JP7113275B2 - 電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、固体電解質層と電解液を有する電解コンデンサおよびその製造方法に関する。

小型かつ大容量でＥＳＲ（等価直列抵抗）の低いコンデンサとして、誘電体層を形成した陽極箔と、誘電体層の少なくとも一部を覆うように形成された固体電解質層と、電解液とを具備する電解コンデンサが有望視されている。例えば、特許文献１には、固体電解質層に、γ－ブチロラクトンまたはスルホラン等を含有する溶媒を含浸させた電解コンデンサが開示されている。

また、陽極箔と、固体電解質層と、金属窒化物又は金属からなる皮膜が形成された陰極箔とを具備する電解コンデンサが、例えば、特許文献２に開示されている。

特開２００９－１１１１７４号公報 特開２００４－１２８０４８号公報

しかし、固体電解質層と電解液を有する電解コンデンサにおいて、導電性高分子の分散体を用いて固体電解質層を形成すると、陰極箔にチタンの皮膜を形成しても、十分に高い静電容量および低いＥＳＲを得られない問題がある。

上記に鑑み、本発明は、高い静電容量と低いＥＳＲの電解コンデンサを提供することを目的とする。

本発明は、誘電体層を有する陽極箔と陰極箔とを備えたコンデンサ素子と、陽極箔と陰極箔との間に設けられた固体電解質層と、コンデンサ素子に含浸された電解液とを有し、陰極箔は、チタンおよびニッケルから選ばれる少なくとも１種の金属または化合物を含む被覆層を有し、固体電解質層は、導電性高分子と、高分子ドーパントと、塩基成分とを含む、電解コンデンサに関する。

また、本発明は、誘電体層が形成された陽極箔と陰極箔とを備えたコンデンサ素子を形成する工程と、陽極箔と陰極箔との間に固体電解質層を形成する工程と、固体電解質層が形成されたコンデンサ素子に電解液を含浸させる工程とを有し、陰極箔は、チタンおよびニッケルから選ばれる少なくとも１種の金属または化合物を含む被覆層が形成され、固体電解質層は、導電性高分子と、高分子ドーパントと、塩基成分と、溶媒とを含む分散体を、コンデンサ素子に含浸した後、溶媒の少なくとも一部を除去して形成される、電解コンデンサの製造方法に関する。

本発明によれば、高い静電容量と低いＥＳＲの電解コンデンサを提供することができる。

本発明の一実施形態に係る電解コンデンサの断面模式図である。 同実施形態に係るコンデンサ素子の構成を説明するための概略図である。

以下、本発明を実施形態に基づいて、より具体的に説明する。ただし、以下の実施形態は本発明を限定するものではない。

図１は、本実施形態に係る電解コンデンサの断面模式図であり、図２は、同電解コンデンサに係るコンデンサ素子の一部を展開した概略図である。

電解コンデンサは、例えば、コンデンサ素子１０と、コンデンサ素子１０を収容する有底ケース１１と、有底ケース１１の開口を塞ぐ封止部材１２と、封止部材１２を覆う座板１３と、封止部材１２から導出され、座板１３を貫通するリード線１４Ａ、１４Ｂと、リード線とコンデンサ素子１０の電極とを接続するリードタブ１５Ａ、１５Ｂと、電解液（図示せず）とを備える。有底ケース１１の開口端近傍は、内側に絞り加工されており、開口端は封止部材１２にかしめるようにカール加工されている。

コンデンサ素子１０は、リードタブ１５Ａと接続された陽極箔２１と、リードタブ１５Ｂと接続された陰極箔２２と、セパレータ２３とを備える。

陽極箔２１および陰極箔２２は、セパレータ２３を介して巻回されている。コンデンサ素子１０の最外周は、巻止めテープ２４により固定される。なお、図２は、コンデンサ素子１０の最外周を止める前の、一部が展開された状態を示している。

陽極箔２１は、表面が凹凸を有するように粗面化された金属箔を具備し、凹凸を有する金属箔上に誘電体層が形成されている。誘電体層の表面の少なくとも一部に、導電性高分子を付着させることにより、固体電解質層が形成される。固体電解質層は、陰極箔２２の表面および／またはセパレータ２３の表面の少なくとも一部を被覆していてもよい。固体電解質層が形成されたコンデンサ素子１０は、電解液とともに、有底ケース１１に収容される。

本発明に係る電解コンデンサは、誘電体層を有する陽極箔と、陰極箔と、誘電体層に接触した固体電解質層と、電解液とを備える。陰極箔は、チタンおよびニッケルから選ばれる少なくとも１種の金属または化合物を含む被覆層を有する。固体電解質層は、導電性高分子と高分子ドーパントと塩基成分を含む。

≪電解コンデンサの製造方法≫
以下、本実施形態に係る電解コンデンサの製造方法の一例について、工程ごとに説明する。

（i）誘電体層を有する陽極箔２１を準備する工程
まず、陽極箔２１の原料である金属箔を準備する。金属の種類は特に限定されないが、誘電体層の形成が容易である点から、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を用いることが好ましい。

次に、金属箔の表面を粗面化する。粗面化により、金属箔の表面に、複数の凹凸が形成される。粗面化は、金属箔をエッチング処理することにより行うことが好ましい。エッチング処理は、例えば直流電解法や交流電解法により行えばよい。

次に、粗面化された金属箔の表面に誘電体層を形成する。形成方法は特に限定されないが、金属箔を化成処理することにより形成することができる。化成処理では、例えば、金属箔をアジピン酸アンモニウム溶液などの化成液に浸漬し、熱処理する。また、金属箔を化成液に浸漬し、電圧を印加してもよい。

通常、量産性の観点から、大判の弁作用金属などの箔（金属箔）に対して、粗面化処理および化成処理が行われる。その場合、処理後の箔を所望の大きさに裁断することによって、陽極箔２１が準備される。

（ii）陰極箔２２を準備する工程
次に、金属箔と金属箔の表面に形成された被覆層とを有した陰極箔２２を準備する。陰極箔２２が被覆層を有していることで、コンデンサの静電容量を高めることができる。金属箔を構成する金属の種類は特に限定されないが、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を用いることが好ましい。必要に応じて、被覆層を形成する前に金属箔の表面を粗面化してもよい。

被覆層は、チタンおよびニッケルから選ばれる少なくとも１種の金属または化合物を含んでいる。金属化合物としては、窒化物、炭化物などを用いることができる。また、被覆層は、表面にカーボンを含む層を有していても良い。ただし、カーボン粒子を炭化アルミニウムによってアルミニウム箔表面に固着させた陰極箔は、後述する電解液中に含まれる微量の水分により、炭化アルミニウムが加水分解されため好ましくない。被覆層を形成する方法としては、真空蒸着法、化学気相蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの気相法を用いることができる。

（iii）コンデンサ素子１０の作製
次に、陽極箔２１および陰極箔２２を用いてコンデンサ素子１０を作製する。まず、陽極箔２１と陰極箔２２とを、セパレータ２３を介して巻回する。このとき、リードタブ１５Ａ、１５Ｂを巻き込みながら巻回することにより、図２に示すように、リードタブ１５Ａ、１５Ｂをコンデンサ素子１０から植立させることができる。

セパレータ２３の材料は、例えば、セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル、ビニロン、アラミド繊維などを主成分とする不織布を用いることができる。

リードタブ１５Ａ、１５Ｂの材料も特に限定されず、導電性材料であればよい。リードタブ１５Ａ、１５Ｂの各々に接続されるリード線１４Ａ、１４Ｂの材料についても、特に限定されず、導電性材料であればよい。

次に、巻回された陽極箔２１、陰極箔２２およびセパレータ２３のうち、最外層に位置する陰極箔２２の外側表面に、巻止めテープ２４を配置し、陰極箔２２の端部を巻止めテープ２４で固定する。なお、陽極箔２１を大判の金属箔を裁断することによって準備した場合には、陽極箔２１の裁断面に誘電体層を設けるために、巻回体に対し、さらに化成処理を行ってもよい。

（iv）固体電解質層を形成する工程
次に、高分子分散体を、誘電体層に含浸させ、誘電体層の少なくとも一部を覆う膜を形成する。高分子分散体は、溶媒と、導電性高分子と、高分子ドーパントと、塩基成分とを含む。高分子分散体は、溶媒に導電性高分子が溶解した溶液でもよく、溶媒に導電性高分子の粒子が分散した分散液でもよい。次に、乾燥により、形成された膜から溶媒を揮発させることにより、誘電体層の少なくとも一部を覆う緻密な固体電解質層が形成される。高
分子分散体は、溶媒中に均一に分布しているため、均一な固体電解質層を形成しやすい。これにより、コンデンサ素子１０が得られる。

塩基成分としては、アンモニア、１～３級アミン、４級アンモニウム、４級化アミジニウムなどを用いることが好ましい。１～３級アミンとしては、例えば、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどを用いることができる。４級アンモニウムとしては、例えば、テトラメチルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウムなどを用いることができる。４級化アミジニウムとしては、例えば、エチルジメチルイミダゾリニウム、テトラメチルイミダゾリニウムなどを用いることができる。

塩基成分を含んでいない高分子分散体は、化成皮膜を有している陰極箔に対する濡れ性に比べて、チタン、ニッケル、カーボンなどを含む被覆層を有している陰極箔に対する濡れ性が良くないため、得られた固体電解質層と陰極箔との密着性や被覆性が不十分になり、コンデンサの静電容量やＥＳＲが悪化する。一方、塩基成分を含む高分子分散体は、被覆層を有している陰極箔に対して濡れ性が良いため、得られた固体電解質層と陰極箔との密着性や被覆性が良くなり、コンデンサの静電容量やＥＳＲが向上する
高分子分散体は、例えば、液状成分に導電性高分子を分散させる方法、液状成分中で前駆体モノマーを重合させ、導電性高分子の粒子を生成させる方法などにより得ることができる。

導電性高分子としては、ポリピロール、ポリチオフェンおよびポリアニリンなどが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、２種以上のモノマーの共重合体でもよい。得られた固体電解質層が、このような導電性高分子を含むことにより、耐電圧特性のさらなる向上が期待できる。

なお、本明細書では、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなどは、それぞれ、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなどを基本骨格とする高分子を意味する。したがって、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなどには、それぞれの誘導体も含まれ得る。例えば、ポリチオフェンには、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などが含まれる。

高分子ドーパントとしては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸などのポリアニオンが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらは単独重合体であってもよく、２種以上のモノマーの共重合体であってもよい。なかでも、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）が好ましい。

高分子ドーパントの重量平均分子量は、特に限定されないが、均質な固体電解質層を形成しやすい点で、例えば１０００～５０００００であることが好ましい。

溶媒は、水でもよく、水と非水溶媒との混合物でもよく、非水溶媒でもよい。非水溶媒は、特に限定されないが、例えば、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒を用いることができる。プロトン性溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリアルキレングリコールなどのアルコール類、ホルムアルデヒド、１，４－ジオキサンなどのエーテル類などが例示できる。非プロトン性溶媒としては、N－メチルアセトアミド、N，N－ジメチルホルムアミド、N－メチル－２－ピロリドンなどのアミド類や、酢酸メチルなどのエステル類、メチルエチルケト
ンなどのケトン類などが例示できる。

高分子分散体に含まれる導電性高分子の濃度は、０．５～１０質量％であることが好ましい。また、導電性高分子の平均粒径Ｄ５０は、例えば０．０１～０．５μｍであることが好ましい。ここで、平均粒径Ｄ５０は、動的光散乱法による粒度分布測定装置により求められる体積粒度分布におけるメディアン径である。このような濃度の高分子分散体は、適度な厚みの固体電解質層を形成するのに適するとともに、誘電体層に含浸されやすい。

高分子分散体に含まれる塩基成分の濃度は、０．００１ｍｏｌ／ｋｇ以上０．０４ｍｏｌ／ｋｇ以下であることが好ましく、０．００３ｍｏｌ／ｋｇ以上０．０３ｍｏｌ／ｋｇ以下であることが特に好ましい。

高分子分散体を誘電体層の表面に付与する方法としては、例えば、容器に収容された高分子分散体に巻回体を浸漬させる方法が簡易で好ましい。浸漬時間は、巻回体のサイズにもよるが、例えば１秒～５時間、好ましくは１分～３０分である。また、含浸は、減圧下、例えば１０～１００ｋＰａ、好ましくは４０～１００ｋＰａの雰囲気で行うことが好ましい。また、高分子分散体に浸漬させながら、巻回体または高分子分散体に超音波振動を付与してもよい。高分子分散体から巻回体を引上げた後の乾燥は、例えば５０～３００℃で行うことが好ましく、１００～２００℃で行うことがより好ましい。

高分子分散体を誘電体層の表面に付与する工程と、コンデンサ素子１０を乾燥させる工程とは、２回以上繰り返してもよい。これらの工程を複数回行うことにより、誘電体層に対する固体電解質層の被覆率を高めることができる。このとき、誘電体層の表面だけでなく、陰極箔２２、セパレータ２３の表面にも固体電解質層が形成されてもよい。

以上により、陽極箔２１と陰極箔２２との間に固体電解質層が形成される。なお、誘電体層の表面に形成された固体電解質層は、事実上の陰極材料として機能する。

（v）コンデンサ素子１０に電解液を含浸させる工程
次に、コンデンサ素子１０に、電解液を含浸させる。コンデンサ素子１０に電解液を含浸させる方法は特に限定されない。例えば、容器に収容された電解液にコンデンサ素子１０を浸漬させる方法が簡易で好ましい。浸漬時間は、コンデンサ素子１０のサイズにもよるが、例えば１秒～５分である。含浸は、減圧下、例えば１０～１００ｋＰａ、好ましくは４０～１００ｋＰａの雰囲気で行うことが好ましい。

電解液は、多価アルコール、スルホン化合物、ラクトン化合物、カーボネート化合物、１価のアルコールなどを含むことができる。これらは単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。

多価アルコールは、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ポリアルキレングリコール、グリセリン、の少なくとも一つを含むことが望ましい。ポリアルキレングリコールとしては、平均分子量が２００～１０００のポリエチレングリコール、平均分子量が２００～５０００のポリプロピレングリコールを用いることが好ましい。

ラクトン化合物としては、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトンなどを用いることができる。カーボネート化合物としては、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、フルオロエチレンカーボネートなどを溶媒として含むことができる。特に、エチレングリコール、ポリアルキレングリコール、γ－ブチロラクトン、スルホランを用いることが望ましい
。

電解液は、溶質を含んでいてもよい。溶質として、酸成分、塩基成分、酸成分および塩基成分からなる塩、ニトロ化合物、フェノール化合物等を用いることができる。

酸成分は、有機酸、無機酸、有機酸と無機酸との複合化合物を用いることができる。有機酸としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、マレイン酸、アジピン酸、安息香酸、１，６－デカンジカルボン酸、１，７－オクタンジカルボン酸、アゼライン酸などのカルボン酸などを用いることができる。無機酸としては、硼酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、リン酸エステルなどを用いることができる。

有機酸と無機酸との複合化合物としては、ボロジサリチル酸、ボロジシュウ酸、ボロジグリコール酸等を用いることができる。

塩基成分は、１級～３級アミン、４級アンモニウム、４級化アミジニウム等を用いることができる。１級～３級アミンとしては、例えば、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどを用いることができる。４級アンモニウムとしては、例えば、テトラメチルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウムなどを用いることができる。４級化アミジニウムとしては、例えば、エチルジメチルイミダゾリニウム、テトラメチルイミダゾリニウムなどを用いることができる。

電解液に含まれる溶質の割合は、０～３０質量％であることが望ましい。この範囲では、電解液の粘度上昇が小さく、電圧の低下も生じにくい。

（vi）コンデンサ素子を封止する工程
次に、コンデンサ素子１０を封止する。具体的には、まず、リード線１４Ａ、１４Ｂが有底ケース１１の開口する上面に位置するように、コンデンサ素子１０を有底ケース１１に収納する。有底ケース１１の材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼、銅、鉄、真鍮などの金属あるいはこれらの合金を用いることができる。

次に、リード線１４Ａ、１４Ｂが貫通するように形成された封止部材１２を、コンデンサ素子１０の上方に配置し、コンデンサ素子１０を有底ケース１１内に封止する。次に、有底ケース１１の開口端近傍に、横絞り加工を施し、開口端を封止部材１２に加締めてカール加工する。そして、カール部分に座板１３を配置することによって、図１に示すような電解コンデンサが完成する。その後、電圧を印加しながら、エージング処理を行ってもよい。

封止部材１２は、ゴム成分を含む弾性材料で形成されている。ゴム成分としては、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ニトリルゴム（ＮＢＲ）、エチレンプロピレンゴム、エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、ハイパロン（商標）ゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどを用いることができる。封止部材１２は、カーボンブラック、シリカなどのフィラーを含んでもよい。

