JP5353241B2

JP5353241B2 - 多層プリント配線板および半導体装置

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Publication number: JP5353241B2
Application number: JP2008538666A
Authority: JP
Inventors: 道生木村
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2006-10-06
Filing date: 2007-10-02
Publication date: 2013-11-27
Anticipated expiration: 2027-10-02
Also published as: TW200833755A; KR101386373B1; KR20090075810A; TWI405805B; US8216668B2; US20100065315A1; MY154599A; JPWO2008044552A1; CN101522812A; WO2008044552A1; CN101522812B

Description

本発明は、樹脂組成物、基材付き絶縁シート、プリプレグ、多層プリント配線板および半導体装置に関するものである。

近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型化かつ高密度化が進んでいる。このプリント配線板等の高密度化への対応として、ビルドアップ方式による多層プリント配線板が多く採用されている（例えば、特開平０７-１０６７６７号公報を参照。）。

ビルドアップ方式による多層プリント配線板は、通常、樹脂組成物で構成される厚さ１００μｍ以下の絶縁層と導体回路層とを積層成形して製造される。また、導体回路層間の接続方法としては、従来のドリル加工に代わって、レーザー法、フォト法等によるビアホールの形成が挙げられる。これらの方法は、小径のビアホールを自由に配置することで高密度化を達成するものであり、各々の方法に対応した各種ビルドアップ用層間絶縁材料が提案されている。

さらに、高密度化のためには微細回路形成が必要になるが、それを達成する技術としてはセミアディティブ法が広く知られている。セミアディティブ法は、内層回路板の回路パターン面上に絶縁性樹脂からなる絶縁層を被覆し、絶縁層表面の粗化処理に続き、下地となる無電解めっき処理を施し、めっきレジストにより非回路形成部を保護した後、電気めっきにより回路形成部の銅厚付け（厚く堆積させること）を行い、レジスト除去とソフトエッチングにより絶縁層上に導体回路を形成する方法である。
このとき、絶縁層を粗化処理した後の表面形状の凹凸（表面粗度）が大きすぎると、銅表面を流れる電流速度の遅延の原因となったり、吸湿半田耐熱性（吸湿環境負荷後の半田耐熱性）が低下する原因となったりするため好ましくない。しかし、絶縁層の表面粗度を小さくすると、めっき金属と絶縁層の密着力が低下し、めっき金属の膨れや冷熱サイクル等の熱衝撃試験による剥離などの不具合が起こりやすくなるという問題があった。

本発明は、多層プリント配線板の絶縁層に用いた場合に、高密着性、高耐熱性、低熱膨張性とともに、難燃性を有し、高密度な微細回路形成が可能な多層プリント配線板を製造することができる樹脂組成物と、これを用いた基材付き絶縁シート、プリプレグ、多層プリント配線板、及び、半導体装置を提供するものである。

このような目的は、下記の本発明［１］〜［７］により達成される。
［１］内層回路板の片面または両面に、樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備えた多層プリント配線板であって、前記樹脂組成物は、平均粒子径が０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下である無機充填材を２０重量％以上８０重量％以下、重量平均分子量５００以上５０００以下のエポキシ樹脂を５重量％以上５０重量％以下、重量平均分子量５０００以上７００００以下のフェノキシ樹脂を１重量％以上４０重量％以下、及びシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有し、前記絶縁層は、前記樹脂組成物を加熱硬化した厚さ１０〜１００μｍの硬化物を、ジエチレングリコールモノブチルエーテル２０〜６０ｗｔ％と水酸化ナトリウム０．１〜１．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が５０℃以上９０℃以下の膨潤液に３〜２０分間浸漬した後、過マンガン酸塩５．０〜１５．０ｗｔ％と水酸化ナトリウム１．０〜１０．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が６０℃以上９０℃以下の粗化液に３〜４０分間浸漬する、粗化処理条件内の少なくとも１つの条件によって粗化処理してなるものであり、該粗化処理後の表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とする、多層プリント配線板。
［２］内層回路板の片面または両面に、樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグの硬化物からなる絶縁層を備えた多層プリント配線板であって、
前記樹脂組成物は、平均粒子径が０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下である無機充填材を２０重量％以上８０重量％以下、重量平均分子量５００以上５０００以下のエポキシ樹脂を５重量％以上５０重量％以下、重量平均分子量５０００以上７００００以下のフェノキシ樹脂を１重量％以上４０重量％以下、及びシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有し、
前記絶縁層は、前記プリプレグを加熱硬化した厚さ１０〜１００μｍの硬化物を、ジエチレングリコールモノブチルエーテル２０〜６０ｗｔ％と水酸化ナトリウム０．１〜１．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が５０℃以上９０℃以下の膨潤液に３〜２０分間浸漬した後、過マンガン酸塩５．０〜１５．０ｗｔ％と水酸化ナトリウム１．０〜１０．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が６０℃以上９０℃以下の粗化液に３〜４０分間浸漬する、粗化処理条件内の少なくとも１つの条件によって粗化処理してなるものであり、該粗化処理後の表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とする、多層プリント配線板。
［３］前記無機充填材の比表面積が８ｍ ^２ /ｇ以上２００ｍ ^２ /ｇ以下である請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
［４］前記無機充填材が球状シリカである請求項１から３のいずれかに記載の多層プリント配線板。
［５］前記樹脂組成物が、エポキシシランカップリング剤、アミノフェニルシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤およびビニルシランカップリング剤の中から選択される１種以上のシランカップリング剤を含有してなる請求項１から４のいずれかに記載の多層プリント配線板。
［６］前記樹脂組成物が、硬化促進剤としてイミダゾール化合物を含有してなる請求項１から５のいずれかに記載の多層プリント配線板。
［７］［１］から［６］項のいずれかに記載の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いてなる半導体装置。

本発明は、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる樹脂組成物であって、絶縁層とした場合の粗化処理後の表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とする樹脂組成物である。
本発明の樹脂組成物を多層プリント配線板の絶縁層に用いることにより、高密着性、高耐熱性、低熱膨張性とともに、難燃性を有し、高密度な微細回路形成が可能な多層プリント配線板を製造することができる。

以下に、本発明の樹脂組成物、基材付き絶縁シート、プリプレグ、多層プリント配線板及び半導体装置について詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる樹脂組成物であって、当該樹脂組成物を用いて絶縁層を形成し、粗化処理した後に測定される表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とするものである。
また、本発明の基材付き絶縁シートは、上記本発明の樹脂組成物を、基材に担持させてなることを特徴とするものである。
さらに、本発明のプリプレグは、上記本発明の樹脂組成物を、繊維基材に含浸させてなることを特徴とするものである。
そして、本発明の多層プリント配線板は、上記本発明の基材付き絶縁シートまたは本発明のプリプレグを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなることを特徴とするものである。
さらに、本発明の半導体装置は、上記本発明の多層プリント配線板をパッケージ用基板として使用することを特徴とするものである。

まず、本発明の樹脂組成物について説明する。なお、樹脂組成物に含有される各成分の含有量百分率は、固形分を全量（１００重量％）としたときの割合であり、固形分とは溶剤を除く全成分であって、溶剤ではない液状成分も固形分に含まれる。
本発明の樹脂組成物は、当該樹脂組成物を用いて絶縁層を形成し、粗化処理した後に測定される表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とする。さらにＲｖｋ値が０．１５μｍ以上０．６μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上０．５μｍ以下が最も好ましい。ここで、樹脂組成物を絶縁層とした場合の粗化処理後の表面粗さパラメータＲｖｋ値は、樹脂組成物に含まれる無機充填材の粒子特性、樹脂の種類や配合量、および粗化処理の条件などによって決まる。したがって、これらの条件を制御することにより、Ｒｖｋ値を上記範囲内することができる。
表面粗さパラメータＲｖｋの測定はＶｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯＮＴ１１００を用いて行うことができる。Ｒｖｋとは突出谷部深さと呼ばれ、粗さ曲線のコア部の下にある突出谷部の平均深さとして、ＪＩＳＢ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）に規定されている。表面粗さを示すパラメータとしてはＲａ（算術平均粗さ）が良く知られているが、Ｒａは粗さの算術平均であるため、実際の材料特性と結びつけるのは困難であり、多層プリント板用樹脂組成物から形成された絶縁層の粗化後形状を比較するためには、Ｒｖｋが最も適している。
Ｒｖｋが上記上限値を超えると、銅表面を流れる電流速度の遅延の原因となったり、吸湿半田耐熱性低下の原因となったりするため好ましくなく、上記下限値未満であると、めっき金属との十分な密着力を得ることができないため好ましくない。

本発明の樹脂組成物は、平均粒子径０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下の無機充填材を含有することが好ましい。さらに好ましくは平均粒子径０．１μｍ以上０．４μｍ以下の無機充填材である。平均粒子径が上記上限値を超えると、粒子が粗いために粗化処理後の表面粗さが大きくなりすぎることがあり好ましくなく、上記下限値未満であると粒子が小さすぎるために樹脂組成物中に分散安定化させることが困難になる。
なお、平均粒子径は、体積基準粒子径のメディアン径であり、レーザー回折・散乱法によって測定できる。

上記無機充填材は、比表面積が８ｍ^２/ｇ以上２００ｍ^２/ｇ以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ｍ^２/ｇ以上５０ｍ^２/ｇ以下の無機充填材である。比表面積が上記上限値を超えると無機充填材どうしが凝集しやすくなり、樹脂組成物の構造が不安定になるため好ましくなく、上記下限値未満であると樹脂組成物中に無機充填材を充填しにくくなるため好ましくない。
なお、比表面積は、ＢＥＴ比表面積であり、気体吸着法（ＢＥＴ法）によって測定できる。

上記無機充填材はシリカであることが好ましい。さらに好ましくは溶融シリカである。溶融シリカは他の無機充填材と比較して低膨張性に優れている。
シリカの形状としては例えば、破砕状、球状などがあるが、球状であるものが好ましい。球状であると樹脂組成物中における無機充填材含有量を多くすることができ、その場合でも流動性に優れている。また、本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、タルク、アルミナ、ガラス、マイカ、水酸化アルミニウム等の他の無機充填材も含有させることができる。

上記無機充填材は、本発明の樹脂組成物中に２０重量％以上８０重量％以下の割合で含有されることが好ましい。さらに好ましい含有量は、２５重量％以上７０重量％以下であり、最も好ましくは３０重量％以上６０重量％以下である。無機充填材含有量が上記上限値を超えると樹脂組成物の流動性が極めて悪くなるため好ましくなく、上記下限値未満であると樹脂組成物が強度を十分強くすることができないため好ましくない。

本発明の樹脂組成物は、エポキシシランカップリング剤、アミノフェニルシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤およびビニルシランカップリング剤の中から選択される１種以上のシランカップリング剤を含有することが好ましい。これにより、樹脂成分と無機充填材や配線金属との密着力を高めることができ、樹脂組成物の信頼性を向上させることができる。

上記カップリング剤の含有量としては特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５重量部以上５重量部以下であることが好ましい。さらに好ましくは０．１重量部以上２重量部以下である。
カップリング剤の含有量が上記上限値を超えると、樹脂組成物にクラックが入りやすくなるため好ましくなく、上記下限値未満であると、樹脂成分と無機充填材や配線金属との密着力を向上させる効果が十分に得られない場合がある。

本発明の樹脂組成物は、分子量５０００以下のエポキシ樹脂を１種類以上含有することが好ましい。これにより、耐熱性、難熱分解性を付与することができるとともに、基材付き絶縁シートを製造する時の製膜性や、多層プリント配線板製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。

本発明の樹脂組成物で用いられるエポキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
ここで、アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂を指し、例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、更に難燃性を向上させることができる。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば下記一般式（Ｉ）で示されるものを用いることができる。

上記一般式（Ｉ）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂のｎは、特に限定されないが、０〜１０が好ましく、特に０〜２が好ましい。
上記ｎの数がこれより多いと、エポキシ樹脂の流動性が低下し、成形性が低下することがあり、好ましくない。

上記エポキシ樹脂の重量平均分子量としては５，０００以下であることが好ましい。さらに好ましくは５００〜４，０００であり、特に好ましくは８００〜３，０００である。
重量平均分子量が上記下限値未満であると、基材付き絶縁シートを製造した場合、絶縁樹脂層表面にタック性を生じ、取り扱い性が低下することがある。一方、上記上限値を超えるとエポキシ樹脂の流動性が低下し、成形性が低下することがあり、好ましくない。エポキシ樹脂の分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。

上記エポキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して５〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。
エポキシ樹脂の含有量が上記下限値未満であると、吸湿半田耐熱性、密着性を向上させる効果が低下する場合がある。また、上記上限値を超えると、無機充填材の分散性が悪くなることがあるため好ましくない。エポキシ樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。

本発明の樹脂組成物は、分子量５０００以上のフェノキシ樹脂を１種類以上含有することが好ましい。これにより、基材付き絶縁シートを製造する際の製膜性をさらに向上させることができる。

上記フェノキシ樹脂として、特に限定はされないが、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
上記ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＭ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＰ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＺ骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
またフェノキシ樹脂として、これらの骨格のうちから複数種類を有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。

これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールＳ骨格とを有するものを用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールＳ骨格により、多層プリント配線板を製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。
また、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するものを用いることができる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。
さらに、上記ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂とを併用してもよい。

上記フェノキシ樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が５０００〜７００００であることが好ましい。さらに好ましくは１００００〜６００００である。
フェノキシ樹脂の重量平均分子量が上記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でない場合がある。一方、上記上限値を超えると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。

フェノキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜３０重量％である。
フェノキシ樹脂の含有量が上記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が十分でないことがある。一方、上記上限値を超えると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下することがある。フェノキシ樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。

本発明の組成物で用いられる上記エポキシ樹脂、及び、フェノキシ樹脂は、いずれも、実質的にハロゲン原子を含まないものであることが好ましい。これにより、ハロゲン化合物を用いることなく、難燃性を付与することができる。
ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、エポキシ樹脂あるいはフェノキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が１重量％以下のものをいう。

本発明の樹脂組成物は、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有することが好ましい。これにより、樹脂組成物の難燃性を向上させることができる。
シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。
これらの中でも、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度の増加により耐熱性を向上させることができるとともに、難燃性をさらに向上させることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。
なお、ノボラック型シアネート樹脂は、例えばノボラック型フェノール樹脂と、塩化シアン、臭化シアン等の化合物とを反応させることにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

ここでノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（II）で示されるものを用いることができる。

上記一般式（II）で示されるノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量としては特に限定されないが、５００〜４，５００であることが好ましい。さらに好ましくは６００〜３，０００である。
重量平均分子量が上記下限値未満であると、機械的強度が低下する場合がある。また、上記上限値を超えると、樹脂組成物の硬化速度が速くなるため、保存性が低下する場合がある。

なお、上記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。
ここでプレポリマーとは、通常、上記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
ここでプレポリマーとしては特に限定されないが、例えば、３量化率が２０〜５０重量％であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。

このように、ノボラック型シアネート樹脂としては、１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。

本発明の組成物において、上記シアネート樹脂の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して５〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。これにより、シアネート樹脂が有する耐熱性、難燃性向上作用をより効果的に発現させることができる。
シアネート樹脂の含有量が上記下限値未満であると、高耐熱性化する効果が低下することがある。また、上記上限値を超えると、架橋密度が高くなり自由体積が増えるため、耐湿性が低下する場合がある。

本発明の樹脂組成物は、硬化促進剤としてイミダゾール化合物を含有することが好ましい。さらに好ましくは、樹脂組成物に含有される樹脂成分と相溶性のあるイミダゾール化合物である。このようなイミダゾール化合物を用いることにより、シアネート樹脂やエポキシ樹脂の反応を効果的に促進させることができ、また、イミダゾール化合物の配合量を少なくしても同等の特性を付与することができる。
さらに、このようなイミダゾール化合物を用いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、多層プリント配線板に形成された樹脂層の絶縁性、耐熱性を高めることができる。

本発明の樹脂組成物で用いられる上記イミダゾール化合物としては、例えば、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、２，４-ジアミノ-６-〔２'-メチルイミダゾリル-（１'）〕-エチル-ｓ-トリアジン、２，４-ジアミノ-６-（２'-ウンデシルイミダゾリル）-エチル-ｓ-トリアジン、２，４-ジアミノ-６-〔２'-エチル-４-メチルイミダゾリル-（１'）〕-エチル-ｓ-トリアジン、などを挙げることができる。

これらの中でも、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、及び、２-エチル-４-メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、多層プリント配線板に高い耐熱性を発現させることができる。

上記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、上記シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、０．０１〜５重量％が好ましく、特に０．０５〜３重量％が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。

本発明の樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を含有することができる。
本発明の樹脂組成物が、主要成分として無機充填材、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂及びシアネート樹脂を含有する場合には、無機充填材を２０〜７５重量％、エポキシ樹脂を１０〜２０重量％、フェノキシ樹脂を５〜２５重量％、及び、シアネート樹脂を１０〜３５重量％の割合で含有することが好ましい。

本発明の樹脂組成物から絶縁層または絶縁膜を形成する方法について詳しく説明すると、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥して基材付き絶縁シートを作成し、この基材付き絶縁シートの絶縁シート側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより得ることができる。基材付き絶縁シートの基材については、加熱硬化前に剥離させても良いし、加熱硬化後に剥離させても良い。
ここで樹脂組成物から構成される絶縁層または絶縁膜の厚さとしては特に限定されないが、１０〜１００μｍであることが好ましい。さらに好ましくは２０〜８０μｍである。加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜３ＭＰａで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。

そして、このような本発明の樹脂組成物から形成された絶縁樹脂層は、例えば過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤を用いて表面の粗化処理を行うと、粗化処理後の絶縁層表面に均一性の高い微小な凹凸形状を多数形成することができる。
このような粗化処理後の絶縁樹脂層表面に金属メッキ処理を行うと、粗化処理面の平滑性が高いため、微細な導体回路を精度よく形成することができる。また、微小な凹凸形状によりアンカー効果を高め、絶縁樹脂層とメッキ金属との間に高い密着性を付与することができる。

前記粗化処理を詳しく説明すると、本発明の樹脂組成物から形成された絶縁層又は絶縁膜を、ジエチレングリコールモノブチルエーテルと水酸化ナトリウムを含む水溶液からなる膨潤液に浸漬した後に、過マンガン酸塩と水酸化ナトリウムを含む粗化液に浸漬することにより行うことが好ましい。膨潤液および粗化液には必要に応じて、他の溶剤や添加剤を加えることができる。また、粗化液に浸漬した後、酸による中和を行うことが好ましい。中和を行わないと過マンガン酸塩が十分に除去されず、発熱や発火の恐れがある。

前記粗化処理は温度が５０℃以上９０℃以下の膨潤液と、温度が６０℃以上９０℃以下の粗化液を用いて行うことが好ましい。さらに好ましくは、温度が６５℃以上８０℃以下の膨潤液と、温度が７０℃以上８５℃以下の粗化液である。温度が上記上限値以上であると、粗化が進行しすぎるため目的の表面粗さにすることができず、上記下限値以下であると粗化が十分進行しないため、めっき金属との密着力が弱くなるため好ましくない。

前記粗化処理は膨潤液浸漬時間が３分以上２０分以下、粗化液浸漬時間が３分以上４０分以下で行うことが好ましい。さらに好ましくは、膨潤液浸漬時間が５分以上１５分以下、粗化液浸漬時間が５分以上２５分以下で行うことが好ましい。浸漬時間が上記上限値以上であると、粗化が進行しすぎるため目的の表面粗さにすることができず、上記下限値以下であると粗化が十分進行しないため、めっき金属との密着力が弱くなるため好ましくない。

本発明の樹脂組成物を用いて形成した絶縁層または絶縁膜は、上記説明した粗化処理の条件の全範囲またはほとんどの範囲において、表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることが好ましいが、上記粗化処理の条件の少なくとも一つの条件で粗化処理したときに表面粗さパラメータＲｖｋ値が上記範囲内に入っていれば良い。
すなわち、本発明の樹脂組成物を用いて樹脂層を形成し、それを加熱硬化させて得られた絶縁層または絶縁膜は、下記範囲内の少なくとも一つの条件で粗化処理した後に測定される表面粗さパラメータＲｖｋ値が、０．１μｍ以上０．８μｍ以下であれば良い。
＜粗化処理手順＞
厚さ１０〜１００μｍの絶縁層を、ジエチレングリコールモノブチルエーテル２０〜６０ｗｔ％と水酸化ナトリウム０．１〜１．０ｗｔ％を含む水溶液からなり、温度が５０℃以上９０℃以下の膨潤液に３分〜２０分浸漬した後に、過マンガン酸塩５．０〜１５．０ｗｔ％と水酸化ナトリウム１．０〜１０．０ｗｔ％を含む水溶液からなり、温度が６０℃以上９０℃以下の粗化液に３分〜４０分浸漬する。

ここで、「絶縁層を、下記範囲内の少なくとも一つの条件で粗化処理した後に測定される表面粗さパラメータＲｖｋ値が、０．１μｍ以上０．８μｍ以下である」とは、特定された粗化処理手順に含まれる条件設定が可能な範囲のうち一つの条件設定において、０．１μｍ以上０．８μｍ以下の範囲の表面粗さパラメータＲｖｋ値が測定されればよいことを意味する。
言い換えると、ある特定の組成を持つ樹脂組成物を用いて絶縁層を形成し、その絶縁層を上記粗化処理する場合に、粗化処理の条件の全範囲でＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下の範囲であることは必要とされず、粗化処理の条件範囲内の少なくとも一つの具体的な条件設定の下で粗化処理を行ったときにＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下の範囲でありさえすればよい。

次に、本発明の基材付き絶縁シートについて説明する。
本発明の基材付き絶縁シートは、上記本発明の樹脂組成物を基材に担持させてなるものであり、樹脂組成物から形成される絶縁シートと、これを担持し且つ担持した絶縁シートを他の表面へ転写することが可能な基材とから構成されているものである。

ここで、樹脂組成物を基材に担持させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法、樹脂ワニスをスプレー装置を用いて基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁シート層の厚みを有する基材付き絶縁シートを効率よく製造することができる。

上記樹脂ワニスの調製に用いられる溶剤としては特に限定されないが、例えば、アルコール類、エーテル類、アセタール類、ケトン類、エステル類、アルコールエステル類、ケトンアルコール類、エーテルアルコール類、ケトンエーテル類、ケトンエステル類、及び、エステルエーテル類などを用いることができる。
上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。

本発明の基材付き絶縁シートにおいて、樹脂組成物から構成される絶縁シートの厚さとしては特に限定されないが、１０〜１００μｍであることが好ましい。さらに好ましくは２０〜８０μｍである。これにより、この基材付き絶縁シートを用いて多層プリント配線板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適な絶縁層厚みを確保することができる。また、基材付き絶縁シートにおいては、絶縁シートの割れ発生を抑え、裁断時の粉落ちを少なくすることができる。

本発明の基材付き絶縁シートに用いられる基材としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルム、あるいは、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金等の金属箔などを用いることができる。
上記基材の厚みとしては特に限定されないが、１０〜７０μｍのものを用いると、基材付き絶縁シートを製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
なお、本発明の基材付き絶縁シートを製造するにあたっては、絶縁シートと接合される側の基材表面の凹凸は極力小さいものであることが好ましい。これにより、本発明の作用を効果的に発現させることができる。

次に、本発明のプリプレグについて説明する。本発明のプリプレグは、上記本発明の樹脂組成物を、繊維基材に含浸させてなるものである。
本発明のプリプレグで用いられる繊維基材としては特に限定されないが、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、ガラス以外の無機化合物から形成される繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維から形成される有機繊維基材等が挙げられる。
これらの繊維基材の中でも、機械的強度が高く、吸水率が小さいことから、ガラス織布に代表されるガラス繊維基材が好ましい。

本発明の樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、例えば、樹脂組成物を溶媒に溶解あるいは分散させて樹脂ワニスを調製し、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーター装置により樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、樹脂ワニスをスプレー装置により繊維基材に吹き付け塗工する方法等が挙げられる。
これらの中でも、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。
なお、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する場合は、通常の含浸塗布装置を使用することができる。

上記樹脂ワニスに用いられる溶媒は特に限定されず、上記基材絶縁シートを作製する際と同じものを、ここでも用いることができる。
樹脂ワニス中の固形分濃度は特に限定されないが、４０〜８０重量％が好ましく、特に５０〜７０重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの粘度を好適な水準とすることができ、繊維基材への含浸性を更に向上させることができる。

本発明のプリプレグは、上記繊維基材に樹脂ワニスを含浸させ、必要に応じて樹脂組成物の含浸量を調整した後、所定温度、例えば８０〜２００℃で乾燥させることにより製造することができる。

次に、本発明の多層プリント配線板について説明する。
上記多層プリント配線板は、内層回路板の片面又は両面に、本発明の基材付き絶縁シートから絶縁シートを転写して形成した絶縁層または本発明のプリプレグを積層し硬化させて形成した絶縁層を介して、導体回路を積層形成してなるものである。
上記基材付き絶縁シートを用いる場合の多層プリント配線板は、上記基材付き絶縁シートを内層回路板の片面又は両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。
具体的には、上記本発明の基材付き絶縁シートの絶縁シート側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させてから、基材を剥離し、且つ、基材を剥離する前または後に絶縁シートを熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより得ることができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜３ＭＰａで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。
あるいは、上記本発明の基材付き絶縁シートの絶縁シート側を内層回路板に重ね合わせ、これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、圧力１〜４ＭＰａで実施することができる。
なお、上記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、銅貼積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。

上記で得られた多層プリント配線板は、さらに、基材を剥離除去して絶縁層（すなわち絶縁シートが内層回路板に積層接着して形成された絶縁層）を露出させ、当該絶縁層の表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。本発明の樹脂組成物から形成された絶縁層は、上記粗化処理工程において、微細な凹凸形状を高い均一性で多数形成することができ、また、絶縁層表面の平滑性が高いため、微細な配線回路を精度よく形成することができるものである。

上記プリプレグを用いる場合の多層プリント配線板は、上記プリプレグを内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。
具体的には、内層回路板の内層回路面にプリプレグを重ね合わせて加熱加圧成形することにより、絶縁層を形成し、当該絶縁層の表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。この方法は、絶縁層の積層とパターン状の金属メッキを行なう、いわゆるセミアディティブ法に準じた方法である。

プリプレグを用いる場合、いわゆるサブトラクティブ法に準じた方法で、プリプレグからなる絶縁層上に非パターン状の導体層を設け、それを所定の回路パターン状にエッチングすることにより導体回路を形成しても良い。
例えば、内層回路板の回路パターン上に、プリプレグからなる絶縁層を介して、片面銅貼り積層板又は銅箔そのものを、銅箔層が外側を向くように重ね合わせて加熱加圧成形して銅箔層を形成し、当該銅箔層の回路形成部をレジストにより保護した後、エッチングを行うことにより絶縁層上に導体回路を形成する。また、２枚の片面銅貼り積層板又は２枚の両面銅貼り積層板（但し積層体の内側を向く銅箔層はあらかじめ導体回路のパターン状に形成されている。）の間にプリプレグからなる絶縁層を介して非パターン状の銅箔層が外側を向くように接着積層した後、銅箔層のエッチングを行うことにより絶縁層上に導体回路を形成する方法もある。

さらに、内層回路板の基板としてプリプレグを用いてもよい。この場合、プリプレグの両面または片面に銅箔を積層し、加熱加圧成形することにより、片面または両面銅貼り積層板を形成し、銅箔層の回路形成部をレジストにより保護した後、エッチングを行うことにより内層回路を形成する。
そして、本発明のプリプレグを用いて作製した内層回路板上に、上記基材付き絶縁シートまたはプリプレグを用いて絶縁層と導体回路を形成することにより、多層プリント配線板が得られる。

本発明によれば上述したとおり、内層回路板の片面または両面に、本発明の樹脂組成物の硬化物からなるか、または、本発明の樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグの硬化物からなる絶縁層を備えた多層プリント配線板が得られる。内層回路板に形成された絶縁層は、上述した粗化処理を行なうことにより、表面粗さパラメータＲｖｋ値を０．１μｍ以上０．８μｍ以下の範囲に調節することができるので、めっき金属からなる導体回路を密着性よく形成することができ、且つ、電流速度の遅延や吸湿半田耐熱性の低下といった表面粗さが粗すぎる場合に生じる問題がない。

次に、本発明の多層プリント配線板を用いた半導体装置について説明する。
上記半導体装置は、上記多層プリント配線板に半導体チップを実装し、封止樹脂によって封止することによって製造する。半導体チップの実装方法、封止方法は特に限定されない。本発明の多層プリント配線板をパッケージ用基板として使用することにより、高密度実装が可能なうえ、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。

以下、本発明を実施例および比較例により詳細に説明する。

実施例及び比較例において用いた原材料は以下の通りである。
（１）無機充填材Ａ／球状溶融シリカ：アドマテックス社製・「ＳＯ-Ｃ１」、平均粒子径０．３μｍ、比表面積１７ｍ^２／ｇ
（２）無機充填材Ｂ／球状溶融シリカ：アドマテックス社製・「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ、比表面積６．２５ｍ^２／ｇ
（３）カップリング剤Ａ／エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・「Ａ-１８７」
（４）カップリング剤Ｂ／アミノフェニルシランカップリング剤：信越シリコーン製・「ＫＢＭ５７３」
（５）カップリング剤Ｃ／メルカプトシランカップリング剤：信越シリコーン製・「ＫＢＭ８０３」
（６）エポキシ樹脂／ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・「ＮＣ-３０００」、エポキシ当量２７５、重量平均分子量１０００
（７）フェノキシ樹脂Ａ／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「ＹＸ-８１００Ｈ３０」、重量平均分子量３００００）
（８）フェノキシ樹脂Ｂ／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「ｊＥＲ４２７５」、重量平均分子量６００００）
（９）シアネート樹脂／ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・「プリマセットＰＴ-３０」、重量平均分子量７００
（１０）硬化触媒／イミダゾール化合物：四国化成工業社製・「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール）」

＜実施例１＞
（１）樹脂ワニスの調製
エポキシ樹脂２０重量部、フェノキシ樹脂Ａ１５重量部、シアネート樹脂２５重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ４０重量部とカップリング剤Ａ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。

（２）基材付き絶縁シートの製造
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが６０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、基材付き絶縁シートを製造した。

（３）多層プリント配線板１の製造
所定の内層回路が両面に形成された内層回路基板の表裏に、上記で得られた基材付き絶縁シートの絶縁シート面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて１７０℃で６０分間加熱硬化行った。
なお、内層回路基板としては、下記のものを使用した。
・絶縁層：ハロゲンフリーＦＲ-４材、厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、Ｌ／Ｓ＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ

（４）多層プリント配線板２の製造
上記で得られた多層プリント配線板１から基材を剥離し、７０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製・「スウェリングディップセキュリガントＰ」）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製・「コンセントレートコンパクトＣＰ」）に２０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。このときＶｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯＮＴ１１００で表面粗さを測定したところ、Ｒｖｋは０．３３μｍであった。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を厚さ約１μｍ、電気メッキ銅を厚さ３０μｍ形成させ、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行い、多層プリント配線板を得た。

＜実施例２＞
エポキシ樹脂１５重量部、フェノキシ樹脂Ｂ２０重量部、シアネート樹脂２５重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ４０重量部とカップリング剤Ｂ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは０．２５μｍであった。

＜実施例３＞
エポキシ樹脂２０重量部、フェノキシ樹脂Ａ２０重量部、シアネート樹脂３５重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ２５重量部とカップリング剤Ｃ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは０．３５μｍであった。

＜実施例４＞
エポキシ樹脂１５重量部、フェノキシ樹脂Ｂ１５重量部、シアネート樹脂２０重量部、硬化触媒０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ５０重量部とカップリング剤Ａ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは０．５５μｍであった。

＜実施例５＞
エポキシ樹脂１０重量部、フェノキシ樹脂Ｂ５重量部、シアネート樹脂１０重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ５０重量部とカップリング剤Ａ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは０．７５μｍであった。

＜比較例１＞
エポキシ樹脂２５重量部、フェノキシ樹脂Ａ１０重量部、シアネート樹脂２５重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ｂ４０重量部とカップリング剤Ａ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは０．９５μｍであった。

＜比較例２＞
エポキシ樹脂２０重量部、フェノキシ樹脂Ｂ３０重量部、シアネート樹脂４０重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ１０重量部とカップリング剤０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは０．０５μｍであった。

＜比較例３＞
エポキシ樹脂５重量部、フェノキシ樹脂Ａ５重量部、シアネート樹脂１５重量部、硬化触媒０．０５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材Ａ７５重量部とカップリング剤０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板１、２を得た。粗化処理後の表面粗さＲｖｋは１．１５μｍであった。

実施例および比較例で得られた基材付き絶縁シート、及び、多層プリント配線板について、特性の評価を行った。結果を表１に示す。

評価方法は下記のとおりである。
（１）めっき剥離強度
多層プリント配線板２より、めっき銅の引き剥がし強度をＪＩＳＣ-６４８１−１９９６に基づいて測定した。
（２）めっき膨れ
多層プリント配線板２を作成する際の無電解銅メッキ工程、電気メッキ銅形成工程、アニール処理工程のいずれの工程でも膨れを発生しなかったものを○、膨れの発生したものを×とした。
（３）吸湿半田耐熱性
多層プリント配線板２より、５０ｍｍ×５０ｍｍの試料を採取し、片面全面と、もう片面の１／２の銅箔をエッチングして除去した。これを、１２５℃のプレッシャークッカーで２時間処理した後、２６０℃の半田槽に銅箔面を下にして１８０秒間浮かべ、膨れ・はがれの有無を確認した。膨れやはがれのないものを○、膨れやはがれの発生したものを×とした。

実施例１〜５は、粗化処理後に表面粗さＲｖｋが０．１μｍ以上０．８μｍ以下となる本発明の樹脂組成物と、これを用いた基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板である。
実施例１〜５はいずれも、吸湿半田耐熱性が良く、メッキ金属のピール強度も良好でめっき膨れの発生しないものであった。
比較例１〜３は、粗化処理後の表面粗さＲｖｋが０．８μｍを超えたり、０．１μｍに満たなかったりするため、めっきピール強度、めっき膨れ、及び吸湿半田耐熱性に問題があった。

Claims

内層回路板の片面または両面に、樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備えた多層プリント配線板であって、
前記樹脂組成物は、平均粒子径が０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下である無機充填材を２０重量％以上８０重量％以下、重量平均分子量５００以上５０００以下のエポキシ樹脂を５重量％以上５０重量％以下、重量平均分子量５０００以上７００００以下のフェノキシ樹脂を１重量％以上４０重量％以下、及びシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有し、
前記絶縁層は、前記樹脂組成物を加熱硬化した厚さ１０〜１００μｍの硬化物を、ジエチレングリコールモノブチルエーテル２０〜６０ｗｔ％と水酸化ナトリウム０．１〜１．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が５０℃以上９０℃以下の膨潤液に３〜２０分間浸漬した後、過マンガン酸塩５．０〜１５．０ｗｔ％と水酸化ナトリウム１．０〜１０．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が６０℃以上９０℃以下の粗化液に３〜４０分間浸漬する、粗化処理条件内の少なくとも１つの条件によって粗化処理してなるものであり、該粗化処理後の表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とする、多層プリント配線板。
内層回路板の片面または両面に、樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグの硬化物からなる絶縁層を備えた多層プリント配線板であって、
前記樹脂組成物は、平均粒子径が０．０１μｍ以上０．４５μｍ以下である無機充填材を２０重量％以上８０重量％以下、重量平均分子量５００以上５０００以下のエポキシ樹脂を５重量％以上５０重量％以下、重量平均分子量５０００以上７００００以下のフェノキシ樹脂を１重量％以上４０重量％以下、及びシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有し、
前記絶縁層は、前記プリプレグを加熱硬化した厚さ１０〜１００μｍの硬化物を、ジエチレングリコールモノブチルエーテル２０〜６０ｗｔ％と水酸化ナトリウム０．１〜１．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が５０℃以上９０℃以下の膨潤液に３〜２０分間浸漬した後、過マンガン酸塩５．０〜１５．０ｗｔ％と水酸化ナトリウム１．０〜１０．０ｗｔ％とを含む水溶液からなり且つ温度が６０℃以上９０℃以下の粗化液に３〜４０分間浸漬する、粗化処理条件内の少なくとも１つの条件によって粗化処理してなるものであり、該粗化処理後の表面粗さパラメータＲｖｋ値が０．１μｍ以上０．８μｍ以下であることを特徴とする、多層プリント配線板。
前記無機充填材の比表面積が８ｍ^２/ｇ以上２００ｍ^２/ｇ以下である請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
前記無機充填材が球状シリカである請求項１から３のいずれかに記載の多層プリント配線板。
前記樹脂組成物が、エポキシシランカップリング剤、アミノフェニルシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤およびビニルシランカップリング剤の中から選択される１種以上のシランカップリング剤を含有してなる請求項１から４のいずれかに記載の多層プリント配線板。
前記樹脂組成物が、硬化促進剤としてイミダゾール化合物を含有してなる請求項１から５のいずれかに記載の多層プリント配線板。
請求項１から６のいずれかに記載の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いてなる半導体装置。