JP2016187004A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェーハを薄く加工する際に用いられる経済的に優れたウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】複数のデバイス（１９）が形成されたデバイス領域（１３）とデバイス領域を囲む外周余剰領域（１５）とを表面（１１ａ）側に有するウェーハ（１１）の加工方法であって、ウェーハのデバイス領域に相当する部分を裏面（１１ｂ）側から薄くして円形の薄化部（２３）を形成すると共に、ウェーハの外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部（２５）を形成するウェーハ加工工程と、薄化部と補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜（２９）を被覆する保護膜被覆工程と、ウェーハの表面側から保護膜が被覆された領域にレーザー光線（Ｌ）を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウェーハから補強部を除去する補強部除去工程と、を含む。【選択図】図３

Description

本発明は、ウェーハを薄く加工する際に用いられるウェーハの加工方法に関する。

近年、小型軽量なデバイスチップを実現するために、シリコン等の材料でなるウェーハを薄く加工することが求められている。ウェーハは、例えば、表面の分割予定ライン（ストリート）で区画される各領域にＩＣ等のデバイスが形成された後、所望の厚みとなるように裏面側を研削される。

ところで、ウェーハを１００μｍ以下の厚みまで薄くすると、剛性は大幅に低下して後工程での取り扱いが難しくなる。そのため、デバイスが形成されたウェーハの中央部分のみを研削して外周部分の厚みを維持することで、研削後のウェーハに所定の剛性を残す加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この加工方法では、例えば、ウェーハより小径の研削ホイールを用いてウェーハの裏面側を研削し、中央部分を薄くする。ウェーハの剛性は、厚みが維持された外周部分（環状の補強部）によって保たれる。なお、この外周部分は、後に、中央部分との境界にレーザー光線を照射することで分離される（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−１９４６１号公報 特開２００８−５３３４１号公報

ところで、レーザー光線を照射してウェーハの外周部分を分離する際には、レーザー光線の照射によって発生するデブリ（溶融物等）がウェーハに付着しないように、ウェーハに保護膜を被覆している。この保護膜は、通常、スピンコート等の技術でウェーハの表面又は裏面の全体に形成される。

しかしながら、このような加工方法には、まだ不経済な点がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを薄く加工する際に用いられる経済的に優れたウェーハの加工方法を提供することである。

本発明によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、ウェーハの表面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。

また、本発明によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの裏面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、ウェーハの裏面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。

本発明において、前記保護膜被覆工程では、粒子状の液状樹脂を噴射手段で噴射することによって前記保護膜を被覆することが好ましい。

また本発明において、前記保護膜は、前記レーザー光線の照射によって発生するデブリが飛散する距離よりも幅の広いリング状に形成されることが好ましい。

本発明に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの薄化部と環状の補強部との境界に相当する領域にのみ保護膜を被覆するので、ウェーハの全体に保護膜を被覆する場合と比べて、形成される保護膜に無駄がない。このように、本発明によれば、経済的に優れたウェーハの加工方法を提供できる。

図１（Ａ）は、ウェーハを模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、加工準備工程を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｃ）は、加工準備工程を模式的に示す断面図である。 図２（Ａ）は、ウェーハ加工工程を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハ加工工程の後のウェーハ等を模式的に示す断面図である。 図３（Ａ）は、貼り替え工程を模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｃ）は、加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。 補強部除去工程を模式的に示す斜視図である。 図５（Ａ）は、変形例に係る保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図５（Ｂ）は、変形例に係る加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ加工工程（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、保護膜被覆工程（図３（Ｂ）参照）、加工溝形成工程（図３（Ｃ）参照）、及び補強部除去工程（図４参照）を含む。

ウェーハ加工工程では、ウェーハのデバイス領域に相当する部分を裏面側から研削して円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成する。保護膜被覆工程では、薄化部と補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜を被覆する。

加工溝形成工程では、ウェーハの表面側から保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する。補強部除去工程では、ウェーハから補強部を分離して除去する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。

図１（Ａ）は、本実施形態で加工されるウェーハを模式的に示す斜視図である。図１（Ａ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン、サファイア等の材料でなる円形の板状物であり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられる。

デバイス領域１３は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイス１９が形成されている。なお、ウェーハ１１の外周部１１ｃは、面取り加工されている。

