JP6862141B2 - 発光素子パッケージ及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明の実施例は、発光素子パッケージ及び照明装置に関する。

発光素子（Light Emitting Device）は、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種で、既存の蛍光灯、白熱灯を代替して次世代光源として脚光を浴びている。

発光ダイオードは、半導体素子を利用して光を生成するので、タングステンを加熱して光を生成する白熱灯、または高圧放電を通じて生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光を生成する蛍光灯に比べて非常に低い電力のみを消耗する。

また、発光ダイオードは、半導体素子の電位ギャップを利用して光を生成するので、既存の光源に比べて応答特性が早く、長寿命、環境に優しい特徴を有する。

これによって、既存の光源を発光ダイオードに代替するための多くの研究が行われており、発光ダイオードは室内外で使用される各種のランプ、液晶表示装置、電光掲示板、街灯などの照明装置の光源として使用が増加している。

実施例は、光抽出効率を改善できる発光素子パッケージ及び照明装置を提供する。

本発明の実施例は、光束を向上させることができる発光素子パッケージ及び照明装置を提供する。

実施例の発光素子パッケージは、第１リードフレームと、第１リードフレームから離隔した第２リードフレームと、第１及び第２リードフレームに結合され、第１リードフレームの上部面の一部を露出させる第１キャビティ、第２リードフレームの上部面の一部を露出させる第２キャビティ、及び前記第１及び第２リードフレームの間に配置されたスペーサーを含む胴体と、第１キャビティ内に配置された少なくとも１つ以上の発光素子と、第２キャビティ内に配置された保護素子と、を含み、第２キャビティは第１キャビティの第１内側面に配置され、第１内側面は前記スペーサーの上面と連結され、第１キャビティの底面の面積は、胴体の総面積の４０％以下である。

実施例の発光素子パッケージは、発光素子が実装される第１リードフレームを露出させる第１キャビティと、保護素子が実装される第２リードフレームを露出させる第２キャビティを含み、露出した前記第１リードフレームの面積が胴体の総面積の２０％ないし４０％の範囲を有するようにすることで、第１リードフレームに吸収される光損失を改善することができる。

また、実施例の発光素子パッケージは、露出した第２リードフレームの面積が胴体の総面積の３％ないし１０％の範囲を有するようにすることで、光損失を最小化することができる。

また、実施例の発光素子パッケージは、第２キャビティの第５内側面の曲率（Ｒ）が０．１ｍｍないし０．３ｍｍの範囲を有するようにすることで、発光素子から発光した光の全反射を改善して、光抽出効率を向上させることができる。

また、他の実施例に係る発光素子パッケージは、第２キャビティ内に保護素子を覆う反射モールディング部が配置されて前記保護素子に提供されて、損失される光を反射させるので、光抽出効率をさらに向上させることができる。

また、他の実施例に係る発光素子パッケージは、保護素子の上に配置された反射モールディング部が、発光素子が配置された第１キャビティの底面に位置した保護素子のワイヤボンディング部まで延長される。したがって、他の実施例は、第１キャビティから露出するリードフレームの面積を減らし、ワイヤボンディング部及びワイヤによって損失される光を反射させて、光抽出効率をさらに向上させることができる。

第１実施例に係る発光素子パッケージを示した斜視図である。 第１実施例に係る発光素子パッケージを示した平面図である。 第１実施例に係る第１及び第２リードフレームの上部を示した斜視図である。 第１実施例に係る第１及び第２リードフレームの下部を示した斜視図である。 第１実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。 図２のＩ―Ｉ’線で切断した発光素子パッケージを示した断面図である。 図２のＩＩ―ＩＩ’線で切断した発光素子パッケージを示した断面図である。 比較例と第１実施例の光束を比較したグラフである。 第２実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。 第３実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。 第４実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。 第４実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した断面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した断面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した断面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 反射モールディング部の他の実施例の発光素子パッケージを示した断面図である。 実施例の発光素子パッケージに含まれた発光チップを示した断面図である。 実施例の発光素子パッケージに含まれた他の例の発光チップを示した断面図である。 実施例の発光素子パッケージを含む表示装置を示した斜視図である。 実施例の発光素子パッケージを含む表示装置の他の例を示した断面図である。

実施例を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上／の上（on/over）”に、 または“下（under）”に形成されると記載される場合において、“上／の上（on/over）”と“下 （under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されるものを全て含む。また、各層の上／の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。

図１は、第１実施例に係る発光素子パッケージを示した斜視図であり、図２は、実施例に係る発光素子パッケージを示した平面図である。

図３は、第１実施例に係る第１及び第２リードフレームの上部を示した斜視図であり、図４は、第１実施例に係る第１及び第２リードフレームの下部を示した斜視図であり、図５は、第１実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。

図６は、図２のＩ―Ｉ’線で切断した発光素子パッケージを示した断面図であり、図７は、図２のＩＩ―ＩＩ’線で切断した発光素子パッケージを示した断面図である。

図１ないし図７に示されたように、第１実施例に係る発光素子パッケージ１１０は、第１リードフレーム１７０、第２リードフレーム１８０、胴体１２０、保護素子１６０、第１及び第２発光素子１５１、１５３を含むことができる。

前記第１及び第２リードフレーム１７０、１８０は、一定間隔離隔して前記胴体１２０と結合される。前記第１リードフレーム１７０には、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３が実装され、前記第２リードフレーム１８０には、前記保護素子１６０が実装される。前記第１リードフレーム１７０の幅は、前記第２リードフレーム１８０の幅より大きいが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２リードフレーム１７０、１８０は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１及び第２リードフレーム１７０、１８０は、 チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタルニウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも１を含むことができ、単層または多層に形成することができる。

前記第１リードフレーム１７０は、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３が実装される上部面１７０ａと、前記胴体１２０の下部から露出する下部面１７０ｂを含むことができる。前記第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａ及び下部面１７０ｂは、平坦な面である。前記第１リードフレーム１７０は、前記第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの上に配置された第１リセス部１７１と、前記第１リードフレーム１７０の下部面１７０ｂの上に配置された第１段差部１７３を含むことができる。前記第１リセス部１７１は、前記第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａから前記下部面１７０ｂの方向に凹んだ形状である。前記第１リセス部１７１は、前記上部面１７０ａの縁と隣接する。前記第１リセス部１７１はリング状、四角形の帯状であるが、これに限定されるものではない。前記第１リセス部１７１は、角が曲がっているラウンド状であるが、これに限定されるものではない。前記第１リセス部１７１は、前記胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができる。また、第１リセス部１７１は、凹構造によって外部の湿気の浸透を改善することができる。前記第１リセス部１７１は、前記第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの一部がエッチングされて形成されるが、これに限定されるものではない。前記第１リセス部１７１の深さは、前記第１リードフレーム１７０の厚さの５０％であるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第１リセス部１７１の深さは、前記第１リードフレーム１７０の厚さの５０％以下である。前記第１リセス部１７１は、前記第１段差部１７３から一定間隔離隔する。即ち、第１リセス部１７１は、前記第１段差部１７３と垂直に重なった領域を含まない。

前記第１リセス部１７１は、胴体１２０から前記第１リードフレーム１７０の上部面の一部を露出させる第１キャビティ１３０の外側に配置される。前記第１リセス部１７１は、第１段差部１７３の内側に配置される。詳しくは、前記第１リセス部１７１は、前記第１リードフレーム１７０の外側面から前記第１リードフレーム１７０の短軸幅の５％〜３０％内の領域に配置される。ここで、前記第１リードフレーム１７０の長軸はＸ−Ｘ’であり、前記第１リードフレーム１７０の短軸はＹ−Ｙ’である。

前記第１リセス部１７１は、前記第１リードフレーム１７０の外側面から前記第１リードフレーム１７０の短軸幅の５％未満の領域に配置される場合、前記第１段差部１７３の幅及び面積が小さくなって胴体１２０との結合力が低下し、外部の湿気の浸透を改善することが困難である。前記第１リセス部１７１は、前記第１リードフレーム１７０の外側面から前記第１リードフレーム１７０の短軸幅の３０％を超過する領域に配置される場合、第１キャビティ１３０に一部が露出して胴体１２０との結合力が低下し、外部の湿気の浸透を改善することが困難である。例えば、前記第１リードフレーム１７０の短軸幅が１．９２０ｍｍである場合、前記第１リセス部１７１は前記第１リードフレーム１７０の隣接した外側面から１００μｍないし５８０μｍ離隔した領域内に配置される。

前記第１リセス部１７１は、一定な幅を含むことができる。例えば、前記第１リセス部１７１は、前記第１リードフレーム１７０の短軸幅の３％〜１５％の幅を含むことができる。前記第１リセス部１７１の幅が前記第１リードフレーム１７０の短軸幅の３％未満である場合、胴体１２０と接する面積が小さくなって胴体１２０との結合力が低下し、外部の湿気の浸透を改善することが困難である。前記第１リセス部１７１の幅が前記第１リードフレーム１７０の短軸幅の１５％を超過する場合、第１リードフレーム１２０の剛性が低下する。例えば、前記第１リードフレーム１７０の短軸幅が１．９２０ｍｍである場合、前記第１リセス部１７１の幅は５０μｍないし２９０μｍである。

前記第１段差部１７３は、前記第１リードフレーム１７０の下部面１７０ｂの縁に配置される。前記第１段差部１７３は、前記第１リードフレーム１７０の下部面の縁に沿って連結される。前記第１段差部１７３はリセス状であり、断面が階段構造であるが、これに限定されるものではない。前記第１段差部１７３は、前記胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができる。また、前記第１段差部１７３は、段差構造によって外部の湿気の浸透を改善することができる。前記第１段差部１７３は、前記第１リードフレーム１７０の下部面１７０ｂの縁の一部がエッチングされて形成されるが、これに限定されるものではない。前記第１段差部１７３の厚さは、前記第１リードフレーム１７０の厚さの５０％であるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第１段差部１７３の厚さは、前記第１リードフレーム１７０の厚さの５０％以上である。前記第１段差部１７３は、前記第１リセス部１７１より外側に配置される。

前記第１リードフレーム１７０は、外側方向に突出した複数の第１突出部１７７を含むことができる。前記第１突出部１７７は、前記第１段差部１７３から外側方向に突出する。即ち、前記第１突出部１７７の厚さは、前記第１リードフレーム１７０の厚さより薄い。前記第１突出部１７７それぞれの水平幅は互いに異なるが、これに限定されるものではない。前記第１突出部１７７の端は、前記胴体１２０の外側面から外部に露出する。図面には示されていないが、単位第１及び第２リードフレーム１７０、１８０は、金属フレーム（図示せず）をプレスで加工して多数の第１及び第２リードフレーム１７０、１８０が連結された状態で、胴体１２０の射出工程後に分離される。即ち、多数の第１及び第２リードフレーム１７０、１８０は、互いに連結された前記胴体１２０を結合するための射出工程が行われるため、多数の第１及び第２リードフレーム１７０、１８０を互いに連結するためのハンガー（図示せず）を含むことができる。前記第１突出部１７７は、単位第１及び第２リードフレーム１７０、１８０に分離する工程で前記第１リードフレーム１７０に連結された前記ハンガーの一部である。

前記第２リードフレーム１８０は、前記保護素子１６０が実装される上部面１８０ａと、前記胴体１２０の下部から露出する下部面１８０ｂを含むことができる。前記第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａと下部面１８０ｂは、平坦な面である。前記第２リードフレーム１８０は、前記第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの上に配置された第２リセス部１８１と、前記第２リードフレーム１８０の下部面１８０ｂの上に配置された第２段差部１８３を含むことができる。前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａから前記下部面１８０ｂの方向に凹んだ形状である。前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの縁と隣接する。前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の長方向に並んで配置される。前記第２リセス部１８１は、両端が曲がっている形態であるが、これに限定されるものではない。 前記第２リセス部１８１は、相互対向するように曲がっている両端を含むことができるが、これに限定されるものではない。前記第２リセス部１８１は、前記胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができる。また、第２リセス部１８１は、凹構造によって外部の湿気の浸透を改善することができる。前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの一部がエッチングされて形成されるが、これに限定されるものではない。前記第２リセス部１８１の深さは、前記第２リードフレーム１８０の厚さの５０％であるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第２リセス部１８１の深さは、前記第２リードフレーム１８０の厚さの５０％以下である。前記第２リセス部１８１は、前記第２段差部１８３から一定間隔離隔する。即ち、前記第２リセス部１８１は、前記第２段差部１８３と垂直に重なった領域を含まない。

前記第２リセス部１８１は、胴体１２０から前記第２リードフレーム１８０の上部面の一部を露出させる第２キャビティ１４０の外側に配置される。前記第２リセス部１８１は、第２段差部１８３の内側に配置される。詳しくは、前記第２リセス部１８１の両端１８０ｅは、前記第１リードフレーム１７０から最も遠い第２リードフレーム１８０の外側面から前記第２リードフレーム１８０の短軸幅の１５％〜８５％内の領域に配置される。ここで、前記第２リードフレーム１８０の長軸はＸ―Ｘ’であり、前記第２リードフレーム１８０の短軸はＹ―Ｙ’である。

前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の外側面から前記第２リードフレーム１８０の短軸幅の１５％未満の領域に配置される場合、前記第２段差部１８３の幅及び面積が小さくなって胴体１２０との結合力が低下し、外部の湿気の浸透を改善することが困難である。前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の外側面から前記第２リードフレーム１８０の短軸幅の８５％を超過する領域に配置される場合、第２キャビティ１４０に一部が露出するか、前記第２段差部１８３の幅及び面積が小さくなって胴体１２０との結合力が低下し、外部の湿気の浸透を改善することが困難である。例えば、前記第１リードフレーム１８０の短軸幅が０．６８０ｍｍである場合、前記第２リセス部１８１の両端１８０ｅは、前記第１リードフレーム１７０から最も遠い前記第２リードフレーム１８０の外側面から１００μｍないし５８０μｍ離隔した領域内に配置される。

前記第２リセス部１８１は、一定な幅を含むことができる。例えば、前記第２リセス部１８１は、前記第２リードフレーム１８０の短軸幅の７％〜４８％の幅を含むことができる。前記第２リセス部１８１の幅が前記第２リードフレーム１８０の短軸幅の７％未満である場合、胴体１２０と接する面積が小さくなって胴体１２０との結合力が低下し、外部の湿気の浸透を改善することが困難である。前記第２リセス部１８１の幅が前記第２リードフレーム１８０の短軸幅の４３％を超過する場合、第２リードフレーム１８０の剛性が低下する。例えば、前記第２リードフレーム１８０の短軸幅が０．６８０ｍｍである場合、前記第２リセス部１８１の幅は５０μｍ ないし２９０μｍである。

前記第２リセス部１８１の中心部（Ｃ）を基準に前記第２リードフレーム１８０の長軸（Ｘ−Ｘ’）に直線部１８１１、屈曲部１８１ｃ、及び両端１８１ｅを含むことができる。前記屈曲部１８１ｃは、前記第２リードフレーム１８０の短軸第２方向（Ｙ）から曲がる。前記屈曲部１８１ｃは、前記直線部１８１１から一定間隔離隔する。前記屈曲部１８１ｃは、前記第２リセス部１８１の中心部（Ｃ）から前記第２リードフレーム１８０の長軸（Ｘ−Ｘ’）方向に前記第２リセス部１８１の長軸の長さまたは幅の２０％ないし８０％内に配置される。例えば、前記屈曲部１８１ｃと直線部１８１１の境界領域１８１ｂは、前記第２リセス部１８１の中心部（Ｃ）から前記第２リードフレーム１８０の長軸（Ｘ−Ｘ’）方向に前記第２リセス部１８１の２０％ないし８０％内に配置される。

前記第２段差部１８３は、前記第２リードフレーム１８０の下部面１８０ｂの縁に配置される。前記第２段差部１８３は、前記第２リードフレーム１８０の下部面の縁に沿って連結される。前記第２段差部１８３は、リセス状であり、断面が階段構造であるが、これに限定されるものではない。前記第２段差部１８３は、前記胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができる。また、前記第２段差部１８３は、段差構造によって外部の湿気の浸透を改善することができる。前記第２段差部１８３は、前記第２リードフレーム１８０の下部面１８０ｂの縁の一部がエッチングされて形成されるが、これに限定されるものではない。前記第２段差部１８３の厚さは、前記第２リードフレーム１８０の厚さの５０％であるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第２段差部１８３の厚さは、前記第２リードフレーム１８０の厚さの５０％以上である。前記第２段差部１８３は、前記第２リセス部１８１より外郭に配置される。

前記第２リードフレーム１８０は、外側方向に突出した第２突出部１８７を含むことができる。前記第２突出部１８７は、前記第２段差部１８３から外側方向に突出する。即ち、前記第２突出部１８７の厚さは、前記第２リードフレーム１８０の厚さより薄い。前記第２突出部１８７それぞれの水平幅は互いに異なるが、これに限定されるものではない。前記第２突出部１８７の端は、前記胴体１２０の外側面から外部に露出する。前記第２突出部１８７は、単位第１及び第２リードフレーム１７０、１８０に分離する工程で前記第２リードフレーム１８０に連結された前記ハンガーの一部である。

前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、前記第１リードフレーム１７０の上に配置される。前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、前記胴体１２０から露出した前記第１リードフレーム１７０の上部面の上に配置される。実施例の前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、互いに直列連結された２つの構成を限定して説明しているが、これに限定されるものではなく、単一構成であってもよく、アレイ形態で構成してもよく、３つ以上で構成してもよい。前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、ワイヤ（Ｗ１）を介して連結されるが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は相互離隔し、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、胴体１２０から露出した第１リードフレーム１７０の上部面の上で前記第１リードフレーム１７０の対角線方向に対称になるように配置することができるが、これに限定されるものではない。

前記保護素子１６０は、前記第２リードフレーム１８０の上に配置される。前記保護素子１６０は、前記胴体１２０から露出した前記第２リードフレーム１８０の上部面の上に配置される。前記保護素子１６０は、ツェナーダイオード、サイリスタ（Thyristor）、ＴＶＳ（Transient Voltage Suppression）などであるが、これに限定されるものではない。実施例の保護素子１６０は、ＥＳＤ(Electro Static Discharge)から前記第１及び第２発光素子１５１、１５３を保護するツェナーダイオードを一例として説明する。前記保護素子１６０は、ワイヤ（Ｗ２）を介して前記第１リードフレーム１７０と連結される。

前記胴体１２０は、透光性材質、反射性材質、絶縁性材質のうち少なくとも１つを含むことができる。前記胴体１２０は、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３から放出された光に対して、反射率が透過率より高い物質を含むことができる。前記胴体１２０は、樹脂系の絶縁物質である。前記胴体１２０は、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Polyphthalamide）、エポキシまたはシリコン材質のような樹脂材質、シリコン（Si）、金属材質、ＰＳＧ（photo sensitive glass）、サファイア（Al₂O₃）、印刷回路基板（PCB）のうち少なくとも１つで形成することができる。前記胴体１２０は、一定な曲率を持つ外側面または角張った面を有する外側面を含むことができる。前記胴体１２０は、例えばトップビューの形状が円形または多角形状である。実施例の胴体１２０は、第１ないし第４外側面１２１〜１２４を含む多角形状を一例として説明する。

前記胴体１２０は、第１及び第２リードフレーム１７０、１８０と結合される。前記胴体１２０は、前記第１リードフレーム１７０の上部面の一部を露出させる第１キャビティ１３０を含むことができる。

前記胴体１２０は、前記第１及び第２リードフレーム１７０、１８０の間に配置されたスペーサー１２６を含むことができる。前記スペーサー１２６は、前記第１キャビティ１３０の底面に配置される。前記スペーサー１２６は、相互対面する前記第１及び第２段差部１７３、１８３と並んで配置される。前記スペーサー１２６は、前記第１及び第２段差部１７３、１８３と直接接することができる。前記スペーサー１２６は、絶縁物質であってもよく、前記胴体１２０の一部であってもよいが、これに限定されるものではない。前記スペーサー１２６は、前記第１及び第２段差部１７３、１８３の段差構造と対応する段差構造を含む。即ち、前記スペーサー１２６は、断面が水平に対称になる階段構造である。前記スペーサー１２６は、前記第１及び第２段差部１７３、１８３と接する段差構造によって第１及び第２リードフレーム１７０、１８０との接触面積が増加するため、結合力を向上させることができ、外部の湿気の浸透を改善することができる。

前記第１キャビティ１３０は、前記第１リードフレーム１７０を露出させる底面と、露出した前記第１リードフレーム１７０の縁に沿って位置した第１ないし第４内側面１３１〜１３４を含むことができる。前記第１内側面１３１は、前記第３内側面１３３と対向するように配置される。前記第２内側面１３２は、前記第４内側面１３４と対向するように配置される。前記第１ないし第４内側面１３１〜１３４は、前記胴体１２０の底面から傾斜するように配置される。

前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積は、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積の４０％以下である。例えば、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積は、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積の２０％ないし４０％である。詳しくは、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した第１リードフレーム１７０の面積は、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積の１２％ないし２６％である。例えば、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積が３．０ｍｍ×３．０ｍｍ基準である場合、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積は１．３９０ｍｍ×０．８４０ｍｍないし１．３９０ｍｍ×１．６８０ｍｍである。

実施例は、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積を前記胴体１２０の総面積の２０％ないし４０％の範囲を有するようにすることで、前記第１リードフレーム１７０に吸収される光損失を改善することができ、光抽出効率を向上させて光束を増加させることができる。前記第１キャビティ１３０の面積が２０％未満である場合、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３の実装のための空間の制約により、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３の実装工程上の問題を引き起こす可能性がある。前記第１キャビティ１３０の面積が４０％を超過する場合、前記第１ないし第４内壁面１３１〜１３４の面積が減少するめ、反射率が低下し、前記第１リードフレーム１７０の露出面積が増加して、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３の光が前記第１リードフレーム１７０に吸収されるため、光損失によって光抽出が低下する。

実施例において第１キャビティ１３０の相互対向する第１及び第３内側面１３１、１３３は、前記第１リードフレーム１７０の上部面に対して、相互異なる傾斜角を有することができる。前記第１内側面１３１の傾斜角（θ１）は、前記第３内側面１３３の傾斜角（θ２）より大きいが、これに限定されるものではない。

実施例は、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積によって相互対向する前記第１内側面１３１の傾斜角（θ１）及び前記第３内側面１３３の傾斜角（θ２）が決定される。例えば、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積が前記胴体１２０の総面積の２０％から３０％に増加する場合、前記第１内側面１３１の傾斜角（θ１）は、１６０度から１５６度に小さくなり、前記第３内側面１３３の傾斜角（θ２）は１４０度から１１９度に小さくなる。

前記第２及び第４内側面１３２、１３４は、前記第１リードフレーム１７０の上部面に対して、互いに同一の傾斜角を有することができる。前記第２内側面１３２の傾斜角（θ３）は前記第４内側面１３４の傾斜角と同一であるが、これに限定されるものではない。

前記胴体１２０は、前記第２リードフレーム１８０の上部面の一部を露出させる第２キャビティ１４０を含むことができる。前記第２キャビティ１４０は、前記第１キャビティ１３０の第１内側面１３１の上に位置する。前記第２キャビティ１４０は、前記第１内側面１３１を貫通して、前記第２リードフレーム１８０の上部面の一部を露出させることができる。例えば、前記第１キャビティ１４０のトップビューの形状は、円形、楕円、多角形状である。前記第２キャビティ１４０の底面に露出した前記第２リードフレーム１８０の面積は、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積の２０％以下である。例えば、前記第２キャビティ１４０の底面に露出した前記第２リードフレーム１８０の面積は、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１ないし１２４で取り囲まれる面積の３％ないし２０％である。実施例は、前記第２キャビティ１４０の底面に露出した前記第２リードフレーム１８０の面積を前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積の３％ないし２０％の範囲を有するようにすることで、前記第２リードフレーム１８０に吸収される光損失を改善することができ、光抽出効率を向上させて光束を増加させることができる。前記第２キャビティ１４０の面積が３％未満である場合、前記保護素子１６０の実装のための空間の制約により、前記保護素子１６０の実装工程上の問題を引き起こす可能性がある。前記第２キャビティ１４０の面積が２０％を超過する場合、反射率が低下して光損失によって光抽出が低下する。例えば、前記胴体１２０の第１ないし第４外側面１２１〜１２４で取り囲まれる面積が３．０ｍｍ×３．０ｍｍ基準である場合、前記第２キャビティ１４０の底面に露出した前記第２リードフレーム１８０の面積は０．３５０ｍｍ×０．１２０ｍｍないし２．０ないし１．３９０ｍｍ×１．６８０ｍｍである。

前記第２キャビティ１４０は、前記第２リードフレーム１８０を露出させる底面と、露出した前記第２リードフレーム１８０の縁に沿って位置した第５ないし第８内側面１４１〜１４４を含むことができる。前記第５内側面１４１は、前記第７内側面１４３と対向するように配置される。前記第５内側面１４１は、前記第７内側面１４３より高い高さを有することができる。前記第６内側面１４２は、前記第８内側面１４４と対向するように配置される。

前記第５内側面１４１は、前記第１内側面１３１の上で前記第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光を多様な方向で反射させることができるように、一定な曲率（Ｒ）を持つことができる。例えば、前記第５内側面１４１の曲率（Ｒ）は０．１ｍｍないし０．３ｍｍの範囲である。前記第５内側面１４１の曲率（Ｒ）は、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光の全反射を改善して、光抽出効率を向上させることができる。前記第５内側面１４１の曲率（Ｒ）が０．１ｍｍ未満である場合、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光は臨界角によって全反射するため、光損失を引き起こす可能性がある。前記第５内側面１４１の曲率（Ｒ）が０．３ｍｍを超過する場合、前記胴体１２０の厚さと高さの制限により、工程上の問題を引き起こす可能性がある。

前記第６ないし第８内側面１４２〜１４４は、一定な曲率を持つことができるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第６ないし第８内側面１４２〜１４４は、前記第１内側面１３１との境界領域のみに曲率を持つことができ、前記第５内側面１４１と対応する曲率を持つこともできる。また、前記第６ないし第８内側面１４２〜１４４それぞれの曲率は互いに異なる。

前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレーム１７０との間には境界部１３１ａが配置される。前記境界部１３１ａは、前記第１内側面１３１内に配置される。前記境界部１３１ａは、前記第２キャビティ１４０の第７内側面１４３と連結される。前記境界部１３１ａは、前記スペーサー１２６の上に配置される。前記境界部１３１ａは、前記スペーサー１２６と垂直に重なる。

前記境界部１３１ａは、前記保護素子１６０と対向する内側が前記保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有することができる。前記境界部１３１ａは、前記保護素子１６０と対向する内側が前記保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有するので、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光が前記保護素子１６０に直接提供されて損失される問題を改善することができる。例えば、前記境界部１３１ａの高さ（Ｈ）は、１００μｍないし３００μｍであり、前記保護素子１６０の高さは１００μｍ未満であるが、これに限定されるものではない。前記境界部１３１ａの高さ（Ｈ）が３００μｍを超過する場合、前記保護素子１６０と前記第１リードフレーム１７０との間を連結するワイヤ（Ｗ２）の連結工程が困難になる。

第１実施例の発光素子パッケージ１１０は、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３が実装される前記第１リードフレーム１７０の上部面を露出させる第１キャビティ１３０と、前記保護素子１６０が実装される前記第２リードフレーム１８０の上部面を露出させる第２キャビティ１４０を含み、前記第１キャビティ１３０の底面に露出した前記第１リードフレーム１７０の面積が前記胴体１２０の総面積の２０％ないし４０％の範囲を有するようにするで、前記第１リードフレーム１７０に吸収される光損失を改善することができる。また、実施例の発光素子パッケージ１１０は、前記第２キャビティ１４０の底面に露出した前記第２リードフレーム１８０の面積が前記胴体１２０の総面積の３％ないし１０％の範囲を有するようにすることで、第２キャビティ１４０による光損失を最小化することができる。

第１実施例の発光素子パッケージ１１０は、前記第２キャビティ１４０の第５内側面１４１の曲率（Ｒ）が０．１ｍｍないし０．３ｍｍの範囲を有するようにすることで、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光の全反射を改善して、光抽出効率を向上させることができる。

図８は、比較例と第１実施例の光束を比較したグラフである。

図８に示されたように、第１実施例は比較例より光束が３．６％以上向上する。

前記比較例は、１つのキャビティを有する胴体と、前記キャビティの底面に露出した第１及び第２リードフレームを含み、露出した第１及び第２リードフレームの面積が胴体の総面積の５０％を超過する構造である。

前記実施例は、図１ないし図７の技術的特徴を採用した発光素子パッケージである。

図９は、第２実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。

図９に示されたように、第２実施例に係る発光素子パッケージは、境界部２３１ａを除いて、図１ないし図７の第１実施例に係る発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記境界部２３１ａは、第１内側面１３１内に配置される。前記境界部２３１ａは、スペーサー１２６の上に配置され、前記スペーサー１２６と接する第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの一部及び第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの一部上に配置される。前記境界部２３１ａは、保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有することができる。前記境界部２３１ａは、前記保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有するので、第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光が前記保護素子１６０に直接提供されて損失される問題を改善することができる。

前記境界部２３１ａの短軸方向の一端は、前記スペーサー１２６の短軸方向の一端よりも前記第１及び第２発光素子１５１、１５３に隣接して配置される。前記境界部２３１ａの短軸方向の他端は、前記スペーサー１２６の短軸方向の他の端よりも前記保護素子１６０に隣接して配置される。

前記境界部２３１ａの短軸方向の幅（Ｄ１）は、前記スペーサー１２６の短軸方向の幅（Ｄ２）以上である。前記境界部２３１ａの短軸方向の幅（Ｄ１）は、前記スペーサー１２６の下部面の短軸方向の幅（Ｄ２）以上である。前記境界部２３１ａは絶縁物質であってもよく、胴体１２０の一部であってもよいが、これに限定されるものではない。例えば、前記境界部２３１ａは前記スペーサー１２６と同一物質であってもよい。

第２実施例に係る発光素子パッケージは、スペーサー１２６を覆う境界部２３１ａの構造によって、胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができ、外部の湿気の浸透を改善することができる。

図１０は、第３実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。

図１０に示されたように、第３実施例に係る発光素子パッケージは、境界部３３１ａを除いて、図１ないし図７の第１実施例に係る発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記境界部３３１ａは、第１内側面１３１内に配置される。前記境界部３３１ａは、スペーサー１２６の上に配置され、前記スペーサー１２６と接する第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの一部及び第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの一部上に配置される。前記境界部３３１ａは、保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有することができる。前記境界部３３１ａは、前記保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有するので、第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光が前記保護素子１６０に直接提供されて損失される問題を改善することができる。

前記境界部３３１ａは、前記スペーサー１２６の上部面を覆うことができる。前記境界部３３１ａの短軸方向の幅（Ｄ１）は、前記スペーサー１２６の短軸方向の幅（Ｄ２）以下である。前記境界部３３１ａの短軸方向の幅（Ｄ１）は、前記スペーサー１２６の下部面の短軸方向の幅（Ｄ２）以下である。前記境界部３３１ａは、絶縁物質であってもよく、胴体１２０の一部であってもよいが、これに限定されるものではない。例えば、前記境界部３３１ａは前記スペーサー１２６と同一物質であってもよい。

第３実施例に係る発光素子パッケージは、スペーサー１２６を覆う境界部３３１ａの構造によって、胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができ、外部の湿気の浸透を改善することができる。

図１１は、第４実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。

図１１に示されたように、第４実施例に係る発光素子パッケージは、境界部４３１ａを除いて、図１ないし図７の第１実施例に係る発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記境界部４３１ａは、第１内側面１３１内に配置される。前記境界部４３１ａは、スペーサー１２６の上に配置され、前記スペーサー１２６と接する第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの一部上に配置される。ここで、前記スペーサー１２６の上部面の一部は、前記境界部４３１ａから露出する。前記境界部４３１ａは、前記第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａと接しない。前記境界部４３１ａは、保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有することができる。前記境界部４３１ａは、前記保護素子１６０より高い高さ（Ｈ）を有するので、第１及び第２発光素子１５１、１５３から発光した光が前記保護素子１６０に直接提供されて損失される問題を改善することができる。

前記境界部４３１ａの短軸方向の一端は、前記スペーサー１２６の上部面の上に配置される。前記境界部４３１ａの短軸方向の一端は、前記スペーサー１２６の上部面の上に配置されて、前記スペーサー１２６の短軸方向の他端よりも前記第１及び第２発光素子１５１、１５３にさらに遠く配置される。前記境界部４３１ａの短軸方向の他端は、前記スペーサー１２６の短軸方向の他端よりも前記保護素子１６０にさらに隣接して配置される。

第４実施例に係る発光素子パッケージは、スペーサー１２６の一部を覆う境界部４３１ａの構造によって胴体１２０との接触面積を広げて、前記胴体１２０との結合力を向上させることができ、外部の湿気の浸透を改善することができる。

図１２は、第５実施例に係る発光素子パッケージを示した断面図である。

図１２に示されたように、第５実施例に係る発光素子パッケージは、反射モールディング部１９０を除いて、図１ないし図７の第１実施例に係る発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記反射モールディング部１９０は、第２キャビティ１４０内に配置される。前記反射モールディング部１９０は、保護素子１６０を覆うことができる。前記反射モールディング部１９０の上部面は、境界部１３１ａの上部面より下に位置するが、これに限定されるものではない。例えば、前記反射モールディング部１９０の上部面は、境界部１３１ａの上部面と同一平面上に位置することもできる。前記反射モールディング部１９０の高さは、前記保護素子１６０の高さより高いが、これに限定されるものではない。前記反射モールディング部１９０は、前記境界部１３１ａの高さ（Ｈ）より低いか同じであるが、これに限定されるものではない。

前記反射モールディング部１９０は、絶縁性物質と反射性物質を含むことができる。前記反射モールディング部１９０は、ＰＰＡ（Polyphthalamide）、ＰＣＴ（Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate）、ホワイトシリコン（white Silicone）、ホワイト（white）ＥＭＣ（Epoxy Molding Compound）のうちいずれか１つ以上であるが、これに限定されるものではない。

第５実施例に係る発光素子パッケージは、前記第２キャビティ１４０内に前記保護素子１６０を覆う反射モールディング部１９０が配置され、前記保護素子１６０に吸収される光を反射させて光抽出効率をさらに向上させることができる。

前記発光素子パッケージは、２つの第１及び第２発光素子１５１、１５３が第１キャビティ１３０に配置された構造を限定しているが、これに限定されるものではなく、少なくとも３つ以上であってもよい。

図１３ないし図２２は、反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅの他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図または断面図である。

図１３ないし図２２の発光素子パッケージは、反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅを除いて、図１ないし図７の第１実施例に係る発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

他の実施例の発光素子パッケージは、光抽出効率を向上させることができる。このために、他の実施例の発光素子パッケージは、反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅを含むことができる。前記反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅは、保護素子１６０、第１ワイヤ１６０ｗ、及びワイヤボンディング部１６０ａを覆うことができるが、これに限定されるものではない。例えば、前記反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅは、保護素子１６０及びワイヤボンディング部１６０ａを覆って、第１ワイヤ１６０ｗの一部を覆うことができる。前記反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅは、前記保護素子１６０、第１ワイヤ１６０ｗ、及びワイヤボンディング部１６０ａによって吸収される光を反射させて光抽出効率を向上させることができる。

また、前記反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅは、前記第１リードフレーム１７０より高い反射率を含むことができる。前記反射モールディング部２９０ａ〜２９０ｅは、第１キャビティ１３０に露出した第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａに延長されて、光抽出効率を向上させることができる。

図１３ないし図１５を参照すると、第２実施例の反射モールディング部２９０ａは、第２キャビティ１４０の上に配置される。前記反射モールディング部２９０ａの一部は、第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ａは、第２キャビティ１４０に最も近い前記第１キャビティ１３０の底面に延長される。

前記反射モールディング部２９０ａは、前記第２キャビティ１４０が配置された第１内側面１３１の一部を覆うことができる。前記反射モールディング部２９０ａは、前記第２キャビティ１４０の周辺の第１内側面１３１に沿って第１キャビティ１３０の底面に配置された前記保護素子１６０のワイヤボンディング部１６０ａまで延長される。例えば、前記反射モールディング部２９０ａは、前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０との間の第１内側面１３１に沿って配置される。

ここで、前記ワイヤボンディング部１６０ａは、前記第２キャビティ１４０と最も近接した前記第１キャビティ１３０の底面に露出した第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの上に配置される。

前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、前記ワイヤボンディング部１６０ａと前記第１及び第２発光素子１５１、１５３の間に配置される。前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、第１キャビティ１３０の第１内側面１３１との第１境界２９１ａから第１キャビティ１３０の底面に延長される。前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、第１キャビティ１３０の第４内側面１３４との第２境界２９１ｂから第１キャビティ１３０の底面に延長される。前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、前記第１及び第２境界２９１ａ、２９１ｂの間に第３境界２９１ｃを含むことができる。前記第３境界２９１ｃは、前記第２発光素子１５３の一側面１５３ｓと並んで配置される。ここで、前記第２発光素子１５３の一側面１５３ｓは、前記第１発光素子１５１と対面する。

前記第２境界２９１ｂと前記第３境界２９１ｃとの間の前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、前記第１発光素子１５１の一側面と対面する。ここで、前記第１発光素子１５１の一側面は、前記保護素子１６０が配置された第１内側面１３１と対面する。

前記第１境界２９１ａと前記第３境界２９１ｃとの間の前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、前記第２発光素子１５３の角に対面するが、これに限定されるものではない。前記第２発光素子１５３の角は、前記保護素子１６０に対面する１つの角である。

前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、第１内側面１３１と対応する第１方向（Ｘ）に一定な幅を含むことができる。例えば、前記反射モールディング部２９０ａの端２９１は、第１境界２９１ａと第２境界２９１ｂとの間の第１幅（Ｗ１）と、前記第２境界２９１ｂと第３境界２９１ｃとの間の第２幅（Ｗ２）を含むことができる。ここで、第１幅（Ｗ１）は、前記第１境界２９１ａから前記第１方向（Ｘ）と直交する第２方向（Ｙ）に延長される第１基準線（ｒ１）と、前記第２境界２９１ｂから前記第２方向（Ｙ）に延長される第２基準線（ｒ２）との間の間隔として定義することができる。前記第２幅（Ｗ２）は、前記第１基準線（ｒ１）と前記第３境界２９１ｃから前記第２方向（Ｙ）に延長される第３基準線（ｒ３）との間の間隔として定義することができる。

前記第２実施例の反射モールディング部２９０ａは、前記第１幅（Ｗ１）の１／３または１／３以下の第２幅（Ｗ２）を含むことができる。第２実施例は、前記第２幅（Ｗ２）によって前記第２発光素子１５３と反射モールディング部２９０ａが一定間隔離隔して、前記第２発光素子１５３と反射モールディング部２９０ａの接触による不良を改善することができる。前記第２実施例の反射モールディング部２９０ａは、第１キャビティ１３０から露出する第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの面積を減らし、第１及び第２発光素子１５１、１５３と一定間隔離隔した構造を提供することができる。したがって、前記第２実施例の反射モールディング部２９０ａは、光抽出効率を向上させて、信頼性を向上させることができる。

前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、前記第１キャビティ１３０内に配置され、前記反射モールディング部２９０ａから一定間隔離隔した離隔距離（Ｗ３）を含むことができる。例えば、前記離隔距離（Ｗ３）は、第１キャビティ１３０の底面の幅の３．３％以下である。詳しくは、前記離隔距離（Ｗ３）は３０μｍないし１００μｍである。前記離隔距離（Ｗ３）が３０μｍ未満である場合、前記第１及び第２発光素子１５１、１５３と第１キャビティ１３０の内側面が接触して、光効率が低下する。また、前記離隔距離（Ｗ３）が３０μｍ未満である場合、不良による歩留まりが低下する。

前記離隔距離（Ｗ３）が１００μｍを超過する場合、第１キャビティ１３０から露出する第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの面積が増加するため、前記第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａに吸収される光損失によって光抽出効率が低下する。

前記第１及び第２発光素子１５１、１５３は、第１キャビティ１３０の第１内側面１３１から離隔した間隔が異なってもよい。第２実施例は、第１発光素子１５１と前記第１キャビティ１３０の内側面との間にワイヤボンディング部１６０ａが配置される。第２実施例は、第１発光素子１５１と第１キャビティ１３０の第１内側面１３１との間の離隔距離が前記第２発光素子１５３と第１キャビティ１３０の第１内側面１３１との間の離隔距離より大きい。

前記反射モールディング部２９０ａは、絶縁性物質と反射性物質を含むことができる。前記反射モールディング部２９０ａは、ＰＰＡ（Polyphthalamide）、ＰＣＴ（Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate）、ホワイトシリコン（white Silicone）、ホワイト（white）ＥＭＣ（Epoxy Molding Compound）のうちいずれか１つ以上であるが、これに限定されるものではない。

前記反射モールディング部２９０ａは、ノズルを用いたディスペンシング（dispensing）方法で第１キャビティ１３０の底面の一部及び第２キャビティ１４０の上に形成することができるが、これに限定されるものではない。

図１３ないし図１７を参照すると、前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレーム１７０との間には、境界部１３１ａが配置される。前記境界部１３１ａは、前記第１キャビティ１３０の第１内側面１３１内に配置される。

前記第１内側面１３１の傾斜角（θ１）は、スペーサー１２６の上に配置された前記境界部１３１ａの位置によって変動される。例えば、前記境界部１３１ａが前記スペーサー１２６全体を覆う場合、前記第１内側面１３１は、スペーサー１２６の上面となす第１傾斜角（θ１−１）を含むことができる。また、前記境界部１３１ａが前記スペーサー１２６の一部を覆う場合、前記第１内側面１３１は、スペーサー１２６の上面となす第２傾斜角（θ１−２）を含むことができる。実施例の第１内側面１３１は、前記第２傾斜角（θ１−２）より小さい第１傾斜角（θ１−１）を含むことができる。詳しくは、実施例の発光素子パッケージは、前記第２傾斜角（θ１−２）より小さい第１傾斜角（θ１−１）を有する場合、スペーサー１２６の上に境界部１３１ａの面積が変動し、第１キャビティ１３０から露出する第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの面積が小さくなる。したがって、実施例の発光素子パッケージは、前記第２傾斜角（θ１−２）より小さい第１傾斜角（θ１−１）を有する場合、反射率が高い胴体１２０によって遮られる第１及び第２リードフレーム１７０、１８０が増加して、光抽出効率が向上する。

図１８を参照すると、第３実施例の反射モールディング部２９０ｂは、第２キャビティ１４０の上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｂの一部は、第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレームの上部面１７０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｂは、第２キャビティ１４０に最も近い前記第１キャビティ１３０の底面に延長される。したがって、第３実施例の反射モールディング部２９０ｂは、第１キャビティ１３０に露出した第１リードフレームの上部面１７０ａの面積を減らして、光抽出効率を向上させることができる。

第３実施例の第１及び第２発光素子２５１、２５３は、第１キャビティ１３０の第１内側面１３１から離隔した間隔が同一であってもよい。前記第１及び第２発光素子２５１、２５３は、前記第１キャビティ１３０の第２ないし第４内側面１３２、１３３、１３４の間に一定間隔離隔した離隔距離を含むことができる。例えば、前記離隔距離は、第１キャビティ１３０の底面の幅の３．３％以下である。前記離隔距離は、図１３ないし図１５の技術的特徴を採用することができる。

前記反射モールディング部２９０ｂは、前記第２キャビティ１４０が配置された第１内側面１３１の一部を覆うことができる。前記反射モールディング部２９０ｂは、前記第２キャビティ１４０の周辺の第１内側面１３１に沿って第１キャビティ１３０の底面に配置された前記保護素子１６０のワイヤボンディング部１６０ａまで延長される。例えば、前記反射モールディング部２９０ｂは、前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０との間の第１内側面１３１に沿って配置される。

前記反射モールディング部２９０ｂの端２９１は、前記ワイヤボンディング部１６０ａと前記第１及び第２発光素子２５１、２５３の間に配置される。前記反射モールディング部２９０ａの端２９１、第１ないし第３境界２９１ａ〜２９１ｃは、図１３ないし図１５の技術的特徴を採用することができる。また、前記反射モールディング部２９０ａの第１及び第２幅（Ｗ１、Ｗ２）、物質及び製造方法は、図１３ないし図１５の技術的特徴を採用することができる。

前記第１境界２９１ａは、前記第１キャビティ１３０の第１及び第２内側面１３１、１３２の間に配置される。

前記第２キャビティ１４０は、前記保護素子１６０が実装される第１領域１４０ａと、第２発光素子１５３のワイヤボンディングのための第２領域１４０ｂを含むことができる。前記第１及び第２領域１４０ａ、１４０ｂは、一定間隔離隔したキャビティ構造であるが、これに限定されるものではない。

図１９を参照すると、第４実施例の反射モールディング部２９０ｃは、第２キャビティ１４０の上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｃの一部は、第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレームの上部面１７０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｃは、第２キャビティ１４０に最も近い前記第１キャビティ１３０の底面に延長される。したがって、第４実施例の反射モールディング部２９０ｃは、第１キャビティ１３０に露出した第１リードフレームの上部面１７０ａの面積を減らして、光抽出効率を向上させることができる。

第４実施例は、第１キャビティ１３０内に１つの発光素子３５０が配置される。前記発光素子３５０は、前記第１キャビティ１３０の第１ないし第４内側面１３１〜１３４の間に一定間隔離隔した離隔距離（Ｗ３）を含むことができる。例えば、前記離隔距離（Ｗ３）は、第１キャビティ１３０の底面の幅の３．３％以下である。前記離隔距離は、図１３ないし図１８の技術的特徴を採用することができる。

前記反射モールディング部２９０ｃは、前記第２キャビティ１４０が配置された第１内側面１３１の一部を覆うことができる。前記反射モールディング部２９０ｃは、前記第２キャビティ１４０の周辺の第１内側面１３１に沿って第１キャビティ１３０の底面に配置された前記保護素子１６０のワイヤボンディング部１６０ａまで延長される。例えば、前記反射モールディング部２９０ｃは、前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０との間の第１内側面１３１に沿って配置される。

前記反射モールディング部２９０ｃの端２９１は、前記ワイヤボンディング部１６０ａと前記発光素子３５０との間に配置される。前記反射モールディング部２９０ｃの端２９１、第１ないし第３境界２９１ａ〜２９１ｃは、図１３ないし図１８の技術的特徴を採用することができる。また、前記反射モールディング部２９０ｃの第１及び第２幅（Ｗ１、Ｗ２）、物質及び製造方法は、図１３ないし図１８の技術的特徴を採用することができる。

前記第１境界２９１ａは、前記第１キャビティ１３０の第１及び第２内側面１３１、１３２の間に配置される。

前記第２キャビティ１４０は、前記保護素子１６０が実装され、発光素子３５０のワイヤボンディング部を含むことができるが、これに限定されるものではない。

図２０を参照すると、第５実施例の反射モールディング部２９０ｄは、第２キャビティ１４０の上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｄの一部は、第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレームの上部面１７０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｄは、第２キャビティ１４０に最も近い前記第１キャビティ１３０の底面に延長される。したがって、第４実施例の反射モールディング部２９０ｄは、第１キャビティ１３０に露出した第１リードフレームの上部面１７０ａの面積を減らして、光抽出効率を向上させることができる。

第５実施例の第１キャビティ１３０と発光素子３５０の離隔距離は、図１９の第４実施例の技術的特徴を採用することができる。

前記反射モールディング部２９０ｄは、前記第２キャビティ１４０が配置された第１内側面１３１の一部を覆うことができる。前記反射モールディング部２９０ｄは、前記第２キャビティ１４０の周辺の第１内側面１３１に沿って第１キャビティ１３０の底面に配置された前記保護素子１６０のワイヤボンディング部１６０ａまで延長される。例えば、前記反射モールディング部２９０ｄは、前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０との間の第１内側面１３１に沿って配置される。

前記反射モールディング部２９０ｄの端２９１は、前記ワイヤボンディング部１６０ａと前記発光素子３５０との間に配置される。前記反射モールディング部２９０ｄの端２９１、第１ないし第３境界は、図１３ないし図１９の技術的特徴を採用することができる。また、前記反射モールディング部２９０ｄの第１及び第２幅、物質及び製造方法は、図１３ないし図１９の技術的特徴を採用することができる。

第５実施例は、前記第１キャビティ１３０の第１内側面１３１からスペーサー１２６の一部が露出する。例えば、前記スペーサー１２６は、前記第２キャビティ１４０と前記第１キャビティ１３０の第２内側面１３２との間で外部に露出する。また、第５実施例は、第２リードフレームの上部面１８０ａの一部が第１キャビティ１３０の第１内側面１３１から外部に露出する。露出した前記第２リードフレームの上部面１８０ａは、前記発光素子３５０のワイヤボンディング部が配置される。

図２１及び図２２を参照すると、第６実施例の反射モールディング部２９０ｅは、保護素子１６０及びワイヤボンディング部１６０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｅの一部は、第１キャビティ１３０から露出した第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｅは、第１キャビティ１３０から露出した第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｅは、保護素子１６０が配置された第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａから第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａまで延長される。第６実施例の反射モールディング部２９０ｅは、第１キャビティ１３０に露出した第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａまで延長されて、光抽出効率を向上させることができる。

第６実施例の第１キャビティ１３０と発光素子３５０の離隔距離は、図１９及び図２０の第４及び第５実施例の技術的特徴を採用することができる。

前記反射モールディング部２９０ｅは、第１キャビティ１３０から露出した第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａの上の保護素子１６０を覆い、第１リードフレーム１７０の上部面１７０ａに配置されたワイヤボンディング部１６０ａを覆うことができる。

前記反射モールディング部２９０ｅの端２９１は、前記ワイヤボンディング部１６０ａと前記発光素子３５０との間に配置される。前記反射モールディング部２９０ｅの端２９１、第１ないし第３境界は、図１３ないし図２０の技術的特徴を採用することができる。また、前記反射モールディング部２９０ｅの第１及び第２幅、物質及び製造方法は、図１３ないし図２０の技術的特徴を採用することができる。

第６実施例は、前記第１キャビティ１３０の底にスペーサー１２６、第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａが露出する。例えば、前記スペーサー１２６は、前記反射モールディング部２９０ｅと前記第１キャビティ１３０の第２内側面１３２との間で外部に露出する。また、第６実施例において、露出した前記第２リードフレーム１８０の上部面１８０ａは、前記発光素子３５０のワイヤボンディング部が配置される。

前記反射モールディング部２９０ｅは、前記スペーサー１２６の上に配置される。前記反射モールディング部２９０ｅは、前記スペーサー１２６の一部と垂直方向に重なる。前記反射モールディング部２９０ｅは、前記スペーサー１２６の上部と直接接することができる。

図２３は、実施例の発光素子パッケージに含まれた発光チップを示した断面図である。

図２３に示されたように、発光チップは、基板５１１、バッファ層５１２、発光構造物５１０、第１電極５１６、及び第２電極５１７を含む。前記基板５１１は、透光性または非透光性材質からなることができ、伝導性または絶縁性基板を含むことができる。

前記バッファ層５１２は、基板５１１と前記発光構造物５１０の物質との格子定数の差を減少させ、窒化物半導体で形成される。前記バッファ層５１２と前記発光構造物５１０との間には、ドーパントがドーピングされない窒化物半導体層をさらに形成して結晶品質を改善することができる。

前記発光構造物５１０は、第１導電型半導体層５１３、活性層５１４、及び第２導電型半導体層５１５を含む。

例えば、ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族―Ｖ族などの化合物半導体で具現される。前記第１導電型半導体層５１３は、単層または多層に形成される。前記第１導電型半導体層５１３は、第１導電型ドーパントがドーピングされる。例えば、前記第１導電型半導体層５１３がｎ型半導体層である場合、ｎ型ドーパントを含むことができる。例えば、前記ｎ型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されるものではない。前記第１導電型半導体層５１３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１-ｘ-ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含むことができる。前記第１導電型半導体層５１３は、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのような化合物半導体のうち少なくとも１つを含む層の積層構造を含むことができる。

前記第１導電型半導体層５１３と前記活性層５１４との間には、第１クラッド層が形成される。前記第１クラッド層は、ＧａＮ系半導体で形成され、そのバンドギャップは、前記活性層５１４のバンドギャップ以上に形成される。このような第１クラッド層は、第１導電型で形成され、キャリアを拘束させる機能を含むことができる。

前記活性層５１４は、前記第１導電型半導体層５１３の上に配置され、単一量子井戸、多重量子井戸（MQW）、量子線（quantum wire）構造、または量子ドット（quantum dot）構造を選択的に含む。前記活性層５１４は、井戸層と障壁層の周期を含む。前記井戸層は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含み、前記障壁層は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含むことができる。前記井戸層／障壁層の周期は、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＩｎＡｌＧａＮの積層構造を利用して、１周期以上に形成される。前記障壁層は、前記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを持つ半導体物質で形成される。

前記活性層５１４の上には、第２導電型半導体層５１５が形成される。前記第２導電型半導体層５１５は、半導体化合物、例えば、ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体で具現される。前記第２導電型半導体層５１５は、単層または多層に形成される。前記第２導電型半導体層５１５がｐ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。前記第２導電型半導体層５１５は、第２導電型ドーパントがドーピングされる。前記第２導電型半導体層５１５は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１-ｘ-ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含むことができる。前記第２導電型半導体層５１５は、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのような化合物半導体のうちいずれか１つからなることができる。

前記第２導電型半導体層５１５は、超格子構造を含むことができ、前記超格子構造は、 ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造または ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子構造を含むことができる。前記第２導電型半導体層５１５の超格子構造は、非正常的に電圧に含まれた電流を拡散させて、活性層５１４を保護することができる。

前記第１導電型半導体層５１３はｎ型半導体層、前記第２導電型半導体層５１５はｐ型半導体層として説明しているが、前記第１導電型半導体層５１３をｐ型半導体層、前記第２導電型半導体層５１５をｎ型半導体層に形成することもでき、これに限定されるものではない。前記第２導電型半導体層５１５の上には、前記第２導電型と反対の極性を有する半導体、例えばｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これにより、発光構造物５１０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうちいずれか１つの構造で具現することができる。

前記第１導電型半導体層５１３の上には、第１電極５１６が配置され、前記第２導電型半導体層５１５上には、電流拡散層を有する第２電極５１７を含む。

図２４は、実施例の発光素子パッケージに含まれた他の例の発光チップを示した断面図である。

図２４に示されたように、他の例の発光チップは、図６を参照して同じ構成の説明は省略する。他の例の発光チップは、発光構造物５１０の下に接触層５２１が配置され、前記接触層５２１の下に反射層５２４が配置され、前記反射層５２４の下に支持部材５２５が配置され、前記反射層５２４と前記発光構造物５１０の周りに保護層５２３が配置される。

前記発光チップは、第２導電型半導体層５１５の下に接触層５２１及び保護層５２３、反射層５２４及び支持部材５２５が配置される。

前記接触層５２１は、発光構造物５１０の下部面、例えば第２導電型半導体層５１５とオーミック接触する。前記接触層５２１は、金属窒化物、絶縁物質、伝導性物質のうちから選択可能であり、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide ）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組み合わせで構成された物質のうちから形成される。また、前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができ、例えば、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することができる。前記接触層５２１の内部には、電極５１６と対応するように電流をブロックする電流ブロック層がさらに形成される。

前記保護層５２３は、金属酸化物または絶縁物質から選択可能であり、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＳｉＯ_２、 ＳｉＯ_ｘ、 ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２から選択的に形成される。前記保護層５２３は、スパッタリング法または蒸着方法などを利用して形成することができ、反射層５２４のような金属が発光構造物５１０の層をショートさせることを防止することができる。

前記反射層５２４は、金属を含むことができる。例えば、前記反射層５２４は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組み合わせで構成された物質で形成される。前記反射層５２４は、前記発光構造物５１０の幅より大きく形成されて、光の反射効率を向上させることができる。前記反射層５２４と前記支持部材５２５との間に接合のための金属層、熱拡散のための金属層などがさらに配置されるが、これに限定されるものではない。

前記支持部材５２５は、ベース基板として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅 −タングステン（Ｃｕ−Ｗ）のような金属またはキャリアウエハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ）で具現される。前記支持部材５２５と前記反射層５２４との間には、接合層が更に形成される。

＜照明システム＞
図２５は、実施例の発光素子パッケージを含む表示装置を示した斜視図である。

図２５に示されたように、実施例の表示装置１０００は、導光板１０４１と、前記導光板１０４１に光を提供する光源モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３１及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１とを含むことができるが、これに限定されるものではない。

前記ボトムカバー１０１１、反射シート１０２２、導光板１０４１、光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０として定義することができる。

前記導光板１０４１は、光を拡散させて面光源化する役割をする。前記導光板１０４１は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうちいずれか１つを含むことができる。

前記光源モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、究極的には表示装置の光源として作用することになる。

前記光源モジュール１０３１は少なくとも１を含み、前記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記光源モジュール１０３１は、基板１０３３と実施例に係る発光素子パッケージ１１０を含み、前記発光素子パッケージ１１０は、前記基板１０３３の上に一定間隔離隔して複数個に配置される。

前記基板１０３３は、回路パターン（図示せず）を含む印刷回路基板（PCB；Printed Circuit Board）である。ただし、前記基板１０３３は、一般ＰＣＢだけではなく、メタルコアＰＣＢ（MCPCB；Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（FPCB；Flexible PCB）などを含むこともできるが、これに限定されるものではない。前記発光素子パッケージ１１０は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に直接配置される。

前記導光板１０４１の下には、前記反射部材１０２２が配置される。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射する光を反射させて前記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えばＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成されるが、これに限定されるものではない。

前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口されたボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられるが、これに限定されるものではない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバーと結合されるが、これに限定されるものではない。

前記ボトムカバー１０１１は、金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または押出成形などの工程を利用して製造することができる。また、前記ボトムカバー１０１１は、熱伝導性が良い金属または非金属材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。

前記表示パネル１０６１は、例えば、ＬＣＤパネルとして、相互対向する透明な第１及び第２基板と、前記第１及び第２基板の間に介在された液晶層を含むことができる。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には、配置された偏光板を含むことができる。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光によって情報を表示することになる。前記表示装置１０００は、各種の携帯端末、ノートパソコンのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用可能である。

前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置される。前記光学シート１０５１は、少なくとも１つ以上の透光性シートを含むことができる。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート、少なくとも１つ以上のプリズムシート、及び保護シートのうち少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは、入射する光を拡散させる機能を含むことができる。前記プリズムシートは、入射する光を表示領域に集光させる機能を含むことができる。前記保護シートは、前記プリズムシートを保護する機能を含むことができる。

＜照明装置＞
図２６は、実施例の発光素子パッケージを含む表示装置の他の例を示した断面図である。

図２６に示されたように、他の例の表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、発光素子パッケージ１１０が実装された基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含むことができる。

前記基板１１２０と前記発光素子パッケージ１１０は、光源モジュール１１６０として定義することができる。前記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの光源モジュール１１６０、光学部材１１５４は、ライトユニット１１５０として定義することができる。前記ボトムカバー１１５２には、収納１１５３を備えることができるが、これに限定されるものではない。前記光源モジュール１１６０は、基板１１２０と、前記基板１１２０の上に配列された複数の発光素子パッケージ１１０を含むことができる。

ここで、光学部材１１５４は、レンズ、拡散板、拡散シート、プリズムシート、及び保護シートのうち少なくとも１つを含むことができる。前記拡散板は、ＰＣ材質またはＰＭＭＡ（poly methyl methacrylate）材質からなることができ、このような拡散板は除去することができる。前記拡散シートは、入射する光を拡散させ、前記プリズムシートは、入射する光を表示領域に集光させ、前記保護シートは、前記プリズムシートを保護することができる。

前記光学部材１１５４は、前記光源モジュール１１６０の上に配置され、前記光源モジュール１１６０から放出された光を面光源するか、または拡散、集光などを行うことになる。

実施例に係る発光素子パッケージ１１０は、前記表示装置だけでなく、照明ユニット、指示装置、ランプ、街灯、車両用照明装置、車両用表示装置、スマート時計などに適用可能であるが、これに限定されるものではない。

以上で実施例に説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例のみに限定されるものではない。延いては、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に係る内容は本発明の範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。

以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることが分かる。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に係る差異点は添付した特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解析されるべきである。

１３０：第１キャビティ
１３１〜１３４：第１ないし第４内側面
１４０：第４キャビティ
１４１〜１４４：第５ないし第８内側面
１７０：第１リードフレーム
１８０：第３リードフレーム
１９０、２９０、２９０ａ〜２９０ｅ：反射モールディング部

Claims (17)

1. 第１リードフレームと、
   前記第１リードフレームから離隔した第２リードフレームと、
   前記第１及び第２リードフレームの上に配置され、前記第１リードフレームの上部面の一部を露出させる第１キャビティと、前記第２リードフレームの上部面の一部を露出させる第２キャビティと、を含む胴体と、
   前記第１リードフレームの上部面の露出した一部上に配置された発光素子と、
   前記第２リードフレームの上部面の露出した一部上に配置された保護素子と、
   前記保護素子に連結された第１端部と、前記第１リードフレームの上部面の露出した一部に連結された第２端部を有するワイヤと、
   前記保護素子の上に反射モールディング部と、
   を含み、
   前記第２キャビティは、前記第１キャビティの傾斜した内部面に配置され、
   前記第１キャビティの傾斜した内部面は、前記胴体の内側面であり、
   前記第１キャビティは、前記第１リードフレームの上部面を露出させる底面及び前記露出した底面のエッジに沿って前記第１キャビティの内部面の下端が配置され、
   前記反射モールディング部は、前記保護素子、前記ワイヤの第２端部が連結された前記第１リードフレームの露出した一部及び前記第１キャビティの傾斜した内部面の一部を覆うように配置され、
   前記第１リードフレームの上部面の露出した一部の面積は、前記胴体の総面積の４０％以下であることを特徴とする、発光素子パッケージ。
2. 前記第１キャビティは、相互対向する第１内部面と第２内部面、及び相互対向する第３内部面と第４内部面と、を含み、
   前記反射モールディング部の外側端は、
   前記第１キャビティの第１内部面の下端と前記第１リードフレームの上部面に接触する第１境界地点と、
   前記第１キャビティの第４内部面の下端と前記第１リードフレームの上部面に接触する第２境界地点と、
   前記第１境界地点と前記第２境界地点の間に連結され、前記第１リードフレームの上部面の露出した一部に接触する第３境界地点と、を含み、
   前記反射モールディング部は、前記第１境界地点と前記第２境界地点から前記第１リードフレームの上部面の露出した一部の上に延長される
   ことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
3. 前記第１キャビティは、相互対向する第１内部面と第２内部面、及び相互対向する第３内部面と第４内部面と、を含み、
   前記第１キャビティの第１〜第４内部面は、前記第１リードフレームの上部面のエッジに沿って配置されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
4. 前記第１キャビティは、相互対向する第１内部面と第２内部面、及び相互対向する第３内部面と第４内部面と、を含み、
   前記反射モールディング部の外側端は、
   前記第１キャビティの第１内部面の下端と前記第１リードフレームの上部面に接触する第１境界地点と、
   前記第１キャビティの第４内部面の下端と前記第１リードフレームの上部面に接触する第２境界地点と、
   前記第１境界地点と前記第２境界地点の間に配置され、前記第１リードフレームの上部面の露出した一部に接触する第３境界地点と、を含み、
   前記反射モールディング部の第３境界地点は、前記第１キャビティの第１内部面と前記発光素子の第１側面の間に配置され、
   前記発光素子の第１側面は、前記第１キャビティの第１内部面と対向することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
5. 前記第１キャビティは、相互対向する第１内部面と第２内部面、及び相互対向する第３内部面と第４内部面と、を含み、
   前記反射モールディング部の外側端は、
   前記第１キャビティの第１内部面の下端と前記第１リードフレームの上部面に接触する第１境界地点と、
   前記第１キャビティの第４内部面の下端と前記第１リードフレームの上部面に接触する第２境界地点と、
   前記第１境界地点と前記第２境界地点の間に配置され、前記第１リードフレームの上部面の露出した一部に接触する第３境界地点と、を含み、
   前記反射モールディング部の第２境界地点と第３境界地点の間の外側端は、前記発光素子の第１側面と平行するように配置されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
6. 前記反射モールディング部は、前記第１キャビティの傾斜した内部面の一部と垂直方向に重なることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
7. 前記反射モールディング部は、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームと垂直方向に重なることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
8. 前記第１リードフレームと前記第２リードフレームの間に配置されたスペーサーを含み、
   前記第１キャビティの傾斜した内部面の一部は、前記スペーサーの上面上に配置されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
9. 前記反射モールディング部は、前記スペーサーの上部面に延長されることを特徴とする、請求項８に記載の発光素子パッケージ。
10. 第１リードフレームと、
    前記第１リードフレームと離隔した第２リードフレームと、
    前記第１リードフレームと前記第２リードフレームの上に胴体と、
    前記第１リードフレームと前記第２リードフレームの間にスペーサーと、
    前記第１リードフレームの上に配置された発光素子と、
    前記第２リードフレームの上に配置された保護素子と、
    前記保護素子の上に反射モールディング部と、
    を含み、
    前記胴体は、前記第１リードフレームの上部面の一部を露出する第１キャビティを含み、
    前記発光素子は、前記第１キャビティ内に配置され、
    前記第１キャビティは、相互対向する第１内部面と第２内部面、及び相互対向する第３内部面と第４内部面と、を含み、
    前記反射モールディング部は、前記スペーサーと前記第１内部面上に配置され、
    前記反射モールディング部の一部は、前記第１キャビティの底に露出した前記第１リードフレームの上部面に延長され、
    前記反射モールディング部は、前記スペーサーの上部面の全体領域を覆い、
    前記第１キャビティの第１〜第４内部面は、前記胴体の内側面であり、
    前記第１キャビティは、前記第１リードフレームの上部面を露出させる底面及び前記露出した底面のエッジに沿って前記第１キャビティの第１〜第４内部面の下端が配置され、
    前記第１リードフレームの上部面の露出した一部の面積は、前記胴体の総面積の４０％以下であることを特徴とする、発光素子パッケージ。
11. 前記第１内部面は、前記発光素子と第２キャビティの間の境界部を含み、
    前記境界部は、前記保護素子の高さより高い高さを有することを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
12. 前記保護素子は、前記第１キャビティの第１内部面内に配置されることを特徴とする、請求項１１に記載の発光素子パッケージ。
13. 前記保護素子は、前記第１内部面の第２キャビティ内に配置されることを特徴とする、請求項１２に記載の発光素子パッケージ。
14. 前記第１内部面は、前記境界部の上部面と同じ角度で傾斜したことを特徴とする、請求項１２または１３に記載の発光素子パッケージ。
15. 前記第１キャビティの第２、３及び４内部面と前記反射モールディング部は、前記第１リードフレームの上部面のエッジに沿って配置されることを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
16. 前記第１キャビティの底面上で、前記反射モールディング部と前記発光素子の間の間隔は、前記第１キャビティの底面の幅の３．３％以下であることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
17. 前記間隔は３０μｍ〜１００μｍの範囲であることを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子パッケージ。

Images