TW201602712A - 曝光罩之製造方法 - Google Patents
曝光罩之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201602712A TW201602712A TW104116994A TW104116994A TW201602712A TW 201602712 A TW201602712 A TW 201602712A TW 104116994 A TW104116994 A TW 104116994A TW 104116994 A TW104116994 A TW 104116994A TW 201602712 A TW201602712 A TW 201602712A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light shielding
- groove
- shielding material
- transparent plate
- wafer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本發明之課題是提供與以往的方法相比，可用簡單之步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。解決手段是晶圓加工用的曝光罩之製造方法，並做成包括溝形成步驟及遮光材埋設步驟之構成，該溝形成步驟是在具有加工的晶圓以上之大小且透光之透明板之對應於該晶圓的切割道的表面側的區域中，形成深度未達透明板的背面之溝，該遮光材埋設步驟是在溝中埋設具有遮光性之遮光材。
Description
本發明是有關於一種在加工晶圓時所使用的曝光罩之製造方法。
在以行動電話所代表之小型輕量的電子機器中，具備IC、LSI等電子電路之元件晶片(device chip)已成為必要的構成。元件晶片可以藉由例如下列的方式來製造：以被稱為切割道(street)之複數條分割預定線劃分矽等材料所形成之晶圓的表面，並於在各區域中形成電子電路後，沿著此切割道切斷晶圓。
在切斷晶圓之時，是在例如，使高速旋轉之切削刀切入晶圓的切割道的情形下，使切削刀及晶圓在與切割道平行的方向上相對移動。然而，在此方法中，由於是將晶圓沿著切割道進行機械式削取，因此元件晶片的抗折強度會有降低的傾向。
又，在此方法中，由於在將切削刀相對於切割道高精度地進行對位後，還必須個別地切削各切割道，因此到加工結束為止需要較長的時間。這個問題在用來切削之
分割預定線的數量較多的晶圓上，會特別深刻。
於是，近年來已有一種利用電漿蝕刻(plasma etching)來切斷晶圓之方法被提出(參照例如專利文獻1)。在此方法中，由於可以用電漿蝕刻一次加工晶圓的整個表面，因此就算因元件晶片的小型化、晶圓的大型化等而增加用來加工的分割預定線之數量，加工時間也幾乎不需要改變。
又，由於並不是以機械方式削取晶圓，因此可抑制加工時的缺損，並將元件晶片之抗折強度維持得較高。再者，在此方法中，是使用在玻璃基板的表面形成有由鉻所形成的遮光膜圖案(pattern)之曝光罩(參照例如專利文獻2)，且在晶圓的表面、背面形成有蝕刻用的保護(resist)膜。
專利文獻1：日本專利特開2006-114825號公報
專利文獻2：日本專利特開昭62-229151號公報
然而，由於上述之曝光罩是經過遮光膜的形成、保護膜的被覆、保護膜的圖案繪製、遮光膜的蝕刻之複雜的步驟而被製造，且價格較高，因此若使用此曝光罩，就會導致晶圓的加工成本也變高。
本發明是有鑒於所述問題而作成的發明，其目的
在於提供一種相較於以往的方法，可以用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。
根據本發明所提供的曝光罩之製造方法，是晶圓加工用的曝光罩之製造方法，其特徵在於包含溝形成步驟及遮光材埋設步驟，該溝形成步驟是在具有加工的晶圓以上之大小且透光的透明板之對應於該晶圓的切割道的表面側的區域中，形成深度未達該透明板之背面的溝，該遮光材埋設步驟是在該溝中埋設具有遮光性之遮光材。
在本發明中，較理想的是，該遮光材埋設步驟是藉由具有噴墨噴嘴(ink jet nozzle)之埋設手段來進行。
又，在本發明中，較理想的是，於該遮光材埋設步驟中，是在形成有該溝之該透明板的整個表面上被覆該遮光材而在該溝中埋設有該遮光材之後，去除已被覆在該透明板之該溝以外的表面的該遮光材。
本發明的曝光罩之製造方法包含有溝形成步驟及遮光材埋設步驟，該溝形成步驟是在透光之透明板的表面側形成對應於晶圓之切割道且深度未達透明板的背面之溝，該遮光材埋設步驟是在溝中埋設具有遮光性之遮光材。
因此，可在不經過保護膜的被覆、保護膜的圖案繪製，遮光膜的蝕刻之複雜的步驟的情形下，製造具備對應晶圓之切割道的遮光圖案的曝光罩。如此，根據本發明
可以提供相較於以往的方法，可用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。
11‧‧‧晶圓
11a、21a‧‧‧表面
11b、21b‧‧‧背面
11c‧‧‧外周
12‧‧‧磨削裝置
13‧‧‧元件區域
14‧‧‧保持台
15‧‧‧外周剩餘區域
16‧‧‧主軸
17‧‧‧切割道(分割預定線)
18‧‧‧輪座
19‧‧‧元件
2‧‧‧切削刀
20‧‧‧磨削輪
20a‧‧‧輪基台
20b‧‧‧磨削磨石
21‧‧‧透明板
23‧‧‧溝槽
25‧‧‧液體
27‧‧‧遮光材
29‧‧‧遮光膜(遮光材)
4‧‧‧噴墨噴嘴(埋設手段)
圖1(A)為模式地顯示晶圓的構成例的立體圖，圖1(B)為模式地顯示晶圓的構成例之剖面圖。
圖2(A)模式地顯示溝形成步驟之立體圖，圖2(B)為模式地顯示溝形成步驟之後的透明板之剖面圖。
圖3(A)為模式地顯示遮光材埋設步驟之局部剖面側視圖，圖3(B)為模式地顯示遮光材埋設步驟後之透明板的立體圖。
圖4(A)為模式地顯示遮光材埋設步驟之變形例的剖面圖，圖4(B)為模式地顯示遮光材埋設步驟之變形例的立體圖。
參照附圖以說明關於本發明之實施形態。本實施形態之曝光罩之製造方法包含溝形成步驟(參照圖2(A)及圖2(B))，及遮光材埋設步驟(參照圖3(A)及圖3(B))。
