
部品の製造方法にかかる。
電子部品の製造における、ＴｉＮ膜の形成にあたり、上
記ＴｉＮ膜の形成方法を採用することを特徴とする電子
部品の製造方法にかかる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のＴｉＮ膜の形成方法は、
慣用のＣＶＤ装置を使用するものであるが、ＣＶＤ装置
へＴＤＡＡＴを供給するためのＴＤＡＡＴ供給装置とし
て、ＴＤＡＡＴの液量監視手段として少なくとも１つの
光学的液面センサを備えてなるものを使用するところに
特徴がある。更に詳細には、該ＴＤＡＡＴ供給装置は、
内部表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部
及び該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成さ
れ、該容器本体部及び／又は蓋部が、該容器本体部へＴ
ＤＡＡＴを注入するためのＴＤＡＡＴ注入口、該容器本
体部からＴＤＡＡＴを取り出すためのＴＤＡＡＴ供給
口、及び少なくとも１つの光学的液面センサを備えてな
る構成のものである。
慣用のＣＶＤ装置を使用するものであるが、ＣＶＤ装置
へＴＤＡＡＴを供給するためのＴＤＡＡＴ供給装置とし
て、ＴＤＡＡＴの液量監視手段として少なくとも１つの
光学的液面センサを備えてなるものを使用するところに
特徴がある。更に詳細には、該ＴＤＡＡＴ供給装置は、
内部表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部
及び該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成さ
れ、該容器本体部及び／又は蓋部が、該容器本体部へＴ
ＤＡＡＴを注入するためのＴＤＡＡＴ注入口、該容器本
体部からＴＤＡＡＴを取り出すためのＴＤＡＡＴ供給
口、及び少なくとも１つの光学的液面センサを備えてな
る構成のものである。
【００１０】まず、ＴＤＡＡＴ供給装置について詳述す
る。本発明に使用するＴＤＡＡＴ供給装置の特徴は、内
部表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及
び該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成される
ＴＤＡＡＴ供給装置の容器本体部内のＴＤＡＡＴの残量
を検出するために、光学的液面センサを使用していると
ころにある。
る。本発明に使用するＴＤＡＡＴ供給装置の特徴は、内
部表面が電解研磨されたステンレス鋼製の容器本体部及
び該容器本体部に接合可能な形状の蓋部から構成される
ＴＤＡＡＴ供給装置の容器本体部内のＴＤＡＡＴの残量
を検出するために、光学的液面センサを使用していると
ころにある。
【００１１】ＴＤＡＡＴ供給装置に使用可能な光学的液
面センサは、投光用光ファイバー及び受光用光ファイバ
ーを併設し、両光ファイバーの先端部前方に投光用光フ
ァイバーから出射された光を受光用光ファイバーへ入射
させるための複数の内反射面を有するプリズム部を設置
した光検出プローブを用いたものである。
面センサは、投光用光ファイバー及び受光用光ファイバ
ーを併設し、両光ファイバーの先端部前方に投光用光フ
ァイバーから出射された光を受光用光ファイバーへ入射
させるための複数の内反射面を有するプリズム部を設置
した光検出プローブを用いたものである。
【００１２】この光学的液面センサの光検出プローブを
図３に記載する。図３において、平行に設置されている
投光用光ファイバー（２０）及び受光用光ファイバー
（２１）の先端部には、内反射面を有する直角プリズム
（２２）が設置されている。また、投光用光ファイバー
（２０）及び受光用光ファイバー（２１）を保護するた
めの保護チューブ（２３）は、直角プリズム（２２）と
一体成形されており、フッ素樹脂等からなることができ
る。
図３に記載する。図３において、平行に設置されている
投光用光ファイバー（２０）及び受光用光ファイバー
（２１）の先端部には、内反射面を有する直角プリズム
（２２）が設置されている。また、投光用光ファイバー
（２０）及び受光用光ファイバー（２１）を保護するた
めの保護チューブ（２３）は、直角プリズム（２２）と
一体成形されており、フッ素樹脂等からなることができ
る。
【００１３】このような光検出プローブを備えてなる光
学的液面センサは、下記のように動作する。まず、光検
出プローブの直角プリズム（２２）がＴＤＡＡＴ中に浸
漬していない場合またはある一定レベルまでしか浸漬し
ていない場合には、投光用光ファイバー（２０）から出
射光は直角プリズム（２２）の内反射面で反射して受光
用光ファイバー（２１）に入射し、直角プリズム（２
２）を介して外部へ光が散乱しないような構成となって
おり、出射光と入射光の強さを測定した時に出射光と入
射光の強さの差は小さい。
学的液面センサは、下記のように動作する。まず、光検
出プローブの直角プリズム（２２）がＴＤＡＡＴ中に浸
漬していない場合またはある一定レベルまでしか浸漬し
ていない場合には、投光用光ファイバー（２０）から出
