[go: up one dir, main page]

RU2018122239A - Способ осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений с применением в качестве них алкилиндиевых соединений в виде их растворов в углеводородах - Google Patents

Способ осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений с применением в качестве них алкилиндиевых соединений в виде их растворов в углеводородах Download PDF

Info

Publication number
RU2018122239A
RU2018122239A RU2018122239A RU2018122239A RU2018122239A RU 2018122239 A RU2018122239 A RU 2018122239A RU 2018122239 A RU2018122239 A RU 2018122239A RU 2018122239 A RU2018122239 A RU 2018122239A RU 2018122239 A RU2018122239 A RU 2018122239A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
indium
gas
compounds
preceding paragraphs
carbon atoms
Prior art date
Application number
RU2018122239A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2717452C2 (ru
RU2018122239A3 (ru
Inventor
Йёрг КОХ
Оливер БРИЛЬ
Original Assignee
Умикоре Аг Унд Ко. Кг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Умикоре Аг Унд Ко. Кг filed Critical Умикоре Аг Унд Ко. Кг
Publication of RU2018122239A publication Critical patent/RU2018122239A/ru
Publication of RU2018122239A3 publication Critical patent/RU2018122239A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2717452C2 publication Critical patent/RU2717452C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (16)

1. Способ получения индийсодержащего слоя методом осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений, при этом индийсодержащий слой формируют на подложке в реакционной камере (4), а индий подают в процесс в виде индийсодержащего соединения-предшественника формулы InR3, где остатки R независимо друг от друга выбраны из алкильных остатков с 1-6 атомами углерода, отличающийся тем, что индийсодержащее соединение-предшественник подают в растворе, содержащем растворитель и растворенное в нем индийсодержащее соединение-предшественник, при этом растворитель содержит по меньшей мере один углеводород с 1-8 атомами углерода.
2. Способ по п. 1, где метод осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений представляет собой метод газофазной эпитаксии путем разложения металлоорганических соединений.
3. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где соединение-предшественник представляет собой триметилиндий.
4. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где растворитель содержит по меньшей мере один алкан и/или по меньшей мере одно ароматическое соединение.
5. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где растворитель состоит из углеводородов с 5-8 атомами углерода, предпочтительно представляет собой пентан, гексан, гептан, октан, толуол, бензол, ксилол или их смесь.
6. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где на долю соединения-предшественника в растворе приходится от 5 до 60 мас. %.
7. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, при осуществлении которого раствор перед его подачей в реакционную камеру (4) переводят в газовую фазу с помощью испарителя (2) прямого действия.
8. Способ по п. 7, при осуществлении которого температура в испарителе (2) прямого действия составляет от 0 до 100°С, предпочтительно от 10 до 50°С, и/или давление в нем составляет от 50 до 1200 мбар.
9. Способ по меньшей мере по п. 7 или 8, при осуществлении которого газовую фазу перед ее поступлением в реакционную камеру (4) смешивают с газом-носителем.
10. Способ по п. 9, где испаритель (2) прямого действия имеет смесительную камеру (2), в которой газовую фазу смешивают с газом-носителем.
11. Способ по меньшей мере по одному из пп. 7-10, где испаритель (2) прямого действия имеет регулятор (5) расхода жидкости, регулятор (12) расхода газа, смесительную камеру (2) и смесительный клапан.
12. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, при осуществлении которого в реакционную камеру (4) вводят еще по меньшей мере одно реакционноспособное вещество.
13. Применение раствора, состоящего из
(а) соединения формулы InR3, где остатки R независимо друг от друга выбраны из алкильных остатков с 1-6 атомами углерода, в количестве от 5 до 60 мас. % и
(б) по меньшей мере одного углеводорода с 1-8 атомами углерода в количестве от 40 до 95 мас. %,
для получения индийсодержащего слоя методом осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений.
RU2018122239A 2015-11-25 2016-11-24 Способ осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений с применением в качестве них алкилиндиевых соединений в виде их растворов в углеводородах RU2717452C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15196340.2A EP3173507A1 (de) 2015-11-25 2015-11-25 Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen
EP15196340.2 2015-11-25
PCT/EP2016/078705 WO2017089477A1 (de) 2015-11-25 2016-11-24 Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018122239A true RU2018122239A (ru) 2019-12-26
RU2018122239A3 RU2018122239A3 (ru) 2020-01-30
RU2717452C2 RU2717452C2 (ru) 2020-03-23

