JP6806035B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特に、複層構造の外部電極を備えた積層セラミックコンデンサに関する。

近年、積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品は、従来に比べて過酷な環境下で使用されるようになってきている。
たとえば、携帯電話や携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、落下などの衝撃に耐えることが求められる。具体的には、積層セラミックコンデンサは、落下などの衝撃を受けても、実装基板から脱落せず、クラックが生じないようにする必要がある。また、ＥＣＵなどの車載機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、熱サイクルなどの衝撃に耐えることが求められる。具体的には、積層セラミックコンデンサは、熱サイクルを受けて実装基板が線膨張・収縮することにより発生するたわみ応力や外部電極にかかる引張り応力を受けても、クラックが生じないようにする必要がある。

上記のような要求に応じることを目的として、熱硬化性樹脂層を含む外部電極を備えた積層セラミックコンデンサが知られている。特許文献１では、従来の電極層とＮｉめっきとの間に、エポキシ系熱硬化性樹脂層を形成し、厳しい環境下でもコンデンサ本体（積層体）にクラックが入らないような対策を行っている（たわみ耐性の向上）。

特開平１１−１６２７７１号公報

しかしながら、特許文献１のように、電極層上に、たとえば、エポキシ系熱硬化性樹脂からなる樹脂層を設ける構造とする場合、電極層の先端を確実に樹脂層で覆わないと、落下衝撃や実装基板のたわみ応力が発生した際に、樹脂層において応力を十分に吸収することができず（すなわち、樹脂層内で凝集破壊を発生することができず）、コンデンサ本体にクラックが発生してしまうおそれがある。

近年、電子機器などの小型化が進んでいる中、このような設計保証の実現、具体的には、樹脂電極層形成の制御、樹脂電極層形成の精度の確保が徐々に困難化しつつあり、電極層の先端を確実に樹脂層で覆うことが容易ではなくなってきている。

それゆえに、この発明の主たる目的は、機械強度の設計保証が容易に達成でき、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することである。

この発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、内部電極層に接続される、端面上、および第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上に配置された一対の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、積層体の第２の主面が実装面とされ、一対の外部電極のそれぞれは、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、熱硬化性樹脂および金属成分を含む樹脂電極層と、熱硬化性樹脂を含み導電性成分を含まない樹脂層と、を含み、下地電極層は、第１の端面および第２の端面から第１の主面および第２の主面の一部、第１の側面および第２の側面の一部まで延びて配置されており、樹脂層は、少なくとも第２の主面側に位置する領域において、下地電極層の表面および前記下地電極層の先端部を完全に覆うように配置されており、樹脂電極層は、樹脂層が配置されていない部分における下地電極層を直接覆い、かつ、樹脂層上を覆う、積層セラミックコンデンサである。
この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、第２の主面側から第１の端面および第２の端面の少なくとも一部にまでそれぞれ延びて配置されることを特徴とする。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、第２の主面側から前記第１の端面および前記第２の端面の高さ方向の寸法の１／１０以上１／５以下の高さで設けられることが好ましい。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、第２の主面において、下地電極層が配置されていない領域全体を覆っていることが好ましい。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、第１の主面または第２の主面、第１の側面または第２の側面上に位置する下地電極層上の樹脂層の厚みと樹脂層上に位置する樹脂電極層の合計の厚みが、第１の端面または第２の端面上に位置する下地電極層に直接配置される樹脂電極層の厚みと略同等であることが好ましい。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂電極層上において、めっき層が配置されていることが好ましい。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、第１の主面側に位置する領域の少なくとも一部において、下地電極層を覆うように配置されており、樹脂電極層が、樹脂層が配置されていない部分における下地電極層を覆い、かつ、樹脂層上を覆うことが好ましい。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、第１の側面側および第２の側面側に位置する領域において、下地電極層を覆うように配置されており、樹脂電極層が、樹脂層が配置されていない部分における下地電極層を覆い、かつ、樹脂層上を覆うことが好ましい。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、第１の側面側および第２の側面側において、第１の端面および第２の端面の少なくとも一部にまで延びて配置され、樹脂電極層は、第１および第２の端面中央部のみで下地電極層と接続され、かつ、樹脂層上を覆うことが好ましい。

この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂層が、少なくとも第２の主面側に位置する下地電極層を覆うように配置されているので、樹脂電極層を形成するための制御方法や精度を考慮することなく、下地電極層の先端部分においても樹脂層で覆うことが可能になる。また、樹脂層には、導電性成分を有さないため、より高い弾性を付与することができることから、落下衝撃や実装基板のたわみ応力が発生した際に、より確実にその応力を吸収することができ、積層体にクラックが発生してしまうことを抑制することができる。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、樹脂層が、第２の主面において、下地電極層が配置されていない領域全体を覆うように形成されると、積層セラミックコンデンサの製造工程において、第２の主面の一部を露出するためにマスキングをする必要がないため、樹脂層を容易に形成することができる。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、樹脂電極層が、樹脂層の配置されていない部分における下地電極層を覆っていると、落下衝撃や実装基板たわみ応力が発生した際に、応力を吸収することができる。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、第１の主面または第２の主面、第１の側面または第２の側面上に位置する下地電極層上の樹脂層の厚みと樹脂層上に位置する樹脂電極層の合計の厚みは、第１の端面または第２の端面上に位置する下地電極層に直接配置される樹脂電極層の厚みと略同等であると、積層セラミックコンデンサの製品寸法を維持しつつ、上述した本発明の効果を得ることができる。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、樹脂層が、第１の主面側に位置する領域の少なくとも一部において、下地電極層を覆うように配置されており、樹脂電極層が、樹脂層の配置されていない部分における下地電極層を覆い、かつ、樹脂層上を覆うと、第１の主面および第２の主面のどちらにおいても、基板対して、積層セラミックコンデンサの実装が可能となり、積層セラミックコンデンサをテーピングする（すなわち、製品をくぼみ状に成型したテープに積層セラミックコンデンサを収納する）際に、積層セラミックコンデンサの実装方向の選別が不要になる。
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、樹脂層が、第１の側面側および第２の側面側に位置する領域において、下地電極層を覆うように配置され、樹脂電極層が、樹脂層の配置されていない部分における下地電極層を覆い、かつ、樹脂層上を覆うと、第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面のいずれにおいても、基板対して、積層セラミックコンデンサの実装が可能となり、積層セラミックコンデンサをテーピングする際に、積層セラミックコンデンサの実装方向の選別が不要になる。
さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、樹脂層が、第１の側面側および第２の側面側において、第１の端面および第２の端面の少なくとも一部にまで延びて配置され、樹脂電極層が、第１の端面および第２の端面のそれぞれの端面中央部のみで下地電極層と接続され、かつ、樹脂層上を覆うと、第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面のいずれにおいても、基板対して、積層セラミックコンデンサの実装が可能となり、積層セラミックコンデンサをテーピングする際に、積層セラミックコンデンサの実装方向の選別が不要になるとともに、下地電極層と樹脂電極等との導電性も確保することができる。

この発明によれば、機械強度の設計保証が容易に達成でき、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供し得る。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。 この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。 この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図７のＩＸ−ＩＸ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１０のＸＩ−ＸＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図１４のＸＶ−ＸＶ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線における断面図である。 この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線における断面図である。 この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図である。 この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１９のＸＸ−ＸＸ線における断面図である。 この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１９のＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図である。 この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線における断面図である。 この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線における断面図である。 この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図２３のＸＸＶ−ＸＸＶ線における断面図である。 比較例１に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 比較例２に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。

（第１の実施の形態）
１．積層セラミックコンデンサ
この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。図２は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図であり、図３は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。図４は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。

図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。

積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、高さ方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。

積層体１２は、複数枚の誘電体層１４から構成される外層部１４ａと単数もしくは複数枚の誘電体層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４の集合体である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。なお、外層部１４ａの厚みは、１０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。

積層される誘電体層１４の枚数は、特に限定されないが、外層部１４ａを含み、７３枚以上３６１枚以下であることが好ましい。

積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法は、０．２３０ｍｍ以上０．５４０ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法は、０．１１２ｍｍ以上０．２８０ｍｍ以下、高さ方向ｘの寸法は、０．１１２ｍｍ以上０．２８０ｍｍ以下であることが好ましい。

誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの主成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。

焼成後の誘電体層１４の厚みは、０．４μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の高さ方向ｘに沿って誘電体層１４を挟んで等間隔に交互に配置されるように埋設されている。

第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと対向する第１の対向電極部１８ａと、第１の内部電極層１６ａの一端側に位置し、第１の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２０ａを有する。第１の引出電極部２０ａは、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと対向する第２の対向電極部１８ｂと、第２の内部電極層１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部１８ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２０ｂを有する。第２の引出電極部２０ｂは、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。

積層体１２は、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２２ａを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２２ｂを含む。

内部電極層１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。内部電極層１６は、さらに誘電体層１４に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。

内部電極層１６の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、内部電極層１６の枚数は、２枚以上１６００枚以下であることが好ましい。さらに、内部電極層１６が誘電体層１４を覆っている割合は、５０％以上９５％以下であることが好ましい。
内部電極層１６は、実装される基板面に対して平行となるように設けられていてもよく、垂直となるように設けられていてもよいが、基板面に対して平行となるように設けられているのがより好ましい。

積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａと電気的に接続される。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂと電気的に接続される。

積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。

外部電極２４は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層２６と、熱硬化性樹脂および金属成分を含む樹脂電極層２８と、導電性成分を有さない樹脂層３０と、めっき層３２とを含む。

下地電極層２６は、第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂを有する。
第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
また、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
なお、第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。

下地電極層２６は、導電性金属およびガラス成分を含む。下地電極層２６の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、下地電極層２６のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、ＡｌおよびＬｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層２６は、複数層であってもよい。下地電極層２６は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極層１６と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極層１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。下地電極層２６のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。

樹脂電極層２８は、第１の樹脂電極層２８ａおよび第２の樹脂電極層２８ｂを有する。
第１の樹脂電極層２８ａは、第１の端面１２ｅの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において、樹脂層３０を介して第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。具体的には、第１の樹脂電極層２８ａは、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第２の主面１２ｂの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の端面１２ｅの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の側面１２ｃの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、および第２の側面１２ｄの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面において、樹脂層３０を介して第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。
第２の樹脂電極層２８ｂは、第２の端面１２ｆの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において、樹脂層３０を介して第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。具体的には、第２の樹脂電極層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の主面１２ｂの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第２の端面１２ｆの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の側面１２ｃの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、および第２の側面１２ｄの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面において、樹脂層３０を介して第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。

また、第１の樹脂電極層２８ａは、第１の端面１２ｅの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する領域において、第１の下地電極層２６ａを直接覆っている。第２の樹脂電極層２８ｂは、第２の端面１２ｆの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する領域において、第２の下地電極層２６ｂを直接覆っている。

なお、この時、下地電極層２６を覆う樹脂電極層２８は、完全に下地電極層を覆っていることが好ましいが、下地電極層２６より短く配置されており、下地電極層２６の先端部を覆っていなくてもよい。

また、上述したように、第１の樹脂電極層２８ａは、第１の端面１２ｅの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する領域において、第１の下地電極層２６ａを直接覆っており、第２の樹脂電極層２８ｂは、第２の端面１２ｅの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する領域において、第２の下地電極層２６ｂを直接覆っているが、覆っていなくてもよい。

第１の下地電極層２６ａの表面に位置する樹脂層３０と樹脂層３０の表面に位置する第１の樹脂電極層２８ａとを合わせた厚みは、第１の下地電極層２６ａの表面に直接配置される第１の樹脂電極層２８ａの厚みと略同等であることが好ましい。同様に、第２の下地電極層２６ｂの表面に位置する樹脂層３０と樹脂層３０の表面に位置する第２の樹脂電極層２８ｂとを合わせた厚みは、第２の下地電極層２６ｂの表面に直接配置される第２の樹脂電極層２８ｂの厚みと略同等であることが好ましい。

第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの表面に位置する樹脂電極層２８について、第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ方向の長さ、および第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する樹脂電極層２８について、第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ方向の長さは、１００μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの表面、または第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する樹脂電極層２８の厚みは、たとえば、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。また、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの表面に位置する樹脂電極層２８の厚みは、たとえば、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。

樹脂電極層２８は、熱硬化性樹脂および金属成分を含む。樹脂電極層２８は、熱硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる下地電極層２６よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、樹脂電極層２８が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１０へのクラックの発生を防止することができる。

樹脂電極層２８に含まれる熱硬化性樹脂の具体例としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。樹脂電極層２８には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。

樹脂電極層２８に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。Ａｇコーティングされた金属を用いる理由は、上記のＡｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。

樹脂電極層２８に含まれる金属は、樹脂電極全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。樹脂電極層２８に含まれる金属は、導電性フィラー（金属粉）として含まれる。導電性フィラーの形状は、特に限定されない。導電性フィラーは、球形状、扁平状等であってもよいが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。樹脂電極層２８に含まれる導電性フィラーの平均粒径は、たとえば、０．３μｍ以上１０．０μｍであってもよいが、特に限定されない。樹脂電極層２８に含まれる導電性フィラーは、主に、樹脂電極層２８の通電性を担う。具体的には、導電性フィラーどうしが接触することにより、樹脂電極層２８内部に通電経路が形成される。樹脂電極層２８の先端は、下地電極層２６の先端から５０μｍ以上８００μｍ以下延びて形成されていることが好ましい。これにより、熱衝撃サイクル時の応力を減少させるための樹脂電極層の面積を十分に取ることができ、半田クラック緩和効果を得ることができる。

樹脂層３０は、第１の樹脂層３０ａおよび第２の樹脂層３０ｂを有する。
第１の樹脂層３０ａは、第１の端面１２ｅの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において、少なくとも、第１の下地電極層２６ａと第１の樹脂電極層２８ａとの間に配置されている。具体的には、第１の樹脂層３０ａは、第２の主面１２ｂの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の端面１２ｅの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の側面１２ｃの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、および第２の側面１２ｄの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面に配置される。したがって、第１の樹脂層３０ａは、第１の端面１２ｅ側から、第１の側面１２ｃ、第２の側面１２ｄおよび第２の主面１２ｂへ延伸して配置される。
第２の樹脂層３０ｂは、第２の端面１２ｆの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において、少なくとも、第２の下地電極層２６ｂと第２の樹脂電極層２８ｂとの間に配置されている。具体的には、第２の樹脂層３０ｂは、第２の主面１２ｂの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第２の端面１２ｆの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の側面１２ｃの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、および第２の側面１２ｄの中央部から第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面に配置される。したがって、第２の樹脂層３０ｂは、第２の端面１２ｆ側から、第１の側面１２ｃ、第２の側面１２ｄおよび第２の主面１２ｂへ延伸して配置される。

また、第１の樹脂層３０ａは、第２の主面１２ｂに配置される第１の下地電極層２６ａの先端部を完全に覆うように配置され、第２の樹脂層３０ｂは、第２の主面１２ｂに配置される第２の下地電極層２６ｂの先端部を完全に覆うように配置される。これにより、実装面側において、樹脂電極層２８と下地電極層２６との間に樹脂層３０を設けているため、確実に下地電極層２６の表面を樹脂層３０で覆うことが可能となる。したがって、樹脂電極層２８の形成の制御方法や精度を考慮することなく、機械強度の設計保証が容易に達成することができる。

そして、第１の樹脂層３０ａを覆うように、第１の樹脂電極層２８ａが設けられる。ままた、第２の樹脂層３０ｂを覆うように、第２の樹脂電極層２８ｂが設けられる。

第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａを覆う第１の樹脂層３０ａと、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａを覆う第１の樹脂層３０ａの表面に位置する第１の樹脂電極層２８ａの厚みの合計は、第１の端面１２ｅの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面に直接配置される第１の樹脂電極層２８ａの厚みと略同等であるのが好ましい。同様に、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂを覆う第２の樹脂層３０ｂと、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂを覆う第２の樹脂層３０ｂの表面に位置する第２の樹脂電極層２８ｂの厚みの合計は、第２の端面１２ｆの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面に直接配置される第２の樹脂電極層２８ｂの厚みと略同等であるのが好ましい。

第１の樹脂層３０ａの厚みは、特に限定されないが、たとえば、第１の下地電極層２６ａと第１の樹脂電極層２８ａとの間に位置する部分においては、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、積層体１２上に位置する部分においては、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、第２の樹脂層３０ｂの厚みも、特に限定されないが、たとえば、第２の下地電極層２６ｂと第２の樹脂電極層２８ｂとの間に位置する部分においては、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、積層体１２上に位置する部分においては、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

第１の端面１２ｅにおける第１の樹脂層３０ａの端部を設ける位置（高さ）は、積層セラミックコンデンサ１０の底面（実装面）から高さ方向ｘのＴ寸法の１／１０以上１／５以下の高さで設けることが好ましい。また、第２の端面１２ｆにおける第２の樹脂層３０ｂの端部を設ける位置（高さ）は、積層セラミックコンデンサ１０の底面（実装面）から高さ方向ｘのＴ寸法の１／１０以上１／５以下の高さで設けることが好ましい。これにより、機械強度の改善効果の確保と電気的な接続性の良質を図ることができる。

樹脂層３０は、絶縁性を有し、導電性成分を有していない。具体的には、金属成分を有していないことが好ましい。これにより、高い弾性を付与することができる。したがって、落下衝撃や実装基板のたわみ応力が発生した際に、より確実にその応力を吸収することができ、積層セラミックコンデンサ１０へのクラックが発生してしまうことを抑制することができる。

樹脂層３０に用いられる樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂を用いることが好ましい。

めっき層３２は、第１のめっき層３２ａおよび第２のめっき層３２ｂを有する。
第１のめっき層３２ａは、第１の樹脂電極層２８ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層３２ａは、第１の端面１２ｅ上に位置する第１の樹脂電極層２８ａの表面に配置され、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに位置する第１の樹脂電極層２８ａの表面にも至るように設けられていることが好ましい。
第２のめっき層３２ｂは、第２の樹脂電極層２８ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層３２ｂは、第２の端面１２ｆ上に位置する第２の樹脂電極層２８ｂの表面に配置され、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに位置する第２の樹脂電極層２８ｂの表面にも至るように設けられていることが好ましい。