射光は直角プリズム（２２）の内反射面で反射して受光
用光ファイバー（２１）に入射し、直角プリズム（２
２）を介して外部へ光が散乱しないような構成となって
おり、出射光と入射光の強さを測定した時に出射光と入
射光の強さの差は小さい。
【００１４】これに対して、直角プリズム（２２）があ
る一定のレベル以上にＴＤＡＡＴ中に浸漬している場合
には、投光用光ファイバー（２０）からの出射光のほと
んどが直角プリズム（２２）の内反射面を透過し、従っ
て、直角プリズム（２２）の内反射面で反射して受光用
光ファイバー（２１）に入射する入射光はほとんどなく
なる。この場合、出射光は、直角プリズム（２２）を介
してＴＤＡＡＴ中を進行し、散乱する。従って、直角プ
リズム（２２）を介して入射する入射光は非常に弱く、
出射光と入射光の強さを検出した時に出射光と入射光の
強さの差が大きくなり、ＴＤＡＡＴの液面が直角プリズ
ム（２２）のある一定のレベル以上にあることを検出す
ることができる構成となっている。
る一定のレベル以上にＴＤＡＡＴ中に浸漬している場合
には、投光用光ファイバー（２０）からの出射光のほと
んどが直角プリズム（２２）の内反射面を透過し、従っ
て、直角プリズム（２２）の内反射面で反射して受光用
光ファイバー（２１）に入射する入射光はほとんどなく
なる。この場合、出射光は、直角プリズム（２２）を介
してＴＤＡＡＴ中を進行し、散乱する。従って、直角プ
リズム（２２）を介して入射する入射光は非常に弱く、
出射光と入射光の強さを検出した時に出射光と入射光の
強さの差が大きくなり、ＴＤＡＡＴの液面が直角プリズ
ム（２２）のある一定のレベル以上にあることを検出す
ることができる構成となっている。
【００１５】ところで、上記図３に示すような構成を有
する光検出プローブを有する光学的液面センサを容器本
体部の底部付近に設置した場合には、直角プリズム（２
２）を透過してＴＤＡＡＴ中を進行する出射光が容器本
体部の底部に反射して直角プリズム（２２）を介して入
射光となる場合がある。このような場合には、出射光と
入射光の強さの差が小さくなり、ＴＤＡＡＴの液面レベ
ルを検知し難くなることがある。このような場合には、
光検出プローブとして図４に示すような構成のものを使
用することにより、出射光と入射光の差を大きくするこ
とができる。即ち、図４に示すように、投光用光ファイ
バー（２０）及び受光用光ファイバー（２１）の先端部
が、前方に向かって互いに拡開している構成とすること
により、投光用光ファイバー（２０）の光出射軸及び受
光用光ファイバー（２１）の光入射軸に一定の角度を設
ける構成とする。このような構成を有する光検出プロー
ブは容器本体部の底部近くに設置した場合、円錐プリズ
ム（２４）を透過する出射光がたとえ底部表面に反射し
ても、円錐プリズム（２４）からの入射光として入射す
ることを防止することができ、従って、入射光の強さを
より弱くすることができ、よって、出射光と入射光の強
さを検出した時に出射光と入射光の強さの差をより大き
くすることができる。即ち、ＴＤＡＡＴの液面が円錐プ
リズム（２４）のある一定のレベル以上にあることをよ
り明確に判定することができる。
する光検出プローブを有する光学的液面センサを容器本
体部の底部付近に設置した場合には、直角プリズム（２
２）を透過してＴＤＡＡＴ中を進行する出射光が容器本
体部の底部に反射して直角プリズム（２２）を介して入
射光となる場合がある。このような場合には、出射光と
入射光の強さの差が小さくなり、ＴＤＡＡＴの液面レベ
ルを検知し難くなることがある。このような場合には、
光検出プローブとして図４に示すような構成のものを使
用することにより、出射光と入射光の差を大きくするこ
とができる。即ち、図４に示すように、投光用光ファイ
バー（２０）及び受光用光ファイバー（２１）の先端部
が、前方に向かって互いに拡開している構成とすること
により、投光用光ファイバー（２０）の光出射軸及び受
光用光ファイバー（２１）の光入射軸に一定の角度を設
ける構成とする。このような構成を有する光検出プロー
ブは容器本体部の底部近くに設置した場合、円錐プリズ
ム（２４）を透過する出射光がたとえ底部表面に反射し
ても、円錐プリズム（２４）からの入射光として入射す
ることを防止することができ、従って、入射光の強さを
より弱くすることができ、よって、出射光と入射光の強
さを検出した時に出射光と入射光の強さの差をより大き
くすることができる。即ち、ＴＤＡＡＴの液面が円錐プ
リズム（２４）のある一定のレベル以上にあることをよ
り明確に判定することができる。
【００１６】図３及び図４に示すような光検出プローブ
を備えてなる光学的液面センサは、先端部のプリズム部
と共に一体成形された保護チューブ（例えばフッ素樹脂
製）内に投光用光ファイバー（２０）及び受光用光ファ
イバー（２１）が収容された構成となっており、このよ
うな構成の光学的液面センサは構成部材間での機械的接
触がなく、よって、新たなパーティクルを発生すること
はない。従って、ＴＤＡＡＴ供給装置の容器本体部の少
なくとも１箇所に、上述のような構成を有する光学的液
面センサを設置してＴＤＡＡＴの残量を監視することに
より、ＴＤＡＡＴを汚染することなく、供給することが
できる。
を備えてなる光学的液面センサは、先端部のプリズム部
と共に一体成形された保護チューブ（例えばフッ素樹脂
製）内に投光用光ファイバー（２０）及び受光用光ファ
イバー（２１）が収容された構成となっており、このよ
うな構成の光学的液面センサは構成部材間での機械的接
触がなく、よって、新たなパーティクルを発生すること
はない。従って、ＴＤＡＡＴ供給装置の容器本体部の少
なくとも１箇所に、上述のような構成を有する光学的液
面センサを設置してＴＤＡＡＴの残量を監視することに
より、ＴＤＡＡＴを汚染することなく、供給することが
できる。
【００１７】また、光学的液面センサの光検出プローブ
部を容器本体部の底部付近の所定の位置に精度良く設置
するために、保護チューブ（２３）中に投光用光ファイ
バー（２０）及び受光用光ファイバー（２１）と共に支
持棒（例えば金属棒）を挿入して光学的液面センサの形
状を保持できるような構成とすることもできる。
部を容器本体部の底部付近の所定の位置に精度良く設置
するために、保護チューブ（２３）中に投光用光ファイ
バー（２０）及び受光用光ファイバー（２１）と共に支
持棒（例えば金属棒）を挿入して光学的液面センサの形
状を保持できるような構成とすることもできる。
【００１８】また、２個以上の光学的液面センサをそれ
らの光検出プローブが段差を有するように設置して、Ｔ
ＤＡＡＴ残量が下段の光検出プローブのＴＤＡＡＴ液面
検出位置となる前に、その上方に設けられたもう一方の
光検出プローブのＴＤＡＡＴ液面検出位置で予告警報等
を発する構成とすることもできる。
らの光検出プローブが段差を有するように設置して、Ｔ
ＤＡＡＴ残量が下段の光検出プローブのＴＤＡＡＴ液面
検出位置となる前に、その上方に設けられたもう一方の
光検出プローブのＴＤＡＡＴ液面検出位置で予告警報等
を発する構成とすることもできる。
【００１９】上記のような構成を有するＴＤＡＡＴ供給
装置を用いることにより、本発明のＴｉＮ膜の形成方法
においては、不純物の極めて少ない高純度のＴＤＡＡＴ
原料を使用することができる。また、ＴＤＡＡＴ供給装
置のＴＤＡＡＴ残量を精度良く管理することができるた
め、ＴＤＡＡＴ供給装置のＴＤＡＡＴを効率的に使用で
きると共に、ＴＤＡＡＴ供給装置のＴＤＡＡＴ残量が少
なくなった時に、次のＴＤＡＡＴ供給装置への取り替え
作業等を極めて円滑に行うことができる。
装置を用いることにより、本発明のＴｉＮ膜の形成方法
においては、不純物の極めて少ない高純度のＴＤＡＡＴ
原料を使用することができる。また、ＴＤＡＡＴ供給装
置のＴＤＡＡＴ残量を精度良く管理することができるた
め、ＴＤＡＡＴ供給装置のＴＤＡＡＴを効率的に使用で
きると共に、ＴＤＡＡＴ供給装置のＴＤＡＡＴ残量が少
なくなった時に、次のＴＤＡＡＴ供給装置への取り替え
作業等を極めて円滑に行うことができる。
【００２０】本発明のＴｉＮ膜の形成方法において、Ｔ
ＤＡＡＴは、上記ＴＤＡＡＴ供給装置からＴＤＡＡＴ気
化室に充填される。ＴＤＡＡＴ気化室に充填されたＴＤ
ＡＡＴは一定の蒸気圧を確保するために一定温度に保温
される。ＴＤＡＡＴは、好ましくは４０℃〜７０℃、よ
り好ましくは５０℃〜６０℃とするのが良い。
ＤＡＡＴは、上記ＴＤＡＡＴ供給装置からＴＤＡＡＴ気
化室に充填される。ＴＤＡＡＴ気化室に充填されたＴＤ
ＡＡＴは一定の蒸気圧を確保するために一定温度に保温
される。ＴＤＡＡＴは、好ましくは４０℃〜７０℃、よ
り好ましくは５０℃〜６０℃とするのが良い。
【００２１】本発明に使用するＴＤＡＡＴは、好ましく
はアルキル基として同一でも異なっていても良い炭素原
子数１〜３のアルキル基、より好ましくはメチル基、エ
チル基を有するものであることが良く、具体的には、例
えばテトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡ
Ｔ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（ＴＤＥＡ
Ｔ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥ
ＭＡＴ）等を好ましく使用することができる。
はアルキル基として同一でも異なっていても良い炭素原
子数１〜３のアルキル基、より好ましくはメチル基、エ
チル基を有するものであることが良く、具体的には、例
えばテトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡ
Ｔ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（ＴＤＥＡ
Ｔ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥ
ＭＡＴ）等を好ましく使用することができる。
【００２２】ここで、ＴＤＡＡＴ気化室にキャリアガス
（例えばＮ2、Ａｒなどの不活性ガス）を導入すること
によりキャリアガス・ＴＤＡＡＴ混合ガスを発生させ、
