JP7279781B2 - 樹脂多層基板及び電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板、及び、信号線とグランド導体とを有する電子部品に関する。

多層基板の絶縁樹脂基材層は一般的に吸水性を有する。そのため、例えばリフローはんだ等の工程で加熱された際に、絶縁樹脂基材層からの水分の放出が起こる。その際、絶縁樹脂基材層に形成されている導体パターンが面状に拡がりを有する導体パターンである場合に、絶縁樹脂基材層内部から抜けようとするガスの圧力に起因したデラミネーション（層間剥離）や変形（膨張や泡状突起）等の不良が生じることがある。

特許文献１には、回路部としての配線部と、配線部に電気的に接続されるランドと、配線部及びランドとは電気的に絶縁状態にある金属パターンとにより構成される導体パターンを備える熱可塑性樹脂の多層基板において、金属パターンに、積層方向に貫通する微小なガス抜き穴を設けた構成が示されている。

上記ガス抜き穴は、加熱時に基板内に生じるガスを通して、排出経路の短い方向にガスを排出する。このことにより、多層基板内に残留するガス量が低減し、加熱時に生じるデラミネーションや変形が低減される。

特開２００５－１３６３４７号公報

導体パターンが形成された複数の絶縁樹脂基材層が積層されてなる樹脂多層基板においては、加熱時における導体パターンと絶縁樹脂基材層との挙動が異なるので、そのことに起因して多層基板が変形しやすい。例えば、導体パターンが銅箔などの金属箔である場合には、導体パターンはその線膨張係数に応じて膨張収縮を行うが、絶縁樹脂基材層はガラス転移温度の前後で組成の性状が変化し、それに伴って膨張収縮が生じる。その結果、樹脂多層基板は、加熱工程を経ることで、反りや捻れ等の積層方向の変形や、面内方向の歪みが発生しやすい。

特許文献１に記載の樹脂多層基板の構造では、その樹脂多層基板の外縁付近や端部にガス抜き穴が形成されていると、樹脂多層基板が熱を受けた際に、樹脂多層基板の外縁付近や端部での、導体パターンと絶縁樹脂基材層との界面に掛かる応力が不均等になって、上記変形や歪みが顕著になるおそれがある。

そこで、本発明の目的は、絶縁樹脂基材層に生じるガス圧に起因するデラミネーションや変形を抑制しつつ、膨張収縮による樹脂多層基板の変形や歪みを抑制した樹脂多層基板及び電子部品を提供することにある。

本開示の一例としての樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の主面に形成された、枠状又は面状に拡がる平面導体を含み、
前記平面導体は複数の開口を有し、
前記平面導体の外周部における前記複数の開口の開口率は、前記平面導体の内周部における前記複数の開口の開口率より低い。

本開示の一例としての樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の主面に形成された、枠状又は面状に拡がる平面導体を含み、
前記平面導体は複数の開口を有し、
前記複数の開口は、複数の開口が周期的に配置された第１開口群と、前記第１開口群よりも、前記平面導体の外縁に近い、複数の開口が周期的に配置された第２開口群とを含み、
前記第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、前記第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きい。

本開示の一例としての樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の主面に形成された、枠状又は面状に拡がる平面導体を含み、
前記平面導体は複数の開口を有し、
前記複数の開口のそれぞれは、平面視したときに、前記平面導体の外縁から内側に向かって前記平面導体の外縁から内側に向かう方向に直交する方向の幅が太くなる形状を有し、
前記複数の開口は、周期的に並んでいる。

本開示の一例としての電子部品は、
複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向に視て前記信号線に重なり面状に拡がるグランド導体と、を含み、
前記グランド導体は複数の開口を有し、
前記グランド導体の外側部における前記複数の開口の開口率は、前記グランド導体の内側部における前記複数の開口の開口率より低い。

内周部及び外周部について定義する。周期的に配置された２つの開口群である第１開口群と第１開口群よりも平面導体の外縁に近い第２開口群とがある場合に、第１開口群の複数の開口に並ぶ方向に沿って、第１開口群を囲む平面導体の領域を内周部、第２開口群の並ぶ方向に沿って、第２開口群を囲む平面導体の領域を外周部と定義する。外縁に近い開口群とは、開口群の各開口と外縁との距離の平均値が小さい開口群である。また、内周部は第２開口群を含まない。外周部は第１開口群を含まない。