めっき層３２は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。めっき層３２は、複数層により形成されてもよい。好ましくは、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきの２層構造であることが好ましい。樹脂電極層２８を覆うようにＮｉめっきからなるめっき層（Ｎｉめっき層）を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられるはんだによって樹脂電極層２８やその下の下地電極層２６が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっきからなるめっき層の表面に、さらに、Ｓｎめっきからなるめっき層（Ｓｎめっき層）を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられるはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
めっき層３２の厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
なお、めっき層３２には、必要に応じては形成される。

積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の高さ方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が０．２５０ｍｍ以上０．６００ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．１２５ｍｍ以上０．３００ｍｍ以下、高さ方向ｘのＴ寸法が０．１２５ｍｍ以上０．３００ｍｍ以下である。

図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、外部電極２４において、樹脂電極層２８と下地電極層２６との間に樹脂層３０を設けているので、確実に下地電極層２６の表面を樹脂層３０で覆うことが可能となる。したがって、樹脂電極層２８を形成するための制御方法や精度を考慮することなく、下地電極層２６の先端部分においても樹脂層３０で覆うことが可能となる。
また、樹脂層３０には、金属成分を含まないため、より高い弾性を付与することができる。したがって、落下衝撃や実装基板のたわみ応力が発生した際に、より確実にその応力を吸収することができ、積層体にクラックが発生してしまうことを抑制することができる。
以上のことから、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、機械強度の設計保証が容易に達成でき、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することができる。

また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第１の樹脂電極層２８ａが、第１の端面１２ｅの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する領域において、第１の下地電極層２６ａを直接覆っており、第２の樹脂電極層２８ｂが、第２の端面１２ｆの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する領域において、第２の下地電極層２６ｂを直接覆っているので、落下衝撃や実装基板たわみ応力が発生した際に、応力を吸収することができる。

さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａを覆う第１の樹脂層３０ａと、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａを覆う第１の樹脂層３０ａの表面に位置する第１の樹脂電極層２８ａの厚みの合計が、第１の端面１２ｅの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面に直接配置される第１の樹脂電極層２８ａの厚みと略同等であり、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂを覆う第２の樹脂層３０ｂと、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂを覆う第２の樹脂層３０ｂの表面に位置する第２の樹脂電極層２８ｂの厚みの合計が、第２の端面１２ｆの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面に直接配置される第２の樹脂電極層２８ｂの厚みと略同等であると、積層セラミックコンデンサ１０の製品寸法を維持しつつ、上述した本発明の効果を得ることができる。

次に、この発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図５は、この発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す外観斜視図である。なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０’は、外部電極における樹脂層の配置される態様が異なることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。また、この変形例に係る積層セラミックコンデンサ１０’の断面図は、第１の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図２ないし図４と共通であるので、省略する。
この発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係る積層セラミックコンデンサ１０’は、第１の樹脂層３０ａが、第２の主面１２ｂ側に位置する領域において、第１の下地電極層２６ａを覆うように配置されており、第２の樹脂層３０ｂが、第２の主面１２ｂ側に位置する領域において、第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置されている。そして、図５に示すように、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０とは異なり、第１の樹脂層３０ａと第２の樹脂層３０ｂとは、第２の主面１２ｂ側の第１の側面１２ｃにおいて接続されておらず、同様に、第２の主面１２ｂ側の第２の側面１２ｄにおいて接続されていない。従って、第２の主面１２ｂ側に位置する第１の樹脂層３０ａと第２の樹脂層３０ｂとのＬ方向の間隔と同一長さの間隔が、第２の主面１２ｂ側の第１の側面１２ｃおよび第２の主面１２ｂ側の第２の側面１２ｄにおいても設けられている。

次に、この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図６は、この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図７は、この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図であり、図８は、この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図であり、図９は、この発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図７のＩＸ−ＩＸ線における断面図である。なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１０Ａは、外部電極における樹脂層の配置される態様が異なることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０と同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ１０Ａの樹脂層３０は、第１の樹脂層３０ａおよび第２の樹脂層３０ｂを有する。なお、第１の樹脂層３０ａおよび第２の樹脂層３０ｂの配置される態様は、積層セラミックコンデンサ１０と共通であるので、その説明を省略する。

第２の主面１２ｂにおいて、下地電極層２６が形成されてない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第１の樹脂層３０ａと第２の樹脂層３０ｂとの間に第１の被覆部３４ａが配置される。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０Ａでは、第１の樹脂層３０ａ、第２の樹脂層３０ｂおよび第１の被覆部３４ａが一体に形成され、それぞれが所定の位置に配置される。また、第１の被覆部３４ａの材料は、樹脂層３４と同一である。

図６に示す積層セラミックコンデンサ１０Ａによれば、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏するとともに、次の効果も奏する。
すなわち、後述するように、積層セラミックコンデンサ１０Ａの製造工程において、第２の主面１２ｂの一部を露出するためにマスキングをする必要がないため、樹脂層３０を容易に形成することができる。

次に、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図１０は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図１１は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１０のＸＩ−ＸＩ線における断面図であり、図１２は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図であり、図１３は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面図である。なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１１０は、外部電極における樹脂層の配置される態様が異なることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０と同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ１１０の樹脂層３０は、第１の樹脂層３０ａ、第２の樹脂層３０ｂ、第３の樹脂層３０ｃおよび第４の樹脂層３０ｄを有する。なお、第１の樹脂層３０ａおよび第２の樹脂層３０ｂの配置される態様は、積層セラミックコンデンサ１０と共通であるので、その説明を省略する。

第３の樹脂層３０ｃは、第１の端面１２ｅの中央部より第１の主面１２ａ側に位置する領域において、少なくとも、第１の下地電極層２６ａと第１の樹脂電極層２８ａとの間に配置されている。具体的には、第３の樹脂層３０ｃは、第１の主面１２ａの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の端面１２ｅの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の側面１２ｃの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、および第２の側面１２ｄの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する第１の下地電極層２６ａの表面に配置される。したがって、第３の樹脂層３０ｃは、第１の端面１２ｅ側から、第１の側面１２ｃ、第２の側面１２ｄおよび第１の主面１２ａへ延伸して配置される。
第４の樹脂層３０ｄは、第２の端面１２ｆの中央部より第１の主面１２ａ側に位置する領域において、少なくとも、第２の下地電極層２６ｂと第２の樹脂電極層２８ｂとの間に配置されている。具体的には、第４の樹脂層３０ｂは、第１の主面１２ａの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第２の端面１２ｆの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の側面１２ｃの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、および第２の側面１２ｄの中央部から第１の主面１２ａ側に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面に配置される。したがって、第４の樹脂層３０ｄは、第２の端面１２ｆ側から、第１の側面１２ｃ、第２の側面１２ｄおよび第１の主面１２ａへ延伸して配置される。
なお、第３の樹脂層３０ｃと第４の樹脂層３０ｄとは、第１の主面１２ａ側の第１の側面１２ｃにおいて接続されており、同様に、第１の主面１２ａ側の第２の側面１２ｄにおいて接続されているが、両側面において、それぞれ接続されていなくてもよい。

図１０に示す積層セラミックコンデンサ１１０によれば、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、第１の主面１２ａ側にも樹脂層３０が形成されることにより、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂのどちらにおいても、基板対して、積層セラミックコンデンサの実装が可能となり、積層セラミックコンデンサをテーピングする（すなわち、製品をくぼみ状に成型したテープに積層セラミックコンデンサを収納する）際に、積層セラミックコンデンサの実装方向の選別が不要になる。このことは、特に、積層セラミックコンデンサのＴ寸がＷ寸よりも大きい積層セラミックコンデンサで有効となる。

この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図１４は、この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図１５は、この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図１４のＸＶ−ＸＶ線における断面図であり、図１６は、この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線における断面図であり、図１７は、この発明の第２の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線における断面図である。なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１１０Ａは、外部電極における樹脂層の配置される態様が異なることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０と同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ１１０Ａの樹脂層３０は、第１の樹脂層３０ａ、第２の樹脂層３０ｂ、第３の樹脂層３０ｃおよび第４の樹脂層３０ｄを有する。なお、第１の樹脂層３０ａ、第２の樹脂層３０ｂ、第３の樹脂層３０ｃおよび第４の樹脂層３０ｄの配置される態様は、積層セラミックコンデンサ１１０と共通であるので、その説明を省略する。

第２の主面１２ｂにおいて、樹脂層３０が形成されてない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第１の樹脂層３０ａと第２の樹脂層３０ｂとの間に第１の被覆部３４ａが配置される。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０Ａでは、第１の樹脂層３０ａ、第２の樹脂層３０ｂおよび第１の被覆部３４ａが一体に形成され、配置される。さらに、第１の主面１２ａにおいて、樹脂層３０が形成されていない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第３の樹脂層３０ｃと第４の樹脂層３０ｄとの間に第２の被覆部３４ｂが配置される。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０Ａでは、第３の樹脂層３０ｃ、第４の樹脂層３０ｄおよび第２の被覆部３４ｂが一体に形成され、配置される。また、第１の被覆部３４ａおよび第２の被覆部３４ｂの材料は、樹脂層３４と同一である。

図１４に示す積層セラミックコンデンサ１１０Ａによれば、図１０に示す積層セラミックコンデンサ１１０と同様の効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、積層セラミックコンデンサ１１０Ａの製造工程において、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部を露出するためにマスキングをする必要がないため、樹脂層３０を容易に形成することができる。

この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図１８は、この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図１９は、この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図であり、図２０は、この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１９のＸＸ−ＸＸ線における断面図であり、図２１は、この発明の第３の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサを示す図１９のＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図である。なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ２１０は、外部電極における樹脂層の配置される態様が異なることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０と同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ２１０の樹脂層３０は、第５の樹脂層３０ｅおよび第６の樹脂層３０ｆを有する。

第５の樹脂層３０ｅは、第１の端面１２ｅにおいて、その中央部を除く領域において、第１の下地電極層２６ａと第１の樹脂電極層２８ａとの間に配置される。すなわち、第５の樹脂層３０ｅは、第１の端面１２ｅの周縁部分に沿って第１の下地電極層２６ａと第１の樹脂電極層２８ａとの間に配置される。さらに、第５の樹脂層３０ｅは、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ側に位置する領域において、少なくとも、第１の下地電極層２６ａと第１の樹脂電極層２８ａとの間に配置されている。具体的には、第５の樹脂層３０ｅは、第１の端面１２ｅの中央部を除く領域における第１の下地電極層２６ａの表面、第１の主面１２ａの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第２の主面１２ｂの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の側面１２ｃの第１の下地電極層２６ａの表面、および第２の側面１２ｄに位置する第１の下地電極層２６ａの表面に配置される。したがって、第５の樹脂層３０ｅは、第１の端面１２ｅ側から、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄへ延伸して配置される。
第６の樹脂層３０ｆは、第２の端面１２ｆにおいて、その中央部を除く領域において、第２の下地電極層２６ｂと第２の樹脂電極層２８ｂとの間に配置される。すなわち、第６の樹脂層３０ｆは、第２の端面１２ｆの周縁部分に沿って第２の下地電極層２６ｂと第２の樹脂電極層２８ｂとの間に配置される。さらに、第６の樹脂層３０ｆは、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ側に位置する領域において、少なくとも、第２の下地電極層２６ｂと第２の樹脂電極層２８ｂとの間に配置されている。具体的には、第６の樹脂層３０ｆは、第２の端面１２ｆの中央部を除く領域における第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の主面１２ａの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第２の主面１２ｂの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の側面１２ｃの第２の下地電極層２６ｂの表面、および第２の側面１２ｄに位置する第２の下地電極層２６ｂの表面に配置される。したがって、第６の樹脂層３０ｆは、第２の端面１２ｆ側から、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄへ延伸して配置される。