Family

ID=54705093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018122239A RU2717452C2 (ru) 2015-11-25 2016-11-24 Способ осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений с применением в качестве них алкилиндиевых соединений в виде их растворов в углеводородах

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20180355478A1 (ru)
EP (2) EP3173507A1 (ru)
JP (2) JP7197357B2 (ru)
KR (1) KR102721931B1 (ru)
CN (1) CN108291301B (ru)
DE (1) DE112016005399A5 (ru)
RU (1) RU2717452C2 (ru)
TW (1) TWI810148B (ru)
WO (1) WO2017089477A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3847294A4 (en) * 2018-09-03 2022-06-01 Applied Materials, Inc. DIRECT LIQUID INJECTION SYSTEM FOR THIN FILM DEPOSITION
CN110983300B (zh) * 2019-12-04 2023-06-20 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜设备及其应用
CN113502460B (zh) * 2021-09-09 2021-12-03 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备
KR102652975B1 (ko) 2022-06-28 2024-04-03 한국화학연구원 신규한 유기 인듐 화합물 및 이를 이용한 박막의 제조방법
KR102548031B1 (ko) 2022-11-16 2023-06-28 한국화학연구원 신규한 유기 인듐 화합물 및 이를 이용한 박막의 제조방법

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA668724A (en) * 1963-08-13 Engelbrecht Friedrich Hyperpurification of metallic elements
US4720560A (en) * 1984-10-25 1988-01-19 Morton Thiokol, Inc. Hybrid organometallic compounds, particularly for metal organic chemical vapor deposition
JP3485918B2 (ja) * 1991-12-26 2004-01-13 アトフィナ・ケミカルズ・インコーポレイテッド ガラス基体の被覆法
US5300320A (en) * 1992-06-23 1994-04-05 President And Fellows Of Harvard College Chemical vapor deposition from single organometallic precursors
US5502227A (en) * 1993-07-27 1996-03-26 Cvd, Incorporated Liquid indium source
US5924012A (en) * 1996-10-02 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Methods, complexes, and system for forming metal-containing films
JP2001015437A (ja) 1999-06-29 2001-01-19 Nec Corp Ｉｉｉ族窒化物結晶成長法
US6984591B1 (en) * 2000-04-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Precursor source mixtures
DE60301152T8 (de) * 2002-01-17 2006-04-27 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Organoindiumverbindungen zur Verwendung in der chemischen Dampfphasenabscheidung
JP3839758B2 (ja) * 2002-08-23 2006-11-01 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
TW200625431A (en) * 2004-08-16 2006-07-16 Aviza Tech Inc Direct liquid injection system and method for forming multi-component dielectric films
US20060228903A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Mcswiney Michael L Precursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films
JP2006290889A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属含有化合物精製
WO2007062242A2 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Msp Corporation High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition
FI121341B (fi) * 2006-02-02 2010-10-15 Beneq Oy Hopean suojapinnoitus
CA2649520A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Silica Tech, Llc Plasma deposition apparatus and method for making solar cells
US20070254100A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Applied Materials, Inc. MOCVD reactor without metalorganic-source temperature control
JP5407191B2 (ja) * 2008-06-20 2014-02-05 宇部興産株式会社 トリアルキルインジウムの処理方法及び当該処理によって得られたインジウム汚泥を回収する方法
US8471049B2 (en) * 2008-12-10 2013-06-25 Air Product And Chemicals, Inc. Precursors for depositing group 4 metal-containing films
JP2011054935A (ja) * 2009-06-19 2011-03-17 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ドーピング方法
JP5083285B2 (ja) * 2009-08-24 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び記憶媒体
JP2011196956A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 分析方法
DE102011012515A1 (de) * 2011-02-25 2012-08-30 Umicore Ag & Co. Kg Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden
EP2540733A1 (en) 2011-06-30 2013-01-02 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Deposition of indium containing thin films using new indium precursors
US10016785B2 (en) * 2011-09-13 2018-07-10 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Oxide film deposition method and oxide film deposition device
CN103999245A (zh) 2011-12-14 2014-08-20 首尔伟傲世有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法
WO2013126323A1 (en) * 2012-02-23 2013-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for precursor delivery
DE102013225632A1 (de) 2013-12-11 2015-06-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Schicht

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017089477A1 (de) 2017-06-01
CN108291301A (zh) 2018-07-17
TWI810148B (zh) 2023-08-01
KR20180085764A (ko) 2018-07-27
KR102721931B1 (ko) 2024-10-24
EP3173507A1 (de) 2017-05-31
RU2717452C2 (ru) 2020-03-23
EP3380646B1 (de) 2020-07-08
JP2018538443A (ja) 2018-12-27
JP7197357B2 (ja) 2022-12-27
EP3380646A1 (de) 2018-10-03
CN108291301B (zh) 2021-12-28
DE112016005399A5 (de) 2018-08-09
JP2022188165A (ja) 2022-12-20
RU2018122239A3 (ru) 2020-01-30
TW201734253A (zh) 2017-10-01
US20180355478A1 (en) 2018-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018122239A (ru) Способ осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений с применением в качестве них алкилиндиевых соединений в виде их растворов в углеводородах
CA2845017C (en) Hydrogenation and dehydrogenation catalyst, and methods of making and using the same
ES3037196T3 (en) Olefin oligomerisation process with a catalyst comprising a chromium complex with a phosphacycle-containing ligand
CA2637118C (en) Method of preparing organometallic compounds
WO2019158995A3 (en) A method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
JP2013245131A (ja) アンモニアの回収方法及びそれを用いたアンモニアの再利用方法
US20130066128A1 (en) Novel nickel-based catalytic composition and method of oligomerization of olefins using said composition
JP6165160B2 (ja) トリアルキルガリウム化合物の調製方法
JP6937799B2 (ja) ジアミノシラン化合物
JP2011162542A (ja) 有機金属化合物を製造する方法
EA201291069A1 (ru) Способ и устройство для покрытия
Gao et al. A Thiourea‐Oxazoline Library with Axial Chirality: Ligand Synthesis and Studies of the Palladium‐Catalyzed Enantioselective Bis (methoxycarbonylation) of Terminal Olefins
CA2727510A1 (en) Method of preparing organometallic compounds
RU2015128392A (ru) Способ гидрофобизации внутренней поверхности субстрата
JP2596713B2 (ja) 蒸気相トリメチルインジウムを提供する方法
JP2015000842A (ja) アンモニアの回収方法及びそれを用いたアンモニアの再利用方法
TW201920206A (zh) 三烷基鎵化合物之製備及其用途
RU2692487C2 (ru) Окислительные способы удаления фосфора из жидких углеводородов
EP2540732A1 (en) Deposition of gallium containing thin films using new gallium precursors.
KR20240011985A (ko) 신규한 몰리브덴 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 몰리브덴 함유 박막의 제조방법
Mahmood Spectroscopic Studies of Exchange and Pyrolysis Reactions in Mixtures of Trimethylamine alane, Trimethylgallane and Triethylgallane
EP2708542B1 (en) Salen-type barium precursors for vapor phase deposition of thin films
CN103274894A (zh) 一种以锌和镍为催化剂活性组分制造二氯乙烷的方法
RU2019138030A (ru) Способ синтеза кристаллического алмаза
Bertrand Stable Versions of Transient Singlet Carbenes