本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を固定する加工準備工程を実施する。図１（Ｂ）は、加工準備工程を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｃ）は、加工準備工程を模式的に示す断面図である。

図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、ウェーハ１１に固定される保護部材２１は、例えば、ウェーハ１１と概ね同形の粘着テープ、樹脂基板、ウェーハ１１と同種又は異種のウェーハ等である。ウェーハ１１の表面１１ａ側には、この保護部材２１の表面２１ａ側が貼着される。

加工準備工程を実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して円形の薄化部と環状の補強部とを形成するウェーハ加工工程を実施する。図２（Ａ）は、ウェーハ加工工程を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハ加工工程の後のウェーハ１１等を模式的に示す断面図である。

ウェーハ加工工程は、例えば、図２（Ａ）に示す研削装置２で実施される。研削装置２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル４を備えている。保持テーブル４は、モータ等の回転機構（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル４は、この移動機構で水平方向に移動する。

保持テーブル４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面となっている。この保持面には、保持テーブル４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。

保持テーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング８を備えている。スピンドルハウジング８の内部には、モータ等の回転機構（不図示）に連結されたスピンドル１０が収容されている。

スピンドル１０は、回転機構から伝達される回転力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジング８と共に昇降する。また、スピンドル１０の下端部は、スピンドルハウジング８の外部に露出している。

このスピンドル１０の下端部には、ウェーハ１１より小径の研削ホイール１２が装着されている。研削ホイール１２は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台１２ａを備えている。ホイール基台１２ａの下面には、複数の研削砥石１２ｂが環状に配列されている。

ウェーハ加工工程では、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル４に保持される。

次に、保持テーブル４を移動させ、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界に相当する領域に研削砥石１２ｂの外側の縁を位置付ける。この状態で、保持テーブル４と研削ホイール１２とをそれぞれ回転させて、スピンドル１０を下降させる。スピンドル１０の下降量は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石１２ｂの下面が押し付けられる程度とする。

これにより、ウェーハ１１のデバイス領域１３に相当する部分を裏面１１ｂ側から研削して円形の薄化部２３を形成すると共に、ウェーハ１１の外周余剰領域１５に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部２５を形成できる。例えば、ウェーハ１１のデバイス領域１３に相当する部分が仕上げ厚みまで薄化されると、この研削ステップは終了する。

ウェーハ加工工程を実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にダイシングテープを貼着すると共に、ウェーハ１１の表面１１ａ側に固定された保護部材２１を除去する貼り替え工程を実施する。図３（Ａ）は、貼り替え工程を模式的に示す断面図である。

図３（Ａ）に示すように、貼り替え工程では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にウェーハ１１より大径のダイシングテープ３１を貼着し、このダイシングテープ３１の外周部分に環状のフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレーム３３に支持される。

また、ウェーハ１１の表面１１ａ側に固定された保護部材２１を剥離して、ウェーハ１１ａの表面１１ａを露出させる。なお、この貼り替え工程では、ダイシングテープ３１をウェーハ１１に貼着する前に保護部材２１を除去しても良いし、ダイシングテープ３１をウェーハ１１に貼着した後に保護部材２１を除去しても良い。

貼り替え工程を実施した後には、薄化部２３と補強部２５との境界に相当するウェーハ１１の表面１１ａ側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程を実施する。図３（Ｂ）は、保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図である。保護膜被覆工程は、例えば、図３（Ｂ）に示す保護膜被覆装置２２で実施される。

保護膜被覆装置２２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル２４を備えている。保持テーブル２４は、モータ等の回転機構（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル２４は、この移動機構で水平方向に移動する。

保持テーブル２４の上面には、円形の凹部２４ａが形成されており、この凹部２４ａには、凹部２４ａの形状に合致する保持板２６が嵌合している。保持板２６は、例えば、多孔質材料によって形成されており、その上面は、ウェーハ１１を保持する保持面２６ａとなる。

凹部２４ａは、保持テーブル２４の内部に形成された流路２４ｂ等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持板２６に作用させることで、保持面２６ａには、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。

保持テーブル２４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するためのクランプ２８が設けられている。また、保持テーブル２４の上方には、微細な粒子状の液状樹脂２７を噴射可能なマイクロドットディスペンサー等の噴射ノズル（噴射手段）３０が配置されている。

保護膜被覆工程では、まず、ウェーハ１１に貼着されたダイシングテープ３１を保持テーブル２４の保持面２６ａに接触させて、環状のフレーム３３をクランプ２８で固定する。この状態で吸引源の負圧を作用させることで、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル２４に保持される。

次に、保持テーブル２４を移動させて、噴射ノズル３０を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。そして、保持テーブル２４を回転させつつ、噴射ノズル３０から粒子状の液状樹脂２７をウェーハ１１に噴射する。これにより、薄化部２３と補強部２５との境界に相当するウェーハ１１の表面１１ａ側の領域にのみ保護膜２９を被覆できる。

液状樹脂２７としては、例えば、水で容易に洗い流せる水溶性の樹脂を用いると良い。また、保護膜２９は、後の加工溝形成工程で発生するデブリ（溶融物等）が飛散する距離よりも幅の広いリング状に形成されることが望ましい。これにより、レーザー光線の照射によって発生するデブリのウェーハ１１への付着を確実に防止できる。

なお、レーザー光線を通常の照射条件で照射するのであれば、保護膜２９の幅は、１ｍｍ〜３ｍｍ程度で良い。また、保護膜２９は、少なくとも薄化部２３へのデブリの付着を防止できるように形成されれば良い。例えば、保護膜２９は、薄化部２３と補強部２５との境界よりも薄化部２３側に偏った位置に形成されても良い。

保護膜被覆工程を実施した後には、ウェーハ１１の表面１１ａ側から保護膜２９が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハ１１に加工溝を形成する加工溝形成工程を実施する。図３（Ｃ）は、加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。加工溝形成工程は、例えば、図３（Ｃ）に示すレーザー加工装置３２で実施される。

レーザー加工装置３２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル３４を備えている。保持テーブル３４は、モータ等の回転機構（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル３４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル３４は、この移動機構で水平方向に移動する。

保持テーブル３４の上面には、円形の凹部３４ａが形成されており、この凹部３４ａには、凹部３４ａの形状に合致する保持板３６が嵌合している。保持板３６は、例えば、多孔質材料によって形成されており、その上面は、ウェーハ１１を保持する保持面３６ａとなる。

凹部３４ａは、保持テーブル３４の内部に形成された流路３４ｂ等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持板３６に作用させることで、保持面３６ａには、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。

保持テーブル３４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するためのクランプ３８が設けられている。また、保持テーブル３４の上方には、レーザー加工ユニット４０が配置されている。

レーザー加工ユニット４０は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌを集光して、保持テーブル３４上のウェーハ１１に照射する。レーザー発振器は、ウェーハ１１に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌを発振できるように構成されている。

加工溝形成工程では、まず、ウェーハ１１に貼着されたダイシングテープ３１を保持テーブル３４の保持面３６ａに接触させて、環状のフレーム３３をクランプ３８で固定する。この状態で吸引源の負圧を作用させることで、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル３４に保持される。

次に、保持テーブル３４を移動させて、レーザー加工ユニット４０を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。そして、保持テーブル３４を回転させつつ、レーザー加工ユニット４０からウェーハ１１の表面１１ａに向けてレーザー光線Ｌを照射する。

これにより、保護膜２９が被覆された薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域にレーザー光線Ｌを照射してウェーハ１１に加工溝を形成できる。なお、この加工溝は、薄化部２３と補強部２５とを分断する深さに形成されることが望ましいが、後に補強部を適切に除去できるようであれば、薄化部２３と補強部２５とを分断しない深さに形成されても良い。

加工溝形成工程を実施した後には、ウェーハ１１から補強部２５を除去する補強部除去工程を実施する。図４は、補強部除去工程を模式的に示す斜視図である。薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域には加工溝が形成されているので、図４に示すように、ウェーハ１１（薄化部２３）から補強部２５を除去できる。なお、図４では、ウェーハ１１（薄化部２３）に貼着されたダイシングテープ３１等が省略されている。

以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の薄化部２３と環状の補強部２５との境界に相当する領域にのみ保護膜２９を被覆するので、ウェーハの全体に保護膜を被覆する場合と比べて、形成される保護膜に無駄がない。

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、スピンコートのような原料の大半（例えば、約９割）が無駄になる方法を用いずに、噴射ノズル（噴射手段）３０で微細な粒子状の液状樹脂２７を噴射する方法を用いるので、保護膜２９を形成する際の原料の消費を大幅に抑制できる。このように、本実施形態に係るウェーハの加工方法は、従来の加工方法と比べて経済的に優れている。

