[go: up one dir, main page]

RU2018115375A - Способ, компьютер, транспортное средство и компьютерный программный продукт для обнаружения объекта в слепой зоне - Google Patents

Способ, компьютер, транспортное средство и компьютерный программный продукт для обнаружения объекта в слепой зоне Download PDF

Info

Publication number
RU2018115375A
RU2018115375A RU2018115375A RU2018115375A RU2018115375A RU 2018115375 A RU2018115375 A RU 2018115375A RU 2018115375 A RU2018115375 A RU 2018115375A RU 2018115375 A RU2018115375 A RU 2018115375A RU 2018115375 A RU2018115375 A RU 2018115375A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
road
lane
vehicle
alert
target lane
Prior art date
Application number
RU2018115375A
Other languages
English (en)
Inventor
Джон Майкл Галан ФЕРРЕР
Джаянти РАО
Виктория Ли ШЕЙН
Original Assignee
ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи filed Critical ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи
Publication of RU2018115375A publication Critical patent/RU2018115375A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/24—Bit-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G11C16/3427—Circuits or methods to prevent or reduce disturbance of the state of a memory cell when neighbouring cells are read or written
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32—Timing circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Traffic Control Systems (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Claims (17)

1. Способ, содержащий этапы, на которых
идентифицируют целевую полосу движения дороги, которая отделена от текущей полосы движения дороги для транспортного средства, по меньшей мере, одной промежуточной полосой движения дороги; и
при определении, что слепая зона транспортного средства, протягивается поперек целевой полосы движения дороги, и полоса движения дороги между целевой полосой движения и текущей полосой движения дороги является свободной от объектов, приводят в действие средство для предоставления оповещения.
2. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором компонент транспортного средства должен перемещать транспортное средство на целевую полосу движения дороги.
3. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие средство для предоставления второго оповещения при определении необходимости ускорять транспортное средство до тех пор, пока слепая зона не будет свободна от объектов.
4. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие средство для предоставления второго оповещения при определении необходимости замедлять транспортное средство до тех пор, пока слепая зона не будет свободна от объектов.
5. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие средство для предоставления второго оповещения при определении необходимости поддерживать траекторию транспортного средства до тех пор, пока слепая зона не будет свободна от объектов.
6. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором идентифицируют пункт назначения по маршруту, и при этом целевая полоса основывается на пункте назначения.
7. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие средство для прекращения оповещения, когда объект перемещается в слепую зону.
8. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором, после перемещения транспортного средства на полосу движения дороги, соседнюю с целевой полосой движения дороги, приводят в действие средство для прекращения оповещения, когда объект перемещается в фрагмент слепой зоны, протягивающийся через целевую полосу движения дороги.
9. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие средства для предоставления множества оповещений, каждое оповещение указывает, является ли свободным от объектов фрагмент слепой зоны, протягивающийся в одну из целевой полосы движения дороги и полос движения дороги между текущей полосой движения дороги и целевой полосой движения дороги.
10. Способ по п. 1, в котором боковое зеркало заднего вида включает в себя зеркало для слепой зоны и средство для предоставления оповещения включает в себя лампу, расположенную вокруг зеркала для слепой зоны.
11. Способ по любому из пп. 3-10, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие компонент транспортного средства, чтобы перемещать транспортное средство на целевую полосу движения дороги.
12. Способ по любому из пп. 3-8 и 10, дополнительно содержащий этап, на котором приводят в действие средство для предоставления множества оповещений, каждое оповещение указывает, является ли свободным от объектов фрагмент слепой зоны, протягивающийся в одну из целевой полосы движения дороги и полос движения дороги между текущей полосой движения дороги и целевой полосой движения дороги.
13. Компьютер, запрограммированный для того, чтобы выполнять способ по любому из пп. 1-10.
14. Транспортное средство, содержащее компьютер по п. 13.
15. Компьютерный программный продукт, содержащий компьютерно-читаемый носитель, хранящий инструкции, исполняемые процессором компьютера, чтобы исполнять способ по любому из пп. 1-10.
RU2018115375A 2016-03-02 2018-04-25 Способ, компьютер, транспортное средство и компьютерный программный продукт для обнаружения объекта в слепой зоне RU2018115375A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016040290A JP6581019B2 (ja) 2016-03-02 2016-03-02 半導体記憶装置
US15/498,029 2017-04-26
US15/498,029 US10008269B2 (en) 2016-03-02 2017-04-26 Semiconductor memory device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2018115375A true RU2018115375A (ru) 2019-10-25

Family

ID=58738636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018115375A RU2018115375A (ru) 2016-03-02 2018-04-25 Способ, компьютер, транспортное средство и компьютерный программный продукт для обнаружения объекта в слепой зоне

Country Status (5)

Country Link
US (9) US9666296B1 (ru)
JP (1) JP6581019B2 (ru)
CN (2) CN107170746B (ru)
RU (1) RU2018115375A (ru)
TW (8) TWI758853B (ru)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5814867B2 (ja) 2012-06-27 2015-11-17 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP6581019B2 (ja) 2016-03-02 2019-09-25 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2019067474A (ja) * 2017-10-05 2019-04-25 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2019079885A (ja) 2017-10-23 2019-05-23 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
US10276250B1 (en) * 2017-11-20 2019-04-30 Macronix International Co., Ltd. Programming NAND flash with improved robustness against dummy WL disturbance
JP2019109952A (ja) 2017-12-19 2019-07-04 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2019160380A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2019169207A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2020027674A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 キオクシア株式会社 半導体メモリ
JP2020047314A (ja) * 2018-09-14 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020047325A (ja) 2018-09-18 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020047348A (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置及びその制御方法
JP2020047347A (ja) 2018-09-19 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020071892A (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
CN109584938B (zh) * 2018-11-05 2021-05-04 长江存储科技有限责任公司 闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质
JP2020102285A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020102290A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020144962A (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020144961A (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2020150083A (ja) * 2019-03-12 2020-09-17 キオクシア株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP2020149745A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US11158718B2 (en) 2019-04-15 2021-10-26 Micron Technology, Inc. Assemblies which include wordlines having a first metal-containing material at least partially surrounding a second metal-containing material and having different crystallinity than the second metal-containing material
US10707226B1 (en) * 2019-06-26 2020-07-07 Sandisk Technologies Llc Source side program, method, and apparatus for 3D NAND
JP2021012752A (ja) * 2019-07-08 2021-02-04 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
KR102757291B1 (ko) * 2019-08-01 2025-01-20 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 이의 동작 방법
JP2021034089A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2021034090A (ja) 2019-08-28 2021-03-01 キオクシア株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP2021039806A (ja) 2019-09-02 2021-03-11 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
WO2021042264A1 (en) 2019-09-03 2021-03-11 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Non-volatile memory device utilizing dummy memory block as pool capacitor
US11282849B2 (en) 2019-09-03 2022-03-22 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Non-volatile memory device utilizing dummy memory block as pool capacitor
CN113223578B (zh) 2019-10-23 2022-10-11 长江存储科技有限责任公司 用于读取三维闪存的方法
JP7278426B2 (ja) 2019-10-23 2023-05-19 長江存儲科技有限責任公司 メモリデバイスをプログラムする方法および関連するメモリデバイス
JP2021118200A (ja) 2020-01-22 2021-08-10 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2021118234A (ja) 2020-01-23 2021-08-10 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2021125277A (ja) * 2020-02-05 2021-08-30 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2021150387A (ja) 2020-03-17 2021-09-27 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2021174567A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2021182458A (ja) 2020-05-19 2021-11-25 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022014007A (ja) 2020-07-06 2022-01-19 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022017668A (ja) 2020-07-14 2022-01-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
KR102856075B1 (ko) 2020-07-17 2025-09-04 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 동작 방법
JP2022032589A (ja) 2020-08-12 2022-02-25 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022035525A (ja) 2020-08-21 2022-03-04 キオクシア株式会社 半導体記憶装置の動作条件の調整方法
JP2022036443A (ja) * 2020-08-24 2022-03-08 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022037612A (ja) 2020-08-25 2022-03-09 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022046249A (ja) 2020-09-10 2022-03-23 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP7404203B2 (ja) * 2020-09-17 2023-12-25 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022050043A (ja) 2020-09-17 2022-03-30 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022051007A (ja) 2020-09-18 2022-03-31 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US11205493B1 (en) * 2020-10-26 2021-12-21 Sandisk Technologies Llc Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device
KR102834406B1 (ko) 2020-10-28 2025-07-17 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
JP7516215B2 (ja) 2020-11-10 2024-07-16 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022091503A (ja) 2020-12-09 2022-06-21 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022113999A (ja) 2021-01-26 2022-08-05 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022144361A (ja) * 2021-03-19 2022-10-03 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2022147746A (ja) 2021-03-23 2022-10-06 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP7608263B2 (ja) 2021-05-12 2025-01-06 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2023028175A (ja) 2021-08-18 2023-03-03 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP7618524B2 (ja) * 2021-09-21 2025-01-21 キオクシア株式会社 半導体記憶装置及びその制御方法
JP2023045251A (ja) * 2021-09-21 2023-04-03 キオクシア株式会社 半導体記憶装置及びデータ消去方法
JP2023045647A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2023053542A (ja) * 2021-10-01 2023-04-13 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP7746205B2 (ja) 2022-03-23 2025-09-30 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP2023163451A (ja) 2022-04-28 2023-11-10 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US20250078949A1 (en) * 2023-09-05 2025-03-06 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for half-page modes of memory devices