在溝形成步驟中，是於透光之透明板的表面側形成對應於晶圓之切割道且深度未達透明板的背面之溝。在遮光材埋設步驟中，是在透明板的溝中埋設具有遮光性之遮光材。以下，詳細地說明本實施形態的曝光罩之製造方法。
首先，說明使用本實施形態之曝光罩來進行加工
之晶圓。圖1(A)為模式地顯示晶圓的構成例之立體圖，圖1(B)為模式地顯示晶圓的構成例之剖面圖。
如圖1(A)及圖1(B)所示，晶圓11是例如以矽等的半導體材料所形成之大致圓形的板狀物，且表面11a被區分成中央的元件區域13，與包圍元件區域13之外周剩餘區域15。
元件區域13藉由排列成格子狀之切割道(分割預定線)17被進一步劃分成複數個區域，並在各區域中形成有IC等元件19。晶圓11的外周11c被施予倒角加工，並帶有圓弧。
在本實施形態的曝光罩之製造方法中，可製造具備對應上述之晶圓11的切割道17之遮光圖案的曝光罩。具體來說，首先，是實施在透明板上形成對應晶圓11之切割道17之溝的溝形成步驟。圖2(A)為模式地顯示溝形成步驟之立體圖，圖2(B)為模式地顯示溝形成步驟之後的透明板之剖面圖。
如圖2(A)及圖2(B)所示，作為曝光罩之基材的透明板21是由玻璃、樹脂等透明材料所形成之大致圓形的板狀物，並將其直徑形成為例如大於晶圓11之直徑。但是，也可將透明板21形成為與晶圓11為相同直徑。也就是說，透明板21只要是晶圓11以上的大小即可。
又，此透明板21具備有會針對曝光罩要求的任意的光學特性。具體來說，例如，透明板21對於為了使保護材硬化所使用之預定波長的光為透明。但是，透明板21不
一定要對可見光為透明。
如圖2(A)所示，在溝形成步驟中，是使高速旋轉之切削刀2切入透明板21的表面21a，並使切削刀2與透明板21在水平方向上相對移動。在此，是將切削刀2切入對應晶圓11的切割道17的區域。又，切削刀2的切入深度是設成不使切削刀2到達透明板21的背面21b的程度。
藉此，可以在透明板21的表面21a側形成對應於晶圓11的切割道17且深度未達透明板21的背面21b之溝23。當形成對應於晶圓11的所有切割道17之溝23時，溝形成步驟即結束。
在溝形成步驟之後，實施遮光材埋設步驟，其為在透明板21的溝23中埋設具有遮光性之遮光材。圖3(A)為模式地顯示遮光材埋設步驟之局部剖面側視圖，圖3(B)為模式地顯示遮光材埋設步驟後之透明板21的立體圖。
在遮光構件埋設步驟中，是例如，如圖3(A)所示，一邊使配置於透明板21的表面21a側的噴墨噴嘴(埋設手段)4沿著溝23移動，一邊在溝23中滴下以奈米金屬墨料(nano metal ink)為代表之具備遮光性的液體25。
之後，如圖3(A)及圖3(B)所示，藉由使供給到溝23中之液體25乾燥、硬化，即可以形成對應於晶圓11之切割道17的直線狀之遮光材27。當於透明板21的所有的溝23中都埋設遮光材27後，曝光罩即完成。
如上所述，本發明的曝光罩之製造方法包含有溝形成步驟及遮光材形成步驟，該溝形成步驟是在透光之透
明板21的表面21a側形成對應於晶圓11的切割道17且深度未達透明板21的背面21b之溝23，該遮光材埋設步驟是在溝23中埋設具有遮光性之遮光材27。
因此，可以在不經過保護膜的被覆、保護膜的圖案繪製、遮光膜的蝕刻之複雜的步驟的情形下，製造具備對應晶圓11的切割道17之遮光圖案的曝光罩。如此，根據本實施形態可以提供相較於以往的方法，可用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。
再者，本發明並不受限於上述實施形態之記載，並可進行各種變更來實施。例如，在上述實施形態中，雖然是利用以噴墨噴嘴4滴下液體25之所謂的噴墨(ink jet)法而在溝23中埋設有遮光材27，但在溝23中埋設遮光材27之方法不受限於此。
圖4(A)為模式地顯示遮光材埋設步驟之變形例的剖面圖，圖4(B)為模式地顯示遮光材埋設步驟之變形例的立體圖。首先，如圖4(A)所示，在變形例之遮光材埋設步驟中，是形成將透明板21之表面21a整體被覆的遮光膜(遮光材)29。遮光膜29是藉由例如濺射(sputtering)法或CVD法等所形成之金屬膜，並如圖4(A)所示，將其一部分埋設在溝23中。
接著，去除遮光膜29之一部分，而使透明板21的表面21a露出。遮光膜29的去除是用例如，圖4(B)所示的磨削裝置12來實施。磨削裝置12具備有吸引保持透明板21的保持台14。保持台14的下方設置有旋轉機構(圖未示)，且
保持台14是藉由此旋轉機構而以繞鉛直軸的形式旋轉。
保持台14的表面(上表面)為吸引保持透明板21之背面21b側的保持面。在這個保持面上，是通過形成於保持台14的內部之吸引通道(圖未示)使吸引源(圖未示)之負壓產生作用，而產生吸引透明板21的吸引力。
在保持台14的上方配置有以繞鉛直軸的形式旋轉的主軸16。該主軸16是藉由昇降機購(圖未示)而進行昇降。在主軸16的下端側固定有圓盤狀的輪座18，且在這個輪座18中裝設有磨削輪20。
磨削輪20具備由鋁、不鏽鋼等金屬材料所形成之輪基台20a。在輪基台20a之圓環狀的下表面上，遍及整個周邊固定有複數個磨削磨石20b。
在去除遮光膜29之時，首先，是使透明板21的背面21b側接觸於保持台14的保持面，而使吸引源的負壓作用。藉此，透明板21可在被覆表面21a之遮光膜29露出於上方之狀態下被吸引保持在保持台14上。
接著，在使保持台14與主軸16分別在預定的方向上旋轉時，使主軸16下降，且如圖4(B)所示，使磨削磨石20b接觸於遮光膜29。使主軸16以適合於遮光膜29之磨削的進給速度下降。
如圖3(B)所示，當將遮光膜29磨削至使透明板21的表面21a露出時，在溝23中會殘留為遮光膜29的一部分之遮光材27。如此，在實施變形例之遮光材埋設步驟的情況中，也可製造與上述實施形態相同之曝光罩。
再者，在上述變形例中，雖然是藉由磨削遮光膜29而使遮光材27殘留在溝23中，但是也可利用蝕刻等之其他方法去除遮光膜29，而使遮光材27殘留在溝23中。
另外，上述實施形態之構成、方法等，只要在不脫離本發明之目的之範圍內，均可適當變更而實施。
21‧‧‧透明板
