JP5878054B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、配線基板上に搭載された半導体チップ等のような電子部品を樹脂により封止する技術に関する。

半導体パッケージとしては、配線基板と、配線基板上に搭載された半導体チップと、半導体チップを覆うように配線基板上に設けられた封止樹脂と、を有する片面封止型のものがある。

このような半導体パッケージの封止樹脂を形成する際には、配線基板の裏面側を支持する下型と、下型と対向する上型と、を有する金型が用いられる。上型は、半導体チップを包囲するキャビティを構成する凹部と、キャビティの周囲において配線基板の表面に接触される平坦部と、を有している（例えば、特許文献１、２）。

配線基板は、絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された配線パターンと、この配線パターンを覆うソルダレジストと、を有している。ソルダレジストは、配線パターンの厚みに起因して、配線パターン上では相対的に隆起した凸部となり、それ以外の箇所では凹部となっている。このため、凹部ではソルダレジストと上型との間に隙間が生じ、この隙間から樹脂漏れが生じることがある。一方で、この樹脂漏れを抑制するために、上型と下型との型締めを強く行うと、凸部において配線基板が損傷する可能性がある（例えば、特許文献１、２）。

このような問題に鑑み、特許文献１には、キャビティの周囲を囲む壁状のクランプブロックを上型に対して相対的に上下動可能に設け、このクランプブロックを加圧機構によって押し下げることにより、クランプブロックの下端面を配線基板の上面におけるキャビティの隣接部位に押し当てて、樹脂の流出を堰き止めるようにしたことが記載されている。特許文献１のクランプブロックは、キャビティに隣接する位置、又はキャビティ内に配置されている。

なお、特許文献３には、上型にブロックピンを設け、型締め時には、このブロックピンが配線基板の外側において下型の上面に接触して該下型を押し下げることにより、配線基板の変形やクラック等を抑制する技術が記載されている。

特開２０００−０５８５７１号公報 特開２００６−３１３８０１号公報 特開２００５−１０１４０７号公報

特許文献１の技術では、キャビティに隣接する位置、又はキャビティ内に、クランプブロックが配置されている。

一方、特許文献３は、ブロックピンが下型を押し下げて、上型と配線基板との接触圧力の調整を行う技術である。

このように、封止樹脂の形成時における樹脂漏れの抑制と、配線基板の機能配線エリアの損傷の抑制と、を両立させることは困難だった。

本発明の目的は、樹脂漏れ抑制と配線損傷抑制とを両立可能な技術を提供することである。前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、本発明は、半導体装置の製造方法であって、その樹脂封止工程において用いられる封止金型の上金型のキャビティ周囲の配線基板と接触する平坦部に突起部が設けられ、突起部がキャビティから離間した位置に設けられているものである。

また、本発明は、半導体装置であって、その封止樹脂から離間した位置に、圧痕が延在しているものである。

本発明によれば、封止樹脂の形成時における樹脂漏れの抑制と、配線基板の機能配線エリアの損傷の抑制と、を両立させることができる。

第１の実施形態に係る半導体装置用金型の構成を示す断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置用金型の第２金型の一例を示す底面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置用金型の第２金型の他の例を示す底面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。 第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。 変形例に係る半導体装置を示す図である。 工程基板の平面図である。 第２の実施形態に係る半導体装置用金型の第２金型を示す断面図である。 第３の実施形態に係る半導体装置用金型の第２金型を示す断面図である。 配線基板の断面図である。 比較例に係る半導体装置の製造方法の課題を説明するための断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。

〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置用金型の構成を示す断面図である。図２は第１の実施形態に係る半導体装置用金型の上金型（第２金型）５１の一例を示す底面図である。図３は第１の実施形態に係る半導体装置用金型の上金型５１の他の例を示す底面図である。なお、図２及び図３においては、突起部２３の位置が分かりやすいように、突起部２３に網掛けを付している。

本実施形態に係る半導体装置用金型は、半導体チップ５６が搭載された配線基板５７の裏面（第２面）に対し、型締め時に接触する第１金型（例えば、下金型５２）と、第１金型と対向する第２金型（例えば、上金型５１）と、を有し、第２金型は、型締め時に半導体チップ５６を包囲するキャビティ５０を構成する凹部５３と、型締め時にキャビティ５０の周囲において配線基板５７の表面（第１面）に接触する平坦部６０と、を有し、平坦部６０には、キャビティ５０から離間した位置において、配線基板５７側へ突出する突起部２３が、キャビティ５０の周囲を囲む環状の形状に延在するように設けられている。

下金型５２は、例えば、本体部５２ａと、キャビティブロック５４と、皿バネ５５と、を有している。
本体部５２ａは、上端が開口した半筐体状に形成されている。
キャビティブロック５４は、この本体部５２ａの内周に沿って上下に摺動可能となるように、本体部５２ａ内に配置されている。
皿バネ５５は、複数個が積層された状態で、本体部５２ａの中空の底面と、キャビティブロック５４の下面との間に配置され、キャビティブロック５４を上方に付勢している。

このキャビティブロック５４と皿バネ５５とによって圧力逃げ機構（フローティング機構）が構成されている。配線基板５７の厚さがばらついても、配線基板５７の厚みばらつきがフローティング機構によって吸収され、適切な荷重で配線基板５７を型締めすることが可能となっている。

上金型５１は、上述のように、凹部５３と、平坦部６０と、を有している。

凹部５３の形状は、例えば、平面視矩形状であり、台形の断面形状となっている。

この平坦部６０には、配線基板５７側へ突出する突起部２３が、キャビティ５０の周囲を囲む環状の形状に延在するように設けられている。なお、本実施形態の場合、上金型５１は、例えば、突起部２３を含む全体が金属により一体形成されている。

ここで、上金型５１において、後述する封止樹脂形成領域６４の短辺と対向する領域の少なくとも一部分には、突起部２３の非形成領域が存在している。また、平坦部６０からの突起部２３の突出長は、後述する配線７１ａ上におけるソルダレジスト７２の厚さよりも小さい。

ここで、図１０は、配線基板５７の断面図である。図１０に示すように、配線基板５７は、基材７０と、この基材７０上に形成された配線７１（後述する機能配線６６）及びスルーホール６３と、これら配線７１及びスルーホール６３を覆うソルダレジスト（絶縁性樹脂）７２と、を有している。

配線基板５７の表面には、例えば図１０に示すように、配線７１等の形状を反映したミクロ的な凹凸がある。ソルダレジスト７２は、液状状態でロールコーターもしくは印刷スクリーンにて、表面に配線７１がパターン形成された基材７０上に塗布され、その後硬化される。塗布時には一定の平坦性を有していても硬化時にソルダレジスト中の溶剤揮発や反応収縮により体積が小さくなる。このとき配線７１が存在しない領域におけるソルダレジスト７２の厚みは、配線７１上のソルダレジスト７２の厚みより大きいため、より大きく体積収縮する。このため、配線７１等の凹凸形状を反映した形状となる。上記フローティング機構ではマクロ的な基板の厚みばらつきしか吸収できないため、平坦部６０に突起部２３が形成されていない上金型５１を用いると、図１１に示すように上金型５１の平坦部６０と配線基板５７との間に隙間が生じてしまう。この隙間が上金型５１に形成された凹部（キャビティ）５３の内部領域から外部領域へ延伸する場合、隙間に沿って発生する樹脂漏れを抑制することが困難である。また、型締め荷重を強くして樹脂漏れを抑制しようとすると、配線基板５７のミクロ的な凹凸における凸部に応力が集中し、配線基板５７にクラック（ソルダレジスト７２のクラック、或いは、配線７１の断線等）が発生してしまう。

このような事情に対し、本実施形態では、上金型５１の平坦部６０に突起部２３が形成されている。型締め時には、平坦部６０とともに突起部２３が配線基板５７の表面に押し付けられ、配線基板５７において突起部２３と当接する領域では、配線基板５７において平坦部６０と当接する領域よりも大きなクランプ圧力が加えられることになる。これにより、上述の配線７１の形状を反映した隙間が上金型５１に形成された凹部５３の内部領域から外部領域へ延伸する場合であっても、突起部２３と配線基板５７との接触箇所よりも外側への樹脂漏れが抑制されるようになっている。

また本実施形態において、上金型５１は、その平坦部６０が配線基板５７に当接するとともに、その突起部２３が配線基板５７に当接する。上金型５１が突起部２３のみにおいて配線基板５７に当接する場合、配線基板５７がマクロ的な基板の厚みばらつきを有するときに、突起部２３の当接領域のみでクランプ圧（例えば板バネ５５の抗力）を受ける形となるため、局所的に大きな圧力が加わり配線基板５７の破壊の虞がある。これに対し、突起部２３とともに平坦部６０が配線基板５７に当接して、配線基板５７をクランプすることにより、クランプ圧を広い面積で受けることが可能となり、クランプ圧による配線基板５７の破壊を抑制できる。

配線基板５７と上金型５１との当接面積のうち、平坦部６０と上金型５１との当接面積を、突起部２３と上金型５１との当接面積よりも大きくすることが、樹脂漏れ抑制と配線基板破壊抑制の双方から好ましい。

また、突起部２３は、キャビティ５０から離間した位置に設けられているので、突起部２３が配線基板５７の機能配線（詳細後述）を損傷してしまうことが抑制される。

また、突起部２３と上金型５１との当接領域の内側及び外側の双方に、平坦部６０と上金型５１との当接領域が存在するように、突起部２３が配置されていても良い。特に、平坦部６０は、突起部２３よりも内側の部分と、突起部２３よりも外側の部分と、が同一の平面に含まれるように形成することが好ましい。これにより、平坦部６０における突起部２３よりも内側の部分と、平坦部６０における突起部２３よりも外側の部分と、の圧力のバラツキを抑制することができる。

図２又は図３に示すように、上金型５１には、キャビティ５０内に樹脂を注入する際の導入口となるゲート５９と、樹脂注入時にキャビティ５０内の空気を逃がす排出口となるエアベント５８と、が形成されている。
なお、図２に示すのは、ゲート５９が上部に形成された、いわゆるトップゲート型の上金型５１である。この例では、４つのエアベント５８が、キャビティ５０（図１）を構成する凹部５３の４つのコーナー（隅）にそれぞれ連通するように形成されている。
また、図３に示すのは、ゲート５９が側部に形成された、いわゆるサイドゲート型の上金型５１である。この例では、凹部５３の４つのコーナーのうちの１つにゲート５９が連通し、３つのエアベント５８が、残りの３つのコーナーにそれぞれ連通するように形成されている。
上金型５１においてエアベント５８及びサイドゲート型におけるゲート５９は平坦部６０に形成された溝として構成されている。ゲート５９を構成する溝はエアベント５８を構成する溝よりも深い。また、ゲート５９を構成する溝はエアベント５８を構成する溝よりも平坦部６０における幅は広く形成されていて良い。
本実施形態においてエアベント５８の形成箇所においては、突起部２３が途切れている。このようにエアベント５８の形成箇所の少なくとも一部において、突起部２３が存在しないようにすることにより、樹脂注入時に押し出される空気の逃げを確実にすることができる。
なお、トップゲート型の場合に、ゲート５９は必ずしも平面視における凹部５３の中央に配置されていなくても良い。同様に、サイドゲート型の場合に、ゲート５９は必ずしも凹部５３のコーナーに配置されていなくても良い。

図４を用いて本実施形態に係る半導体装置を説明する。図４（ａ）は本実施形態に係る半導体装置の平面図、図４（ｂ）は半導体装置の断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＡ部を拡大した模式図、図４（ｄ）は図４（ｃ）のＸ―Ｘ線における断面図である。尚、図４（ｃ）では後述する封止樹脂８０とソルダレジスト７２を透過させ配線７１ａを示している。

本実施形態に係る半導体装置は、配線基板５７と、半導体チップ（半導体素子）５６と、封止樹脂８０と、はんだボール（外部端子）６８と、圧痕６９と、を有する。
配線基板５７は、第１面（上面）と、第１面とは逆側の面である第２面（裏面）と、を有している。配線基板５７の平面視における外形線は、第１辺を含む。具体的には、配線基板５７は、四角形となっており、配線基板５７の平面視における外形線は、４つの辺を含む。尚、第１辺とその隣接辺との交点（四角形の角部）では必ずしも直角に交差する形状である必要はなく切り欠き形状を備えていても良い。
第１面は、第１領域（封止樹脂形成領域６４）と、第１領域を囲む第２領域（周辺領域７３）と、を有している。半導体チップ５６は、封止樹脂形成領域６４上に搭載されている。封止樹脂８０は、周辺領域７３上には形成されず封止樹脂形成領域６４上に形成されて、半導体チップ５６を封止している。はんだボール６８は、配線基板５７の裏面に形成されている。
圧痕６９は、周辺領域７３において、封止樹脂形成領域６４から離間した位置に形成され、配線基板５７の第１辺に沿って延在している。
以下、詳細に説明する。

本実施形態に係る半導体装置は、封止樹脂形成領域６４と封止樹脂形成領域６４を囲む周辺領域７３とを上面に備える配線基板５７、配線基板５７の封止樹脂形成領域６４内に搭載された半導体チップ５６、配線基板５７の封止樹脂形成領域６４上に形成され半導体チップ５６を覆う封止樹脂８０を備える。周辺領域７３の表面には、配線基板５７の外縁に沿って圧痕６９が形成されている。圧痕６９は、封止樹脂８０を封止する際に用いる樹脂封止金型の、配線基板５７との当接面に形成された突起部２３が転写されたものである。

