JP2018018890A - 電子装置、及び、電子装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に反りが生じるのを抑制する電子装置、及び、電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面１０ａから裏面１０ｂにわたって貫通する貫通穴１２が形成され、且つ、表面１０ａ及び裏面１０ｂに電子部品３０が実装された基板１０を準備する。そして、上側キャビティに裏面１０ｂが対向するとともに、下側キャビティに表面１０ａが対向するように、基板１０及び金型を固定する。次に、下側キャビティ内に配置されたモールド樹脂の構成材料を貫通穴１２から上側キャビティへ流す。これにより、表面１０ａ及び裏面１０ｂにモールド樹脂を成形する。基板１０を準備するにあたり、貫通穴１２の表面１０ａ側における開口端１２ａが表側封止領域１０ｃの中心ＯＡに位置する基板１０を用いる。【選択図】図１

Description

本発明は、貫通穴が形成された基板と、基板の表面及び裏面に実装された複数の電子部品と、電子部品を封止するモールド樹脂と、を備える電子装置、及び、電子装置の製造方法に関する。

従来、特許文献１に記載のように、基板と、基板の一面及び他面に搭載された複数の電子部品と、電子部品を封止する樹脂と、を備える電子装置、及び、電子装置の製造方法が知られている。基板には、一面から他面にわたって貫通する貫通穴が形成されている。

電子装置の製造方法としては、基板に対して他面側にキャビティを形成する枠部及び上型と、基板と、互いに固定する。そして、クランプ型及び下型が形成するキャビティに樹脂材料を配置するとともに、クランプ型の端部を一面に当接させることで、基板に対して一面側にキャビティを配置する。

次に、下型を上型に向かって移動させる。下型の移動により、樹脂材料の一部は、貫通穴を通って、他面側のキャビティに移動する。以上により、１回の工程で基板の両面に樹脂を成形することができる。

特開２０１５−７６４８４号公報

しかしながら上記方法では、樹脂材料を他面側のキャビティに移動させる際、樹脂材料から基板に対して、一面から他面へ向かう方向に応力が作用する。この応力によって、基板に反りが生じる虞がある。基板に反りが生じると、基板と電子部品との接続部に応力が作用し、接続信頼性が低下する。

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、基板に反りが生じるのを抑制する電子装置、及び、電子装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として下記の実施形態における具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。

本発明のひとつは、
基板（１０）と、基板の表面（１０ａ）及び裏面（１０ｂ）に実装された複数の電子部品（３０）と、電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置の製造方法であって、
表面から裏面にわたって貫通する貫通穴（１２）が形成され、且つ、表面及び裏面に電子部品が実装された基板を準備すること、
裏面のうちのモールド樹脂が形成される裏側封止領域（１０ｅ）に対して第１金型（２０２）のキャビティ（２２０，２２２）が対向するように、第１金型及び基板を互いに接触させて固定し、且つ、表面のうちのモールド樹脂が形成される表側封止領域（１０ｃ）に対して第２金型（２０４，２０６）のキャビティが対向するように、第２金型及び基板を互いに接触させて固定すること、及び、
第２金型のキャビティ内に配置されたモールド樹脂の構成材料（４０ａ）を貫通穴から第１金型のキャビティへ流すことで、第１金型及び第２金型の両方のキャビティ内に構成材料を配置して、モールド樹脂を成形することを備え、
基板を準備するにあたり、貫通穴の表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）が、表側封止領域の中心（ＯＡ）に位置する基板を用いる。

モールド樹脂の構成材料を裏面側に移動させる際、表面から裏面へ向かう方向において構成材料から基板に応力が作用する。このとき、表側封止領域では、表側封止領域の外周端との離間距離が長い箇所ほど構成材料からの応力が大きくなる。よって、表側封止領域では、中心付近が反り易い。また、基板における貫通穴の周囲では、貫通穴によって、構成材料からの応力が緩和される。

これに対して、上記方法では、基板を準備するにあたり、表側封止領域の中心に貫通穴が開口する基板を用いる。これによれば、構成材料を裏面側に流す際、貫通穴によって中心付近に作用する応力を緩和することができる。したがって、基板が反るのを抑制できる。

発明された他の発明のひとつは、
基板（１０）と、基板の表面（１０ａ）及び裏面（１０ｂ）に実装された複数の電子部品（３０）と、電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置の製造方法であって、
表面から裏面にわたって貫通する複数の貫通穴（１２）が形成され、且つ、表面及び裏面に電子部品が実装された基板を準備すること、
裏面のうちのモールド樹脂が形成される裏側封止領域（１０ｅ）に対して第１金型（２０２）のキャビティ（２２０，２２２）が対向するように、第１金型及び基板を互いに接触させて固定し、且つ、表面のうちのモールド樹脂が形成される表側封止領域（１０ｃ）に対して第２金型（２０４，２０６）のキャビティが対向するように、第２金型及び基板を互いに接触させて固定すること、及び、
第２金型のキャビティ内に配置されたモールド樹脂の構成材料（４０ａ）を貫通穴から第１金型のキャビティへ流すことで、第１金型及び第２金型の両方のキャビティ内に構成材料を配置して、モールド樹脂を成形することを備え、
基板を準備するにあたり、複数の貫通穴の表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）が、表側封止領域の中心（ＯＡ）に対して表面に沿う一方向における両側に位置する基板を用いる。

構成材料を裏面側に流す際に、表側封止領域では、中心との離間距離が短い箇所ほど、構成材料からの応力が大きくなって、反り易い。また、表側封止領域では、貫通穴の開口端との離間距離が短い箇所ほど、構成材料からの応力が緩和され、反り難い。以上によれば、中心に対して一方向における一方側の領域のみで貫通穴が開口する場合、中心に対して一方向における他方側の領域では、貫通穴が開口せず、貫通穴の開口端との離間距離が長くなる。そのため、中心に対して一方向における他方側の領域では、反りが生じ易い。

これに対して上記方法では、基板を準備するにあたり、複数の貫通穴の開口端が、中心に対して一方向における両側に位置する基板を用いる。これによれば、中心に対して一方向における両側の領域で、貫通穴の開口端との離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、構成材料を裏面側に流す際に基板が反るのを抑制できる。

発明された他の発明のひとつは、
表面（１０ａ）から裏面（１０ｂ）にわたって貫通する貫通穴（１２）が形成された基板（１０）と、
表面及び裏面に実装された複数の電子部品（３０）と、
表面に実装された電子部品を表面ごと封止する表側封止部（４２）と、裏面に実装された電子部品を裏面ごと封止する裏側封止部（４４）と、貫通穴内に配置されて表側封止部と裏側封止部とを連結する中間部（４６）と、を有するモールド樹脂（４０）と、を備え、
貫通穴の表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）は、表面のうちのモールド樹脂が形成された表側封止領域（１０ｃ）の中心（ＯＡ）に形成されている。

上記構成では、表側封止領域において最も反り易い中心に貫通穴が開口している。そのため、基板が反るのを抑制できる。

発明された他の発明のひとつは、
表面（１０ａ）から裏面（１０ｂ）にわたって貫通する貫通穴（１２）が複数形成された基板（１０）と、
表面及び裏面に実装された複数の電子部品（３０）と、
表面に実装された電子部品を表面ごと封止する表側封止部（４２）と、裏面に実装された電子部品を裏面ごと封止する裏側封止部（４４）と、貫通穴内に配置されて表側封止部と裏側封止部とを連結する中間部（４６）と、を有するモールド樹脂（４０）と、を備え、
複数の貫通穴の表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）は、表面のうちのモールド樹脂が形成された表側封止領域（１０ｃ）の中心（ＯＡ）に対して、表面に沿う一方向の両側に形成されている。

上記構成では、中心に対して一方向における両側の領域で、貫通穴の開口端との離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、基板が反るのを抑制できる。

第１実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 配置工程について説明するための断面図である。 配置工程について説明するための断面図である。 配置工程について説明するための断面図である。 配置工程について説明するための断面図である。 上昇工程について説明するための断面図である。 上昇工程について説明するための断面図である。 貫通穴の開口率が異なる基板に対してモールド樹脂の成形による変形量を測定した測定結果を示す図である。 図９の測定に用いた基板の形状を示す平面図である。 第２実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。 金型の形状、及び、上昇工程実施後におけるモールド樹脂の構成材料の配置を示す断面図である。 第３実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 第４実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 第５実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 第６実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 第７実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。 第８実施形態に係る電子装置の概略構成を示す平面図である。 第９実施形態に係る電子装置の製造方法において、準備工程について説明するための平面図である。 図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図であって、上昇工程実施後におけるモールド樹脂の構成材料の配置を示している。 離型工程実施後におけるモールド樹脂の形状を示す断面図である。 第１０実施形態に係る電子装置の製造方法において、準備工程について説明するための平面図である。 図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図であって、上昇工程実施後におけるモールド樹脂の構成材料の配置を示している。 離型工程実施後におけるモールド樹脂の形状を示す断面図である。

図面を参照して説明する。なお、複数の実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、基板の厚さ方向をＺ方向、Ｚ方向と直交する特定の方向をＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向と直交する方向をＹ方向と示す。

（第１実施形態）
先ず、図１及び図２に基づき、電子装置１００の概略構成について説明する。

電子装置１００は、基板１０と、基板１０に実装された電子部品３０と、電子部品３０を封止しているモールド樹脂４０と、を備えている。また、電子装置１００は、基板１０、電子部品３０、及び、モールド樹脂４０を収容する筐体を備えていてもよい。

本実施形態では、一例として、車両のエンジンルーム内に搭載されてなる車載電子装置に電子装置１００を適用した例を採用する。さらに、電子装置１００は、車載電子装置の一例として、インバータ装置に適用できる。しかしながら、電子装置１００は、車載電子装置とは異なる装置に適用することもできる。

図１に示すように、基板１０は、例えば直方体形状をなしている。なお図１では、電子部品３０が実装されていない状態であって、且つ、モールド樹脂４０が形成されていない状態の基板１０について示している。ＸＹ平面に沿う基板１０の平面形状は、長辺がＸ方向に沿い、短辺がＹ方向に沿う長方形状をなしている。図２に示すように、基板１０は、表面１０ａと、Ｚ方向において表面１０ａと反対の裏面１０ｂと、を有している。表面１０ａ及び裏面１０ｂは、Ｚ方向と直交する平面である。

基板１０は、樹脂基材とランドと配線とを有するプリント基板である。樹脂基材は、絶縁性の樹脂材料を用いて形成されている。樹脂基材は、例えば、エポキシ樹脂を用いて形成されている。ランドは、電子部品３０を実装するために設けられた基板１０の電極である。ランドは、表面１０ａ及び裏面１０ｂの両方に形成されている。図１では、ランドを省略して図示している。配線は、樹脂基材の内部や、表面１０ａ及び裏面１０ｂに形成され、ランドに接続されている。

基板１０としては、例えば、コア層と、コア層に積層されたビルドアップ層と、を含む所謂ビルドアップ基板を採用できる。また、基板１０としては、コア層が設けられておらず、複数のビルドアップ層が積層された所謂エニーレイヤー基板であっても採用できる。

表面１０ａは、表側封止領域１０ｃと表側非封止領域１０ｄとを有している。表側封止領域１０ｃは、表面１０ａのうちのモールド樹脂４０が形成された領域である。すなわち、表側封止領域１０ｃは、表面１０ａのうちのモールド樹脂４０と接触する領域である。表側非封止領域１０ｄは、表面１０ａのうちのモールド樹脂４０が形成されていない領域である。すなわち、表側非封止領域１０ｄは、表面１０ａのうちのモールド樹脂４０と接触しない領域である。図１では、表側封止領域１０ｃと表側非封止領域１０ｄとの境界を二点鎖線で示している。

表側封止領域１０ｃは、長辺がＸ方向に沿い、短辺がＹ方向に沿う長方形状をなしている。本実施形態において、表側封止領域１０ｃの中心ＯＡは、表面１０ａの中心と一致している。中心ＯＡは、表側封止領域１０ｃにおいて、表側封止領域１０ｃの外周端との離間距離が最も長い箇所である。表側封止領域１０ｃが長方形状をなす本実施形態では、表側封止領域１０ｃの対角線同士の交点が中心ＯＡと一致する。図１では、表側封止領域１０ｃの対角線を破線で示している。

表側非封止領域１０ｄは、ＸＹ平面において、表側封止領域１０ｃを囲む環状をなしている。表側非封止領域１０ｄの内周端は、表側封止領域１０ｃと表側非封止領域１０ｄとの境界と一致している。表側非封止領域１０ｄの外周端は、表面１０ａの外周端と一致している。表面１０ａでは、表側封止領域１０ｃにのみランドが形成されており、表側非封止領域１０ｄにはランドが形成されていない。

裏面１０ｂは、表面１０ａと同様に、裏側封止領域１０ｅと裏側非封止領域１０ｆとを有している。裏側封止領域１０ｅは、裏面１０ｂのうちのモールド樹脂４０が形成された領域である。裏側非封止領域１０ｆは、裏面１０ｂのうちのモールド樹脂４０が形成されていない領域である。

Ｚ方向の投影視において、裏面１０ｂにおける裏側封止領域１０ｅと裏側非封止領域１０ｆとの境界は、表面１０ａにおける表側封止領域１０ｃと表側非封止領域１０ｄとの境界と、ほぼ一致している。よって、裏側封止領域１０ｅの形状は、表側封止領域１０ｃの形状とほぼ一致する長方形状をなしている。また、裏側非封止領域１０ｆの形状は、表側非封止領域１０ｄの形状とほぼ一致する環状をなしている。

基板１０には、表面１０ａから裏面１０ｂにわたって貫通する貫通穴１２が形成されている。貫通穴１２は、モールド樹脂４０を成形する際においてモールド樹脂４０の構成材料４０ａを下記の下側キャビティ２２２から上側キャビティ２２０へ流すものである。

貫通穴１２は、表側封止領域１０ｃから裏側封止領域１０ｅにわたって形成されている。よって、貫通穴１２の表面１０ａ側における開口端１２ａは、表側封止領域１０ｃにのみ形成され、表側非封止領域１０ｄに形成されていない。開口端１２ａは、Ｚ方向の投影視において表面１０ａに実装された電子部品３０と重ならない位置に形成されている。貫通穴１２の裏面１０ｂ側における開口端１２ｂは、裏側封止領域１０ｅにのみ形成され、裏側非封止領域１０ｆに形成されていない。開口端１２ｂは、Ｚ方向の投影視において裏面１０ｂに実装された電子部品３０と重ならない位置に形成されている。

本実施形態において貫通穴１２は、Ｚ方向に延びて形成されている。すなわち、貫通穴１２の内壁面は、Ｚ方向に沿う面とされている。また、本実施形態において、ＸＹ平面に沿う貫通穴１２の平面形状は、真円形状をなしている。すなわち、ＸＹ平面に沿う開口端１２ａの平面形状、及び、開口端１２ｂの平面形状は、真円形状をなしている。

基板１０には、複数の貫通穴１２が形成されている。本実施形態では、９つの貫通穴１２が基板１０に形成されている。ＸＹ平面に沿う各貫通穴１２の平面形状は、互いに同じ形状とされている。

１つの貫通穴１２は、表側封止領域１０ｃの中心ＯＡに開口している。言い換えると、１つの貫通穴１２の開口端１２ａは、中心ＯＡに位置している。さらに言い換えると、表側封止領域１０ｃにおいて開口端１２ａは中心ＯＡと重なっている。

表側封止領域１０ｃの中心ＯＡに開口する貫通穴１２は、裏面１０ｂにおいて、裏側封止領域１０ｅの中心ＯＢに開口している。言い換えると、貫通穴１２の開口端１２ｂは、裏側封止領域１０ｅの中心ＯＢに位置している。さらに言い換えると、裏側封止領域１０ｅにおいて開口端１２ｂは中心ＯＢと重なっている。

