RU2019138030A - Способ синтеза кристаллического алмаза - Google Patents
Способ синтеза кристаллического алмаза Download PDFInfo
- Publication number
- RU2019138030A RU2019138030A RU2019138030A RU2019138030A RU2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mixture
- plasma
- crystalline diamond
- carbon dioxide
- synthesis
- Prior art date
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims 5
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 title 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (3)
1. Способ синтеза кристаллического алмаза, включающий первоначальное образование смеси, состоящего из углеводорода или смеси углеводородов и углекислого газа, смесь напускается в предварительно откаченную камеру синтеза кристалла методом CVD, далее происходит осаждение алмазной пленки на подложку либо мишень, при этом соотношение частиц в плазме меняется в сторону обеднения углерода, отличающийся тем, что процесс синтеза заключается во взаимодействии ионов, образованных под действием высокой температуры и составляющих плазму, при этом в этой же плазме происходит процесс разложения молекул вводимых газов на ионы с последующим образованием новых химических веществ, в процессе происходит также компенсация недостатка углерода в плазменном облаке введением в реакционную смесь углекислого газа и последующее извлечение избытка кислорода из реакционной смеси, удаление примесей, поступающих вместе с недостаточно очищенным углекислым газом либо другими агентами при необходимости.
2. Способ синтеза кристаллического алмаза по п.1, отличающийся тем, что компенсируется недостаток допирующих агентов, при их использовании, осуществляется непосредственно подачей соответствующего газа в камеру реактора.
3. Способ синтеза кристаллического алмаза по п.1, отличающийся тем, что первоначальная смесь может включать аргон либо другой инертный газ, а также прочие газы при необходимости.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019138030A RU2019138030A (ru) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | Способ синтеза кристаллического алмаза |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019138030A RU2019138030A (ru) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | Способ синтеза кристаллического алмаза |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019138030A3 RU2019138030A3 (ru) | 2021-05-25 |
| RU2019138030A true RU2019138030A (ru) | 2021-05-25 |
Family
ID=76033710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019138030A RU2019138030A (ru) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | Способ синтеза кристаллического алмаза |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2019138030A (ru) |
-
2019
- 2019-11-25 RU RU2019138030A patent/RU2019138030A/ru unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2019138030A3 (ru) | 2021-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2368568C2 (ru) | Способ получения кремния | |
| Tevault et al. | Infrared spectra of the BrO and OBrO free radicals and of BrOBr and BrBrO molecules in Solid Argon at 10K | |
| RU2012131169A (ru) | Синтетический cvd алмаз | |
| RU98119152A (ru) | Способ получения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки и устройство для его осуществления | |
| US20190256367A1 (en) | Method for Synthesizing Ammonia, and Apparatus for Said Method | |
| US8609189B2 (en) | Method of forming carbon nanotubes from carbon-rich fly ash | |
| RU2019138030A (ru) | Способ синтеза кристаллического алмаза | |
| JPS63222011A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| Milligan et al. | Matrix‐Isolation Study of the Vacuum‐Ultraviolet Photolysis of Difluorosilane. The Infrared and Ultraviolet Spectra of the Free Radical SiF2 | |
| JP2018052765A (ja) | トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法 | |
| US3540871A (en) | Method for maintaining the uniformity of vapor grown polycrystalline silicon | |
| JPH0346438B2 (ru) | ||
| GB929074A (en) | A process for the production of extremely pure semi-conductor material | |
| RU2483130C1 (ru) | Способ получения изотопно-обогащенного германия | |
| JP7069473B2 (ja) | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 | |
| JPH04265203A (ja) | 無水フツ化水素の精製法 | |
| WO2015177483A1 (fr) | Procédé d'obtention du borazane | |
| Morales et al. | Synthesis of diamond films from organic compounds by pulsed liquid injection CVD | |
| RU2087476C1 (ru) | Способ получения гексаэтоксидисилана | |
| JPH0474316B2 (ru) | ||
| JPH06321690A (ja) | 半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法 | |
| Ferreira et al. | OES study of the plasma during CVD diamond growth using CCl4/H2/O2 mixtures | |
| Sánchez et al. | Study of the plasma discharges in diamond deposition with different O2 concentrations | |
| JPS55164072A (en) | Coating | |
| Alvarez et al. | Carbon structures obtained from acetylene in a continuous current abnormal glow |