JP2013520458A - 潜在性酸及びそれらの使用 - Google Patents
潜在性酸及びそれらの使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013520458A JP2013520458A JP2012554281A JP2012554281A JP2013520458A JP 2013520458 A JP2013520458 A JP 2013520458A JP 2012554281 A JP2012554281 A JP 2012554281A JP 2012554281 A JP2012554281 A JP 2012554281A JP 2013520458 A JP2013520458 A JP 2013520458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkyl
- interrupted
- cycloalkyl
- phenyl
- alkenyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 CCO[N+](*(C)(C)N)([O-])O Chemical compound CCO[N+](*(C)(C)N)([O-])O 0.000 description 2
- UEFMVQKAZXXLQH-PLNGDYQASA-N C/C=C\c1c(C)[nH]c2c1ccc(C)c2 Chemical compound C/C=C\c1c(C)[nH]c2c1ccc(C)c2 UEFMVQKAZXXLQH-PLNGDYQASA-N 0.000 description 1
- KWKRZYXLMHXPEN-MMYVPPQXSA-N CC/C=C\C1=C(C)CC2C11C=CC(C)=C[C@@]21C Chemical compound CC/C=C\C1=C(C)CC2C11C=CC(C)=C[C@@]21C KWKRZYXLMHXPEN-MMYVPPQXSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C381/00—Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
- C07C381/12—Sulfonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C25/00—Compounds containing at least one halogen atom bound to a six-membered aromatic ring
- C07C25/18—Polycyclic aromatic halogenated hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/01—Sulfonic acids
- C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
- C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
- C07C309/08—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing hydroxy groups bound to the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/01—Sulfonic acids
- C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
- C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
- C07C309/12—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C311/00—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
- C07C311/50—Compounds containing any of the groups, X being a hetero atom, Y being any atom
- C07C311/52—Y being a hetero atom
- C07C311/53—X and Y not being nitrogen atoms, e.g. N-sulfonylcarbamic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C333/00—Derivatives of thiocarbamic acids, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atom not being part of nitro or nitroso groups
- C07C333/02—Monothiocarbamic acids; Derivatives thereof
- C07C333/06—Monothiocarbamic acids; Derivatives thereof having nitrogen atoms of thiocarbamic groups bound to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D207/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D207/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D207/18—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D207/22—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D207/24—Oxygen or sulfur atoms
- C07D207/26—2-Pyrrolidones
- C07D207/273—2-Pyrrolidones with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to other ring carbon atoms
- C07D207/277—Carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
- C07D207/28—2-Pyrrolidone-5- carboxylic acids; Functional derivatives thereof, e.g. esters, nitriles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
- C07D233/04—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D233/28—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D233/30—Oxygen or sulfur atoms
- C07D233/32—One oxygen atom
- C07D233/38—One oxygen atom with acyl radicals or hetero atoms directly attached to ring nitrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D241/00—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings
- C07D241/02—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings not condensed with other rings
- C07D241/06—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings not condensed with other rings having one or two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D241/08—Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings not condensed with other rings having one or two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with oxygen atoms directly attached to ring carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
- C07D295/16—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms
- C07D295/20—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms by radicals derived from carbonic acid, or sulfur or nitrogen analogues thereof
- C07D295/205—Radicals derived from carbonic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
- C07D295/16—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms
- C07D295/20—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms by radicals derived from carbonic acid, or sulfur or nitrogen analogues thereof
- C07D295/215—Radicals derived from nitrogen analogues of carbonic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
- C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D493/08—Bridged systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
- C07C2602/36—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common
- C07C2602/42—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common the bicyclo ring system containing seven carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/56—Ring systems containing bridged rings
- C07C2603/58—Ring systems containing bridged rings containing three rings
- C07C2603/70—Ring systems containing bridged rings containing three rings containing only six-membered rings
- C07C2603/74—Adamantanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
- Pyrane Compounds (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
Abstract
Description
YはO、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、O(CO)NR4(CO)、OSO2、O(CS)又はO(CS)NR4 であり、これらのそれぞれに関して、酸素原子はXに直接結合している;
又はNR4、S、NR4(CO)O、NR4(CS)Oであり、N原子又はS原子はXに直接結合している;
R1は水素、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり、又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)、NR14(CO)、場合により置換フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンにより中断されているC2〜C18−アルケニルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
R1はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;又は
R1はNR12R13であり;又は
R1は1つもしくは複数のヘテロ原子を含んでいてもよいステロイド構造の一価のC17〜C50−炭化水素基であり、その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは、非置換であるか又は置換されている;
R2とR3は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキレンであり;又は
互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキレンであり;又は
互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレンであり;又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニレンであり;又は
R2とR3は互いに独立にフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり;その際、前記C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレン、中断されているC2〜C18−アルキレン、中断されているC3〜C30−シクロアルキレン、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、中断されているC4〜C30−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンは、非置換であるか又は置換されている;
又はR2とR3は互いに独立に直接結合であるが、但しR2とR3は両方が同時に直接結合であることはない;
R4は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
R4は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルは、非置換であるか又は置換されている;
又はR1とR4はR4が結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員、6員又は7員環を形成し;
R12とR13は、互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR12とR13は、互いに独立にAr、(CO)R15、(CO)OR15又はSO2R15
であり;その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル又はArは非置換であるか又は置換されている;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14は水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり、
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR14はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルは非置換であるか又は置換されている;
R15は、水素、Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルC1〜C18−アルキルであり、
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
その際、前記Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは非置換であるか又は置換されている;及び
Arは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは非置換であるか又は置換されている]
の酸を生成する化合物である。
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり、又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
R1がフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;又は
R1がNR12R13であり;又は
R1が1つもしくは複数のヘテロ原子を含んでいてもよいステロイド構造の一価のC17〜C50−炭化水素基であり、その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZで置換されている;
ZがC3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又はハロゲン、NO2、CN、Ar、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15であり;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)R11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
R2とR3が互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又は互いに独立に、1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキレンであり;
又は互いに独立に、1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキレンであり:
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又はR2とR3が互いに独立にフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレン、中断されているC2〜C18−アルキレン、中断されているC3〜C30−シクロアルキレン、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
場合によりフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン、フルオレニレン又はヘテロアリーレン上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン、フルオレニレン又はヘテロアリーレン上の更なる置換基と一緒に、又はフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン、フルオレニレン又はヘテロアリーレン上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
又はR2とR3が互いに独立に直接結合であり;
R4が水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
R4がフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルケニル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
又はR1とR4は、R4が結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員、6員又は7員環を形成し;
R11が水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR11がAr、(CO)R15、(CO)OR15、(CO)NR12R13、又はSO2R15であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、又は中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
Z1がAr、OH、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、ハロゲン、NO2、CN、C1〜C18−アルコキシ、フェノキシ、フェノキシカルボニル、フェニルチオ、フェニルチオカルボニル、NR12R13、C1〜C12−アルキルチオ、C2〜C18−アルコキシカルボニル、C2〜C10−ハロアルカノイル、ハロベンゾイル、C1〜C18−アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、(4−メチルフェニル)スルホニル、C1〜C18−アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ、C1〜C18−アルカノイル、C1〜C18−アルカノイルオキシ、ベンゾイル及び/又はベンゾイルオキシであり;
R12とR13が互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR12とR13は互いに独立にAr、(CO)R15、(CO)OR15又はSO2R15であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒に、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14が水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又はO、S、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR14がフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
R15が水素、Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
Arがフェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZ2により置換されている、
場合により、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Z2は、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリール環上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリール環の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;及び
