JP2010287848A - ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェーハの貼り付けが容易であり、ダイシングの際の切削性を高めることができ、かつダイシングの後の粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることできるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】非粘着層４と、非粘着層４の一方の面４ａに積層された粘接着剤層３とを備え、非粘着層４が粘接着剤層３よりも小さく、非粘着層４が、粘接着剤層３の外周側面３ａよりも外側に張り出している領域４Ａを有し、かつ粘接着剤層３は、該粘接着剤層３に貼り付けられる半導体ウェーハよりも大きいダイシング−ダイボンディングテープ１。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェーハをダイシングし、ダイシングされた半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。

従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出して、基板等に実装するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。

例えば、下記の特許文献１には、接着剤層と、該接着剤層の片面に積層された放射線硬化型の粘着剤層とを有するダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。上記接着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられる。

特開２００４−２９２８２１号公報

ダイシングの際には、上記接着剤層の上記粘着剤層が積層された面とは反対側の面に半導体ウェーハを貼り付けて、半導体ウェーハを上記接着剤層ごとダイシングする。ダイシングの後に、半導体チップが貼り付けられた上記接着剤層を上記粘着剤層から剥離して、上記接着剤層ごと半導体チップを取り出す。その後、上記接着剤層側から半導体チップを、基板上に実装する。

特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、半導体ウェーハを上記接着剤層ごとダイシングする際に、切削性が十分ではないことがあった。さらに、ダイシングの後に、半導体チップのピックアップ性が低いことがあった。

本発明の目的は、半導体ウェーハの貼り付けが容易であり、ダイシングの際の切削性を高めることができ、かつダイシングの後の粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることできるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、非粘着層と、前記非粘着層の一方の面に積層された粘接着剤層とを備え、前記非粘着層が前記粘接着剤層よりも大きく、前記非粘着層が、前記粘接着剤層の外周側面よりも外側に張り出している領域を有し、かつ前記粘接着剤層が、該粘接着剤層に貼り付けられる半導体ウェーハよりも大きい、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。

上記粘接着剤層は、ダイボンディング層として用いられる部分である。すなわち、粘接着剤層が、半導体チップのピックアップの際に、半導体チップとともに取り出される部分である。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、上記非粘着層がダイシング時のダイシング層を兼ねていてもよい。この場合には、本発明のダイシング−ダイボンディングテープに半導体ウェーハを貼り付けて、ダイシングを行うことができる。

また、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、前記非粘着層の他方の面に積層されたダイシング層がさらに備えられてもよい。この場合には、ダイシング層により、ダイシングにおけるエクスパンド等が確実に行われ得る。従って、非粘着層には、ダイシング層としての機能が要求されないので、様々な材料及び組成により非粘着層を自由に設計できる。

本発明に係る半導体チップの製造方法は、前記粘接着剤層が半導体ウェーハの外周側面よりも外側に張り出している領域を有するように、本発明に従って構成されたダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層の前記非粘着層が積層されている面とは反対側の面に、前記粘接着剤層よりも小さい半導体ウェーハを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシングの後に、分割された前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記非粘着層から剥離して、前記半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、非粘着層が粘接着剤層よりも大きく、非粘着層が粘接着剤層の外周側面よりも外側に張り出している領域を有するので、粘接着剤層上に半導体ウェーハを貼り付ける際に、下方に非粘着層が設けられている粘接着剤層部分に半導体ウェーハを確実に貼り付けることができる。従って、切削性を高めることができる。さらに、ダイシングの後に、半導体チップが破損することなく、半導体チップ付き粘接着剤層を非粘着層から容易に剥離できる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。 図２は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法の一例を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に置かれた状態を示す正面断面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層に半導体ウェーハを貼り付けた状態を示す正面断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層に貼り付けられた半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、離型層２と、粘接着剤層３と、非粘着層４と、ダイシング層５とを備える。非粘着層４の一方の面４ａに、粘接着剤層３が積層されており、非粘着層４の一方の面４ａとは反対側の他方の面４ｂに、ダイシング層５が積層されている。

粘接着剤層３の非粘着層４が貼り付けられた面とは反対側の表面３ａに、離型層２が積層され、貼り付けられている。粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３の離型層２が貼り付けられた表面３ａは、半導体ウェーハが貼り付けられる面である。

離型層２の形状は長尺状である。粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシング層５の平面形状は、円形である。非粘着層４の外周側面４ｃは、粘接着剤層３により覆われていない。平面視において、離型層２、非粘着層４及びダイシング層５は、粘接着剤層３よりも大きい。平面視において、ダイシング層５は、非粘着層４よりも大きい。

非粘着層４は粘接着剤層３よりも大きいので、非粘着層４は、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも外側に張り出している領域４Ａを有する。

また、平面視において、粘接着剤層３は、該粘接着剤層３に貼り付けられる半導体ウェーハよりも大きい。半導体ウェーハと粘接着剤層３と非粘着層４との大きさは、下記式（１）の関係を満たす。

（半導体ウェーハの大きさ）＜（粘接着剤層の大きさ）＜（非粘着層の大きさ） ・・・式（１）

本実施形態の主な特徴は、非粘着層４が粘接着剤層３よりも大きく、非粘着層４が、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも外側に張り出している領域４Ａを有し、かつ粘接着剤層３が半導体ウェーハよりも大きいことにある。これにより、半導体ウェーハを粘接着剤層３上にはみ出すことなく容易に貼り付けることができる。さらに、粘接着剤層３上に半導体ウェーハを貼り付ける際に、下方に非粘着層４が設けられている粘接着剤層３部分に半導体ウェーハを確実に貼り付けることができる。すなわち、非粘着層４が粘接着剤層３よりも大きいので、貼り付けの後に、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３部分の片面には非粘着層４が確実にある。このため、ダイシングの際の切削性及びダイシングの後のピックアップ性を高めることができる。従って、生産ロスを低減でき、歩留まりを向上できる。

これに対して、上記のようなサイズ構成でなく、半導体ウェーハの大きさと粘接着剤層３又は非粘着層４の大きさとが同じ場合、半導体ウェーハの貼り付けが困難なことがあったり、下方に非粘着層４が設けられている粘接着剤層３部分に半導体ウェーハを確実に貼り付けられないことがあったりする。さらに、非粘着層４が粘接着剤層３よりも小さく、非粘着層４が粘接着剤層３に覆い隠されている場合、下方に非粘着層４が設けられている粘接着剤層３部分に半導体ウェーハを確実に貼り付けられないことがある。このため、ダイシングの際にチップ飛びが生じたり、ダイシングの後のピックアップの際に、チップ割れが生じたりする。さらに、非粘着層４から、半導体ウェーハを粘接着剤層３ごと剥離することが困難なことがある。

本実施形態では、上記のサイズ構成を備えることにより、上記のような問題点が生じ難く、生産ロスを大きく低減でき、歩留まりをかなり向上させることができる。

平面視において、粘接着剤層３の半導体ウェーハの外側側面よりも外側に張り出している領域の面積Ｘは、粘接着剤層３の全面積を１００％とした場合、０．５％以上であることが好ましい。上記面積Ｘのより好ましい下限は６％である。上記面積Ｘの好ましい上限は２４％であり、より好ましい上限は２０％である。上記好ましい面積Ｘを満たすと、半導体ウェーハの貼り付けが容易である。

また、平面視において、非粘着層４の粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも外側に張り出している領域の面積Ｙは、非粘着層４の全面積を１００％とした場合、０．５％以上であることが好ましい。上記面積Ｙのより好ましい下限は、５％である。上記面積Ｙの好ましい上限は２４％であり、より好ましい上限は２０％である。上記好ましい面積Ｙを満たすと、ダイシングプロセスで粘着剤層５ｂが刃に付着して汚染され難くなり、綺麗に切削できる。

ダイシング層５は、基材層５ａと、基材層５ａの片面に積層された粘着剤層５ｂとを有する。非粘着層４の他方の面４ｂに、ダイシング層５が粘着剤層５ｂ側から貼り付けられている。

ダイシング層５は粘接着剤層３及び非粘着層４よりも大きいので、ダイシング層５は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面３ｂ，４ｃよりも外側に張り出している領域５Ａを有する。上記張り出している領域５Ａにおいて、ダイシング層５が粘着剤層５ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。