樹脂電極層２８は、第１の樹脂電極層２８ａおよび第２の樹脂電極層２８ｂを有する。
第１の樹脂電極層２８ａは、第１の端面１２ｅの中央部においてのみ第１の下地電極層２６ａと電気的に接続され、さらに、第１の端面１２ｅの周縁部分において、第５の樹脂層３０ｅを介して第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。具体的には、第１の樹脂電極層２８ａは、第１の端面１２ｅの中央部を除く領域における第１の下地電極層２６ａの表面、第１の主面１２ａの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第２の主面１２ｂの表面に位置する第１の下地電極層２６ａの表面、第１の側面１２ｃに位置する第１の下地電極層２６ａの表面、および第２の側面１２ｄに位置する第１の下地電極層２６ａの表面において、第５の樹脂層３０ｅを介して第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。
第２の樹脂電極層２８ｂは、第２の端面１２ｆの中央部においてのみ第２の下地電極層２６ｂと電気的に接続され、さらに、第２の端面１２ｆの周縁部分において、第６の樹脂層３０ｆを介して第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。具体的には、第２の樹脂電極層２８ｂは、第２の端面１２ｆの中央部を除く領域における第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の主面１２ａの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第２の主面１２ｂの表面に位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、第１の側面１２ｃに位置する第２の下地電極層２６ｂの表面、および第２の側面１２ｄに位置する第２の下地電極層２６ｂの表面において、第６の樹脂層３０ｆを介して第２の下地電極層２８ａを覆うように配置される。

図１８に示す積層セラミックコンデンサ２１０によれば、図１０に示す積層セラミックコンデンサ１１０と同様の効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側だけでなく、第１の側面１２ｃ側および第２の側面１２ｄ側にも樹脂層３０が形成されることにより、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのいずれにおいても、基板対して、積層セラミックコンデンサの実装が可能となり、積層セラミックコンデンサをテーピングする（すなわち、製品をくぼみ状に成型したテープに積層セラミックコンデンサを収納する）際に、積層セラミックコンデンサの実装方向の選別が不要になる。このことは、特に、積層セラミックコンデンサのＴ寸とＷ寸の寸法が同じ部品で有効となる。
また、樹脂電極層２８が、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの中央部で下地電極層２６ａと電気的に接続されるので、上述した発明の効果とともに、下地電極層２６と樹脂電極層２８との導電性を確保することができる。

この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。図２２は、この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２３は、この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線における断面図であり、図２４は、この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線における断面図であり、図２５は、この発明の第３の実施の形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサを示す図２３のＸＸＶ−ＸＸＶ線における断面図である。なお、この実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ２１０Ａは、外部電極における樹脂層の配置される態様が異なることを除いて、図１を用いて説明した積層セラミックコンデンサ１０と同様の構成を有する。従って、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０と同一部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ２１０Ａの樹脂層３０は、第５の樹脂層３０ｅおよび第６の樹脂層３０ｆを有する。なお、第５の樹脂層３０ｅおよび第６の樹脂層３０ｆの配置される態様は、積層セラミックコンデンサ２１０と共通であるので、その説明を省略する。

第２の主面１２ｂにおいて、樹脂層３０が形成されてない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第５の樹脂層３０ｅと第６の樹脂層３０ｆとの間に第１の被覆部３４ａが配置され、第１の主面１２ａにおいて、樹脂層３０が形成されていない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第５の樹脂層３０ｅと第６の樹脂層３０ｆとの間に第２の被覆部３４ｂが配置される。
さらに、第１の側面１２ｃにおいて、樹脂層３０が形成されてない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第５の樹脂層３０ｅと第６の樹脂層３０ｆとの間に第３の被覆部３４ｃが配置され、第２の側面１２ｄにおいて、樹脂層３０が形成されていない領域（積層体１２の表面が露出している領域）を被覆するように、第５の樹脂層３０ｅと第６の樹脂層３０ｆとの間に第４の被覆部３４ｄが配置される。
また、第１の被覆部３４ａ、第２の被覆部３４ｂ、第３の被覆部３４ｃおよび第４の被覆部３４ｄの材料は、樹脂層３４と同一である。

図２２に示す積層セラミックコンデンサ２１０Ａによれば、図１８に示す積層セラミックコンデンサ２１０と同様の効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
これにより、積層セラミックコンデンサ２１０Ａの製造工程において、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部を露出するためにマスキングをする必要がないため、樹脂層３０を容易に形成することができる。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、以上の構成からなる積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態について、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を例にして説明する。

まず、セラミックグリーンシート、内部電極層１６を形成するための内部電極用導電性ペーストおよび外部電極２４の下地電極層２６を形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

そして、セラミックグリーンシート上に、例えば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極パターンが形成される。なお、内分電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法やグラビア印刷法などの公知の方法により印刷することができる。

次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により高さ方向ｘに圧着させてもよい。

その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生の積層体チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生の積層体チップが焼成され、積層体が生成される。なお、生の積層体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

次に、下地電極層２６が形成される。まず、焼成後の積層体チップの両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付け、第１の外部電極２４ａの第１の下地電極層２６ａおよび第２の外部電極２４ｂの第２の下地電極層２６ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

続いて、樹脂電極層２８および樹脂層３０が形成される。なお、樹脂電極層２８および樹脂層３０を形成する方法として、２種類の方法がある。以下、それぞれの方法について説明する。

第１の方法について説明する。
下地電極層を形成した積層体チップを樹脂ペーストが充填された樹脂ペースト槽に対して、実装面となる第２の主面が樹脂ペースト面とほぼ平行になるように任意の深さ浸漬させ、下地電極層を形成した積層体チップに樹脂ペーストを塗布する。その後、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂ペーストを熱硬化させ、樹脂層を形成する。そして、第２の主面の一部を露出させるために、樹脂ペーストが付着しないようにマスキングを行い、塗布を実施する。なお、図６に示すような積層セラミックコンデンサ１０Ａを形成するために、第２の主面において、第１の樹脂層と第２の樹脂層との間に第１の被覆部を形成し、第２の主面の一部を露出させない場合には、マスキングをする必要はない。
なお、熱処理時の雰囲気は、Ｎ₂雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

