[go: up one dir, main page]

RU2190879C2 - Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте - Google Patents

Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте Download PDF

Info

Publication number
RU2190879C2
RU2190879C2 RU99104770/09A RU99104770A RU2190879C2 RU 2190879 C2 RU2190879 C2 RU 2190879C2 RU 99104770/09 A RU99104770/09 A RU 99104770/09A RU 99104770 A RU99104770 A RU 99104770A RU 2190879 C2 RU2190879 C2 RU 2190879C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chip
semiconductor
contact pads
card
microns
Prior art date
Application number
RU99104770/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99104770A (ru
Inventor
Михель Хубер
Петер Штампка
Детлеф Удо
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU99104770A publication Critical patent/RU99104770A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2190879C2 publication Critical patent/RU2190879C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/0772—Physical layout of the record carrier
    • G06K19/07728—Physical layout of the record carrier the record carrier comprising means for protection against impact or bending, e.g. protective shells or stress-absorbing layers around the integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

Изобретение относится к карте со встроенным кристаллом ИС, с телом карты и множеством изготовленных из электрически проводящего материала контактных площадок, которые электрически соединены с контактными выводами, которые приданы в соответствие электронной схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС. Контактные площадки изготовлены в форме структурированного покрытия на обращенной к электронной схеме поверхности полупроводникового кристалла ИС, причем изготовленный вместе с контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС вставлен и закреплен в приемном отверстии тела карты так, что контактные площадки проходят в основном заподлицо с внешней поверхностью тела карты. Для обеспечения достаточно высокой механической гибкости толщина кремниевой подложки составляет предпочтительно меньше порядка 100 мкм. Технический результат - предложенное безмодульное изготовление карты со встроенным кристаллом ИС позволяет упростить конструкцию и одновременно обеспечить устойчивость к изгибным нагрузкам. 2 с. и 8 з.п.ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к карте со встроенным кристаллом ИС согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения и к полупроводниковому кристаллу ИС, в частности, для применения в карте со встроенным кристаллом ИС согласно ограничительной части пункта 5 формулы изобретения.
Подобные карты со встроенным кристаллом ИС, а также полупроводниковые кристаллы ИС для применения в карте со встроенным кристаллом ИС известны, например, из книги "Справочник по картам со встроенными кристаллами ИС", Вольфганг Ранкль, Вольфганг Эффинг, издательство Карл Ханзер, Мюнхен, Вена, 1995. Согласно этому справочнику при изготовлении карт со встроенными кристаллами ИС вначале изготавливают так называемые модули кристалла ИС, представляющие собой промежуточные изделия, которые производятся как технологически законченные единицы и могут независимо перерабатываться дальше в конечные изделия. Под модулем кристалла ИС при этом понимается устройство, в котором на или в электрически изолирующем носителе расположена одна или несколько интегральных полупроводниковых схем в виде кристаллов ИС или интегральных схем, которые соединены через соединительные выводы с системой токопроводящих дорожек, предусмотренной на одной стороне или на обеих сторонах носителя, причем носитель представляет собой, как правило, гибкую пленку, на которой монтируется собственно кристалл ИС и на которой находятся в большинстве случаев позолоченные контактные площадки карты со встроенным кристаллом ИС.
При изготовлении такого модуля ИС в основном применяются две различные техники упаковки полупроводникового кристалла ИС на гибком ленточном носителе: а именно так называемая АСНЛ (автоматизированная сборка ИС на гибком ленточном носителе в виде пленки), а также техника присоединения проволочных выводов. В технике АСНЛ вначале на выводные площадки (Pads) кристалла ИС гальванически наносят металлические столбиковые выводы (Bumps), на которые затем припаивают токопроводящие дорожки гибкого ленточного носителя в виде пленки. Это паяное соединение выдерживает такую механическую нагрузку, что сам кристалл ИС больше не должен закрепляться, а только висит на токопроводящих дорожках. Преимущество способа АСНЛ лежит в способности выводов кристалла ИС выдерживать высокую механическую нагрузку и в малой конструктивной высоте модуля. Это преимущество должно, однако, покупаться более высокой ценой по сравнению с модулем с присоединением проволочных выводов.
В этом способе в качестве материала носителя опять-таки предусмотрена пластмассовая пленка, на передней стороне которой гальванически нанесены снабженные золотым покрытием контактные площадки. Для приема кристаллов ИС и проволочных соединений в ленточном носителе в виде пленки выштамповывают дырки. Кристалл ИС закрепляют затем в предусмотренной выштамповке с обратной стороны на токопроводящей дорожке (монтаж кристаллов ИС). Затем выводы кристаллов ИС соединяют тонкими проволочками (несколько микрон) с обратной стороной контактов. В заключение кристалл ИС и проволочные выводы защищают заливочной массой от воздействий окружающей среды. Преимущество этого способа лежит в том, что он приближается в значительной степени к обычному в полупроводниковой промышленности способу упаковки кристаллов ИС в стандартные корпуса и поэтому является более экономичным. Недостаток его заключается в том, что как конструктивная высота, так также длина и ширина модуля являются значительно большими, чем в модуле АСНЛ, поскольку не только кристалл ИС, но также и проволочные выводы должны защищаться заливочной массой. За счет этого, однако, увеличиваются проблемы при встраивании модулей кристаллов ИС в карты.
ЕР 0207852 А1 показывает модуль, который выполнен подобно модулю АСНЛ (модуль, смонтированный на гибком ленточном носителе в виде пленки). Полупроводниковый кристалл ИС там также содержит паяные столбиковые выводы, которые соединены с токопроводящими дорожками на гибком ленточном носителе в виде пленки. Во всяком случае токопроводящие дорожки там печатают посредством пуансона по типу способа глубокой вытяжки через выемки в гибком ленточном носителе, чтобы затем их можно было соединить с паяными столбиковыми выводами. Этот способ является, однако, очень сложным. Кроме того, паяные столбиковые выводы должны быть очень точно позиционированы, чтобы гарантировать чистое соединение с токопроводящими дорожками.
Из готового смонтированного пленочного носителя в виде пленки затем выштамповывают отдельные модули кристаллов ИС и встраивают в карту. В этом методе не имеет места непосредственное крепление полупроводникового кристалла ИС в карте, что имеет преимуществом, что силы изгиба, которые возникают при механической нагрузке карты, в значительной степени не доходят до полупроводникового кристалла ИС. Для всех до сих пор известных техник конструирования модулей или, соответственно, технологий корпусирования в секторе карт со встроенным кристаллом ИС является общей цель защитить интегральную схему от механической нагрузки вследствие изгибов или скручивания, которая вследствие хрупкости материала интегральной схемы может приводить к ее разрушению. Стандартная толщина интегральных схем или, соответственно, кристаллов ИС, применяемых в картах, составляет в настоящее время порядка 200 мкм. Модуль упругости кремния при этом имеет порядок величины 190•103 Н/мм2, поведение материала кремниевого кристалла таким образом является чрезвычайно хрупким. Защита корпусом чувствительного полупроводникового кристалла ИС вследствие необходимых при этом затрат на монтаж и материалы является интенсивной с точки зрения расходов и вследствие подлежащих выполнению только после изготовления интегральной схемы производственных и монтажных операций требует больших затрат времени.
В основе настоящего изобретения лежит задача предоставления в распоряжение более простого по сравнению с до сих пор известными модулями кристаллов ИС устройства с полупроводниковой интегральной схемой, которое является пригодным для применения в карте со встроенным кристаллом ИС и, в частности, удовлетворяет заданным для карт со встроенным кристаллом ИС изгибным нагрузкам.
Эта задача решается за счет карты со встроенным кристаллом ИС согласно п. 1 формулы изобретения и за счет полупроводникового кристалла ИС, в частности, для применения в карте со встроенным кристаллом ИС согласно пункту 5 формулы изобретения.
Согласно изобретению предусмотрено, что контактные площадки изготовлены в виде структурированного покрытия на обращенной к электронной схеме главной поверхности полупроводникового кристалла ИС и изготовленный вместе с контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС вставлен и закреплен в приемном отверстии тела карты таким образом, что контактные площадки в основном проходят заподлицо с внешней поверхностью тела карты.
В основе изобретения при этом прежде всего замысел полностью отойти от изготавливаемого до сих пор всегда в виде промежуточного изделия модуля кристалла ИС и предложить безмодульное изготовление карты со встроенным кристаллом ИС, в которой полупроводниковый кристалл ИС непосредственно снабжен необходимыми контактными площадками, и имплантировать изготовленный вместе с контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС непосредственно, то есть без каких-либо несущих или защитных пленок или тому подобных мер, защищающих полупроводниковый кристалл ИС от механической нагрузки, в тело карты. Относительно внешних размеров контактные площадки, предпочтительно изготовленные согласно существующим стандартам Международной организации по стандартизации ИСО, таким образом, полностью опираются полупроводниковой подложкой кристалла ИС или, соответственно, интегральной схемы; подложка обладает для этого в соответствии с исходящими из стандартов ИСО контактными площадками необходимой основной площадью, которая является значительно большей по сравнению с применяемыми до сих пор полупроводниковыми кристаллами ИС.