本実施形態において封止樹脂形成領域６４は角部がＣ面取りされた四角形であり、この四角形の４辺は矩形の配線基板５７の辺と略平行に形成され、コーナー部（Ｃ面取り領域）は配線基板の角部と対向する位置に配置される。換言すると、封止樹脂形成領域６４は、長辺と短辺とを交互に有する八角形であり、互いに対向する長辺の対を２つと、互いに対向する短辺の対を２つ有している。対向する長辺同士は互いに平行に延在し、対向する短辺どうしは互いに平行に延在している。長辺は配線基板５７の四辺の各々と平行に延在し、短辺は配線基板５７のコーナー部と対向している。

平面視において、封止樹脂形成領域６４の八角形の第１の長辺と、配線基板５７の第１辺とは、封止樹脂形成領域６４を基準として同じ側に位置し、且つ、互いに平行であり、圧痕６９と第１の長辺とが互いに平行に延在している。第１の長辺と圧痕６９との間の距離は、配線基板５７の第１辺と圧痕６９との間の距離よりも大きい。
配線基板５７において、封止樹脂形成領域６４の短辺と対応する領域の少なくとも一部分には、圧痕６９の非形成領域が存在している。

封止樹脂形成領域６４は上金型５１の凹部５３によって規定される。より具体的には、凹部５３の側面と平坦部６０とが交わる線によって規定される。配線基板５７の上面において封止樹脂形成時に上金型５１の凹部５３に対向する領域が封止樹脂形成領域６４である。配線基板５７の上面において上金型５１の平坦部６０及び突起部２３と接する領域が周辺領域７３である。封止樹脂８０は断面が台形状であり、その台形状における下底が封止樹脂形成領域６４に対応する。周辺領域７３には封止樹脂８０が形成されない。

配線基板５７は例えばガラスエポキシ板のような絶縁材料からなる基材７０、基材７０の上面（封止樹脂８０が形成される側）に形成された導体からなる配線７１ａ、基材７０を貫通する貫通孔とその貫通孔の内壁に形成された導体とを有する複数のスルーホール６３、基材７０上及び配線（第１配線）７１ａ上に形成されたソルダレジスト（第１絶縁膜）７２を備える。圧痕６９は、配線基板５７の上面側のソルダレジスト７２に形成されている。圧痕６９の深さは、配線７１ａ上におけるソルダレジスト７２の厚さよりも浅い。

基材７０の下面には配線（第２配線）７１ｂが形成されており、配線７１ａと配線７１ｂはスルーホール６３を介して相互に電気的に接続されている。基材７０の下面にも配線７１ｂを覆うようにソルダレジスト（第２絶縁膜）７２が形成されている。本実施形態において配線７１ａ、７１ｂやスルーホール６３を構成する導体はＣｕ（銅）またはＣｕを主成分とする合金である。

配線基板５７の上面においてソルダレジスト７２の一部は開口（除去）されており配線７１ａの一部が露出することでステッチ（第１の電極端子）６２を構成している。ステッチ６２表面には後述するボンディングワイヤ６１との接合性に優れた金属膜（図示略）が形成されている。この金属膜は、配線７１ａ上に電解めっきで形成されたＮｉ（ニッケル）めっき層と、その上に形成されたＡｕ（金）めっき層と、からなる。

配線基板５７には、複数のスルーホール６３が形成されている。これらスルーホール６３は、配線７１ａ（後述する機能配線６６）を介して、それぞれ対応するステッチ６２と接続されている。これらステッチ６２には、ボンディングワイヤ６１の一端がボンディングされ、ボンディングワイヤ６１の他端は半導体チップ５６の上面の電極パッド（図示略）に対してボンディングされている。ボンディングワイヤ６１はＡｕまたはＣｕを主成分とする金属細線である。

配線基板５７の下面においてもソルダレジスト７２の一部が開口（除去）されており配線７１ｂの一部が露出することでボールランドが形成されている。ボールランド上には半導体装置と他の電子機器との接続に用いられるはんだボール（外部端子）６８が形成されている。ボールランドとはんだボール６８の接合界面にはボンディングフィンガの金属膜形成時に形成された電解Ｎｉめっき層からなるバリアメタルを有していても良い。
つまり半導体チップ５６の電極パッドは、ボンディングワイヤ６１、配線７１ａ、スルーホール６３及び配線７１ｂを介して、はんだボール６８に電気的に接続されている。

平面視において、最外周に位置するはんだボール６８は、圧痕６９よりも封止樹脂形成領域６４側に位置している。換言すると圧痕６９と配線基板５７の第１の辺との間にははんだボール６８が形成されない。

また、配線基板５７は複数のスルーホール６３を備え、複数のスルーホール６３の中には、例えば、封止樹脂形成領域６４内に位置するものと（図４（ｃ）における下側のスルーホール６３）、周辺領域７３内に位置するもの（図４（ｃ）における上側のスルーホール６３）とがある。
複数のスルーホール６３は、平面視において周辺領域７３内かつ圧痕６９よりも封止樹脂形成領域６４の側に位置する第１のスルーホールを含む。

配線基板５７は、封止樹脂形成領域６４にステッチ６２を備え、配線７１ａは、ステッチ６２から第１のスルーホールに亘って延在している。配線基板５７は、更に、第１のスルーホールから、配線基板５７の第１辺に達するめっき線６５を周辺領域７３に備える。

次に、配線７１ａと突起部２３のより具体的な配置の例について説明する。

図４（ｃ）に示すように配線７１ａはステッチ６２とスルーホール６３との間を接続する機能配線（第１配線）６６と、スルーホール６３から配線基板５７の外縁（上面視における配線基板５７の辺）に達する位置まで延伸するめっき線（第２配線）６５とを含む。機能配線６６は、半導体装置が動作する上で必要な配線であり、外部端子であるはんだボール６８と、半導体チップ５６の電極パッド（図示略）と、を電気的に接続する経路の一部を構成する。めっき線６５はステッチ６２に電解めっきで前述の金属膜を形成する際にめっき用の給電をするための配線であり、めっき後は不要な配線となる。

本実施形態においては、半導体装置は、圧痕６９と交差しない機能配線６６と、圧痕６９と交差するめっき線６５とを備える。圧痕６９、つまり上金型５１の突起部２３と当接することによって変形した領域は、平坦部６０と当接する領域よりも大きな圧力が加えられている。この領域には損傷しても半導体装置の動作上問題とならないめっき線６５を配置し、これより内側の領域にのみ機能配線６６を配置することにより、配線基板５７上の面積を有効に利用しつつ、信頼性の高い半導体装置を得ることが出来る。

ここで、突起部２３を有しない封止金型（半導体装置用金型）を用いた場合は、半導体装置において金型と当接する領域の全域において配線損傷の虞があった。特に周辺領域７３と封止樹脂形成領域６４との境界では金型の凹部の縁があたるため損傷の虞が大きく、ここを通過する機能配線が損傷すると半導体装置が動作しなくなる。配線と圧痕６９とを上記のように配置することにより、バリ抑制と半導体装置の信頼性とを両立できる。