樹脂層が形成された積層体チップを端面で保持し、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストが充填された導電性樹脂ペースト槽に対して、第１および第２の端面が導電性樹脂ペースト面と平行となるように、下地電極層を覆うまで浸漬させ、樹脂層が形成された積層体チップに導電性樹脂ペーストを塗布する。なお、樹脂電極層の端面の厚みをフラットにするため、導電性樹脂ペースト塗布後、定盤などに押し付け、無駄なペーストをかきとることで端面の厚みを制御してもよい。

その後、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、導電性樹脂ペーストを硬化させ、樹脂電極層を形成する。
なお、熱処理時の雰囲気は、Ｎ₂雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

第２の方法について説明する。
下地電極層を形成した積層体チップを樹脂ペーストが充填された樹脂ペースト槽に対して、実装面となる第２の主面が樹脂ペースト面とほぼ平行になるように任意の深さ浸漬させ、下地電極層を形成した積層チップに樹脂ペーストを塗布する。その後、１２０℃以上１５０℃以下の温度で、２０分以上３０分以下の時間、乾燥させる。

そして、樹脂ペーストを塗布乾燥させた積層体チップを端面で保持し、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストが充填された導電性樹脂ペースト槽に対して、第１および第２の端面が導電性樹脂ペースト面と平行となるように、下地電極層を覆うまで浸漬させ、樹脂層が形成された積層体チップに導電性樹脂ペーストを塗布する。なお、樹脂電極層の端面の厚みをフラットにするため、導電性樹脂ペースト塗布後、定盤などに押し付け、無駄なペーストをかきとることで端面の厚みを制御してもよい。

その後、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、乾燥させた樹脂ペーストおよび乾燥させた導電性ペーストを熱硬化させ、樹脂層および樹脂電極層を形成する。

次に、上記いずれかの方法により、樹脂層および樹脂電極層が形成された後、めっき層３２が形成される。まず、第１の樹脂電極層を覆うように、第１のめっき層のＮｉめっき層が形成され、第２の樹脂電極層を覆うように第２のめっき層のＮｉめっき層が形成される。それぞれのＮｉめっき層の形成方法は、電解めっきを用いる。
さらに、必要に応じて、第１のめっき層のＮｉめっき層の表面にＳｎめっき層が形成され、第２のめっき層３２ｂのＮｉめっき層の表面にＳｎめっき層が形成される。

以上のようにして、積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

３．実験例
次に、上述の方法により得られた積層セラミックコンデンサについて、樹脂層を設けた実施例と樹脂層を設けない比較例の試料を準備した上で、耐基板曲げ性試験を行った。なお、樹脂層および樹脂電極層の形成方法は、第１の方法とした。

上述した積層セラミックコンデンサの製造方法にしたがって、以下に記載するような仕様を有する図１に示す積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。

実施例１は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０であり、以下のようなスペックの積層セラミックコンデンサである。
・積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝０．６４０ｍｍ×０．３４０ｍｍ×０．３４０ｍｍ
・誘電体層の材料：ＢａＴｉＯ₃
・容量：１．０μＦ
・定格電圧：１０Ｖ
・内部電極の材料：Ｎｉ
・外部電極の構造
下地電極層
下地電極層の材料：Ｃｕとガラスとを含む
下地電極層の厚み：１０μｍ（端面中央部の最も厚い部分）
樹脂層
構造：第２の主面の表面の一部は露出
：積層体の両端面において、第２の主面からＴ寸法の１５％の高さまで形成
樹脂層の厚み：５μｍ（下地電極層と樹脂電極層との間に位置する部分）
樹脂：エポキシ樹脂
樹脂電極層
導電性フィラー（金属粉）：Ａｇ
樹脂：エポキシ系
導電性樹脂層の厚み：１５μｍ（端面中央部の最も厚い部分）
めっき層：Ｎｉめっき層とその表面にＳｎめっき層が配置される２層構造
Ｎｉめっき層の厚み：４．０μｍ
Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ

実施例２は、図６に示す積層セラミックコンデンサ１０Ａである。すなわち、実施例２は、樹脂層が、第２の主面の露出した表面（下地電極層の配置されていない領域）を、第１の樹脂層と第２の樹脂層と連結して、第１の被覆部で覆うように形成されている。その他の仕様は、実施例１と同一である。

また、比較のために、樹脂層を有さない試料の積層セラミックコンデンサを作製した。比較例１の積層セラミックコンデンサ１は、図２６に示すように、図２に示す積層セラミックコンデンサ１０に対して樹脂層を設けない構成とし、外部電極２は、下地電極層４と、下地電極層４を覆う樹脂電極層６と、下地電極層４および樹脂電極層６を覆うめっき層８により構成され、その他の仕様は、実施例１と同様とした。

また、比較例２の積層セラミックコンデンサ１Ａは、図２７に示すように、図２に示す積層セラミックコンデンサ１０に対して樹脂層を設けない構成とし、かつ、外部電極２は、下地電極層４と、下地電極層４を覆う樹脂電極層６と、下地電極層４および樹脂電極層６を覆うめっき層８により構成される。なお、樹脂電極層６は、下地電極層４の先端部分よりも５０μｍ両端面側に向かって後退させるようにして設けたものである。その他の仕様は、実施例１と同様とした。

（耐基板曲げ性試験）
厚さ０．８ｍｍのＪＩＳ基板（ガラスエポキシ基板）に半田ペーストを用いて、積層セラミックコンデンサのサンプルを実装した。実装されていない基板面から径５μｍの押し棒にて押して基板を曲げ、基板に対して機械的ストレスをかけた。この時、保持時間を５秒とし、曲げ量は８ｍｍとした。基板曲げ後、基板から積層セラミックコンデンサのサンプルを外し、基板面に対して垂直方向に研磨を行い、クラックを観察し、各試料におけるクラックの生じたサンプルの発生数をカウントした。各試料のサンプル数は、ｎ＝１０とした。