ただし、ダイシング層は、粘着剤層を必ずしも有しなくてもよい。ダイシング層自体が、例えば粘着力を有する材料により構成されていてもよい。

図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシング層５を有する複数の積層体が等間隔に配置されている。また、離型層２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。なお、保護シート６，７は設けられていなくてもよい。また、離型層２、粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシング層５の厚み及び形状は特に限定されない。

次に、図２〜図５を用いて、上述した本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法の一例を、以下説明する。

先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ２１とを用意する。図２に示すように、半導体ウェーハ２１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。

図３に示すように、半導体ウェーハ２１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載せる。すなわち、半導体ウェーハ２１を表面２１ａ側からステージ２２上に載せる。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２３が設けられている。

次に、図４に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離して、露出した粘接着剤層３の表面３ａを、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに貼り付ける。また、ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離して、露出したダイシング層５の上記張り出している領域５Ａを、ダイシングリング２３に貼り付ける。ダイシング層５は、粘接着剤層３の外周側面３ｂよりも側方に張り出している領域５Ａを有するので、ダイシング層５にダイシングリング２３を貼り付けることができる。

上記のようにして、ダイシング−ダイボンディングテープ１と半導体ウェーハ２１とを備える積層体が得られる。

平面視において、半導体ウェーハ２１は、粘接着剤層３よりも小さい。半導体ウェーハ２１と粘接着剤層３と非粘着層４との大きさは、下記式（１）の関係を満たす。

（半導体ウェーハの大きさ）＜（粘接着剤層の大きさ）＜（非粘着層の大きさ） ・・・式（１）

半導体ウェーハ２１と粘接着剤層３との大きさが上記式（１）の関係を満たすため、半導体ウェーハ２１の貼り付けが容易となり、作業性を高めることができる。また、貼り付けの後に、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３部分の片面には非粘着層４が確実にある。このため、ダイシングの際の切削性及びダイシングの後のピックアップ性を高めることができる。例えば、ダイシング後に個片化された複数の半導体チップの全ての部位において、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。従って、生産ロスを低減でき、歩留まりを向上できる。

本実施形態では、上記の構成を備えることにより、生産ロスを大きく低減でき、歩留まりをかなり向上させることができる。

次に、粘接着剤層３が貼り付けられた半導体ウェーハ２１をステージ２２から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２３がダイシング層５に貼り付けられた状態で取り出される。

図５に示すように、取り出した半導体ウェーハ２１を表面２１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２４上に載せる。次に、図５に矢印Ｘを付して示すように、半導体ウェーハ２１を粘接着剤層３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ２１及び粘接着剤層３をそれぞれ、両面を貫通するように切断する。

ダイシングは、半導体ウェーハ２１及び粘接着剤層３を貫通するように行われれば特に限定されない。例えば、粘接着剤層３と非粘着層４との界面よりも深い位置に至るようにダイシングブレードを挿入し、非粘着層４に切り込みを形成してもよい。粘接着剤層３と非粘着層４との界面よりも深い位置に至るようにダイシングブレードを挿入する場合には、ピックアップ性を高めるために、非粘着層４を分断しないことが好ましい。

半導体ウェーハ２１をダイシングする方法としては、ダイシングブレードを用いる方法、又はレーザーダイシングする方法等が挙げられる。

半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシング層５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップが貼り付けられた粘接着剤層３を非粘着層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。

（非粘着層４の詳細）
非粘着層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。組成物は、粘着性を有することが好ましい。組成物は、粘着剤組成物であることが好ましい。組成物としては、熱硬化型又は活性エネルギー線硬化型の組成物が挙げられる。非粘着層４の粘着力を容易に制御できるので、組成物は、活性エネルギー線硬化型の組成物であることが好ましい。

非粘着層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。また、非粘着層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。

上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、非粘着層４の極性を充分に低くすることができ、非粘着層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の非粘着層４からの剥離性を高くすることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、非粘着層４の製造が困難になることがある。上記アルキル基の炭素数は、６以上であることが好ましい。この場合には、非粘着層４の極性をより一層低くすることができる。上記「（メタ）アクリル酸」とは、メタクリル酸又はアクリル酸を意味する。

上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られたポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることがより好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーのアルキル基の炭素数は２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度である。

上記他の改質用モノマーは特に限定されない。上記他の改質用モノマーは、カルボキシル基を有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を有するモノマーが用いられた場合、非粘着層４の極性が高くなる。この結果、ピックアップ性が低下することがある。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル又は（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記官能基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル又は（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有モノマー等が挙げられる。

上記アクリル系ポリマーは、反応性二重結合を有する硬化型アクリル系ポリマーであることが好ましい。この場合には、該硬化型アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体の架橋密度を高くすることができる。上記硬化型アクリル系ポリマーとして、反応性二重結合を側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有する硬化型アクリル系ポリマー等が挙げられる。

上記アクリル系ポリマーに反応性二重結合を導入する方法は、特に制限されない。分子設計が容易であるため、上記反応性二重結合は、側鎖に導入されていることが好ましい。例えば、アクリル系ポリマーに官能基含有モノマーが共重合された官能基含有アクリル系ポリマーを用意した後に、この官能基（以下、官能基Ａともいう）と反応し得る官能基（以下、官能基Ｂともいう）、及び反応性二重結合の両方を有する化合物（以下、化合物Ｃともいう）を、反応性二重結合が残存するように、上記官能基含有アクリル系ポリマーに縮合反応又は付加反応によって導入する方法が挙げられる。

上記官能基Ａと官能基Ｂとの組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、又は水酸基とイソシアネート基等の組合せが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも、反応を容易に制御できるため、水酸基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせでは、どの官能基を上記官能基含有アクリル系ポリマーが含有していてもよく、またどの官能基を上記化合物Ｃが含有していてもよい。水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーと、イソシアネート基を有する上記化合物の組合せが好ましい。

上記イソシアネート基及び反応性二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、又はｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。

上記組成物は、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５０，０００の範囲内にあるオリゴマーをさらに含んでいてもよい。

上記組成物は、紫外線吸収剤を含んでいてもよい。また、組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。

上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。

上記光反応開始剤は特に限定されない。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。また、上記熱反応開始剤は特に限定されない。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。

上記光ラジカル発生剤は特に限定されない。上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９及びイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・ジャパン社製）、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、並びにルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。

上記光カチオン発生剤として、オニウム塩類又は有機金属錯体類を使用できる。上記オニウム塩類としては、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩又は芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記有機金属錯体類としては、鉄−アレン錯体、チタノセン錯体又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等が挙げられる。

上記熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物又はアゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）又はジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等が挙げられる。

非粘着層４の厚みは特に限定されない。非粘着層４の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。非粘着層４の厚みのより好ましい下限は５μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。非粘着層４の厚みが薄すぎると、エクスパンド性が不足することがある。非粘着層４の厚みが厚すぎると、厚みが不均一になり、ダイシングを適切に行えないことがある。

非粘着層４は、例えば上記組成物を用いて、以下のようにして得られる。

非粘着層４を形成するための粘着性を有する組成物層を、例えば離型層上に形成する。次に、活性エネルギー線の照射及び熱の付与の内の少なくとも一つの処理を行う。活性エネルギー線硬化もしくは熱硬化により、又は活性エネルギー線硬化及び熱硬化により、組成物層を硬化（架橋）させ、非粘着層４を得る。

非粘着層４がダイシング時のダイシング層を兼ねていてもよい。この場合には、後述のダイシング層５は必ずしも用いられている必要はない。

（ダイシング層５の詳細）
ダイシング層５は特に限定されない。ダイシング層５を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。

ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、１０〜２００μｍの範囲内にあることが好ましい。ダイシング層５の厚みのより好ましい下限は６０μｍであり、より好ましい上限は１５０μｍである。ダイシング層５の厚みが上記範囲内にあると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性をより一層高くすることができる。

（離型層２の詳細）
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。

離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高めるために、離型層２の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。

（粘接着剤層３の詳細）
粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。粘接着剤層３は、ダイシングの際に、半導体ウェーハごと切断される。

粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。上記硬化性樹脂にかえて、熱可塑性樹脂を用いてもよい。

上記硬化性樹脂は特に限定されない。上記硬化性樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等が挙げられる。

上記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂又はポリウレタン樹脂等が挙げられる。上記光硬化性樹脂としては、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、又は感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。また、上記硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はホットメルト型接着樹脂が好適に用いられる。上記ホットメルト型接着樹脂としては、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。

上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。

上記硬化性樹脂とともに、上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを用いてもよい。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。上記硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と、硬化促進剤とを併用してもよい。

粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。粘接着剤層３の厚みのより好ましい下限は３μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。粘接着剤層３の厚み上記範囲内にあると、粘接着剤層３を介して半導体チップを基板上により一層容易に貼り付けることができ、又は半導体装置の薄型化に対応できる。

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（実施例１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体を得た。アクリル共重合体は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

得られたアクリル共重合体１００重量部、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）２重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製）１重量部を配合し、酢酸エチルに溶解し、組成物を得た。この組成物を離型ＰＥＴフィルム上にアプリケーターを用いて塗工し、１１０℃で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルム状の組成物層を形成した。この組成物層上に離型ＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、上記組成物層に高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、非粘着層を形成した。

また、Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物をアプリケーターにて厚さ４０μｍになるようにリンテック社製ＰＥＴ３８ＣＳ上に塗布し、１１０℃で３分間加熱乾燥して、粘接着剤層を得た。

上記非粘着層の両面に貼り付けられた離型ＰＥＴフィルムの一方を剥がし、直径３０６．８ｍｍの円形の非粘着層を得た。上記ＰＥＴ３８ＣＳ上の粘接着剤層を直径３０５．８ｍｍの円形に加工した。非粘着層と粘接着剤層とを、円の中心が合うように貼り合せた。非粘着層の片面に貼り付けられた離型ＰＥＴフィルムを剥がし、ダイシング層（ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）を、粘着剤層側から非粘着層に貼り付けた。また、ダイシング層の粘接着剤層及び非粘着層の外周側面よりも側方に張り出している領域を、上記ＰＥＴ３８ＣＳ上に貼り付けた。このようにして離型層と粘接着剤層と非粘着層とダイシング層とがこの順で積層されたダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（実施例２〜７及び比較例１，２）
粘接着剤層及び非粘着層の大きさを下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（半導体チップの製造時の評価）
ダイシング−ダイボンディングテープのＰＥＴ３８ＣＳを粘接着剤層から剥離し、粘接着剤層を露出させた。露出した粘接着剤層を直径３０４．８ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）のシリコンウェーハ（厚み８０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。

キーエンス社製デジタルマイクロスコープＶＨＸ１００Ｓにて、半導体ウェーハを貼り付けた上記評価サンプル（積層体）の端部を観察し、ウェーハ貼り合せ性を下記の評価基準で評価した。

［ウェーハ貼り合せ性の評価基準］
◎：ウェーハを貼り合せた部分に粘接着剤層及び非粘着層が明らかにある
○：ウェーハを貼り合せた部分に粘接着剤層及び非粘着層がある
×：ウェーハを貼り合せた部分に粘接着剤層及び非粘着層がない

次に、ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシング時の切削性を下記の評価基準で評価した。

［切削性の評価基準］
○：チップ飛び及びクラックの内のいずれもなし
×：チップ飛び及びクラックの内のいずれかあり

ダイシングの後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップ性を下記の評価基準で評価した。

［ピックアップ性の評価基準］
○：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％以下
△：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％を超え、２％未満
×：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が２％以上

結果を下記の表１に示す。

１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…表面
３ｂ…外周側面
３Ａ…張り出している領域
４…非粘着層
４ａ…一方の面
４ｂ…他方の面
４ｃ…外周側面
４Ａ…張り出している領域
５…ダイシング層
５ａ…基材層
５ｂ…粘着剤層
５Ａ…張り出している領域
６，７…保護シート
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ

Claims (3)

1. 非粘着層と、前記非粘着層の一方の面に積層された粘接着剤層とを備え、
   前記非粘着層が前記粘接着剤層よりも大きく、前記非粘着層が、前記粘接着剤層の外周側面よりも外側に張り出している領域を有し、かつ、
   前記粘接着剤層は、該粘接着剤層に貼り付けられる半導体ウェーハよりも大きい、ダイシング−ダイボンディングテープ。
2. 前記非粘着層の他方の面に積層されたダイシング層をさらに備える、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
3. 前記粘接着剤層が半導体ウェーハの外周側面よりも外側に張り出している領域を有するように、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層の前記非粘着層が積層されている面とは反対側の面に、前記粘接着剤層よりも小さい半導体ウェーハを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
   ダイシングの後に、分割された前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記非粘着層から剥離して、前記半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。

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