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜２９を形成し、表面１１ａ側からレーザー光線Ｌを照射しているが、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護膜２９を形成し、裏面１１ｂ側からレーザー光線Ｌを照射しても良い。

図５（Ａ）は、変形例に係る保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図５（Ｂ）は、変形例に係る加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。上記実施形態と同様の加工準備工程及びウェーハ加工工程を実施した後には、貼り替え工程を実施することなく保護膜被覆工程を実施する。

変形例に係る保護膜被覆工程は、例えば、図５（Ａ）に示す保護膜被覆装置４２で実施される。保護膜被覆装置４２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル４４を備えている。保持テーブル４４は、例えば、上述した保持テーブル２４と同様に構成される。保持テーブル４４の上方には、微細な粒子状の液状樹脂２７を噴射可能なマイクロドットディスペンサー等の噴射ノズル（噴射手段）４６が配置されている。

変形例に係る保護膜被覆工程では、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル４４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル４４に保持される。

次に、保持テーブル４４を移動させて、噴射ノズル４６を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。なお、この変形例に係る保護膜被覆工程では、噴射ノズル４６を、薄化部２３と補強部２５との境界の直上より僅かに内側に位置付けても良い。

そして、保持テーブル４４を回転させつつ、噴射ノズル４６から粒子状の液状樹脂２７をウェーハ１１に噴射する。これにより、薄化部２３と補強部２５との境界に相当するウェーハ１１の裏面１１ｂ側の領域にのみ保護膜２９を被覆できる。

保護膜被覆工程を実施した後には、加工溝形成工程を実施する。加工溝形成工程は、例えば、図５（Ｂ）に示すレーザー加工装置５２で実施される。レーザー加工装置５２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル５４を備えている。保持テーブル５４は、例えば、上述した保持テーブル３４と同様に構成される。

保持テーブル５４の上方には、レーザー加工ユニット５６が配置されている。レーザー加工ユニット５６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌを集光して、保持テーブル５４上のウェーハ１１に照射する。レーザー発振器は、ウェーハ１１に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌを発振できるように構成されている。

加工溝形成工程では、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル５４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル５４に保持される。

次に、保持テーブル５４を移動させて、レーザー加工ユニット５６を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。そして、保持テーブル５４を回転させつつ、レーザー加工ユニット５６からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けてレーザー光線Ｌを照射する。

これにより、保護膜２９が被覆された薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域にレーザー光線Ｌを照射してウェーハ１１に加工溝を形成できる。加工溝形成工程を実施した後には、上記実施形態と同様の補強部除去工程を実施すれば良い。

その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ デバイス領域
１５ 外周余剰領域
１７ 分割予定ライン（ストリート）
１９ デバイス
２１ 保護部材
２１ａ 表面
２１ｂ 裏面
２３ 薄化部
２５ 補強部
２７ 液状樹脂
２９ 保護膜
３１ ダイシングテープ
３３ フレーム
Ｌ レーザー光線
２ 研削装置
４ 保持テーブル
６ 研削ユニット
８ スピンドルハウジング
１０ スピンドル
１２ 研削ホイール
１２ａ ホイール基台
１２ｂ 研削砥石
２２ 保護膜被覆装置
２４ 保持テーブル
２４ａ 凹部
２４ｂ 流路
２６ 保持板
２６ａ 保持面
２８ クランプ
３０ 噴射ノズル（噴射手段）
３２ レーザー加工装置
３４ 保持テーブル
３４ａ 凹部
３４ｂ 流路
３６ 保持板
３６ａ 保持面
３８ クランプ
４０ レーザー加工ユニット
４２ 保護膜被覆装置
４４ 保持テーブル
４６ 噴射ノズル（噴射手段）
５２ レーザー加工装置
５４ 保持テーブル
５６ レーザー加工ユニット

Claims (4)

1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、
   該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
   ウェーハの表面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、
   ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
2. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、
   該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの裏面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
   ウェーハの裏面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、
   ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
3. 前記保護膜被覆工程では、粒子状の液状樹脂を噴射手段で噴射することによって前記保護膜を被覆することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のウェーハの加工方法。
4. 前記保護膜は、前記レーザー光線の照射によって発生するデブリが飛散する距離よりも幅の広いリング状に形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のウェーハの加工方法。

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