Z2がC3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又はハロゲン、NO2、CN、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル及び/又はヘテロアリールであり;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Z2は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する、式I又はIIの酸を生成する化合物に属する。
R21、R22及びR23は、互いに独立にAr1、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル又はC4〜C30−シクロアルケニルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
又はR21とR22は、場合により直接結合、O、S、NR14又は(CO)と一緒に縮合環系を形成し;
又はR21とR22は、場合により直接結合、C1〜C6−アルキレン、O、S、NR14又は(CO)と一緒に5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのR21、R22とR23は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
Zは、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又はハロゲン、NO2、CN、Ar、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15であり;
R24とR25は互いに独立にAr1であり;
又はR24とR25は、場合により直線結合、O、S、NR14又は(CO)と一緒に縮合環を形成し;
又はR24とR25は、場合によりC1〜C2−アルキレン、O、S、NR14又は(CO)と一緒に5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのR24とR25は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
Arは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ2により置換されている;
Ar1は、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されているか、又は
場合により、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又は−OSO2R15としての基Zは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリール環上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリール環の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
Z2は、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又はハロゲン、NO2、CN、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15、OSO2R15、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル及び/又はヘテロアリールであり;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Z2は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
aは0又は1である;
Eは、
R11は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR11は、Ar、(CO)R15、(CO)OR15、(CO)NR12R13又はSO2R15であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは、1つもしくは複数のZ1により置換されている;
Z1は、Ar、OH、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、ハロゲン、NO2、CN、C1〜C18−アルコキシ、フェノキシ、フェノキシカルボニル、フェニルチオ、フェニルチオカルボニル、NR12R13、C1〜C12−アルキルチオ、C2〜C18−アルコキシカルボニル、C2〜C10−ハロアルカノイル、ハロベンゾイル、C1〜C18−アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、(4−メチルフェニル)スルホニル、C1〜C18−アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、(4−メチルフェニル)スルホニル、C1〜C18−アルカノイル、C1〜C18−アルカノイルオキシ、ベンゾイル及び/又はベンゾイルオキシであり;及び
R1、R2、R3、X、Y、R12、R13、R14及びR15は上記の通りである]
である、式I又はIIの酸を生成する化合物である。
Aは、C1〜C10−ハロアルキル、CN、(CO)OR11又はSO2R15であり;
Ar2は、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はAr2は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;
その際、前記フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのAr2は酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
Ar’2は、C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又はAr’2は、直接結合、フェニレン、ナフチレン、
場合により、フェニレン、ナフチレン、
その際、直接結合を除く全てのAr’2は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
又はAr’2は、基−Ar’’2−A1−Y1−A1−Ar’’2−であり;
Ar’’2は、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレンであり、その際、前記フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレンは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
場合により、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレン上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレン上の更なる置換基と一緒に、又はフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレン上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全ての基Ar’’2は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
A1は、直接結合、O、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2又はOSO2であり;又は
A1は、非置換であるか又は1つもしくは複数のC1〜C4−ハロアルキル、ハロゲン、OR11及び/又はSR14により置換されているC1〜C18−アルキレンであり、又は非置換であるか又は1つもしくは複数のC1〜C12−アルキル、C1〜C4−ハロアルキル、ハロゲン、OR11及び/又はSR14により置換されているフェニレンであり;
Y1は、非置換であるか又は1つもしくは複数のOR11、SR14、ハロゲン又はフェニルにより置換されているC1〜C18−アルキレンである;又はY1は、1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2又はOSO2により中断されているC2〜C18−アルキレンであり、その際、中断されているC2〜C18−アルキレンは、非置換であるか又は1つもしくは複数のOR11、SR14、ハロゲン又はフェニルにより置換されている;
R26とR27は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR26とR27は、互いに独立にフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC1〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
又はR26とR27は、一緒になって1,2−フェニレン又は1,2−又は2,3−又は1,8−ナフチレンであるか、又はR26とR27は、場合により直接結合、C1〜C4−アルキレン、C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C4−ハロアルキレン、C2〜C4−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレン、O、S、NR14、(CO)と一緒になって5員環、6員環又は7員環を形成し;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのR26とR27は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;及び
R1、R2、R3、X、Y、R12、R13、R14、R15及びZは上記の通りである]
のものである、式I又はIIの酸を生成する化合物である。
は、本発明によるこのような重合可能な新規潜在性酸の特別な例である。
又は相応のアルコラート塩アニオンを反応させることにより製造できる。
[式中、XはCH2であり、
YはO、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、O(CO)NR4(CO)、OSO2、O(CS)又はO(CS)NR4 であり、これらのそれぞれに関して、酸素原子はXに直接結合している;又はNR4、S、NR4(CO)O、NR4(CS)Oであり、N原子又はS原子はXに直接結合している;
R1は水素、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;又は
1つもしくは複数のO、S、NR14又はCOにより中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14又はCOにより中断されているC2〜C18−アルケニルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;又は
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;又は
R1はNR12R13であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
R2とR3は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン、C1〜C18−アルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレンであり;
R4は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルであり;
R11は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、又はR11は、Arであり;
R12とR13は、互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルであり;
又はR12とR13は、互いに独立に(CO)R15、(CO)OR15又はSO2R15であり;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14は水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又はR14はフェニル、ナフチル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、フェニル、ナフチル、C1〜C18−アルキルスルホニルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
R15は、水素、Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルであり、その際、前記Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ2により置換されている;
Arは、フェニル、ビフェニリル又はナフチルであり、
その際、前記フェニル、ビフェニリル又はナフチルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ2により置換されている;
R21、R22及びR23は、互いに独立にAr1、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルであり;
その際、前記Ar1、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
又はR21とR22は、場合により直接結合、O、S、NR14又は(CO)と一緒に縮合環系を形成し;
又はR21とR22は、場合によりC1〜C6−アルキレン、O、S、NR14又は(CO)と一緒に5員環、6員環又は7員環を形成し;
Zは、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又は(CO)R15、(CO)OR11、O(CO)OR11、NR14(CO)OR11、OR11、NR12R13及び/又はSR14であり;
R24とR25は互いに独立にAr1であり;
Ar1は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、特にフェニル又はナフチルであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル又はナフチルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;場合により、C1〜C18−アルキル(CO)R15、(CO)OR11、OR11、NR12R13としての基Zは、フェニル、ビフェニリル又はナフチル環の炭素原子のうちの1つ一緒に、基C1〜C18−アルキル、R11、R12、R13及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
Z2は、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル又は(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)R11であり;
R11は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキルであり;又はR11はArであり;かつ
Z1はArである]
の酸を生成する化合物である。
[式中、XはCH2であり、
YはO、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、O(CO)NR4(CO)、OSO2又はO(CS)NR4 であり、これらのそれぞれに関して、酸素原子はXに直接結合している;
R1は水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル又はC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
1つもしくは複数のOにより中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のOにより中断されているC2〜C18−アルケニルであり;
又は1つもしくは複数のO、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり、又はR1はNR12R13であり;
又は1つもしくは複数のO、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
その際、前記C1〜C18−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
Zは、C1〜C18−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、ハロゲン、(CO)OR11、O(CO)R11、OR11、SR14又はNR14(CO)OR11であり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルである;
又はR2とR3は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン又はC1〜C18−アルキレンであり;又は
R4は、水素であり;
R11は、水素、C1〜C18−アルキル又はArであり;
R12とR13は、互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル又はC1〜C18−アルキルであり;
又はR12とR13は、互いに独立に(CO)R15又はSO2R15であり;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14は水素、C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルカノイル、C1〜C18−アルキルスルホニル、フェニル、フェニルスルホニルであり、その際、前記フェニル又はC1〜C18−アルキルスルホニルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
R15は、水素又はArであり;
Arは1つもしくは複数のZ2により置換されているフェニルであり;
Z2は、C1〜C18−アルキル又は(CO)R15であり;及び
Z1は、Arである]
の酸を生成する化合物である。
[式中、XはCH2であり;
YはO、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、O(CO)NR4(CO)、OSO2又はO(CS)NR4 であり、これらのそれぞれに関して、酸素原子はXに直接結合している;
R1は水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル又はC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
1つもしくは複数のOにより中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又はR1はNR12R13であり;
又は1つもしくは複数のCOにより中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;又は
その際、前記C1〜C18−アルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
Zは、C1〜C18−アルキル、(CO)OR11又はNR14(CO)OR11であり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
R2とR3は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン又はC1〜C18−アルキレンであり;
R4は、水素であり;
R11は、水素又はC1〜C18−アルキルであり;
R12とR13は、互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル又はC1〜C18−アルキルであり;
又はR12とR13は、互いに独立に(CO)R15又SO2R15であり;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14は水素、C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルカノイル又はC1〜C18−アルキルスルホニルであり;
R15は、水素又はArであり;及び
Arは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されているフェニルである]
の酸を生成する化合物である。
又はYは、例えばO(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4、OSO2、又はO(CS)NR4 である。
R1は、例えば水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C4〜C30−シクロアルケニルであり、
又は1つもしくは複数のO、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり、
又は1つもしくは複数のO、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり、
又はR1はNR12R13であり、
又は1つもしくは複数のO、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり、
その際、前記C1〜C18−アルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている。
R4は、例えば水素又はC1〜C18−アルキルである。
R11は、例えば、水素、C1〜C18−アルキル、(CO)R15、(CO)NR12R13又はSO2R15である。
R12とR13は、例えば互いに独立に、水素、C3〜C30−シクロアルキル又はC1〜C18−アルキルであるか、又は互いに独立に(CO)R15又はSO2R15であるか、又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成する。
O(CH2)2OH、O(CH2)2OCH3、O(CH2CH2O)2CH2CH3、
CH2−O−CH3、CH2CH2−O−CH2CH3、[CH2CH2O]y−CH3(ここでy=1〜5である)、(CH2CH2O)5CH2CH3、CH2−CH(CH3)−O−CH2CH3、CH2−CH(CH3)−O−CH2−CH3、S(CH2)2SCH3、(CH2)2NR14CH3、(CH2)2O(CO)CH3、(CH2)2(CO)CH3又は(CH2)2NR14(CO)CH3(ここでR14は、上文に定義した通りである)。
R12とR13は、上記に定義したように、チアントレニル、イソベンゾフラニル、キサンテニル、フェノキサンチイニル、
を意味する。
である。本明細書中では、"ヘテロアリール"という用語は、基のチオキサンチル、キサンチル、
を意味する。
である。
Q+は、プロトン、金属カチオン、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、(非)置換アンモニウム及びピリジニウム塩、例えば、トリエチルアンモニウム又はその他のいずれかのカチオン種である]
から製造される。
カルボン酸又はスルホン酸誘導体とエステル化反応を行う。
エステルとアミドを生じる。当業者は適切な反応ならびに採用すべき反応条件を把握している。
Q+は、カチオン、特にプロトン、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、非置換の、又は1つもしくは複数の(NR28R29R30R31)+で置換されたプラスの電荷を有する1つもしくは複数の窒素原子を有するヘテロアリール;
R28、R29、R30及びR31は、互いに独立に請求項1に定義したR12とR13の意味のうち1つを有し;
又はR28、R29、R30は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14、COにより中断されている、及び/又は場合により橋頭でCR15又はNにより中断されている多環を形成する;及び
X、Y、R1、R2及びR3、R14及びR15は、上記の通りである]
の化合物にも属する。
Aryl−CH2−Z(R)3(式中、ZはP、S又はNであり、かつRはアルキル又はアリール基である)。また適切であるのは、
のような化合物である。これらの化合物中、ピリジニウム中の芳香族環は置換されていてもよい。
(b)酸の作用により硬化もしくは架橋するか又は現像液中で組成物の溶解度を高める化合物
を含む組成物である。
(a)上記のような潜在性酸供与体として、少なくとも1つの式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及びIVeの化合物;及び
(c)酸との反応により現像液中で組成物の溶解度を高める化合物
を含む組成物である。
(a)感光性酸供与体として、上記に定義したような式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;及び
(b)酸の作用により架橋する化合物;又は
(c)酸の作用により現像液中のその溶解度が高まる化合物
を含む化学増幅型(ネガ型とポジ型)フォトレジスト組成物に関する。
)上記に定義したような式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;及び現像液中で不溶性又は実質的に不溶性であり、かつ酸の作用により可溶性になる化合物(c)を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物である。
非露光箇所で、レジスト調製物中に更に存在するアルカリ可溶性バインダー樹脂の溶解速度を減少させ、かつアルカリ溶液中で現像した後に非露光箇所でレジストフィルムが残るように、但し、その反応生成物がアルカリ現像液中では可溶性になるように酸の存在で切断されるか、又は再配列されるように非露光箇所では実質的にアルカリ不溶性であるモノマー化合物又はポリマー化合物を、以後、溶解阻害剤と称することにする。
(a)式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;先に説明したように式I又はIIの酸を生成する化合物には、上記に定義したような式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及びIVeの化合物が含まれる;及び
(c1)酸の存在で分解し、かつ露光箇所で水性アルカリ現像液中でレジストフィルムの溶解度を高める、酸不安定基を有する少なくとも1つのポリマー
を含む、化学増幅型ポジ型アルカリ現像可能なフォトレジスト組成物に関する。
(a)式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;及び
(c2)酸の存在で分解し、その結果、水性アルカリ現像液中で組成物の溶解度が高まる少なくとも1つの酸不安定基を有する少なくとも1つのモノマー又はオリゴマー溶解阻害剤、及び少なくとも1つのアルカリ可溶性ポリマー
を含む、化学増幅型ポジ型アルカリ現像可能なフォトレジスト組成物である。
(a)式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;及び
(c1)酸の存在で分解し、かつ露光箇所でアルカリ現像液中で溶解度を高める酸不安定基を有する少なくとも1つのポリマー;
(c2)酸の存在で分解し、かつ露光箇所でアルカリ溶解性を高める少なくとも1つの酸不安定基を有するモノマー又はオリゴマー溶解阻害剤;及び/又は
(c3)非露光箇所でレジストフィルムがアルカリ現像液中で実質的に不溶性のまま保持される濃度でのアルカリ可溶性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物
を含む、化学増幅型ポジ型アルカリ現像可能なフォトレジスト組成物に属する。
(a)感光性酸供与体として、上記に定義したような式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物、又は上記に定義したような式IIIa、IIIb、IIIc又はIIIeの化合物(式中、C2〜C12−アルケニル又は中断されているC2〜C18−アルケニルとしてのR1は、少なくとも1つの二重結合を含んでいる重合可能な基である)と、重合可能な二重結合を有する少なくとも1つの更なるモノマー及び場合により1つの酸不安定基を有するモノマーを重合することにより得られるポリマー;及び
(c1)酸の存在で分解し、水性アルカリ現像液中で溶解度を高める酸不安定基を有する少なくとも1つのポリマー、及び/又は
(c2)酸の存在で分解し、水性アルカリ現像液中で溶解度を高める酸不安定基を有する少なくとも1つのモノマー又はオリゴマー溶解阻害剤;及び/又は
(c3)少なくとも1つのアルカリ溶解性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物
を含む化学増幅型フォトレジスト組成物に属する。
1)酸の存在で分解し、アルカリ現像液水溶液中で溶解度を高める不安定基を含んでいるモノマー及び
2)酸不安定基不含で、かつアルカリ溶解性及び/又は基材への粘着に寄与する基不含のモノマー;
3)ポリマーの水性アルカリ溶解性に寄与するモノマー。
非環式又は環式第二級及び第三級−アルキル(メタ)アクリレート、例えば、ブチルアクリレート(t−ブチルアクリレートを含む)、ブチルメタクリレート(t−ブチルメタクリレートを含む)、3−オキソシクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート、2−メチル−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、(2−テトラヒドロピラニル)オキシノルボルニルアルコールアクリレート、(2−テトラヒドロピラニル)オキシ−メチルトリシクロドデカンメタノールメタクリレート、トリメチルシリルメチル(メタ)アクリレート、(2−テトラヒドロピラニル)オキシノルボルニルアルコールアクリレート、(2−テトラヒドロピラニル)オキシメチルトリシクロドデカンメタノールメタクリレート、トリメチルシリルメチル(メタ)アクリレート、o/m/p−(3−オキソシクロヘキシルオキシ)スチレン、o/m/p−(1−メチル−1−フェニルエトキシ)スチレン、o/m/p−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、o/m/p−アダマンチルオキシスチレン、o/m/p−シクロヘキシルオキシスチレン、o/m/p−ノルボルニルオキシスチレン、非環式又は環式アルコキシカルボニルスチレン、例えば、o/m/p−ブトキシカルボニルスチレン(p−t−ブトキシカルボニルスチレンを含む)、o/m/p−(3−オキソシクロヘキシルオキシカルボニル)スチレン、o/m/p−(1−メチル−1−フェニルエトキシカルボニル)スチレン、o/m/p−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルスチレン、o/m/p−アダマンチルオキシカルボニルスチレン、o/m/p−シクロヘキシルオキシカルボニルスチレン、o/m/p−ノルボルニルオキシカルボニルスチレン、非環式又は環式アルコキシカルボニルオキシスチレン、例えば、o/m/p−ブトキシカルボニルオキシスチレン(p−t−ブトキシカルボニルオキシスチレンを含む)、o/m/p−(3−オキシシクロヘキシルオキシカルボニルオキシ)スチレン、o/m/p−(1−メチル−1−フェニルエトキシカルボニルオキシ)スチレン、o/m/p−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルオキシスチレン、o/m/p−アダマンチルオキシカルボニルオキシスチレン、o/m/p−シクロヘキシルオキシカルボニルオキシスチレン、o/m/p−ノルボルニルオキシカルボニルオキシスチレン、非環式又は環式アルコキシカルボニルアルコキシスチレン、例えば、o/m/p−ブトキシカルボニルメトキシスチレン、p−t−ブトキシカルボニルメトキシスチレン、o/m/p−(3−オキソシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ)スチレン、o/m/p−(1−メチル−1−フェニルエトキシカルボニルメトキシ)スチレン、o/m/p−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメトキシスチレン、o/m/p−アダマンチルオキシカルボニルメトキシスチレン、o/m/p−シクロヘキシル−オキシカルボニルメトキシスチレン、o/m/p−ノルボルニルオキシカルボニルメトキシスチレン、トリメチルシロキシスチレン、ジメチル(ブチル)シロキシスチレン、不飽和アルキルアセテート、例えば、イソプロペニルアセテート及びそれらの誘導体。
芳香族ビニルモノマー、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、α−メチルナフチレン、アセナフチレン、ビニル脂環式化合物、例えば、ビニルノルボルナン、ビニルアダマンタン、ビニルシクロヘキサン、アルキル(メタ)アクリレート、例えば、メチルメタクリレート、(メタ)アクリロニトリル、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロヘキサノール、無水イタコン酸ならびに無水マレイン酸。
ビニル芳香族化合物、例えば、ヒドロキシスチレン、アクリル酸化合物、例えば、メタクリル酸、エチルカルボニルオキシスチレン及びこれらの誘導体。これらのポリマーは、例えば、US5827634、US5625020、US5492793、US5372912、EP660187、US5679495、EP813113およびEP831369に記載されている。更なる例は、クロトン酸、イソクロトン酸、3−ブテン酸、アクリル酸、4−ペンテン酸、プロピオル酸、2−ブチン酸、マレイン酸、フマル酸、及びアセチレンカルボン酸である。本発明で使用されるポリマーはこれらの限定されるわけではない。
R60はC1〜C20−アルキレン又は酸素である]
の化合物である。
R50はフェニレン、C1〜C20−アルキレン、1つもしくは複数の酸素により中断されているC2〜C20−アルキレンであるか、又は基
R60はC1〜C20−アルキレン又は酸素である]
のグリシジルエーテル化合物が挙げられる。
(2)ハロゲン含有化合物
ハロアルキル基含有複素環式化合物、ハロアルキル基含有炭化水素化合物及びそのようなもの。有利なものは、(トリクロロメチル)−s−トリアジン誘導体、例えば、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン及びそのようなものである;1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタン及びそのようなものである。
(3)スルホン化合物、例えば、式
の化合物である。このような化合物は、例えば、US2002/0172886−A、JP−A−2003−192665、US2002/9663−Aに開示されている。更なる例は、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン及びそれらのα−ジアゾ誘導体及びそのようなものである。
(4)スルホネート化合物、例えば、
アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート、イミドスルホネート及びそのようなもの。有利なイミドスルホネート化合物は、例えば、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファニルスルホニルオキシ)ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ−[2,2,1]−ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−ビシクロ−[2,2,1]−ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド及びそのようなものである。
(ポリ)ヒドロキシフェニルフラバンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル、例えば、2,4,4−トリメチル−2’,4’,7−トリヒドロキシ−3−フェニルフラバン、2,4,4−トリメチル−2’,4’,5’,6,7−ペンタヒドロキシ−2−フェニルフラバン及びそのようなものである。本発明による化合物との混合物において使用するのが適切である光潜在性酸のその他の例は、JP−A−2003−43678、JP−A−2003−5372、JP−A−2003−43677、JP−A−2002−357904、JP−A−2002−229192、JP−A−2009−269953,
JP−A−2010−008912に記載されている。
(1)基材に上記の組成物を塗布する;
(2)組成物を60℃〜160℃の間の温度で塗布後焼き付けする;
(3)10nm〜1500nmの範囲内の波長で、電磁線で又は電子ビームで画像通りに照射する;
(4)場合により組成物を60〜160℃の間の温度で露光後焼き付けする;及び
(5)溶剤又は水性アルカリ現像液で現像する
を含む、フォトレジストを製造する方法である。
(a)感光性酸供与体として、式I又はIIの酸を生成する化合物のうち少なくとも1つ。既に述べたように、式I又はIIの酸を生成する化合物は例えば、上記に定義したような式IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IVc及びIVeの化合物、ならびに上記に定義したような式IIIa、IIIb、IIIc及びIIIeの化合物(式中、C2〜C12−アルケニル又は中断されているC2〜C18−アルケニルとしてのR1は、重合可能な基として少なくとも1つの二重結合を有する)と他の重合可能なモノマーから得られるポリマーである。
(b)酸の作用により硬化する化合物、又は
(c)酸の作用によりその溶解度が高まる化合物
を含む組成物に属する。
(a)酸供与体として、上記に定義したような式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及びIVeの少なくとも1つの化合物;及び
(b)酸の作用により硬化又は架橋する化合物
を含む組成物、ならびに酸供与体として、上記に定義したような式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及びIVeの少なくとも1つの化合物、及び酸の作用により分解する化合物を含む組成物に属する。
2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール6.6g(50mmol)をTHF10mlに加え、かつ氷浴により冷却した。この溶液に、60%NaH2.0g(50mmol)を少しずつ加えた。この懸濁液を室温(r.t.)で2時間撹拌した後に、氷−塩浴により冷却しながらヘキサン中の1.6Mn−ブチルリチウム31mlを反応混合物に加えた。この反応混合物を室温で一晩撹拌し、氷水に注ぎ、かつHClで酸性化した。生成物をt−ブチルメチルエーテル(TBME)で抽出した。有機相を塩水、水で洗浄し、MgSO4上で乾燥させ、かつ濃縮した。粗生成物を更に精製せずに次の工程で使用した。1H−NMRと19F−NMRスペクトル(CDCl3).δ[ppm]により構造が確認された:4.28(d, 2H)、−180.6(m, 1F)、−120.0(m, 1F)、−102.6(m, 1F)。
水(6ml)中の亜硫酸ナトリウム(0.80g;6.0mmol)と例1.1の化合物(6.0mmol)の混合物を90℃で2.5時間撹拌した。室温まで冷却した後に、減圧下に水を留去し、1,1,2−トリフルオロ−3−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸二ナトリウム塩が固体として得られた。粗生成物を酸で中和した後に更に精製せずに次の工程で使用した。1H−NMRと19F−NMRスペクトル(DMSO−d6).δ[ppm]により1,1,2−トリフルオロ−3−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸ナトリウムの形として構造が確認された:3.48−3.61(m, 1H)、4.04(dd, 1H)、4.69〜4.92(m, 1H)、5.08(bs, 1H)、−206.0(m, 1F)、−120.3(d, 1F)、−110.9(d, 1F)。
例2〜37の化合物は、例1.1〜1.4で記載した方法により得られるか、又は相応の混合物を用いてBull. Chem. Sci. Jpn、1988、61、707〜714頁に記載されている方法により得られる。中間生成物及び生成物の構造と物理データは表1に記載されている。
(4−フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフレート0.75gを蒸留水5mlに懸濁させた。周囲温度で、ジクロロメタン5ml中の相応のピリジニウム塩0.65gを添加した。次にエマルションを周囲温度で3時間撹拌した。相を分離し、かつ水相をジクロロメタンで2回洗浄した。合わせた有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、ろ過し、かつ濃縮して約3mlにした。タイトル化合物がt−ブチル−メチルエーテルから結晶化され、かつ無色固体として得られた(1.06g)。1H−NMRにより上記表1に示されたような構造が更に確認された。
例55の製造法を使用したが、(4−フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフレートを(4−フルオロフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフレート0.75gと交換した。タイトル化合物は無色固体(0.93g)として得られた。1H−NMRにより上記表1に示されたような構造が更に確認された。
例A1:露光ツールとしてリソテックジャパン株式会社VUVES4500(ArFレーザー)を用いて、ArFモデルレジスト調製物において感光性を測定した。ポジ型トーンレジストは、数平均分子量7600を有するγ−ブチロラクトンメタクリレートと2−メチルアダマンチルメタクリレートのコポリマー(54/46mol%、三菱レイヨン株式会社)を使用した。溶剤に関しては、東京化成工業株式会社のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)を用いた。調製物の正確な組成及び光酸発生剤(PAG)の量は表2に記載されている。
PAGsから生成される酸の移動性を決定するために、これに関連してSPIE会議録Vol. 6923692317(2008)に記載されている二層法を利用した。二層は、2つのフィルムが積み重なった層構造を形成し、これはPAG含有の上層と、シリコンウエハ上のPAG不含の下層から成り、2つの層の間には相互混合がない。上層フィルム中にだけは光分解プロセスにより酸が均一に分布している。
本発明の光酸発生剤化合物の溶解度を決定するために、試験すべき化合物の秤量分にシクロヘキサノンを溶剤として添加して撹拌した。光酸発生剤化合物を完全に溶かすために必要なシクロヘキサノンの量を決定した。溶剤の量が少ないほど、試験化合物の溶解度が良いことを意味する。結果は表5に纏められている。
Claims (15)
- 式I又はII
[式中、
XはCH2又はCOであり;
YはO、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、O(CO)NR4(CO)、OSO2、O(CS)又はO(CS)NR4 であり、これらのそれぞれに関して、酸素原子はXに直接結合している;又はNR4 、S、NR4(CO)O、NR4(CS)Oであり、N原子又はS原子はXに直接に結合している;
R1は水素、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14 、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14 、CO、O(CO)、NR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルケニル、場合により置換されたフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR1は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;
又はR1は、NR12R13であり;
又はR1は、1つもしくは複数のヘテロ原子を含有していてもよいステロイド構造の一価のC17〜C50−炭化水素基であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは、非置換であるか又は置換されている;
R2とR3は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキレンであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキレンであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレンであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又はR2とR3は互いに独立にフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレン、中断されているC2〜C18−アルキレン、中断されているC3〜C30−シクロアルキレン、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、中断されているC4〜C30−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンは、非置換であるか又は置換されている;
又はR2とR3は互いに独立に直接結合であるが、但しR2とR3は両方が同時に直接結合であることはない;
R4は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;又は
R4は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルは、非置換であるか又は置換されている;
又はR1とR4は、R4が結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員、6員又は7員環を形成し;
R12とR13は、互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR12とR13は、互いに独立にAr、(CO)R15、(CO)OR15又はSO2R15
であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル又はArは非置換であるか又は置換されている;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14は水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、CO又はO(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR14はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、ヘテロアリール、C1〜C18−アルカノイル、ベンゾイル、C2〜C18−アルコキシカルボニル、フェノキシカルボニル、C1〜C18−アルキルスルホニル又はフェニルスルホニルは非置換であるか又は置換されている;
R15は、水素、Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり、
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
その際、前記Ar、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは非置換であるか又は置換されている;及び
Arは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは非置換であるか又は置換されている]
の酸を生成する化合物。 - 式IIIa、IIIb、IVa又はIVb
[式中、
R21、R22及びR23は、互いに独立にAr1、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル又はC4〜C30−シクロアルケニルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
又はR21とR22は、場合により直接結合、O、S、NR14又はCOと一緒に縮合環系を形成し;
又はR21とR22は、場合により直接結合、C1〜C6−アルキレン、O、S、NR14又は(CO)と一緒に5員環、6員環又は7員環を形成し;
その際、全てのR21、R22とR23は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
Zは、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又はハロゲン、NO2、CN、Ar、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15であり;
R24とR25は互いに独立にAr1であり;
又はR24とR25は、場合により直線結合、O、S、NR14又は(CO)と一緒に縮合環を形成し;
又はR24とR25は、場合によりC1〜C2−アルキレン、O、S、NR14又は(CO)と一緒に5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのR24とR25は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
Arは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ2により置換されている;
Ar1は、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、その際、前記フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されているか、又は
により置換されている;
場合により、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又は−OSO2R15としての基Zは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリール環上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリール環の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
Z2は、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
又はハロゲン、NO2、CN、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15、OSO2R15、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル及び/又はヘテロアリールであり;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Z2は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールの炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
aは0又は1である;
Eは、
である;
R11は、水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR11は、Ar、(CO)R15、(CO)OR15、(CO)NR12R13又はSO2R15であり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル又は中断されているC4〜C30−シクロアルケニルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
Z1は、Ar、OH、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、フェニル−C1〜C3−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、ハロゲン、NO2、CN、C1〜C18−アルコキシ、フェノキシ、フェノキシカルボニル、フェニルチオ、フェニルチオカルボニル、NR12R13、C1〜C12−アルキルチオ、C2〜C18−アルコキシカルボニル、C2〜C10−ハロアルカノイル、ハロベンゾイル、C1〜C18−アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、(4−メチルフェニル)スルホニル、C1〜C18−アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ、C1〜C18−アルカノイル、C1〜C18−アルカノイルオキシ、ベンゾイル及び/又はベンゾイルオキシであり;及び
R1、R2、R3、X、Y、R12、R13、R14及びR15は請求項1に記載の通りである]
のものである、請求項1に記載の式I又はIIの酸を生成する化合物。 - 式IIIc、IIId、IIIe、IVc又はIVe
[式中、
Aは、C1〜C10−ハロアルキル、CN、(CO)OR11又はSO2R15であり;
Ar2は、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はAr2は、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;
その際、前記フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールの炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのAr2は酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
Ar’2は、C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C18−アルキレン、C1〜C10−ハロアルキレン、C2〜C12−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレンであり;
又は1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニレンであり;
又はAr’2は、直接結合、フェニレン、ナフチレン、
、ジフェニレン、ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は
であり、その際、前記フェニレン、ナフチレン、
ジフェニレン、ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は
は、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている:
場合により、フェニレン、ナフチレン、
ジフェニレン、ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は
上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニレン、ナフチレン、
ジフェニレン、ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は
上の更なる置換基と一緒に、又はフェニレン、ナフチレン、
ジフェニレン、ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は
の炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、直接結合を除く全てのAr’2は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
又はAr’2は、基−Ar’’2−A1−Y1−A1−Ar’’2−であり;
Ar’’2は、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレンであり、その際、前記フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレンは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
場合により、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレン上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレン上の更なる置換基と一緒に、又はフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン又はヘテロアリーレンの炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全ての基Ar’’2は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;
A1は、直接結合、O、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2又はOSO2であり;又は
A1は、非置換であるか又は1つもしくは複数のC1〜C4−ハロアルキル、ハロゲン、OR11及び/又はSR14により置換されているC1〜C18−アルキレンであり、又は非置換であるか又は1つもしくは複数のC1〜C12−アルキル、C1〜C4−ハロアルキル、ハロゲン、OR11及び/又はSR14により置換されているフェニレンであり;
Y1は、非置換であるか又は1つもしくは複数のOR11、SR14、ハロゲン又はフェニルにより置換されているC1〜C18−アルキレンであり;又はY1は、1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)、S(CO)、NR14(CO)、SO、SO2又はOSO2により中断されているC2〜C18−アルキレンであり、及びその際、中断されているC2〜C18−アルキレンは、非置換であるか又は1つもしくは複数のOR11、SR14、ハロゲン又はフェニルにより置換されている;
R26とR27は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
又は互いに独立に1つもしくは複数のO、S、NR14、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又はR26とR27は、互いに独立にフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり;
その際、前記C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C1〜C10−ハロアルキル、C2〜C12−アルケニル、C4〜C30−シクロアルケニル、フェニル−C1〜C3−アルキル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、中断されているC4〜C30−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールは非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
又はR26とR27は、一緒になって1,2−フェニレンであるか、又は1,2−又は2,3−又は1,8−ナフチレンであるか、又はR26とR27は、場合により直接結合、C1〜C4−アルキレン、C3〜C30−シクロアルキレン、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキレン、C1〜C4−ハロアルキレン、C2〜C4−アルケニレン、C4〜C30−シクロアルケニレン、O、S、NR14、(CO)と一緒になって5員環、6員環又は7員環を形成し;
場合により、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上のC1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、(CO)R15、(CO)OR11、(CO)NR12R13、O(CO)R15、O(CO)OR11、O(CO)NR12R13、NR14(CO)R15、NR14(CO)OR11、NR14(CO)NR12R13、OR11、NR12R13、SR14、SOR15、SO2R15、及び/又はOSO2R15としての基Zは、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリール上の更なる置換基と一緒に、又はフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールの炭素原子のうちの1つと一緒に、基C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル、R11、R12、R13、R14及び/又はR15を介して、5員環、6員環又は7員環を形成する;
その際、全てのR26とR27は、酸の作用により切断される−O−C−結合又は−O−Si−結合を有する基により場合により更に置換されている;及び
R1、R2、R3、X、Y、R11、R12、R13、R14及びR15は、請求項1に記載の通りであり、かつZは請求項2に記載の通りである]
のものである、請求項1に記載の式I又はIIの酸を生成する化合物。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の式I又はIIの酸を生成する化合物であって、前記式中、
XはCH2であり、
YはO、O(CO)、O(CO)O、O(CO)NR4 、O(CO)NR4(CO)、OSO2又はO(CS)NR4 であり、これらのそれぞれに関して、酸素原子はXに直接結合している;
R1は水素、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルキル、C2〜C12−アルケニル又はC4〜C30−シクロアルケニルであり;
又は1つもしくは複数のOにより中断されているC2〜C18−アルキルであり;
又は1つもしくは複数のOにより中断されているC2〜C18−アルケニルであり;
又は1つもしくは複数のO、CO、O(CO)又はNR14(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキルであり;
又はR1はNR12R13であり;
又は1つもしくは複数のO、CO又はO(CO)により中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルであり;
その際、前記C1〜C18−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C4〜C30−シクロアルケニル、中断されているC2〜C18−アルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル、中断されているC3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキルは、非置換であるか又は1つもしくは複数のZにより置換されている;
Zは、C1〜C18−アルキル、C3〜C30−シクロアルキル、C3〜C30−シクロアルキル−C1〜C18−アルキル、ハロゲン、(CO)OR11、O(CO)R11、OR11、SR14又はNR14(CO)OR11であり;
又は1つもしくは複数のNR14(CO)OR11又はNR14(CO)NR12R13により置換されているC5〜C30−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルであり;
R2とR3は、互いに独立にC3〜C30−シクロアルキレン又はC1〜C18−アルキレンであり;
R4は、水素であり;
R11は、水素、C1〜C18−アルキル又はArであり;
R12とR13は、互いに独立に水素、C3〜C30−シクロアルキル又はC1〜C18−アルキルであり;
又はR12とR13は、互いに独立に(CO)R15又はSO2R15であり;
又はR12とR13は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14又はCOにより中断されている5員環、6員環又は7員環を形成し;
R14は水素、C1〜C18−アルキル、C1〜C18−アルカノイル、C1〜C18−アルキルスルホニル、フェニル、フェニルスルホニルであり、その際、前記フェニル又はC1〜C8−アルキルスルホニルは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ1により置換されている;
R15は、水素又はArであり;及び
Arは非置換であるか又は1つもしくは複数のZ2により置換されているフェニルであり;
Z2は、C1〜C18−アルキル又は(CO)R15であり;及び
Z1は、Arである、請求項1から3までのいずれか1項に記載の式I又はIIの酸を生成する化合物。 - 式Ia又はIIa
[式中、
Q+は、プロトン、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、非置換の又は1つもしくは複数の(NR28R29R30R31)+により置換されたプラスの電荷を有する1つもしくは複数の窒素原子を有するヘテロアリールであり;
R28、R29、R30及びR31は、互いに独立に請求項1に定義したR12とR13の意味のうち1つを有し;
又はR28、R29、R30は、これらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により1つもしくは複数のO、NR14、COにより中断されている、及び/又は場合により橋頭でCR15又はNにより中断されている多環を形成する;及び
X、Y、R1、R2及びR3、R14及びR15は、請求項1に記載の通りである]
の化合物。 - 放射感受性酸供与体(a)として、請求項1から4までのいずれか1項に記載の式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;及び
現像液中では不溶性であるか又は実質的に不溶性であり、かつ酸の作用により可溶性になる化合物(c)を含む、化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 放射感受性酸供与体として、請求項2に記載の式IIIa又はIIIbの化合物、又は請求項3に記載の式IIIc又はIIIeの化合物(式中、C2〜C12−アルケニル又は中断されているC2〜C18−アルケニルとしてのR1は、少なくとも1つの二重結合を有する重合可能な基である)を、場合により重合可能な二重結合を有する更なるモノマーと重合することにより得られるポリマーを含む、化学増幅型レジスト組成物。
- 更に他の添加剤(d)を含む、請求項6又は7に記載の化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
- 請求項2に定義した式IIIa及びIIIbの化合物、又は請求項3に定義した式IIIc及びIIIeの化合物(式中、C2〜C12−アルケニル又は中断されているC2〜C18−アルケニルとしてのR1は、少なくとも1つの二重結合を有する重合可能な基である)を、重合可能な基を有する前記式IIIa、IIIb、IIIc及びIIIeの化合物と、場合により重合可能な二重結合を有する更なるモノマーとの重合によりポリマーを製造するために用いる使用。
- 感光性酸供与体(a)として、請求項1から4までのいずれか1項に記載の式I又はIIの酸を生成する少なくとも1つの化合物;及び
酸の作用により架橋又は重合する化合物(b)を含む、化学増幅型ネガ型レジスト組成物であって、コーティング及び乾燥したレジスト組成物は現像液中に可溶性であり、かつ酸の作用により不溶性になるか又は実質的に不溶性である前記組成物。 - 次の工程:
(1)請求項6から10までのいずれか1項に記載の組成物を基材に塗布する工程;
(2)組成物を60℃〜160℃の温度で塗布後焼き付けする工程;
(3)10nm〜1500nmの波長範囲内で、電磁線で又は電子ビームで画像通りに照射する工程;
(4)場合により、組成物を60〜160℃の間の温度で露光後焼き付けする工程;及び
(5)溶剤で又は水性アルカリ現像液で現像する工程
を含む、フォトレジストを塗布する方法。 - (a)酸供与体として、請求項2、3又は5に記載の式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及びIVeの少なくとも1つの化合物、及び
(b)酸の作用により硬化又は架橋する化合物
を含む組成物。 - 酸供与体として、請求項2、3又は5に記載の式Ia、IIa、IIIa、IIIb、IIIe、IVa、IVb、IIIc、IIId、IVc及びIVeの少なくとも1つの化合物;及び酸の作用により分解する化合物を含む組成物。
- 請求項1から4までのいずれか1項に記載の式IもしくはIIの酸を生成する化合物、又は請求項2に記載の式IIIaあるいはIIIbの化合物、もしくは請求項3に記載の式IIIcあるいはIIIeに記載の化合物(式中、C2〜C12−アルケニル又は中断されているC2〜C18−アルケニルとしてのR1は、少なくとも1つの二重結合を有する重合可能な基である)と、場合により重合可能な二重結合を有する更なるモノマーとの重合により得られるポリマーを、酸の作用下に架橋又は硬化できる組成物における酸供与体として用いる使用。
- 請求項1から4までのいずれか1項に記載の式IもしくはIIの酸を生成する化合物、又は請求項2に記載の式IIIaあるいはIIIbの化合物、もしくは請求項3に記載の式IIIcあるいはIIIeに記載の化合物(式中、C2〜C12−アルケニル又は中断されているC2〜C18−アルケニルとしてのR1は、少なくとも1つの二重結合を有する重合可能な基である)と、場合により重合可能な二重結合を有し、かつ更に酸不安定基を有していてもよい更なるモノマーとの重合により得られるポリマーを、酸の作用により現像液中のその溶解度を高める組成物における酸供与体として用いる使用。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP10154465 | 2010-02-24 | ||
| EP10154465.8 | 2010-02-24 | ||
| PCT/EP2011/051995 WO2011104127A1 (en) | 2010-02-24 | 2011-02-10 | Latent acids and their use |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013520458A true JP2013520458A (ja) | 2013-06-06 |
| JP5850863B2 JP5850863B2 (ja) | 2016-02-03 |
Family
