RU2011139109A - Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты - Google Patents
Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011139109A RU2011139109A RU2011139109/05A RU2011139109A RU2011139109A RU 2011139109 A RU2011139109 A RU 2011139109A RU 2011139109/05 A RU2011139109/05 A RU 2011139109/05A RU 2011139109 A RU2011139109 A RU 2011139109A RU 2011139109 A RU2011139109 A RU 2011139109A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chamber
- fluidized bed
- bed reactor
- silicon
- paragraph
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 15
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum nickel Chemical compound [Cr].[Ni].[Mo] OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 4
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HHNXKXHYTICDNZ-UHFFFAOYSA-N [Y].[Cr].[Ni] Chemical compound [Y].[Cr].[Ni] HHNXKXHYTICDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- FTYZKCCJUXJFLT-UHFFFAOYSA-N bromosilicon Chemical compound Br[Si] FTYZKCCJUXJFLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N dibromosilane Chemical compound Br[SiH2]Br VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N diiodosilane Chemical compound I[SiH2]I AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 2
- IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N iodosilane Chemical compound I[SiH3] IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims 2
- JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraiodide Chemical compound [Si+4].[I-].[I-].[I-].[I-] JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims 2
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N tribromosilane Chemical compound Br[SiH](Br)Br IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims 2
- DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N triiodosilane Chemical compound I[SiH](I)I DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000946 Y alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
- B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
- B01J8/1827—Feeding of the fluidising gas the fluidising gas being a reactant
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
- B01J8/24—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00008—Controlling the process
- B01J2208/00017—Controlling the temperature
- B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
- B01J2208/00407—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements outside the reactor bed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00008—Controlling the process
- B01J2208/00017—Controlling the temperature
- B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
- B01J2208/00415—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements electric resistance heaters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00008—Controlling the process
- B01J2208/00017—Controlling the temperature
- B01J2208/00433—Controlling the temperature using electromagnetic heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00008—Controlling the process
- B01J2208/00017—Controlling the temperature
- B01J2208/00433—Controlling the temperature using electromagnetic heating
- B01J2208/0046—Infrared radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
- B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
- B01J2219/0236—Metal based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
1. Реактор с псевдоожиженным слоем, содержащий:камеру, имеющую такие размеры, чтобы содержать частицы, способные к псевдоожижению в ней, причем камера имеет стенку, изготовленную из металлического сплава;впуск газа в камере, выполненный с возможностью принимать газ для псевдоожижения частиц внутри камеры;выпуск в камере, выполненный с возможностью позволять отходящему потоку покидать камеру; икерамический защитный слой, нанесенный на по меньшей мере часть внутренней поверхности камеры;при этом защитный слой содержит керамическую или составленную не на основе кремния или не на основе углерода композицию и выполнен устойчивым к коррозии под действием псевдоожижающего газа.2. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе железа, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: нержавеющая сталь и хромоникелевый сплав.3. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 2, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.4. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе никеля, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: никель-молибденовый сплав и никель-хром-молибденовый сплав.5. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 4, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.6. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом керамический защитный слой содержит по меньшей мере один из следующих: оксид алюминия (AlO), диокс�
Claims (28)
1. Реактор с псевдоожиженным слоем, содержащий:
камеру, имеющую такие размеры, чтобы содержать частицы, способные к псевдоожижению в ней, причем камера имеет стенку, изготовленную из металлического сплава;
впуск газа в камере, выполненный с возможностью принимать газ для псевдоожижения частиц внутри камеры;
выпуск в камере, выполненный с возможностью позволять отходящему потоку покидать камеру; и
керамический защитный слой, нанесенный на по меньшей мере часть внутренней поверхности камеры;
при этом защитный слой содержит керамическую или составленную не на основе кремния или не на основе углерода композицию и выполнен устойчивым к коррозии под действием псевдоожижающего газа.
2. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе железа, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: нержавеющая сталь и хромоникелевый сплав.
3. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 2, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.
4. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе никеля, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: никель-молибденовый сплав и никель-хром-молибденовый сплав.
5. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 4, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.
6. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом керамический защитный слой содержит по меньшей мере один из следующих: оксид алюминия (Al2O3), диоксид циркония (ZrO2) и стабилизированный иттрием диоксид циркония.
7. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, дополнительно содержащий адгезионный слой, расположенный между защитным слоем и внутренней поверхностью камеры.
8. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 7, при этом адгезионный слой содержит по меньшей мере один из следующих: слой никелевого сплава и слой никеля-хрома-иттрия.
9. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом керамический защитный слой, нанесенный на внутреннюю поверхность камеры, нанесен по меньшей мере одним из следующих: термическое набрасывание, химическое осаждение из паровой фазы, физическое осаждение из паровой фазы, золь-гель метод, электрофоретическое осаждение и термическое напыление аэрозоля.
10. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом камера содержит внешнюю поверхность, и при этом по меньшей мере часть внешней поверхности камеры обработана для улучшения эффективности передачи тепловой мощности камеры по сравнению с необработанной внешней поверхностью.
11. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 10, при этом внешняя поверхность камеры подвергнута пескоструйной обработке, чтобы улучшить эффективность передачи тепловой мощности камеры.
12. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом камера изготовлена из материала, выполненного с возможностью выдерживать внутренние давления в интервале от приблизительно 50 мбар до приблизительно 5000 мбар.
13. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом камера изготовлена из материала, выполненного с возможностью выдерживать температуры в интервале от приблизительно 500°C до приблизительно 1200°C.
14. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом частицы содержат частицы кремния, а газ содержит по меньшей мере один из следующих: водород, гелий, аргон, тетрахлорид кремния, тетрабромид кремния, тетраиодид кремния, моносилан, дисилан, трисилан, трихлорсилан, дихлорсилан, монохлорсилан, трибромсилан, дибромсилан, монобромсилан, трииодсилан, дииодсилан и моноиодсилан.
15. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, дополнительно содержащий по меньшей мере один нагреватель реактора, при этом упомянутый по меньшей мере один нагреватель реактора содержит по меньшей мере один из следующих: радиационный нагреватель и нагреватель теплопроводностью.
16. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом впуск газа в камере выполнен с возможностью также принимать кремнийсодержащий газ для псевдоожижения частиц внутри камеры.
17. Способ получения кремния высокой чистоты, содержащий:
инжекцию по меньшей мере одного псевдоожижающего газа в реактор с псевдоожиженным слоем, при этом реактор с псевдоожиженным слоем содержит:
камеру, изготовленную из металлического сплава, причем эта камера включает в себя впуск газа и выпуск отходящего потока;
керамический защитный слой, нанесенный на внутреннюю поверхность камеры;
слой шариков кремния, размещенный внутри камеры; и
по меньшей мере один нагреватель реактора;
инжекцию по меньшей мере одного кремнийсодержащего газа в реактор с псевдоожиженным слоем;
нагревание реактора с псевдоожиженным слоем упомянутым по меньшей мере одним нагревателем реактора до температуры, достаточной для термического разложения кремния; и
собирание кремния высокой чистоты, который был получен и осажден на псевдоожиженных шариках кремния;
при этом керамический защитный слой устойчив к коррозии под действием упомянутого по меньшей мере одного псевдоожижающего газа или упомянутого по меньшей мере одного кремнийсодержащего газа.
18. Способ по пункту 17, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе железа, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: нержавеющая сталь и хромоникелевый сплав.
19. Способ по пункту 17, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе никеля, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: никель-молибденовый сплав и никель-хром-молибденовый сплав.
20. Способ по пункту 17, при этом керамический защитный слой содержит по меньшей мере один из следующих: оксид алюминия (Al2O3), диоксид циркония (ZrO2) и стабилизированный иттрием диоксид циркония.
21. Способ по пункту 17, дополнительно содержащий адгезионный слой, расположенный между защитным слоем и внутренней поверхностью камеры.
22. Способ по пункту 21, при этом адгезионный слой содержит слой никелевого сплава или слой никель-хром-иттриевого сплава.