更に、これを反応器に導入するものである。ＴＤＡＡＴ
の温度を調整することによりキャリアガス・ＴＤＡＡＴ
混合ガス中のＴＤＡＡＴ濃度を制御することができる。
（例えばＮ2、Ａｒなどの不活性ガス）を導入すること
によりキャリアガス・ＴＤＡＡＴ混合ガスを発生させ、
更に、これを反応器に導入するものである。ＴＤＡＡＴ
の温度を調整することによりキャリアガス・ＴＤＡＡＴ
混合ガス中のＴＤＡＡＴ濃度を制御することができる。
【００２３】本発明のＴｉＮ膜の形成方法においては、
上記ＴＤＡＡＴ含有ガスの反応器への導入と平行して窒
素化合物ガスを反応器に導入することもできる。窒素化
合物ガスとしてはアンモニア（ＮＨ3）等を使用するこ
とができる。
上記ＴＤＡＡＴ含有ガスの反応器への導入と平行して窒
素化合物ガスを反応器に導入することもできる。窒素化
合物ガスとしてはアンモニア（ＮＨ3）等を使用するこ
とができる。
【００２４】反応室内に上記ガスを導入した状態で、Ｔ
ｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱することにより、基
体上にＴｉＮ膜が形成（堆積）される。このときの基体
温度は、好ましくは３５０℃〜７００℃、より好ましく
は４００℃〜６００℃であることが良い。尚、膜成長時
間（ＴｉＮ堆積時間）の増減により、任意に膜厚を制御
することができる。
ｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱することにより、基
体上にＴｉＮ膜が形成（堆積）される。このときの基体
温度は、好ましくは３５０℃〜７００℃、より好ましく
は４００℃〜６００℃であることが良い。尚、膜成長時
間（ＴｉＮ堆積時間）の増減により、任意に膜厚を制御
することができる。
【００２５】
【実施例】次に実施例を示し、本発明のＴｉＮ膜の形成
方法を具体的に説明する。
方法を具体的に説明する。
【００２６】〔実施例１〕図１は、本発明のＴｉＮ膜の
形成方法に用いるＣＶＤ装置の模式的構造図である。図
１において、ＴｉＮ膜を形成するための反応器（チャン
バ）（５）は、ディスパージョンヘッド（６）、ヒータ
（７）、ＴｉＮ膜被形成基体としてのＳｉウェハ基板
（８）から構成されている。
形成方法に用いるＣＶＤ装置の模式的構造図である。図
１において、ＴｉＮ膜を形成するための反応器（チャン
バ）（５）は、ディスパージョンヘッド（６）、ヒータ
（７）、ＴｉＮ膜被形成基体としてのＳｉウェハ基板
（８）から構成されている。
【００２７】また、反応器内（５）内の雰囲気を排気す
るための排気口（９）が設置されている。また、キャリ
アガスは、流量計（１ｂ）、バルブ（２ｂ）を介してＴ
ＤＡＡＴ気化室（４）に供給できる構成となっている。
尚、ＴＤＡＡＴ気化室（４）にはＴＤＡＡＴ供給装置
（１７）からのＴＤＡＡＴが供給される構成となってい
る。
るための排気口（９）が設置されている。また、キャリ
アガスは、流量計（１ｂ）、バルブ（２ｂ）を介してＴ
ＤＡＡＴ気化室（４）に供給できる構成となっている。
尚、ＴＤＡＡＴ気化室（４）にはＴＤＡＡＴ供給装置
（１７）からのＴＤＡＡＴが供給される構成となってい
る。
【００２８】次に、図１に示されるＴＤＡＡＴ供給装置
（１７）を図２により詳述する。図２に示されるＴＤＡ
ＡＴ供給装置（１７）は、内部表面が電解研磨されたス
テンレス鋼製のＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）及
び該ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）に接合可能な
形状の蓋部（１９）から構成されている。ここで、ＴＤ
ＡＡＴ供給装置容器本体（１０）と蓋部（１９）は例え
ばフランジ部をボルト及びナット（１８）のような接合
手段により気密状態に接合されている。
（１７）を図２により詳述する。図２に示されるＴＤＡ
ＡＴ供給装置（１７）は、内部表面が電解研磨されたス
テンレス鋼製のＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）及
び該ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）に接合可能な
形状の蓋部（１９）から構成されている。ここで、ＴＤ
ＡＡＴ供給装置容器本体（１０）と蓋部（１９）は例え
ばフランジ部をボルト及びナット（１８）のような接合
手段により気密状態に接合されている。
【００２９】また、蓋部（１９）には、ＴＤＡＡＴ供給
装置容器本体（１０）へＴＤＡＡＴを注入するためのＴ
ＤＡＡＴ注入口（１２）、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体
（１０）からＴＤＡＡＴを取り出すためのＴＤＡＡＴ供
給口（１１）、及び光学的液面センサ（１３）が備えら
れている。なお、ＴＤＡＡＴ注入口（１２）には、ＴＤ
ＡＡＴの注入を制御するためのバルブ（２ｅ）が、ＴＤ
ＡＡＴ供給口（１１）には、ＴＤＡＡＴの供給を制御す