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8300497A (nl) * 1983-02-10 1984-09-03 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met niet-vluchtige geheugentransistors.
JP3462894B2 (ja) * 1993-08-27 2003-11-05 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ及びそのデータプログラム方法
US6314026B1 (en) * 1999-02-08 2001-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor device using local self boost technique
JP2004087002A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Fujitsu Ltd Ａｃセンス方式のメモリ回路
US7218552B1 (en) * 2005-09-09 2007-05-15 Sandisk Corporation Last-first mode and method for programming of non-volatile memory with reduced program disturb
JP5016832B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR100729365B1 (ko) * 2006-05-19 2007-06-15 삼성전자주식회사 더미 스트링으로 인한 읽기 페일을 방지할 수 있는 플래시메모리 장치
JP4939971B2 (ja) * 2007-02-20 2012-05-30 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
US7894263B2 (en) * 2007-09-28 2011-02-22 Sandisk Corporation High voltage generation and control in source-side injection programming of non-volatile memory
US7916544B2 (en) * 2008-01-25 2011-03-29 Micron Technology, Inc. Random telegraph signal noise reduction scheme for semiconductor memories
JP4951561B2 (ja) 2008-03-21 2012-06-13 寿産業株式会社 磁気選別装置
JP5259242B2 (ja) 2008-04-23 2013-08-07 株式会社東芝 三次元積層不揮発性半導体メモリ
US8125829B2 (en) * 2008-05-02 2012-02-28 Micron Technology, Inc. Biasing system and method
JP5193796B2 (ja) * 2008-10-21 2013-05-08 株式会社東芝 ３次元積層型不揮発性半導体メモリ
US8599614B2 (en) * 2009-04-30 2013-12-03 Powerchip Corporation Programming method for NAND flash memory device to reduce electrons in channels
JP4913188B2 (ja) * 2009-09-18 2012-04-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP5044624B2 (ja) * 2009-09-25 2012-10-10 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US8379456B2 (en) * 2009-10-14 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices having dummy cell and bias methods thereof
US8422272B2 (en) * 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP5404685B2 (ja) * 2011-04-06 2014-02-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2012252741A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2013004123A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP5319737B2 (ja) * 2011-06-17 2013-10-16 株式会社三橋製作所 ロータリー式定位置投入装置
JP2013058276A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2013089272A (ja) 2011-10-19 2013-05-13 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US9076544B2 (en) * 2011-11-18 2015-07-07 Sandisk Technologies Inc. Operation for non-volatile storage system with shared bit lines
US9111620B2 (en) * 2012-03-30 2015-08-18 Micron Technology, Inc. Memory having memory cell string and coupling components
JP2013254537A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びコントローラ
KR20140025164A (ko) * 2012-08-21 2014-03-04 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 처리 방법
KR101951046B1 (ko) * 2012-08-29 2019-04-25 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8811084B2 (en) * 2012-08-30 2014-08-19 Micron Technology, Inc. Memory array with power-efficient read architecture
US8902657B2 (en) * 2012-09-07 2014-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and controller
JP2014063551A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US9099202B2 (en) * 2012-11-06 2015-08-04 Sandisk Technologies Inc. 3D stacked non-volatile storage programming to conductive state
US9064577B2 (en) * 2012-12-06 2015-06-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to control body potential in memory operations
KR102008422B1 (ko) * 2012-12-17 2019-08-08 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
JP2014164773A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US9007860B2 (en) * 2013-02-28 2015-04-14 Micron Technology, Inc. Sub-block disabling in 3D memory
JP2014170598A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2014175022A (ja) * 2013-03-06 2014-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法
JP2014186761A (ja) * 2013-03-21 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体記憶装置、コントローラ、及びメモリシステム
CN104103639B (zh) * 2013-04-03 2018-04-13 群联电子股份有限公司 Nand快闪存储单元、操作方法与读取方法
KR20150004215A (ko) * 2013-07-02 2015-01-12 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
CN105518795B (zh) * 2013-09-13 2019-08-13 东芝存储器株式会社 半导体存储装置以及存储系统
JP2015172990A (ja) * 2014-03-12 2015-10-01 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR20150127419A (ko) * 2014-05-07 2015-11-17 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
US9318200B2 (en) * 2014-08-11 2016-04-19 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor
US9305648B2 (en) * 2014-08-20 2016-04-05 SanDisk Technologies, Inc. Techniques for programming of select gates in NAND memory
JP6581019B2 (ja) 2016-03-02 2019-09-25 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10008269B2 (en) 2018-06-26
CN112242168B (zh) 2024-07-12
TW202127453A (zh) 2021-07-16
US20250182826A1 (en) 2025-06-05
TWI707341B (zh) 2020-10-11
TW202531237A (zh) 2025-08-01
TW201801086A (zh) 2018-01-01
US20220036951A1 (en) 2022-02-03
CN112242168A (zh) 2021-01-19
TW201810273A (zh) 2018-03-16
US12230327B2 (en) 2025-02-18
US20240096419A1 (en) 2024-03-21
US20190371403A1 (en) 2019-12-05
TWI594240B (zh) 2017-08-01
JP2017157260A (ja) 2017-09-07
TW202347339A (zh) 2023-12-01
US20230113054A1 (en) 2023-04-13
CN107170746A (zh) 2017-09-15
US20170256316A1 (en) 2017-09-07
US20180261289A1 (en) 2018-09-13
JP6581019B2 (ja) 2019-09-25
US11176998B2 (en) 2021-11-16
US11568936B2 (en) 2023-01-31
TW202236283A (zh) 2022-09-16
CN107170746B (zh) 2020-11-06
TWI633549B (zh) 2018-08-21
TWI815303B (zh) 2023-09-11
US10706931B2 (en) 2020-07-07
TW202449786A (zh) 2024-12-16
TWI884060B (zh) 2025-05-11
TW201830401A (zh) 2018-08-16
US10418104B2 (en) 2019-09-17
TWI758853B (zh) 2022-03-21
TWI855816B (zh) 2024-09-11
US9666296B1 (en) 2017-05-30
US20200286560A1 (en) 2020-09-10
US11875851B2 (en) 2024-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018115375A (ru) Способ, компьютер, транспортное средство и компьютерный программный продукт для обнаружения объекта в слепой зоне
US10086753B2 (en) Vehicle information presenting device
RU2015122316A (ru) Система определения полосы встречного движения транспортного средства (варианты)
JP6022983B2 (ja) 運転支援装置
RU2016140246A (ru) Устройство управления транспортным средством
JP6442904B2 (ja) 運転支援装置
JP6299484B2 (ja) 衝突緩和装置、および衝突緩和プログラム
JP2017117343A5 (ru)
RU2018129091A (ru) Способ управления движением транспортного средства и устройство управления движением транспортного средства
US10345442B2 (en) Collision possibility determination device
JP2019524525A5 (ja) 車両をナビゲートするためのシステム、方法およびコンピュータプログラム
JP6799168B2 (ja) 車両制御装置
JPWO2020194017A5 (ru)
JP6661789B2 (ja) 車両を運転する方法
MX365230B (es) Método para controlar el dispositivo de control de viaje y dispositivo de control de viaje.
RU2017118327A (ru) Избегание столкновений транспортных средств
JP2018195246A5 (ru)
RU2016119371A (ru) Система автоматического вождения для транспортного средства
MX376396B (es) Metodo de control de viaje y aparato de control de viaje.
JP2018095097A5 (ru)
JP2015232845A5 (ru)
RU2017129406A (ru) Способ и система управления транспортным средством с улучшенным обнаружением полосы движения
JPWO2016170647A1 (ja) オクルージョン制御装置
RU2016149101A (ru) Определение режима транспортного средства
JP2019064486A (ja) 車両用認知支援装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20210426