RU2011149552A - Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств - Google Patents
Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011149552A RU2011149552A RU2011149552/02A RU2011149552A RU2011149552A RU 2011149552 A RU2011149552 A RU 2011149552A RU 2011149552/02 A RU2011149552/02 A RU 2011149552/02A RU 2011149552 A RU2011149552 A RU 2011149552A RU 2011149552 A RU2011149552 A RU 2011149552A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- liquid composition
- total weight
- composition according
- layer
- group
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H10P50/287—
-
- H10P70/234—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
1. Жидкая композиция, не содержащая N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, обладающая динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащая, исходя из полного веса композиции,(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,(B) от 0.05 до <0.5 мас.% по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды.2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что динамическая сдвиговая вязкость при 50°С составляет от 1.5 до 7 мПа·с.3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается таким образом, что барьерный просветляющий слой удаляется в течение 180 с.4. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точку кипения выше 100°С.5. Жидкая композиция по п.4, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точки воспламенения, измеренные в закрытом тигле, выше 50°С.6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из алифатических полиаминов, содержащих по меньшей мере две простейшие аминогруппы, алифатических алканоламинов, имеющих по мен�
Claims (24)
1. Жидкая композиция, не содержащая N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, обладающая динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащая, исходя из полного веса композиции,
(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.% по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды.
2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что динамическая сдвиговая вязкость при 50°С составляет от 1.5 до 7 мПа·с.
3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается таким образом, что барьерный просветляющий слой удаляется в течение 180 с.
4. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точку кипения выше 100°С.
5. Жидкая композиция по п.4, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точки воспламенения, измеренные в закрытом тигле, выше 50°С.
6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из алифатических полиаминов, содержащих по меньшей мере две простейшие аминогруппы, алифатических алканоламинов, имеющих по меньшей мере одну углеродную цепь по меньшей мере из 3 атомов углерода между одной простейшей аминогруппой и одной гидроксильной группой, алифатических сульфоксидов и N-замещенных имидазолов.
7. Жидкая композиция по п.6, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из диэтилентриамина, N-метил имидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметил-сульфоксида.
8. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что гидроксид четвертичного аммония (В) выбирается из группы, состоящей из гидроксидов тетраметиламмония, тетраэтиламмония, тетрапропиламмония, тетрабутиламмония, бензилтриметиламмония и (2-гидроксиэтил)аммония.
9. Жидкая композиция по п.8, характеризующаяся тем, что гидроксидом четвертичного аммония (В) является гидроксид тетраметиламмония.
10. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что содержит по меньшей мере один дополнительный компонент, выбранный из группы, состоящей из полярных органических растворителей (D), отличных от растворителей (А), ингибиторов коррозии (Е), хелатообразующих веществ (F), фторидных солей (G) и поверхностно-активных веществ (Н).
11. Жидкая композиция по п.8, характеризующаяся тем, что полярный органический растворитель (D) выбирается из группы растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение, которая увеличивается с повышением концентрации гидроксида тетраметиламмония (В).
12. Жидкая композиция по п.11, характеризующаяся тем, что полярный растворитель (D) выбирается из группы, состоящей из этаноламина, N-метилэтаноламина, N-этилэтаноламина, изопропаноламина, 2-(2-аминоэтиламино)этанола, 2-(2-аминоэтокси)этанола, диэтиленгликоля моноэтилового эфира, диэтиленгликоля монобутилового эфира, N-(2-гидроксиэтил)пиперидина, 1,3-диметил-3,4,5,6-тетрагидро-2-(1Н)-пиримидинона и N-(3-аминопропил)имидазола.
13. Жидкая композиция по п.10, характеризующаяся тем, что ингибитор коррозии (Е) выбирается из группы, состоящей из медных ингибиторов коррозии.
14. Способ получения жидкой композиции, не содержащей N-алкилпирролидона и гидроксиламина и производных гидроксиламина, при этом способ содержит стадии:
(I) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(II) смешивание, исходя из полного веса полученной смеси,
(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного из выбранных полярных органических растворителей,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.% по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.% воды,
при отсутствии N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, и
(III) доведение динамической сдвиговой вязкости при 50°С смеси, полученной на стадии (II) процесса, до значения от 1 до 10 мПа·с, измеренного методом ротационной вискозиметрии.
