[go: up one dir, main page]

JP2016018139A - 露光マスクの製造方法 - Google Patents

露光マスクの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016018139A
JP2016018139A JP2014142033A JP2014142033A JP2016018139A JP 2016018139 A JP2016018139 A JP 2016018139A JP 2014142033 A JP2014142033 A JP 2014142033A JP 2014142033 A JP2014142033 A JP 2014142033A JP 2016018139 A JP2016018139 A JP 2016018139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light shielding
wafer
groove
shielding material
transparent plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014142033A
Other languages
English (en)
Inventor
栄 松崎
Sakae Matsuzaki
栄 松崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2014142033A priority Critical patent/JP2016018139A/ja
Priority to TW104116994A priority patent/TW201602712A/zh
Priority to CN201510353626.5A priority patent/CN105301891A/zh
Priority to KR1020150094667A priority patent/KR20160007372A/ko
Publication of JP2016018139A publication Critical patent/JP2016018139A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

【課題】従来の方法と比べて簡単な工程で、安価に、ウェーハを切断する際使用する露光マスクの、製造方法技術を提供する。【解決手段】ウェーハ加工用の露光マスクの製造方法であって、加工するウェーハ以上の大きさを有し光を透過する透明板21の、該ウェーハのストリートに対応する表面21a側の領域に、透明板の裏面21bには至らない深さの溝23を形成する溝形成工程と、溝に遮光性を有する遮光材27を埋設する遮光材埋設工程と、を備える。【選択図】図3