るためのバルブ（２ｄ）がそれぞれ設置されている。ま
た、光学的液面センサ（１３）の先端部の光検出プロー
ブ（１４）は、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）の
底部周辺の所定の位置に設置されている。また、光学的
液面センサ（１３）には、投受光器（１５）及び検出回
路（１６）が接続されており、検出回路（１６）から出
力された信号によりＴＤＡＡＴの残量の検出及び残量が
所定量以下となった時にＴＤＡＡＴの供給停止や、ＣＶ
Ｄ装置の運転を停止するような様々な制御を行うことが
できる構成となっている。
装置容器本体（１０）へＴＤＡＡＴを注入するためのＴ
ＤＡＡＴ注入口（１２）、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体
（１０）からＴＤＡＡＴを取り出すためのＴＤＡＡＴ供
給口（１１）、及び光学的液面センサ（１３）が備えら
れている。なお、ＴＤＡＡＴ注入口（１２）には、ＴＤ
ＡＡＴの注入を制御するためのバルブ（２ｅ）が、ＴＤ
ＡＡＴ供給口（１１）には、ＴＤＡＡＴの供給を制御す
るためのバルブ（２ｄ）がそれぞれ設置されている。ま
た、光学的液面センサ（１３）の先端部の光検出プロー
ブ（１４）は、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）の
底部周辺の所定の位置に設置されている。また、光学的
液面センサ（１３）には、投受光器（１５）及び検出回
路（１６）が接続されており、検出回路（１６）から出
力された信号によりＴＤＡＡＴの残量の検出及び残量が
所定量以下となった時にＴＤＡＡＴの供給停止や、ＣＶ
Ｄ装置の運転を停止するような様々な制御を行うことが
できる構成となっている。
【００３０】まず、原料のＴＤＡＡＴとして高純度ＴＤ
ＭＡＴをバルブ（２ｅ）の操作によりＴＤＡＡＴ注入口
（１２）を介してＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）
に充填した。次に、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１
０）からＴＤＡＡＴ気化室（４）へバルブ（２ｄ）の操
作によりＴＤＡＡＴ供給口（１１）を介してＴＤＭＡＴ
を充填した。このとき、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体
（１０）内に設置された光検出プローブ（１４）を有す
る光学的液面センサ（１３）を用いてＴＤＭＡＴ供給量
の終点を監視した。
ＭＡＴをバルブ（２ｅ）の操作によりＴＤＡＡＴ注入口
（１２）を介してＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）
に充填した。次に、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１
０）からＴＤＡＡＴ気化室（４）へバルブ（２ｄ）の操
作によりＴＤＡＡＴ供給口（１１）を介してＴＤＭＡＴ
を充填した。このとき、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体
（１０）内に設置された光検出プローブ（１４）を有す
る光学的液面センサ（１３）を用いてＴＤＭＡＴ供給量
の終点を監視した。
【００３１】ＴＤＡＡＴ気化室（４）に充填したＴＤＭ
ＡＴを５５℃に保温して蒸気圧を一定にし、また、反応
器（５）内のＳｉウェハ基板（８）をヒータ（７）で５
００℃に加熱した。
ＡＴを５５℃に保温して蒸気圧を一定にし、また、反応
器（５）内のＳｉウェハ基板（８）をヒータ（７）で５
００℃に加熱した。
【００３２】次にキャリアガスとしてＡｒをＴＤＡＡＴ
気化室（４）へ５０ミリリットル／分で吹き込み、反応
器（５）内にＴＤＭＡＴを含むガスを導入した。反応器
（５）からの排ガスを１トールの減圧で排気口（９）か
ら除去し、１０分間の反応で、Ｓｉウェハ（８）上に、
厚さ約３０ｎｍのＴｉＮ膜を形成した。
気化室（４）へ５０ミリリットル／分で吹き込み、反応
器（５）内にＴＤＭＡＴを含むガスを導入した。反応器
（５）からの排ガスを１トールの減圧で排気口（９）か
ら除去し、１０分間の反応で、Ｓｉウェハ（８）上に、
厚さ約３０ｎｍのＴｉＮ膜を形成した。
【００３３】同様の操作を行ったときのＴＤＡＡＴ供給
装置（１７）からＴＤＡＡＴ気化室（４）に充填された
高純度ＴＤＭＡＴ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパ
ーティクル数を測定することにより測定した。結果は１
４．９（個／ミリリットル）であった。また、得られた
ＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配線の半導体装
置のバリア層として優れたものであり、これにより製造
されたＬＳＩは良好なものであった。
装置（１７）からＴＤＡＡＴ気化室（４）に充填された
高純度ＴＤＭＡＴ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパ
ーティクル数を測定することにより測定した。結果は１
４．９（個／ミリリットル）であった。また、得られた
ＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配線の半導体装
置のバリア層として優れたものであり、これにより製造
されたＬＳＩは良好なものであった。
【００３４】〔実施例２〕図５は、本実施例に用いたＣ
ＶＤ装置の模式的構造図である。即ち、図１に示すＣＶ
Ｄ装置に、窒素化合物ガスとしてのＮＨ3ガスを反応器
（５）へ導入するための手段を設けたものである。ＮＨ
3ガスは流量計（１ａ）、バルブ（２ａ）を介して反応
器（５）へ導入される構成となっている。
ＶＤ装置の模式的構造図である。即ち、図１に示すＣＶ
Ｄ装置に、窒素化合物ガスとしてのＮＨ3ガスを反応器
（５）へ導入するための手段を設けたものである。ＮＨ
3ガスは流量計（１ａ）、バルブ（２ａ）を介して反応
器（５）へ導入される構成となっている。
【００３５】まず、原料のＴＤＡＡＴとして高純度ＴＤ
ＭＡＴをバルブ（２ｅ）の操作によりＴＤＡＡＴ注入口
（１２）を介してＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）
に充填した。次に、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１
０）からＴＤＡＡＴ気化室（４）へバルブ（２ｄ）の操
作によりＴＤＡＡＴ供給口（１１）を介してＴＤＭＡＴ
を充填した。このとき、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体
（１０）内に設置された光検出プローブ（１４）を有す
る光学的液面センサ（１３）を用いてＴＤＡＡＴ供給量
の終点を監視した。
ＭＡＴをバルブ（２ｅ）の操作によりＴＤＡＡＴ注入口
（１２）を介してＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１０）
に充填した。次に、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体（１
０）からＴＤＡＡＴ気化室（４）へバルブ（２ｄ）の操
作によりＴＤＡＡＴ供給口（１１）を介してＴＤＭＡＴ
を充填した。このとき、ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体
（１０）内に設置された光検出プローブ（１４）を有す
る光学的液面センサ（１３）を用いてＴＤＡＡＴ供給量
の終点を監視した。
【００３６】ＴＤＡＡＴ気化室（４）に充填したＴＤＭ
ＡＴを５５℃に保温して蒸気圧を一定にし、また、反応
器（５）内のＳｉウェハ基板（８）をヒータ（７）で５
００℃に加熱した。
ＡＴを５５℃に保温して蒸気圧を一定にし、また、反応
器（５）内のＳｉウェハ基板（８）をヒータ（７）で５
００℃に加熱した。
【００３７】次にキャリアガスとしてＡｒをＴＤＡＡＴ
気化室（４）へ５０ミリリットル／分で吹き込み、反応
器（５）内にＴＤＭＡＴを含むガスを導入した。更に、
窒素化合物ガスとしてアンモニアを反応器（５）内に５
ミリリットル／分で吹き込み、反応器（５）からの排ガ
スを１トールの減圧で排気口（９）から除去し、１０分
間の反応で、Ｓｉウェハ（８）上に、厚さ約３０ｎｍの
ＴｉＮ膜を形成した。
気化室（４）へ５０ミリリットル／分で吹き込み、反応
器（５）内にＴＤＭＡＴを含むガスを導入した。更に、
窒素化合物ガスとしてアンモニアを反応器（５）内に５
ミリリットル／分で吹き込み、反応器（５）からの排ガ
スを１トールの減圧で排気口（９）から除去し、１０分
間の反応で、Ｓｉウェハ（８）上に、厚さ約３０ｎｍの
ＴｉＮ膜を形成した。
【００３８】同様の操作を行ったときのＴＤＡＡＴ供給
装置（１７）からＴＤＡＡＴ気化室（４）に充填された
高純度ＴＤＭＡＴ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパ
ーティクル数を測定することにより測定した。結果は１
４．７（個／ミリリットル）であった。また、得られた
ＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配線の半導体装
置のバリア層として優れたものであり、これにより製造
されたＬＳＩは良好なものであった。
装置（１７）からＴＤＡＡＴ気化室（４）に充填された
高純度ＴＤＭＡＴ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパ
ーティクル数を測定することにより測定した。結果は１
４．７（個／ミリリットル）であった。また、得られた
ＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配線の半導体装
置のバリア層として優れたものであり、これにより製造
されたＬＳＩは良好なものであった。
【００３９】〔実施例３〕ＴＤＡＡＴとして高純度ＴＤ
ＥＡＴを使用したほかは実施例１と同様に実施した。不