21a‧‧‧表面
21b‧‧‧背面
23‧‧‧溝
25‧‧‧液體
27‧‧‧遮光材
4‧‧‧噴墨噴嘴(埋設手段)
Claims (3)
- 一種曝光罩之製造方法，是晶圓加工用的曝光罩之製造方法，其特徵在於包含：溝形成步驟，在具有加工的晶圓以上之大小且透光的透明板之對應於該晶圓的切割道的表面側的區域中，形成深度未達該透明板之背面的溝；以及遮光材埋設步驟，在該溝中埋設具有遮光性之遮光材。
- 如請求項1的曝光罩之製造方法，其中，該遮光材埋設步驟是藉由具有噴墨噴嘴之埋設手段來進行。
- 如請求項1的曝光罩之製造方法，其中，在該遮光材埋設步驟中，是在形成有該溝之該透明板的整個表面上被覆該遮光材而在該溝中埋設該遮光材之後，去除已被覆在該透明板之該溝以外的表面的該遮光材。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014142033A JP2016018139A (ja) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 露光マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201602712A true TW201602712A (zh) | 2016-01-16 |
Family
ID=55199319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104116994A TW201602712A (zh) | 2014-07-10 | 2015-05-27 | 曝光罩之製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2016018139A (zh) |
| KR (1) | KR20160007372A (zh) |
| CN (1) | CN105301891A (zh) |
| TW (1) | TW201602712A (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6556673B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置 |
| JP2018036569A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法 |
| JP2018036567A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591138A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-10 | Nec Corp | Die forming of semiconductor device |
| JPS6156349A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Nec Corp | フオト・マスクの製造方法 |
| JPS62201444A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-05 | Sharp Corp | フオトマスクおよびその製造方法 |
| CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| JPS6488551A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Sharp Kk | Photomask |
| US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
| JPH0830890B2 (ja) * | 1988-02-04 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | 厚さ分布を有するレジストパターンの形成方法 |
| JPH03179448A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-05 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及び光メモリ素子用埋め込み型フォトマスクの製造方法 |
| JPH06301194A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Hitachi Ltd | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク |
| KR0166497B1 (ko) * | 1995-03-24 | 1999-01-15 | 김주용 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JPH08321478A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-03 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1126355A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
| JP2001005168A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 近接場光露光用マスクおよびその作製方法 |
| JP2004228152A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ウエハのダイシング方法 |
| JP2005279918A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ |
| JP2005352180A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4640941B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-03-02 | 株式会社ディスコ | 露光方法 |
| JP2006312206A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研削加工方法 |
| JP2006346843A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Kazumasa Onishi | 円盤状ブレード及び切断装置 |
| JP4797783B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2011-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | フォトマスクの製造方法およびフォトマスクの製造装置 |
| EP2624286B1 (en) * | 2010-09-30 | 2020-11-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2012199437A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法およびフォトマスク |
| JP2012204409A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5839905B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2016-01-06 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削方法 |
-
2014
- 2014-07-10 JP JP2014142033A patent/JP2016018139A/ja active Pending
-
2015
- 2015-05-27 TW TW104116994A patent/TW201602712A/zh unknown
- 2015-06-24 CN CN201510353626.5A patent/CN105301891A/zh active Pending
- 2015-07-02 KR KR1020150094667A patent/KR20160007372A/ko not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160007372A (ko) | 2016-01-20 |
| JP2016018139A (ja) | 2016-02-01 |
| CN105301891A (zh) | 2016-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI644354B (zh) | Wafer processing method | |
| JP6230422B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP6013858B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| CN101383339B (zh) | 晶片 | |
| CN105097448A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| TW201813755A (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| US20190148132A1 (en) | Method of manufacturing small-diameter wafer | |
| JP5068705B2 (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
| TW201819088A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| TW201602712A (zh) | 曝光罩之製造方法 | |
| US20130220090A1 (en) | Wafer edge trim blade with slots | |
| TWI607486B (zh) | 將晶圓分成晶粒的方法 | |
| JP6563766B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| TW201903870A (zh) | 晶圓切割方法 | |
| TWI618133B (zh) | 晶圓加工用光罩之製造方法 | |
| TW201602713A (zh) | 曝光罩之製造方法 | |
| JP2017157750A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP6045426B2 (ja) | ウェーハの転写方法および表面保護部材 | |
| TWI619158B (zh) | 裝置晶圓之加工方法 | |
| JP6016472B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2008091779A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6137999B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2007251098A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2018014458A (ja) | 円形基板の製造方法 | |
| JP2023040747A (ja) | ウエーハの加工方法 |