［実施例］
以下、実施例に基づいて、本発明をより詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

《実施例１》
本実施例では、定格電圧３５Ｖ、定格静電容量３３０μＦの巻回型の電解コンデンサを作製した。以下に、電解コンデンサの具体的な製造方法について説明する。

（陽極箔の準備）
厚さ１００μｍのアルミニウム箔にエッチング処理を行い、アルミニウム箔の表面を粗面化した。その後、アルミニウム箔の表面に、化成処理により、誘電体層を形成した。化成処理は、アジピン酸アンモニウム溶液にアルミニウム箔を浸漬し電圧を印加することにより行った。その後、アルミニウム箔を、縦×横が６ｍｍ×１２０ｍｍとなるように裁断して、陽極箔を準備した。

（陰極箔の準備）
厚さ５０μｍのアルミニウム箔にエッチング処理を行い、被覆層としてチタン層とカーボン層を順次形成した。その後、縦×横が６ｍｍ×１２０ｍｍとなるように裁断して、陰極箔を準備した。

（コンデンサ素子の作製）
陽極箔および陰極箔に陽極リードタブおよび陰極リードタブを接続し、陽極箔と陰極箔とを、リードタブを巻き込みながら、セパレータを介して巻回した。巻回体から突出する各リードタブの端部には、陽極リード線および陰極リード線をそれぞれ接続した。そして、作製された巻回体に対して、再度化成処理を行い、陽極箔の切断された端部に誘電体層を形成した。次に、巻回体の外側表面の端部を巻止めテープで固定してコンデンサ素子を作製した。

（高分子分散体の調製）
３，４－エチレンジオキシチオフェンと、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ、重量平均分子量１０万）とを、イオン交換水（液状成分）に溶かし、混合溶液を調製した。混合溶液を撹拌しながら、イオン交換水に溶かした硫酸鉄（III）（酸化剤）を添加し、重合反
応を行った。反応後、得られた反応液を透析し、未反応モノマーおよび過剰な酸化剤を除去し、約２質量％のＰＳＳがドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を含む高分子分散体を得た。その後、塩基成分としてアンモニアを高分子分散体１ｋｇに対して０．０２ｍｏｌ添加した。

（固体電解質層の形成）
減圧雰囲気（４０ｋＰａ）中で、所定容器に収容された高分子分散体にコンデンサ素子を５分間浸漬し、その後、高分子分散体からコンデンサ素子を引き上げた。次に、高分子分散体を含浸したコンデンサ素子を、１５０℃の乾燥炉内で２０分間乾燥させ、誘電体層の少なくとも一部を被覆する固体電解質層を形成した。

（電解液の含浸）
γブチロラクトン４０質量％と、スルホラン４０質量％と、フタル酸エチルジメチルアミン２０質量％を含む電解液を調製し、減圧雰囲気（４０ｋＰａ）中で、電解液にコンデンサ素子を５分間浸漬した。

（コンデンサ素子の封止）
電解液を含浸させたコンデンサ素子を封止して、電解コンデンサを完成させた。具体的には、有底ケースの開口側にリード線が位置するようにコンデンサ素子を有底ケースに収納し、リード線が貫通するように形成された封止部材（ゴム成分としてブチルゴムを含む弾性材料）をコンデンサ素子の上方に配置して、コンデンサ素子を有底ケース内に封止した。そして、有底ケースの開口端近傍に絞り加工を施し、更に開口端をカール加工し、カール部分に座板を配置することによって、図１に示すような電解コンデンサを完成させた
。その後、定格電圧を印加しながら、１３０℃で２時間エージング処理を行った。

《実施例２》
塩基成分としてジエチルアミンを用いたこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例３》
塩基成分としてジエタノールアミンを用いたこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例４》
塩基成分としてジメチルアミノエタノールを用いたこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例５》
アンモニアを高分子分散体１ｋｇに対して０．００１ｍｏｌ添加したこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例６》
アンモニアを高分子分散体１ｋｇに対して０．００３ｍｏｌ添加したこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例７》
アンモニアを高分子分散体１ｋｇに対して０．０３ｍｏｌ添加したこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例８》
アンモニアを高分子分散体１ｋｇに対して０．０４ｍｏｌ添加したこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例９》
被覆層として、チタン層およびカーボン層の代わりに、窒化チタン層を形成したこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《実施例１０》
被覆層として、チタン層およびカーボン層の代わりに、ニッケル層を形成したこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《比較例１》
被覆層の代わりに、２Ｖで化成した化成皮膜を形成した陰極箔を用いたこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

《比較例２》
高分子分散体に塩基成分を添加しなかったこと以外、実施例１と同様に電解コンデンサを作製し、同様に評価した。

［評価］
電解コンデンサの静電容量（μＦ）を測定した。具体的には、電解コンデンサについて４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、周波数１２０Ｈｚにおける静電容量（μＦ）を測定した。また、電解コンデンサのＥＳＲ値（ｍΩ）を測定した。具体的には、電解コンデ
ンサについて、４端子測定用のＬＣＲメータを用いて、周波数１００ｋＨｚにおけるＥＳＲ値（ｍΩ）を測定した。静電容量およびＥＳＲ値は、それぞれ、ランダムに選択した１２０個の電解コンデンサについて測定し、平均値を算出した。

本発明は、誘電体層の少なくとも一部を被覆する固体電解質層と、電解液とを具備する、電解コンデンサに利用することができる。

１０：コンデンサ素子、１１：有底ケース、１２：封止部材、１３：座板、１４Ａ，１４Ｂ：リード線、１５Ａ，１５Ｂ：リードタブ、２１：陽極箔、２２：陰極箔、２３：セパレータ、２４：巻止めテープ

Claims (7)

1. 表面に誘電体層を有する陽極箔と表面に被覆層を有する陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子と、
   前記陽極箔と前記陰極箔との間に設けられた固体電解質層と、
   前記コンデンサ素子に含浸された電解液と、を有し、
   前記被覆層は、チタンおよびニッケルから選ばれる少なくとも１種の金属またはその化合物を含み、
   前記固体電解質層は、導電性高分子と、高分子ドーパントと、塩基成分とを含み、
   前記塩基成分は、アンモニア、１～３級アミン、４級アンモニウムおよび４級化アミジニウムから選ばれる少なくとも１つであり、
   前記固体電解質層は、前記導電性高分子と、前記高分子ドーパントと、前記塩基成分と、溶媒とを含む分散体を、前記コンデンサ素子に含浸した後、前記溶媒の少なくとも一部を除去して形成された層であり、
   前記分散体に含まれる前記塩基成分の量は、０．００１ｍｏｌ／ｋｇ以上０．０３ｍｏｌ／ｋｇ以下（ただし、０．０３ｍｏｌ／ｋｇである場合を除く）である、電解コンデンサ。
2. 前記塩基成分は、アンモニア、ジエチルアミン、ジエタノールアミンおよびジメチルアミノエタノールから選ばれる少なくとも１つである、請求項１に記載の電解コンデンサ。
3. 前記被覆層は、カーボン層を含む、請求項１または２に記載の電解コンデンサ。
4. 表面に誘電体層が形成された陽極箔と表面に被覆層を有する陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子を形成する工程と、
   前記陽極箔と前記陰極箔との間に固体電解質層を形成する工程と、
   前記固体電解質層が形成された前記コンデンサ素子に電解液を含浸させる工程と
   を有し、
   前記被覆層は、チタンおよびニッケルから選ばれる少なくとも１種の金属またはその化合物を含み、
   前記固体電解質層は、導電性高分子と、高分子ドーパントと、塩基成分と、溶媒とを含む分散体を、前記コンデンサ素子に含浸した後、前記溶媒の少なくとも一部を除去して形成され、
   前記塩基成分は、アンモニア、１～３級アミン、４級アンモニウムおよび４級化アミジニウムから選ばれる少なくとも１つであり、
   前記分散体に含まれる前記塩基成分の量は、０．００１ｍｏｌ／ｋｇ以上０．０３ｍｏｌ／ｋｇ以下（ただし、０．０３ｍｏｌ／ｋｇである場合を除く）である、電解コンデンサの製造方法。
5. 前記塩基成分は、アンモニア、ジエチルアミン、ジエタノールアミンおよびジメチルアミノエタノールから選ばれる少なくとも１つである、請求項４に記載の電解コンデンサの製造方法。
6. 前記分散体に含まれる前記塩基成分の量は、０．００３ｍｏｌ／ｋｇ以上０．０３ｍｏｌ／ｋｇ以下（ただし、０．０３ｍｏｌ／ｋｇである場合を除く）である、請求項４または５に記載の電解コンデンサの製造方法。
7. 前記被覆層は、カーボン層を含む、請求項４～６のいずれかに記載の電解コンデンサの製造方法。

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