ID=42289764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012554281A Active JP5850863B2 (ja) | 2010-02-24 | 2011-02-10 | 潜在性酸及びそれらの使用 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2539316B1 (ja) |
| JP (1) | JP5850863B2 (ja) |
| KR (1) | KR101813298B1 (ja) |
| CN (1) | CN102781911B (ja) |
| TW (1) | TWI523835B (ja) |
| WO (1) | WO2011104127A1 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011201859A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩及びレジスト組成物 |
| JP2012053336A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 |
| JP2012226326A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2013011870A (ja) * | 2011-05-27 | 2013-01-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
| JP2013047791A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-03-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JPWO2012018097A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2013-10-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2014209203A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
| JP2015001736A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | フォトレジスト現像用組成物及びこれを用いたフォトレジストの現像方法 |
| JP2015063470A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2015063471A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| WO2016088648A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 東洋合成工業株式会社 | スルホン酸誘導体、それを用いた光酸発生剤、レジスト組成物及びデバイスの製造方法 |
| JP2016212241A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東洋合成工業株式会社 | レジスト組成物、スルホン酸誘導体、該スルホン酸誘導体の製造方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2018039796A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-15 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2019156831A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2019156832A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2020066584A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| JP2020083760A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| JP2020109080A (ja) * | 2019-01-04 | 2020-07-16 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2021063217A (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ポリマー及びフォトレジスト組成物 |
| JP2021512854A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-05-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
| JP2021517151A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-07-15 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
| US11467493B2 (en) | 2017-11-01 | 2022-10-11 | Lg Chem, Ltd. | Chemically amplified photoresist composition and photoresist film using the same |
| WO2023228845A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5756672B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2015-07-29 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
| JP5743593B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-07-01 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 |
| JP2012242813A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5732364B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-06-10 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
| JP2013079232A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
| JP5802510B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-10-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法 |
| TWI477483B (zh) * | 2011-10-17 | 2015-03-21 | Jsr Corp | Sense of radiation linear resin composition |
| JP5588954B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2014-09-10 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP5745391B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP5816543B2 (ja) | 2011-12-27 | 2015-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JP6079217B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2017-02-15 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤 |
| JP6013218B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-10-25 | 信越化学工業株式会社 | 酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| EP2838927A2 (en) * | 2012-04-19 | 2015-02-25 | Basf Se | Sulfonium compounds, their preparation and use |
| JP5960027B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-08-02 | セントラル硝子株式会社 | 含フッ素酸増幅剤の保存方法 |
| WO2014046097A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤 |
| JP6306852B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2018-04-04 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| KR101507827B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2015-04-06 | 금호석유화학 주식회사 | 광산발생제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| JP6287439B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2018-03-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2014222338A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
| TWI752903B (zh) * | 2015-03-12 | 2022-01-21 | 德商馬克專利公司 | 在低pKa驅動之聚合物剝離期間促進電荷錯合銅之保護的組合物及方法 |
| JP6937648B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-09-22 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP7345544B2 (ja) | 2018-10-09 | 2023-09-15 | 常州強力先端電子材料有限公司 | トリフェニルスルホニウム塩化合物及びその使用 |
| EP4394985A4 (en) * | 2021-09-30 | 2025-08-20 | Central Glass Co Ltd | NONAQUEOUS ELECTROLYTE SOLUTION, NONAQUEOUS ELECTROLYTE BATTERY, COMPOUND AND ADDITIVE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE |
| JP2024039610A (ja) * | 2022-09-09 | 2024-03-22 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05213855A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-24 | Mitsubishi Kasei Corp | フルオロアルキルスルホン酸基を有する化合物及びその製造方法 |
| JP2007145797A (ja) * | 2005-04-06 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2008007410A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2008039815A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法 |
| JP2008545789A (ja) * | 2005-06-07 | 2008-12-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フルオロビニルエーテルからのヒドロフルオロアルカンスルホン酸および塩 |
Family Cites Families (276)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3018262A (en) | 1957-05-01 | 1962-01-23 | Shell Oil Co | Curing polyepoxides with certain metal salts of inorganic acids |
| GB1051391A (ja) | 1959-12-24 | |||
| DE2027467C3 (de) | 1970-06-04 | 1974-08-15 | Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich | Photopolymerisierbare Kopiermasse |
| US4017652A (en) | 1974-10-23 | 1977-04-12 | Ppg Industries, Inc. | Photocatalyst system and ultraviolet light curable coating compositions containing the same |
| US4026705A (en) | 1975-05-02 | 1977-05-31 | General Electric Company | Photocurable compositions and methods |
| US4069954A (en) | 1976-08-12 | 1978-01-24 | Rauch Frank E | Golfer's wrist band for carrying tees and ball position markers |
| US4162162A (en) | 1978-05-08 | 1979-07-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Derivatives of aryl ketones and p-dialkyl-aminoarylaldehydes as visible sensitizers of photopolymerizable compositions |
| US4282309A (en) | 1979-01-24 | 1981-08-04 | Agfa-Gevaert, N.V. | Photosensitive composition containing an ethylenically unsaturated compound, initiator and sensitizer |
| EP0022188B1 (en) | 1979-06-18 | 1984-10-03 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Co-initiator compositions for photopolymerization containing 3-acyl-substituted coumarins, photopolymerizable composition and photographic element |
| US4299938A (en) | 1979-06-19 | 1981-11-10 | Ciba-Geigy Corporation | Photopolymerizable and thermally polymerizable compositions |
| US4339567A (en) | 1980-03-07 | 1982-07-13 | Ciba-Geigy Corporation | Photopolymerization by means of sulphoxonium salts |
| DE3162597D1 (en) | 1980-04-21 | 1984-04-19 | Du Pont | Derivatives of aryl ketones as sensitizers of photopolymerizable compounds for the visible spectral range, and photopolymerizable compositions comprising the said sensitizers |
| US4366228A (en) | 1980-09-05 | 1982-12-28 | Eastman Kodak Company | Photopolymerizable compositions featuring novel co-initiators |
| US4454218A (en) | 1982-09-13 | 1984-06-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | N-Alkylindolylidene and N-alkylbenzo-thiazolylidene alkanones as sensitizers for photopolymer compositions |
| CA1243146A (en) | 1983-02-07 | 1988-10-11 | Joseph V. Koleske | Photocopolymerizable compositions based on hydroxyl- containing organic materials and substituted cycloaliphatic monoepoxide reactive diluents |
| CA1243147A (en) | 1983-02-07 | 1988-10-11 | Union Carbide Corporation | Photocopolymerizable compositions based on epoxy and hydroxyl containing organic materials and substituted cycloaliphatic monoepoxide reactive diluents |
| DD225985A1 (de) | 1983-05-18 | 1985-08-14 | Univ Schiller Jena | Lichthaertbare esterether-optikklebstoffe |
| EP0199672B1 (de) | 1985-04-12 | 1988-06-01 | Ciba-Geigy Ag | Oximsulfonate mit reaktiven Gruppen |
| US4882245A (en) | 1985-10-28 | 1989-11-21 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith |
| DE3612442A1 (de) | 1986-04-12 | 1987-10-22 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von uv-gehaerteten deckend pigmentierten beschichtungen |
| JPS6336240A (ja) | 1986-07-28 | 1988-02-16 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | レジスト構造の作成方法 |
| DE3721741A1 (de) | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
| DE3725741A1 (de) | 1987-08-04 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3730785A1 (de) | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| DE3817012A1 (de) | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| JPH0225850A (ja) | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
| DE68911632T2 (de) | 1988-09-07 | 1994-07-07 | Minnesota Mining & Mfg | Sensibilisatorteil enthaltende Halogenmethyl-1,3,5-Triazine. |
| KR900005232A (ko) | 1988-09-29 | 1990-04-13 | 존 에이 페니 | 음화 상 생성방법. |
| US5026624A (en) | 1989-03-03 | 1991-06-25 | International Business Machines Corporation | Composition for photo imaging |
| JP2873482B2 (ja) | 1989-02-09 | 1999-03-24 | 関西ペイント株式会社 | 光架橋性樹脂組成物 |
| JPH0643641B2 (ja) | 1989-08-10 | 1994-06-08 | 鐘紡株式会社 | 無塵衣 |
| US4988741A (en) | 1989-11-27 | 1991-01-29 | General Electric Company | Controlled release compositions and use |
| JPH03223860A (ja) | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 新規レジスト材料 |
| JP2844839B2 (ja) | 1990-05-08 | 1999-01-13 | 富士通株式会社 | ホログラム記録材料とホログラム製造方法 |
| JP3008594B2 (ja) | 1990-08-31 | 2000-02-14 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
| US5225316A (en) | 1990-11-26 | 1993-07-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | An imagable article comprising a photosensitive composition comprising a polymer having acid labile pendant groups |
| JPH04295458A (ja) | 1991-03-22 | 1992-10-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光照射により酸を発生する化合物 |
| JPH06161109A (ja) | 1991-03-25 | 1994-06-07 | Canon Inc | 光重合性組成物 |
| JPH04294148A (ja) | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッド |
| JPH04328552A (ja) | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Konica Corp | 感光性組成物 |
| JP2988756B2 (ja) | 1991-04-26 | 1999-12-13 | 協和醗酵工業株式会社 | 光重合開始剤およびこれを含有する光重合性組成物 |
| JP3030672B2 (ja) | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
| JPH0527432A (ja) | 1991-07-08 | 1993-02-05 | Canon Inc | 光重合性組成物 |
| DE4125258A1 (de) | 1991-07-31 | 1993-02-04 | Hoechst Ag | Verbindungen mit saeurelabilen schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| DE4125260A1 (de) | 1991-07-31 | 1993-02-04 | Hoechst Ag | Oligomere verbindungen mit saeurelabilen schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| JPH0545869A (ja) | 1991-08-19 | 1993-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| EP0538997B1 (en) | 1991-10-25 | 1998-07-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Aminoketone sensitizers for aqueous soluble photopolymer compositions |
| US5415976A (en) | 1991-10-25 | 1995-05-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Aminoketone sensitizers for photopolymer compositions |
| JPH05158233A (ja) | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| EP0552548B1 (en) | 1991-12-16 | 1997-03-19 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Resist material |
| FR2686607B1 (fr) | 1992-01-24 | 1995-03-17 | Celliose Lobo Entreprise | Systeme photosensible sous irradiation visible et ultra-violette pour compositions filmogenes pigmentees photoreticulables. |
| DE4202845A1 (de) | 1992-01-31 | 1993-08-05 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| JPH05297583A (ja) | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH05257275A (ja) | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH05297581A (ja) | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH05303197A (ja) | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP2761823B2 (ja) | 1992-04-27 | 1998-06-04 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP3399974B2 (ja) | 1992-04-28 | 2003-04-28 | 日立化成工業株式会社 | 新規な光開始剤、光開始剤系及びこれを用いた光重合性組成物 |
| DE69320241T2 (de) | 1992-05-06 | 1999-04-29 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Chemisch amplifizierte Resistzusammensetzung |
| JPH05341510A (ja) | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| DE4222968A1 (de) | 1992-07-13 | 1994-01-20 | Hoechst Ag | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
| US5328940A (en) | 1992-07-20 | 1994-07-12 | Lord Corporation | Radiation-curable compositions containing hydroxy-terminated polyurethanes and an epoxy compound |
| JPH0635198A (ja) | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光重合性組成物 |
| JP3028161B2 (ja) | 1992-08-28 | 2000-04-04 | 太陽化学株式会社 | 卵殻膜を配合した塗料 |
| GB9220986D0 (en) | 1992-10-06 | 1992-11-18 | Ciba Geigy Ag | Chemical composition |
| EP0605089B1 (en) | 1992-11-03 | 1999-01-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition |
| US5372912A (en) | 1992-12-31 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Radiation-sensitive resist composition and process for its use |
| KR100355254B1 (en) | 1993-02-15 | 2003-03-31 | Clariant Finance Bvi Ltd | Positive type radiation-sensitive mixture |
| DE4306069A1 (de) | 1993-03-01 | 1994-09-08 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen mit verbessertem Kontrast |
| DE4408318C2 (de) | 1993-03-12 | 1999-09-09 | Toshiba Kk | Positiv arbeitende Lichtempfindliche Zusammensetzung |
| DE69400062T2 (de) | 1993-04-09 | 1996-09-12 | Mitsubishi Chem Corp | Photopolymerisierbare Zusammensetzung |
| JP3084677B2 (ja) | 1993-05-11 | 2000-09-04 | キヤノン株式会社 | スチリルクマリン化合物、光増感剤、感光性樹脂組成物、ホログラム記録媒体 |
| JPH0736179A (ja) | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型感光性樹脂組成物 |
| JP3412199B2 (ja) | 1993-09-01 | 2003-06-03 | 東洋インキ製造株式会社 | 重合性組成物およびその硬化物の製造方法 |
| DE59408909D1 (de) | 1993-10-13 | 1999-12-16 | Ciba Sc Holding Ag | Neue Fluoreszenzfarbstoffe |
| DE59409351D1 (de) | 1993-10-13 | 2000-06-21 | Ciba Sc Holding Ag | Pyrrolo[3,4-c]pyrrole |
| EP0654711B1 (en) | 1993-11-22 | 1999-06-02 | Ciba SC Holding AG | Compositions for making structured color images and application thereof |
| JP3116751B2 (ja) | 1993-12-03 | 2000-12-11 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP3203995B2 (ja) | 1993-12-24 | 2001-09-04 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP3573358B2 (ja) | 1994-02-25 | 2004-10-06 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
| US5663035A (en) | 1994-04-13 | 1997-09-02 | Hoechst Japan Limited | Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound |
| TW394861B (en) | 1994-04-25 | 2000-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Positive resist composition |
| US5558971A (en) | 1994-09-02 | 1996-09-24 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Resist material |
| JP3549592B2 (ja) | 1994-11-02 | 2004-08-04 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
| JP3400586B2 (ja) | 1995-02-10 | 2003-04-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 光重合性組成物 |
| US5593812A (en) | 1995-02-17 | 1997-01-14 | International Business Machines Corporation | Photoresist having increased sensitivity and use thereof |
| US5554664A (en) | 1995-03-06 | 1996-09-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Energy-activatable salts with fluorocarbon anions |
| JP3589360B2 (ja) | 1995-03-22 | 2004-11-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性印刷版 |
| JP2937800B2 (ja) | 1995-03-29 | 1999-08-23 | 日華化学株式会社 | ソルダーフォトレジストインキ用組成物 |
| US5744511A (en) | 1995-04-19 | 1998-04-28 | Tokuyama Corporation | Visible ray polymerization initiator and visible ray polymerizable composition |
| US5700624A (en) | 1995-05-09 | 1997-12-23 | Shipley Company, L.L.C. | Positive acid catalyzed resists having an alkali soluble resin with acid labile groups and inert blocking groups |
| EP0742255B1 (en) | 1995-05-12 | 2004-04-14 | Ciba SC Holding AG | Colouration of high molecular weight organic materials in the mass with soluble phthalocyanine precursors |
| US5609989A (en) | 1995-06-06 | 1997-03-11 | International Business Machines, Corporation | Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists |
| WO1996041237A1 (en) | 1995-06-07 | 1996-12-19 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Sensitizers and photoacid precursors |
| JP3441246B2 (ja) | 1995-06-07 | 2003-08-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 光重合性組成物 |
| DE19533607A1 (de) | 1995-09-11 | 1997-03-13 | Basf Ag | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
| DE19533608A1 (de) | 1995-09-11 | 1997-03-13 | Basf Ag | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
| JP3456808B2 (ja) | 1995-09-29 | 2003-10-14 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト組成物 |
| EP0780732B1 (en) | 1995-12-21 | 2003-07-09 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Polymer composition and resist material |
| US5731364A (en) | 1996-01-24 | 1998-03-24 | Shipley Company, L.L.C. | Photoimageable compositions comprising multiple arylsulfonium photoactive compounds |
| JPH09203806A (ja) | 1996-01-29 | 1997-08-05 | Mitsubishi Chem Corp | カラーフィルター用ネガ型感光性組成物 |
| JP3587325B2 (ja) | 1996-03-08 | 2004-11-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| EP0795786B1 (en) | 1996-03-11 | 2002-05-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
| WO1997046601A1 (en) | 1996-06-03 | 1997-12-11 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Curable liquid resin composition |
| US5861231A (en) | 1996-06-11 | 1999-01-19 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component |
| US6090526A (en) | 1996-09-13 | 2000-07-18 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers and photoresist compositions |
| JP3679206B2 (ja) | 1996-09-20 | 2005-08-03 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
| JP3679205B2 (ja) | 1996-09-20 | 2005-08-03 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| WO1998013342A1 (fr) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Nippon Soda Co., Ltd. | Sels de sulfonium, initiateurs de polymerisation cationique et compositions durcissables |
| JP3688839B2 (ja) | 1997-01-20 | 2005-08-31 | 富士写真フイルム株式会社 | ネガ型画像記録材料 |
| WO1998031765A1 (fr) | 1997-01-20 | 1998-07-23 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Composition adhesive et ses applications |
| JP3896631B2 (ja) | 1997-04-01 | 2007-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 黒色感光性樹脂組成物及びこれを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| DE69821049T2 (de) | 1997-05-09 | 2004-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung |
| DE69803117T2 (de) | 1997-05-12 | 2002-10-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung |
| JPH10333334A (ja) | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Toppan Printing Co Ltd | 感光性着色組成物及びそれを用いたカラーフィルタ |
| TW550439B (en) | 1997-07-01 | 2003-09-01 | Ciba Sc Holding Ag | New oxime sulfonates as latent acids and compositions and photoresists comprising said oxime sulfonates |
| JP4204113B2 (ja) | 1997-12-04 | 2009-01-07 | 株式会社Adeka | 新規な芳香族スルホニウム化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光造形用樹脂組成物ならびに光学的立体造形法 |
| JPH11181391A (ja) | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Nippon Kayaku Co Ltd | 接着剤組成物、接着体、接着方法及び光ディスクの製造方法 |
| JPH11194494A (ja) | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性樹脂組成物及び感光性転写シート |
| JPH11241055A (ja) | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Nippon Kayaku Co Ltd | 接着剤組成物、接着体、接着方法及び光ディスクの製造方法 |
| US6180200B1 (en) | 1998-06-01 | 2001-01-30 | Dsm N. V. | Cationic and hybrid radiation curable pressure sensitive adhesives for bonding of optical discs |
| TW526489B (en) | 1998-06-19 | 2003-04-01 | Dainippon Ink & Amp Chemicals | Video disc |
| US6458506B2 (en) | 1998-08-14 | 2002-10-01 | Shipley Company, Llc | Photoacid generators and photoresists comprising same |
| TW575792B (en) * | 1998-08-19 | 2004-02-11 | Ciba Sc Holding Ag | New unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| SG78412A1 (en) | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Ciba Sc Holding Ag | Oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| JP4124907B2 (ja) | 1999-04-06 | 2008-07-23 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4368458B2 (ja) | 1999-06-22 | 2009-11-18 | 三菱レイヨン株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| US6692888B1 (en) | 1999-10-07 | 2004-02-17 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers having nitrile and alicyclic leaving groups and photoresist compositions comprising same |
| JP2001228612A (ja) | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2001235863A (ja) | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| US6777157B1 (en) | 2000-02-26 | 2004-08-17 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising same |
| WO2001063363A2 (en) | 2000-02-27 | 2001-08-30 | Shipley Company, L.L.C. | Photoacid generators and photoresists comprising same |
| JP4135848B2 (ja) | 2000-02-28 | 2008-08-20 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4475372B2 (ja) | 2000-03-22 | 2010-06-09 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4604367B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-01-05 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| EP1143300A1 (en) | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Shipley Company LLC | Photoresist compositions and use of same |
| JP2001290274A (ja) | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP4562240B2 (ja) | 2000-05-10 | 2010-10-13 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感放射線性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP3802732B2 (ja) | 2000-05-12 | 2006-07-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4177952B2 (ja) | 2000-05-22 | 2008-11-05 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2002072477A (ja) | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| US6576394B1 (en) | 2000-06-16 | 2003-06-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Negative-acting chemically amplified photoresist composition |
| JP2002006483A (ja) | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
| JP2002006480A (ja) | 2000-06-22 | 2002-01-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4529316B2 (ja) | 2000-06-23 | 2010-08-25 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩 |
| JP3841392B2 (ja) | 2000-06-23 | 2006-11-01 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2002023374A (ja) | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP4226808B2 (ja) | 2000-07-12 | 2009-02-18 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2002030118A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法 |
| JP2002030116A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法 |
| JP3956088B2 (ja) | 2000-07-19 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP4479072B2 (ja) | 2000-07-19 | 2010-06-09 | 住友化学株式会社 | 電子線用レジスト組成物 |
| JP2002040658A (ja) | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、これを用いた半導体装置及び電子部品 |
| JP2002037885A (ja) | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポジ型含フッ素ポリイミド前駆体およびポジ型感光性含フッ素ポリイミド前駆体組成物 |
| JP2002082437A (ja) | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US6391523B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-05-21 | Microchem Corp. | Fast drying thick film negative photoresist |
| JP2002091004A (ja) | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2002099084A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toshiba Chem Corp | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP2002099088A (ja) | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Yasuhiko Shirota | 感放射線性組成物 |
| JP2002099089A (ja) | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Yasuhiko Shirota | 感放射線性組成物 |
| JP4484348B2 (ja) | 2000-10-13 | 2010-06-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2002122993A (ja) | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Toshiba Chem Corp | 感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法 |
| JP4288445B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2002131913A (ja) | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP2002131916A (ja) | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| US6849374B2 (en) | 2000-11-03 | 2005-02-01 | Shipley Company, L.L.C. | Photoacid generators and photoresists comprising same |
| JP2002156750A (ja) | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| JP2002162743A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Toshiba Chem Corp | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP4320520B2 (ja) | 2000-11-29 | 2009-08-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3773845B2 (ja) | 2000-12-29 | 2006-05-10 | 三星電子株式会社 | ポジティブ型感光性ポリイミド前駆体およびこれを含む組成物 |
| JP2002214768A (ja) | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感放射線性ポジ型レジスト組成物 |
| JP3880860B2 (ja) | 2001-01-22 | 2007-02-14 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4543558B2 (ja) | 2001-02-02 | 2010-09-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP3796568B2 (ja) | 2001-02-21 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3915895B2 (ja) | 2001-03-01 | 2007-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2002268221A (ja) | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toshiba Chem Corp | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
| JP4534371B2 (ja) | 2001-03-16 | 2010-09-01 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2002278071A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4092083B2 (ja) | 2001-03-21 | 2008-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
| JP4514978B2 (ja) | 2001-03-28 | 2010-07-28 | 國宏 市村 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| JP2002357904A (ja) | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| KR20030076225A (ko) | 2001-04-04 | 2003-09-26 | 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 | 규소 함유 아세탈 보호된 중합체 및 이의 포토레지스트조성물 |
| JP2002303977A (ja) | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Toshiba Chem Corp | 感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法 |
| EP1299774A4 (en) | 2001-04-05 | 2005-06-08 | Arch Spec Chem Inc | PHOTOACID GENERATORS FOR USE IN PHOTORESIN COMPOSITIONS |
| JP2003057827A (ja) | 2001-04-13 | 2003-02-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4174193B2 (ja) | 2001-05-09 | 2008-10-29 | 富士フイルム株式会社 | 電子線またはx線用ポジ型レジスト組成物 |
| TW565748B (en) | 2001-05-17 | 2003-12-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive radiation-sensitive composition |
| JP3710758B2 (ja) | 2001-05-21 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法 |
| JP2002356555A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
| JP2002356554A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
| JP4044740B2 (ja) | 2001-05-31 | 2008-02-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3936553B2 (ja) | 2001-05-31 | 2007-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 塩基性化合物及びその製造方法 |
| JP4044741B2 (ja) | 2001-05-31 | 2008-02-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2003057815A (ja) | 2001-06-05 | 2003-02-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| JP3991191B2 (ja) | 2001-06-14 | 2007-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ラクトン構造を有する新規(メタ)アクリレート化合物、重合体、フォトレジスト材料、及びパターン形成法 |
| JP2003005372A (ja) | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2003005356A (ja) | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
| JP2003005355A (ja) | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
| JP2003005371A (ja) | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 黒色感光性樹脂組成物、それを用いたカラーフィルタ及びその製造方法 |
| US6908722B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-06-21 | Jsr Corporation | Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition |
| JP4313965B2 (ja) | 2001-09-20 | 2009-08-12 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| JP2003026919A (ja) | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | アルカリ現像型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
| JP3753424B2 (ja) | 2001-07-30 | 2006-03-08 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト基材およびこれを用いたバンプ形成方法 |
| JP4281305B2 (ja) | 2001-07-31 | 2009-06-17 | 住友化学株式会社 | 3層レジスト中間層用樹脂組成物 |
| JP4710193B2 (ja) | 2001-08-01 | 2011-06-29 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP4715058B2 (ja) | 2001-08-02 | 2011-07-06 | Jsr株式会社 | 感放射性樹脂組成物 |
| JP4054978B2 (ja) | 2001-08-24 | 2008-03-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US6780546B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-08-24 | Inphase Technologies, Inc. | Blue-sensitized holographic media |
| JP2003066626A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物及びサーマルフローパターン形成方法 |
| WO2003021357A1 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Free-acid containing polymers and their use in photoresists |
| JP4221988B2 (ja) | 2001-09-27 | 2009-02-12 | 住友化学株式会社 | 3層レジスト中間層用樹脂組成物 |
| JP3991214B2 (ja) | 2001-09-28 | 2007-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP3849486B2 (ja) | 2001-10-19 | 2006-11-22 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| JP3907165B2 (ja) | 2001-11-05 | 2007-04-18 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP3909818B2 (ja) | 2001-11-12 | 2007-04-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2003162051A (ja) | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | レジスト組成物 |
| JP4057807B2 (ja) | 2001-12-03 | 2008-03-05 | 東京応化工業株式会社 | 微細レジストパターン形成方法 |
| JP3895224B2 (ja) | 2001-12-03 | 2007-03-22 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP3841398B2 (ja) | 2001-12-17 | 2006-11-01 | 富士写真フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
| JP2003207896A (ja) | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| KR20040089607A (ko) * | 2002-02-06 | 2004-10-21 | 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. | 설포네이트 유도체 및 잠산으로서의 이의 용도 |
| JP3877605B2 (ja) | 2002-02-08 | 2007-02-07 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2004004561A (ja) | 2002-02-19 | 2004-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP3813890B2 (ja) | 2002-03-22 | 2006-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP3972702B2 (ja) | 2002-03-25 | 2007-09-05 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| JP2002341522A (ja) | 2002-04-25 | 2002-11-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
| AU2003268671A1 (en) | 2002-09-25 | 2004-04-19 | Asahi Denka Co.Ltd. | Novel aromatic sulfonium salt compound, photo-acid generator comprising the same and photopolymerizable composition containing the same, resin composition for optical three-dimensional shaping, and method of optically forming three-dimensional shape |
| JP3841742B2 (ja) | 2002-11-14 | 2006-11-01 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
| WO2006008251A2 (en) | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Process for the photoactivation and use of a catalyst by an inverted two-stage procedure |
| US7304175B2 (en) | 2005-02-16 | 2007-12-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
| TWI332122B (en) * | 2005-04-06 | 2010-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process |
| US7786322B2 (en) | 2005-11-21 | 2010-08-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
| US8067643B2 (en) | 2006-04-13 | 2011-11-29 | Basf Se | Sulphonium salt initiators |
| WO2008035640A1 (fr) | 2006-09-20 | 2008-03-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition pour la formation d'un film de protection de réserve et procédé de formation de motif de réserve à l'aide de ladite composition |