23. Способ по пункту 17, при этом защитный слой нанесен на внутреннюю поверхность камеры по меньшей мере одним из следующих: термическое набрасывание, химическое осаждение из паровой фазы, физическое осаждение из паровой фазы, золь-гель метод, электрофоретическое осаждение и термическое напыление аэрозоля.
24. Способ по пункту 17, при этом внешняя поверхность камеры подвергнута пескоструйной обработке, чтобы улучшить эффективность передачи тепловой мощности камеры по сравнению с необработанной внешней поверхностью.
25. Способ по пункту 17, при этом псевдоожижающий газ является по меньшей мере одним из следующих: водород, гелий, аргон, тетрахлорид кремния, тетрабромид кремния и тетраиодид кремния.
26. Способ по пункту 17, при этом кремнийсодержащий газ является по меньшей мере одним из следующих: моносилан, дисилан, трисилан, трихлорсилан, дихлорсилан, монохлорсилан, трибромсилан, дибромсилан, монобромсилан, трииодсилан, дииодсилан и моноиодсилан.
27. Способ по пункту 17, при этом нагревание реактора с псевдоожиженным слоем упомянутым по меньшей мере одним нагревателем реактора до температуры, достаточной для термического разложения кремния, содержит нагревание реактора с псевдоожиженным слоем до температуры между приблизительно 500°C и приблизительно 1200°C.
28. Способ по пункту 27, при этом реактор с псевдоожиженным слоем нагревают до температуры в интервале от приблизительно 700°C до приблизительно 900°C.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/393,852 US8168123B2 (en) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
| US12/393,852 | 2009-02-26 | ||
| PCT/US2009/065345 WO2010098797A1 (en) | 2009-02-26 | 2009-11-20 | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011139109A true RU2011139109A (ru) | 2013-11-20 |
Family
ID=42631134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011139109/05A RU2011139109A (ru) | 2009-02-26 | 2009-11-20 | Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8168123B2 (ru) |
| EP (1) | EP2318313A4 (ru) |
| JP (1) | JP2012519130A (ru) |
| KR (1) | KR20110132338A (ru) |
| CN (1) | CN102239115A (ru) |
| AU (1) | AU2009341100A1 (ru) |
| BR (1) | BRPI0924261A2 (ru) |
| CA (1) | CA2753354A1 (ru) |
| MX (1) | MX2011008790A (ru) |
| RU (1) | RU2011139109A (ru) |
| TW (1) | TW201034757A (ru) |
| WO (1) | WO2010098797A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2744449C1 (ru) * | 2019-12-27 | 2021-03-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) | Кремнийсодержащий активный материал для отрицательного электрода и способ его получения |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101676203B (zh) | 2008-09-16 | 2015-06-10 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的方法 |
| JP2010171388A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理用反応管 |
| US8168123B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
| WO2010108065A1 (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Ae Polysilicon Corporation | Silicide - coated metal surfaces and methods of utilizing same |
| WO2010123869A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Ae Polysilicon Corporation | Methods and system for cooling a reaction effluent gas |
| JP2012523963A (ja) * | 2009-04-20 | 2012-10-11 | エーイー ポリシリコン コーポレーション | ケイ化物がコーティングされた金属表面を有する反応器 |
| US8029756B1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-04 | Peak Sun Sillcon Corporation | Closed-loop silicon production |
| CN101935038B (zh) * | 2010-08-13 | 2013-04-10 | 镇江环太硅科技有限公司 | 硅锭切割废料回收方法 |
| US20120148728A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Siliken Sa | Methods and apparatus for the production of high purity silicon |
| KR20140005199A (ko) * | 2011-01-19 | 2014-01-14 | 알이씨 실리콘 인코포레이티드 | 반응기 시스템 및 이를 사용한 다결정 실리콘 제조 방법 |
| DE102011077970A1 (de) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Temperaturbehandlung von korrosiven Gasen |
| US8875728B2 (en) | 2012-07-12 | 2014-11-04 | Siliken Chemicals, S.L. | Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods |
| EP2883613B1 (en) * | 2012-08-13 | 2020-09-09 | Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co., Ltd. | Method for preparing high sphericity seed crystal and fluidized bed particle silicon |
| US9452403B2 (en) * | 2012-10-19 | 2016-09-27 | Sunedison, Inc. | Using wavelet decomposition to determine the fluidization quality in a fluidized bed reactor |
| US9587993B2 (en) | 2012-11-06 | 2017-03-07 | Rec Silicon Inc | Probe assembly for a fluid bed reactor |
| US9212421B2 (en) | 2013-07-10 | 2015-12-15 | Rec Silicon Inc | Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor |
| WO2014074510A1 (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-15 | Rec Silicon Inc | Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor |
| KR20150096458A (ko) * | 2012-12-21 | 2015-08-24 | 알이씨 실리콘 인코포레이티드 | 유동상 반응기 설비용 고온 등급 스틸 |
| US9297765B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-03-29 | Sunedison, Inc. | Gas decomposition reactor feedback control using Raman spectrometry |
| DE102013206339A1 (de) | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Ausbau von polykristallinen Siliciumstäben aus einem Reaktor |
| US20170021319A1 (en) * | 2014-03-10 | 2017-01-26 | Sitec Gmbh | Hydrochlorination reactor |
| US9662628B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-05-30 | Rec Silicon Inc | Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor |
| US20160045881A1 (en) * | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Rec Silicon Inc | High-purity silicon to form silicon carbide for use in a fluidized bed reactor |
| US9446367B2 (en) | 2014-08-15 | 2016-09-20 | Rec Silicon Inc | Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor |
| US9238211B1 (en) | 2014-08-15 | 2016-01-19 | Rec Silicon Inc | Segmented silicon carbide liner |
| CN105498664B (zh) * | 2014-11-20 | 2017-09-12 | 江苏科技大学 | 一种磁流化床装置的控制方法 |
| DE102015205727A1 (de) | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Wacker Chemie Ag | Wirbelschichtreaktor zur Herstellung von Chlorsilanen |
| TWI663281B (zh) * | 2015-06-16 | 2019-06-21 | Versum Materials Us, Llc | 鹵代矽烷化合物的製備方法、組合物及含有其的容器 |
| AU2016336428A1 (en) * | 2015-10-09 | 2018-05-24 | Milwaukee Silicon, Llc | Devices and systems for purifying silicon |
| US11434138B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-09-06 | Kevin Allan Dooley Inc. | System and method for manufacturing high purity silicon |
| KR20220104151A (ko) * | 2019-11-22 | 2022-07-26 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 트리클로로실란의 제조 방법 및 배관 |
| CN116194204A (zh) * | 2020-09-21 | 2023-05-30 | 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 | 用于减少氢化反应中金属性过渡金属在金属零件上沉积的陶瓷涂层 |
Family Cites Families (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2843458A (en) * | 1955-10-20 | 1958-07-15 | Cabot Godfrey L Inc | Process for producing silicon tetrachloride |
| GB1159823A (en) * | 1965-08-06 | 1969-07-30 | Montedison Spa | Protective Coatings |
| US4393013A (en) | 1970-05-20 | 1983-07-12 | J. C. Schumacher Company | Vapor mass flow control system |
| US3906605A (en) * | 1973-06-18 | 1975-09-23 | Olin Corp | Process for preparing heat exchanger tube |
| US4084024A (en) | 1975-11-10 | 1978-04-11 | J. C. Schumacher Co. | Process for the production of silicon of high purity |
| US4298037A (en) | 1976-12-02 | 1981-11-03 | J. C. Schumacher Co. | Method of shipping and using semiconductor liquid source materials |
| US4134514A (en) | 1976-12-02 | 1979-01-16 | J C Schumacher Co. | Liquid source material container and method of use for semiconductor device manufacturing |
| US4140735A (en) | 1977-08-15 | 1979-02-20 | J. C. Schumacher Co. | Process and apparatus for bubbling gas through a high purity liquid |
| US4227291A (en) | 1978-06-22 | 1980-10-14 | J. C. Schumacher Co. | Energy efficient process for continuous production of thin semiconductor films on metallic substrates |
| US4341610A (en) | 1978-06-22 | 1982-07-27 | Schumacher John C | Energy efficient process for continuous production of thin semiconductor films on metallic substrates |
| US4318942A (en) | 1978-08-18 | 1982-03-09 | J. C. Schumacher Company | Process for producing polycrystalline silicon |
| US4298942A (en) * | 1979-12-19 | 1981-11-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Nonlinear amplitude detector |
| US4436674A (en) | 1981-07-30 | 1984-03-13 | J.C. Schumacher Co. | Vapor mass flow control system |
| US4891201A (en) | 1982-07-12 | 1990-01-02 | Diamond Cubic Liquidation Trust | Ultra-pure epitaxial silicon |
| US4818495A (en) | 1982-11-05 | 1989-04-04 | Union Carbide Corporation | Reactor for fluidized bed silane decomposition |
| US4979643A (en) | 1985-06-21 | 1990-12-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical refill system |
| US4859375A (en) | 1986-12-29 | 1989-08-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical refill system |
| KR880000618B1 (ko) | 1985-12-28 | 1988-04-18 | 재단법인 한국화학연구소 | 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| US4883687A (en) | 1986-08-25 | 1989-11-28 | Ethyl Corporation | Fluid bed process for producing polysilicon |
| US4820587A (en) | 1986-08-25 | 1989-04-11 | Ethyl Corporation | Polysilicon produced by a fluid bed process |
| JPS63117906A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多結晶シリコン製造装置用部材 |
| JPS63230504A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 塩素の製造方法 |
| DE3711444A1 (de) | 1987-04-04 | 1988-10-13 | Huels Troisdorf | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan |
| US5139762A (en) | 1987-12-14 | 1992-08-18 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Fluidized bed for production of polycrystalline silicon |
| US5242671A (en) | 1988-10-11 | 1993-09-07 | Ethyl Corporation | Process for preparing polysilicon with diminished hydrogen content by using a fluidized bed with a two-step heating process |
| US5326547A (en) | 1988-10-11 | 1994-07-05 | Albemarle Corporation | Process for preparing polysilicon with diminished hydrogen content by using a two-step heating process |
| JPH02233514A (ja) | 1989-03-06 | 1990-09-17 | Osaka Titanium Co Ltd | 多結晶シリコンの製造方法 |
| US5284676A (en) | 1990-08-17 | 1994-02-08 | Carbon Implants, Inc. | Pyrolytic deposition in a fluidized bed |
| JPH06127922A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-10 | Tonen Chem Corp | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 |
| GB2271518B (en) | 1992-10-16 | 1996-09-25 | Korea Res Inst Chem Tech | Heating of fluidized bed reactor by microwave |
| US5445742A (en) | 1994-05-23 | 1995-08-29 | Dow Corning Corporation | Process for purifying halosilanes |
| US5516345A (en) | 1994-06-30 | 1996-05-14 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Latent heat-ballasted gasifier method |
| FI96541C (fi) | 1994-10-03 | 1996-07-10 | Ahlstroem Oy | Järjestely seinämässä sekä menetelmä seinämän pinnoittamiseksi |
| JP3705623B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2005-10-12 | 株式会社トクヤマ | シラン類の分解・還元反応装置および高純度結晶シリコンの製造方法 |
| US5798137A (en) | 1995-06-07 | 1998-08-25 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Method for silicon deposition |
| US5976247A (en) | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
| US5776416A (en) | 1995-11-14 | 1998-07-07 | Tokuyama Corporation | Cyclone and fluidized bed reactor having same |
| US6060021A (en) | 1997-05-07 | 2000-05-09 | Tokuyama Corporation | Method of storing trichlorosilane and silicon tetrachloride |
| DE19735378A1 (de) | 1997-08-14 | 1999-02-18 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat |
| US5910295A (en) | 1997-11-10 | 1999-06-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Closed loop process for producing polycrystalline silicon and fumed silica |
| GB9902099D0 (en) | 1999-01-29 | 1999-03-24 | Boc Group Plc | Vacuum pump systems |
| DE19948395A1 (de) * | 1999-10-06 | 2001-05-03 | Wacker Chemie Gmbh | Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor |
| KR100731558B1 (ko) | 2000-08-02 | 2007-06-22 | 미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤 | 육염화이규소의 제조 방법 |
| US7056484B2 (en) | 2000-09-14 | 2006-06-06 | Solarworld Aktiengesellschaft | Method for producing trichlorosilane |
| DE10057481A1 (de) | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium |
| DE10060469A1 (de) | 2000-12-06 | 2002-07-04 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium |
| DE10061680A1 (de) | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Silan |
| DE10062419A1 (de) | 2000-12-14 | 2002-08-01 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium |
| DE10063862A1 (de) | 2000-12-21 | 2002-07-11 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularen Silizium |
| KR100411180B1 (ko) | 2001-01-03 | 2003-12-18 | 한국화학연구원 | 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치 |
| DE10118483C1 (de) | 2001-04-12 | 2002-04-18 | Wacker Chemie Gmbh | Staubrückführung bei der Direktsynthese von Chlor- und Methylchlorsilanen in Wirbelschicht |
| DE10124848A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium in einer Wirbelschicht |
| US7033561B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-04-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of polycrystalline silicon |
| US20020187096A1 (en) | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kendig James Edward | Process for preparation of polycrystalline silicon |
| US6932954B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-08-23 | Tokuyama Corporation | Method for producing silicon |
| AU2003211024A1 (en) | 2002-02-14 | 2003-09-04 | Advanced Silicon Materials Llc | Energy efficient method for growing polycrystalline silicon |
| WO2004035472A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-29 | Takayuki Shimamune | 高純度シリコンの製造方法及び装置 |
| NO321276B1 (no) | 2003-07-07 | 2006-04-18 | Elkem Materials | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
| GB0327169D0 (en) * | 2003-11-21 | 2003-12-24 | Statoil Asa | Method |
| JP2007522649A (ja) | 2003-12-23 | 2007-08-09 | ジョン シー． シューマカー、 | 半導体反応器用の排気調整システム |
| US20070178028A1 (en) | 2004-02-23 | 2007-08-02 | Eiichi Fukasawa | Apparatus for production of metal chloride |
| DE102004010055A1 (de) | 2004-03-02 | 2005-09-22 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| US7141114B2 (en) | 2004-06-30 | 2006-11-28 | Rec Silicon Inc | Process for producing a crystalline silicon ingot |
| US20060105105A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | High purity granular silicon and method of manufacturing the same |
| US8029914B2 (en) * | 2005-05-10 | 2011-10-04 | Exxonmobile Research And Engineering Company | High performance coated material with improved metal dusting corrosion resistance |
| US7462211B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-12-09 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Gas-solids separation device and method |
| CN101316651B (zh) | 2005-07-19 | 2011-03-02 | 瑞科硅公司 | 硅喷动流化床 |
| DE102005039118A1 (de) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Silicium |
| DE102005042753A1 (de) | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor |
| NO20054402L (no) | 2005-09-22 | 2007-03-23 | Elkem As | Method for production of trichlorosilane and silicon for use in the production of trichlorosilane |
