JP2009302350A

JP2009302350A - Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Info

Publication number: JP2009302350A
Application number: JP2008156029A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Saito; 博齋藤; Chihiro Osuga; 千尋大須賀
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2008-06-13
Filing date: 2008-06-13
Publication date: 2009-12-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve the reduction of cost by dividing packages of a microphone, a loudspeaker, a pressure sensor, etc., into individual pieces by a dicing processing. <P>SOLUTION: In the method of manufacturing a semiconductor device such that a hole 44 for communication of an internal space with the outside is formed on a top or backside of the package 4 and an outside end of a terminal portion connected to a semiconductor chip is exposed from the package 44, a package assembly is manufactured having a plurality of packages 44 connected in a state where formation surfaces of holes 44 are set in the same direction and adjacent packages have terminal portions connected at outside positions of the packages, a dicing tape 71 is stuck to cover the holes 44 with the dicing tape 71, and connection portions of terminal portions are cut with a dicing blade 73 from the opposite surface from the sticking surface of the dicing tape 71 to separate the individual packages 4 on the dicing tape 71. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、マイクやスピーカ、圧力センサ等として用いられる半導体装置の製造方法及び該製造方法の実施に好適な半導体装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device used as a microphone, a speaker, a pressure sensor or the like, and a semiconductor device suitable for carrying out the manufacturing method.

マイクやスピーカ、圧力センサ等として用いられる半導体装置は、中空のパッケージ内に半導体チップが収納されるとともに、パッケージの表面又は裏面に、内部空間を外部に連通させる孔が形成されている（例えば特許文献１参照）。
このような半導体装置を製作する場合、セラミックス等の基板をベースにパッケージを構成する場合は、広い面積の基板に複数個のパッケージをマトリクス状に形成するとともに、その基板に各パッケージを区画するようにＶ字状の溝を形成しておき、その溝に沿って割るようにして各パッケージに分割することが行われる。また、リードフレームにモールド樹脂体を一体成形してパッケージとするプリモールド型の場合は、レーザ加工やプレス加工等によって切断して分割することが行われ、分割後にトレー等に収納して検査工程に送られる。 In a semiconductor device used as a microphone, a speaker, a pressure sensor, or the like, a semiconductor chip is accommodated in a hollow package, and a hole for communicating an internal space with the outside is formed on the front surface or the back surface of the package (for example, a patent). Reference 1).
When manufacturing such a semiconductor device, when a package is configured based on a substrate made of ceramics or the like, a plurality of packages are formed in a matrix on a substrate having a large area, and each package is partitioned on the substrate. A V-shaped groove is formed on the substrate and divided into packages so as to be divided along the groove. In addition, in the case of a pre-mold die that forms a package by integrally molding a mold resin body on a lead frame, it is cut and divided by laser processing, press processing, etc., and is stored in a tray or the like after the division. Sent to.

一方、半導体ウエハチップを製作する場合は、例えば特許文献２に示すように、ウエハ上にマトリクス状に回路を形成し、その片面からダイシングすることにより、個々のチップに分割することが行われる。この場合、ダイシングブレードとは反対側の面にダイシングテープを貼り付けておき、このダイシングテープを一部残した状態で切断することにより、個片化後もダイシングテープ上にチップが整列しており、その状態でプローブを用いた導通検査等を行うことが可能である。
特表２００４−５３７１８２号公報特開平１０−７００９４号公報 On the other hand, when manufacturing semiconductor wafer chips, for example, as shown in Patent Document 2, a circuit is formed on a wafer in a matrix form, and dicing is performed on one side of the circuit to divide into individual chips. In this case, a dicing tape is pasted on the surface opposite to the dicing blade, and the chips are aligned on the dicing tape even after singulation by cutting with the dicing tape partially left. In this state, it is possible to conduct a continuity test using a probe.
JP-T-2004-537182 Japanese Patent Laid-Open No. 10-70094