15. Способ по п.14, характеризующийся тем, что получается жидкая композиция по любому из пп.1-11.
16. Способ изготовления электрических устройств, который содержит стадии:
1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки,
2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя (1),
3) подвергание слоя резиста (2) селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения,
4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста (3) для образования рисунка в резисте,
5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя (1) с использованием рисунка в резисте (4) в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки,
6) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
7) обеспечение по меньшей мере одной композиции для удаления резиста, не содержащей N-алкилпирролидона и гидроксиламина и производных гидроксиламина и обладающей динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащей, исходя из полного веса композиции,
(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного в соответствии со стадией (6) процесса,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.%, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды,
8) удаление рисунка в резисте и травильных шламов с помощью влажного процесса, используя по меньшей мере одну композицию для удаления резиста (7), полученную в соответствии со стадией (7) процесса, и
9) заполнение проводных канавок (5) и сквозных отверстий (5) по меньшей мере одним материалом, обладающим низким электрическим сопротивлением.
17. Способ по п.16, характеризующийся тем, что слой жесткой маски (10) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), причем указанный слой жесткой маски (10) селективно травится, используя рисунок в слое резиста (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
18. Способ по п.16, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), причем указанный барьерный просветляющий слой (11) селективно травится, используя рисунок в слое резиста (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
19. Способ по п.17, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем жесткой маски (10) и слоем резиста (2), причем указанный барьерный просветляющий слой (11) и слой жесткой маски (10) селективно травятся на стадии (5) процесса.
20. Способ по п.16 или 17, характеризующийся тем, что селективно протравленный барьерный просветляющий слой (11) удаляется на стадии (8) процесса.
21. Способ по п.16, характеризующийся тем, что жидкая композиция по любому из пп.1-13 применяется в качестве композиции для удаления резиста (7).
22. Способ по п.16, характеризующийся тем, что медь применяется в качестве материала (9), обладающего низким электрическим сопротивлением.
23. Способ по п.16, характеризующийся тем, что изготовленные электрические устройства представляют собой полупроводниковые интегральные схемы, жидкокристаллические индикаторные панели, органические электролюминесцентные индикаторные панели, печатные платы, микромашины, ДНК-чипы и микрозаводы.
24. Применение жидкой композиции для удаления негативных и позитивных фоторезистов и травильных шламов при изготовлении 3D пакетированных интегральных схем и 3D корпусирования на уровне пластин путем формирования рельефа сквозных соединений через кремний (TSV) и/или путем осаждения и путем формирования столбиковых выводов, причем указанная жидкая композиция не содержит N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, обладает динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержит, исходя из полного веса композиции,
(A) от 40 до 99.95 мас.%, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.%, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17617909P | 2009-05-07 | 2009-05-07 | |
| US61/176,179 | 2009-05-07 | ||
| PCT/EP2010/055205 WO2010127943A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-04-20 | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011149552A true RU2011149552A (ru) | 2013-06-20 |
| RU2551841C2 RU2551841C2 (ru) | 2015-05-27 |
Family
ID=42271987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011149552/04A RU2551841C2 (ru) | 2009-05-07 | 2010-04-20 | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9146471B2 (ru) |
| EP (1) | EP2427804B1 (ru) |
| JP (1) | JP5836932B2 (ru) |
| KR (1) | KR101799602B1 (ru) |
| CN (1) | CN102804074B (ru) |
| IL (1) | IL215954A (ru) |
| MY (1) | MY158776A (ru) |
| RU (1) | RU2551841C2 (ru) |
| SG (2) | SG175820A1 (ru) |
| TW (1) | TWI492001B (ru) |