Этот недостаток, однако, более чем компенсируется следующими преимуществами, которые предлагает соответствующее изобретению решение. Во-первых, открывается возможность вместо требующего до сих пор больших затрат и времени монтажа изготавливать контактные площадки непосредственно после изготовления электронных схем, на ранней стадии изготовления, еще в матричной ИС неразделенных друг от друга полупроводниковых кристаллов ИС, предпочтительно способами нанесения покрытий, обычно применяемыми для осаждения и структурирования металлических слоев в технологии полупроводников. После распиливания или, соответственно, механического разделения отдельных полупроводниковых кристаллов ИС с соответствующим растром снабженный контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС соединяют с телом карты посредством подходящих техник соединения, предпочтительно прочно закрепляют посредством клеящего или адгезионного материала внутри приемного отверстия тела карты. Для этого в принципе являются пригодными все известные в настоящее время техники имплатации, то есть, например, техника монтажа "горячим оплавлением", монтаж посредством цианакрилатного клея, монтаж посредством чувствительной к давлению клеящей пленки или другая физическая техника соединения.
Предпочтительно для выполнения приемного отверстия в готовых телах карт фрезеруют отверстие, в которое затем вклеивают снабженный контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС. Изобретение, однако, является также применимым в картах, изготовленных способом ламинирования, при котором карты изготавливают посредством ламинирования различных пленок, защитных пленок и вводимых пленок, причем перед ламинированием в пленках выштамповывают подходящие отверстия и затем устанавливают полупроводниковый кристалл ИС и прочно сваривают полупроводниковый кристалл ИС с телом карты. Кроме того, соответствующее изобретению решение является пригодным для тел карт, которые изготавливают способом литья под давлением. Для этого все тело карты, включая гнездо для полупроводникового кристалла ИС, изготавливают в виде литой под давлением детали и вклеивают в нее полупроводниковый кристалл ИС.
Боковые размеры приемного отверстия тела карты, принимающего примерно с посадкой полупроводниковый кристалл ИС, определены требующейся функциональностью интегральной схемы или, соответственно, полупроводникового кристалла ИС и желательными или, соответственно, требуемыми согласно стандарту ИСО размерами контактных площадок. Особенно предпочтительная форма выполнения изобретения базируется на полупроводниковом материале кремнии, в частности кристаллическом кремнии. Кроме того, по причинам стоимости можно использовать другой экономичный полупроводниковый материал, который изготавливается идеальным образом с диаметром полупроводниковых пластин больше шести дюймов (примерно 150,6 мм).
В особенно предпочтительной форме выполнения изобретения предусмотрено, что толщина предпочтительно выполненной из кремния полупроводниковой подложки значительно меньше 200 мкм, предпочтительно порядка 150 мкм или меньше, в частности, предпочтительно порядка 100 мкм или меньше. Идеальным образом общая толщина кремниевой подложки составляет порядка 50-100 мкм. По сравнению с этим стандартная толщина имплантируемых до сих пор в карты полупроводниковых кристаллов ИС составляет в настоящее время порядка 200 мкм. При этом модуль упругости кремния имеет порядок величины 190•103 Н/мм2, поведение материала кремниевого кристалла таким образом является чрезвычайно хрупким. С уменьшением толщины кристалла ИС, однако, гибкость кремниевого кристалла ИС относительно изгиба увеличивается. Этот эффект еще более усиливается за счет способа утоньшения с обратной стороны после шлифования кремниевой полупроводниковой пластины, например, травлением повреждений. Вызванные шлифованием обратной стороны атомные дефекты полупроводникового кристалла ИС (дислокации и тому подобное), которые при изгибных нагрузках при известных обстоятельствах резко усиливают вероятность разрушения кристалла, практически исключаются за счет последующего травления обратной стороны кристалла ИС на примерно 4-7 мкм.
В другой предпочтительной форме выполнения изобретения может быть предусмотрено, что на несущей электронную схему главной поверхности полупроводниковой подложки нанесен тонкий изолирующий слой, на котором осаждены контактные площадки в виде структурированного покрытия. При этом общая толщина электрически проводящего покрытия для контактных площадок предпочтительно составляет порядка 30-50 мкм.
Таким образом, предпочтительная конструкция снабженного контактными площадками полупроводникового кристалла ИС для применения в карте со встроенным кристаллом ИС отличается тем, что непосредственно на полупроводниковой подложке со структурированной поверхностью с компонентами для электронной схемы и металлизацией контактных выводов нанесен тонкий слой из материала с диэлектрическими свойствами, в котором выпущены площадки контактных выводов. По выбору можно также наносить стойкий промежуточный слой. Выше диэлектрика наносят электрически проводящий слой, контактные площадки которого соединены с площадками контактных выводов и которые электрически изолированы относительно друг друга в простейшем случае воздушными промежутками. Контактные площадки при этом удовлетворяют соответствующему стандарту ИСО (инструкция ИСО 7810-2). По выбору электрически проводящий слой, однослойный или многослойный, может состоять из благородного металла, например золота, AuCo, NiP/Au, твердого никеля/золота или других подходящих материалов, причем внешний слой может выбираться со стороны материала в смысле хороших трибологических свойств и улучшенной коррозионной стойкости, например тонкий, примерно толщиной 2 мкм электрически проводящий карбоновый лак с хорошими механическими прочностными свойствами.
Дальнейшие признаки, преимущества и целесообразные формы выполнения изобретения следуют из описания примера выполнения с помощью чертежей, на которых показано:
Фигура 1 - схематический вид в сечении карты со встроенным кристаллом ИС, с телом карты и с закрепленным в приемном отверстии тела карты, снабженным контактными площадками полупроводниковым кристаллом ИС согласно примеру выполнения изобретения и
Фигура 2 - зависимость напряжения изгиба от радиуса изгиба основного кремниевого материала при некоторых выбранных толщинах кремниевого материала.
Выполненное не в масштабе схематичное представление согласно Фигуре 1 показывает вырез карты со встроенным кристаллом ИС с телом карты 1 с обычно употребляемыми размерами 85 мм•54 мм•1 мм и изготовленным фрезерованием приемным отверстием 2, в котором снабженный контактными площадками 3 полупроводниковый кристалл ИС 4 посредством клея 5 прочно закреплен таким образом, что внешние поверхности 6 контактных площадок 3 в основном проходят заподлицо с внешней поверхностью 7 тела карты 1.
Полупроводниковый кристалл ИС 4 содержит кремниевую подложку толщиной 40 мкм, на которой посредством операций обычно употребляемой технологии полупроводников изготовлены необходимые для выполнения электронной схемы компоненты или, соответственно, структуры, причем эти компоненты имеют конструктивную высоту порядка 10 мкм. Обычно компоненты или, соответственно, структуры для выполнения электронной схемы покрыты защитным слоем Si3N4 толщиной порядка 3 мкм. На Фигуре 1 названные структуры и слой Si3N4 для простоты схематично представлены только в виде одного слоя и снабжены ссылочной позицией 8. После выполнения металлизации для изготовления контактных выводов 11 (Pads) осаждают тонкий изолирующий слой 9 из диэлектрического материала толщиной 20 мкм, в котором оставлены пропуски в местах контактных выводов 11. На выполненной таким образом поверхности осаждено тонкое металлическое покрытие 12, которое структурируют известным из технологии полупроводников способом литографии для изготовления взаимно электрически изолированных контактных площадок 3. Таким образом, каждая контактная площадка 3 электрически соединена с соответствующим контактным выводом 11 электронной схемы.
Фигура 2 показывает зависимость напряжения изгиба σB от радиуса изгиба rв при некоторых выбранных толщинах кремниевого основного материала. Можно видеть, что при толщинах подложки полупроводникового кристалла ИС меньше, чем 100 мкм, кристалл ИС уже является настолько гибким относительно изгиба и скручивания, что он может выдерживать механические требования ИСО без дополнительной защиты корпусом. Исследования изобретателей показали, что также при таких малых толщинах кристалла ИС можно изготавливать интегральные схемы с достаточным выходом годных изделий.
В заключение можно сказать, что с помощью решения, соответствующего изобретению, удалось создать простую в изготовлении безмодульную интегральную схему для применения в обычно употребляемой карте со встроенным кристаллом ИС, причем не требуются никакие сложные операции процесса в так называемой конечной стадии изготовления; одновременно можно сэкономить связанные, как правило, с большими расходами разработки особых корпусов или, соответственно, средств упаковки для желаемого применения, и при этом имеет место высокая экономичность при значительном снижении необходимых затрат на логистику на стороне изготовителя карт с встроенными кристаллами ИС.

Claims (10)

1. Карта со встроенным кристаллом ИС, с телом карты и множеством выполненных из электрически проводящего материала контактных площадок, которые электрически соединены с контактными выводами, которые приданы в соответствие электронной схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС, отличающаяся тем, что контактные площадки изготовлены в виде структурированного покрытия на обращенной к электронной схеме поверхности полупроводникового кристалла ИС так, что контактные площадки полностью опираются на полупроводниковую подложку полупроводникового кристалла ИС, а изготовленный вместе с контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС вставлен в приемное отверстие тела карты и закреплен так, что контактные площадки проходят в основном заподлицо с внешней поверхностью тела карты.
2. Карта со встроенным кристаллом ИС по п.1, отличающаяся тем, что несущий на своей поверхности контактные площадки кристалл ИС прочно закреплен посредством клеящего или адгезионного материала внутри приемного отверстия тела карты.
3. Карта со встроенным кристаллом ИС по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина состоящей предпочтительно из кремния полупроводниковой подложки для повышения гибкости значительно меньше 200 мкм, предпочтительно порядка 150 мкм или меньше, в частности предпочтительно порядка 100 мкм или меньше.
4. Карта со встроенным кристаллом ИС по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что на несущую электронную схему поверхность полупроводниковой подложки нанесен тонкий изолирующий слой, на котором осаждены контактные площадки в форме структурированного покрытия.
5. Полупроводниковый кристалл ИС с контактными выводами, которые приданы в соответствие электронной схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС, отличающийся тем, что электрически соединенные с контактными выводами контактные площадки изготовлены в форме структурированного покрытия на обращенной к электронной схеме поверхности полупроводникового кристалла ИС так, что контактные площадки полностью опираются на полупроводниковую подложку полупроводникового кристалла ИС.
6. Полупроводниковый кристалл ИС по п.5, отличающийся тем, что на несущую электронную схему поверхность полупроводниковой подложки нанесен тонкий изолирующий слой, на котором осаждены контактные площадки в форме структурированного покрытия.
7. Полупроводниковый кристалл ИС по п.5 или 6, отличающийся тем, что толщина предпочтительно состоящей из кремния полупроводниковой подложки для повышения гибкости составляет значительно меньше 200 мкм, предпочтительно порядка 150 мкм или меньше, в частности предпочтительно порядка 100 мкм или меньше.
8. Полупроводниковый кристалл ИС по п.7, отличающийся тем, что толщина предпочтительно состоящей из кремния полупроводниковой подложки составляет порядка 50-100 мкм.
9. Полупроводниковый кристалл ИС по любому из пп.5-8, отличающийся тем, что общая толщина электрически проводящего покрытия для контактных площадок составляет порядка 30-50 мкм.
10. Полупроводниковый кристалл ИС по любому из пп.5-9, отличающийся тем, что электрически проводящее покрытие для контактных площадок состоит из множества электрически проводящих слоев.
RU99104770/09A 1996-08-08 1997-07-14 Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте RU2190879C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19632113A DE19632113C1 (de) 1996-08-08 1996-08-08 Chipkarte, Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte und Halbleiterchip zur Verwendung in einer Chipkarte
DE19632113.1 1996-08-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99104770A RU99104770A (ru) 2001-01-27
RU2190879C2 true RU2190879C2 (ru) 2002-10-10