ところで、プリモールド型のパッケージの場合は、プレス加工により形成したリードフレームにモールド樹脂体を一体に成形するものであるため、コスト低減の要請に沿うものであるが、これを個片化する場合に、レーザ加工やプレス加工で分割するのでは、個片化後の検査等の作業が煩雑で、製品に損傷等が生じ易いなど、歩留まりが悪い。このため、これをダイシング加工とすることにより、さらなるコスト低減を図ることができると考えられる。
しかしながら、マイクやスピーカ、圧力センサ等の場合に、内部空間を外部に連通させる孔が形成されているため、ダイシング加工時に水を使用することはできない。 By the way, in the case of a pre-mold type package, since a molded resin body is integrally formed on a lead frame formed by press processing, it is in line with a request for cost reduction. In addition, the division by laser processing or press processing is inferior in yield because the work such as inspection after separation is complicated and the product is easily damaged. For this reason, it is thought that further cost reduction can be aimed at by using this as a dicing process.
However, in the case of a microphone, a speaker, a pressure sensor, or the like, water cannot be used at the time of dicing because a hole for communicating the internal space with the outside is formed.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、マイクやスピーカ、圧力センサ等のパッケージをダイシング加工によって個片化し、コスト低減を図ることが可能な半導体装置の製造方法及びその製造方法の実施に好適な半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a method for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the same capable of reducing the cost by dicing a package such as a microphone, a speaker, and a pressure sensor into pieces. An object of the present invention is to provide a semiconductor device suitable for implementation of the above.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを収納したパッケージの表面又は裏面のいずれかに内部空間を外部に連通する孔が設けられるとともに、前記半導体チップに接続状態の端子部の外側端部が前記パッケージから露出している半導体装置を製造する方法であって、複数個の前記パッケージが前記孔の形成面を同一方向に向けかつ隣接するパッケージ相互間で前記端子部をパッケージの外側方位置で接続状態として連結されたパッケージ集合体を製作し、該パッケージ集合体における前記孔の形成面にダイシングテープを貼り付けて前記孔をダイシングテープで覆った状態とし、該ダイシングテープの貼り付け面とは反対面から前記端子部の接続部分をダイシングブレードによって切断することにより、ダイシングテープ上で個々のパッケージに分離することを特徴とする。
すなわち、パッケージの表裏のいずれか一方に孔が形成されるようにパッケージ集合体を製作し、その孔をダイシングテープで閉塞した状態としてダイシング加工するのである。孔がダイシングテープで閉塞されているため、孔内に水等が侵入することはない。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a hole that communicates the internal space with the outside is provided on either the front surface or the back surface of the package that houses the semiconductor chip, and the outer end of the terminal portion connected to the semiconductor chip. A method of manufacturing a semiconductor device in which a portion is exposed from the package, wherein the plurality of packages have the hole-forming surface in the same direction and the terminal portions are disposed between adjacent packages on the outer side of the package. A package assembly connected as a connected state at a position, a dicing tape is applied to the surface of the package assembly where the hole is formed, and the hole is covered with the dicing tape, and the surface of the dicing tape is applied On the dicing tape, cut the connecting part of the terminal part from the opposite surface with a dicing blade. And separating the people of the package.
That is, the package assembly is manufactured so that holes are formed on either the front or back side of the package, and the dicing process is performed with the holes closed with a dicing tape. Since the hole is closed with the dicing tape, water or the like does not enter the hole.