純物量は１４．２（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
ＥＡＴを使用したほかは実施例１と同様に実施した。不
純物量は１４．２（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
【００４０】〔実施例４〕ＴＤＡＡＴとして高純度ＴＤ
ＥＡＴを使用したほかは実施例２と同様に実施した。不
純物量は１４．８（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
ＥＡＴを使用したほかは実施例２と同様に実施した。不
純物量は１４．８（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
【００４１】〔実施例５〕ＴＤＡＡＴとして高純度ＴＥ
ＭＡＴを使用したほかは実施例１と同様に実施した。不
純物量は１４．５（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
ＭＡＴを使用したほかは実施例１と同様に実施した。不
純物量は１４．５（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
【００４２】〔実施例６〕ＴＤＡＡＴとして高純度ＴＥ
ＭＡＴを使用したほかは実施例２と同様に実施した。不
純物量は１５．０（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
ＭＡＴを使用したほかは実施例２と同様に実施した。不
純物量は１５．０（個／ミリリットル）であった。ま
た、得られたＴｉＮ膜は不純物が少なく均質で、微細配
線の半導体装置のバリア層として優れたものであり、こ
れにより製造されたＬＳＩは良好なものであった。
【００４３】〔比較例１〕実施例１と同様にして、但
し、ＴＤＡＡＴ供給装置として光学的液面センサの替わ
りに従来使用されているフロート式液面センサを有する
ＴＤＡＡＴ供給装置を使用して厚さ約３０ｎｍのＴｉＮ
膜の形成を行なった。
し、ＴＤＡＡＴ供給装置として光学的液面センサの替わ
りに従来使用されているフロート式液面センサを有する
ＴＤＡＡＴ供給装置を使用して厚さ約３０ｎｍのＴｉＮ
膜の形成を行なった。
【００４４】同様の操作を行なったときのＴＤＡＡＴ供
給装置からＴＤＡＡＴ気化室に充填された高純度ＴＤＭ
ＡＴ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数
を測定することにより測定した。結果は９８２（個／ミ
リリットル）であった。また、得られたＴｉＮ膜は不純
物のため微細配線の半導体装置のバリア層には適さない
ものであり、これにより製造されたＬＳＩは不良品であ
った。
給装置からＴＤＡＡＴ気化室に充填された高純度ＴＤＭ
ＡＴ中の不純物量を、０．２μｍ以上のパーティクル数
を測定することにより測定した。結果は９８２（個／ミ
リリットル）であった。また、得られたＴｉＮ膜は不純
物のため微細配線の半導体装置のバリア層には適さない
ものであり、これにより製造されたＬＳＩは不良品であ
った。
【００４５】
【発明の効果】本発明の効果は、高純度で不純物の少な
いＴＤＡＡＴを供給することにより信頼性の高いバリア
膜等を得ることのできるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを
用いた電子部品の製造方法を提供したことにある。
いＴＤＡＡＴを供給することにより信頼性の高いバリア
膜等を得ることのできるＴｉＮ膜の形成方法及びこれを
用いた電子部品の製造方法を提供したことにある。
【図１】本発明の実施例１に用いるＣＶＤ装置の模式的
構造図である。
構造図である。
【図２】実施例において使用したＴＤＡＡＴ供給装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】本発明のＴｉＮ膜の形成方法に使用するＴＤＡ
ＡＴ供給装置の光学的液面センサの光検出プローブの構
成を示す図である。
ＡＴ供給装置の光学的液面センサの光検出プローブの構
成を示す図である。
【図４】光学的液面センサの光検出プローブの他の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図５】本発明の実施例２に用いるＣＶＤ装置の模式的
構造図である。
構造図である。
１ａ〜１ｂ：流量計 ２ａ〜２ｅ：バルブ ４ ：ＴＤＡＡＴ気化室 ５ ：反応器（チャンバ） ６ ：ディスパージョンヘッド ７ ：ヒータ ８ ：ＴｉＮ膜被形成基体（シリコンウエハ） ９ ：排気口 １０ ：ＴＤＡＡＴ供給装置容器本体 １１ ：ＴＤＡＡＴ供給口 １２ ：ＴＤＡＡＴ注入口 １３ ：光学的液面センサ １４ ：光検出プローブ １５ ：投受光器 １６ ：検出回路 １７ ：ＴＤＡＡＴ供給装置 １８ ：ボルト及びナット １９ ：蓋部 ２０ ：投光用光ファイバー ２１ ：受光用光ファイバー ２２ ：直角プリズム ２３ ：保護チューブ ２４ ：円錐プリズム
Claims (8)
- 【請求項１】 テトラキス（ジアルキルアミノ）チタン