ここで、圧痕６９に囲まれた領域を有効配線エリアと称することとする。
有効配線エリアは、突起部２３ではなく平坦部６０と接触するため、配線損傷リスクが小さい領域となる。このため有効配線エリアを広くする（圧痕６９の形成領域を配線基板５７の外縁に近づける）ほど、高い信頼性を少ない設計制約で実現可能となる。

圧痕６９は略平坦に形成されたソルダレジスト７２に突起部２３を押しつけることで転写形成されたものである。このとき突起部２３の高さによってはソルダレジスト７２に微細なクラックが発生し、場合によっては導体の一部が露出することもある。導体が露出すると隣接導体間での電気的な短絡リスクが大きくなるため、導体が露出しない程度が好ましい。

図５（ａ）は本実施形態に係る半導体装置の作用効果を説明するための模式平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＹ−Ｙ線における断面図である。配線基板５７の４つの角部のうち、図の左上の角部にはゲートパタンが形成されている。ゲートパタンはソルダレジストが形成されず金属膜が露出しているため、基本的に圧痕６９は形成されないが部分的な接触痕は形成されていても良い。残る３つの角部にはエアベントが形成されている。エアベント部はソルダレジストが形成されるため圧痕６９を形成しても良いが、本実施形態では圧痕６９を形成しないことによって封止時の空気逃げを確保している。

全てのスルーホール６３が周辺領域７３にめっき線６５を備えている必要はなく、例えば配線基板の下面に形成したり（図示略）、スルーホールよりステッチに近い領域、つまり機能配線から分岐していても良い（図示略）。

また、配線基板５７の導体層数は２層に限定されず、３層またはそれ以上の層数の配線基板でも良い。この場合、配線基板のチップに一番近い側の導体層が第１配線を含む層となる。

圧痕６９から配線基板端７４までの距離は１００μｍ以上とし、３００μｍ以上が好ましい。封止金型は加温されていることが一般的であるため、配置された配線基板５７も熱による変形を伴う。本実施形態において突起部２３が配線基板５７上とずれた位置（特に後述する工程基板のスリット位置）と重なると薄バリ７５（図６）の発生を抑制できないが、上記距離を確保することにより、スリットを備えた配線基板５７であっても突起部２３を確実に配線基板５７と当接することが出来る。

上金型の平坦部６０には、キャビティ５０から離間した位置において、配線基板５７側へ突出する突起部２３が、キャビティ５０の周囲を囲む環状の形状に延在するように設けられている。

或いは、突起部２３は、配線基板５７上の最外周のスルーホール６３（図４のスルーホール６３ａ）よりも外側の部分に接触する位置に配置されていることがより好ましい。このことによっても、突起部２３が有効配線エリアの機能配線６６を損傷してしまうことが抑制される。
ここで、原則として、機能配線６６は、最外周のスルーホール６３ａの外側には配置されていない。ただし、設計上の制約から、複数の機能配線６６の中には、図５（ａ）の機能配線６６ａのように、その一部分が最外周のスルーホール６３ａよりも外側において引き回されているものもある。

或いは、突起部２３は、キャビティ５０を構成する凹部５３から０．５ｍｍ以上離れた位置に配置されていることが好ましい。つまり、図４に示す封止樹脂形成領域６４よりも０．５ｍｍ以上外側の位置に配置されていることが好ましい。このことによっても、突起部２３が機能配線エリアの機能配線６６を損傷してしまうことが抑制される。

次に、平坦部６０からの突起部２３の突出量について説明する。

平坦部６０は、鏡面加工されている場合と、梨地加工されている場合とがある。
平坦部６０が鏡面加工されている場合、平坦部６０の表面粗さ（十点平均粗さＲｚ）は、例えば、１μｍ程度であり、この場合の突起部２３の突出量は１μｍ以上であることが好ましい。
また、平坦部６０が梨地加工されている場合、平坦部６０の表面粗さ（十点平均粗さＲｚ）は、例えば、５〜１０μｍ程度であり、突起部２３の突出量は５μｍ以上であることが好ましい。
このような場合であっても突起部２３が延伸（連続して形成）していることで識別可能であり、少なくとも突起部２３の形成領域では突起部２３を配線基板５７に対して十分な力で押し付けることができ、突起部２３と配線基板５７との隙間からの樹脂漏れを抑制することができる。

突起部２３の平坦部６０からの突出量は、封止対象となる配線基板の、配線上のソルダレジスト厚より低くすることが好ましい。これにより配線がソルダレジストから露出することが防止される。
また、突起部２３の突出量は３０μｍ以下であることが好ましい。これにより、配線基板５７の変形やクラック等を抑制することができる。

なお、図５（ａ）には、上金型５１のゲート５９と対向する領域であるゲート対向領域８３と、上金型５１のエアベント５８と対向する領域であるエアベント対向領域８４と、がそれぞれ点線で示されている。

図６は変形例に係る半導体装置を説明する図である。図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＺ−Ｚ線に沿った断面図である。突起部２３が配線基板５７と当接する領域まで延伸する薄バリ７５が形成されている点のみが他の実施形態と異なる。圧痕６９と封止樹脂形成領域６４との間の周辺領域７３上に樹脂の薄バリ７５が形成され、且つ、圧痕６９よりも配線基板５７の第１辺側の周辺領域７３上には薄バリ７５が形成されていない。平坦部６０と配線基板５７の当接圧力を小さくすることにより、本実施形態の半導体装置を得ることが可能である。薄バリ７５は封止樹脂８０がもれることによって形成される。ただし、封止樹脂８０中に含まれる酸化Ｓｉ（シリコン）などからなるフィラーの密度（例えば任意の断面にて観察される単位面積あたりのフィラー面積比）が、薄バリ７５においては、封止樹脂形成領域６４上の封止樹脂８０よりも小さい。フィラーが平坦部６０と配線基板５７との隙間には進入しにくいためである。あるいは封止樹脂形成領域６４上の封止樹脂８０よりも、薄バリ７５における平均フィラー径が小さい。

平面視において、薄バリ７５の一部は突起部２３と配線基板５７とが当接する線である突起部当接線７６（圧痕６９に相当）まで達しており、この領域において、薄バリ７５は、配線基板５７の辺に平行な直線部を有する。

本実施形態においては配線基板５７の周辺領域７３上に広く薄バリ７５の形成を許容しつつ、突起部当接線７６よりも外側への薄バリ７５の拡大を確実に抑制できる。他の実施形態よりも突起部２３領域に印可する圧力を小さくできるため、例えば導体上のソルダレジスト７２が２０μｍよりも薄い場合などであっても、配線基板５７の損傷を確実に抑制することが出来る。

本実施形態においては圧痕６９が形成されていてもいなくても良い。圧痕６９が形成されない程度の圧力（ソルダレジスト７２の弾性変形で吸収できる程度の押し込み量）であっても、突起部当接線７６に圧力が集中するためそれより外側への薄バリ７５の拡大は確実に抑制できる。
尚、薄バリ７５が厚すぎる場合は封止樹脂８０と近い色調を呈するため固体の外観も変化してしまう。このため薄バリ７５の厚さは、好ましくは１０μｍ以下になるようにし、５μｍ以下がより好ましい。