そして、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープの貼り付け面とは反対側から該ダイシングテープ上で分離された前記パッケージの端子部にプローブの先端を接触させ、半導体装置を導通検査するようにしてもよい。
パッケージを分離した後も、ダイシングテープ上で各パッケージがマトリックス状に並んだ状態のまま検査することができ、その取り扱いを容易にすることができる。
この製造方法において、前記半導体装置は、前記孔がパッケージの裏面に形成されるとともに該裏面の面方向に前記端子部が形成されたものである場合、前記プローブは、前記ダイシングテープ上で分離されたパッケージの間から挿入して、該パッケージの外側方に突出している前記端子部の端部に先端を接触させるとよい。
また、この製造方法において、前記半導体装置は、前記端子部がパッケージの裏面に露出しているとともに、前記孔がパッケージの表面に形成されたものである場合、前記プローブは、前記ダイシングテープ上で分離されたパッケージの裏面に露出している前記端子部に先端を接触させるとよい。この端子部は、パッケージの裏面に露出状態に配置されかつパッケージの周縁から外側方に突出しているので、プローブを接触させる場合、その突出端部に限らず、パッケージの裏面上で露出している部分に接触させるようにしてもよい。 Then, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the tip of the probe is brought into contact with the terminal portion of the package separated on the dicing tape from the side opposite to the attachment surface of the dicing tape, thereby conducting the semiconductor device. You may make it test | inspect.
Even after the packages are separated, each package can be inspected in a matrix state on the dicing tape, and the handling thereof can be facilitated.
In this manufacturing method, in the semiconductor device, when the hole is formed on the back surface of the package and the terminal portion is formed in the surface direction of the back surface, the probe is separated on the dicing tape. It is preferable to insert the tip of the terminal portion into contact with the end portion of the terminal portion that protrudes outward from the package.
Further, in this manufacturing method, in the semiconductor device, when the terminal portion is exposed on the back surface of the package and the hole is formed on the surface of the package, the probe is placed on the dicing tape. The tip may be brought into contact with the terminal portion exposed on the back surface of the separated package. Since this terminal portion is arranged in an exposed state on the back surface of the package and protrudes outward from the periphery of the package, when contacting the probe, it is exposed on the back surface of the package, not limited to the protruding end portion. You may make it contact a part.

また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープから個々のパッケージを外した後、該パッケージから突出する端子部の突出部分の少なくとも一部を切断除去するようにしてもよい。
つまり、各パッケージ間の端子部の接続部分を比較的長く形成しておき、その長い状態でダイシングやプローブ検査を実施した後に、端子部の先端部分を切り落とすのである。長い状態でダイシングやプローブ検査を実施し得て、作業を容易にすることができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, after each package is removed from the dicing tape, at least a part of the protruding portion of the terminal portion protruding from the package may be cut and removed.
That is, the connecting portion of the terminal portion between the packages is formed relatively long, and after performing dicing or probe inspection in the long state, the tip portion of the terminal portion is cut off. Dicing and probe inspection can be performed in a long state, and work can be facilitated.

また、本発明に係る半導体装置は、半導体チップを収納したパッケージの表面又は裏面のいずれかに内部空間を外部に連通する孔が設けられるとともに、前記半導体チップに接続状態の端子部の外側端部が前記パッケージの外側方に突出状態に露出していることを特徴とする。
この半導体装置は、ダイシングテープを貼り付けた状態とすると、その貼り付け面の反対側からパッケージの外側方に突出している端子部の端部を確認することができるので、ダイシングブレードによる切断、プローブによる導通検査を容易に行うことができ、本発明の製造方法を好適に実施することができる。 Further, the semiconductor device according to the present invention is provided with a hole that communicates the internal space with the outside on either the front surface or the back surface of the package housing the semiconductor chip, and the outer end portion of the terminal portion connected to the semiconductor chip. Is exposed to the outside of the package.
In this semiconductor device, when the dicing tape is attached, the end of the terminal portion protruding outward from the package from the opposite side of the attaching surface can be confirmed. Therefore, the continuity test can be easily performed, and the manufacturing method of the present invention can be suitably implemented.

本発明によれば、ダイシング加工を適用して個片化することができるので、安価に量産することが可能になり、コスト低減を図ることができる。また、個片化してダイシングテープから剥がす前にダイシングテープ上で端子部の導通検査を実施することにより、大量のパッケージを速やかに検査することができ、生産性を高めて、さらなるコスト低減を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to divide into pieces by applying dicing, so that mass production can be performed at low cost, and cost reduction can be achieved. Also, by conducting a continuity test of the terminal part on the dicing tape before it is separated into pieces and peeled off from the dicing tape, a large number of packages can be inspected quickly, increasing productivity and further reducing costs. be able to.

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
図１〜図８は本発明が適用される第１実施形態の半導体装置を示している。この半導体装置１は、マイクロフォンパッケージであり、半導体チップとしてマイクロフォンチップ２と制御回路チップ３との二つのチップが収納されている。また、そのパッケージ４は、図１に示すように、ほぼ平坦な板状のリードフレーム５及びこのリードフレーム５に一体成形された箱型のモールド樹脂体６からなるパッケージ本体７と、このパッケージ本体７の上方を閉塞する蓋体８とを備える構成とされている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 8 show a semiconductor device according to a first embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device 1 is a microphone package, in which two chips of a microphone chip 2 and a control circuit chip 3 are accommodated as semiconductor chips. Further, as shown in FIG. 1, the package 4 includes a package body 7 composed of a substantially flat plate-like lead frame 5 and a box-shaped mold resin body 6 formed integrally with the lead frame 5, and the package body. 7 is configured to include a lid 8 that closes the upper portion of 7.

リードフレーム５は、銅材等の導電性材料からなる帯状の金属板をプレス加工することにより、図２及び図３に示すように、複数個が一定のピッチでマトリクス状に並べられた状態で形成され、後述のようにモールド樹脂体６が一体に成形され、組み立てられた後に個々に分離されるものである。この明細書中では、パッケージ１個単位のものをリードフレームと称している。また、図２中、符号９は、隣接するリードフレーム５相互の間を接続状態とする接続フレーム部を示している。 The lead frame 5 is formed by pressing a strip-shaped metal plate made of a conductive material such as a copper material so that a plurality of lead frames 5 are arranged in a matrix at a constant pitch as shown in FIGS. As will be described later, the molded resin bodies 6 are integrally molded and assembled, and then individually separated. In this specification, a package unit is referred to as a lead frame. Further, in FIG. 2, reference numeral 9 indicates a connection frame portion that establishes a connection state between adjacent lead frames 5.

このリードフレーム５は、マイクロフォンチップ２及び制御回路チップ３を十分に搭載できる面積を有するステージ部１１と、該ステージ部１１の周囲に配置された例えば電源用、出力用、ゲイン用の３個の端子部１２〜１４とが相互に間隔をあけて配置された構成とされている。
この場合、リードフレーム５は全体としては矩形状に形成され、ステージ部１１は、矩形の四隅のうちの三つの隅部が切り欠かれており、本体部１６に、各切り欠き部１０の間を面方向に延びるように二つの突出部１７，１８が形成された形状とされている。各端子部１２〜１４は、ステージ部１１の各切り欠き部１０にそれぞれ配置されている。 The lead frame 5 includes a stage unit 11 having an area where the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 can be sufficiently mounted, and three power supply units, output units, and gain units arranged around the stage unit 11. The terminal portions 12 to 14 are configured to be spaced apart from each other.
In this case, the lead frame 5 is formed in a rectangular shape as a whole, and the stage portion 11 is cut out at three corners of the four corners of the rectangle, and the main body portion 16 is provided between the cutout portions 10. The two protrusions 17 and 18 are formed so as to extend in the surface direction. Each terminal part 12-14 is arrange | positioned at each notch part 10 of the stage part 11, respectively.

これら端子部１２〜１４は、隣接するリードフレーム５のステージ部１１又は端子部１３，１４に、各端子部の長さのまま延長するように幅広の接続部１５を介して接続されており、各リードフレーム５のそれぞれが複数の接続フレーム部９によって連結状態とされることにより、各端子部１２〜１４も一体的に支持されている。接続フレーム部９は、各リードフレーム５のステージ部１１相互を接続状態としているとともに、端子部１２〜１４においては、接続部１５の中間位置を相互に連結するように設けられている。 These terminal portions 12 to 14 are connected to the stage portion 11 or the terminal portions 13 and 14 of the adjacent lead frame 5 via the wide connection portion 15 so as to extend with the length of each terminal portion, Each of the lead frames 5 is connected to each other by a plurality of connection frame portions 9, whereby the terminal portions 12 to 14 are also supported integrally. The connection frame portion 9 connects the stage portions 11 of the lead frames 5 to each other, and the terminal portions 12 to 14 are provided so as to connect the intermediate positions of the connection portions 15 to each other.

また、各端子部１２〜１４は、その表面側の一部が後述する半導体チップに対する内部接続面２１〜２３とされ、この内部接続面２１〜２３の外側の部分の表面側に、板厚を薄くするようにハーフエッチングしてなる低床面２４が形成されている。図２でハッチングされた領域が、ハーフエッチングされた低床面２４を示している。
この場合、リードフレーム５として全体の外周部には、図２に示すように、ステージ部１１における本体部１６の角部及び突出部１７，１８の先端部がそれぞれ配置されるが、各端子部１２〜１４においてはハーフエッチングされた低床面２４が配置されるようになっており、各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３は、リードフレーム５の外周部よりも内側に入り込んだ位置に配置されている。なお、ステージ部１１における一方の突出部１７の途中部分は、ステージ部１１に対する接地用の内部接続面２５とされており、該内部接続面２５とこの突出部１７の両隣の端子部１２，１３における内部接続面２１，２２とは直線的に並んで配置されている。 Moreover, each terminal part 12-14 is made into the internal connection surfaces 21-23 with respect to the semiconductor chip mentioned later for a part of the surface side, and plate | board thickness is set to the surface side of the outer part of this internal connection surfaces 21-23. A low floor 24 is formed by half etching so as to be thin. The hatched area in FIG. 2 shows the low floor 24 that has been half-etched.
In this case, as shown in FIG. 2, the corners of the main body 16 and the tips of the projecting parts 17 and 18 in the stage part 11 are arranged on the entire outer peripheral part of the lead frame 5, respectively. 12 to 14, a half-etched low floor surface 24 is arranged, and the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 enter inside the outer peripheral portion of the lead frame 5. Placed in position. An intermediate portion of one projecting portion 17 in the stage portion 11 is an internal connection surface 25 for grounding with respect to the stage portion 11, and the terminal portions 12 and 13 on both sides of the internal connection surface 25 and the projecting portion 17. The internal connection surfaces 21 and 22 are arranged in a straight line.

また、端子部１２とステージ部１１との間、及び他の端子部１３，１４相互の間に配置される幅広の接続部１５には、その接続方向と直交する方向に沿う一対のスロット部２６が並列に形成されている。これらスロット部２６は、図１に示すように、両面からハーフエッチングされることにより、断面半円状の溝の底部を連通させて形成されている。また、このスロット部２６の断面の半円形状は、後述するプローブの先端部よりわずかに大きい程度に形成され、該プローブの先端部をスロット部２６に嵌合することができるようになっている。そして、これらスロット部２６の間をスロット部２６の長さ方向に延長した位置に接続フレーム部９が配置されている。 In addition, the wide connecting portion 15 disposed between the terminal portion 12 and the stage portion 11 and between the other terminal portions 13 and 14 has a pair of slot portions 26 along a direction orthogonal to the connecting direction. Are formed in parallel. As shown in FIG. 1, these slot portions 26 are formed by communicating the bottoms of grooves having a semicircular cross section by half-etching from both sides. Further, the semicircular shape of the cross section of the slot portion 26 is formed to be slightly larger than the tip portion of the probe described later, and the tip portion of the probe can be fitted into the slot portion 26. . The connection frame portion 9 is disposed at a position extending between the slot portions 26 in the length direction of the slot portion 26.

一方、このリードフレーム５の裏面は、図３にハッチングでハーフエッチング領域を示したように、四隅の矩形状の部分を残して他の大部分はハーフエッチングされることにより、他の面より窪んだ凹状面３１とされており、４か所の矩形状部分が、後述するように基板に搭載されたときの外部接続面３２〜３５とされている。
この場合、ステージ部１１においては、その本体部１５の隅部（図３の右上隅部）に矩形状に外部接続面３５が形成され、各端子部１２〜１４は、その裏面全面が外部接続面３２〜３４とされている。これらステージ部１１の外部接続面３５及び各端子部１２〜１４の外部接続面３２〜３４は、それぞれほぼ同じ大きさの矩形状に形成されており、リードフレーム５の全体としての四隅に配置されている。
なお、ステージ部１１におけるチップ搭載領域から外れた位置に、後述の音響孔を形成するための下孔３６が形成されている。 On the other hand, the rear surface of the lead frame 5 is recessed from the other surface by half-etching the other most part except for the rectangular portions at the four corners, as shown in FIG. The four concave portions 31 are external connection surfaces 32 to 35 when mounted on a substrate as will be described later.
In this case, in the stage part 11, the external connection surface 35 is formed in the rectangular shape in the corner part (upper right corner part of FIG. 3) of the main body part 15, and the entire back surface of each terminal part 12-14 is externally connected. It is set as the surfaces 32-34. The external connection surface 35 of the stage portion 11 and the external connection surfaces 32 to 34 of the terminal portions 12 to 14 are formed in a rectangular shape having substantially the same size, and are arranged at the four corners of the lead frame 5 as a whole. ing.
Note that a pilot hole 36 for forming an acoustic hole, which will be described later, is formed at a position outside the chip mounting area in the stage portion 11.

そして、このように加工されたリードフレーム５に対してモールド樹脂体６が一体に成形されることにより、図４及び図５に示すようにパッケージ本体７が構成されている。モールド樹脂体６は、図４に示すように、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とを並べることができる長さの矩形板状に形成された底板部４１と、この底板部４１の周縁部から立設した角筒形の周壁部４２と、周壁部４２の下部の周囲に一体に形成した張り出し部４３とを備える箱型に形成されている。 Then, the molded resin body 6 is integrally formed with the lead frame 5 processed in this way, whereby the package body 7 is configured as shown in FIGS. As shown in FIG. 4, the mold resin body 6 includes a bottom plate portion 41 formed in a rectangular plate shape having a length in which the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 can be arranged, and a peripheral portion of the bottom plate portion 41. It is formed in a box shape including a square cylindrical peripheral wall portion 42 erected and an overhang portion 43 integrally formed around the lower portion of the peripheral wall portion 42.

底板部４１は、リードフレーム５の中央部分、つまりステージ部１１の比較的広い範囲の部分、及び各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３をほぼ埋設状態としており、ステージ部１１の下孔３６の部分に音響孔４４が形成されている。また、周壁部４２は、ステージ部１１における本体部１６の一部、両突出部１７，１８の途中部分、各端子部１２〜１４の低床面２４の一部を埋設状態としている。そして、図１及び図４に示すように、この周壁部４２の内側に、周壁部よりも若干低い棚部４５が形成され、その棚部４５に、ステージ部１１の内部接続面２５及び各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３を一部ずつそれぞれ上方に露出状態とする４個の穴部４６が形成されている。 The bottom plate portion 41 has a central portion of the lead frame 5, that is, a relatively wide range portion of the stage portion 11, and internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14, and is substantially embedded in the bottom plate portion 41. An acoustic hole 44 is formed in the hole 36. Further, the peripheral wall portion 42 embeds a part of the main body portion 16 in the stage portion 11, a midway portion between the two protruding portions 17 and 18, and a portion of the low floor surface 24 of each of the terminal portions 12 to 14. As shown in FIGS. 1 and 4, a shelf 45 that is slightly lower than the peripheral wall is formed inside the peripheral wall 42, and the internal connection surface 25 and each terminal of the stage unit 11 are formed on the shelf 45. Four holes 46 are formed in which the internal connection surfaces 21 to 23 of the portions 12 to 14 are partially exposed upward.