| US7527912B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
| US8012672B2 (en) | 2006-10-04 | 2011-09-06 | Basf Se | Sulphonium salt photoinitiators |
| KR100829615B1 (ko) | 2006-10-11 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | 광산 발생제, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법 |
| KR101417168B1 (ko) | 2006-11-10 | 2014-07-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 중합성 술폰산 오늄염 및 수지 |
| US7527913B2 (en) | 2007-01-25 | 2009-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoacid generators, photoresist composition including the same and method of forming pattern using the same |
| WO2008132966A1 (ja) | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2008138724A1 (en) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
| KR100960252B1 (ko) | 2007-09-12 | 2010-06-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제 |
| WO2009037980A1 (ja) | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Central Glass Company, Limited | 2-ブロモ-2,2-ジフルオロエタノール及び2-(アルキルカルボニルオキシ)-1,1-ジフルオロエタンスルホン酸塩類の製造方法 |
| JP5210612B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-06-12 | 東京応化工業株式会社 | 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2009084373A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 含フッ素化合物、含フッ素重合体、並びに該重合体を含む組成物および膜 |
| JP5206972B2 (ja) | 2008-02-20 | 2013-06-12 | 信越化学工業株式会社 | レジストパターンの形成方法並びにこれに用いるポジ型レジスト材料 |
| JP2009221194A (ja) | 2008-02-22 | 2009-10-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 光酸発生基結合型多価フェノール誘導体、該誘導体の製造方法及び該誘導体を含む電子線用又はeuv用化学増幅型レジスト組成物 |
| JP5453834B2 (ja) | 2008-02-22 | 2014-03-26 | 住友化学株式会社 | エステル化合物及びその製造方法 |
| TWI452432B (zh) | 2008-03-03 | 2014-09-11 | Sumitomo Chemical Co | 化學放大型光阻組成物及浸漬式微影用之化學放大型光阻組成物 |
| JP5460074B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2014-04-02 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4678413B2 (ja) | 2008-03-13 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4623324B2 (ja) | 2008-03-18 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5515232B2 (ja) | 2008-03-26 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びその製造方法、並びにレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5007827B2 (ja) | 2008-04-04 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | ダブルパターン形成方法 |
| TWI458743B (zh) | 2008-04-21 | 2014-11-01 | Sumitomo Chemical Co | 聚合物及包含該聚合物之化學放大型阻劑 |
| TWI518456B (zh) | 2008-04-21 | 2016-01-21 | 住友化學股份有限公司 | 化學放大型正阻劑組成物 |
| JP4569786B2 (ja) | 2008-05-01 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4678419B2 (ja) | 2008-05-02 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5381298B2 (ja) | 2008-05-12 | 2014-01-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
| JP4650644B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5101541B2 (ja) | 2008-05-15 | 2012-12-19 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2009301020A (ja) | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| TWI462938B (zh) | 2008-05-21 | 2014-12-01 | Sumitomo Chemical Co | 聚合物及含有該聚合物之化學放大型阻劑組成物 |
| JP5237173B2 (ja) | 2008-06-03 | 2013-07-17 | 信越化学工業株式会社 | 重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5401126B2 (ja) | 2008-06-11 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP4990844B2 (ja) | 2008-06-17 | 2012-08-01 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料 |
| JP5051387B2 (ja) | 2008-06-19 | 2012-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5029839B2 (ja) | 2008-06-19 | 2012-09-19 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5314944B2 (ja) | 2008-06-20 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP5172494B2 (ja) | 2008-06-23 | 2013-03-27 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物 |
| JP5376847B2 (ja) | 2008-06-30 | 2013-12-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
| JP5222638B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-06-26 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5172505B2 (ja) | 2008-07-07 | 2013-03-27 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP5035151B2 (ja) | 2008-07-10 | 2012-09-26 | Jsr株式会社 | パターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法 |
| JP5600384B2 (ja) | 2008-07-14 | 2014-10-01 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2010002910A (ja) | 2009-07-03 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
-
2011
- 2011-02-10 KR KR1020127024723A patent/KR101813298B1/ko active Active
- 2011-02-10 CN CN201180010927.8A patent/CN102781911B/zh active Active
- 2011-02-10 EP EP11702482.8A patent/EP2539316B1/en active Active
- 2011-02-10 JP JP2012554281A patent/JP5850863B2/ja active Active
- 2011-02-10 WO PCT/EP2011/051995 patent/WO2011104127A1/en not_active Ceased
- 2011-02-23 TW TW100106050A patent/TWI523835B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05213855A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-24 | Mitsubishi Kasei Corp | フルオロアルキルスルホン酸基を有する化合物及びその製造方法 |
| JP2007145797A (ja) * | 2005-04-06 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2008545789A (ja) * | 2005-06-07 | 2008-12-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フルオロビニルエーテルからのヒドロフルオロアルカンスルホン酸および塩 |
| JP2008007410A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2008039815A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN5013003353; Wang, Mingxing et al.: 'New anionic photoacid generator bound polymer resists for EUV lithography' Macromolecules vol.40 no.23, 20071018, p.8220-8224 * |
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011201859A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩及びレジスト組成物 |
| JPWO2012018097A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2013-10-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2012053336A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 |
| US8765352B2 (en) | 2010-09-02 | 2014-07-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
| JP2012226326A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2013011870A (ja) * | 2011-05-27 | 2013-01-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
| JP2013047791A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-03-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2014209203A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
| JP2018076323A (ja) * | 2013-03-27 | 2018-05-17 | 東京応化工業株式会社 | 化合物 |
| JP2015001736A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | フォトレジスト現像用組成物及びこれを用いたフォトレジストの現像方法 |
| US9235129B2 (en) | 2013-06-13 | 2016-01-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composition for photoresist development and method of developing photoresist using the same |
| JP2015063471A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2015063470A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| WO2016088648A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 東洋合成工業株式会社 | スルホン酸誘導体、それを用いた光酸発生剤、レジスト組成物及びデバイスの製造方法 |
| JPWO2016088648A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2017-09-28 | 東洋合成工業株式会社 | スルホン酸誘導体、それを用いた光酸発生剤、レジスト組成物及びデバイスの製造方法 |
| US10216084B2 (en) | 2014-12-05 | 2019-02-26 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Sulfonic acid derivative, photoacid generator using same, resist composition, and device manufacturing method |
| JP2016212241A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東洋合成工業株式会社 | レジスト組成物、スルホン酸誘導体、該スルホン酸誘導体の製造方法及びデバイスの製造方法 |
| JP6991792B2 (ja) | 2016-09-02 | 2022-02-03 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2018039796A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-15 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| US11467493B2 (en) | 2017-11-01 | 2022-10-11 | Lg Chem, Ltd. | Chemically amplified photoresist composition and photoresist film using the same |
| JP2019156831A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2019156832A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7224970B2 (ja) | 2018-03-08 | 2023-02-20 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7224971B2 (ja) | 2018-03-08 | 2023-02-20 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7067831B2 (ja) | 2018-10-11 | 2022-05-16 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
| JP2021512854A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-05-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
| JP2021517151A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-07-15 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
| JP7001177B2 (ja) | 2018-10-11 | 2022-01-19 | エルジー・ケム・リミテッド | 化合物、これを含むフォトレジスト組成物、これを含むフォトレジストパターン及びフォトレジストパターンの製造方法 |
| JP7028136B2 (ja) | 2018-10-24 | 2022-03-02 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| JP2020066584A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| JP7056524B2 (ja) | 2018-11-15 | 2022-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| US11435666B2 (en) | 2018-11-15 | 2022-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Salt compound, chemically amplified resist composition, and patterning process |
| JP2020083760A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| JP2020109080A (ja) * | 2019-01-04 | 2020-07-16 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7441642B2 (ja) | 2019-01-04 | 2024-03-01 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7065164B2 (ja) | 2019-10-15 | 2022-05-11 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー | ポリマー及びフォトレジスト組成物 |
| JP2021063217A (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ポリマー及びフォトレジスト組成物 |
| WO2023228845A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102781911B (zh) | 2015-07-22 |
| CN102781911A (zh) | 2012-11-14 |
| WO2011104127A1 (en) | 2011-09-01 |
| EP2539316A1 (en) | 2013-01-02 |
| TWI523835B (zh) | 2016-03-01 |
| KR101813298B1 (ko) | 2017-12-28 |
| TW201139351A (en) | 2011-11-16 |
| KR20120123716A (ko) | 2012-11-09 |
| EP2539316B1 (en) | 2019-10-23 |
| JP5850863B2 (ja) | 2016-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5850863B2 (ja) | 潜在性酸及びそれらの使用 | |
| US8580478B2 (en) | Latent acids and their use | |
| JP4560507B2 (ja) | ハロゲン化オキシム誘導体及び潜在的酸としてのそれらの使用 | |
| TWI496766B (zh) | 鋶衍生物及其作為潛酸之用途 | |
| CN1989455B (zh) | 肟衍生物和它们作为潜伏酸的用途 | |
| KR100753350B1 (ko) | 요오도늄 염 및 광개시제로서의 이의 용도 | |
| JP4620325B2 (ja) | オキシム誘導体及び潜在的酸としてのその使用 | |
| CN102026967B (zh) | 锍盐引发剂 | |
| JP6671381B2 (ja) | 潜在酸およびそれらの使用 | |
| JP4294317B2 (ja) | オニウム塩及びその潜在的酸としての使用 | |
| JP2009541254A (ja) | オキシムスルホネート及び潜酸としてのその使用 | |
| JP4408220B2 (ja) | 置換オキシム誘導体及びその潜在酸としての使用 | |
| JP2005517026A (ja) | スルホナート誘導体及び潜酸としてのその使用 | |
| CN102056913A (zh) | 锍衍生物及其作为潜酸的用途 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141211 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150413 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151102 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5850863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |