JP2010080720A

JP2010080720A - Consecutively formed lead frames, consecutively formed package main bodies, and method of manufacturing semiconductor device

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Publication number: JP2010080720A
Application number: JP2008248228A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Shirasaka; 健一白坂
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2008-09-26
Filing date: 2008-09-26
Publication date: 2010-04-08

Abstract

【課題】プリモールドタイプのパッケージにあって内部に収納される半導体チップを有効に電磁シールドするとともに、限られた面積の材料からパッケージサイズを極力大きくすることができ、材料の使用効率を良くする。
【解決手段】モールド樹脂体の一端部側に周壁部の上端面に露出される導通フレーム部２６が設けられ、隣接状態で列をなす各リードフレーム５の列毎に、該列に沿って導通フレーム部２６を連結状態としてなる支持フレーム部３１が形成され、該支持フレーム部３１に、導通フレーム部２６に対して一部を屈曲させて列の長さ方向と直交する方向に張り出させてなる屈曲部２８が一体に形成され、該屈曲部２８の内側に、複数の端子部２２〜２４のうちの一つの端子部２４に接続状態のアーム部３２が列の長さ方向と直交する方向に沿って下り勾配に傾斜して設けられている。
【選択図】図１In a pre-mold type package, a semiconductor chip housed inside is effectively electromagnetically shielded, and the package size can be increased as much as possible from a material of a limited area, thereby improving the use efficiency of the material. .
A conductive frame portion exposed at an upper end surface of a peripheral wall portion is provided on one end portion side of the mold resin body, and is electrically connected along each row of each lead frame that forms a row in an adjacent state. A support frame portion 31 is formed in which the frame portion 26 is connected, and a part of the support frame portion 31 is bent with respect to the conductive frame portion 26 so as to protrude in a direction perpendicular to the length direction of the row. The bent portion 28 is integrally formed, and inside the bent portion 28, the arm portion 32 connected to one of the plurality of terminal portions 22 to 24 is perpendicular to the length direction of the row. Is provided with a downward slope.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、リードフレームの少なくとも一部をモールド樹脂体に埋設してなるパッケージ本体に半導体チップを収納して蓋体により覆ってなる半導体装置を製造するためのリードフレーム連続成形体、パッケージ本体連続成形体及びこれらを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a continuous lead frame molded body for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is housed in a package body formed by embedding at least a part of a lead frame in a mold resin body and covered with a lid, and the package body continuous The present invention relates to a molded body and a method of manufacturing a semiconductor device using these.

シリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置は、中空のパッケージの中にマイクロフォンチップ等の半導体チップが収納されている。
特許文献１に記載の半導体装置は、フラットの基板の上にマイクロフォンチップ等の半導体チップが搭載され、その上からキャップ状に絞り加工された蓋体が被せられ、その下端が基板の表面に固定されている。この場合、蓋体は金属等の導電性材料によって形成され、その下端が基板上の導体に導電性接着剤によって固定されており、蓋体と基板上の胴体とによって半導体チップの電磁シールドがなされるようになっている。 In semiconductor devices such as silicon microphones and pressure sensors, a semiconductor chip such as a microphone chip is housed in a hollow package.
In the semiconductor device described in Patent Document 1, a semiconductor chip such as a microphone chip is mounted on a flat substrate, and a cap body that is drawn into a cap shape is placed thereon, and its lower end is fixed to the surface of the substrate. Has been. In this case, the lid is formed of a conductive material such as metal, and the lower end thereof is fixed to a conductor on the substrate by a conductive adhesive, and the electromagnetic shield of the semiconductor chip is made by the lid and the body on the substrate. It has become so.

一方、この種の半導体装置として、リードフレームに樹脂をモールドして一体化したプリモールドタイプのパッケージを用いることにより、リードフレームを複数個マトリクス状に連続成形したリードフレーム連続成形体を形成して、パッケージ本体を複数個一括して製作することができ、材料コストの低減、生産性の向上を図ることができると考えられる。特許文献２から４に記載の半導体装置は、このようなプリモールドタイプのパッケージを用いたものであり、半導体チップに接続されるリードフレームの一部がモールド樹脂に埋設状態とされるとともに、この半導体チップの回りを囲むように周壁部がモールド樹脂に一体に形成され、その周壁部の上に蓋体が固定されている。
米国特許第６７８１２３１号明細書特開２０００−３５３７５９号公報特開２００５−５３５３号公報特開２００５−２６４２５号公報 On the other hand, as a semiconductor device of this type, by using a pre-mold type package in which resin is molded into a lead frame and integrated, a lead frame continuous molded body in which a plurality of lead frames are continuously formed in a matrix is formed. It is considered that a plurality of package bodies can be manufactured at a time, and material costs can be reduced and productivity can be improved. The semiconductor devices described in Patent Documents 2 to 4 use such a pre-mold type package, and a part of the lead frame connected to the semiconductor chip is embedded in the mold resin. A peripheral wall is formed integrally with the mold resin so as to surround the semiconductor chip, and a lid is fixed on the peripheral wall.
US Pat. No. 6,781,231 JP 2000-353759 A JP 2005-5353 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-26425

ところで、このようなプリモールドタイプのパッケージにおいて、特許文献１記載の半導体装置のように半導体チップの回りを電磁シールドした構造とする場合、リードフレームを半導体チップの下方に配置し、その一部に、半導体チップの上方の蓋体を接触させる必要がある。この場合、半導体チップの周囲を囲む周壁部の上端面にリードフレームの一部を露出させることが考えられるが、半導体チップの下方に配置されるリードフレームの一部を切り起こすように折り曲げ形成することになるため、その切り起こしに要する長さの分、パッケージとしての平面積が小さくなり、半導体チップの収納空間に制約が生じる。逆に言えば、必要なパッケージサイズを確保しようとすると、切り起こし部分の展開長さの分、リードフレームのための金属板としては大きい面積のものが必要になり、ロスが多く歩留まりが悪くなる結果、コスト低減を妨げる要因となる。 By the way, in such a pre-mold type package, when the semiconductor device has a structure in which the periphery of the semiconductor chip is electromagnetically shielded as in the semiconductor device described in Patent Document 1, the lead frame is disposed below the semiconductor chip, and a part thereof It is necessary to contact the upper cover of the semiconductor chip. In this case, it is conceivable that a part of the lead frame is exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion surrounding the periphery of the semiconductor chip. However, the lead frame is bent and formed so as to cut out a part of the lead frame disposed below the semiconductor chip. Therefore, the flat area as a package is reduced by the length required for the cutting and raising, and the storage space for the semiconductor chip is restricted. In other words, if the required package size is to be secured, the metal plate for the lead frame needs to have a large area corresponding to the developed length of the cut and raised portion, resulting in a large loss and poor yield. As a result, it becomes a factor that hinders cost reduction.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、プリモールドタイプのパッケージにあって内部に収納される半導体チップを有効に電磁シールドするとともに、限られた面積の材料からパッケージサイズを極力大きくすることができ、材料の使用効率が良いリードフレームの連続成形体、このリードフレーム連続成形体を用いたパッケージ本体連続成形体及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and effectively shields a semiconductor chip contained in a pre-mold type package and accommodates the inside of the chip, and reduces the package size from a material of a limited area as much as possible. It is an object of the present invention to provide a lead frame continuous molded body that can be made large and has good material use efficiency, a package body continuous molded body using the lead frame continuous molded body, and a method for manufacturing a semiconductor device.

本発明のリードフレーム連続成形体は、半導体チップを搭載する底板部及び該底板部の周縁部から立設した周壁部を備える箱形のモールド樹脂体に少なくとも一部が埋設され、前記周壁部の上端面に固着される導電性材料からなる蓋体と電気的接続状態とされるリードフレームを複数連結状態に形成したリードフレーム連続成形体であって、各リードフレームは、前記モールド樹脂体の一側部における前記周壁部の上端面に露出される導通フレーム部と、該導通フレーム部から下り勾配に傾斜した連結フレーム部を介して接続され前記底板部に配置されるステージ部と、前記底板部に前記ステージ部と間隔をあけて配置される複数の端子部とが備えられるとともに、隣接状態で列をなす各リードフレームの列毎に、該列に沿って前記導通フレーム部を連結状態としてなる支持フレーム部が形成され、該支持フレーム部に、前記導通フレーム部に対して一部を屈曲させて前記列の長さ方向と直交する方向に張り出させてなる屈曲部が一体に形成され、該屈曲部の内側に、前記複数の端子部のうちの一つの端子部に接続状態のアーム部が前記列の長さ方向と直交する方向に沿って下り勾配に傾斜して設けられていることを特徴とする。 The lead frame continuous molded body of the present invention is at least partially embedded in a box-shaped mold resin body including a bottom plate portion on which a semiconductor chip is mounted and a peripheral wall portion standing from the peripheral edge portion of the bottom plate portion, A lead frame continuous molded body in which a plurality of lead frames that are electrically connected to a lid made of a conductive material fixed to an upper end surface are connected to each other, and each lead frame is a part of the mold resin body. A conductive frame portion exposed at an upper end surface of the peripheral wall portion in the side portion; a stage portion connected to the bottom plate portion connected via a connecting frame portion inclined downward from the conductive frame portion; and the bottom plate portion And a plurality of terminal portions arranged at a distance from the stage portion, and for each lead frame row forming a row in an adjacent state, the conductive frame is arranged along the row. A support frame portion is formed in which the frame portion is connected, and a portion of the support frame portion is bent with respect to the conductive frame portion so as to protrude in a direction perpendicular to the length direction of the row. And the arm portion connected to one of the plurality of terminal portions is inclined downward along a direction perpendicular to the length direction of the row. It is characterized by being provided.

