RU2002129130A - Способ создания структуры кремний на диэлектрике - Google Patents
Способ создания структуры кремний на диэлектрикеInfo
- Publication number
- RU2002129130A RU2002129130A RU2002129130/28A RU2002129130A RU2002129130A RU 2002129130 A RU2002129130 A RU 2002129130A RU 2002129130/28 A RU2002129130/28 A RU 2002129130/28A RU 2002129130 A RU2002129130 A RU 2002129130A RU 2002129130 A RU2002129130 A RU 2002129130A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- plate
- layer
- deposited
- alloy
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims 1
Claims (8)
1. Способ создания структуры - кремний на изоляторе для СБИС, включающий осаждение первого слоя металла на первой пластине кремния со сформированным на ней диэлектрическим слоем, соединение ее со второй пластиной кремния, так что осажденные слои оказываются между пластинами, сращивание соединенных пластин путем нагревания до образования между ними слоя металлида-силицида металла, утонение одной из пластин кремния, отличающийся тем, что на первой пластине на первый слой металла осаждают слой легкоплавкого металла или сплава, а на вторую пластину осаждают слои из металла и легкоплавкого металла или сплава, подобные слоям, осажденным на первой пластине, и сращивание проводят по крайней мере в две стадии, первую стадию - низкотемпературную при температуре незначительно выше температуры плавления легкоплавкого металла или сплава, но ниже температуры активации диффузионных процессов, с образованием жидкой фазы металла, вторую стадию - при температуре, обеспечивающей образование твердой фазы металлида, после чего проводят утонение одной из пластин.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что утонение проводят на первой пластине над диэлектрическим слоем.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что утонение проводят на второй пластине над слоем металлида.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что перед осаждением на вторую пластину слоев из металла и легкоплавкого металла или сплава, осаждают диффузионно-барьерный слой.
5. Способ по пп.1 и 3, отличающийся тем, что вместо первой пластины кремния использована подложка из диэлектрического материала.
6. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что вместо второй пластины кремния использована подложка из диэлектрического материала.
7. Способ по пп.5 и 6, отличающийся тем, что диэлектрический материал выбирают из группы материалов с высокой теплопроводностью.
8. Способ по пп.5-7, отличающийся тем, что в качестве подложки используют подложки из алмазоподобного углерода, нитрида бора, окиси алюминия (сапфира).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002129130/28A RU2234164C2 (ru) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002129130/28A RU2234164C2 (ru) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002129130A true RU2002129130A (ru) | 2004-04-27 |
| RU2234164C2 RU2234164C2 (ru) | 2004-08-10 |
Family
ID=33413143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002129130/28A RU2234164C2 (ru) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2234164C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2412504C1 (ru) * | 2009-07-06 | 2011-02-20 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ изготовления структуры кремния на изоляторе |
| RU2704199C1 (ru) * | 2019-01-10 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ создания структуры - кремний на изоляторе |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5387555A (en) * | 1992-09-03 | 1995-02-07 | Harris Corporation | Bonded wafer processing with metal silicidation |
| SU1814430A1 (ru) * | 1991-02-28 | 1996-04-20 | Научно-производственное объединение "Пульсар" | Способ изготовления многослойных кремниевых структур |
| RU2071145C1 (ru) * | 1993-08-25 | 1996-12-27 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале |
| RU2149481C1 (ru) * | 1998-12-30 | 2000-05-20 | Акционерное общество открытого типа "Научно - исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис (варианты) |
-
2002
- 2002-10-31 RU RU2002129130/28A patent/RU2234164C2/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102087754B1 (ko) | Led들 또는 태양 전지들의 구조들을 제조하는 방법 | |
| US7915144B2 (en) | Methods for forming thermotunnel generators having closely-spaced electrodes | |
| US20150214055A1 (en) | Systems and methods for bidirectional device fabrication | |
| EP0804802B1 (en) | A method of producing an ohmic contact for a semiconductor device | |
| FR2765398A1 (fr) | Structure a composant microelectronique en materiau semi-conducteur difficile a graver et a trous metallises | |
| JP2013543276A (ja) | 無線周波数用途又は電力用途のための電子装置及びそのような装置を製造するためのプロセス | |
| JPH0778908A (ja) | 改良された放熱能力を有する基板構造の製造方法 | |
| TW201230181A (en) | Process for cleaving a substrate | |
| US10032670B2 (en) | Plasma dicing of silicon carbide | |
| US11316058B2 (en) | Stacked multi-junction solar cell with a metallization comprising a multilayer system | |
| JPH1041377A (ja) | 静電チャック装置 | |
| US5843520A (en) | Substrate clamp design for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers | |
| JP2800788B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002373931A (ja) | ウエハハンドリング方法 | |
| US5930661A (en) | Substrate clamp design for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers | |
| JP2008526009A (ja) | 回路を接地面に移動する方法 | |
| JPH02199860A (ja) | 高密度半導体構造体及びその製造方法 | |
| RU2002129130A (ru) | Способ создания структуры кремний на диэлектрике | |
| RU2234164C2 (ru) | Способ создания структуры - кремний на изоляторе для сбис | |
| US5873983A (en) | Method for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers | |
| JP4800529B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2001035854A (ja) | 膜の形成方法および電極あるいは配線の形成方法 | |
| TWI264128B (en) | Manufacturing method of heat sink having diamond layer and product thereof | |
| JPS5951549A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| RU2002129131A (ru) | Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике |