Claims (8)
1. Способ создания структуры - кремний на изоляторе для СБИС, включающий осаждение первого слоя металла на первой пластине кремния со сформированным на ней диэлектрическим слоем, соединение ее со второй пластиной кремния, так что осажденные слои оказываются между пластинами, сращивание соединенных пластин путем нагревания до образования между ними слоя металлида-силицида металла, утонение одной из пластин кремния, отличающийся тем, что на первой пластине на первый слой металла осаждают слой легкоплавкого металла или сплава, а на вторую пластину осаждают слои из металла и легкоплавкого металла или сплава, подобные слоям, осажденным на первой пластине, и сращивание проводят по крайней мере в две стадии, первую стадию - низкотемпературную при температуре незначительно выше температуры плавления легкоплавкого металла или сплава, но ниже температуры активации диффузионных процессов, с образованием жидкой фазы металла, вторую стадию - при температуре, обеспечивающей образование твердой фазы металлида, после чего проводят утонение одной из пластин.1. The way to create the structure is silicon on an insulator for VLSI, including the deposition of the first metal layer on the first silicon wafer with the dielectric layer formed on it, connecting it to the second silicon wafer, so that the deposited layers are between the wafers, splicing the connected wafers by heating to form between them of a metal metallide-silicide layer, thinning of one of the silicon wafers, characterized in that on the first plate a layer of fusible metal or alloy is deposited on the first metal layer, and on the second layers of metal and a fusible metal or alloy are deposited on the plate, similar to the layers deposited on the first plate, and splicing is carried out in at least two stages, the first stage is low-temperature at a temperature slightly higher than the melting point of the low-melting metal or alloy, but lower than the activation temperature of diffusion processes , with the formation of the liquid phase of the metal, the second stage is at a temperature that ensures the formation of the solid phase of the metallide, after which one of the plates is thinned.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что утонение проводят на первой пластине над диэлектрическим слоем.2. The method according to claim 1, characterized in that the thinning is carried out on the first plate above the dielectric layer.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что утонение проводят на второй пластине над слоем металлида.3. The method according to claim 1, characterized in that the thinning is carried out on a second plate above a layer of metallide.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что перед осаждением на вторую пластину слоев из металла и легкоплавкого металла или сплава, осаждают диффузионно-барьерный слой.4. The method according to claim 3, characterized in that before the deposition on the second plate of layers of metal and low-melting metal or alloy, a diffusion-barrier layer is deposited.
5. Способ по пп.1 и 3, отличающийся тем, что вместо первой пластины кремния использована подложка из диэлектрического материала.5. The method according to claims 1 and 3, characterized in that instead of the first silicon plate, a substrate of dielectric material is used.
6. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что вместо второй пластины кремния использована подложка из диэлектрического материала.6. The method according to claims 1 and 2, characterized in that instead of the second silicon wafer, a substrate of dielectric material is used.
7. Способ по пп.5 и 6, отличающийся тем, что диэлектрический материал выбирают из группы материалов с высокой теплопроводностью.7. The method according to PP.5 and 6, characterized in that the dielectric material is selected from the group of materials with high thermal conductivity.
8. Способ по пп.5-7, отличающийся тем, что в качестве подложки используют подложки из алмазоподобного углерода, нитрида бора, окиси алюминия (сапфира).8. The method according to PP.5-7, characterized in that the substrate is used as a substrate of diamond-like carbon, boron nitride, aluminum oxide (sapphire).