このリードフレーム連続成形体を用いてプリモールドタイプの半導体装置を形成することにより、リードフレームの導通フレーム部と蓋体とを電気的接続状態として、これらリードフレームと蓋体とにより半導体チップを囲った状態とすることができ、内部の半導体チップを有効に電磁シールドすることができる。
そして、このリードフレーム連続成形体においては、導通フレーム部とステージ部とは、その間の連結フレーム部が折り曲げられるために、その展開状態では両者間に折り曲げに要する距離が必要になるが、その導通フレーム部がリードフレームの一端部に設けられていることにより、他方の端部においては、折り曲げに要する展開分を見込んでおく必要がなくなり、その分、ステージ部を広く確保し得て、シールド効果を高めることができるとともに、リードフレーム連続成形体全体の面積に比べて大きいパッケージサイズのものを形成することが可能になる。 By forming a pre-mold type semiconductor device using the lead frame continuous molded body, the lead frame and the cover body are electrically connected to each other, and the lead frame and the cover body surround the semiconductor chip. The internal semiconductor chip can be effectively electromagnetically shielded.
In this lead frame continuous molded body, since the connecting frame portion between the conductive frame portion and the stage portion is bent, a distance required for bending is required between the conductive frame portion and the stage portion. Since the frame part is provided at one end of the lead frame, it is not necessary to allow for the unfolded part required for bending at the other end part, and the stage part can be secured widely, and the shielding effect In addition, it is possible to form a package having a larger package size than the area of the entire lead frame continuous molded body.

また、このリードフレーム連続成形体は、樹脂がモールドされ、半導体チップを収納した後、ダイシング加工等により切断されて個々の半導体装置となる。そのとき、導通フレーム部の外側を切断することにより、該導通フレーム部から張り出させた屈曲部が切り落とされ、該屈曲部に接続されていたアーム部を導通フレーム部から分離独立させることができ、しかも、そのアーム部は下り勾配に傾斜しているから、その下り勾配の部分で切断されるとモールド樹脂に埋設された状態となり、このアーム部に接続状態の端子部と蓋体との絶縁を確保することができる。 Further, the lead frame continuous molded body is molded with resin, accommodates a semiconductor chip, and is then cut by dicing or the like to form individual semiconductor devices. At that time, by cutting the outside of the conductive frame portion, the bent portion protruding from the conductive frame portion is cut off, and the arm portion connected to the bent portion can be separated and independent from the conductive frame portion. In addition, since the arm portion is inclined downwardly, when it is cut at the downwardly inclined portion, the arm portion is embedded in the mold resin, and insulation between the terminal portion connected to the arm portion and the lid body is obtained. Can be secured.

本発明のリードフレーム連続成形体において、前記連結フレーム部は、その先端部が前記ステージ部の側部に接続されているとともに、一つの列の中で隣接する両リードフレームの間で両リードフレーム相互に連結状態に設けられているとよい。
隣接するリードフレーム間で連結フレーム部を連結状態とすることにより、両リードフレーム間のピッチを小さくすることができ、前述した導通フレーム部を片側に配置したことにより大きいパッケージサイズとすることができることと相俟って、より材料の使用効率を高めることができ、リードフレーム連続成形体全体のサイズに比べて、個々のパッケージサイズとしてさらに大きいものとすることができる。 In the lead frame continuous molded body according to the present invention, the connecting frame portion has a leading end portion connected to a side portion of the stage portion, and the two lead frames between two adjacent lead frames in one row. It is good to be provided in a mutually connected state.
By connecting the connecting frame portions between adjacent lead frames, the pitch between the two lead frames can be reduced, and a larger package size can be achieved by arranging the conductive frame portion on one side. In combination with this, the material use efficiency can be further increased, and the individual package size can be made larger than the overall size of the lead frame continuous molded body.

また、本発明のリードフレーム連続成形体において、前記アーム部における前記屈曲部への接続部付近の表面は、前記導通フレーム部の表面に対して低くなるように窪ませられているとよい。
前述したように、このリードフレーム連続成形体に樹脂がモールドされ、半導体チップを収納した後、導通フレーム部の外側が切断されて個々の半導体装置に分離されるが、この場合に、アーム部の途中部分でなくても、屈曲部におけるアーム部の接続部を切断すれば、その接続部は導通フレーム部の表面より低く形成されているから、アーム部を導通フレーム部から分離し、しかもその切断エッジをモールド樹脂に埋設した状態とすることができる。したがって、屈曲部を導通フレーム部からわずかに張り出させる程度でもアーム部を絶縁状態とすることが可能であり、材料の無駄を少なくすることができる。 In the lead frame continuous molded body of the present invention, the surface of the arm portion in the vicinity of the connection portion to the bent portion may be recessed so as to be lower than the surface of the conductive frame portion.
As described above, after the resin is molded into the lead frame continuous molded body and the semiconductor chip is accommodated, the outside of the conductive frame portion is cut and separated into individual semiconductor devices. Even if it is not an intermediate part, if the connecting part of the arm part in the bent part is cut, the connecting part is formed lower than the surface of the conducting frame part, so the arm part is separated from the conducting frame part and the cutting is performed. The edge can be in a state embedded in the mold resin. Therefore, the arm portion can be insulative even if the bent portion slightly protrudes from the conductive frame portion, and waste of material can be reduced.

本発明のリードフレーム連続成形体において、前記支持フレーム部における前記アーム部とは反対側に、隣接する他の列のリードフレームにおける前記一つの端子部とは異なる端子部が補助アーム部を介して接続されているものとしてもよい。
各リードフレームを列毎に支持する支持フレーム部に、隣接する列のリードフレームにおける一部の端子部をも支持させるようにしたものであり、材料の使用効率をさらに高めることができる。 In the lead frame continuous molded body of the present invention, a terminal portion different from the one terminal portion in the lead frame of another adjacent row is provided on the opposite side of the support frame portion from the arm portion via an auxiliary arm portion. It may be connected.
The support frame portion that supports each lead frame for each row also supports a part of the terminal portions in the lead frames in the adjacent rows, so that the material use efficiency can be further improved.

そして、本発明のパッケージ本体連続成形体は、前記リードフレーム連続成形体に樹脂をモールドして前記底板部及び周壁部を備えるパッケージ本体を連続状態で形成してなるパッケージ本体連続成形体であって、前記底板部の上面に、前記端子部の上面の少なくとも一部ずつが露出するとともに、前記底板部の下面に、前記端子部及び前記ステージ部の下面の少なくとも一部ずつが露出していることを特徴とする。 And the package body continuous molded body of the present invention is a package body continuous molded body formed by molding resin in the lead frame continuous molded body and forming the package body including the bottom plate portion and the peripheral wall portion in a continuous state. And at least part of the upper surface of the terminal part is exposed on the upper surface of the bottom plate part, and at least part of the lower surface of the terminal part and the stage part is exposed on the lower surface of the bottom plate part. It is characterized by.

また、このパッケージ本体連続成形体を用いた半導体装置の製造方法は、前記パッケージ本体連続成形体の各底板部上に半導体チップを搭載するとともに、前記周壁部の上面に導電性接着剤を介して前記蓋体を固着した後、前記周壁部の外周縁を切断することにより半導体装置を製造する方法であって、前記周壁部の外周縁を切断する際に前記アーム部における前記屈曲部への接続部を経由して前記列の長さ方向に切断する工程を有することを特徴とする。 Further, in the method of manufacturing a semiconductor device using the package body continuous molded body, a semiconductor chip is mounted on each bottom plate portion of the package body continuous molded body, and a conductive adhesive is interposed on the upper surface of the peripheral wall section. A method of manufacturing a semiconductor device by cutting the outer peripheral edge of the peripheral wall portion after fixing the lid, and connecting the bent portion of the arm portion to the bent portion when cutting the outer peripheral edge of the peripheral wall portion It has the process of cut | disconnecting in the length direction of the said row | line | column through a part.

また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記連結フレーム部が一つの列の中で隣接する両リードフレームの間で両リードフレーム相互に連結状態に設けられている場合には、前記周壁部の外周縁を切断する際に、前記隣接する両リードフレームの間で前記連結フレーム部の連結部を切断する工程を有する。 Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, when the connecting frame portion is provided in a connected state between the two lead frames adjacent to each other in one row, the peripheral wall portion And cutting the connecting portion of the connecting frame portion between the adjacent lead frames when cutting the outer peripheral edge.

さらに、本発明の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップがマイクロフォンチップであり、前記蓋体又は前記パッケージ本体のいずれかに、内部空間に連通する音響孔が形成されているものとすることができる。 Furthermore, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor chip is a microphone chip, and an acoustic hole communicating with an internal space is formed in either the lid or the package body. it can.

本発明のリードフレーム連続成形体を用いてプリモールドタイプの半導体装置を形成することにより、導通フレーム部を蓋体に電気的接続状態として、内部に収納される半導体チップの電磁シールドをすることが可能になる。そして、その場合に、リードフレームの一端部に設けた導通フレーム部から連結アーム部を介してステージ部が支持されていることにより、他方の端部においてはステージ部を広く確保することができ、リードフレーム連続成形体全体の面積に比べて大きいパッケージサイズのものを形成することが可能になり、限られた面積の材料を効率よく使用することができる。また、リードフレーム連続成形体においては、導通フレーム部に一体の屈曲部に、端子部を支持するアーム部を接続したので、半導体装置の製造時に導通フレーム部の外側を切断することにより、アーム部を導通フレーム部から分離し、しかもモールド樹脂に埋設された状態として蓋体から絶縁した状態とすることができ、リードフレームの片側の導通フレーム部にステージ部と端子部とをともに支持した構造としながら、半導体装置としての製造工程中の通常の加工によって、半導体チップの電磁シールドと、端子部の絶縁とを確保することができ、生産性にも優れるものである。 By forming a pre-mold type semiconductor device using the lead frame continuous molded body of the present invention, the conductive frame portion can be electrically connected to the lid, and the semiconductor chip housed therein can be electromagnetically shielded. It becomes possible. And in that case, the stage part is supported through the connecting arm part from the conduction frame part provided at one end part of the lead frame, so that the stage part can be widely secured at the other end part, It becomes possible to form a package having a size larger than that of the entire lead frame continuous molded body, and a material having a limited area can be used efficiently. Further, in the lead frame continuous molded body, the arm portion supporting the terminal portion is connected to the bent portion integral with the conductive frame portion, so that the arm portion is cut by cutting the outside of the conductive frame portion during manufacturing of the semiconductor device. Can be separated from the conductive frame part, and can be insulated from the lid as embedded in the mold resin, and the stage part and the terminal part are supported on the conductive frame part on one side of the lead frame. However, it is possible to secure the electromagnetic shield of the semiconductor chip and the insulation of the terminal portion by ordinary processing during the manufacturing process as the semiconductor device, and the productivity is excellent.