供給装置からテトラキス（ジアルキルアミノ）チタンを
気化室に充填する工程；キャリアガスを気化室に導入
し、気化室からキャリアガス・テトラキス（ジアルキル
アミノ）チタン混合ガスを反応器に導入する工程；反応
器内のＴｉＮ膜被形成基体を所望温度に加熱しＴｉＮ膜
被形成基体上にＴｉＮ膜を形成する工程；反応器から排
気ガスを排出する工程を有するＴｉＮ膜の形成方法にお
いて、テトラキス（ジアルキルアミノ）チタン供給装置
が、テトラキス（ジアルキルアミノ）チタンの液量監視
手段として少なくとも１つの光学的液面センサを備えて
なることを特徴とするＴｉＮ膜の形成方法。 - 【請求項２】 テトラキス（ジアルキルアミノ）チタン
供給装置からテトラキス（ジアルキルアミノ）チタンを
気化室に充填する工程；キャリアガスを気化室に導入
し、気化室からキャリアガス・テトラキス（ジアルキル
アミノ）チタン混合ガスを反応器に導入する工程；窒素
化合物ガスを反応器に導入する工程；反応器内のＴｉＮ
膜被形成基体を所望温度に加熱しＴｉＮ膜被形成基体上
にＴｉＮ膜を形成する工程；反応器から排気ガスを排出
する工程を有するＴｉＮ膜の形成方法において、テトラ
キス（ジアルキルアミノ）チタン供給装置が、テトラキ
ス（ジアルキルアミノ）チタンの液量監視手段として少
なくとも１つの光学的液面センサを備えてなることを特
徴とするＴｉＮ膜の形成方法。 - 【請求項３】 テトラキス（ジアルキルアミノ）チタン
が、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン，テトラキス
（ジエチルアミノ）チタン，テトラキス（エチルメチル
アミノ）チタンよりなる群より選ばれる1種または２種
以上のものである請求項１または請求項２に記載のＴｉ
Ｎ膜の形成方法。 - 【請求項４】 テトラキス（ジアルキルアミノ）チタン
供給装置は、内部表面が電解研磨されたステンレス鋼製
の容器本体部及び該容器本体部に接合可能な形状の蓋部
から構成され、該容器本体部及び／または蓋部が、該容
器本体部へテトラキス（ジアルキルアミノ）チタンを注
入するためのテトラキス（ジアルキルアミノ）チタン注
入口、該容器本体部からテトラキス（ジアルキルアミ
ノ）チタンを取り出すためのテトラキス（ジアルキルア
ミノ）チタン供給口、及び少なくとも１つの光学的液面
センサを備えてなる構成のものである、請求項１〜３の
何れか１項に記載のＴｉＮ膜の形成方法。 - 【請求項５】 光学的液面センサが、投光用光ファイバ
ー及び受光用光ファイバーを併設し、両光ファイバーの
先端部前方に投光用光ファイバーから出射された光を受
光用光ファイバーへ入射させるための複数の内反射面を
有するプリズム部を設置した光検出プローブを用いたも
のである、請求項４記載のＴｉＮ膜の形成方法。 - 【請求項６】 光検出プローブにおける投光用光ファイ
バー及び受光用光ファイバーの先端部が、前方に向かっ
て互いに拡開している、請求項５記載のＴｉＮ膜の形成
方法。 - 【請求項７】 内部電解研磨ステンレス容器が、内部洗
浄可能な程度に広口の蓋部を備えてなる、請求項４〜６
の何れか１項に記載のＴｉＮ膜の形成方法。 - 【請求項８】 ＴｉＮ膜を構成要素とする電子部品の製
造における、ＴｉＮ膜の形成にあたり、請求項１〜７の
何れか１項に記載のＴｉＮ膜の形成方法を採用すること
を特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226477A JP2001049434A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | ＴｉＮ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226477A JP2001049434A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | ＴｉＮ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001049434A true JP2001049434A (ja) | 2001-02-20 |
Family
ID=16845724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11226477A Pending JP2001049434A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | ＴｉＮ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001049434A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1999
- 1999-08-10 JP JP11226477A patent/JP2001049434A/ja active Pending
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