内側部及び外側部について定義する。外側部及び内側部は、積層方向に視て、信号線に重なる信号形成領域より外側の領域である。外側部は、積層方向に視て、内側部より外側の領域である。外側部は、グランド導体の外縁を含んでいる。

ここで、複数の開口の「開口率」とは、単位面積あたりの開口面積の比率である。したがって、上記開口は、例えば次のような関係である。

（１）外周部又は外側部に周期的に並ぶ開口のサイズ(平断面積)が、内周部又は内側部に周期的に並ぶ開口のサイズよりも小さい。ここで、外周部又は外側部に並ぶ開口の周期(配列方向に隣り合う開口同士の間隔の周期)と、内周部又は内側部に並ぶ開口の周期と、は等しい。

（２）外周部又は外側部に設けられる開口の数が、内周部又は内側部に設けられる開口の数よりも少ない。このことは、外周部又は外側部に設けられる開口の分布密度が、内周部又は内側部に設けられる開口の分布密度よりも小さい、ということもできる。

（３）周期的に並ぶ開口の形状が、内周部又は内側部に比較して、外周部又は外側部で先細りの形状である。このことは、周期的に並ぶ開口の並び方向の幅が、内周部又は内側部に比較して、外周部又は外側部において細い、ということもできる。換言すれば、平面導体の外縁から内側に向かって、周期的に並ぶ開口の並び方向の幅が太くなる周期的な開口があるということである。

本発明によれば、絶縁樹脂基材層に生じるガス圧に起因するデラミネーションや変形が抑制され、かつ膨張収縮による樹脂多層基板の変形や歪みが抑制された樹脂多層基板及び電子部品が得られる。

図１は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１１０の平面図である。 図２は樹脂多層基板１１０から分離された一つの電子部品１１１の斜視図である。 図３（Ａ）は図２におけるＡ－Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は、電子部品１１１が回路基板２０１に実装された状態での断面図である。 図４は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１２０の平面図である。 図５は第２の実施形態に係る電子部品１１２の実装構造を示す斜視図である。 図６は図５におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。 図７は電子部品１１２の分解平面図である。 図８（Ａ）は、図７におけるＹ１－Ｙ１部分での縦断面図であり、図８（Ｂ）は、図７におけるＹ２－Ｙ２部分での縦断面図である。 図９は第２の実施形態に係る電子部品の分解平面図である。 図１０は第３の実施形態に係る樹脂多層基板の部分平面図である。 図１１は、第４の実施形態に係る電子部品の部分平面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１１０の平面図である。この樹脂多層基板１１０は、複数の電子部品（この例では二つの電子部品）１１１を構成する電子部品構成領域ＡＣと、電子部品構成領域ＡＣを支持する枠領域ＡＦとを備える集合基板である。つまり、電子部品１１１は、上記集合基板を「親基板」とするときの「子基板」に相当する。図２は樹脂多層基板１１０から分離された一つの電子部品１１１の斜視図である。ここで、「電子部品」とは、能動素子や受動素子に限らず、電子回路装置に用いられる電子部品、としての広義の呼び名である。

樹脂多層基板１１０は、複数の絶縁樹脂基材層と、複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する。樹脂多層基板１１０にはグランド導体２２が形成されている。このグランド導体２２は、本発明に係る「面状に拡がる平面導体」に相当する。

グランド導体２２は、ガス抜き用の複数の開口を有する。複数の開口は、複数の開口ＡＰ２が周期的に配置された第１開口群と、第１開口群よりも、平面導体の外縁に近い、複数の開口ＡＰ１が周期的に配置された第２開口群とを含んでいる。これら開口のうち、開口ＡＰ１は、グランド導体２２の外周部Ａｏに形成されていて、開口ＡＰ２は、グランド導体２２の内周部Ａｉに形成されている。この例では、上記枠領域ＡＦの外周側が外周部Ａｏであり、内周側が内周部Ａｉである。従って、内周部Ａｉは、第１開口群を有し、第２開口群を有さない。外周部Ａｏは、第２開口群を有し、第１開口群を有さない。

上記開口ＡＰ１の直径は開口ＡＰ２の直径より小さい。そして、外周部Ａｏにおける複数の開口ＡＰ１による開口率は、内周部Ａｉにおける複数の開口ＡＰ２による開口率より低い。ここで、「開口率」とは、既に述べたとおり、単位面積あたりの開口面積の比率である。

また、開口ＡＰ２の数は、開口ＡＰ１の数と等しい。ただし、第１開口群に含まれる開口ＡＰ２の大きさは、第２開口群に含まれる開口ＡＰ１の大きさよりも大きい。これにより、第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きい。また、第１開口群における開口ＡＰ２の周期は、第２開口群における開口ＡＰ１の周期よりも短い。

このように、面状に拡がる平面導体であるグランド導体２２に複数の開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成されているので、加熱工程で、絶縁樹脂基材層内部から発生するガスが開口ＡＰ１，ＡＰ２から外部へ抜け出て、ガスの圧力に起因したデラミネーション（層間剥離）や変形（膨張や泡状突起）等の不良が防止できる。さらに、グランド導体２２の外周部Ａｏの開口率は内周部Ａｉの開口率より低いので、樹脂多層基板１１０の外縁付近や端部での、グランド導体２２と絶縁樹脂基材層との界面に掛かる応力の不均等性が抑制される。そのため、樹脂多層基板１１０の加熱による変形や歪みは小さい。

図２において、電子部品１１１は、後に示すように、例えば回路基板上に実装される表面実装電子部品である。電子部品１１１は、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２及び伝送線路部ＴＬを有する。第１接続部ＣＮ１、伝送線路部ＴＬ及び第２接続部ＣＮ２は、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。第１接続部ＣＮ１には、この図２に示す下面に信号電極Ｐ１及びグランド電極ＰＧ１が露出していて、第２接続部ＣＮ２には、信号電極Ｐ２及びグランド電極ＰＧ２が露出している。伝送線路部ＴＬには、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２との間を繋ぐ伝送線路が構成されている。

図３（Ａ）は図２におけるＡ－Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は、電子部品１１１が回路基板２０１に実装された状態での断面図である。

電子部品１１１は、四つの絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４による積層体の両面を覆うレジスト膜ＲＦと、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４に形成された複数の導体パターンと、を有する。これら導体パターンは、信号線１１と、絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の積層方向（Ｚ軸に平行な方向）から視て信号線１１に重なるグランド導体２１，２２とを含む。この信号線１１、グランド導体２１，２２、及び信号線１１とグランド導体２１，２２との間の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２によってストリップライン型の伝送線路が構成されている。

上記絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする熱可塑性樹脂基材である。

絶縁樹脂基材層Ｌ１にはグランド導体２１と層間接続用導体パターン２０とを接続する層間接続導体Ｖ１が形成されている。また、絶縁樹脂基材層Ｌ２には層間接続用導体パターン２０と導通する層間接続導体Ｖ２が形成されていて、絶縁樹脂基材層Ｌ３には層間接続用導体パターン２０と導通する層間接続導体Ｖ３が形成されていて、絶縁樹脂基材層Ｌ４には、グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２と層間接続導体Ｖ３とを接続する層間接続導体Ｖ４、及び信号電極Ｐ１，Ｐ２と層間接続導体Ｖ３とを接続する層間接続導体Ｖ４が形成されている。これら層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は、例えば絶縁樹脂基材層に設けた、層間接続導体形成用開口に、Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属もしくはそれらの合金の金属粉と樹脂成分を含む導電性ペーストを配設した後、積層プロセスにおける加熱プレス処理により固化させることによって設けられたビア導体である。

上記グランド導体２１，２２、及び信号線１１は、上記絶縁樹脂基材層に貼り付けられたCu箔がフォトリソグラフィによってパターンニングされたものである。

図３（Ｂ）に表れているように、回路基板２０１には、電子部品１１１の第１接続部ＣＮ１及び第２接続部ＣＮ２がそれぞれ接続される、回路基板側第１接続部ＣＮ１１及び回路基板側第２接続部ＣＮ１２が形成されている。

電子部品１１１の第１接続部ＣＮ１は、回路基板２０１の回路基板側第１接続部ＣＮ１１に形成されているパッド電極に、はんだＳＯを介して接続される。同様に、電子部品１１１の第２接続部ＣＮ２は、回路基板２０１の回路基板側第２接続部ＣＮ１２に形成されているパッド電極に、はんだＳＯを介して接続される。これらはんだＳＯは実装前にはプリコートされたはんだ、又は、はんだボールである。

図４は第１の実施形態に係る別の樹脂多層基板１２０の平面図である。図１に示した樹脂多層基板１１０とは、開口ＡＰ１，ＡＰ２の構成が異なる。また、グランド導体の構成が異なる。

樹脂多層基板１２０は、複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する。樹脂多層基板１２０にはグランド導体２２が形成されている。このグランド導体２２は、樹脂多層基板１２０の外周に沿った枠状グランド導体２２Ｆと内側グランド導体２２Ｃとで構成されている。

枠状グランド導体２２Ｆには、ガス抜き用の複数の開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成されている。これら開口のうち、開口ＡＰ１は、グランド導体２２の外周部Ａｏに形成されていて、開口ＡＰ２は、グランド導体２２の内周部Ａｉに形成されている。また、この例では、内側グランド導体２２Ｃに複数の開口ＡＰ３が形成されている。

上記開口のうち、開口ＡＰ１は、枠状グランド導体２２Ｆの外周部Ａｏに形成されていて、開口ＡＰ２は、枠状グランド導体２２Ｆの内周部Ａｉに形成されている。これら開口ＡＰ１，ＡＰ２の直径はいずれも等しい。ただし、第１開口群の有する開口ＡＰ２の数は、第２開口群の有する開口ＡＰ１の数よりも多い。さらに、第１開口群における開口ＡＰ２の周期は、第２開口群における開口ＡＰ１の周期よりも短い。これにより、第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きい。

複数の開口は、複数の開口ＡＰ２が周期的に配置された第１開口群と、前記第１開口群よりも、前記平面導体の外縁に近い、複数の開口ＡＰ１が周期的に配置された第２開口群とを含んでいる。更に、第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きい。これにより、加熱工程で、絶縁樹脂基材層内部から発生するガスが開口ＡＰ１，ＡＰ２から外部へ抜け出て、ガスの圧力に起因したデラミネーション（層間剥離）や変形（膨張や泡状突起）等の不良が防止できる。さらに、第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積は第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積より低いので、樹脂多層基板１１０の外縁付近や端部での、グランド導体２２と絶縁樹脂基材層との界面に掛かる応力の不均等性が抑制される。そのため、樹脂多層基板１１０の加熱による変形や歪みは小さい。

外周部Ａｏにおける開口ＡＰ１の分布密度は、内周部Ａｉにおける開口ＡＰ２の分布密度より小さい。つまり、外周部Ａｏにおける複数の開口ＡＰ１による開口率は、内周部Ａｉにおける複数の開口ＡＰ２による開口率より低い。複数の開口ＡＰ１による開口率は、複数の開口ＡＰ３による開口率に比べても低いことが好ましい。

このように、枠状に拡がる平面導体である枠状グランド導体２２Ｆに複数の開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成されているので、加熱工程で、絶縁樹脂基材層内部から発生するガスが開口ＡＰ１，ＡＰ２から外部へ抜け出て、ガスの圧力に起因したデラミネーション（層間剥離）や変形（膨張や泡状突起）等の不良が防止できる。さらに、グランド導体２２の（又は枠状グランド導体２２Ｆの）外周部Ａｏの開口率は内周部Ａｉの開口率より低いので、樹脂多層基板１２０の外縁付近や端部での、グランド導体２２と絶縁樹脂基材層との界面に掛かる応力の不均等性が抑制される。そのため、樹脂多層基板１２０の加熱による変形や歪みは小さい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、樹脂多層基板で構成される電子部品の例について示す。

図５は第２の実施形態に係る電子部品１１２の実装構造を示す斜視図である。図６は図５におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。本実施形態の電子部品１１２は、回路基板２０１に表面実装され、信号伝送線路として作用する。

図５、図６に示すように、本実施形態の電子部品は、複数の絶縁性樹脂基材層の積層体と、この積層体に形成された、伝送線路部ＴＬと、この伝送線路部ＴＬの第１部位に繋がる第１接続部ＣＮ１と、伝送線路部ＴＬの第２部位に繋がる第２接続部ＣＮ２と、を有する。

電子部品１１２は、図５、図６におけるＸ軸方向を長手方向とし、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２とが長手方向の両端に形成されている。

図６に表れているように、回路基板２０１には、電子部品１１２の第１接続部ＣＮ１および第２接続部ＣＮ２がそれぞれ接続される回路基板側第１接続部ＣＮ１１及び回路基板側第２接続部ＣＮ１２が形成されている。絶縁樹脂基材層Ｌ１～Ｌ４には所定位置に層間接続導体Ｖが形成されている。

図５に表れているように、回路基板２０１上に電子部品１１２を実装した状態で、電子部品１１２の伝送線路部ＴＬと回路基板２０１との間に電子部品が配置されている。

電子部品１１２の第１接続部ＣＮ１は、回路基板２０１の回路基板側第１接続部ＣＮ１１に形成されているパッド電極に、はんだＳＯを介して接続される。同様に、電子部品１１２の第２接続部ＣＮ２は、回路基板２０１の回路基板側第２接続部ＣＮ１２に形成されているパッド電極に、はんだＳＯを介して接続される。これらはんだＳＯは実装前にはプリコートされたはんだ、又は、はんだボールである。

図７は電子部品１１２の分解平面図である。図８（Ａ）は、図７におけるＹ１－Ｙ１部分での縦断面図であり、図８（Ｂ）は、図７におけるＹ２－Ｙ２部分での縦断面図である。なお、図７、図８（Ａ）、図８（Ｂ）では、説明の都合上、個片状態を図示するが、通常の製造工程では集合基板状態で行われる。

図７、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に表れているように、複数の絶縁樹脂基材層Ｌ１～Ｌ４と、これら複数の絶縁樹脂基材層Ｌ１～Ｌ４に形成された複数の導体パターンと、を有する。複数の導体パターンは、信号線１１と、複数の絶縁樹脂基材層Ｌ１～Ｌ４の積層方向（Ｚ軸に平行な方向）に視て信号線１１に重なり面状に拡がるグランド導体２１，２２と、を含む。この信号線１１、グランド導体２１，２２、及び信号線１１とグランド導体２１，２２との間の絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３によって、ストリップライン型の伝送線路が構成されている。複数の絶縁樹脂基材層Ｌ１～Ｌ４の積層体の上面の全体と第１接続部ＣＮ１及び第２接続部ＣＮ２の下面にはレジスト膜ＲＦが被覆されている。

グランド導体２１，２２は、外側部Ａｏｓと、内側部Ａｉｓと、信号線形成領域ＡＬとに分けることができる。ここで信号線形成領域ＡＬは、積層方向に視て、信号線１１に重なる部分を含む領域であり、外側部Ａｏｓ及び内側部Ａｉｓは信号線形成領域ＡＬより外側の領域である。外側部Ａｏｓは、内側部Ａｉｓより外側の領域である。外側部Ａｏｓは、グランド導体２１，２２の外縁を含んでいる。

グランド導体２１，２２は、複数の開口を有する。複数の開口は、複数の開口ＡＰ２が周期的に配置された第１開口群と、第１開口群よりも、平面導体の外縁に近い、複数の開口ＡＰ１が周期的に配置された第２開口群とを含んでいる。グランド導体２１，２２の外側部Ａｏｓにガス抜き用の複数の開口ＡＰ１が形成されていて、内側部Ａｉｓにガス抜き用の複数の開口ＡＰ２が形成されている。従って、内側部Ａｉｓは、第１開口群を有し、第２開口群を有さない。外側部Ａｏｓは、第２開口群を有し、第１開口群を有さない。開口ＡＰ１の直径は開口ＡＰ２の直径より小さい。そして、グランド導体２１，２２の、外側部Ａｏｓにおける複数の開口ＡＰ１の開口率は、内側部Ａｉｓにおける複数の開口ＡＰ２の開口率より低い。

また、開口ＡＰ２の数は、開口ＡＰ１の数と等しい。ただし、第１開口群に含まれる開口ＡＰ２の大きさは、第２開口群に含まれる開口ＡＰ１の大きさよりも大きい。これにより、第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きい。

このように、面状に拡がる平面導体であるグランド導体２１，２２に複数の開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成されているので、例えばリフローはんだ等の工程で加熱された際、絶縁樹脂基材層内部から発生するガスが開口ＡＰ１，ＡＰ２から外部へ抜け出て、ガスの圧力に起因したデラミネーション（層間剥離）や変形（膨張や泡状突起）等の不良が防止できる。さらに、グランド導体２１，２２の外側部Ａｏｓの開口率は内側部Ａｉｓの開口率より低いので、電子部品１１２の外縁付近や端部での、グランド導体２１，２２と絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ３との界面に掛かる応力の不均等性が抑制される。そのため、回路基板２０１への電子部品１１２の実装時の熱による変形や歪みは小さい。

従って、本実施形態の電子部品１１２は、層間剥離による外形や外面の変形が少なく、平坦性が確保されるので、このような長尺状の電子部品１１２であっても表面実装が可能となる。

図９は第２の実施形態に係る別の電子部品の分解平面図である。図７に示した電子部品とは、開口ＡＰ１，ＡＰ２の構成が異なる。

図９に表れているように、グランド導体２１，２２の外側部Ａｏｓにはガス抜き用の複数の開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成されている。開口ＡＰ１，ＡＰ２の直径はいずれも等しい。ただし、第１開口群の有する開口ＡＰ２の数は、第２開口群の有する開口ＡＰ１の数よりも多い。さらに、第１開口群における開口ＡＰ２の周期は、第２開口群における開口ＡＰ１の周期よりも短い。これにより、第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きい。

外側部Ａｏｓにおける開口ＡＰ１の分布密度は、内側部Ａｉｓにおける開口ＡＰ２の分布密度より小さい。つまり、外側部Ａｏｓにおける複数の開口ＡＰ１による開口率は、内側部Ａｉｓにおける複数の開口ＡＰ２による開口率より低い。

開口ＡＰ１，ＡＰ２のこのような構成によっても、電子部品の外縁付近や端部での、グランド導体２１，２２と絶縁樹脂基材層Ｌ１，Ｌ３との界面に掛かる応力の不均等性が抑制される。そのため、回路基板２０１への電子部品の実装時による変形や歪みは小さい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、これまでに示した例とは異なるガス抜き用開口の構成について示す。

図１０は第３の実施形態に係る樹脂多層基板の部分平面図である。図１に示した例では、グランド導体２２の外周部Ａｏにガス抜き用の複数の開口ＡＰ１が形成され、内周部Ａｉにガス抜き用の複数の開口ＡＰ２が形成されていたが、第３の実施形態では、外周部Ａｏから内周部Ａｉにかけて連続する複数の開口ＡＰが形成されている。他の構成は第１の実施形態で示した樹脂多層基板１１０の構成と同様である。

この例では、これら開口ＡＰが台形状であって、内周部Ａｉに比較して外周部Ａｏで先細り形状である。すなわち、複数の開口ＡＰのそれぞれは、積層方向に視て、グランド導体２２の外縁から内側に向かってグランド導体２２の外縁から内側に向かう方向に直交する方向の幅が太くなる形状を有している。複数の開口ＡＰは、周期的に並んでいる。そのことによって、外周部Ａｏにおける開口の開口率は内周部Ａｉにおける開口の開口率より低い。

本実施形態で示すように、複数の開口は外周部Ａｏと内周部Ａｉとに個別に分離配置する構成に限らず、複数の開口の一部又は全部が、外周部Ａｏから内周部Ａｉにかけて連続していてもよい。図１０に示した例では、開口ＡＰがテーパーを有する台形状であるが、開口ＡＰは、周期的に並ぶ開口の並び方向（図１０においてＸ軸に平行な方向）の幅が段階的に変化する形状であってもよい。

また、ここでは、樹脂多層基板について例示したが、電子部品においても同様に適用できる。例えば、図７において、外側部Ａｏｓから内側部Ａｉｓにかけて、連続する複数の開口ＡＰが形成されてもよい。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、これまでに示した例とは異なるガス抜き用開口の構成について示す。

図１１は、第４の実施形態に係る電子部品の部分平面図である。図７に示した例では、グランド導体２１，２２の外側部Ａｏｓにガス抜き用の複数の開口ＡＰ１と複数の層間接続導体（ビア導体）Ｖとが独立して形成されているが、第４の実施形態では、層間接続導体Ｖの周囲に（層間接続導体Ｖに重ならず、層間接続導体Ｖを部分的に囲むように）開口ＡＰ１が形成されている。他の構成は第２の実施形態で示した電子部品１１２の構成と同様である。

本実施形態においても、外側部Ａｏｓにおける開口ＡＰ１の開口率は内側部Ａｉｓにおける開口ＡＰ２の開口率より低い。

本実施形態で示すように、層間接続導体Ｖを囲むように開口ＡＰ１が形成されていることで、つまり、層間接続導体Ｖに開口ＡＰ１が近接しているので、層間接続導体Ｖから発生するガスが開口ＡＰ１から効果的に抜ける。また、開口ＡＰ１が層間接続導体Ｖに重なっていないので、層間接続導体Ｖの加熱プレス時に、導電ペーストが開口ＡＰ１から漏れ出ることもない。

上記層間接続導体Ｖと開口ＡＰ１との組は、外側部Ａｏｓに形成されることに限らず、内側部Ａｉｓに、層間接続導体Ｖと開口ＡＰ２との組が構成されていてもよい。また、層間接続導体Ｖと開口との組は、電子部品において外側部Ａｏｓや内側部Ａｉｓに設けられる構成に限らず、樹脂多層基板において外周部Ａｏや内周部Ａｉに設けられてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＣ…電子部品構成領域
ＡＦ…枠領域
ＡＬ…信号線形成領域
Ａｉ…内周部
Ａｏ…外周部
Ａｉｓ…内側部
Ａｏｓ…外側部
ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
ＣＮ１１…回路基板側第１接続部
ＣＮ１２…回路基板側第２接続部
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４…絶縁樹脂基材層
Ｐ１，Ｐ２…信号電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
ＲＦ…レジスト膜
ＳＯ…はんだ
ＴＬ…伝送線路部
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…層間接続導体
１１…信号線
２０…層間接続用導体パターン
２１，２２…グランド導体
２２Ｃ…内側グランド導体
２２Ｆ…枠状グランド導体
１１０…樹脂多層基板
１１１，１１２…電子部品
１２０…樹脂多層基板
２０１…回路基板

Claims (16)

1. 複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
   前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の主面に形成された、枠状又は面状に拡がる平面導体を含み、
   前記平面導体は複数の開口を有し、
   前記平面導体の外周部における前記複数の開口の開口率は、前記平面導体の内周部における前記複数の開口の開口率より低く、
   前記複数の開口は、複数の開口が周期的に配置された第１開口群と、前記第１開口群よりも、前記平面導体の外縁に近い、複数の開口が周期的に配置された第２開口群とを含み、
   前記第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、前記第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きく、
   前記内周部は、前記第１開口群を有し、前記第２開口群を有さず、
   前記外周部は、前記第２開口群を有し、前記第１開口群を有さず、
   前記第１開口群に含まれる開口の大きさは、前記第２開口群に含まれる開口の大きさよりも大きい、
   樹脂多層基板。
2. 前記第１開口群の有する開口の数は、前記第２開口群の有する開口の数よりも多い、
   請求項１に記載の樹脂多層基板。
3. 前記第１開口群における開口の周期は、前記第２開口群における開口の周期よりも短い、
   請求項１又は請求項２に記載の樹脂多層基板。
4. 前記複数の開口のそれぞれは、積層方向に視て、前記平面導体の外縁から内側に向かって前記平面導体の外縁から内側に向かう方向に直交する方向の幅が太くなる形状を有し、
   前記複数の開口は、周期的に並んでいる、
   請求項１に記載の樹脂多層基板。
5. 電子部品が構成される電子部品構成領域と、当該電子部品構成領域から前記電子部品が
   分離されるまで前記電子部品構成領域を支持する枠領域と、を備え、
   前記複数の開口は前記枠領域に配置されている、
   請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
6. 複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
   前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の主面に形成された、枠状又は面状に拡がる平面導体を含み、
   前記平面導体は複数の開口を有し、
   前記複数の開口のそれぞれは、平面視したときに、前記平面導体の外縁から内側に向かって前記平面導体の外縁から内側に向かう方向に直交する方向の幅が太くなる形状を有し、
   前記複数の開口は、周期的に並んでいる、
   樹脂多層基板。
7. 電子部品が構成される電子部品構成領域と、当該電子部品構成領域から前記電子部品が
   分離されるまで前記電子部品構成領域を支持する枠領域と、を備え、
   前記複数の開口は前記枠領域に配置されている、
   請求項６に記載の樹脂多層基板。
8. 複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
   前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向に視て前記信号線に重なり面状に拡がるグランド導体と、を含み、
   前記グランド導体は複数の開口を有し、
   前記グランド導体の外側部における前記複数の開口の開口率は、前記グランド導体の内側部における前記複数の開口の開口率より低く、
   前記複数の開口は、複数の開口が周期的に配置された第１開口群と、前記第１開口群よりも、前記グランド導体の外縁に近い、複数の開口が周期的に配置された第２開口群とを含み、
   前記第１開口群の平断面積の合計値である第１開口群面積は、前記第２開口群の平断面積の合計値である第２開口群面積よりも、大きく、
   前記内側部は、前記第１開口群を有し、前記第２開口群を有さず、
   前記外側部は、前記第２開口群を有し、前記第１開口群を有さず、
   前記第１開口群に含まれる開口の大きさは、前記第２開口群に含まれる開口の大きさよりも大きい、
   電子部品。
9. 前記第１開口群の有する開口の数は、前記第２開口群の有する開口の数よりも多い、
   請求項８に記載の電子部品。
10. 前記第１開口群における開口の周期は、前記第２開口群における開口の周期よりも短い、
    請求項８又は請求項９に記載の電子部品。
11. 前記複数の開口のそれぞれは、平面視したときに、前記グランド導体の外縁から内側に向かって前記グランド導体の外縁から内側に向かう方向に直交する方向の幅が太くなる形状を有し、
    前記複数の開口は、周期的に並んでいる、
    請求項８に記載の電子部品。
12. 外部の回路に接続される第１接続部及び第２接続部と、前記第１接続部と前記第２接続部との間を繋ぐ伝送線路部と、を備え、
    前記第１接続部及び前記第２接続部は、前記複数の開口を有する前記グランド導体を備える、
    請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の電子部品。
13. 前記外側部は、前記積層方向に視て前記グランド導体の外縁に接する領域であり、
    前記内側部は、前記積層方向に視て前記信号線に重なる部分を含む領域である信号線形成領域に接する領域であり、
    前記信号線形成領域の全ては、前記積層方向に視て前記グランド導体に重なり、
    前記外側部と前記内側部とは、互いに接している、
    請求項８ないし請求項１２のいずれかに記載の電子部品。
14. 複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
    前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向に視て前記信号線に重なり面状に拡がるグランド導体と、を含み、
    前記グランド導体は複数の開口を有し、
    前記グランド導体の外側部における前記複数の開口の開口率は、前記グランド導体の内側部における前記複数の開口の開口率より低く、
    前記複数の開口のそれぞれは、平面視したときに、前記グランド導体の外縁から内側に向かって前記グランド導体の外縁から内側に向かう方向に直交する方向の幅が太くなる形状を有し、
    前記複数の開口は、周期的に並んでいる、
    電子部品。
15. 複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
    前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向に視て前記信号線に重なり面状に拡がるグランド導体と、を含み、
    前記グランド導体は複数の開口を有し、
    前記グランド導体の外側部における前記複数の開口の開口率は、前記グランド導体の内側部における前記複数の開口の開口率より低く、
    外部の回路に接続される第１接続部及び第２接続部と、前記第１接続部と前記第２接続部との間を繋ぐ伝送線路部と、を備え、
    前記第１接続部及び前記第２接続部は、前記複数の開口を有する前記グランド導体を備える、
    電子部品。
16. 複数の絶縁樹脂基材層と、前記複数の絶縁樹脂基材層の内の少なくとも１以上の前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有し、
    前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向に視て前記信号線に重なり面状に拡がるグランド導体と、を含み、
    前記グランド導体は複数の開口を有し、
    前記グランド導体の外側部における前記複数の開口の開口率は、前記グランド導体の内側部における前記複数の開口の開口率より低く、
    前記外側部は、前記積層方向に視て前記グランド導体の外縁に接する領域であり、
    前記内側部は、前記積層方向に視て前記信号線に重なる部分を含む領域である信号線形成領域に接する領域であり、
    前記信号線形成領域の全ては、前記積層方向に視て前記グランド導体に重なり、
    前記外側部と前記内側部とは、互いに接している、
    電子部品。

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