以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面を参照しながら説明する。
まず、半導体装置について説明しておくと、この半導体装置１は、マイクロフォンパッケージであり、図１２に全体の断面を示したように、半導体チップとしてマイクロフォンチップ２と制御回路チップ３との二つのチップが収納されている。また、そのパッケージ４は、リードフレーム５に箱型のモールド樹脂体６を一体成形してなるパッケージ本体７と、このパッケージ本体７の上方を閉塞する蓋体８とを備える構成とされている。図１３は、蓋体８を省略して、両半導体チップ２，３を収納した状態のパッケージ本体７の平面を示しており、図１３は、その裏面を示している。 Hereinafter, an embodiment of a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
First, the semiconductor device will be described. The semiconductor device 1 is a microphone package, and as shown in FIG. 12, the entire cross section is shown, and two chips of a microphone chip 2 and a control circuit chip 3 are used as semiconductor chips. Is stored. The package 4 includes a package body 7 formed by integrally forming a box-shaped mold resin body 6 on a lead frame 5 and a lid body 8 that closes the upper portion of the package body 7. FIG. 13 shows a plan view of the package body 7 in a state where both the semiconductor chips 2 and 3 are accommodated with the lid 8 omitted, and FIG. 13 shows the back surface thereof.

リードフレーム５は、銅材等の導電性材料からなる帯状の金属板を加工することにより、複数個が並べられた状態で形成され、後述のように加工され、半導体装置として組み立てられた後に図１２に示すように個々に分離されるものである。
図１は外枠部１１の中にリードフレーム５を一定のピッチで並べて形成したリードフレーム連続成形体１２の展開状態を示しており、図２は、その裏面を示している。この展開状態のリードフレーム連続成形体についても、後述の折り曲げ加工後のリードフレーム連続成形体についても、各部の構成要素等には同一符号を付している。また、この明細書中では、１個単位のものをリードフレームと称しており、以下では図１の上下方向を縦方向、左右方向を横方向というものとする。また、図１中、符号１３は、後述するように蓋体８を取り付ける際に金型のガイドピンを挿入するためのガイド孔を示しており、図示例では、外枠部１１の上下方向の両端部に一定のピッチで並んで配置されている（図には一方の端部におけるガイド孔のみ示している）。 The lead frame 5 is formed in a state in which a plurality of metal plates are arranged by processing a strip-shaped metal plate made of a conductive material such as a copper material, processed as described later, and assembled as a semiconductor device. 12 are separated individually.
FIG. 1 shows a developed state of a lead frame continuous molded body 12 in which the lead frames 5 are arranged in the outer frame portion 11 at a constant pitch, and FIG. 2 shows the back surface thereof. Regarding the lead frame continuous molded body in this unfolded state and the lead frame continuous molded body after bending, which will be described later, the same reference numerals are given to the components of each part. Further, in this specification, one unit is referred to as a lead frame, and in the following, the vertical direction in FIG. 1 is referred to as a vertical direction, and the horizontal direction is referred to as a horizontal direction. Further, in FIG. 1, reference numeral 13 indicates a guide hole for inserting a guide pin of a mold when the lid body 8 is attached as will be described later. In the illustrated example, the reference numeral 13 indicates the vertical direction of the outer frame portion 11. They are arranged at both ends at a constant pitch (only the guide holes at one end are shown in the figure).

各リードフレーム５は、図３及び図４に１個のリードフレームを示したように、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３の下方に配置される平板状のステージ部２１と、該ステージ部２１の周囲に配置された例えば電源用、出力用、ゲイン用の３個の端子部２２〜２４とが相互に間隔をあけて配置され、そのステージ部２１に連結フレーム部２５を介して一体の導通フレーム部２６がステージ部２１の一方の端部と平行に形成されており、これら導通フレーム部２６、ステージ部２１、各端子部２２〜２４が全体として縦長の矩形状をなすように配置されている。
ステージ部２１は、矩形状の両端部のうち、一方の端部が１箇所、他方の端部が２箇所それぞれ矩形状に切り欠かれた形状とされ、これら切欠部２７内に各端子部２２〜２４が配置されている。
各端子部２２〜２４は、ステージ部２１の各切欠部２７よりも小さい矩形状に形成されることにより、該切欠部２７内に、ステージ部２１との間に一定の間隔をあけて配置されている。 As shown in FIGS. 3 and 4, each lead frame 5 includes a plate-like stage portion 21 disposed below the microphone chip 2 and the control circuit chip 3, and the stage portion 21. For example, three terminal portions 22 to 24 for power supply, output, and gain arranged in the periphery are arranged at intervals, and a conductive frame integrated with the stage portion 21 via a connecting frame portion 25. The portion 26 is formed in parallel with one end portion of the stage portion 21, and the conductive frame portion 26, the stage portion 21, and the terminal portions 22 to 24 are disposed so as to form a vertically long rectangular shape as a whole. .
The stage portion 21 has a rectangular shape in which one end portion is cut out in a rectangular shape at one end and the other end portion is cut out in a rectangular shape at two locations, and each terminal portion 22 is formed in the cutout portion 27. ˜24 are arranged.
Each terminal portion 22 to 24 is formed in a rectangular shape smaller than each notch portion 27 of the stage portion 21, so that the terminal portions 22 to 24 are arranged in the notch portion 27 with a certain distance from the stage portion 21. ing.

導通フレーム部２６は、ステージ部２１の一方の端部と間隔をあけてこの端部の辺に沿って配置されている。この場合、導通フレーム部２６は、ステージ部２１のこの一方の端部における切欠部２７を除く部分の長さの範囲で設けられており、切欠部２７に対向する部分には、導通フレーム部２６から外方に屈曲状態に張り出してなる屈曲部２８が導通フレーム部２６の一端部に連続して形成されている。そして、この屈曲部２８の端部及び導通フレーム部２６の他方の端部に、ステージ部２１の両側部と平行にそれぞれ連結フレーム部２５が形成され、各連結フレーム部２５の先端部がステージ部２１の両側部のほぼ中央位置に接続されている。また、隣接するリードフレーム５においては、導通フレーム部２６から延びる連結フレーム部（図３の左側部に配置されている連結フレーム部）２５と、屈曲部２８から延びる連結フレーム部（図３の右側部に配置されている連結フレーム部）２５との長さ方向の途中位置どうしが図示例では２本の短尺のブリッジ部２９によって連結状態とされている。 The conductive frame portion 26 is disposed along one side of the stage portion 21 with a space therebetween. In this case, the conduction frame portion 26 is provided in a range of the length of the portion excluding the notch portion 27 at the one end portion of the stage portion 21, and the conduction frame portion 26 is provided at a portion facing the notch portion 27. A bent portion 28 that protrudes outward from the bent portion 28 is continuously formed at one end of the conductive frame portion 26. And the connection frame part 25 is formed in the edge part of this bending part 28, and the other edge part of the conduction | electrical_connection frame part 26 in parallel with the both sides of the stage part 21, respectively, and the front-end | tip part of each connection frame part 25 is a stage part. 21 is connected to approximately the center position on both sides. Further, in the adjacent lead frame 5, a connecting frame portion (connecting frame portion disposed on the left side in FIG. 3) 25 extending from the conductive frame portion 26 and a connecting frame portion (right side in FIG. 3) extending from the bent portion 28. In the example shown in the drawing, two short bridge portions 29 are connected to each other in the lengthwise direction with respect to the connecting frame portion (25) disposed in the portion.

このように導通フレーム部２６に屈曲部２８が連続し、これら導通フレーム部２６及び屈曲部２８から延びる両連結フレーム部２５が隣接状態の両リードフレーム５間で相互に連結状態とされていることにより、図１に示すように、各リードフレーム５の一端部側に配置される導通フレーム２６、屈曲部２８、連結フレーム部２５が一列に連なった状態とされ、その両端が外枠部１１に接続されている。そして、これら連結状態の導通フレーム２６、屈曲部２８、連結フレーム部２５により、各リードフレーム５の一端部側を列に沿って連結状態として外枠部１１に支持する支持フレーム部３１が構成される。具体的には、この支持フレーム部３１には、その片側に、各リードフレーム５のステージ部２１が連結フレーム部２５を介して接続されるとともに、このリードフレーム５に属する１個の端子部２４がアーム部３２を介して接続され、反対側に、隣接する他の列のリードフレーム５に属する２個の端子部２２，２３がそれぞれ補助アーム部３３を介して接続されている。 In this way, the bent portion 28 is continuous with the conductive frame portion 26, and both the connecting frame portions 25 extending from the conductive frame portion 26 and the bent portion 28 are connected to each other between the adjacent lead frames 5. Thus, as shown in FIG. 1, the conductive frame 26, the bent portion 28, and the connecting frame portion 25 disposed on one end side of each lead frame 5 are in a line, and both ends thereof are connected to the outer frame portion 11. It is connected. The connected conductive frame 26, the bent portion 28, and the connected frame portion 25 constitute a support frame portion 31 that supports one end portion of each lead frame 5 in a connected state along the row and is supported by the outer frame portion 11. The Specifically, the stage portion 21 of each lead frame 5 is connected to one side of the support frame portion 31 via a connecting frame portion 25, and one terminal portion 24 belonging to the lead frame 5. Are connected via an arm portion 32, and on the opposite side, two terminal portions 22 and 23 belonging to another adjacent lead frame 5 are connected via an auxiliary arm portion 33, respectively.

この場合、この２個の端子部２２，２３は、そのうちの１個（端子部２２）は導通フレーム部２６に、他の１個（端子部２３）は屈曲部２８にそれぞれ接続されている。したがって、支持フレーム部３１の導通フレーム部２６には、他の列のリードフレーム５に属する１個の端子部２２が接続され、屈曲部２８においては、その両側に、自身のリードフレーム５に属する端子部２４と他の列のリードフレーム５に属する端子部２３とが１個ずつ接続されることになる。
なお、図１及び図３にハッチングした領域は、リードフレーム５の表面側で局部的にハーフエッチングした領域を示しており、屈曲部２８に接続されているアーム部３２及び補助アーム部３３における屈曲部２８への接続部付近、及び支持フレーム部３１とは反対側の端部におけるステージ部２１の両切欠部２７に配置される両端子部２２，２３の内側側部がそれぞれ板厚の半分程度にハーフエッチングされることにより、他の表面よりも低い凹状部３４，３５とされている。 In this case, one of these two terminal portions 22, 23 (terminal portion 22) is connected to the conduction frame portion 26, and the other one (terminal portion 23) is connected to the bent portion 28. Therefore, one terminal portion 22 belonging to the lead frame 5 of another row is connected to the conductive frame portion 26 of the support frame portion 31, and the bent portion 28 belongs to its own lead frame 5 on both sides thereof. The terminal portions 24 and the terminal portions 23 belonging to the lead frames 5 in the other rows are connected one by one.
The hatched regions in FIGS. 1 and 3 are regions that are locally half-etched on the surface side of the lead frame 5, and are bent at the arm portion 32 and the auxiliary arm portion 33 that are connected to the bent portion 28. The inner side portions of both terminal portions 22 and 23 disposed in both notch portions 27 of the stage portion 21 in the vicinity of the connection portion to the portion 28 and at the end opposite to the support frame portion 31 are about half of the plate thickness. By being half-etched, the concave portions 34 and 35 are formed lower than the other surfaces.

一方、このリードフレーム連続成形体１２の裏面は、図２及び図４にハッチングでハーフエッチング領域を示したように、ステージ部２１の大部分がハーフエッチングされている。すなわち、３個の端子部２２〜２４に対応するステージ部２１の隅部が矩形状に残された状態で、他の部分が板厚の半分程度までハーフエッチングされた凹状部３６とされ、その残された隅部が３個の端子部２２〜２４とほぼ同じ形状の矩形状とされ、これら端子部２２〜２４及びステージ部２１の隅部の表面が外部接続面３７〜４０とされ、これら４個の外部接続面３７〜４０がリードフレーム５全体の四隅付近に配置されるようになっている。なお、各端子部２２〜２４の表面（支持フレーム部３１とは反対側端部におけるステージ部２１の両切欠部２７に配置される両端子部２２，２３においてはその内側側部の凹状部３５を除く表面）及びこれら端子部２２〜２４の配置に対応するステージ部２１の隅部表面が、マイクロフォンチップ２又は制御回路チップ３に接続される内部接続面４１〜４４とされている。 On the other hand, most of the stage portion 21 is half-etched on the back surface of the lead frame continuous molded body 12 as shown by hatching in FIG. 2 and FIG. That is, in a state where the corners of the stage portion 21 corresponding to the three terminal portions 22 to 24 are left in a rectangular shape, the other portion is a concave portion 36 that is half-etched to about half the plate thickness, The remaining corners have a rectangular shape that is substantially the same shape as the three terminal portions 22 to 24, and the surfaces of the terminal portions 22 to 24 and the corners of the stage portion 21 are external connection surfaces 37 to 40. Four external connection surfaces 37 to 40 are arranged near the four corners of the entire lead frame 5. In addition, in the both terminal parts 22 and 23 arrange | positioned in the both notch parts 27 of the stage part 21 in the surface (terminal part opposite side to the support frame part 31) of each terminal part 22-24, the recessed part 35 of the inner side part is provided. The surface of the stage portion 21 corresponding to the arrangement of the terminal portions 22 to 24 is the internal connection surfaces 41 to 44 connected to the microphone chip 2 or the control circuit chip 3.

そして、このリードフレーム連続成形体１２は、図５に示すように、連結フレーム部２５及びアーム部３２、補助アーム部３３が、その両端部で折り曲げ変形され、支持フレーム部３１は外枠部１１と同一平面上に配置されるが、連結フレーム部２５及びアーム部３２、補助アーム部３３は、それぞれ先端に向けて下り勾配に傾斜して配置され、これらの先端に接続状態のステージ部２１と各端子部２２〜２４とは、支持フレーム部３１よりも低い位置で同一平面上に配置される。 In the lead frame continuous molded body 12, as shown in FIG. 5, the connecting frame portion 25, the arm portion 32, and the auxiliary arm portion 33 are bent and deformed at both ends thereof, and the support frame portion 31 is formed in the outer frame portion 11. The connecting frame portion 25, the arm portion 32, and the auxiliary arm portion 33 are arranged so as to incline downward toward the tip, and the stage portion 21 connected to the tip is connected to the tip portion 21. The terminal portions 22 to 24 are arranged on the same plane at a position lower than the support frame portion 31.

このように加工されたリードフレーム連続成形体１２に対して、図１及び図２の鎖線で示すようにモールド樹脂体６を相互に連結状態とした一体構造のモールド樹脂成形体５０が形成される。
このモールド樹脂成形体５０にマイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３が搭載され、その上に蓋体８が固定されて、個々に分割されることにより、各リードフレーム５にモールド樹脂体６を一体化したパッケージ本体７と蓋体８とによりマイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３を収納した半導体装置１が構成される。本発明では、このリードフレーム連続成形体１２にモールド樹脂成形体５０が一体に形成された状態のものをパッケージ本体連続成形体５１と称しており、複数のパッケージ本体７が相互に連結状態に形成される。 As shown by the chain line in FIG. 1 and FIG. 2, an integral structure molded resin molded body 50 in which the molded resin bodies 6 are connected to each other is formed on the lead frame continuous molded body 12 processed in this way. .
The microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are mounted on the molded resin molded body 50, and the lid body 8 is fixed on the molded chip 50, and the molded resin body 6 is integrated with each lead frame 5 by being individually divided. The package body 7 and the lid 8 constitute the semiconductor device 1 in which the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are accommodated. In the present invention, a state in which the molded resin molded body 50 is integrally formed with the lead frame continuous molded body 12 is referred to as a package body continuous molded body 51, and a plurality of package bodies 7 are formed in a mutually connected state. Is done.

その１個ずつに分割したパッケージ本体７について構造を図６〜図８により説明すると、このパッケージ本体７のモールド樹脂体６は、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とを並べることができる長さの矩形板状に形成された底板部５２と、この底板部５２の周縁部から立設した周壁部５３とを備える構成とされている。
この底板部５２は、その裏面では、リードフレーム５における各端子部２２〜２４及びステージ部２１の各外部接続面３７〜４０を露出させた状態で、これら端子部２２〜２４及びステージ部２１の残りの部分を埋設している（図１４参照）。また、この底板部５２の表面側には、その一側部を他の部分と区画するように若干の高さの立ち上げ壁５４が縦方向に沿うリブ状に形成され、その立ち上げ壁５４よりも右側側部においては、上下両端部の端子部２３，２４の内部接続面４２，４３とステージ部２１の一部が露出状態とされ、また、立ち上げ壁５４より左側表面では、縦方向の中央部から上半分では、ステージ部２１の内部接続面４４を除き、他の部分は埋設状態とされているが、中央部から下半分では、端子部２２の内部接続面４１とステージ部２１の下半分とが露出された状態とされ、これら露出状態の内部接続面４１とステージ部２１の表面との間を区画するように若干の高さの立ち上げ壁５５が形成されている。これら立ち上げ壁５４，５５の高さは、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３の高さよりは低いが、後述するダイボンド材の塗布厚さよりも大きく、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３の下方からダイボンド材がはみ出しても乗り越えられない程度の高さに設定される。また、ステージ部２１の下半分の露出部分の側方位置には、立ち上げ壁５５よりも高い棚部５６が立ち上げ壁５５に連続しかつ周壁部５３の内側面と一体に形成されている。 The structure of the package body 7 divided into one piece will be described with reference to FIGS. 6 to 8. The mold resin body 6 of the package body 7 has a length that allows the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 to be arranged. A bottom plate portion 52 formed in a rectangular plate shape and a peripheral wall portion 53 erected from the peripheral edge portion of the bottom plate portion 52 are provided.
The bottom plate portion 52 has, on its back surface, the terminal portions 22 to 24 of the lead frame 5 and the external connection surfaces 37 to 40 of the stage portion 21 exposed, and the terminal portions 22 to 24 and the stage portion 21 of the stage portion 21. The remaining part is buried (see FIG. 14). Further, on the surface side of the bottom plate portion 52, a rising wall 54 having a slight height is formed in a rib shape along the vertical direction so as to partition one side portion from the other portion. In the right side portion, the internal connection surfaces 42 and 43 of the terminal portions 23 and 24 at both the upper and lower end portions and a part of the stage portion 21 are exposed, and in the left side surface from the rising wall 54, the vertical direction In the upper half from the central portion, the other portions except the internal connection surface 44 of the stage portion 21 are buried, but in the lower half from the central portion, the internal connection surface 41 of the terminal portion 22 and the stage portion 21 are embedded. The lower half is exposed, and a rising wall 55 having a slight height is formed so as to partition between the exposed internal connection surface 41 and the surface of the stage portion 21. The heights of the rising walls 54 and 55 are lower than the heights of the microphone chip 2 and the control circuit chip 3, but are larger than the coating thickness of a die bonding material described later, and the die bonding is performed from below the microphone chip 2 and the control circuit chip 3. The height is set so that the material cannot get over even if it protrudes. Further, at a side position of the exposed portion of the lower half of the stage portion 21, a shelf 56 higher than the rising wall 55 is formed continuously with the rising wall 55 and integrally with the inner side surface of the peripheral wall portion 53. .

そして、この底板部５２の上半分のステージ部２１の大部分が樹脂に埋設されている領域がマイクロフォンチップ２を搭載する領域とされ、下半分のステージ部２１の一部が露出している領域が制御回路チップ３を搭載する領域とされている。したがって、マイクロフォンチップ２を搭載する領域は全面的に樹脂がモールドされているが、制御回路チップ３を搭載する領域は、ステージ部２１の一部が露出しており、この露出したステージ部２１の上に制御回路チップ３が固定されるようになっている。また、この制御回路チップ３が搭載される領域に接近して形成される棚部５６は、底板部５２の一部を隆起させ、周壁部５３に囲まれた内部空間の容積を小さくするように機能している。 And the area | region where most of the upper half stage part 21 of this baseplate part 52 is embed | buried in resin is made into the area | region which mounts the microphone chip 2, and the area | region where a part of lower half stage part 21 is exposed Is an area where the control circuit chip 3 is mounted. Therefore, although the resin mounting area is entirely molded in the area where the microphone chip 2 is mounted, a part of the stage portion 21 is exposed in the area where the control circuit chip 3 is mounted. The control circuit chip 3 is fixed on the top. Further, the shelf portion 56 formed close to the area where the control circuit chip 3 is mounted so that a part of the bottom plate portion 52 is raised and the volume of the internal space surrounded by the peripheral wall portion 53 is reduced. It is functioning.

そして、この底板部５２の上に、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とがダイボンド材５７，５８によってそれぞれ固定され、底板部５２の四隅に露出状態とされている端子部２２〜２４及びステージ部２１の各内部接続面４１〜４４にボンディングワイヤ５９によって接続されている（図１２及び図１３参照）。マイクロフォンチップ２は、音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム電極と固定電極とが対向配置され、ダイヤフラム電極の振動に伴う静電容量変化を検出するものである。また、制御回路チップ３は、マイクロフォンチップ２への電源の供給回路、マイクロフォンチップ２からの出力信号の増幅器等を備える構成とされている。この場合、マイクロフォンチップ２を固定するダイボンド材５７は絶縁性樹脂によって構成されるが、制御回路チップ３を固定するダイボンド材５８は導電性樹脂によって構成される。 The microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are fixed on the bottom plate portion 52 by die bond materials 57 and 58, respectively, and the terminal portions 22 to 24 and the stage portion exposed at the four corners of the bottom plate portion 52. 21 are connected to the respective internal connection surfaces 41 to 44 by bonding wires 59 (see FIGS. 12 and 13). In the microphone chip 2, a diaphragm electrode and a fixed electrode that vibrate in response to pressure fluctuations such as sound are disposed to face each other, and a change in electrostatic capacitance accompanying vibration of the diaphragm electrode is detected. The control circuit chip 3 includes a power supply circuit to the microphone chip 2, an output signal amplifier from the microphone chip 2, and the like. In this case, the die bond material 57 for fixing the microphone chip 2 is made of an insulating resin, whereas the die bond material 58 for fixing the control circuit chip 3 is made of a conductive resin.

一方、周壁部５３は、全体としては角筒状に形成され、リードフレーム５のステージ部２１を埋設している底板部５２の周縁部から上方に向けて立設されている。そして、周壁部５３の中に、両端部で折り曲げられて傾斜した状態の連結フレーム部２５及び各端子部２２〜２４のアーム部３２及び補助アーム部３３がそれぞれ埋設されており、導通フレーム部２６の表面が周壁部５３の上端面に露出している。
なお、モールド樹脂成形体５０としては、導通フレーム２６に連続する屈曲部２８の表面も周壁部５３の外側で露出しているが、後述するようにダイシング加工によって切断される。 On the other hand, the peripheral wall portion 53 is formed in a rectangular tube shape as a whole, and is erected upward from the peripheral edge portion of the bottom plate portion 52 in which the stage portion 21 of the lead frame 5 is embedded. In the peripheral wall portion 53, the connecting frame portion 25 bent at both ends and inclined, the arm portion 32 of each terminal portion 22 to 24, and the auxiliary arm portion 33 are embedded, and the conduction frame portion 26 is embedded. Is exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion 53.
Note that, as the molded resin molded body 50, the surface of the bent portion 28 continuous to the conductive frame 26 is also exposed outside the peripheral wall portion 53, but is cut by dicing as described later.

このように構成したパッケージ本体７に被せられる蓋体８も、リードフレーム５と同様に、銅材等の導電性金属材料からなる帯状金属板を加工することにより、複数個並べられた状態で形成され、後述するようにパッケージ本体７に組み合わせた後に、個々に分離されるものである。図９に蓋体８を一定のピッチで並べて形成した連続成形体６１を示している。この連続成形体６１では、各蓋体８は、外枠部６２との間又は隣接する蓋体８相互の間が接続フレーム部６３により接続され、リードフレーム５と同じピッチで縦横に並べられる。また、図１等のリードフレーム連続成形体１２の場合と同様に、ガイドピンが挿入されるガイド孔１３が外枠部６２の両側部にリードフレーム連続成形体１２と同じピッチで配列されている。 Similarly to the lead frame 5, the lid body 8 that covers the package body 7 configured as described above is also formed in a state in which a plurality of the lid bodies 8 are arranged by processing a strip metal plate made of a conductive metal material such as a copper material. As will be described later, after being combined with the package body 7, they are separated individually. FIG. 9 shows a continuous molded body 61 formed by arranging the lid bodies 8 at a constant pitch. In the continuous molded body 61, the lid bodies 8 are connected to the outer frame portion 62 or between the adjacent lid bodies 8 by the connection frame portion 63, and are arranged vertically and horizontally at the same pitch as the lead frame 5. As in the case of the lead frame continuous molded body 12 shown in FIG. 1 and the like, the guide holes 13 into which the guide pins are inserted are arranged on both sides of the outer frame portion 62 at the same pitch as the lead frame continuous molded body 12. .

個々の蓋体８は、パッケージ本体７の周壁部５３の上端面を覆う矩形の平板状に形成されており、そのほぼ中央位置に音響孔６４が貫通状態に形成されている。そして、この蓋体８をパッケージ本体７に重ねると、その周縁部がパッケージ本体７の周壁部５３の上端面に当接して、パッケージ本体７の底板部５２と蓋体８とが対向し、これらパッケージ本体７の底板部５２、周壁部５３及び蓋体８により囲まれた内部空間６５が半導体チップ収納空間とされ、その内部空間６５が蓋体８の音響孔６４によって外部に連通させた状態とされる構成である。
この場合、これらパッケージ本体７と蓋体８とは、パッケージ本体７の周壁部５３の上端面に蓋体８の下面が導電性接着剤６６によって固着されるようになっており、パッケージ本体７の周壁部５３の上端面に露出しているリードフレーム５の導通フレーム部２６が導電性接着剤６６を介して蓋体８と電気的接続状態とされる。したがって、これらパッケージ本体７に蓋体８を固着してなるパッケージ４は、蓋体８からリードフレーム５のステージ部２１の間が電気的接続状態となって内部空間６５内のマイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３を囲った状態とするのである。 Each lid body 8 is formed in a rectangular flat plate shape that covers the upper end surface of the peripheral wall portion 53 of the package body 7, and an acoustic hole 64 is formed in a penetrating state at a substantially central position. When the lid body 8 is overlapped with the package body 7, the peripheral edge abuts against the upper end surface of the peripheral wall 53 of the package body 7, and the bottom plate portion 52 of the package body 7 and the lid body 8 face each other. An internal space 65 surrounded by the bottom plate portion 52, the peripheral wall portion 53 and the lid body 8 of the package body 7 is a semiconductor chip storage space, and the internal space 65 communicates with the outside through the acoustic hole 64 of the lid body 8. It is a structure to be.
In this case, the package body 7 and the lid body 8 are configured such that the lower surface of the lid body 8 is fixed to the upper end surface of the peripheral wall portion 53 of the package body 7 by the conductive adhesive 66. The conductive frame portion 26 of the lead frame 5 exposed at the upper end surface of the peripheral wall portion 53 is brought into an electrically connected state with the lid 8 via the conductive adhesive 66. Therefore, the package 4 formed by fixing the lid 8 to the package body 7 is in an electrically connected state between the lid 8 and the stage portion 21 of the lead frame 5 and the microphone chip 2 in the internal space 65 and the control. The circuit chip 3 is surrounded.

次に、このように構成される半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、リードフレーム連続成形体１２となる帯状金属板の必要な個所にマスキングをしてエッチング処理することにより、図１に示す表面側のハッチング領域及び図２に示す裏面側のハッチング領域をそれぞれ板厚の半分程度までハーフエッチングする。そして、エッチング加工によって外形を成形し、外枠部１１の内側に展開状態のリードフレーム５を形成する。この状態では、図１及び図２に示すように、外枠部１１の内側に、導通フレーム部２６、屈曲部２８、連結フレーム部２５が連続した支持フレーム部３１が横一列状態に形成され、この支持フレーム部３１により一端部が支持された状態に展開状態のリードフレーム５が形成される。また、このエッチング加工時に外枠部１１のガイド孔１３も成形しておく。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 configured as described above will be described.
First, the necessary portions of the strip-shaped metal plate to be the lead frame continuous molded body 12 are masked and etched so that the hatching region on the front surface side shown in FIG. 1 and the hatching region on the back surface side shown in FIG. Half-etch to about half the thickness. Then, the outer shape is formed by etching, and the unfolded lead frame 5 is formed inside the outer frame portion 11. In this state, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, a support frame portion 31 in which the conduction frame portion 26, the bent portion 28, and the connection frame portion 25 are continuous is formed in a horizontal row inside the outer frame portion 11. The lead frame 5 in the unfolded state is formed in a state where one end is supported by the support frame portion 31. Further, the guide hole 13 of the outer frame portion 11 is also formed during this etching process.

この後、連結フレーム部２５及び各端子部２２〜２４のアーム部３２及び補助アーム部３３をプレスによって曲げ変形させることにより、支持フレーム部３１に対してステージ部２１及び端子部２２〜２４を押し下げた状態とする。このプレス加工は図１０に示すようなプレス金型を使用して行われる。この図１０には、右半分に連結フレーム部２５の折り曲げ部、左半分に補助アーム部３３の折り曲げ部を示している。すなわち、上型７１と下型７２に、それぞれ傾斜面７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂを形成しておき、これら傾斜面によって連結フレーム部２５又は補助アーム部３３を挟みながら両端部を折り曲げる。この場合、連結フレーム部２５や補助アーム部３３が金型表面で円滑に変形できるように、上型７１の曲げ部に対応する部分に若干の突出部７３が形成され、これら突出部７３の間の傾斜面７１ａ，７２ａの中間部分では連結フレーム部２５や補助アーム部３３と上型７１との間に隙間ができるように形成されている。アーム部３２の場合も同様に上型７１と下型７２とにより挟みながら折り曲げる。 Thereafter, the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24 are pushed down with respect to the support frame portion 31 by bending and deforming the connecting frame portion 25 and the arm portions 32 and auxiliary arm portions 33 of the terminal portions 22 to 24 by pressing. State. This pressing is performed using a pressing die as shown in FIG. In FIG. 10, the bent portion of the connecting frame portion 25 is shown in the right half, and the bent portion of the auxiliary arm portion 33 is shown in the left half. That is, inclined surfaces 71a, 71b, 72a, 72b are formed on the upper die 71 and the lower die 72, respectively, and both end portions are bent while the connecting frame portion 25 or the auxiliary arm portion 33 is sandwiched between these inclined surfaces. In this case, a slight protrusion 73 is formed in a portion corresponding to the bent portion of the upper die 71 so that the connecting frame portion 25 and the auxiliary arm portion 33 can be smoothly deformed on the mold surface. The intermediate surfaces of the inclined surfaces 71 a and 72 a are formed so that a gap is formed between the connecting frame portion 25 or the auxiliary arm portion 33 and the upper die 71. Similarly, the arm portion 32 is bent while being sandwiched between the upper die 71 and the lower die 72.

これら連結フレーム部２５及びアーム部３２、補助アーム部３３のプレス加工は曲げ加工であり、これらの先端位置が、平面状に展開されている状態から曲げ変形後には基端部方向にそれぞれスライドするので、連結フレーム部２５の先端のステージ部２１及びアーム部３２又は補助アーム部３３の先端の端子部２２〜２４は、金型面上でスライドできるように支持される。
このようにしてエッチング加工及びプレス加工により外形の成形、曲げ加工等が施された状態が図３及び図４に示す状態であり、この状態で各リードフレーム５が一定のピッチで縦横に並べられた状態に形成される。 The press work of the connecting frame part 25, the arm part 32, and the auxiliary arm part 33 is a bending process, and the distal end positions slide in the direction of the base end part after bending deformation from the flat state. Therefore, the stage part 21 at the tip of the connecting frame part 25 and the terminal parts 22 to 24 at the tip of the arm part 32 or the auxiliary arm part 33 are supported so as to be slidable on the mold surface.
The state in which the outer shape is formed and bent by etching and pressing in this manner is the state shown in FIGS. 3 and 4, and in this state, the lead frames 5 are arranged vertically and horizontally at a constant pitch. It is formed in the state.

次いで、このように成形したリードフレーム５の連続成形体１２を射出成形金型内に配置し、各リードフレーム５を埋設するように樹脂を射出成形してモールド樹脂体６を成形する。
図１１はプレス成形した後の１個のリードフレーム５を射出成形金型内に配置した状態を示しており、上型８１と下型８２との間にモールド樹脂が注入されるキャビティ８３が形成されている。この場合、前述したように、連続成形体１２における隣接する各リードフレーム５の全体を連結した状態にモールド樹脂成形体５０（図１及び図２参照）が成形されるようになっており、射出成形金型は、その上型８１と下型８２とによりリードフレーム連続成形体１２の外枠部１１を隙間なく挟持し、その内側の各リードフレーム５全体を一括して覆うように広いキャビティ８３が形成される。
また、この射出成形金型内にリードフレーム５を配置して型締めした状態においては、ステージ部２１及び各端子部２２〜２４の４個の外部接続面３７〜４０が下型８２のキャビティ面に接触し、ステージ部２１の表面側の各内部接続面４１〜４４、ステージ部２１の露出部分、及び支持フレーム部３１における導通フレーム部２６及び屈曲部２８の上面がそれぞれ上型８１のキャビティ面に接触した状態とされる。この場合、ステージ部２１及び各端子部２２〜２４の外部接続面３７〜４０及び内部接続面４１〜４４の両面に金型８１，８２が接触することにより、これらステージ部２１及び端子部２２〜２４が両金型８１，８２の間で挟持された状態に保持され、また、これらステージ部２１及び端子部２２〜２４の外部接続面３７〜４０と、導通フレーム部２６及び屈曲部２８の上面とが金型に押圧接触するように、連結フレーム部２５及びアーム部３２、補助アーム部３３がわずかに撓ませられた状態に配置される。 Next, the continuous molded body 12 of the lead frame 5 molded in this way is placed in an injection mold, and a resin is injection molded so as to embed each lead frame 5 to mold the molded resin body 6.
FIG. 11 shows a state in which one lead frame 5 after press molding is placed in an injection mold, and a cavity 83 into which mold resin is injected is formed between an upper mold 81 and a lower mold 82. Has been. In this case, as described above, the molded resin molded body 50 (see FIGS. 1 and 2) is molded in a state in which the adjacent lead frames 5 in the continuous molded body 12 are connected together. The molding die has a wide cavity 83 so that the upper frame 81 and the lower mold 82 sandwich the outer frame portion 11 of the lead frame continuous molded body 12 without a gap and cover the entire inner lead frames 5 together. Is formed.
In addition, in a state where the lead frame 5 is disposed and clamped in the injection mold, the four external connection surfaces 37 to 40 of the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24 are the cavity surfaces of the lower die 82. The inner connection surfaces 41 to 44 on the surface side of the stage portion 21, the exposed portion of the stage portion 21, and the upper surfaces of the conductive frame portion 26 and the bent portion 28 in the support frame portion 31 are respectively cavity surfaces of the upper die 81. In contact with In this case, when the molds 81 and 82 are in contact with both the external connection surfaces 37 to 40 and the internal connection surfaces 41 to 44 of the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24, the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 22 are contacted. 24 is held in a state of being sandwiched between both molds 81 and 82, and the external connection surfaces 37 to 40 of the stage portion 21 and the terminal portions 22 to 24, and the upper surfaces of the conduction frame portion 26 and the bent portion 28. And the connecting frame portion 25, the arm portion 32, and the auxiliary arm portion 33 are arranged in a slightly bent state so that they are pressed against the mold.

このようにして各リードフレーム５を射出成形金型内に配置して樹脂をモールドすると、周壁部５３の部分を連続状態としたモールド樹脂成形体５０が各リードフレーム５に一体に成形された状態となる。その後、モールド樹脂成形体５０の各底板部５２の上にマイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３をダイボンド材５７，５８により固着し、底板部５２四隅に露出している端子部２２〜２４及びステージ部２１の各内部接続面４１〜４４にボンディングワイヤ５９によって接続状態とする。
一方、蓋体８についても、帯状金属板をエッチング加工して外形を成形することにより、図９に示すように、外枠部６２の中で接続フレーム部６３により相互に接続状態とされた蓋体８の連続成形体６１を形成しておく。また、このときのエッチング加工によって外枠部６２のガイド孔１３も成形される。このガイド孔１３はリードフレーム５のガイド孔１３と同じ位置に、同じピッチで形成される。 When each lead frame 5 is thus placed in the injection mold and molded with resin, a molded resin molded body 50 in which the peripheral wall portion 53 is in a continuous state is integrally molded with each lead frame 5. It becomes. Thereafter, the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are fixed to each bottom plate portion 52 of the molded resin molded body 50 by the die bonding materials 57 and 58, and the terminal portions 22 to 24 and the stage portions exposed at the four corners of the bottom plate portion 52. 21 are connected to the respective internal connection surfaces 41 to 44 by bonding wires 59.
On the other hand, as shown in FIG. 9, the lid 8 is formed by etching the strip-shaped metal plate to form the outer shape, and the lid is connected to each other by the connection frame portion 63 in the outer frame portion 62. A continuous molded body 61 of the body 8 is formed. Further, the guide hole 13 of the outer frame portion 62 is also formed by the etching process at this time. The guide holes 13 are formed at the same position as the guide holes 13 of the lead frame 5 at the same pitch.

このようにしてリードフレーム５にモールド樹脂成形体５０を一体化させたパッケージ本体連続成形体５１及び蓋体連続成形体６１をそれぞれ製作した後、各蓋体８の周縁部をモールド樹脂成形体５０の周壁部５３の上端面に導電性接着剤６６を介して固着する。このとき、蓋体連続成形体６１及びリードフレーム連続成形体１２の各外枠部１１，６２のガイド孔１３にピンを挿入した状態とすることにより、両者が位置合わせされる。この状態では、各リードフレーム５は、隣接するリードフレーム５に支持フレーム部３１によって列毎に連結状態とされているとともに、これらを一括してモールド樹脂成形体５０が覆っていることにより、パッケージ本体７としては複数個が縦横に連なった状態となっており、蓋体８もリードフレーム５と同様に接続フレーム部６３によりリードフレーム５と同じピッチで複数個が連結状態とされている。
そこで、これらリードフレーム連続成形体１２、モールド樹脂成形体５０、及び蓋体連続成形体６１をダイシング加工によって同時に切断しながら個々の半導体装置１に切り離す。 After producing the package body continuous molded body 51 and the lid continuous molded body 61 in which the mold resin molded body 50 is integrated with the lead frame 5 in this way, the peripheral portion of each lid body 8 is formed on the mold resin molded body 50. The peripheral wall 53 is fixed to the upper end surface of the peripheral wall 53 via a conductive adhesive 66. At this time, the pins are inserted into the guide holes 13 of the outer frame portions 11 and 62 of the lid continuous molded body 61 and the lead frame continuous molded body 12 so that the both are aligned. In this state, each lead frame 5 is connected to the adjacent lead frame 5 for each column by the support frame portion 31, and these are collectively packaged by the mold resin molded body 50 covering them. A plurality of main bodies 7 are connected vertically and horizontally, and a plurality of lids 8 are connected to each other at the same pitch as the lead frame 5 by the connection frame portion 63 similarly to the lead frame 5.
Therefore, the lead frame continuous molded body 12, the molded resin molded body 50, and the lid continuous molded body 61 are cut into individual semiconductor devices 1 while being simultaneously cut by dicing.

このダイシング加工は、リードフレーム５の列に沿う方法においては、横一列に配置される支持フレーム部３１における導通フレーム部２６の外側、具体的には導通フレーム部２６と屈曲部２８との連結部分を列に沿って切断することになる。この切断により、導通フレーム部２６に接続されていた隣接する列のリードフレーム５に属する補助アーム部３３の基端部が切り離され、また、屈曲部２８と導通フレーム部２６とが分離されて、該屈曲部２８に一体のアーム部３２も切断され、このアーム部３２に接続状態の端子部２４が導通フレーム部２６から分離して独立状態とされる。 In the dicing process, in the method along the row of the lead frames 5, the connection frame portion 26 and the bent portion 28 are connected to the outside of the conductive frame portion 26 in the support frame portion 31 arranged in a horizontal row. Will be cut along the row. By this cutting, the base end portion of the auxiliary arm portion 33 belonging to the lead frame 5 of the adjacent row connected to the conductive frame portion 26 is separated, and the bent portion 28 and the conductive frame portion 26 are separated, The arm portion 32 integrated with the bent portion 28 is also cut, and the terminal portion 24 connected to the arm portion 32 is separated from the conductive frame portion 26 and is made independent.