Description

本発明は、ウェーハを加工する際に使用される露光マスクの製造方法に関する。
携帯電話に代表される小型軽量な電子機器では、IC、LSI等の電子回路を備えるデバイスチップが必須の構成となっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の材料でなるウェーハの表面をストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインで区画し、各領域に電子回路を形成した後、このストリートに沿ってウェーハを切断することで製造できる。
ウェーハを切断する際には、例えば、高速回転する切削ブレードをウェーハのストリートに切り込ませた上で、切削ブレード及びウェーハをストリートと平行な方向に相対移動させる。しかしながら、この方法では、ウェーハをストリートに沿って機械的に削り取るので、デバイスチップの抗折強度が低下しがちである。
また、この方法では、切削ブレードをストリートに対して高精度に位置合わせした上で、各ストリートを個別に切削する必要があるので、加工の終了までに長い時間を要してしまう。特に、この問題は、切削すべき分割予定ラインの数が多いウェーハにおいて深刻である。
そこで、近年では、プラズマエッチングを利用してウェーハを切断する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法では、プラズマエッチングでウェーハの全面を一度に加工できるので、デバイスチップの小型化、ウェーハの大型化等によって加工すべき分割予定ラインの数が増えても、加工時間は殆ど変わらずに済む。
また、ウェーハを機械的に削り取るわけではないないので、加工時の欠け等を抑制し、デバイスチップの抗折強度を高く維持できる。なお、この方法では、ガラス基板の表面にクロム等でなる遮光膜のパターンが形成された露光マスク(例えば、特許文献2参照)を用いて、ウェーハの表裏面にエッチング用のレジスト膜を形成している。
特開2006−114825号公報 特開昭62−229151号公報
しかしながら、上述した露光マスクは、遮光膜の形成、レジスト膜の被覆、レジスト膜のパターン描画、遮光膜のエッチングといった複雑な工程を経て製造され、価格が高いので、この露光マスクを用いると、ウェーハの加工コストも高くなってしまう。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、従来の方法と比べて簡単な工程で安価に露光マスクを製造可能な露光マスクの製造方法を提供することである。
本発明によれば、ウェーハ加工用の露光マスクの製造方法であって、加工するウェーハ以上の大きさを有し光を透過する透明板の、該ウェーハのストリートに対応する表面側の領域に、該透明板の裏面には至らない深さの溝を形成する溝形成工程と、該溝に遮光性を有する遮光材を埋設する遮光材埋設工程と、を備えたことを特徴とする露光マスクの製造方法が提供される。
本発明において、該遮光材埋設工程は、インクジェットノズルを有する埋設手段によって行われることが好ましい。
また、本発明において、該遮光材埋設工程では、該溝が形成された該透明板の表面全体に該遮光材を被覆して該溝に該遮光材を埋設した後、該透明板の該溝以外の表面を被覆した該遮光材を除去することが好ましい。
本発明に係る露光マスクの製造方法は、光を透過する透明板の表面側に、ウェーハのストリートに対応し透明板の裏面に至らない深さの溝を形成する溝形成工程と、溝に遮光性を有する遮光材を埋設する遮光材埋設工程と、を含んでいる。
そのため、レジスト膜の被覆、レジスト膜のパターン描画、遮光膜のエッチングといった複雑な工程を経ることなく、ウェーハのストリートに対応する遮光パターンを備えた露光マスクを製造できる。このように、本発明によれば、従来の方法と比べて簡単な工程で安価に露光マスクを製造可能な露光マスクの製造方法を提供できる。
図1(A)は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、ウェーハの構成例を模式的に示す断面図である。 図2(A)は、溝形成工程を模式的に示す斜視図であり、図2(B)は、溝形成工程後の透明板を模式的に示す断面図である。 図3(A)は、遮光材埋設工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図3(B)は、遮光材埋設工程後の透明板を模式的に示す斜視図である。 図4(A)は、遮光材埋設工程の変形例を模式的に示す断面図であり、図4(B)は、遮光材埋設工程の変形例を模式的に示す斜視図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る露光マスクの製造方法は、溝形成工程(図2(A)及び図2(B)参照)、及び遮光材埋設工程(図3(A)及び図3(B)参照)を含む。
溝形成工程では、光を透過する透明板の表面側に、ウェーハのストリートに対応し透明板の裏面に至らない深さの溝を形成する。遮光材埋設工程では、透明板の溝に遮光性を有する遮光材を埋設する。以下、本実施形態に係る露光マスクの製造方法について詳述する。
まず、本実施形態の露光マスクを用いて加工されるウェーハについて説明する。図1(A)は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、ウェーハの構成例を模式的に示す断面図である。
図1(A)及び図1(B)に示すように、ウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体材料で形成された略円形の板状物であり、表面11aは、中央のデバイス領域13と、デバイス領域13を囲む外周余剰領域15とに分けられている。
デバイス領域13は、格子状に配列されたストリート(分割予定ライン)17でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、IC等のデバイス19が形成されている。ウェーハ11の外周11cは面取り加工されており、丸みを帯びている。
本実施形態に係る露光マスクの製造方法では、上述したウェーハ11のストリート17に対応する遮光パターンを備えた露光マスクを製造する。具体的には、まず、ウェーハ11のストリート17に対応した溝を透明板に形成する溝形成工程を実施する。図2(A)は、溝形成工程を模式的に示す斜視図であり、図2(B)は、溝形成工程後の透明板を模式的に示す断面図である。
図2(A)及び図2(B)に示すように、露光マスクの基材となる透明板21は、ガラス、樹脂等の透明材料で形成された略円形の板状物であり、その直径は、例えば、ウェーハ11の直径より大きくなっている。ただし、透明板21は、ウェーハ11と同径に形成されても良い。すなわち、透明板21は、ウェーハ11以上の大きさであれば良い。
また、この透明板21は、露光マスクに要求される任意の光学特性を備えている。具体的には、例えば、透明板21は、レジスト材を硬化させるために用いる所定波長の光に対して透明である。ただし、透明板21は、必ずしも可視光に対して透明である必要はない。
溝形成工程では、図2(A)に示すように、高速回転させた切削ブレード2を透明板21の表面21aに切り込ませ、切削ブレード2と透明板21とを水平方向に相対移動させる。ここで、切削ブレード2は、ウェーハ11のストリート17に対応する領域に切り込まれる。また、切削ブレード2の切り込み深さは、切削ブレード2が透明板21の裏面21bに達しない程度とする。
これにより、透明板21の表面21a側に、ウェーハ11のストリート17に対応し透明板21の裏面21bに至らない深さの溝23を形成できる。ウェーハ11の全てのストリート17に対応する溝23が形成されると、溝形成工程は終了する。
溝形成工程の後には、透明板21の溝23に遮光性を有する遮光材を埋設する遮光材埋設工程を実施する。図3(A)は、遮光材埋設工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図3(B)は、遮光材埋設工程後の透明板21を模式的に示す斜視図である。
遮光材埋設工程では、例えば、図3(A)に示すように、透明板21の表面21a側に配置されたインクジェットノズル(埋設手段)4を溝23に沿って移動させながら、ナノメタルインクに代表される遮光性を備えた液体25を溝23に滴下する。
その後、溝23に供給された液体25を乾燥・硬化させることで、図3(A)及び図3(B)に示すように、ウェーハ11のストリート17に対応する直線状の遮光材27を形成できる。透明板21の全ての溝23に遮光材27が埋設されると、露光マスクは完成する。
以上のように、本発明に係る露光マスクの製造方法は、光を透過する透明板21の表面21a側に、ウェーハ11のストリート17に対応し透明板21の裏面21bに至らない深さの溝23を形成する溝形成工程と、溝23に遮光性を有する遮光材27を埋設する遮光材埋設工程と、を含んでいる。
そのため、レジスト膜の被覆、レジスト膜のパターン描画、遮光膜のエッチングといった複雑な工程を経ることなく、ウェーハ11のストリート17に対応する遮光パターンを備えた露光マスクを製造できる。このように、本実施形態によれば、従来の方法と比べて簡単な工程で安価に露光マスクを製造可能な露光マスクの製造方法を提供できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、インクジェットノズル4で液体25を滴下するいわゆるインクジェット法を用いて溝23に遮光材27を埋設しているが、溝23に遮光材27を埋設する方法はこれに限定されない。
図4(A)は、遮光材埋設工程の変形例を模式的に示す断面図であり、図4(B)は、遮光材埋設工程の変形例を模式的に示す斜視図である。変形例に係る遮光材埋設工程では、まず、図4(A)に示すように、透明板21の表面21a全体を被覆する遮光膜(遮光材)29を形成する。遮光膜29は、例えば、スパッタリング法やCVD法等により形成される金属膜であり、図4(A)に示すように、その一部が溝23に埋設されている。
次に、遮光膜29の一部を除去して、透明板21の表面21aを表出させる。遮光膜29の除去は、例えば、図4(B)に示す研削装置12で実施される。研削装置12は、透明板21を吸引保持する保持テーブル14を備えている。保持テーブル14の下方には、回転機構(不図示)が設けられており、保持テーブル14は、この回転機構により鉛直軸の周りに回転する。
保持テーブル14の表面(上面)は、透明板21の裏面21b側を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、保持テーブル14の内部に形成された吸引路(不図示)を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、透明板21を吸引する吸引力が発生する。
保持テーブル14の上方には、鉛直軸の周りに回転するスピンドル16が配置されている。このスピンドル16は、昇降機構(不図示)で昇降される。スピンドル16の下端側には、円盤状のホイールマウント18が固定されており、このホイールマウント18には、研削ホイール20が装着されている。
研削ホイール20は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台20aを備えている。ホイール基台20aの円環状の下面には、全周にわたって複数の研削砥石20bが固定されている。
遮光膜29を除去する際には、まず、透明板21の裏面21b側を保持テーブル14の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、透明板21は、表面21aを被覆する遮光膜29が上方に露出した状態で保持テーブル14に吸引保持される。
次に、保持テーブル14とスピンドル16とを、それぞれ所定の方向に回転させつつ、スピンドル16を下降させ、図4(B)に示すように、遮光膜29に研削砥石20bを接触させる。スピンドル16は、遮光膜29の研削に適した送り速度で下降させる。
透明板21の表面21aが露出するまで遮光膜29を研削すると、図3(B)に示すように、溝23には、遮光膜29の一部である遮光材27が残る。このように、変形例に係る遮光材埋設工程を実施する場合にも、上記実施形態と同様の露光マスクを製造できる。
なお、上記変形例では、遮光膜29を研削することで、溝23に遮光材27を残存させているが、エッチング等の別の方法で遮光膜29を除去して、溝23に遮光材27を残存させても良い。
その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
11c 外周
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 ストリート(分割予定ライン)
19 デバイス
21 透明板
21a 表面
21b 裏面
23 溝
25 液体
27 遮光材
29 遮光膜(遮光材)
2 切削ブレード
4 インクジェットノズル(埋設手段)
12 研削装置
14 保持テーブル
16 スピンドル
18 ホイールマウント
20 研削ホイール
20a ホイール基台
20b 研削砥石