次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
この製造方法は、配線基板５７を準備する工程と、配線基板５７の封止樹脂形成領域６４上に半導体チップ５６を搭載する工程と、半導体チップ５６が搭載された配線基板５７を型締めする工程と、半導体チップ５６を封止樹脂８０により封止する工程を備える。
配線基板５７は、封止樹脂形成領域６４と封止樹脂形成領域６４を囲む周辺領域７３とを有する上面と、上面とは逆側の面である裏面と、を有している。配線基板５７の平面視における外形線は、第１辺を含む。
配線基板５７を型締めする工程では、下金型（第１金型）５２と、下金型５２に対向して配置された上金型（第２金型）５１と、により配線基板５７を挟み込んで型締めする。
上金型５１は、周辺領域７３と接する平坦部６０と、封止樹脂形成領域６４と対向する位置に形成された凹部５３と、平坦部６０における凹部５３から離間した位置に形成され下金型５２の側に突出し且つ配線基板５７の第１辺に沿って延在する突起部２３とを有している。
配線基板５７を型締めする工程は、下金型５２に裏面が接するように配線基板５７を下金型５２上に配置する工程と、配線基板５７を下金型５２と上金型５１とにより挟み込んで型締めし、平坦部６０及び突起部２３を周辺領域７３に接触させる工程を含む。
半導体チップ５６を封止樹脂８０により封止する工程では、凹部５３内に樹脂を充填し、凹部５３と対応する形状の封止樹脂８０を封止樹脂形成領域６４上に形成する。
以下、詳細に説明する。

先ず、図７に示す工程基板を準備する。工程基板は、後に個々の半導体装置の配線基板５７となる複数の製品領域７７と、製品領域７７を囲み且つ製品領域７７間を接続する枠部７８と、からなる。コーナーゲートの場合は、各製品領域７７毎にゲートとなるゲートパターン７９がキャビティ内に対応する位置から枠部７８にかけて工程基板の上面（チップ搭載面）に形成されている。

次に、配線基板５７上に半導体チップ５６を搭載（マウント）する。次に、半導体チップ５６の上面の電極パッド（図示略）と配線基板５７上のステッチ６２とをボンディングワイヤ６１を介してワイヤボンディングしておく。より具体的には機能配線６６の先端が接続されているステッチ６２と半導体チップ５６上の電極パッドとをワイヤボンディングしておく。

次に、このようにして得られた構造体を、配線基板５７が下側となるように下金型５２のキャビティブロック５４上に載置し、更に、この配線基板５７の上面に対して上金型５１の平坦部６０を押し付けて、配線基板５７を型締めする（図１の状態）。
工程基板は複数の配線基板５７（製品領域）を有するため、上金型は、配線基板５７毎のそれぞれ対応する、独立したキャビティを複数備える。

次に、ゲート５９（図２、図３）を介してキャビティ５０内に封止樹脂を充填した後、樹脂を硬化させることにより、封止樹脂８０（図５参照）を形成する。更に、上金型５１と下金型５２とを離間させ、それらの間から上面に封止樹脂８０が形成された工程基板を取り出す。

次に、配線基板５７の裏面側の電極上に、はんだボール６８を形成する。すなわち、半導体チップ５６を封止樹脂８０により封止する工程の後で、配線基板５７の裏面に複数のはんだボール６８を形成する工程を行う。ここで、平面視において、最外周に位置するはんだボール６８は、配線基板５７において型締め時に突起部２３が接触する部位よりも封止樹脂形成領域６４側に形成する。

次に配線基板５７毎に切断分離し個片化することで、個々の半導体装置を得る。個片化工程は、ブレードダイシングによって配線基板５７を切断分離してもよく、あるいは配線基板５７の角部に支持領域を残した形で配線基板５７の辺に沿って予めスリットが形成された工程基板を準備し、はんだボール６８の形成工程の後に金型などで支持領域を切断することで個片化しても良い。上述のように工程基板は複数の製品領域７７を有している。配線基板５７の裏面に複数のはんだボール６８を形成する工程の後で、工程基板を個々の製品領域７７に個片化する工程を行う。
こうして、本実施形態に係る半導体装置を得ることができる。

ここで、本実施形態に係る製造方法により製造された半導体装置は、以下の特徴を有している。すなわち、上金型５１と下金型５２とにより配線基板５７を型締めする際に、突起部２３が配線基板５７の上面に押圧されるため、配線基板５７の上面には、突起部２３が押し付けられたことによる圧痕６９が形成されている。
なお、はんだボール６８は、圧痕６９よりも内側にのみ形成されていることが好ましい。

なお、本実施形態に係る製造方法は、突起部２３が接触する部位よりも内側（封止樹脂８０側）の配線基板５７表面上への樹脂漏れまでも抑制することを目的とするものではない。このため、突起部２３が接触する部位よりも内側においては、配線基板５７と平坦部６０との隙間に樹脂が漏れ出す結果、配線基板５７表面上に樹脂の薄い皮膜（薄バリ７５）が形成される場合がある。ただし、この薄バリ７５は、配線基板５７の表面上において、突起部２３が接触する部位よりも外側には、形成されることが抑制される。つまり、圧痕６９の形成箇所を境界として、内側には薄バリ７５が存在し得るが、外側には、薄バリ７５の形成が抑制されている。
半導体チップ５６を封止樹脂８０により封止する工程では、突起部２３と封止樹脂形成領域６４との間の周辺領域７３上に樹脂の薄バリ７５を形成し、突起部２３よりも配線基板５７の第１辺側の周辺領域７３上には薄バリ７５を形成しないようにしても良い。

本実施形態に係る半導体装置は、配線基板５７と、配線基板５７上に搭載された半導体チップ５６と、半導体チップ５６を覆うように配線基板５７上に設けられた封止樹脂８０と、を有し、配線基板５７には、封止樹脂８０の周囲を囲む環状の形状に延在する圧痕６９が、封止樹脂８０から離間した位置に形成され、且つ、１）圧痕６９が配線基板５７上の機能配線エリアよりも外側に形成されているという第１条件と、２）圧痕６９が配線基板５７上の最外周のスルーホール６３（６３ａ）よりも外側に形成されているという第２条件と、３）圧痕６９よりも封止樹脂８０側には配線基板５７上に薄バリ７５が存在し、圧痕６９よりも外側の配線基板５７上には薄バリ７５が存在しない、という第３条件と、のうちの少なくとも何れか１つの条件を満たしている。

以上のような第１の実施形態によれば、上金型５１の平坦部６０には、配線基板５７側へ突出する突起部２３が、キャビティ５０の周囲を囲む環状の形状に延在するように設けられている。このため、型締め時には、突起部２３が配線基板５７の表面に押し付けられるので、突起部２３と配線基板５７との接触箇所よりも外側への樹脂漏れが抑制される。
しかも、突起部２３は、キャビティ５０から離間した位置に設けられているので、突起部２３が配線基板５７の機能配線エリアを損傷してしまうことが抑制される。
要するに、封止樹脂８０の形成時における樹脂漏れの抑制と、配線基板５７の機能配線エリアの損傷の抑制と、を両立させることができる。
なお、機能配線エリア外であれば、配線基板５７にクラックが生じたとしても、機能配線６６が存在しないため、断線による電気特性不良を気にする必要がない。
なお、突起部２３は上金型５１の平坦部６０に設けられているので、上金型５１と下金型５２とを相対的に移動させる移動機構の他には、突起部２３を移動させる移動機構を設ける必要がない。

ここで、封止樹脂形成領域６４に隣接して突起部２３を配置すると、少なくとも突起部２３のキャビティ５０側では配線基板５７に当接し該配線基板５７を押圧するものがないため、突起部２３の領域に圧力が集中し配線損傷が発生しやすい。本実施形態では、配線基板５７と当接する平坦部６０をキャビティ５０と突起部２３との間に備えることにより、このような課題を解決することができる。さらに圧力集中領域を配線基板５７の周縁部に配置できることから、機能配線６６の損傷リスクが低減された半導体装置を得ることが出来る。配線基板５７において、キャビティ５０と突起部２３との間の平坦部６０が接する領域には、封止樹脂が形成されない。つまり封止樹脂形成領域６４（キャビティ５０）、封止樹脂無し領域（平坦部６０）、圧痕６９の順に形成された半導体装置のため樹脂漏れと基板損傷との抑制が両立された半導体装置が得られる。

また、配線基板５７は、複数のスルーホール６３が形成された基材７０と、基材７０上且つ上面側に形成された配線７１ａと、配線７１ａ上に形成されたソルダレジスト７２と、を有し、圧痕６９はソルダレジスト７２に形成されている。そして、複数のスルーホール６３は、平面視において周辺領域７３内かつ圧痕６９よりも封止樹脂形成領域６４の側に位置する第１のスルーホールを含む。
これにより、機能配線エリア内にスルーホール６３が配置可能となり、半導体装置の信頼性向上とともに配線基板５７の設計上の制約を小さくすることができる。

また、圧痕６９の深さは、配線７１ａ上におけるソルダレジスト７２の厚さよりも浅いので、配線７１ａの損傷が抑制された構造の半導体装置が得られる。

また、配線基板５７は、封止樹脂形成領域６４にステッチ６２を備え、配線７１ｂは、ステッチ６２から上記の第１のスルーホールに亘って延在している。そして、配線基板５７は、更に、第１のスルーホールから配線基板５７の第１辺に達するめっき線６５を周辺領域７３に備える。つまり、配線７１ａ（機能配線）は配線基板５７において突起部２３と当接する領域よりも内側に延伸し、損傷しても半導体装置の動作に直接影響のないめっき線６５は配線基板５７において突起部２３と当接する領域を横切る配置としている。これにより、半導体装置の信頼性向上とともに配線基板５７の設計上の制約を小さくすることができる。

また、封止樹脂形成領域６４は、長辺と短辺とを交互に有する八角形であり、平面視において、その八角形の第１の長辺と、配線基板５７の第１辺とは、封止樹脂形成領域６４を基準として同じ側に位置し、且つ、互いに平行である。そして、圧痕６９と第１の長辺とが互いに平行に延在している。つまり、圧痕６９は、配線基板５７の外縁に沿って直線状に延在している。これにより、圧痕６９の形成領域を、配線基板５７の最外周の狭い領域に限定でき、且つ、圧痕６９を第１辺からの距離が一定の領域に形成でき、圧痕６９がスルーホール６３にかかることを抑制することができる。
また、封止樹脂形成領域６４の長辺と配線基板５７の外縁までの距離は、封止樹脂形成領域６４の短辺と配線基板５７の端部までの距離よりも小さいため、同じ長さの薄バリ７５が形成される場合でも、配線基板５７の端部にかかりやすい。薄バリ７５が端部にかかると製造工程でのバリ落下リスクが大きくなる。またスリットが形成された配線基板５７では、薄バリ７５が下金型５２に達すると配線基板５７の裏面に薄バリ７５が形成されたり、下金型６２の機能を損なう可能性がある。本実施形態では、これらの問題を抑制することができる。
また、圧痕６９を第１の辺と平行に延伸させることにより広い機能配線エリアを確保することができるとともに、複数の製品間で同一の金型を共用し易くなるというメリットもある。

また、封止樹脂形成領域６４の第１の長辺と圧痕６９との距離は、配線基板５７の第１辺と圧痕６９との距離よりも大きい。これにより、圧痕６９が配線基板５７の第１辺（外縁）寄りに形成されるため、機能配線６６の損傷リスクを低減でき、広い機能配線エリアを確保することができる。

また、配線基板５７において、封止樹脂形成領域６４の短辺と対応する領域の少なくとも一部分には、圧痕６９の非形成領域が存在する。これにより、封止樹脂形成領域６４の短辺にゲート５９やエアベント５８などを形成しても、樹脂や空気の流動性を確保することができる。

また、半導体装置は複数のはんだボール６８を備え、平面視において、最外周に位置するはんだボール６８は、圧痕６９よりも封止樹脂形成領域６４側に位置している。これにより、圧痕６９が配線基板５７の第１辺（外縁）寄りに形成されるため、機能配線６６の損傷リスクを低減でき、広い機能配線エリアを確保することができる。

なお、突起部２３の長さは、突起部２３の幅（太さ）の１０倍以上であることが好ましい。これにより、機能配線エリアをなるべく広く確保できるとともに、突起部２３における圧力集中効果が得られる（突起部２３が太すぎると圧力集中効果が得られない）。また、突起部２３の長さは、封止樹脂形成領域６４の長辺の長さよりも長いことも好ましい。

〔第２の実施形態〕
図８は第２の実施形態に係る半導体装置用金型の第２金型（例えば、上金型５１）を示す断面図である。

上記の第１の実施形態では、突起部２３を含む上金型５１の全体が金属により一体形成されている例を説明した。

これに対し、第２の実施形態では、図８に示すように、突起部２３は、上金型５１よりも弾性率が小さい材質により構成され、平坦部６０に取り付けられている。なお、本実施形態の場合、突起部２３は、キャビティ５０から離間している必要は無く、キャビティ５０と隣接する位置に配置されていても良い。

突起部２３は、例えば、Ｏリングなどにより構成され、上金型５１の平坦部６０の下面に形成された取付凹部８１内に嵌め込まれて固定されている。なお、突起部２３は、例えば、平坦部６０側が平坦に形成され（例えば、断面半円形状などに形成され）、平坦部６０に対して接着されていても良い。

ここで、配線基板５７を構成する材料の中で最も低弾性率な材料は、ソルダレジスト７２であり、２５℃のときに２〜５ＧＰａであるため、突起部２３は、それよりも低弾性の材料であることが好ましい。より具体的には、突起部２３の弾性率は１ＧＰａ以下であることが好ましい。また、突起部２３は、樹脂注入時の熱でも溶融しない程度の耐熱性を有している。具体的には、突起部２３は、例えば、ポリイミド、シリコーンゴム、フッ素ゴム等により構成することができる。

また、突起部２３は、取付凹部８１に対して着脱自在であることが好ましい。これにより、製造する半導体装置の種類等に応じて、異なる突出量の突起部２３を取り付けることができる。なお、同じ形状の取付凹部８１に対し、異なる突出量の突起部２３を取り付けるためには、例えば、相対的に突出量が小さい断面円形の突起部２３と、相対的に突出量が大きい断面長円形の突起部２３と、を選択的に取り付けることが挙げられる。

以上のような第２の実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、本実施形態の場合、型締め時には、配線基板５７よりもむしろ突起部２３が変形することによって、配線基板５７の表面の微小な凹凸を吸収し、これにより、樹脂漏れ及び配線基板５７のクラック等を抑制することができる。
また、本実施形態の場合、突起部２３はキャビティ５０から離間している必要は無く、突起部２３を機能配線エリア内に配置することができるため、上記の第１の実施形態と比べて配線基板５７の機能配線エリアを拡大することも可能である。

〔第３の実施形態〕
図９（ａ）は第３の実施形態に係る半導体装置用金型の第２金型（例えば、上金型５１）を示す断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）におけるＡ部の拡大図である。

上記の第２の実施形態では、突起部２３のみが上金型５１と別部材である例を説明したが、第３の実施形態では、突起部２３が、取付ベース部材９０を介して上金型５１に取り付けられている。ここで、取付ベース部材９０は、上金型５１に対して着脱自在であることが好ましい。

取付ベース部材９０は、例えば、断面形状が矩形状であり、平面形状は、例えば矩形枠状となっている。取付ベース部材９０は、上金型５１に形成された凹部８２に取り付けられている。

取付ベース部材９０の下面の位置は、平坦部６０よりも上であっても良いし（図９の例）、或いは、平坦部６０よりも下であっても良い。ただし、何れの場合にも、突起部２３は、平坦部６０よりも下方に突出している。平坦部６０からの突起部２３の突出量は、凹部８２と取付ベース部材９０との間に適切な厚みのシム（スペーサー）を介装することによって調節することができる。

図９（ｂ）に示すように、上金型５１において、突起部２３の周辺の部分は、一段低くても良いが、型締め時に配線基板５７と当接する。

上金型５１に対する取付ベース部材９０の固定は、特に限定されないが、例えば、ボルト等の止着部材を用いて固定するや、締まり嵌めにより固定することが挙げられる。

以上のような第３の実施形態によれば、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。また、取付ベース部材９０を選択することによって、突起部２３の突出量を調節することができる。

上記の各実施形態では、突起部２３が断面円形（突出している部分の形状は断面半円形状）である例を説明したが、突起部２３の断面形状は、楕円形、長円形、台形、三角形或いは四角などの多角形状であっても良い。

また、上記の各実施形態では、エアベント５８の形成箇所以外では、突起部２３が連続的な環状に配置されている例を説明した。ただし、突起部２３は、エアベント５８の形成箇所以外においても、必ずしも連続的に配置する必要は無く、例えば、突起部２３にはその延在方向において間欠的にブランクが存在していても良い。

また、上記の各実施形態では、突起部２３が一重に配置されている例を説明したが、キャビティ５０を複数重に取り囲むように突起部２３が配置されていても良い。

また、上記の第２及び第３の実施形態では、突起部２３の全体が、上金型５１よりも弾性率が小さい材料により構成されている例を説明したが、上記の第１の実施形態と同様に上金型５１の一部として形成された突起部の表層に、上金型５１よりも弾性率が小さい材料のコーティングを施すことにより、突起部２３の（表層の）弾性率を上金型５１よりも小さくしても良い。

また、上記の各実施形態では、上金型５１に凹部５３及び平坦部６０が形成され、この平坦部６０に突起部２３が設けられている例を説明したが、上金型５１の構成と、下金型５２の構成とが逆転していても良い。すなわち、上金型５１が第１金型であり、下金型５２が第２金型であっても良い。
また、上記の各実施形態では、ワイヤ接続の例を示したが半導体チップの表面に形成されたバンプをはんだを介して配線基板に接続する、所謂フリップ接続でも良い。

なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
（付記１）
半導体チップが搭載された配線基板の裏面に対し、型締め時に接触される第１金型と、
前記第１金型と対向する第２金型と、
を有し、
前記第２金型は、
前記型締め時に前記半導体チップを包囲するキャビティを構成する凹部と、
前記型締め時に、前記キャビティの周囲において前記配線基板の表面に接触される平坦部と、
を有し、
前記平坦部には、前記キャビティから離間した位置において、前記配線基板側へ突出する突起部が、前記キャビティの周囲を囲む環状の形状に延在するように設けられていることを特徴とする半導体装置用金型。
（付記２）
前記突起部は、前記配線基板上の機能配線エリアよりも外側の部分に接触する位置に配置されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置用金型。
（付記３）
前記突起部は、前記配線基板上の最外周のスルーホールよりも外側の部分に接触する位置に配置されていることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置用金型。
（付記４）
前記突起部は、前記凹部から０．５ｍｍ以上離れた位置に配置されていることを特徴とする付記１乃至３の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記５）
前記突起部は、前記第１金型と一体形成されていることを特徴とする付記１乃至４の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記６）
前記突起部は、前記第１金型よりも弾性率が小さい材料により構成され、前記平坦部に取り付けられていることを特徴とする付記１乃至５の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記７）
半導体チップが搭載された配線基板の裏面に対し、型締め時に接触される第１金型と、
前記第１金型と対向する第２金型と、
を有し、
前記第２金型は、
前記型締め時に前記半導体チップを包囲するキャビティを構成する凹部と、
前記型締め時に、前記キャビティの周囲において前記配線基板の表面に接触される平坦部と、
を有し、
前記平坦部には、前記第１金型よりも弾性率が小さい材料により構成され、前記配線基板側へ突出する突起部が、前記キャビティの周囲を囲む環状の形状に延在するように取り付けられていることを特徴とする半導体装置用金型。
（付記８）
前記突起部は、前記平坦部に対して着脱自在であることを特徴とする付記６又は７に記載の半導体装置用金型。
（付記９）
前記突起部の弾性率は１ＧＰａ以下であることを特徴とする付記６乃至８の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記１０）
前記平坦部は鏡面加工され、前記突起部の突出量は１μｍ以上であることを特徴とする付記１乃至９の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記１１）
前記平坦部は梨地加工され、前記突起部の突出量は５μｍ以上であることを特徴とする付記１乃至９の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記１２）
前記突起部の突出量は３０μｍ以下であることを特徴とする付記１乃至１１の何れか１つに記載の半導体装置用金型。
（付記１３）
前記突起部が複数重に配置されていることを特徴とする付記１乃至１２の何れか１つに記載の半導体装置用金型。

２３ 突起部
５０ キャビティ
５１ 上金型（第２金型）
５２ 下金型（第１金型）
５２ａ 本体部
５３ 凹部
５４ キャビティブロック
５５ 皿バネ
５６ 半導体チップ
５７ 配線基板
５８ エアベント
５９ ゲート
６０ 平坦部
６１ ボンディングワイヤ
６２ ステッチ（第１の電極端子）
６３ スルーホール
６３ａ スルーホール
６４ 封止樹脂形成領域（第１領域）
６５ めっき線（第２配線）
６６ 機能配線（第１配線）
６６ａ 機能配線（第１配線）
６８ はんだボール（外部端子）
６９ 圧痕
７０ 基材
７１ 配線
７１ａ 配線（第１配線）
７１ｂ 配線（第２配線）
７２ ソルダレジスト（絶縁性樹脂）
７３ 周辺領域（第２領域）
７４ 配線基板端
７５ 薄バリ
７６ 突起部当接線
７７ 製品領域
７８ 枠部
７９ ゲートパターン
８０ 封止樹脂
８１ 取付凹部
８２ 凹部
８３ ゲート対向領域
８４ エアベント対向領域
９０ 取付ベース部材

Claims (19)

1. 第１領域と前記第１領域を囲む第２領域とを有する第１面と、前記第１面とは逆側の面である第２面と、を有し、平面視における外形線が第１辺を含む配線基板を準備する工程と、
   前記第１領域上に半導体素子を搭載する工程と、
   前記半導体素子が搭載された前記配線基板を、第１金型と、前記第１金型に対向して配置された第２金型と、により型締めする工程と、
   型締めされた状態の前記配線基板上の前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程と、
   を備え、
   前記第２金型は、前記第２領域と接する平坦部と、前記第１領域と対向する位置に形成された凹部と、前記平坦部における前記凹部から離間した位置に形成され前記第１金型の側に突出し且つ前記第１辺に沿って延在する突起部と、を有し、
   前記配線基板を型締めする工程は、
   前記第１金型に前記第２面が接するように、前記配線基板を前記第１金型上に配置する工程と、
   前記配線基板を前記第１金型と前記第２金型とで挟み込んで型締めし、前記平坦部及び前記突起部を前記第２領域に接触させる工程と、
   を含み、
   前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程では、前記凹部内に樹脂を充填し、前記凹部と対応する形状の前記封止樹脂を前記第１領域上に形成し、
   前記配線基板は、
   複数のスルーホールが形成された基材と、
   前記基材上、且つ、前記第１面側に形成された第１配線と、
   前記第１配線上に形成された第１絶縁膜と、
   を有し、
   前記複数のスルーホールは、平面視において前記第２領域内かつ前記突起部よりも前記第１領域の側に位置する第１のスルーホールを含み、
   前記突起部は、型締め時に前記第１絶縁膜を押圧して前記第１絶縁膜に圧痕を形成する半導体装置の製造方法。
2. 前記平坦部からの前記突起部の突出長は、前記第１配線上における前記第１絶縁膜の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記配線基板は、前記第１領域に第１の電極端子を備え、
   前記第１配線は、前記第１の電極端子から前記第１のスルーホールに亘って延在し、
   前記配線基板は、更に、前記第１のスルーホールから前記第１辺に達する第２配線を前記第２領域に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１領域は、長辺と短辺とを交互に有する八角形であり、
   平面視において、前記八角形の第１の長辺と、前記配線基板の前記第１辺とは、前記凹部を基準として同じ側に位置し、且つ、互いに平行であり、
   前記突起部と前記第１の長辺とが互いに平行に延在していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１の長辺と前記突起部との距離は、前記第１辺と前記突起部との距離よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第２金型において、前記第１領域の前記短辺と対向する領域の少なくとも一部分には、前記突起部の非形成領域が存在することを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程の後で、前記第２面に複数の外部端子を形成する工程を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 平面視において、最外周に位置する前記外部端子は、前記配線基板において型締め時に前記突起部が接触する部位よりも前記第１領域側に形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記配線基板は複数の製品領域を有し、
   前記第２面に複数の外部端子を形成する工程の後で、前記配線基板を個々の前記製品領域に個片化する工程を行うことを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程では、前記突起部と前記第１領域との間の前記第２領域上に前記樹脂の薄バリを形成し、前記突起部よりも前記第１辺側の前記第２領域上には前記薄バリを形成しないことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 第１領域と前記第１領域を囲む第２領域とを有する第１面と、前記第１面とは逆側の面である第２面と、を有し、平面視における外形線が第１辺を含む配線基板と、
    前記第１領域上に搭載された半導体素子と、
    前記第２領域上には形成されず前記第１領域上に形成されて、前記半導体素子を封止している封止樹脂と、
    前記第２面に形成された外部端子と、
    前記第２領域において前記第１領域から離間した位置に形成され、前記第１辺に沿って延在している圧痕と、
    を有し、
    前記配線基板は、
    複数のスルーホールが形成された基材と、
    前記基材上、且つ、前記第１面側に形成された第１配線と、
    前記第１配線上に形成された第１絶縁膜と、
    を有し、
    前記圧痕は前記第１絶縁膜に形成されており、
    前記複数のスルーホールは、平面視において前記第２領域内かつ前記圧痕よりも前記第１領域の側に位置する第１のスルーホールを含む半導体装置。
12. 前記圧痕の深さは、前記第１配線上における前記第１絶縁膜の厚さよりも浅いことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記配線基板は、前記第１領域に第１の電極端子を備え、
    前記第１配線は、前記第１の電極端子から前記第１のスルーホールに亘って延在し、
    前記配線基板は、更に、前記第１のスルーホールから前記第１辺に達する第２配線を前記第２領域に備えることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
14. 前記第１領域は、長辺と短辺とを交互に有する八角形であり、
    平面視において、前記八角形の第１の長辺と、前記配線基板の前記第１辺とは、前記第１領域を基準として同じ側に位置し、且つ、互いに平行であり、
    前記圧痕と前記第１の長辺とが互いに平行に延在していることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
15. 前記第１の長辺と前記圧痕との距離は、前記第１辺と前記圧痕との距離よりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
16. 前記第１領域の前記短辺と対応する領域の少なくとも一部分には、前記圧痕の非形成領域が存在することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体装置。
17. 平面視において、最外周に位置する前記外部端子は、前記圧痕よりも前記第１領域側に位置していることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
18. 前記圧痕は、前記封止樹脂を封止する際に用いる樹脂封止金型の、前記配線基板との当接面に形成された突起部が転写されたものであることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
19. 前記圧痕と前記第１領域との間の前記第２領域上に樹脂の薄バリが形成され、且つ、前記圧痕よりも前記第１辺側の前記第２領域上には前記薄バリが形成されていないことを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の半導体装置。

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