この場合、アーム部３２における屈曲部２８への接続部付近の表面がハーフエッチングされて凹状部３４とされているから、その凹状部３４に樹脂が充填されており、この接続部に接近した位置でダイシング加工したとしても、アーム部３２の切断エッジは確実にモールド樹脂体６内に埋設した状態とすることができる。
この凹状部３４がない場合には、屈曲部２８の内側のアーム部３２の折り曲げ部を切断することになり、その切断位置が屈曲部２８に接近するほど、アーム部３２の切断エッジがモールド樹脂体６の表面に露出し易く、わずかな寸法誤差でバリ状に露出するおそれがある。これを避けるには、屈曲部２８を導通フレーム部２６からさらに離間させることによりアーム部３２を長くして、そのアーム部３２の途中位置を切断すればよいが、その分、スペースに無駄が生じ、材料ロスが増えることになる。この実施形態のリードフレーム５においては、凹状部３４を形成したことにより、例えば図８（ｃ）に矢印でダイシング位置を示したように、屈曲部２８に接近した位置でアーム部３２を切断することが可能になり、材料の無駄を少なくすることができる。 In this case, since the surface of the arm portion 32 in the vicinity of the connecting portion to the bent portion 28 is half-etched to form the concave portion 34, the concave portion 34 is filled with resin, and the position close to the connecting portion. Even if dicing is performed, the cutting edge of the arm portion 32 can be reliably embedded in the mold resin body 6.
When the concave portion 34 is not provided, the bent portion of the arm portion 32 inside the bent portion 28 is cut. The closer the cutting position is to the bent portion 28, the more the cutting edge of the arm portion 32 is molded resin. It is easy to be exposed on the surface of the body 6, and there is a possibility that it is exposed in a burr shape with a slight dimensional error. In order to avoid this, it is only necessary to lengthen the arm portion 32 by further separating the bent portion 28 from the conductive frame portion 26 and cut the middle position of the arm portion 32. However, the space is wasted accordingly. The material loss will increase. In the lead frame 5 of this embodiment, since the concave portion 34 is formed, the arm portion 32 is cut at a position close to the bent portion 28 as indicated by the arrow in FIG. 8C for example. And waste of materials can be reduced.

一方、リードフレーム５の列に直交する方向のダイシング加工においては、隣接するリードフレーム５で連結状態となっている両連結フレーム部２５の間で切断され、これら連結フレーム部２５が分離されて、個々のパッケージ４に形成される。
そして、この列方向及びその直交方向に沿う両ダイシング加工により、パッケージ４の周壁部５３の外縁が形成され、平面視矩形状のパッケージ４を得ることができる。 On the other hand, in the dicing process in the direction orthogonal to the row of the lead frames 5, it is cut between the two connecting frame portions 25 that are in a connected state with the adjacent lead frames 5, and the connecting frame portions 25 are separated. Each package 4 is formed.
Then, the outer edge of the peripheral wall portion 53 of the package 4 is formed by both dicing processes along the row direction and the orthogonal direction thereof, and the package 4 having a rectangular shape in plan view can be obtained.

このようにして製造した半導体装置１は、その裏面に露出している各端子部２２〜２４及びステージ部２１の外部接続面３７〜４０を基板にはんだ付けすることにより実装される。この場合、半導体装置１は、図１２及び図１３に示すように、底板部５２内に埋設されているステージ部２１がマイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３の下方に配置され、このステージ部２１の内部接続面４４にマイクロフォンチップ２
+が接続され、ステージ部２１に連結フレーム部２５を介して一体の導通フレーム部２６が周壁部５３の上端面で導電性接着剤６６を介して蓋体８に接続され、その蓋体８がマイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３の上方を覆った状態としている。したがって、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３は、その周囲をステージ部２１及び蓋体８によって囲まれた状態となり、このステージ部２１の外部接続面４０が基板を介して接地状態とされることにより、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３を外部磁界からシールドすることができる。 The semiconductor device 1 manufactured in this manner is mounted by soldering the terminal portions 22 to 24 exposed on the back surface and the external connection surfaces 37 to 40 of the stage portion 21 to the substrate. In this case, as shown in FIGS. 12 and 13, in the semiconductor device 1, the stage portion 21 embedded in the bottom plate portion 52 is disposed below the microphone chip 2 and the control circuit chip 3. Microphone chip 2 on internal connection surface 44
+ Is connected, and the conductive frame portion 26 integrated with the stage portion 21 via the connecting frame portion 25 is connected to the lid body 8 via the conductive adhesive 66 at the upper end surface of the peripheral wall portion 53, and the lid body 8 is The microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are covered. Accordingly, the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are surrounded by the stage portion 21 and the lid body 8, and the external connection surface 40 of the stage portion 21 is grounded through the substrate. The microphone chip 2 and the control circuit chip 3 can be shielded from an external magnetic field.

この半導体装置１において、周壁部５３の上端面に露出される導通フレーム部２６とステージ部２１とを連結状態としている連結フレーム部２５は、折り曲げ形成されるため、連結フレーム部２５を折り曲げる前の展開した状態では、導通フレーム部２６とステージ部２１との距離は連結フレーム部２５の展開長さに相当する寸法に広げられた状態となっており、連結フレーム部２５を折り曲げ形成することにより、ステージ部２１は平面的には導通フレーム部２６に接近することになる。この半導体装置１では、その導通フレーム部２６がパッケージ本体７の一端部にのみ設けられ、他方の端部には形成されていないため、この他方の端部においては、そのような展開長さを見込んでおく必要がなく、その分、ステージ部２１を隣接する列の支持フレーム３１の近くまで広く形成しておくことが可能であり、この広いステージ部２１によりシールド効果を高めるとともに、リードフレーム連続成形体１２全体の面積に比べて大きいパッケージサイズのものを形成することができる。
また、前述したようにアーム部３２における屈曲部２８への接続部付近に凹状部３４を形成して、ダイシング加工位置を屈曲部２８に接近して配置し、さらに、連結フレーム部２５を隣接するリードフレーム５で連結状態としてピッチを小さくしたことからも、材料の使用効率を高くすることができる。
すなわち、この半導体装置１は、リードフレーム連続成形体１２全体の面積に無駄が少なく、材料の使用効率が高いため、コストの低減を図ることができるものである。 In this semiconductor device 1, the connection frame portion 25 that connects the conductive frame portion 26 exposed to the upper end surface of the peripheral wall portion 53 and the stage portion 21 is formed by bending, and therefore, before the connection frame portion 25 is bent. In the unfolded state, the distance between the conductive frame portion 26 and the stage portion 21 is expanded to a dimension corresponding to the unfolded length of the connecting frame portion 25, and by bending the connecting frame portion 25, The stage portion 21 approaches the conductive frame portion 26 in plan view. In this semiconductor device 1, the conductive frame portion 26 is provided only at one end portion of the package body 7 and is not formed at the other end portion. Therefore, it is possible to form the stage portion 21 as close as possible to the vicinity of the support frame 31 in the adjacent row. This wide stage portion 21 enhances the shielding effect and leads the lead frame continuously. A package size larger than the entire area of the molded body 12 can be formed.
Further, as described above, the concave portion 34 is formed in the vicinity of the connecting portion to the bent portion 28 in the arm portion 32, the dicing position is arranged close to the bent portion 28, and the connecting frame portion 25 is adjacent to the bent portion 28. The use efficiency of the material can also be increased because the pitch is reduced in the connected state by the lead frame 5.
That is, the semiconductor device 1 can reduce the cost because the entire area of the lead frame continuous molded body 12 is less wasteful and the use efficiency of the material is high.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、蓋体を平板状に形成したが、若干の絞り加工を施すようにしてもよい。
また、上記実施形態では半導体装置としてマイクロフォンパッケージに適用した例を示したが、マイクロフォン以外にも、圧力センサ、加速度センサ、磁気センサ、流量センサ、風圧センサ、超音波センサ等にも適用することが可能である。この場合、上記実施形態のマイクロフォンにおいては、音響孔のような内部空間と外部とを連通させる連通孔が必要であったが、センサの種類によっては連通孔が不要になる場合や、流量センサのように二つの連通孔が必要になる場合がある。
また、マイクロフォンパッケージに適用する場合でも、各パッケージとも同じ仕様にして一つずつ分割したが、例えば隣接する４個のパッケージ本体について、内部に収納するマイクロフォンチップの感度を異なるものとし、これら４個を連結状態として一つのユニットとして分割形成することにより、指向性を有するマイクロフォンとすることもできる。
さらに、音響孔等の貫通孔を形成する場合、実施形態では蓋体に形成したが、パッケージ本体の底板部に形成するようにしてもよく、その場合、モールド樹脂によって貫通孔の周囲を囲むように筒状に壁を設けることにより、ダイボンド材が貫通孔に流れ込まないようにするとよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above embodiment, the lid is formed in a flat plate shape, but a slight drawing process may be performed.
Moreover, although the example applied to the microphone package as a semiconductor device was shown in the said embodiment, it can apply also to a pressure sensor, an acceleration sensor, a magnetic sensor, a flow sensor, a wind pressure sensor, an ultrasonic sensor etc. besides a microphone. Is possible. In this case, in the microphone of the above-described embodiment, a communication hole that communicates the internal space such as the acoustic hole and the outside is necessary. However, depending on the type of sensor, the communication hole may be unnecessary, In some cases, two communication holes are required.
Even when applied to a microphone package, each package is divided into one with the same specifications. For example, the sensitivity of the microphone chip housed in the four adjacent package bodies is different. Can be divided and formed as one unit in a connected state, whereby a microphone having directivity can be obtained.
Furthermore, in the case of forming a through hole such as an acoustic hole, it is formed on the lid in the embodiment, but it may be formed on the bottom plate portion of the package body. In that case, the periphery of the through hole is surrounded by the mold resin. It is preferable to prevent the die bond material from flowing into the through-holes by providing a cylindrical wall.

また、リードフレームの外形の成形をエッチング加工によって行うようにしているが、プレスによって打ち抜き成形してもよい。また、ステージ部の内部接続面を内部に露出させる位置を図に示すように他の端子部と均等に配置しているが、ステージ部上であれば、図に示す位置でなくてもよい。
また、前記ステージ部及び各端子部の外部接続面は、各実施形態では４端子の構成とし、例えば電源用、出力用、ゲイン用、接地用にそれぞれ供されるようにしたが、少なくとも電源用、出力用、接地用の接続面があればよい。その場合、接地用の接続面を２個設けるようにしてもよい。また、内部に収納される半導体チップによっては端子数が実施形態のものより増えることもある。半導体チップの数も必ずしも２個に限らない。
さらに、パッケージ本体連続成形体に蓋体連続成形体を導電性接着剤を介して固着する場合、パッケージ本体連続成形体の周壁部を上方に向け、その上端面に導電性接着剤を塗布して蓋体連続成形体を重ねる方法としてもよいし、逆に、蓋体連続成形体を裏返し状態で配置し、各蓋体の周縁部に導電性接着剤を塗布して、その上に裏返し状態のパッケージ本体連続成形体を重ねる方法としてもよい。後者の場合、導電性接着剤が周壁部から底板部に垂れることを確実に防止できる。 In addition, the outer shape of the lead frame is formed by etching, but may be punched by a press. Further, the position where the internal connection surface of the stage part is exposed to the inside is arranged equally to the other terminal parts as shown in the figure, but it may not be the position shown in the figure as long as it is on the stage part.
In addition, the external connection surfaces of the stage unit and each terminal unit have a four-terminal configuration in each embodiment, and are provided for, for example, power supply, output, gain, and ground, but at least for power supply There should be a connection surface for output and ground. In that case, two ground connection surfaces may be provided. Further, depending on the semiconductor chip housed inside, the number of terminals may be larger than that of the embodiment. The number of semiconductor chips is not necessarily limited to two.
Furthermore, when fixing the lid continuous molded body to the package body continuous molded body via a conductive adhesive, apply the conductive adhesive to the upper end surface of the package body continuous molded body with the peripheral wall facing upward. It is good also as a method of stacking a lid continuous molding, and conversely, a lid continuous molding is arranged in an inverted state, a conductive adhesive is applied to the periphery of each lid, and an inverted state is placed on the lid. It is good also as a method of piling up a package body continuous fabrication object. In the latter case, the conductive adhesive can be reliably prevented from dripping from the peripheral wall portion to the bottom plate portion.

本発明に係るリードフレーム連続成形体の一実施形態を展開して示す平面図である。It is a top view which expands and shows one Embodiment of the lead frame continuous fabrication object concerning the present invention. 図１における展開したリードフレーム連続成形体の裏面図である。FIG. 2 is a back view of the developed lead frame continuous molded body in FIG. 1. １個のリードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows one lead frame. 図３のリードフレームの裏面図である。FIG. 4 is a rear view of the lead frame in FIG. 3. 図３のＡ−Ａ線に沿う側面図である。It is a side view which follows the AA line of FIG. 図３のリードフレームにモールド樹脂を一体成形した状態を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a state in which a mold resin is integrally formed with the lead frame of FIG. 3. 図６の縦断面を示しており、（ａ）が７Ａ−７Ａ線、（ｂ）が７Ｂ−７Ｂ線、（ｃ）が７Ｃ−７Ｃ線に沿う縦断面図である。7 is a longitudinal sectional view taken along line 7A-7A, FIG. 7B is taken along line 7B-7B, and FIG. 7C is taken along line 7C-7C. 図６の縦断面を示しており、（ａ）が８Ａ−８Ａ線、（ｂ）が８Ｂ−８Ｂ線、（ｃ）が８Ｃ−８Ｃ線に沿う横断面図である。7 shows a longitudinal section of FIG. 6, in which (a) is an 8A-8A line, (b) is an 8B-8B line, and (c) is a transverse sectional view along the 8C-8C line. 蓋体連続成形体を示す平面図である。It is a top view which shows a cover body continuous molded object. 図１のリードフレーム連続成形体を曲げ加工するためのプレス金型を示す縦断面図であり、右半分が連結フレーム部の折り曲げ部、左半分が補助アーム部の折り曲げ部を示している。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the press die for bending the lead frame continuous molded object of FIG. 1, The right half has shown the bending part of the connection frame part, and the left half has shown the bending part of the auxiliary arm part. 図１のリードフレーム連続成形体を射出成形金型内に配置した状態を示す縦断面図であり、図６の８Ａ−８Ａ線に沿う断面に相当する。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which has arrange | positioned the lead frame continuous molded object of FIG. 1 in the injection mold, and is equivalent to the cross section along the 8A-8A line of FIG. 半導体装置の縦断面図であり、図１３のＢ−Ｂ線に沿う断面に相当する。It is a longitudinal cross-sectional view of a semiconductor device, and is equivalent to the cross section which follows the BB line of FIG. 図１２における半導体装置の蓋体を取り外した状態のパッケージ本体を示す平面図である。It is a top view which shows the package main body of the state which removed the cover body of the semiconductor device in FIG. 図１３のパッケージ本体の裏面図である。It is a reverse view of the package main body of FIG.

Explanation of symbols

１…半導体装置、２…マイクロフォンチップ（半導体チップ）、３…制御回路チップ（半導体チップ）、４…パッケージ、５…リードフレーム、６…モールド樹脂体、７…パッケージ本体、８…蓋体、１１…外枠部、１２…リードフレーム連続成形体、１３…ガイド孔、２１…ステージ部、２２〜２４…端子部、２５…連結フレーム部、２６…導通フレーム部、２８…屈曲部、２９…ブリッジ部、３１…支持フレーム部、３２…アーム部、３３…補助アーム部、３４〜３６…凹状部、３７〜４０…外部接続面、４１〜４４…内部接続面、５０…モールド樹脂成形体、５１…パッケージ本体連続成形体、５２…底板部、５３…周壁部、５４，５５…立ち上げ壁、５６…棚部、５７，５８…ダイボンド材、５９…ボンディングワイヤ、６１…蓋体連続成形体、６２…外枠部、６３…接続フレーム部、６４…音響孔、６５…内部空間、６６…導電性接着剤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Microphone chip (semiconductor chip), 3 ... Control circuit chip (semiconductor chip), 4 ... Package, 5 ... Lead frame, 6 ... Mold resin body, 7 ... Package main body, 8 ... Cover body, 11 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Outer frame part, 12 ... Lead frame continuous molding, 13 ... Guide hole, 21 ... Stage part, 22-24 ... Terminal part, 25 ... Connection frame part, 26 ... Conducting frame part, 28 ... Bending part, 29 ... Bridge , 31 ... support frame part, 32 ... arm part, 33 ... auxiliary arm part, 34 to 36 ... concave part, 37 to 40 ... external connection surface, 41 to 44 ... internal connection surface, 50 ... mold resin molding, 51 ... package body continuous molded body, 52 ... bottom plate part, 53 ... peripheral wall part, 54, 55 ... rising wall, 56 ... shelf part, 57, 58 ... die bond material, 59 ... bonding wire, 61 ... lid Continued molded body, 62 ... outer frame portion, 63 ... connecting frame portion, 64 ... sound hole, 65 ... inner space 66 ... conductive adhesive

Claims

From a conductive material that is at least partially embedded in a box-shaped mold resin body including a bottom plate portion on which a semiconductor chip is mounted and a peripheral wall portion erected from the peripheral edge portion of the bottom plate portion, and is fixed to the upper end surface of the peripheral wall portion A lead frame continuous molded body in which a plurality of lead frames that are electrically connected to the lid body are formed in a connected state,
Each lead frame is connected to the bottom plate portion through a conductive frame portion exposed at an upper end surface of the peripheral wall portion at one end portion of the mold resin body and a connecting frame portion inclined downward from the conductive frame portion. A stage portion to be disposed, and a plurality of terminal portions disposed at an interval from the stage portion on the bottom plate portion are provided,
For each row of lead frames that form a row in an adjacent state, a support frame portion is formed that connects the conductive frame portion along the row,
A bent portion formed by bending a part of the support frame portion with respect to the conductive frame portion and projecting in a direction perpendicular to the length direction of the row is integrally formed, and inside the bent portion, A lead frame continuous, wherein an arm portion connected to one terminal portion of the plurality of terminal portions is provided so as to be inclined downward along a direction orthogonal to the length direction of the row. Molded body.

The connecting frame part is connected to the side parts of the stage part and connected to each other between the two adjacent lead frames in one row. The lead frame continuous molded article according to claim 1.

3. The lead frame continuous molding according to claim 1, wherein a surface of the arm portion in the vicinity of the connection portion to the bent portion is recessed so as to be lower than a surface of the conductive frame portion. body.

The terminal portion different from the one terminal portion in the lead frame of another adjacent row is connected to the opposite side to the arm portion in the support frame portion via an auxiliary arm portion. The lead frame continuous molded article according to any one of Items 1 to 3.

A package body continuous molded body obtained by molding a resin into the lead frame continuous molded body according to any one of claims 1 to 4 to form a package body including the bottom plate portion and the peripheral wall portion in a continuous state. And at least part of the upper surface of the terminal part is exposed on the upper surface of the bottom plate part, and at least part of the lower surface of the terminal part and the stage part is exposed on the lower surface of the bottom plate part. A package body continuous molded body characterized by

6. A semiconductor chip is mounted on each bottom plate portion of the package body continuous molded body according to claim 5, and after the lid body is fixed to the upper surface of the peripheral wall portion with a conductive adhesive, the outer peripheral edge of the peripheral wall portion Is a method of manufacturing a semiconductor device by cutting the outer peripheral edge of the peripheral wall portion, and cutting in the length direction of the row via a connection portion to the bent portion in the arm portion A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step.

A resin is molded on the lead frame continuous molded body according to claim 2, and at least a part of the upper surface of the terminal portion is exposed on the upper surface of the bottom plate portion, and the terminal portion and the bottom surface of the bottom plate portion are exposed. A step of forming a package body continuous molded body in which the package body formed by exposing at least a part of the lower surface of the stage portion is continuous, and mounting a semiconductor chip on each bottom plate portion of the package body continuous molded body Cutting the outer peripheral edge of the peripheral wall part after fixing the lid to the upper surface of the peripheral wall part via a conductive adhesive, and cutting the outer peripheral edge of the peripheral wall part, A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of cutting a connecting portion of the connecting frame portion between adjacent lead frames.

8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the semiconductor chip is a microphone chip, and an acoustic hole communicating with an internal space is formed in either the lid body or the package body. A method for manufacturing a semiconductor device.