JP2005340309A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 チップ中央部と周辺部の樹脂流動差により、チップ周辺の残留空気による樹脂封止型半導体装置への樹脂ボイドの発生を防止する。
【解決手段】 半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１を支持した吊りリード部２と、ダイパッド部１上に搭載された半導体素子３と、先端部がダイパッド部１に対向して配列された複数のリード部４と、半導体素子３の電極とリード部４とを接続した金属細線５と、金属細線５の接続領域を封止した封止樹脂６とを備え、封止樹脂６の周辺部の少なくとも一部に空洞部１５を持つ。空洞部１５により封止樹脂６の厚みを中央部と周辺部で変化させることで、封止時の樹脂の流動速度を均一にし、エアートラップ発生を防止できる。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体素子を搭載した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特に封止樹脂中への樹脂ボイドの発生を防止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。

従来の樹脂封止型半導体装置としては、エアベントタイプがあった。

例えば、特許文献１には、エアベントを設けることで、ボイドを削減することを特徴としていた。

以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置について説明する。図１０は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は底面図、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。

図１０に示すように、リードフレームのダイパッド部１０１上に半導体素子１０２が搭載され、その半導体素子１０２とインナーリード部１０３とが金属細線１０４により電気的に接続されている。そしてダイパッド部１０１上の半導体素子１０２、インナーリード部１０３の外囲は封止樹脂１０５により封止されている。また封止樹脂１０５の側面とインナーリード部１０３の末端部とは同一面に配置されているものであり、ダイパッド部１０１の底面が封止樹脂１０５から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置である。またインナーリード部１０３の先端部が外部端子１０６として露出しているものである。

次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。図１１はリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
まず図１１（ａ）に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１を支持する吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリード部１０３とを有したリードフレームを用意する。

次に図１１（ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド部１０１上に半導体素子１０２を銀ペースト等の接着剤により接合する（ダイボンド工程）。

次に図１１（ｃ）に示すように、ダイパッド部１０１上に搭載した半導体素子１０２の表面の電極パッド（図示せず）と、リードフレームのインナーリード部１０３の先端部とを金属細線１０４により接続する（ワイヤーボンド工程）。

その後、図１１（ｄ）に示すように、封止シートをリードフレームに密着させた状態でダイパッド部１０１、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の外囲を封止樹脂１０５により封止する。この工程ではリードフレームの底面に封止シートを密着させて封止しているので、ダイパッド部１０１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の底面を除く領域、および金属細線１０４の接続領域を封止するものであり、封止後は封止樹脂１０５の底面からダイパッド部１０１の底面が露出した構成となる。
特開２００３−１７６４６号公報

しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法では、チップのある中央部に比較し、周辺部では樹脂厚みが異なるために樹脂の流れ込む流動抵抗が異なる。そのため、流動速度の差が生じ、チップの裏にエアートラップが発生し、結果として空気が残留することから、樹脂ボイドとなってダイパッド部近傍の封止樹脂中に発生してしまう。特許文献１において、エアベントを設置してもボイドを削減することができても同様な結果となった。

このような現象は近年、パッケージの薄型化とチップの積層化に伴い、チップ上部と樹脂下面のクリアランスが減少したために樹脂封止工程の際に発生することが多く、樹脂封止型半導体装置を製造する上で大きな問題となっていた。

封止樹脂中に樹脂ボイドが発生している場合、樹脂封止型半導体装置を基板実装した際、加熱環境下での動作中に樹脂へのクラック、実装不良が発生し、信頼性上、好ましくない状況となる。

したがって、この発明の目的は、前記した従来の課題を解決するものであり、チップ中央部と周辺部の樹脂流動差により、チップ周辺の残留空気による樹脂封止型半導体装置への樹脂ボイドの発生を防止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することである。

上記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部を持つ。

請求項２記載の樹脂封止型半導体装置は、外部電極端子を底面に有し、前記外部電極端子と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板と、前記多層基板上に実装された半導体素子と、前記多層基板上面の複数の電極と前記半導体素子とを接続した金属細線と、前記多層基板上面と前記半導体素子と前記金属細線とを封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部を持つ。

請求項３記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部があり、その空洞部に熱伝導性の高い材料が埋め込まれている。

請求項４記載の樹脂封止型半導体装置は、外部電極端子を底面に有し、前記外部電極端子と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板と、前記多層基板上に実装された半導体素子と、前記多層基板上面の複数の電極と前記半導体素子とを接続した金属細線と、前記多層基板上面と前記半導体素子と前記金属細線とを封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部があり、その空洞部に熱伝導性の高い材料が埋め込まれている。

請求項５記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１，２，３または４記載の樹脂封止型半導体装置において、複数の半導体素子が搭載される。

請求項６記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１，２，３または４記載の樹脂封止型半導体装置において、前記空洞部は封止樹脂の中央側から周辺に行くに従い深くなり、その深さが異なる空洞部の底の位置が金属細線の角度と略平行になる。

請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記フレーム枠より延出した先端部で前記ダイパッド部の各角部を支持する吊りリード部と、前記フレーム枠より延出した先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部とからなるリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と前記リードフレームのリード部とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの下面側に封止シートを配置して少なくとも前記リード部、ダイパッド部の底面に前記封止シートを密着させる工程と、前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止する工程とを含み、前記樹脂封止の際に外殻全体を構成する凹形部と周辺部に空洞部を作成するための凸形部とを有する金型を用いて、樹脂充填注入方向に対し、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に前記凸形部を配置し、前記金属細線の接続領域を封止する。

請求項８記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、複数個の半導体装置の樹脂封止を一括成形する。

この発明の請求項１記載の樹脂封止型半導体装置によれば、ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部がダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、半導体素子の電極とリード部とを接続した金属細線と、金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備え、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部を持つので、チップ周辺部での封止時の流動速度を抑制する効果を持つ樹脂封止型半導体装置となる。具体的には、封止樹脂は、流動中もかなりの粘度を有するため、チップ上部の封止厚みの狭くなった空間に流れ込もうとすると流動抵抗が生じ、流動速度が遅くなり、チップ周辺部と速度差が生じる。従って、チップを包み込むように樹脂流れが発生し、チップの後方にエアートラップが発生し易い。これがプランジャー圧力によりつぶれることもあるが、そのまま残り課題となる。そのため、上記のように空洞部により封止樹脂の厚みを中央部と周辺部で変化させることで、封止時の樹脂の流動速度を均一にし、エアートラップ発生を防止できるものである。特にダイパッド部が封止樹脂から露出したタイプの樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド部の近傍の封止樹脂中にボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。

この発明の請求項２記載の樹脂封止型半導体装置によれば、多層基板上に実装された半導体素子と、多層基板上面の複数の電極と半導体素子とを接続した金属細線と、多層基板上面と半導体素子と金属細線とを封止した封止樹脂とを備え、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部を持つので、多層基板で構成された樹脂封止型半導体装置において請求項１と同様の効果が得られる。

この発明の請求項３記載の樹脂封止型半導体装置によれば、ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部がダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、半導体素子の電極とリード部とを接続した金属細線と、金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備え、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部があり、その空洞部に熱伝導性の高い材料が埋め込まれているので、請求項１の効果に加えて、パッケージ全体の剛性を高めながら、全体の放熱性を高めることができる。さらに空洞部に水分が溜まることを防ぐ役割も果たす。

この発明の請求項４記載の樹脂封止型半導体装置によれば、多層基板上に実装された半導体素子と、多層基板上面の複数の電極と半導体素子とを接続した金属細線と、多層基板上面と半導体素子と金属細線とを封止した封止樹脂とを備え、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部があり、その空洞部に熱伝導性の高い材料が埋め込まれているので、多層基板で構成された樹脂封止型半導体装置において請求項１の効果に加えて、パッケージ全体の剛性を高めながら、全体の放熱性を高めることができる。さらに空洞部に水分が溜まることを防ぐ役割も果たす。

請求項５では、複数の半導体素子が搭載される構成であり、複数のチップからなる半導体装置に適用できる。

請求項６では、請求項１，２，３または４記載の樹脂封止型半導体装置において、空洞部は封止樹脂の中央側から周辺に行くに従い深くなり、その深さが異なる空洞部の底の位置が金属細線の角度と略平行になることが望ましい。チップ中央部と周辺部を結ぶ稜線を、ワイヤ角度にできるだけ平行に保つことで、樹脂速度差が生じなくなり、ワイヤ流れを防止する効果をもつ。

この発明の請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、樹脂封止の際に外殻全体を構成する凹形部と周辺部に空洞部を作成するための凸形部とを有する金型を用いて、樹脂充填注入方向に対し、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に凸形部を配置し、金属細線の接続領域を封止するので、周辺部の空洞を作成する凸形部からなる金型を有することで、周辺部の樹脂速度を遅くすることで全体の速度バランスを保ち、エアートラップ発生が起こしにくい樹脂封止が可能になる。また、一括成形時には、パッケージにより、凸形部のみを変更することで、全体金型を変更することなく、活用することを可能とする。これにより、ボイドの発生を防止できるものであり、ダイパッド部露出型の片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法に広く適用できる優れた製法である。

請求項８では、請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、複数個の半導体装置の樹脂封止を一括成形することが望ましい。

以下、本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

この発明の第１の実施の形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１は本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は底面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。

図１に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用の上方に突出部１ａを半切断状態で有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１を支持した吊りリード部２と、ダイパッド部１の支持部１ａ上に搭載された半導体素子３と、先端部がダイパッド部１に対向して配列された複数のリード部４と、半導体素子３の電極とリード部４とを接続した金属細線５と、金属細線５の接続領域を封止した封止樹脂６とを備えている。

この場合、複数のリード部４は、先端部がダイパッド部１に対向して配列された第１のリード部４ａと、先端部が第１のリード部４ａの先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置された第２のリード部４ｂとからなる。半導体素子３の電極と第１、第２のリード部４ａ，４ｂとを金属細線５で接続している。また、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部２、半導体素子３、第１、第２のリード部４ａ，４ｂの底面と末端部を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止樹脂６により封止している。第１、第２の各リード部４ａ，４ｂの末端部は封止樹脂６の側面と略同一面に配列され、封止樹脂６の周辺部の少なくとも一部に空洞部１５が存在する。空洞部１５は封止樹脂６の中央側から周辺に行くに従い深くなり、その深さが異なる空洞部１５の底の位置が金属細線５の角度と略平行になる。

次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置におけるダイパッド部の構成について説明する。
図２は本発明の第１の実施形態のダイパッド部の形態を示す図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。

まず図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置で採用しているダイパッド部１は、平面形状が略四角形の形状であり、略中央部に上方に突出した半導体素子を支持する支持部１ａが形成されているものである。支持部１ａの形成としては、ダイパッド部を構成する金属板に対して、下方から上方に向けて押圧し、半切断状態で突出させているものである。

以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の厚みを中央部と周辺部で変化させることで、封止時の樹脂の流動速度を均一にし、エアートラップ発生を防止できるものである。

次に本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。

図３〜図５は本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図３は本実施形態で用いるリードフレームを示す図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図である。図４は本実施形態の製造方法の主要な工程を示す断面図である。

まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。

図３に示すように、銅材または、４２−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板よりなり、半導体素子を搭載する支持部１ａを有した略四角形のダイパッド部１と、その末端でフレーム枠と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅角を支持する吊りリード部２と、その先端部がダイパッド部１に対向し、末端部がフレーム枠と接続して配置された直線状の第１のリード部４ａと、直線状の第２のリード部４ｂとよりなるリードフレームであり、第１のリード部４ａ、第２のリード部４ｂはそれぞれその先端底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、第１のリード部４ａはその底面に加えて外方側面でも外部端子として実装基板と接続できるものである。

そして詳細には、ダイパッド部１にはその表面の略中央部分に円形の支持部１ａが設けられ、その支持部１ａは、ダイパッド部１を構成している平板に対してプレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突出させたものである。この支持部１ａが実質的に半導体素子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダイパッド部１の支持部１ａを除く表面と半導体素子裏面との間には間隙が形成されるよう構成されている。本実施形態では、２００μｍの金属板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚みに対して、５０μｍ〜１００μｍ（金属板自体の厚みの２５％〜５０％）突出した支持部１ａを形成している。

また、本実施形態のリードフレームの第１のリード部４ａと第２のリード部４ｂは、フレーム枠と接続した状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド部１に対向する配置においては、第２のリード部４ｂの先端部が第１のリード部４ａの先端部よりもダイパッド部１側に延在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置されているものである。この配置は、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、各リード部の先端部底面がパッケージ底面に配置されるものである。そして各リード部は直線形状のリードであり、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲率を有したランド部が形成されており、第２のリード部４ａのランド部を形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く加工され、ランド部はリード本来の厚みを有するものである。

以下、前述のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する工程について説明する。

まず図４（ａ）に示すように、金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部１と、そのダイパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数の第１、第２のリード部４ａ，４ｂとよりなるリードフレームであって、ダイパッド部１の底面には、エアベントが設けられているリードフレームを用意する。

次に図４（ｂ）に示すように、用意したリードフレームのダイパッド部１の支持部１ａ上に半導体素子３をその主面を上にして接着搭載する。

次に図４（ｃ）に示すように、ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３の電極と、リードフレームの第１、第２のリード部４ａ，４ｂとを金属細線５により電気的に接続する。

そして図４（ｄ）に示すように、リードフレームの下面であって、少なくとも第１、第２のリード部４ａ，４ｂ、ダイパッド部１の底面に封止シート８を貼付により密着させ、リードフレームの上面側を封止樹脂６により樹脂封止し、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子３、第１、第２のリード部４ａ，４ｂの底面を除く領域、および金属細線５の接続領域を全体の凹形部（凹金型１４）と周辺部の凸形部（凸金型１３）からなる金型で封止する。

このとき、図５（ａ）に示すように、カル１１に固形化された樹脂がつめられ、ランナー１２を通過し、樹脂が充填される。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ’の断面図であり、凹金型１４と樹脂周辺部に配置された凸金型１３で構成されることで、内部空間に樹脂６が充填され、空洞部１５が形成される。空洞部１５の底は、水平またはテーパ状でもよい。また、樹脂の充填方向が変わると、凸金型１３の配置位置が変わる。

図６は本発明の第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は、平面図、図６（ｂ）は底面図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。すなわち、樹脂の注入方向を変化させた時の構成であり、樹脂注入口の位置により周辺部の空洞部の位置が変化する。図６（ａ）においては、樹脂ゲート１０がコーナ部にあり、その両側の対向する２コーナーに空洞部１５を形成している。このように、樹脂注入方向が変わると凸金型の形状と位置が変わる。樹脂流動の流れ方により、凸金型１３は変わるが凹金型１４は共通で利用可能である。この封止工程では、パッケージタイプにより凸形部を変更することで全体の凹形部は、変更することなく活用可能となる。

図７は本発明の第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図７（ａ）は、平面図、図７（ｂ）は底面図、図７（ｃ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。図７に示すように、複数の半導体素子が積層して搭載した例を示している。このように、複数チップ時の構成としても、その効果は同様である。

さらに空洞部１５に熱伝導性の高い材料からなる金属埋め込み部１６を埋め込むことで、チップ全体の放熱性を高めることが可能となる。さらに付属的にパッケージ全体の剛性を高める効果を有する。さらに空洞部１５に水分等がたまることを防ぐために耐湿性にも優れた効果を合わせてもつことが可能となる。

図８は本発明の第４の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図８（ａ）は、平面図、図８（ｂ）は底面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。図８に示すように、周辺部全体に樹脂空洞部１５を持つ構成となり、その効果は、同様である。ここでは、複数の半導体素子が積層して搭載した例を示している。

図９は本発明の第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図９（ａ）は、平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’箇所の断面図である。

図９に示すように、この樹脂封止型半導体装置は、複数の導電体からなる多層基板（半導体キャリア基板）で構成されている。すなわち、外部電極端子８を底面に有し、外部電極端子８と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板７と、多層基板７上に実装された半導体素子３と、多層基板７上面の複数の電極と半導体素子３とを接続した金属細線５と、多層基板７上面と半導体素子３と金属細線５とを封止した封止樹脂６とを備え、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部１５を持つ。半導体素子３は１つでも複数積層しても同様である。なお、第３の実施形態と同様に空洞部１５に熱伝導性の高い材料からなる金属埋め込み部を埋め込む構成にしてもよい。本実施形態においても同様の効果がある。

なお、第１〜４の実施形態では、第１のリード部の底面、第２のリード部の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域において平面配列で少なくとも２列を構成している樹脂封止型半導体装置を例に説明したが、１列タイプ、３列以上の多列であっても、ダイパッド部露出型の片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法に広く適用できるものである。なお、複数個の半導体装置の樹脂封止を一括成形してもよい。

本発明にかかる樹脂封止型半導体製造装置およびその製造方法は、ダイパッド部の近傍の封止樹脂中にボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実現できる等の効果を有し、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置として有用である。

本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 本発明の第１の実施形態のダイパッド部の形態を示す図である。 本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図である。 本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の説明図である。 本発明の第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 本発明の第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 本発明の第４の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 本発明の第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 従来の樹脂封止型半導体装置を示す図である。 従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

符号の説明

１ ダイパッド部
１ａ 突出部
２ 吊りリード部
３ 半導体素子
４ａ 第１のリード部
４ｂ 第２のリード部
５ 金属細線
６ 封止樹脂
７ 多層基板
８ 外部電極端子
９ 接着剤
１０ 樹脂ゲート
１１ カル
１２ ランナー
１３ 凸金型
１４ 凹金型
１５ 空洞部
１６ 金属埋め込み部
１０１ ダイパッド部
１０２ 半導体素子
１０３ インナーリード部
１０４ 金属細線
１０５ 封止樹脂
１０６ 外部端子

Claims (8)

1. 半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部を持つことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
2. 外部電極端子を底面に有し、前記外部電極端子と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板と、前記多層基板上に実装された半導体素子と、前記多層基板上面の複数の電極と前記半導体素子とを接続した金属細線と、前記多層基板上面と前記半導体素子と前記金属細線とを封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部を持つことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
3. 半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部があり、その空洞部に熱伝導性の高い材料が埋め込まれていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
4. 外部電極端子を底面に有し、前記外部電極端子と電気的に接続した複数の電極を上面に有した複数の導電体からなる多層基板と、前記多層基板上に実装された半導体素子と、前記多層基板上面の複数の電極と前記半導体素子とを接続した金属細線と、前記多層基板上面と前記半導体素子と前記金属細線とを封止した封止樹脂とを備え、前記封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に空洞部があり、その空洞部に熱伝導性の高い材料が埋め込まれていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
5. 複数の半導体素子が搭載される請求項１，２，３または４記載の樹脂封止型半導体装置。
6. 前記空洞部は封止樹脂の中央側から周辺に行くに従い深くなり、その深さが異なる前記空洞部の底の位置は金属細線の角度と略平行になる請求項１，２，３または４記載の樹脂封止型半導体装置。
7. 金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記フレーム枠より延出した先端部で前記ダイパッド部の各角部を支持する吊りリード部と、前記フレーム枠より延出した先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部とからなるリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と前記リードフレームのリード部とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレームの下面側に封止シートを配置して少なくとも前記リード部、ダイパッド部の底面に前記封止シートを密着させる工程と、前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止する工程とを含み、前記樹脂封止の際に外殻全体を構成する凹形部と周辺部に空洞部を作成するための凸形部とを有する金型を用いて、樹脂充填注入方向に対し、封止樹脂の周辺部の少なくとも一部に前記凸形部を配置し、前記金属細線の接続領域を封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
8. 複数個の半導体装置の樹脂封止を一括成形する請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。

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