表側封止領域１０ｃの中心ＯＡに開口する貫通穴１２以外の８つの貫通穴１２は、４組の対をなしている。対をなす貫通穴１２は、中心ＯＡに対して表面１０ａに沿う一方向における両側に形成されている。表面１０ａに沿う一方向とは、Ｚ方向と直交する方向のうちの１つの方向である。以上によれば、中心ＯＡを通る仮想直線によって表側封止領域１０ｃを２つの範囲に分けた場合、分けられた２つ範囲の夫々に１つの貫通穴１２の開口端１２ａが位置する。

中心ＯＡに対してＸ方向の両側、及び、Ｙ方向の両側には、貫通穴１２の開口端１２ａが形成されている。なお、図１では、表側封止領域１０ｃにおいて中心ＯＡを通ってＹ方向に沿う直線を破線で示している。また、表側封止領域１０ｃの対角線上の夫々には、中心ＯＡを挟むように対をなす貫通穴１２の開口端１２ａが形成されている。すなわち、表側封止領域１０ｃにおいて、４つの頂点と中心ＯＡとの間の各々に、開口端１２ａが形成されている。以上によれば、中心ＯＡは、８つの開口端１２ａによって囲まれている。

開口端１２ａと中心ＯＡとの離間距離は、対をなす貫通穴１２同士で同じ長さとされている。開口端１２ａと中心ＯＡとの離間距離とは、開口端１２ａと中心ＯＡとの最短距離である。以上によれば、表側封止領域１０ｃにおいて、対をなす貫通穴１２同士の開口端１２ａは、点対称に形成されている。裏面１０ｂにおいても、対をなす貫通穴１２同士の開口端１２ｂは、中心ＯＢを基準に点対称に形成されている。

また、表側封止領域１０ｃに対する貫通穴１２の開口率は、０．０５％以上とされている。貫通穴１２の開口率とは、表側封止領域１０ｃにおいて全体の面積に対する開口端１２ａの面積の割合を示すものである。

電子部品３０としては、例えば、スイッチング素子、マイコン等の半導体素子や、チップ抵抗、チップコンデンサ、及び、水晶振動子等の受動素子を採用することができる。電子部品３０は、ベアチップ状態の素子であってもよい。電子部品３０は、はんだを介してランドに接合されている。電子部品３０は、表面１０ａ及び裏面１０ｂの両方に実装されている。電子部品３０は、表面１０ａにおいて、表側封止領域１０ｃにのみ実装され、表側非封止領域１０ｄには実装されていない。同様に、電子部品３０は、裏面１０ｂにおいて、裏側封止領域１０ｅにのみ実装され、裏側非封止領域１０ｆには実装されていない。

モールド樹脂４０は、表面１０ａに実装された電子部品３０を表面１０ａごと封止するとともに、裏面１０ｂに実装された電子部品３０を裏面１０ｂごと封止している。以下、モールド樹脂４０において、基板１０に対して表面１０ａ側に配置された部分を表側封止部４２と示す。また、モールド樹脂４０において、基板１０に対して裏面１０ｂ側に配置された部分を裏側封止部４４と示す。モールド樹脂４０は、電子部品３０及び樹脂基材に加えて、ランドやはんだを一体的に封止している。

表側封止部４２は、表面１０ａに実装された電子部品３０を覆うとともに、表側封止領域１０ｃを覆っている。表側封止部４２は、外表面として、Ｚ方向と直交する底面４２ａと、底面４２ａ及び表面１０ａを繋ぐ側面４２ｂと、を有している。側面４２ｂは、Ｚ方向に沿う平面４２ｃと、Ｚ方向に対して傾斜している傾斜面４２ｄと、を有している。

平面４２ｃは、底面４２ａと連結されており、底面４２ａから表面１０ａへ向かってＺ方向に延びている。平面４２ｃは、ストレート部と称することもできる。傾斜面４２ｄは、平面４２ｃと裏面１０ｂとを繋いでいる。傾斜面４２ｄは、Ｚ方向において基板１０から遠ざかるほどＸＹ平面において中心ＯＡに近づくように、傾斜している。傾斜面４２ｄは、テーパ部と称することもできる。

Ｚ方向における底面４２ａと表面１０ａとの離間距離は、表面１０ａに実装された電子部品３０のＺ方向における高さよりも長くされている。すなわち、表側封止部４２のＺ方向における高さは、表面１０ａに実装された電子部品３０のＺ方向における高さよりも高くされている。これにより、表側封止部４２は、表面１０ａに実装された電子部品３０の全体を覆っている。

裏側封止部４４は、裏面１０ｂに実装された電子部品３０を覆うとともに、裏側封止領域１０ｅを覆っている。裏側封止部４４は、外表面として、Ｚ方向と直交する底面４４ａと、底面４４ａ及び裏面１０ｂを繋ぐ側面４４ｂと、を有している。側面４４ｂは、Ｚ方向に対して傾斜している傾斜面である。側面４４ｂは、Ｚ方向において基板１０から遠ざかるほどＸＹ平面において中心ＯＢに近づくように、傾斜している。側面４４ｂは、テーパ部と称することもできる。

Ｚ方向における底面４４ａと裏面１０ｂとの離間距離は、裏面１０ｂに実装された電子部品３０のＺ方向における高さよりも長くされている。すなわち、裏側封止部４４のＺ方向における高さは、裏面１０ｂに実装された電子部品３０のＺ方向における高さよりも高くされている。これにより、裏側封止部４４は、裏面１０ｂに実装された電子部品３０の全体を覆っている。

Ｚ方向における裏側封止部４４の高さ及び表側封止部４２の高さの合計は、例えば、１ｍｍよりも長くされている。本実施形態では、Ｚ方向において、底面４４ａと裏面１０ｂとの離間距離が、底面４２ａと表面１０ａとの離間距離よりも短くなっている。すなわち、Ｚ方向において、裏側封止部４４は、表側封止部４２よりも低くなっている。Ｚ方向における裏側封止部４４の高さ及び表側封止部４２の高さの差は、例えば、２ｍｍ未満とされている。

また、モールド樹脂４０は、各貫通穴１２内にも配置されている。以下、モールド樹脂４０において貫通穴１２内に配置された部分を中間部４６と示す。各中間部４６は、Ｚ方向において、表側封止部４２及び裏側封止部４４を連結している。すなわち、表側封止部４２及び裏側封止部４４は、各中間部４６によって互いに連結されている。

次に、図３〜図８に基づき、電子装置１００の製造方法について説明する。

先ず、樹脂基材に配線及びランドが形成された基板１０を準備する準備工程を実施する。準備工程で準備する基板１０には、貫通穴１２が形成されている。貫通穴１２は、例えば、ドリル、レーザ、又は、ルータによって形成される。

準備工程を実施するにあたり、表側封止領域１０ｃにおいて開口端１２ａが上記した位置となるように、貫通穴１２が基板１０に形成されている。すなわち、準備工程では、表側封止領域１０ｃにおいて１つ貫通穴１２の開口端１２ａが中心ＯＡに位置している基板１０を準備する。また、準備工程では、対をなす貫通穴１２の開口端１２ａが、中心ＯＡに対して一方向の両側に位置する基板１０を準備する。詳述すると、４組の対をなす貫通穴１２の開口端１２ａが、中心ＯＡを基準に点対称に配置された基板１０を準備する。なお準備工程において、表側封止領域１０ｃにはモールド樹脂４０が形成されていない。よって準備工程では、表面１０ａのうちの、下記の工程でモールド樹脂４０を形成する予定の領域を表側封止領域１０ｃとする。

また、準備工程を実施するにあたり、対をなす貫通穴１２の開口端１２ａによって中心ＯＡが挟まれており、且つ、８つの貫通穴１２の開口端１２ａによって中心ＯＡが囲まれている基板１０を用いる。さらに、準備工程を実施するにあたり、貫通穴１２の開口端１２ａと、中心ＯＡと、の離間距離が、対をなす貫通穴１２同士で同じ長さとされている基板１０を用いる。そして、準備工程を実施するにあたり、表側封止領域１０ｃに対する貫通穴１２の開口率が０．０５％以上の基板１０を用いる。

次に、はんだを介して基板１０に電子部品３０を実装する実装工程を実施する。実装工程では、表面１０ａ及び裏面１０ｂの両方に電子部品３０をはんだ実装する。次に、基板１０にモールド樹脂４０を成形する。本実施形態では、コンプレッションモールド法によりモールド樹脂４０を成形する。

図３〜図８に示すように、モールド樹脂４０を成形するために用いる金型２００は、上型２０２、下型２０４、及び、可動型２０６を有している。上型２０２は、基板１０に対して裏面１０ｂ側にキャビティを形成するものである。以下、上型２０２によって形成されるキャビティを上側キャビティ２２０と示す。上型２０２は、特許請求の範囲に記載の第１金型に相当する。

上型２０２は、一端が開口し、他端が閉塞された有底筒状をなしている。すなわち、上型２０２は、一方向に延びる筒部２０８と、筒部２０８の開口を閉塞する底部２１０と、を有している。底部２１０は、厚さ方向が筒部２０８の延びる方向に沿う平板形状をなしている。筒部２０８は、底部２１０と反対側の一端面として、先端面２０８ａを有している。先端面２０８ａは、厚さ方向が筒部２０８の延びる方向に沿う平面とされている。

底部２１０は、上側キャビティ２２０の底面２２０ａをなしている。底面２２０ａは、裏側封止部４４の底面４４ａを形成するものである。筒部２０８は、上側キャビティ２２０の側面２２０ｂをなしている。側面２２０ｂは、裏側封止部４４の側面４４ｂを形成するものである。側面２２０ｂは、筒部２０８の延びる方向に対して傾斜する傾斜面である。詳述すると、側面２２０ｂは、筒部２０８の延びる方向において底面２２０ａから離れるほど筒部２０８の延びる方向と直交する平面において上側キャビティ２２０の中心から離れるように傾斜している。

下型２０４及び可動型２０６は、上型２０２に対して重力方向側に配置され、基板１０に対して表面１０ａ側にキャビティを形成するものである。以下、下型２０４及び可動型２０６によって形成されるキャビティを下側キャビティ２２２と示す。また、重力方向を下、重力方向の反対方向を上と示す。下型２０４及び可動型２０６は、特許請求の範囲に記載の第２金型に相当する。また、下型２０４は、特許請求の範囲に記載のクランプ型に相当する。

下型２０４は、内壁面が下側キャビティ２２２の側面２２２ｂをなす筒状をなしている。側面２２２ｂは、表側封止部４２の側面４２ｂを形成するものである。下型２０４は、延びる方向における一端面として、先端面２０４ａを有している。先端面２０４ａは、下型２０４の延びる方向と直交する平面とされている。

可動型２０６は、下型２０４が囲む空間を下型２０４の内壁面に沿って移動可能に構成されている。可動型２０６は、下側キャビティ２２２の底面２２２ａをなしている。底面２２２ａは、表側封止部４２の底面４２ａを形成するものである。

側面２２２ｂは、下型２０４の延びる方向に沿う平面２２２ｃと、下型２０４の延びる方向に対して傾斜している傾斜面２２２ｄと、を有している。平面２２２ｃは、表側封止部４２の平面４２ｃを形成するものである。傾斜面２２２ｄは、表側封止部４２の傾斜面４２ｄを形成するものである。傾斜面２２２ｄは、下型２０４の先端面２０４ａと連結されており、下型２０４の開口をなしている。傾斜面２２２ｄは、下型２０４の延びる方向において先端面２０４ａから離れるほど下型２０４の延びる方向と直交する平面において下側キャビティ２２２の中心へ近づくように傾斜している。

なお本実施形態では、離型フィルムを上側キャビティ２２０及び下側キャビティ２２２に配置せずに、モールド樹脂４０を成形する。離型フィルムとは、金型２００とモールド樹脂４０との間に配置され、金型２００とモールド樹脂４０とが互いに接着するのを抑制するものである。

モールド樹脂４０を成形するにあたり、金型２００、及び、基板１０を互いに固定配置する配置工程を実施する。配置工程では、先ず、図３に示すように上型２０２に対して基板１０を固定する。このとき、基板１０の上側に上型２０２を配置し、裏面１０ｂに先端面２０８ａを接触させる。

配置工程では、裏側封止領域１０ｅに対して上側キャビティ２２０が対向するように、基板１０及び上型２０２を配置する。すなわち、裏側封止領域１０ｅは、先端面２０８ａと接触せず、上側キャビティ２２０と対向する。一方、裏面１０ｂにおいて先端面２０８ａと接触している領域が、裏側非封止領域１０ｆである。

配置工程を実施するにあたり、裏側封止領域１０ｅにおいて貫通穴１２の開口端１２ｂが上記した配置となるように、基板１０を上型２０２に配置する。すなわち、裏側封止領域１０ｅにおいて、１つ貫通穴１２の開口端１２ｂが中心ＯＢに位置するように、基板１０を上型２０２に配置する。また、対をなす貫通穴１２の開口端１２ｂが、中心ＯＢに対して一方向の両側に位置するように、基板１０を上型２０２に配置する。詳述すると、４組の対をなす貫通穴１２の開口端１２ｂが中心ＯＢを基準に点対称に配置されるように、基板１０を上型２０２に配置する。

基板１０を上型２０２に固定した後、図４に示すように下側キャビティ２２２内にモールド樹脂４０の構成材料４０ａを入れる。詳述すると、顆粒状であるモールド樹脂４０の構成材料４０ａを下側キャビティ２２２内へ撒布する。なお、構成材料４０ａを下側キャビティ２２２へ入れる前に、下型２０４の延びる方向を重力方向と一致させ、可動型２０６が上下方向に移動可能な状態としておく。そして、可動型２０６の位置を、例えば、可動型２０６の可動範囲のうちの最も下側の位置としておく。

なお、配置工程を実施するにあたり、キャビティに入れられたモールド樹脂４０の構成材料４０ａを溶かすために、金型２００を加熱しておく。例えば、金型２００を１７５℃程度とする。

下側キャビティ２２２内に構成材料４０ａを入れた後、下型２０４及び可動型２０６を移動させて、図５に示すように下型２０４の先端面２０４ａを基板１０の表面１０ａの一部に押し当てて固定する。これにより、基板１０の下側に下型２０４及び可動型２０６が配置される。

配置工程では、表側封止領域１０ｃに対して下側キャビティ２２２が対向するように、基板１０及び下型２０４を配置する。すなわち、表側封止領域１０ｃは、先端面２０４ａと接触せず、下側キャビティ２２２と対向する。一方、表面１０ａにおいて先端面２０４ａと接触している領域が、表側非封止領域１０ｄである。

配置工程を実施するにあたり、表側封止領域１０ｃにおいて貫通穴１２の開口端１２ａが上記した配置となるように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。すなわち、表側封止領域１０ｃにおいて、１つ貫通穴１２の開口端１２ａが中心ＯＡに位置するように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。また、対をなす貫通穴１２の開口端１２ａが、中心ＯＡに対して一方向の両側に位置するように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。詳述すると、４組の対をなす貫通穴１２の開口端１２ａが中心ＯＡを基準に点対称に配置されるように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。

また、本実施形態では、表側非封止領域１０ｄが、Ｚ方向の投影視において裏側非封止領域１０ｆと一致するように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。言い換えると、表面１０ａの下型２０４との接触箇所がＺ方向の投影視において裏面１０ｂの上型２０２との接触箇所と一致するように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。すなわち、表側封止領域１０ｃが、Ｚ方向の投影視において裏側封止領域１０ｅと一致するように、下型２０４及び可動型２０６を基板１０に配置する。

下側キャビティ２２２に入れられたモールド樹脂４０の構成材料４０ａは、金型２００により加熱され、図６に示すように溶融する。すなわち、顆粒状であった構成材料４０ａが、液状となる。

配置工程の実施後、図７に示すように可動型２０６を上昇させる上昇工程を実施する。図７の白抜き矢印は、可動型２０６の移動方向を示している。この移動により、構成材料４０ａの一部は、各貫通穴１２を通って、上側キャビティ２２０に流れる。上昇工程では、例えば、５ＭＰａの圧力を可動型２０６に加え、０．２ｍｍ／ｓｅｃの速さで可動型２０６を上昇させる。可動型２０６を所定位置まで移動させると、図８に示すように、上側キャビティ２２０、下側キャビティ２２２、及び、各貫通穴１２の全体に、モールド樹脂４０の構成材料４０ａが配置される。

上昇工程の実施後、キャビティ内の圧力を一定に保つ保圧工程を実施する。保圧工程では、金型２００から構成材料４０ａに熱を印加しつつ、可動型２０６により構成材料４０ａに成形圧力を印加する。これにより、表面１０ａに表側封止部４２が形成されるとともに裏面１０ｂに裏側封止部４４が形成される。そして、各貫通穴１２には、中間部４６が形成される。

保圧工程の実施後、モールド樹脂４０から金型２００を離す離型工程を実施する。離型工程では、先ず、下型２０４をＺ方向に移動させて、下型２０４を基板１０から離す。そして、表側封止部４２から可動型２０６を離すとともに、裏側封止部４４から上型２０２を離す。以上により、図１及び図２に示した電子装置１００を製造できる。

次に、図９及び図１０に基づき、貫通穴１２の開口率について説明する。

上昇工程では、構成材料４０ａからの応力により基板１０が上方向に変形する。図９では、貫通穴１２の開口率が異なる基板１０に対してモールド樹脂４０を成形し、各基板１０の変形量を測定した測定結果を示している。また、貫通穴１２の開口率が異なる各基板１０に対して金型２００の温度を変えて測定を行っている。基板１０の変形量は、基板１０の反りの大きさを示している。

測定に用いた基板１０は、図１０に示すように、Ｘ方向の幅が９１ｍｍであり、Ｙ方向の幅が７７．５ｍｍである。測定に用いた基板１０に形成された貫通穴１２の数は、図１及び図２に示した基板１０と異なり、２つである。そして、表側封止領域１０ｃでは、Ｘ方向において中心ＯＡが２つの貫通穴１２の開口端１２ａに挟まれている。

図９の三角マーカは、金型２００の温度を１３５℃とした場合の測定結果である。図９の四角マーカは、金型２００の温度を１７５℃とした場合の測定結果である。図９の一点鎖線は、各測定結果に対する近似曲線である。

当然ながら、貫通穴１２の開口率が高いほど、基板１０において構成材料４０ａから応力を受ける部分が少ない。そのため、貫通穴１２の開口率が高いほど、基板１０の変形量が小さい。また、金型２００の温度が高いほど、モールド樹脂４０の構成材料４０ａの温度が高くなり、構成材料４０ａの粘度が低くなる。これによれば、金型２００の温度が高いほど、構成材料４０ａの流動性が向上し、構成材料４０ａから基板１０へ作用する応力が小さくなる。よって、金型２００の温度が高いほど、基板１０の変形量を小さい。

図９に示すように、貫通穴１２の開口率を０．０５％以上にすることで、金型２００の温度が１３５℃及び１７５℃の両方の場合において、基板１０の変形量を０．１６ｍｍ以下とすることができる。

基板１０の反りが大きくなると、基板１０と電子部品３０の接続部分、電子部品３０自体、及び、基板１０とモールド樹脂４０との接続部分に応力が作用する。これに対し、クリスタル（水晶振動子）等の電子部品３０を実装した基板１０に応力を加え、電子部品３０が損傷する場合の基板１０の変形量、及び、基板１０とモールド樹脂４０とが剥離する場合の基板１０の変形量について測定した。この測定において、図１０に示す大きさの基板１０では、基板１０の変形量を０．１６ｍｍ以下とすることで、電子部品３０の損傷、及び、基板１０とモールド樹脂４０との剥離を抑制できることが確認できた。よって、貫通穴１２の開口率を０．０５％以上とすることにより、電子部品３０の損傷、及び、基板１０とモールド樹脂４０との剥離を抑制できる。

なお、貫通穴１２の開口率の上限値については、例えば、基板１０の体格や、表面１０ａ及び裏面１０ｂに対する電子部品３０の実装面積について考慮して決定する。すなわち、基板１０が大きくならず、且つ、表面１０ａ及び裏面１０ｂに対する電子部品３０の実装面積を確保できるように、貫通穴１２の開口率を決定する。

次に、上記した電子装置１００、及び、電子装置１００の製造方法の効果について説明する。

上昇工程において、表側封止領域１０ｃでは、外周端との離間距離が長い中心ＯＡ付近が反り易い。なお、基板１０における貫通穴１２の周囲では、貫通穴１２によって、構成材料４０ａから応力が緩和される。

これに対して、本実施形態の基板１０では、表側封止領域１０ｃの中心ＯＡに貫通穴１２が開口している。これによれば、構成材料４０ａを裏面１０ｂ側に流す際に、中心ＯＡ付近に作用する応力を緩和することができる。したがって、基板１０が反るのを抑制できる。

上昇工程において、表側封止領域１０ｃでは、中心ＯＡとの離間距離が短い箇所ほど、構成材料４０ａからの応力が大きくなって、反り易い。また、表側封止領域１０ｃでは、貫通穴１２の開口端１２ａとの離間距離が短い箇所ほど、構成材料４０ａからの応力が緩和され、反り難い。以上によれば中心ＯＡに対して一方向における一方側の領域のみで貫通穴１２が開口する場合、中心ＯＡに対して一方向における他方側の領域では、貫通穴１２が開口せず、貫通穴１２の開口端１２ａとの離間距離が長くなる。そのため、表側封止領域１０ｃにおいて、中心ＯＡに対して一方向における他方側の領域では、反りが生じ易い。

これに対して本実施形態の基板１０では、複数の貫通穴１２の開口端１２ａが、中心ＯＡに対して一方向における両側に形成されている。これによれば、中心ＯＡに対して一方向における両側の領域で、開口端１２ａとの離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、基板１０が反るのを抑制できる。

本実施形態の基板１０では、対をなす貫通穴１２の開口端１２ａによって中心ＯＡが挟まれている。これによれば、貫通穴１２の開口端１２ａが中心ＯＡを挟む位置に形成されていない構成に較べて、表側封止領域１０ｃのうちの中心ＯＡ付近の領域において開口端１２ａとの離間距離が長くなるのを抑制できる。よって、基板１０が反るのを効果的に抑制できる。

本実施形態の基板１０では、８つの貫通穴１２の開口端１２ａによって中心ＯＡが囲まれている。これによれば、貫通穴１２の開口端１２ａが中心ＯＡを囲む位置に形成されていない構成に較べて、表側封止領域１０ｃのうちの中心ＯＡ付近の領域において開口端１２ａとの離間距離が長くなるのを抑制できる。そのため、基板１０が反るのを効果的に抑制できる。

本実施形態の基板１０では、貫通穴１２の開口端１２ａと、中心ＯＡと、の離間距離が、対をなす貫通穴１２同士で同じ長さとされている。これによれば、対をなす貫通穴１２のうちの一方と開口端１２ａとの離間距離が、対をなす貫通穴１２のうちの他方と中心ＯＡとの離間距離に較べて長くなることがない。すなわち、対をなす貫通穴１２のうちの両方と中心ＯＡとの間の領域で、開口端１２ａとの離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、基板１０が反るのを効果的に抑制できる。

ところで、上昇工程において、下側キャビティ２２２から上側キャビティ２２０に流れる構成材料４０ａは貫通穴１２を通る必要があるため、下側キャビティ２２２に較べて上側キャビティ２２０では構成材料４０ａが充填され難い。

これに対して本実施形態では、モールド樹脂４０を成形するにあたり、Ｚ方向において裏側封止部４４の高さを表側封止部４２よりも低くする。これによれば、裏側封止部４４の高さが表側封止部４２以上とされた構成に較べて、上側キャビティ２２０に流す構成材料４０ａを少なくできる。そのため、上側キャビティ２２０の全体に構成材料４０ａが充填され易く、上側キャビティ２２０にボイドが生じるのを抑制できる。

本実施形態において、側面２２０ｂは、Ｚ方向において底面２２０ａから離れるほどＸＹ平面において上側キャビティ２２０の中心から離れるように傾斜している。これによれば、上昇工程において、上側キャビティ２２０内の構成材料４０ａは、側面２２０ｂに当たると、ＸＹ平面における上側キャビティ２２０の中心へ向かって流れ易い。すなわち、側面２２０ｂが傾斜していることで、上側キャビティ２２０内に構成材料４０ａの流れが生じ、構成材料４０ａが上側キャビティ２２０の全体に充填され易い。したがって、上側キャビティ２２０にボイドが生じるのを抑制できる。

本実施形態では、配置工程を実施するにあたり、Ｚ方向の投影視において、表面１０ａにおける下型２０４との接触箇所と、裏面１０ｂにおける上型２０２との接触箇所と、を互いに一致させる。よって、金型２００によってＺ方向の両側で基板１０の一部を挟んで固定する。これによれば、上型２０２から基板１０へ下方向に応力が作用することで、下型２０４と基板１０との間で隙間が生じ難い。よって、下側キャビティ２２２内の構成材料４０ａが、下型２０４と基板１０との隙間から漏れ出すのを抑制できる。同様に、下型２０４から基板１０へ上方向に応力が作用することで上型２０２と基板１０との間で隙間が生じ難く、構成材料４０ａが上側キャビティ２２０から漏れ出すのを抑制できる。

離型工程では、下型２０４を基板１０から離すように移動させることで、下型２０４の移動方向と反対方向の摩擦力が表側封止部４２から下型２０４へ作用する。これに対して本実施形態の下型２０４では、側面２２２ｂの一部である平面２２２ｃが、下型２０４の移動方向に沿っている。これによれば、側面２２２ｂの全体が下型２０４の移動方向に対して傾斜している構成に較べ、離型工程で表側封止部４２から下型２０４へ作用する摩擦力を小さくすることができる。そのため、離型工程を実施するにあたり、表側封止部４２から下型２０４を離し易い。なお、離型工程において下型２０４を移動させる際、傾斜面２２２ｄが形成されていることで、表側封止部４２と基板１０とが剥離するのを抑制できる。

（第２実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１１に示すように、基板１０には、２つの貫通穴１２が形成されている。２つの貫通穴１２の開口端１２ｂは、裏側封止領域１０ｅにおいて、中心ＯＢに対してＸ方向の両側に配置されている。そして、２つの貫通穴１２の開口端１２ｂは、Ｘ方向において中心ＯＢを挟むように配置されている。ＸＹ平面に沿う各貫通穴１２の開口端１２ｂの平面形状は、Ｙ方向に延びる楕円形状をなしている。なお、中心ＯＢには、貫通穴１２が形成されていない。

図１２に示すように、裏側封止部４４には、凹み４８が形成されている。凹み４８は、底面４４ａから裏面１０ｂに向かってＺ方向に凹んでいる。裏側封止部４４において、凹み４８の形成された部分は、他の部分に較べて、Ｚ方向における高さが低くなっている。凹み４８は、Ｚ方向と直交する平面をなす底面４８ａと、底面４８ａ及び底面４４ａを連結する側面４８ｂと、を有している。

図１１では、Ｚ方向の投影視において底面４８ａと重なる範囲を破線で示している。底面４８ａは、Ｚ方向の投影視において中心ＯＢと重なる位置に形成されている。Ｚ方向の投影視において、Ｘ方向に並ぶ２つの貫通穴の開口端１２ｂにより底面４８ａが挟まれている。すなわち、Ｚ方向の投影視において、Ｘ方向に並ぶ２つの貫通穴１２の開口端１２ｂにより凹み４８が挟まれている。側面４８ｂは、Ｚ方向において裏面１０ｂから遠ざかるほど、ＸＹ平面において中心ＯＢから遠ざかるように傾斜した傾斜面とされている。なお、図１１では、四角形状とされた底面４８ａについて示している。しかしながら、これに限定するものではない。例えば、底面４８ａが円形状とされていてもよい。

図１３に示すように、上型２０２は、底部２１０から上側キャビティ２２０に向かって突出する突出部２１２を有している。突出部２１２は、裏側封止部４４に凹み４８を形成するものである。上型２０２に突出部２１２が形成されていることで、底面２２０ａの一部が凹んでいる。

本実施形態では、配置工程を実施することで、突出部２１２が裏面１０ｂと対向する。配置工程では、Ｚ方向の投影視において２つの開口端１２ｂ同士の間に凹み４８が位置するように、基板１０に上型２０２を配置する。配置工程の実施後において、Ｚ方向における突出部２１２と裏面１０ｂとの離間距離は、底部２１０と裏面１０ｂとの離間距離に較べて短くなっている。

上昇工程を実施すると、各貫通穴１２を通った構成材料４０ａは、上側キャビティ２２０において、Ｚ方向の投影視における開口端１２ｂ同士の間の領域で合流する。そのため、上側キャビティ２２０において、Ｚ方向の投影視における開口端１２ｂ同士の間の領域は、樹脂合流部と称することもできる。可動型２０６を所定位置まで上昇させると、図１３に示すように、キャビティ全体が構成材料４０ａで満たされる。

ところで、樹脂合流部では、流れる方向の異なる構成材料４０ａ同士が合流することによって、ボイドが生じる場合がある。これに対し、本実施形態では、配置工程を実施するにあたり、突出部２１２が樹脂合流部に向かって突出するように、基板１０に上型２０２を配置する。そのため、樹脂合流部では、上側キャビティ２２０における他の箇所に較べて、Ｚ方向の高さが低くなっている。これによれば、上昇工程において構成材料４０ａは、上側キャビティ２２０における他の箇所に較べて、樹脂合流部で流速が増すとともに流量が上がる。よって、樹脂合流部でボイドが生じるのを抑制できる。

（第３実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１４に示すように、基板１０には、３つの貫通穴１２が形成されている。裏側封止領域１０ｅでは、中心ＯＢが、Ｘ方向において２つの貫通穴１２の開口端１２ｂによって挟まれている。残り１つの貫通穴１２の開口端１２ｂは、裏側封止領域１０ｅにおいて、中心ＯＢに対してＹ方向のうちの一方側に形成されている。

図１４では、Ｚ方向の投影視において、裏面１０ｂに実装された１つの電子部品３０と重なる範囲を破線で示している。この電子部品３０は、Ｚ方向の投影視において、３つの貫通穴１２の開口端１２ｂによって囲まれている。言い換えると、Ｚ方向の投影視において、裏面１０ｂに実装された１つの電子部品３０を囲むように、３つの開口端１２ｂが形成されている。

準備工程を実施するにあたり、Ｚ方向の投影視において、裏面１０ｂのうちの電子部品３０が実装される箇所が、複数の貫通穴１２の開口端１２ｂによって囲まれた基板１０を準備する。なお、準備工程では、電子部品３０が基板１０に実装されていない。準備工程において、裏面１０ｂのうちの電子部品３０が実装される箇所とは、電子部品３０が実装される予定の箇所である。

ところで、上側キャビティ２２０に流れてきた構成材料４０ａは、裏面１０ｂに実装された電子部品３０によって流れが阻害され易い。これによれば、上側キャビティ２２０の全体に構成材料４０ａが充填されず、上側キャビティ２２０にボイドが生じる場合がある。

これに対し本実施形態の基板１０では、Ｚ方向の投影視において複数の貫通穴１２の開口端１２ｂが裏面１０ｂに実装された電子部品３０を囲んでいる。これによれば、各貫通穴１２を通って上側キャビティ２２０に流れてきた構成材料４０ａは、裏面１０ｂに実装された電子部品３０を囲むように、電子部品３０に向かって流れる。したがって、上側キャビティ２２０における特定の箇所に構成材料４０ａが流れないことを抑制できる。すなわち、上側キャビティ２２０の全体に構成材料４０ａを充填し易く、上側キャビティ２２０でボイドが生じるのを抑制できる。

（第４実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１５に示すように、基板１０には、３つの貫通穴１２が形成されている。３つの貫通穴１２は、表側封止領域１０ｃにおいて開口端１２ａがＸ方向に並ぶように形成されている。３つの貫通穴１２のうちの２つの貫通穴１２の開口端１２ａは、表側封止領域１０ｃにおいて、中心ＯＡに対してＸ方向の両側に形成されている。そして、残り１つの貫通穴１２の開口端１２ａは、中心ＯＡと重なるように形成されている。なお、ＸＹ平面に沿う貫通穴１２の平面形状は、Ｙ方向に延びる楕円形状をなしている。

（第５実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１６に示すように、基板１０には、１つの貫通穴１２が形成されている。１つの貫通穴１２の開口端１２ａは、中心ＯＡと重なるように形成されている。ＸＹ平面に沿う開口端１２ａの平面形状は、真円形状をなしている。

（第６実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１７に示すように、基板１０には、３つの貫通穴１２が形成されている。３つの貫通穴１２は、開口端１２ａが中心ＯＡを囲むように形成されている。ＸＹ平面に沿う各貫通穴１２の開口端１２ａの平面形状は、真円形状をなしている。

（第７実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１８に示すように、基板１０には、２つの貫通穴１２が形成されている。２つの貫通穴１２の開口端１２ａは、表側封止領域１０ｃにおいて、中心ＯＡに対してＸ方向の両側に配置されている。ただし、中心ＯＡは、表側封止領域１０ｃにおいて２つの貫通穴１２の開口端１２ｂによって挟まれる領域内に位置していない。図１８では、２つの貫通穴１２の開口端１２ｂによって挟まれる領域を破線で示している。ＸＹ平面に沿う各貫通穴１２の平面形状は、Ｙ方向に延びる楕円形状をなしている。なお、中心ＯＡには、貫通穴１２が形成されていない。

（第８実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図１９に示すように、基板１０には、２つの貫通穴１２が形成されている。２つの貫通穴１２の開口端１２ａは、表側封止領域１０ｃにおいて、中心ＯＡに対してＸ方向の両側に配置されている。本実施形態では、開口端１２ａと中心ＯＡとの離間距離が、２つの貫通穴１２で互いに異なっている。すなわち、一方の開口端１２ａと中心ＯＡとの離間距離Ｌ１は、他方の開口端１２ａと中心ＯＡとの離間距離Ｌ２よりも長くなっている。

（第９実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第１実施形態の説明を参照する。

図２０に示すように、準備工程では、複数の基板１０が連結されてなる多連基板３００を準備する。多連基板３００は、厚さ方向がＺ方向に沿う平板形状をなしている。本実施形態の多連基板３００では、４つの基板１０同士が連結されている。基板１０同士は、Ｘ方向及びＹ方向に連結されている。図２０では、基板１０同士の境界を破線で示している。各基板１０は、互いに同じ長方形状をなしている。ＸＹ平面に沿う多連基板３００の平面形状は、長辺がＸ方向に沿い、短辺がＹ方向に沿う長方形状をなしている。

多連基板３００では、基板１０毎に独立した表側封止領域１０ｃが形成されている。言い換えると、各基板１０の表側封止領域１０ｃ同士は、繋がっておらず、表側非封止領域１０ｄによって分離されている。すなわち、各基板１０に形成されるモールド樹脂４０同士は、連結されていない。

各基板１０には、開口端１２ａが表側封止領域１０ｃに位置する２つの貫通穴１２が形成されている。各基板１０では、Ｘ方向において２つの開口端１２ａが中心ＯＡを挟むように、２つの貫通穴１２が形成されている。実装工程では、多連基板３００の両面に電子部品３０を実装する。

本実施形態で用いる金型２００は、図２１に示すように、基板１０毎に独立したキャビティを形成する形状とされている。すなわち、基板１０毎に形成されたキャビティ同士は、繋がっていない。そのため、上昇工程を実施した場合であっても、モールド樹脂４０の構成材料４０ａはキャビティ同士の間で移動しない。

離型工程の実施後には、図２２に示すように、基板１０毎にモールド樹脂４０が成形される。すなわち、多連基板３００に複数のモールド樹脂４０が成形される。このとき、各基板１０に形成されたモールド樹脂４０同士は、連結されない。なお多連基板３００において基板１０同士の連結部の表面１０ａ及び裏面１０ｂ上には、モールド樹脂４０が形成されていない。

離型工程の実施後、多連基板３００において基板１０同士の連結部を切断する切断工程を実施する。切断工程では、例えば、ドリル、レーザ、又は、ルータを用いて多連基板３００を切断する。切断工程の実施により、多連基板３００を４つ基板１０に分割する。これにより、４つの電子装置１００を製造することができる。

本実施形態では、１回の工程で、複数の基板１０の夫々にモールド樹脂４０を成形することができる。これによれば、多連基板３００を用いることなく１つの基板１０に対してモールド樹脂４０を成形する方法に較べて、複数の電子装置１００を製造する時間を短縮することができる。

（第１０実施形態）
本実施形態において、第９実施形態に示した電子装置１００と共通する部分については、第９実施形態の説明を参照する。

図２３に示すように、多連基板３００では、基板１０同士の連結部に貫通穴１２が形成されている。詳述すると、Ｘ方向に連結された基板１０同士の連結部に貫通穴１２が形成されている。

本実施形態で用いる金型２００は、図２４に示すように、Ｘ方向に連結された基板１０に対して形成されるキャビティ同士が表面１０ａ側及び裏面１０ｂ側で繋がっている。そのため、上昇工程を実施した場合、モールド樹脂４０の構成材料４０ａはキャビティ同士の間で移動する。

離型工程の実施後には、図２５に示すように、Ｘ方向に連結された基板１０同士のモールド樹脂４０が互いに連結されている。そして、多連基板３００において基板１０同士の連結部の表面１０ａ及び裏面１０ｂ上には、モールド樹脂４０が形成されている。切断工程では、基板１０同士の連結部とともに、連結部上に形成されたモールド樹脂４０を切断する。

（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

上記実施形態では、ＸＹ平面に沿う基板１０の平面形状が長方形状とされた例を示したが、これに限定されるものではない。ＸＹ平面に沿う基板１０の平面形状が正方形状や円形状とされた例を採用することもできる。

上記実施形態では、表側封止領域１０ｃに対する貫通穴１２の開口率が０．０５％以上とされた例を示したが、これに限定するものではない。貫通穴１２の開口率が０．０５％未満とされた例を採用することもできる。

上記実施形態では、貫通穴１２の内壁面がＺ方向に沿う例を示したが、これに限定するものではない。貫通穴１２の内壁面が、Ｚ方向に対して所定角度傾いた傾斜面である例を採用することもできる。すなわち、貫通穴１２の延びる方向がＺ方向に対して所定角度傾いていてもよい。

上記実施形態では、離型フィルムを用いずにモールド樹脂４０を成形する例を示したが、これに限定するものではない。モールド樹脂４０と金型２００との間に離型フィルムが配置されるように、金型２００のキャビティ内に離型フィルムを配置する例を採用することもできる。

上記実施形態では、Ｚ方向の投影視において表側封止領域１０ｃが裏側封止領域１０ｅと一致する例を示したが、これに限定するものではない。Ｚ方向の投影視において表側封止領域１０ｃが裏側封止領域１０ｅと一致しない例を採用することもできる。例えば、表面１０ａでは開口端１２ａが中心ＯＡに位置するが、裏面１０ｂでは開口端１２ｂが中心ＯＢに位置しない構成を採用することもできる。

１０…基板、１０ａ…表面、１０ｂ…裏面、１０ｃ…表側封止領域、１０ｄ…表側非封止領域、１０ｅ…裏側封止領域、１０ｆ…裏側非封止領域、１２…貫通穴、１２ａ…開口端、１２ｂ…開口端、３０…電子部品、４０…モールド樹脂、４０ａ…構成材料、４２…表側封止部、４２ａ…底面、４２ｂ…側面、４２ｃ…平面、４２ｄ…傾斜面、４４…裏側封止部、４４ａ…底面、４４ｂ…側面、４６…中間部、４８…凹み、１００…電子装置、２００…金型、２０２…上型、２０４…下型、２０４ａ…先端面、２０６…可動型、２０８…筒部、２０８ａ…先端面、２１０…底部、２２０…上側キャビティ、２２０ａ…底面、２２０ｂ…側面、２２２…下側キャビティ、２２２ａ…底面、２２２ｂ…側面、２２２ｃ…平面、２２２ｄ…傾斜面

Claims (15)

1. 基板（１０）と、前記基板の表面（１０ａ）及び裏面（１０ｂ）に実装された複数の電子部品（３０）と、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置の製造方法であって、
   前記表面から前記裏面にわたって貫通する貫通穴（１２）が形成され、且つ、前記表面及び前記裏面に前記電子部品が実装された前記基板を準備すること、
   前記裏面のうちの前記モールド樹脂が形成される裏側封止領域（１０ｅ）に対して第１金型（２０２）のキャビティ（２２０，２２２）が対向するように、前記第１金型及び前記基板を互いに接触させて固定し、且つ、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成される表側封止領域（１０ｃ）に対して第２金型（２０４，２０６）の前記キャビティが対向するように、前記第２金型及び前記基板を互いに接触させて固定すること、及び、
   前記第２金型の前記キャビティ内に配置された前記モールド樹脂の構成材料（４０ａ）を前記貫通穴から前記第１金型の前記キャビティへ流すことで、前記第１金型及び前記第２金型の両方の前記キャビティ内に前記構成材料を配置して、前記モールド樹脂を成形することを備え、
   前記基板を準備するにあたり、前記貫通穴の前記表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）が、前記表側封止領域の中心（ＯＡ）に位置する前記基板を用いる電子装置の製造方法。
2. 基板（１０）と、前記基板の表面（１０ａ）及び裏面（１０ｂ）に実装された複数の電子部品（３０）と、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置の製造方法であって、
   前記表面から前記裏面にわたって貫通する複数の貫通穴（１２）が形成され、且つ、前記表面及び前記裏面に前記電子部品が実装された前記基板を準備すること、
   前記裏面のうちの前記モールド樹脂が形成される裏側封止領域（１０ｅ）に対して第１金型（２０２）のキャビティ（２２０，２２２）が対向するように、前記第１金型及び前記基板を互いに接触させて固定し、且つ、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成される表側封止領域（１０ｃ）に対して第２金型（２０４，２０６）の前記キャビティが対向するように、前記第２金型及び前記基板を互いに接触させて固定すること、及び、
   前記第２金型の前記キャビティ内に配置された前記モールド樹脂の構成材料（４０ａ）を前記貫通穴から前記第１金型の前記キャビティへ流すことで、前記第１金型及び前記第２金型の両方の前記キャビティ内に前記構成材料を配置して、前記モールド樹脂を成形することを備え、
   前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴の前記表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）が、前記表側封止領域の中心（ＯＡ）に対して前記表面に沿う一方向における両側に位置する前記基板を用いる電子装置の製造方法。
3. 前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴の前記表面側における前記開口端によって前記中心が挟まれている前記基板を用いる請求項２に記載の電子装置の製造方法。
4. 前記基板を準備するにあたり、３つ以上の前記貫通穴が形成されており、且つ、３つ以上の前記貫通穴の前記表面側における前記開口端によって前記中心が囲まれている前記基板を用いる請求項２又は請求項３に記載の電子装置の製造方法。
5. 前記基板を準備するにあたり、前記貫通穴の前記表面側における前記開口端と、前記中心と、の離間距離が、複数の前記貫通穴同士で同じ長さとされている前記基板を用いる請求項２〜４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
6. 前記基板を準備するにあたり、前記表側封止領域に対する前記貫通穴の開口率が０．０５％以上の前記基板を用いる請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
7. 前記モールド樹脂を成形するにあたり、前記基板の厚さ方向において前記表面側の前記モールド樹脂の高さを前記裏面側の前記モールド樹脂よりも高くする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
8. 前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴が形成された前記基板を用い、
   前記基板及び前記第１金型を固定するにあたり、前記キャビティの底面（２２０ａ）から突出する突出部（２１２）が形成された前記第１金型を用い、前記基板の厚さ方向の投影視において、複数の前記貫通穴の前記裏面側における前記開口端によって前記突出部が囲まれるように、前記基板及び前記第１金型を配置する請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
9. 前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴が形成された前記基板を用い、且つ、前記基板の厚さ方向の投影視において、複数の前記貫通穴の前記裏面側における前記開口端によって前記裏面に実装された前記電子部品が囲まれている前記基板を用いる請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
10. 前記基板及び前記第１金型を固定するにあたり、前記第１金型の前記キャビティの側面（２２０ｂ）が、前記基板の厚さ方向において前記基板から遠ざかるほど、前記厚さ方向と直交する平面において前記キャビティの中心に近づくように傾斜する前記第１金型を用いる請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
11. 前記基板、前記第１金型、及び、前記第２金型を固定するにあたり、前記基板の厚さ方向の投影視において、前記表面における前記第１金型との接触箇所と、前記裏面における前記第２金型との接触箇所と、を互いに一致させる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
12. 前記基板及び前記第２金型を固定するにあたり、前記第２金型の前記キャビティの側面（２２２ｂ）における少なくとも一部が、前記基板の厚さ方向に沿う平面とされた前記第２金型を用いる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
13. 前記基板及び前記第２金型を固定するにあたり、内壁面が前記キャビティの側面（２２２ｂ）をなす筒状のクランプ型と、前記キャビティの底面（２２２ａ）をなし、前記クランプ型が囲む空間を前記内壁面に沿って移動可能な可動型と、を有する前記第２金型を用いて、前記クランプ型及び前記第２金型によって形成される前記キャビティ内に前記構成材料を配置し、前記クランプ型の開口をなす一端（２０４ａ）を前記表面に押し当て、
    前記モールド樹脂を成形するにあたり、前記可動型を前記表面側に移動させることで、前記第２金型の前記キャビティ内の前記構成材料を前記貫通穴から前記第１金型の前記キャビティへ流す請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
14. 表面（１０ａ）から裏面（１０ｂ）にわたって貫通する貫通穴（１２）が形成された基板（１０）と、
    前記表面及び前記裏面に実装された複数の電子部品（３０）と、
    前記表面に実装された前記電子部品を前記表面ごと封止する表側封止部（４２）と、前記裏面に実装された前記電子部品を前記裏面ごと封止する裏側封止部（４４）と、前記貫通穴内に配置されて前記表側封止部と前記裏側封止部とを連結する中間部（４６）と、を有するモールド樹脂（４０）と、を備え、
    前記貫通穴の前記表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）は、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成された表側封止領域（１０ｃ）の中心（ＯＡ）に形成されている電子装置。
15. 表面（１０ａ）から裏面（１０ｂ）にわたって貫通する貫通穴（１２）が複数形成された基板（１０）と、
    前記表面及び前記裏面に実装された複数の電子部品（３０）と、
    前記表面に実装された前記電子部品を前記表面ごと封止する表側封止部（４２）と、前記裏面に実装された前記電子部品を前記裏面ごと封止する裏側封止部（４４）と、前記貫通穴内に配置されて前記表側封止部と前記裏側封止部とを連結する中間部（４６）と、を有するモールド樹脂（４０）と、を備え、
    複数の前記貫通穴の前記表面側における開口端（１２ａ，１２ｂ）は、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成された表側封止領域（１０ｃ）の中心（ＯＡ）に対して、前記表面に沿う一方向の両側に形成されている電子装置。

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