JP2013128154A

JP2013128154A - 発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニット

Info

Publication number: JP2013128154A
Application number: JP2013066840A
Authority: JP
Inventors: Sung Min Kong; ミンコン、ソン; Chong-Youl Kim; ヨルキム、チョン; Hee-Seok Choe; ソクチェ、ヒ
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: LG Innotek Co Ltd
Priority date: 2007-04-19
Filing date: 2013-03-27
Publication date: 2013-06-27
Also published as: US8890176B2; US20140145205A1; US9559275B2; US9018644B2; JP2012109612A; US8536586B2; JP3175433U; US8692262B2; US20110133240A1; KR20080094177A; US8299474B2; JP2015092639A; JP2012109611A; WO2008130140A1; US20120098018A1; JP2010525569A; US20110220952A1; JP2017011307A; US8022415B2; US7858993B2

Abstract

【課題】発光デバイスパッケージのキャビティ内部における光損失を減らす。
【解決手段】本発明による発光デバイスパッケージは一側にキャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティに底部フレーム及び側壁フレームを含む少なくとも１つのリードフレームと、前記リードフレームに電気的に連結された発光素子を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニットに関する。

ＬＥＤ（light emitting device）はＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系及びＩｎＧａＡｌＰ系などの化合物半導体材料を用いて発光源を構成することで、多様な色を具現することができる。

このようなＬＥＤの特性は、化合物半導体の材料、色及び輝度、輝度の強度範囲などに左右される。また、前記ＬＥＤはパッケージ化されて、カラーを表わす点灯表示器、文字表示器及び映像表示器などの多様な分野に適用されている。

本発明はキャビティの底面と少なくとも1つの側壁に、多端に折曲げられたリードフレームが設けられた発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニットを提供する。

また、本発明は複数のリードフレーム中の少なくとも1つのフレームは、キャビティの底面と両側壁に形成される発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニットを提供する。

また、本発明はリードフレームの側壁は、所定の角度で傾斜、または所定の曲率で曲折するように形成される発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニットを提供する。

本発明による発光デバイスパッケージは一側にキャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティ内に底部フレーム及び側壁フレームを含む少なくとも１つのリードフレームと、前記リードフレームに電気的に連結された発光素子を含む。

また、本発明による発光デバイスパッケージはキャビティを含むパッケージ本体と、前記キャビティの一側に底部フレームと少なくとも１つの側壁フレームを含む第１リードフレームと、前記キャビティの他側に底部フレームを含む第２リードフレームと、前記第１及び第２リードフレームに電気的に連結された発光素子を含む。

また、本発明によるライトユニットは複数の発光デバイスパッケージを含む発光装置と、前記発光装置の一側に設けられた光ガイドプレートと、前記光ガイドプレートの上及び/または下に設けられた光学部材を含み、前記発光デバイスパッケージはキャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティ内の底部フレーム及び側壁フレームを含む少なくとも１つのリードフレームと、前記リードフレームに電気的に連結された発光素子を含む。

本発明は発光デバイスパッケージのキャビティ内部における光損失を減らすことができる。

また、本発明は発光デバイスパッケージのキャビティ内部における中心光度を改善することができる。

また、本発明は発光デバイスパッケージのキャビティに、反射金属または反射物質がメッキされたリードフレームを用いて、反射光量を増加させることができる。

また、発光デバイスパッケージのリードフレームに対する熱抵抗及び熱特性を改善することができる。

本発明による発光デバイスパッケージの平面図である。図１のＸ軸に沿った断面図である。図１におけるリードフレームを示す斜視図である。図１のＹ軸に沿った断面図である。本発明による発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの第１変形例を示す断面図である。本発明による発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの第２変形例を示す断面図である。本発明によるリードフレームの第３変形例を示す図面である。本発明によるリードフレームの第４変形例を示す図面である。本発明によるリードフレームの第５変形例を示す図面である。本発明によるリードフレームの第６変形例を示す図面である。図４の発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの角度及び先/後メッキによる光度を比較した図面である。図４の発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの角度及び先/後メッキによる光束を比較した図面である。図１の発光デバイスパッケージを適用した表示装置を示す斜視図である。

以下、添付された図面を参照しながら、本発明による発光デバイスパッケージに対して説明する。

図１は第１実施例による発光デバイスパッケージを示す正面図であり、図２は図１のＸ軸に沿った断面図であり、図３は図１のリードフレームを示す斜視図である。

図１及び図２に示しているように、発光デバイスパッケージ１００は側面発光型または上面発光型パッケージ製品として、直六面体または正六面体などのような多角形の形状で形成され、液晶表示装置のバックライト用光源、照明分野などのライトユニットに適用することができる。以下では、説明の便宜を図り、側面発光型発光ダイオードパッケージを例に説明することにする。

前記発光デバイスパッケージ１００はキャビティ１２０を有するパッケージ本体１１０、リードフレーム１３０、１４０及び発光素子（Light emitting device）１５０を含む。

前記パッケージ本体１１０はポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリアミド９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）中のいずれか１つの材質から形成される。

前記パッケージ本体１１０の上面には所定深さのキャビティ１２０を含む。ここで、前記パッケージ本体１１０は、第１方向をＸ軸、第２方向をＹ軸とし、Ｘ軸方向のパッケージ本体の長さはＹ軸方向のパッケージ本体の幅より大きく形成することができるが、このようなパッケージ本体に限定されるものではない。

前記パッケージ本体１１０の上部には複数のリードフレーム１３０、１４０が射出成形される。前記複数のリードフレーム１３０、１４０の一部は前記パッケージ本体１１０のキャビティ１２０に露出する。

図１乃至図３に示しているように、前記リードフレーム１３０、１４０はキャビティ１２０の底面フレーム１３１、１４１と側壁フレーム１３２、１４２を含む。前記底面フレーム１３１、１４１の他端はパッケージ本体１１０のＸ軸方向にそれぞれ貫通し、外部電極１３３、１４３として利用することができる。前記側壁フレーム１３２、１４２は底面フレーム１３１、１４１に垂直する軸（Ｚ）を基準として、外側へ所定角度傾斜するように形成される。ここで、前記外部電極１３３、１４３は底面フレーム１３１、１４１と、両側壁フレーム１３２、１４２中のいずれか１つのフレームから形成することができる。

前記リードフレーム１３０、１４０は鉄（Ｆｅ）、錫（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム、銀、金、銅及びこれらの合金形態の組合からなる高反射金属中のいずれか１つで射出成形される。

前記複数のリードフレーム１３０、１４０中の１つは、例えば、三つの面が所定の角度に折曲げられた形状（例えば、略Ｃ字状）に形成され、残りの１つは底面フレーム１３１、１４１からなることができる。または、複数のリードフレーム１３０、１４０中少なくとも１つは、底面フレーム１３１、１４１と少なくとも１つの側壁フレーム１３２、１４２からなることができる。本発明において、複数のリードフレーム１３０、１４０は必ず同一形状に形成することはなく、またこれに限定されない。

前記リードフレーム１３０、１４０はキャビティ１２０内部に一体化されており、相互異なる長さで形成することができる。前記リードフレーム１３０、１４０の厚さは２０〜３００μｍに形成することができる。

前記リードフレーム１３０、１４０の間には分離膜１２５が形成され、前記分離膜１２５はパッケージ本体１１０の一部として複数のリードフレーム１３０、１４０の間を構造的に離隔させる。これによって複数のリードフレーム１３０、１４０は電極、及び光を反射する役割をする。

前記キャビティ１２０のＸ軸方向の両側面、即ち左右の側面１２１、１２２はパッケージ本体の一部として所定の角度に傾斜するように形成される。前記キャビティ１２０に設けられた前記分離膜１２５及び左右の側面１２１、１２２は、パッケージ本体１１０の成形時にキャビティ１２０と一体に形成することができる。

前記発光素子１５０はキャビティ１２０に設けられた少なくとも一つのリードフレーム１３０、１４０に取付けられ、ワイヤ１５２を介在して前記リードフレーム１３０、１４０に連結される。前記発光素子１５０は複数のリードフレーム１３０、１４０にワイヤボンディング、フリップボンディング、ダイボンディング等の方式を用いて搭載することができる。

また、前記発光素子１５０は第３族元素と第５族元素の化合物半導体として、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＧａＡｓ系のＬＥＤチップ中いずれか１つを、１つ以上含むことができる。また、発光素子１５０の保護のためにツェナーダイオードのような保護素子を搭載することもできる。

一方、前記発光デバイスパッケージ１００は、具現する形態によって青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体（例えば、シリケート系蛍光体）、オレンジ蛍光体、グリーン蛍光体、赤色蛍光体を用いた白色発光素子より具現することができる。また、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップ、黄色ＬＥＤチップ、黄緑ＬＥＤチップ、紫外線（UV）ＬＥＤチップ中の少なくとも１つ、または１つ以上を組合せて、光源として具現することもできる。

なお、前記キャビティ１２０には発光素子１５０を保護するための樹脂（図示していない）をモールディングすることができる。前記樹脂は透明な材質のエポキシ、またはシリコンなどを用いることができ、必要に応じて蛍光体粉末を添加してモールディングすることもできる。前記樹脂はモールディング液、または添加物を使用目的、使用環境、製品の特性に応じて選択的に使用することができ、これに限定されない。また、前記樹脂の表面はフラット形態、凹レンズ形態、凸レンズ形態中のいずれか１つの形態に形成することができる。

図４は図１のＹ軸に沿った断面図である。以下、前記複数のリードフレーム中の１つのリードフレーム１３０を例として説明するが、複数のリードフレームが、後述されるような同一条件で形成されると限定するものではない。

図４に示しているように、パッケージ本体１１０の高さＨ１は所定の高さ、例えば、最大１ｍｍに形成することができる。前記リードフレーム１３０の側壁フレーム１３２の内部角度θ１は例えば、３０°に形成することができる。また、前記両側壁フレーム１３２は前記リードフレーム１３０の底部フレーム１３１に垂直する軸を基準として同じ角度、例えば、１５°程度に傾斜、または相互異なる角度で形成することができる。

前記リードフレーム１３０の側壁フレーム１３２の内部角度θ１によって両側壁フレーム１３２間の間隔Ｄ１が違うようになる。また、リードフレーム１３０の底部フレーム１３１の幅Ｗ１は例えば、３００〜３１０μｍに形成することができる。

図５は本発明による発光デバイスパッケージにおいて、リードフレーム第１変形例を示す断面図である。なお、リードフレームの第１変形例を説明するに当り、図４と同じ部分には同一符号を付け、重なる説明は省略することにする。

図５に示しているように、パッケージ本体１１０の高さＨ２及び底部フレーム１３１の幅Ｗ２は図４と同一、または異なり、リードフレーム１３０Ａの両側壁フレーム１３２の内部角度θ２は、例えば、４５°に形成することができる。ここで、前記各側壁フレーム１３２は底部フレーム１３１に垂直する軸を基準として２２.５°程度に傾斜して形成することができる。このようなリードフレーム１３０Ａの両側壁フレーム１３２の内部角度θ２が大きくなるほど両側壁フレーム１３２間の間隔（Ｄ２＞Ｄ１）は大きくなる。このような両側壁フレーム１３２間の間隔Ｄ２が大きくなれば、キャビティ１２０の表面幅を増加させることができる。

図６は本発明による発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの第２変形例を示す断面図である。このようなリードフレームの第２変形例を説明するに当り、図４と同じ部分には同一符号を付け、重なる説明は省略することにする。

図６に示しているように、パッケージ本体１１０の高さＨ１及び底部フレーム１３１の幅Ｗ３は図４と同一、または異なり、リードフレーム１３０Ｂの両側壁フレーム１３２の内部角度θ２は例えば、６０°に形成することができる。即ち、各側壁フレーム１３２は底部フレーム１３１に垂直する軸を基準として３０°に傾斜することになる。このようなリードフレーム１３０Ｂの両側壁フレーム１３２の内部角度θ３が大きくなることによって、間隔（Ｄ３＞Ｄ２＞Ｄ１）はより広くなることができる。

図７乃至図１０は本発明によるリードフレームの第３乃至第６変形例を示す図面である。

図７に示しているように、リードフレーム１３０Ｃは底部フレーム１３１に対して両側壁フレーム１３２が直角に折曲げられる。この場合、前記底部フレーム１３１の幅Ｗ４、または側壁フレーム１３２間の間隔Ｄ４は４２０μｍ、リードフレーム１３０Ｃのキャビティの深さＨ４は３００〜４５０μｍに形成することができる。

図８に示しているように、リードフレーム１３０Ｄは底部フレーム１３１に垂直する軸を基準とした一方の側壁フレーム１３２の角度θ４が１５°に傾斜した構造である。この場合、リードフレーム１３０Ｄのキャビティの深さＨ５は３８６μｍ〜３３８μｍ、側壁フレーム１３２間の間隔Ｄ５は６００〜６２６μｍに形成することができる。ここで、前記底部フレーム１３２の幅Ｗ５は例えば、４２０μｍで同一に形成することができる。

図９に示しているように、リードフレーム１３０Ｅは底部フレーム１３１に垂直する軸を基準とした一方の側壁フレーム１３２の角度θ５が３０°に傾斜した構造である。この場合、リードフレーム１３０Ｅのキャビティの深さＨ６は３０３〜３４６μｍ、両側壁フレーム１３２間の間隔Ｄ６は７７０〜８５０μｍに形成することができる。ここで底部フレーム１３１の幅Ｗ６は４２０μｍ〜４５０μｍ程度である。

図１０に示しているように、リードフレーム１３０Ｆは底面フレーム１３１に垂直する軸を基準として両側壁フレーム１３２Ａが一定の角度に傾斜し、所定の曲率で曲折されて形成される。即ち、側壁フレーム１３２Ａは効率的な光反射のために所定の角度に傾斜して、半球型の形状に形成される。

上記のような実施例において、リードフレームは底部フレームに対するいずれか一方の側壁フレーム１３２の傾斜角度が１５〜３０°、キャビティの深さが２５０〜７５０μｍ、両側壁フレーム間の間隔が６００〜８５０μｍである時、最高効率を示している。また、高反射金属からなるリードフレーム、または高反射金属材料がメッキされたリードフレームは９５%以上の反射率を有し、熱抵抗値と熱特性が改善される。また、傾斜する側壁フレームは中心光度を改善させることができる。

図１１は図４の発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの角度及び先/後メッキによる光度（光の強度）を比較した図面であり、図１２は図４の発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの角度、及び先/後メッキによる光束、または光量を比較した図面である。図１１及び図１２に図示されているボックスプロットは、同一光度と同一光束のスペックを有する青色ＬＥＤチップを用いている。また、前記の光度及び光束の測定試料は同一試料を適用している。

図１１及び図１２に示しているように、図４の発光デバイスパッケージにおいて、リードフレームの内部角度θ１を変更しながら、各発光デバイスパッケージ＃１〜＃５の光度を測定した。ここで、第１、第２、第３、第５発光デバイスパッケージ＃１、＃２、＃３、＃５は、先にベンディングしてパンチングした後、ＡｇでメッキＡ（後メッキ）したリードフレームを備えたサンプルであり、第４発光デバイスパッケージ＃４は、先にＡｇでメッキＢ（先メッキ）した後、ベンディングしてパンチングしたリードフレームを備えたサンプルである。

そして、第１乃至第５発光デバイスパッケージ＃１〜＃５のリードフレームの内部角度は、それぞれ０°、３０°、４５°、５５°、５５°である。

図１１はリードフレームの角度による発光デバイスパッケージの光度を比較した図面であり、その結果を表１に示す。

図１１及び表１に示しているように、リードフレームの角度と先メッキＢ、または後メッキＡによって、光度（１cd=１０００mcd）の差が発生する。ここで、前記第２発光デバイスパッケージ＃２は第１発光デバイスパッケージ＃１の内部角度より３０°大きく形成され、光度は４１.８%程度増加される。また、第３発光デバイスパッケージ＃３は第２発光デバイスパッケージ＃２の内部角度より１５°大きく形成され、光度は２.６%増加される。また、第５発光デバイスパッケージ＃５は第３発光デバイスパッケージ＃３の内部角度より１０°大きく形成され、光度は７.０%増加される。

図１２はリードフレームの角度による発光デバイスパッケージの光束を比較した図面であり、その結果を表２に表す。

図１２と表２に示しているように、リードフレームの角度と先メッキB、または後メッキＡによって光量Lmの差が発生する。ここで、前記第２、第３、第５発光デバイスパッケージはリードフレームの内部角度が、それぞれ３０°、４５°、５５°に増加され、光束もそれぞれ２４%、２６.７%（=２４%+２.７%）、２８.２%（=２４%+２.７%+１.５%）に増加されることが分かる。

また、図１１及び図１２において、第４発光デバイスパッケージ＃４は先メッキのリードフレームを具備し、第５発光デバイスパッケージ＃５は後メッキのリードフレームを具備している。この時、前記第４及び第５発光デバイスパッケージ＃４、＃５のリードフレームの内部角度は同一であるが、前記第４発光デバイスパッケージ＃４のリードフレームが先メッキされるので、リードフレームのベンディング時Ａｇメッキの面が損傷され、光効率が落ちることが分かる。

よって、発光デバイスパッケージはリードフレームの内部角度が３０°〜５５°の時最適な光度を示しており、また、メッキの場合、後メッキ方式が先メッキ方式より光効率面においてより優れる特性を示している。また、リードフレームの表面に高反射金属、または高反射物質がメッキされた場合、９５%以上の反射率を有し、熱抵抗値及び熱特性を改善することができる。また、傾斜する側壁フレームによって、中心光度を改善することができる。

このような発光デバイスパッケージは指示分野、表示分野などに適用することができ、端末機に表示装置と一体で提供することもできる。

図１３は本発明による発光デバイスパッケージを適用した表示装置を示す斜視図である。

図１３に示しているように、表示装置２００は発光デバイスパッケージ１００を含む発光装置１０４、反射プレート２０１、光ガイドプレート２０３、光学シート２０５及び表示パネル２０７を含む。

表示装置２００は複数の発光デバイスパッケージ１００が基板１０２に搭載された構造である。前記発光デバイスパッケージ１００は図１ないし図３に図示されているように、複数のリードフレームは、底部フレームとその両側壁フレームが一体に形成された構造、または前記変形例中のいずれか１つで具現することもできる。

このような表示装置２００は光ガイドプレート２０３の少なくとも一側面に対応され、発光された光は前記光ガイドプレート２０３の側面に入射される。

前記光ガイドプレート２０３は入射された光を全領域にガイドした後、面光源として放出する。また、前記光ガイドプレート２０３のいずれか１つの面は、反射パターン（図示していない）を形成することができる。

前記反射プレート２０１は光ガイドプレート２０３の下に設けられ、前記光ガイドプレート２０３から下方に漏れる光を反射させる。

前記光ガイドプレート２０３から放出された光は、光学シート２０５によって表示パネル２０７に照射される。ここで、前記光学シート２０５は拡散シート（図示していない）、水平プリズムシート（図示していない）、垂直プリズムシート（図示していない）中少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは光ガイドプレート２０３の上に設けられ、入射される光を拡散させる。前記水平及び垂直プリズムシートは前記拡散シートの上に設けられ、拡散される光を表示領域に集光させる。

ここで、表示装置２００、光ガイドプレート２０３、光学シート２０５はライトユニットに定義することができる。前記ライトユニットは反射プレート２０１を含むこともできる。また、前記ライトユニットの構成要素の一部は、図示しないモールドフレーム、シャシー構造、金属ボトムカバーなどのような構造物に収納することができる。

前記表示パネル２０７は液晶パネルとして、二つの透明基板（図示していない）と液晶（図示していない）を含み、透過する光と液晶の駆動によって情報を表わすことができるが、このような表示パネル２０７に限定されるものではない。また、光ガイドプレート２０３の両側へ表示パネルを配置することもできる。

このような表示装置２００は携帯電話、ＰＭＰなどの携帯端末機やコンピュータに適用することができる。

以上、本発明を、実施例を中心にして説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するものではない。本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を脱しない範囲内で、以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることは自明である。また、本発明の実施例において、具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異は、添付された請求範囲にて規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

１００発光デバイスパッケージ、１１０パッケージ本体、１２０キャビティ、１２５分離膜、１３０、１４０リードフレーム、１３３外部電極、１５０発光素子、１５２ワイヤ

Claims

キャビティが形成された本体と、
前記本体を一軸方向に貫通する貫通部及び前記キャビティに露出する露出部を含む第１及び第２リードフレームと、
前記第１リードフレームの前記露出部に配置され、前記第１及び第２リードフレームと電気的に連結された発光素子と
を備え、
前記第１リードフレームは、前記露出部を形成する第１底面フレームと、前記第１底面フレームから前記貫通部の一軸とは異なる他の軸方向に延びて、前記第１底面フレームに垂直する軸を基準として１５度以上の角度傾斜するように配置された側壁フレームとを有する、
発光素子パッケージ。
前記側壁フレームと前記発光素子は前記他の軸方向に重なる、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
前記側壁フレームは、前記第１底面フレームに垂直する軸を基準として相互異なる角度で傾斜された第１側壁フレーム及び第２側壁フレームを含む、請求項１又は請求項２に記載の発光素子パッケージ。
前記第２リードフレームは、前記キャビティに前記第１底面フレームとは離隔して配置される第２底面フレームを有し、
前記第１底面フレームと前記第２底面フレームは同じ高さで配置される、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１リードフレームの露出部の上面は、平らな形状である、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１リードフレームの貫通部の上面は、平らな形状である、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１リードフレームの貫通部は、前記本体の外部に露出される、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１及び第２のリードフレームの貫通部のうち少なくとも１つは、前記本体の外部に延びて外部電極となる、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記一軸方向と前記他の軸方向は直交する、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記本体は、背面に凹部を有する、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１及び第２リードフレームは、鉄（Ｆｅ）、錫（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム、銀、金、銅のうちいずれか一つ、又はこれらの合金形態の組合からなる金属中のいずれか１つで形成される、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１及び第２リードフレーム上に形成された反射層をさらに備える、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記側壁フレームは、前記第１底面フレームに垂直する軸を基準として傾斜角度が１５度乃至３０度である、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記側壁フレームは、前記第１底面フレームに垂直する軸を基準として傾斜した第１及び第２側壁フレームを有し、
前記第１側壁フレームと前記第２側壁フレーム間の内部角度が３０度乃至６０度である、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記本体のキャビティの深さは２５０μｍ乃至７５０μｍである、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記側壁フレームは、前記第１底面フレームに垂直する軸を基準として傾斜した第１及び第２側壁フレームを有し、
前記第１側壁フレームと前記第２側壁フレーム間の間隔は６００μｍ乃至８５０μｍである、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１底面フレームの幅は、３００μｍ乃至４５０μｍである、請求項１乃至１６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１リードフレームの厚みは、２０μｍ乃至３００μｍである、請求項１乃至１７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記発光素子は、第３族元素と第５族元素の化合物半導体を含む、請求項１乃至１８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記第１リードフレームと連結された外部電極をさらに備える、請求項１乃至１９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
前記本体の前記一軸方向の長さは、前記本体の前記他の軸方向の幅より大きい、請求項１乃至２０のいずれかに記載の発光素子パッケージ。