Claims (3)

  1. ウェーハ加工用の露光マスクの製造方法であって、
    加工するウェーハ以上の大きさを有し光を透過する透明板の、該ウェーハのストリートに対応する表面側の領域に、該透明板の裏面には至らない深さの溝を形成する溝形成工程と、
    該溝に遮光性を有する遮光材を埋設する遮光材埋設工程と、を備えたことを特徴とする露光マスクの製造方法。
  2. 該遮光材埋設工程は、インクジェットノズルを有する埋設手段によって行われることを特徴とする請求項1に記載の露光マスクの製造方法。
  3. 該遮光材埋設工程では、該溝が形成された該透明板の表面全体に該遮光材を被覆して該溝に該遮光材を埋設した後、該透明板の該溝以外の表面を被覆した該遮光材を除去することを特徴とする請求項1に記載の露光マスクの製造方法。
JP2014142033A 2014-07-10 2014-07-10 露光マスクの製造方法 Pending JP2016018139A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014142033A JP2016018139A (ja) 2014-07-10 2014-07-10 露光マスクの製造方法
TW104116994A TW201602712A (zh) 2014-07-10 2015-05-27 曝光罩之製造方法
CN201510353626.5A CN105301891A (zh) 2014-07-10 2015-06-24 曝光掩膜的制造方法
KR1020150094667A KR20160007372A (ko) 2014-07-10 2015-07-02 노광 마스크의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014142033A JP2016018139A (ja) 2014-07-10 2014-07-10 露光マスクの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016018139A true JP2016018139A (ja) 2016-02-01

Family

ID=55199319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014142033A Pending JP2016018139A (ja) 2014-07-10 2014-07-10 露光マスクの製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2016018139A (ja)
KR (1) KR20160007372A (ja)
CN (1) CN105301891A (ja)
TW (1) TW201602712A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036569A (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 株式会社ディスコ ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法
JP2018036567A (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 株式会社ディスコ ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6556673B2 (ja) * 2016-07-26 2019-08-07 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591138A (en) * 1978-12-27 1980-07-10 Nec Corp Die forming of semiconductor device
JPS6156349A (ja) * 1984-08-28 1986-03-22 Nec Corp フオト・マスクの製造方法
JPS62201444A (ja) * 1986-02-28 1987-09-05 Sharp Corp フオトマスクおよびその製造方法
JPS6488551A (en) * 1987-09-30 1989-04-03 Sharp Kk Photomask
JPH01200258A (ja) * 1988-02-04 1989-08-11 Hitachi Ltd 厚さ分布を有するレジストパターンの形成方法
JPH03179448A (ja) * 1989-12-08 1991-08-05 Sharp Corp 光メモリ素子用原盤及び光メモリ素子用埋め込み型フォトマスクの製造方法
JPH06301194A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Hitachi Ltd フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
US5403683A (en) * 1987-09-30 1995-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Photo-mask
JPH08321478A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH1126355A (ja) * 1997-07-07 1999-01-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JP2001005168A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Fuji Photo Film Co Ltd 近接場光露光用マスクおよびその作製方法
JP2004228152A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Shinko Electric Ind Co Ltd ウエハのダイシング方法
JP2005279918A (ja) * 2004-03-04 2005-10-13 Seiko Epson Corp 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ
JP2005352180A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006245102A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd 露光方法
JP2006312206A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研削加工方法
JP2006346843A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Kazumasa Onishi 円盤状ブレード及び切断装置
JP2007298805A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Seiko Epson Corp フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置および配線基板
JP2012199437A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法およびフォトマスク
JP2012204409A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toshiba Corp フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2013062429A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の切削方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1313792C (en) * 1986-02-28 1993-02-23 Junji Hirokane Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
KR0166497B1 (ko) * 1995-03-24 1999-01-15 김주용 위상반전 마스크 및 그 제조방법
CN103119698B (zh) * 2010-09-30 2016-05-18 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591138A (en) * 1978-12-27 1980-07-10 Nec Corp Die forming of semiconductor device
JPS6156349A (ja) * 1984-08-28 1986-03-22 Nec Corp フオト・マスクの製造方法
JPS62201444A (ja) * 1986-02-28 1987-09-05 Sharp Corp フオトマスクおよびその製造方法
JPS6488551A (en) * 1987-09-30 1989-04-03 Sharp Kk Photomask
US5403683A (en) * 1987-09-30 1995-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Photo-mask
JPH01200258A (ja) * 1988-02-04 1989-08-11 Hitachi Ltd 厚さ分布を有するレジストパターンの形成方法
JPH03179448A (ja) * 1989-12-08 1991-08-05 Sharp Corp 光メモリ素子用原盤及び光メモリ素子用埋め込み型フォトマスクの製造方法
JPH06301194A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Hitachi Ltd フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
JPH08321478A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH1126355A (ja) * 1997-07-07 1999-01-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JP2001005168A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Fuji Photo Film Co Ltd 近接場光露光用マスクおよびその作製方法
JP2004228152A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Shinko Electric Ind Co Ltd ウエハのダイシング方法
JP2005279918A (ja) * 2004-03-04 2005-10-13 Seiko Epson Corp 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ
JP2005352180A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006245102A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd 露光方法
JP2006312206A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研削加工方法
JP2006346843A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Kazumasa Onishi 円盤状ブレード及び切断装置
JP2007298805A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Seiko Epson Corp フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置および配線基板
JP2012199437A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法およびフォトマスク
JP2012204409A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toshiba Corp フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2013062429A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の切削方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018036569A (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 株式会社ディスコ ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法
JP2018036567A (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 株式会社ディスコ ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160007372A (ko) 2016-01-20
TW201602712A (zh) 2016-01-16
CN105301891A (zh) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6366351B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5349982B2 (ja) サブストレート付きウエーハの加工方法
JP6298723B2 (ja) 貼り合わせウェーハ形成方法
US20190148132A1 (en) Method of manufacturing small-diameter wafer
JP2016201519A (ja) デバイスパッケージの製造方法
JP5068705B2 (ja) 加工装置のチャックテーブル
CN102848305B (zh) 被加工物的磨削方法
JP6486176B2 (ja) 被加工物の切削加工方法
TW201935549A (zh) 晶圓之加工方法
JP2016018139A (ja) 露光マスクの製造方法
JP2016100346A (ja) ウェーハの加工方法
JP6563766B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2016187004A (ja) ウェーハの加工方法
JP2016219757A (ja) 被加工物の分割方法
KR102069905B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법
JP6594153B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2016018187A (ja) 露光マスクの製造方法
JP6195483B2 (ja) 積層ウェーハの加工方法
JP2017011134A (ja) デバイスチップの製造方法
JP6137999B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2012222134A (ja) ウエーハの研削方法
JP6188492B2 (ja) ウェーハの分割方法
JP2017108001A (ja) ウェーハの加工方法
JP2007266250A (ja) ウエーハ
JP2023040747A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180312

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190122