以上の、積層セラミックコンデンサの各試料のそれぞれに対する耐基板曲げ性試験の結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１および実施例２に係るサンプルは、本発明の構成を有しており、すなわち、実装面側において、樹脂電極層と下地電極層との間に樹脂層を設けることで、確実に下地電極層上を樹脂層で覆うことが可能となる。したがって、樹脂電極層形成の制御方法や精度を考慮することなく、機械強度の設計保証が容易に達成でき、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。なお、実施例１および実施例２ともに、基板曲げ性試験において、不良は発生していないが、実施例２の方が、製造工程上、容易に形成することが可能である。

一方、比較例１に係るサンプルは、１０個中３個の不良が発生し、比較例２に係るサンプルでは、１０個すべてについて不良が発生した。この結果から、樹脂電極層により、下地電極層を覆うことの有効性が示唆された。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

たとえば、積層セラミックコンデンサ１０において、第１の樹脂層３０ａは、第１の端面１２ｅの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において配置され、第２の樹脂層３０ｂは、第２の端面１２ｆの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において配置されているが、これに限るものではなく、第１の樹脂層３０ａは、少なくとも第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａのみを覆うようにし、第２の樹脂層３０ｂは、少なくとも第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂのみを覆うように配置されてもよい。

また、積層セラックコンデンサ１１０において、第１の樹脂層３０ａは、第１の端面１２ｅの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において配置され、第２の樹脂層３０ｂは、第２の端面１２ｆの中央部より第２の主面１２ｂ側に位置する領域において配置されていることに加えて、第３の樹脂層３０ｃは、第１の端面１２ｅの中央部より第１の主面１２ａ側に位置する領域において配置され、第４の樹脂層３０ｄは、第２の端面１２ｆの中央部より第１の主面１２ａ側に位置する領域において配置されているが、これに限るものではなく、第１の樹脂層３０ａは、少なくとも第２の主面１２ｂ側に位置する第１の下地電極層２６ａのみを覆うようにし、第２の樹脂層３０ｂは、少なくとも第２の主面１２ｂ側に位置する第２の下地電極層２６ｂのみを覆うように配置され、第３の樹脂層３０ｃは、少なくとも第１の主面１２ａ側に位置する第１の下地電極層２６ａのみを覆うようにし、第４の樹脂層３０ｄは、少なくとも第１の主面１２ａ側に位置する第２の下地電極層２６ｂのみを覆うように配置されてもよい。

１０、１０’、１０Ａ、１１０、１１０Ａ、２１０、２１０Ａ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 誘電体層
１４ａ 外層部
１４ｂ 内層部
１６ 内部電極
１６ａ 第１の内部電極
１６ｂ 第２の内部電極
１８ａ 第１の引出電極部
１８ｂ 第２の引出電極部
２０ａ 第１の露出部
２０ｂ 第２の露出部
２２ａ 対向電極部
２２ｂ 側部（Ｗギャップ）
２２ｃ 端部（Ｌギャップ）
２４ 外部電極
２４ａ 第１の外部電極
２４ｂ 第２の外部電極
２６ 下地電極層
２６ａ 第１の下地電極層
２６ｂ 第２の下地電極層
２８ 樹脂電極層
２８ａ 第１の樹脂電極層
２８ｂ 第２の樹脂電極層
３０ 樹脂層
３０ａ 第１の樹脂層
３０ｂ 第２の樹脂層
３０ｃ 第３の樹脂層
３０ｄ 第４の樹脂層
３０ｅ 第５の樹脂層
３０ｆ 第６の樹脂層
３２ めっき層
３２ａ 第１のめっき層
３２ｂ 第２のめっき層
３４ａ 第１の被覆部
３４ｂ 第２の被覆部
３４ｃ 第３の被覆部
３４ｄ 第４の被覆部
ｘ 高さ方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (8)

1. 積層された複数の誘電体層と積層された内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
   前記内部電極層に接続される、前記端面上、および前記第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上に配置された一対の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
   前記積層体の第２の主面が実装面とされ、
   前記一対の外部電極のそれぞれは、
   導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、熱硬化性樹脂および金属成分を含む樹脂電極層と、熱硬化性樹脂を含み導電性成分を含まない樹脂層と、を含み、
   前記下地電極層は、前記第１の端面および第２の端面から前記第１の主面および前記第２の主面の一部、前記第１の側面および前記第２の側面の一部まで延びて配置されており、
   前記樹脂層は、少なくとも前記第２の主面側に位置する領域において、前記下地電極層の表面および前記下地電極層の先端部を完全に覆うように配置されており、かつ、前記第２の主面側から前記第１の端面および前記第２の端面の少なくとも一部にまでそれぞれ延びて配置されており、
   前記樹脂電極層は、前記樹脂層が配置されていない部分における前記下地電極層を直接覆い、かつ、前記樹脂層上を覆う、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記樹脂層は、前記第２の主面側から前記第１の端面および前記第２の端面の高さ方向の寸法の１／１０以上１／５以下の高さで設けられる、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記樹脂層は、前記第２の主面において、前記下地電極層が配置されていない領域全体を覆っている、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記第１の主面または前記第２の主面、前記第１の側面または前記第２の側面上に位置する下地電極層上の樹脂層の厚みと前記樹脂層上に位置する前記樹脂電極層の合計の厚みは、前記第１の端面または前記第２の端面上に位置する下地電極層に直接配置される樹脂電極層の厚みと略同等である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記樹脂電極層上には、めっき層が配置されている、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記樹脂層は、前記第１の主面側に位置する領域の少なくとも一部において、前記下地電極層の表面および前記下地電極層の先端部を完全に覆うように配置されており、
   前記樹脂電極層は、前記樹脂層が配置されていない部分における前記下地電極層を直接覆い、かつ、前記樹脂層上を覆う、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記樹脂層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側に位置する領域において、前記下地電極層の表面および前記下地電極層の先端部を完全に覆うように配置されており、
   前記樹脂電極層は、前記樹脂層が配置されていない部分における前記下地電極層を覆い、かつ、前記樹脂層上を覆う、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記樹脂層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側において、前記第１の端面および前記第２の端面の少なくとも一部にまで延びて配置され、前記樹脂電極層は、前記第１および第２の端面中央部のみで前記下地電極層と直接接続され、かつ、前記樹脂層上を覆う、請求項７に記載の積層セラミックコンデンサ。