Family

ID=7802185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99104770/09A RU2190879C2 (ru) 1996-08-08 1997-07-14 Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6188580B1 (ru)
EP (1) EP0978093B1 (ru)
JP (1) JP2000516361A (ru)
KR (1) KR20000029830A (ru)
CN (1) CN1146983C (ru)
AT (1) ATE207227T1 (ru)
BR (1) BR9711030A (ru)
DE (2) DE19632113C1 (ru)
ES (1) ES2166094T3 (ru)
RU (1) RU2190879C2 (ru)
UA (1) UA58516C2 (ru)
WO (1) WO1998007113A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2336565C2 (ru) * 2003-05-26 2008-10-20 Аск С.А. Способ изготовления бесконтактного билета, содержащего микросхему
RU2575641C2 (ru) * 2014-07-10 2016-02-20 Акционерное общество "Федеральный научно-исследовательский центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" (АО "ФНПЦ "ННИИРТ") Способ изготовления радиоэлектронных узлов

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19845665C2 (de) * 1998-10-05 2000-08-17 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten
JP3339838B2 (ja) * 1999-06-07 2002-10-28 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
FR2796760B1 (fr) * 1999-07-23 2002-02-01 Gemplus Card Int Etiquette electronique et procede pour sa fabrication
DE19955537B4 (de) * 1999-11-18 2006-04-13 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes für einen IC-Baustein
ATE263398T1 (de) 1999-12-02 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul mit anisotrop leitfähiger trägerfolie
ES2348860T3 (es) * 2000-05-05 2010-12-16 Infineon Technologies Ag olloooo.
KR100757486B1 (ko) * 2001-12-24 2007-09-11 치앤 유안 챈 칩카드의 제조방법
KR100757487B1 (ko) * 2001-12-24 2007-09-11 치앤 유안 챈 다매체카드의 제조방법
DE102005058101B4 (de) * 2005-12-05 2019-04-25 Smartrac Ip B.V. Chipkarte und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
US8358155B2 (en) * 2008-01-29 2013-01-22 Oracle America, Inc. Circuit that facilitates proximity communication
TWM362572U (en) * 2009-04-13 2009-08-01 Phytrex Technology Corp Signal convertor
KR102010909B1 (ko) * 2012-08-30 2019-08-14 삼성전자주식회사 패키지 기판, 이를 구비하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조방법
FR2996944B1 (fr) * 2012-10-15 2018-05-04 Smart Packaging Solutions Sps Module electronique simplifie pour carte a puce a double interface de communication
US11481596B2 (en) * 2013-01-18 2022-10-25 Amatech Group Limited Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture
USD758372S1 (en) 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
USD729808S1 (en) 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
USD759022S1 (en) 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
CN203894790U (zh) * 2013-04-11 2014-10-22 德昌电机(深圳)有限公司 智能卡、身份识别卡、银行卡及智能卡触板
US9195929B2 (en) * 2013-08-05 2015-11-24 A-Men Technology Corporation Chip card assembling structure and method thereof
TW201545614A (zh) * 2014-05-02 2015-12-01 R&D Circuits Inc 製備殼體以接收用於嵌入式元件印刷電路板之元件的結構和方法
USD780763S1 (en) 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface
CN105470207A (zh) * 2015-12-24 2016-04-06 华天科技（西安）有限公司 基于高平整度基板的指纹识别芯片封装结构及其制造方法
US11618191B2 (en) 2016-07-27 2023-04-04 Composecure, Llc DI metal transaction devices and processes for the manufacture thereof
US10762412B2 (en) 2018-01-30 2020-09-01 Composecure, Llc DI capacitive embedded metal card
JP7247086B2 (ja) 2016-07-27 2023-03-28 コンポセキュア，リミティド ライアビリティ カンパニー 取引カードのためのオーバーモールド加工電子部品及びその製造方法
US10977540B2 (en) 2016-07-27 2021-04-13 Composecure, Llc RFID device
FI3679523T3 (fi) 2017-09-07 2023-05-05 Composecure Llc Maksukortti upotetuilla elektroniikkakomponenteilla ja menetelmä sen valmistamiseksi
US11151437B2 (en) 2017-09-07 2021-10-19 Composecure, Llc Metal, ceramic, or ceramic-coated transaction card with window or window pattern and optional backlighting
ES2993542T3 (en) 2017-10-18 2025-01-02 Composecure Llc Metal, ceramic, or ceramic-coated transaction card with window or window pattern and backlighting
US10438895B1 (en) 2018-06-08 2019-10-08 American Semiconductor, Inc. Flexible micro-module
USD983261S1 (en) 2019-12-20 2023-04-11 Capital One Services, Llc Vented laminated card

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011225C1 (ru) * 1990-12-25 1994-04-15 Губин Юрий Васильевич Абонентская карточка

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2584236B1 (fr) * 1985-06-26 1988-04-29 Bull Sa Procede de montage d'un circuit integre sur un support, dispositif en resultant et son application a une carte a microcircuits electroniques
FR2625067A1 (fr) 1987-12-22 1989-06-23 Sgs Thomson Microelectronics Procede pour fixer sur un support un composant electronique et ses contacts
US5208450A (en) * 1988-04-20 1993-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. IC card and a method for the manufacture of the same
EP0339763A3 (en) * 1988-04-28 1990-04-25 Citizen Watch Co. Ltd. Ic card
DE4034225C2 (de) * 1990-10-26 1994-01-27 Reinhard Jurisch Datenträger für Identifikationssysteme
FR2695234B1 (fr) * 1992-08-26 1994-11-04 Gemplus Card Int Procédé de marquage d'une carte à puce.
DE4416697A1 (de) * 1994-05-11 1995-11-16 Giesecke & Devrient Gmbh Datenträger mit integriertem Schaltkreis
DE4443767A1 (de) * 1994-12-08 1996-06-13 Giesecke & Devrient Gmbh Elektronisches Modul und Datenträger mit elektrischem Modul
FR2734983B1 (fr) * 1995-05-29 1997-07-04 Sgs Thomson Microelectronics Utilisation d'un micromodule comme boitier de montage en surface et procede correspondant
JPH09327990A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Toshiba Corp カード型記憶装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011225C1 (ru) * 1990-12-25 1994-04-15 Губин Юрий Васильевич Абонентская карточка

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2336565C2 (ru) * 2003-05-26 2008-10-20 Аск С.А. Способ изготовления бесконтактного билета, содержащего микросхему
RU2575641C2 (ru) * 2014-07-10 2016-02-20 Акционерное общество "Федеральный научно-исследовательский центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" (АО "ФНПЦ "ННИИРТ") Способ изготовления радиоэлектронных узлов

Also Published As

Publication number Publication date
ATE207227T1 (de) 2001-11-15
JP2000516361A (ja) 2000-12-05
UA58516C2 (ru) 2003-08-15
EP0978093A1 (de) 2000-02-09
DE19632113C1 (de) 1998-02-19
DE59705013D1 (de) 2001-11-22
CN1227648A (zh) 1999-09-01
WO1998007113A1 (de) 1998-02-19
EP0978093B1 (de) 2001-10-17
CN1146983C (zh) 2004-04-21
US6188580B1 (en) 2001-02-13
KR20000029830A (ko) 2000-05-25
BR9711030A (pt) 1999-08-17
ES2166094T3 (es) 2002-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2190879C2 (ru) Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте
US6358772B2 (en) Semiconductor package having semiconductor element mounting structure of semiconductor package mounted on circuit board and method of assembling semiconductor package
US5281855A (en) Integrated circuit device including means for facilitating connection of antenna lead wires to an integrated circuit die
US8669664B2 (en) Stacked die package for MEMS resonator system
KR101433777B1 (ko) 적층형 미소전자 패키지와 그 제조방법, 상기 패키지를 포함하는 조립체, 및 적층형 미소전자 조립체
US7074696B1 (en) Semiconductor circuit module and method for fabricating semiconductor circuit modules
EP0725434A3 (en) Microchip module assemblies
EP1045443A3 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20030073327A1 (en) Smart card containing a carrier body for receiving at least one system component having a plurality of electrical components and uniting electrical functions for operating the smart card
JP2003078106A (ja) チップ積層型パッケージ素子及びその製造方法
RU2216042C2 (ru) Несущий элемент для полупроводникового кристалла, предназначенный для встраивания в карточку с интегральными схемами
JP2002373969A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TW200828523A (en) Multi-component package with both top and bottom side connection pads for three-dimensional packaging
US5965867A (en) Data medium incorporating integrated circuits
CN108622847A (zh) Mems传感器的封装方法及封装结构
EP0803901A3 (en) Method of mounting a plurality of semiconductor devices in corresponding supporters
WO2009147547A1 (en) Electronic device and method of manufacturing an electronic device
USRE36356E (en) Electronic component support for memory card and product obtained thereby
US20120038065A1 (en) Method for Producing an Electrical Circuit and Electrical Circuit
US20020110955A1 (en) Electronic device including at least one chip fixed to a support and a method for manufacturing such a device
JP2001177005A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20080105988A1 (en) Electrical component having external contacting
US6509628B2 (en) IC chip
US7198965B2 (en) Method for making a neo-layer comprising embedded discrete components
JP2002536733A (ja) 集積回路デバイス、当該デバイスを用いたスマートカード用の電子ユニット及び当該デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20070715