| WO (1) | WO2010127943A1 (ru) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2585322C2 (ru) | 2011-03-18 | 2016-05-27 | Басф Се | Способ получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств, имеющих слои структурированного материала со строчным интервалом 50 нм и менее |
| KR102122182B1 (ko) * | 2012-03-16 | 2020-06-12 | 바스프 에스이 | 포토레지스트 박리 및 세정 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 용도 |
| KR102107370B1 (ko) * | 2012-07-16 | 2020-05-07 | 바스프 에스이 | 집적 회로 기기, 광학 기기, 초소형 기계 장비 및 정밀 기계 장비 제조용 조성물 |
| JP5876189B2 (ja) * | 2012-07-24 | 2016-03-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 金属粒子層の形成方法、及び、発光素子の製造方法 |
| JP6165665B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2017-07-19 | 信越化学工業株式会社 | 基板の洗浄方法 |
| US9472420B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
| CN104774697A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-07-15 | 苏州永创达电子有限公司 | 一种液晶清洗剂 |
| US9976111B2 (en) | 2015-05-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | TiN hard mask and etch residual removal |
| KR102384908B1 (ko) * | 2015-11-25 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 자성 패턴 세정 조성물, 자성 패턴 형성 방법 및 자기 메모리 장치의 제조 방법 |
| KR20180087624A (ko) | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
| US11175587B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-11-16 | Versum Materials Us, Llc | Stripper solutions and methods of using stripper solutions |
| US10948826B2 (en) * | 2018-03-07 | 2021-03-16 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist stripper |
| KR102735628B1 (ko) | 2018-12-19 | 2024-12-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 제조방법 |
| JP7273660B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-05-15 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
| KR102794011B1 (ko) | 2020-10-30 | 2025-04-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
| KR20220150134A (ko) * | 2021-05-03 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 박리 조성물과 이를 이용하는 반도체 소자 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
| TWI861658B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-11-11 | 達興材料股份有限公司 | 清潔組合物、清洗方法和半導體製造方法 |
| CN117031895B (zh) * | 2023-08-17 | 2024-10-15 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种芯片光刻胶剥离液、其制备方法及用途 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1834588A1 (ru) * | 1989-12-07 | 1996-07-10 | Научно-исследовательский институт точного машиностроения | Способ формирования рельефа интегральных микросхем |
| CA2193905A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-06-24 | Luc Ouellet | Integrated processing for an etch module |
| JPH10239865A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Jsr Corp | ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物 |
| US6218078B1 (en) | 1997-09-24 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Creation of an etch hardmask by spin-on technique |
| US5919599A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
| US7579308B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-08-25 | Ekc/Dupont Electronics Technologies | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
| RU2145156C1 (ru) * | 1999-02-09 | 2000-01-27 | Нижегородский государственный технический университет | Способ формирования структур в микроэлектронике |
| GB0009112D0 (en) * | 2000-04-12 | 2000-05-31 | Ekc Technology Ltd | Inhibition of titanium corrosion |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| TW575783B (en) | 2001-07-13 | 2004-02-11 | Ekc Technology Inc | Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition |
| US20040256358A1 (en) * | 2001-11-02 | 2004-12-23 | Hidetaka Shimizu | Method for releasing resist |
| US20030148624A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Kazuto Ikemoto | Method for removing resists |
| KR101017738B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2011-02-28 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물 |
| DE60328014D1 (de) * | 2002-04-25 | 2009-07-30 | Fujifilm Electronic Materials | Nicht korrodierende reinigungsmittel zur entfernung von ätzmittelrückständen |
| JP3516446B2 (ja) | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
| JP4443864B2 (ja) | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
| US7399365B2 (en) | 2003-04-18 | 2008-07-15 | Ekc Technology, Inc. | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices |
| KR20060014388A (ko) | 2003-05-02 | 2006-02-15 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반도체 공정에서의 에칭후 잔류물의 제거 방법 |