| AU2007226533B2 (en) * | 2006-03-15 | 2012-12-13 | Reaction Sciences, Inc. | Method for making silicon for solar cells and other applications |
| EP2021279A2 (en) | 2006-04-13 | 2009-02-11 | Cabot Corporation | Production of silicon through a closed-loop process |
| US7935327B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-05-03 | Hemlock Semiconductor Corporation | Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process |
| DE102007021003A1 (de) | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat |
| US7927984B2 (en) | 2008-11-05 | 2011-04-19 | Hemlock Semiconductor Corporation | Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition |
| US8168123B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
-
2009
- 2009-02-26 US US12/393,852 patent/US8168123B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-20 MX MX2011008790A patent/MX2011008790A/es not_active Application Discontinuation
- 2009-11-20 RU RU2011139109/05A patent/RU2011139109A/ru unknown
- 2009-11-20 KR KR1020117019738A patent/KR20110132338A/ko not_active Ceased
- 2009-11-20 CA CA2753354A patent/CA2753354A1/en not_active Abandoned
- 2009-11-20 JP JP2011552017A patent/JP2012519130A/ja active Pending
- 2009-11-20 AU AU2009341100A patent/AU2009341100A1/en not_active Abandoned
- 2009-11-20 EP EP09840944.4A patent/EP2318313A4/en not_active Withdrawn
- 2009-11-20 CN CN2009801490221A patent/CN102239115A/zh active Pending
- 2009-11-20 BR BRPI0924261-9A patent/BRPI0924261A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-11-20 WO PCT/US2009/065345 patent/WO2010098797A1/en not_active Ceased
- 2009-11-24 TW TW098139951A patent/TW201034757A/zh unknown
-
2010
- 2010-10-13 US US12/903,994 patent/US8158093B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-14 US US13/420,074 patent/US20120171102A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2744449C1 (ru) * | 2019-12-27 | 2021-03-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) | Кремнийсодержащий активный материал для отрицательного электрода и способ его получения |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BRPI0924261A2 (pt) | 2015-08-25 |
| AU2009341100A1 (en) | 2011-09-08 |
| US20110027160A1 (en) | 2011-02-03 |
| US20100215562A1 (en) | 2010-08-26 |
| JP2012519130A (ja) | 2012-08-23 |
| TW201034757A (en) | 2010-10-01 |
| MX2011008790A (es) | 2011-12-14 |
| CA2753354A1 (en) | 2010-09-02 |
| US20120171102A1 (en) | 2012-07-05 |
| US8158093B2 (en) | 2012-04-17 |
| KR20110132338A (ko) | 2011-12-07 |
| EP2318313A4 (en) | 2013-05-01 |
| WO2010098797A1 (en) | 2010-09-02 |
| CN102239115A (zh) | 2011-11-09 |
| EP2318313A1 (en) | 2011-05-11 |
| US8168123B2 (en) | 2012-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011139109A (ru) | Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты | |
| CN104302810B (zh) | 流化床反应器设备用的高温级钢 | |
| JP5727362B2 (ja) | 化学気相蒸着反応器内にガスを流通させるためのシステムおよび方法 | |
| US20100266466A1 (en) | Reactor with silicide-coated metal surfaces | |
| KR102137212B1 (ko) | 유동층 반응기용 상부 머리부 조립체 및 이를 구비한 유동층 반응기 | |
| CA2648378A1 (en) | Process for depositing polycrystalline silicon | |
| CN102869608A (zh) | 包括热辐射屏蔽的用于西门子反应器的钟罩 | |
| CN103269976A (zh) | 有机氯甲硅烷和四氯化硅的氢化 | |
| KR100921210B1 (ko) | 폴리 실리콘 증착장치 | |
| CN102515871B (zh) | 一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法 | |
| CN101421189A (zh) | 三氯硅烷制造装置 | |
| TWI618822B (zh) | 用於製備多晶矽顆粒之流化床反應器及方法 | |
| KR102553973B1 (ko) | 반응기를 위한 서셉터 배열체 및 반응기를 위한 공정 기체의 가열 방법 | |
| US20160186319A1 (en) | Silicon carbide stack bottom seal arrangement | |
| CN107406976A (zh) | 具有底部密封布置的硅沉积反应器 | |
| US20230416095A1 (en) | Nanomaterial manufacturing methods | |
| CN201428008Y (zh) | 一种多晶硅化学气相沉积装置 | |
| JP5436454B2 (ja) | 発熱装置 | |
| JP2018536610A (ja) | 流動床反応器、および粒状の多結晶シリコンの製造方法 | |
| MY145612A (en) | Hot mesh chemical vapor deposition system for silicon carbide thin film deposition |