| RU2263998C2 (ru) * | 2003-06-05 | 2005-11-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором |
| KR101043397B1 (ko) | 2003-07-10 | 2011-06-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 티에프티 엘시디 제조 공정의 칼라 레지스트 제거용박리액 조성물 |
| US7384900B2 (en) * | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| JP2005181802A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | レジスト剥離液組成物 |
| US9217929B2 (en) | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
| US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
| US7432210B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Process to open carbon based hardmask |
| KR100908601B1 (ko) | 2007-06-05 | 2009-07-21 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 |
| US7884019B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects |
| US7981812B2 (en) | 2007-07-08 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming ultra thin structures on a substrate |
| CN101398638A (zh) | 2007-09-29 | 2009-04-01 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| US20090121353A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Ramappa Deepak A | Dual damascene beol integration without dummy fill structures to reduce parasitic capacitance |
| CN101578341A (zh) * | 2008-01-07 | 2009-11-11 | 巴斯夫欧洲公司 | 有机涂膜剥离用组合物及剥离有机涂膜的方法 |
| CN102017015B (zh) | 2008-04-28 | 2013-01-16 | 巴斯夫欧洲公司 | 可由双聚合获得的低k电介质 |
| MY177445A (en) | 2008-05-26 | 2020-09-15 | Basf Se | Method of making porous materials and porous materials prepared thereof |
| US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| WO2010127941A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Basf Se | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
-
2010
- 2010-04-20 KR KR1020117029143A patent/KR101799602B1/ko active Active
- 2010-04-20 CN CN201080030190.1A patent/CN102804074B/zh active Active
- 2010-04-20 MY MYPI2011005271A patent/MY158776A/en unknown
- 2010-04-20 WO PCT/EP2010/055205 patent/WO2010127943A1/en not_active Ceased
- 2010-04-20 SG SG2011079381A patent/SG175820A1/en unknown
- 2010-04-20 RU RU2011149552/04A patent/RU2551841C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-04-20 US US13/319,187 patent/US9146471B2/en active Active
- 2010-04-20 EP EP10715225.8A patent/EP2427804B1/en active Active
- 2010-04-20 JP JP2012508978A patent/JP5836932B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-20 SG SG10201402081TA patent/SG10201402081TA/en unknown
- 2010-05-06 TW TW099114548A patent/TWI492001B/zh active
-
2011
- 2011-10-26 IL IL215954A patent/IL215954A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120058644A1 (en) | 2012-03-08 |
| IL215954A0 (en) | 2012-01-31 |
| JP2012526295A (ja) | 2012-10-25 |
| MY158776A (en) | 2016-11-15 |
| RU2551841C2 (ru) | 2015-05-27 |
| TW201044124A (en) | 2010-12-16 |
| US9146471B2 (en) | 2015-09-29 |
| KR101799602B1 (ko) | 2017-11-20 |
| CN102804074A (zh) | 2012-11-28 |
| KR20120024714A (ko) | 2012-03-14 |
| IL215954A (en) | 2017-01-31 |
| WO2010127943A1 (en) | 2010-11-11 |
| SG175820A1 (en) | 2011-12-29 |
| CN102804074B (zh) | 2015-03-04 |
| EP2427804B1 (en) | 2019-10-02 |
| EP2427804A1 (en) | 2012-03-14 |
| SG10201402081TA (en) | 2014-07-30 |
| TWI492001B (zh) | 2015-07-11 |
| JP5836932B2 (ja) | 2015-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011149552A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
| RU2011149551A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
| TWI304525B (ru) | ||
| CN107850859A (zh) | 用于去除半导体基板上光阻剂的剥离组合物 | |
| JP7291704B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| TWI795433B (zh) | 用於移除乾膜光阻的剝離組成物及使用所述組成物的剝離方法 | |
| TW201100980A (en) | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices | |
| JP2014048667A (ja) | 厚膜のネガ型フォトレジスト用剥離液組成物{strippercompositionforthicknegativephotoresist} | |
| TWI500762B (zh) | 用於電子裝置之清潔液組成物 | |
| TW201635052A (zh) | 用於自基板移除物質之溶液及方法 | |
| CN101373340B (zh) | 一种光刻胶清洗剂 | |
| CN112711176A (zh) | 一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法 | |
| TWI665177B (zh) | 用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之組成物 | |
| CN102981376A (zh) | 一种光刻胶清洗液 | |
| CN111566567B (zh) | 树脂掩膜剥离用清洗剂组合物 | |
| JP2002214805A (ja) | レジスト剥離剤 | |
| CN114008539B (zh) | 清洗方法 | |
| KR102794011B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 | |
| CN102955380A (zh) | 一种低蚀刻光刻胶清洗液 | |
| TW202546157A (zh) | 剝離液組合物 | |
| KR20080085274A (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190421 |