また、この周壁部４２の外側に形成される張り出し部４３は、底板部４１と同じ平板上に形成され、リードフレーム５のステージ部１１における本体部１６の角部及び二か所の突出部１６，１７における先端部のそれぞれの表面は張り出し部４３の上面に露出させられ、他の端子部１２〜１４の表面は、ハーフエッチングされた低床面２４が配置されることにより、モールド樹脂によって張り出し部４３内に埋設状態とされている。この場合、この張り出し部４３の表面はステージ部１１及びその突出部１６，１７の露出面を含めて面一に形成されており、その周縁部には、若干上方に突出する枠部４７が形成され、この枠部４７と周壁部４２との間が溝状に形成される。 Further, the projecting portion 43 formed on the outer side of the peripheral wall portion 42 is formed on the same flat plate as the bottom plate portion 41, and the corner portion of the main body portion 16 in the stage portion 11 of the lead frame 5 and the two protruding portions 16. , 17 are exposed to the upper surface of the overhanging portion 43, and the surfaces of the other terminal portions 12 to 14 are overhanging with a mold resin by arranging the half-etched low floor surface 24. Embedded in the portion 43. In this case, the surface of the overhanging portion 43 is formed to be flush with the stage portion 11 and the exposed surfaces of the protruding portions 16 and 17, and a frame portion 47 protruding slightly upward is formed on the peripheral edge portion. The space between the frame 47 and the peripheral wall 42 is formed in a groove shape.

このように形成されたパッケージ本体７の底板部４１の上に、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とがダイボンド４８によってそれぞれ固定され、モールド樹脂体６の周壁部４２の穴部４６に臨ませられている各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５にボンディングワイヤ４９によって接続されている。マイクロフォンチップ２は、音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム電極と固定電極とが対向配置され、ダイヤフラム電極の振動に伴う静電容量変化を検出するものである。また、制御回路チップ３は、マイクロフォンチップ２への電源の供給回路、マイクロフォンチップ２からの出力信号の増幅器等を備える構成とされている。 The microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are respectively fixed on the bottom plate portion 41 of the package body 7 formed in this way by a die bond 48 so as to face the hole 46 in the peripheral wall portion 42 of the mold resin body 6. Are connected to the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 and the internal connection surface 25 of the stage portion 11 by bonding wires 49. In the microphone chip 2, a diaphragm electrode and a fixed electrode that vibrate in response to pressure fluctuations such as sound are disposed to face each other, and a change in electrostatic capacitance accompanying vibration of the diaphragm electrode is detected. The control circuit chip 3 includes a power supply circuit to the microphone chip 2, an output signal amplifier from the microphone chip 2, and the like.

一方、このパッケージ本体７に被せられる蓋体８は、銅材等の導電性金属材料により、パッケージ本体７の周壁部４２の高さの分、絞り加工されて形成されており、天板部５１の周囲に側板部５２が形成され、該側板部５２の下端に、天板部５１と平行につば部５３が形成されている。そして、この蓋体８をパッケージ本体７に被せると、図１に示すように、天板部５１がパッケージ本体７の周壁部４２に囲まれた内部空間５５を閉塞するとともに、側板部５２が周壁部４２の外側に配置され、つば部５３が張り出し部４３における枠部４７の内側に重ねられる構成である。これらパッケージ本体７と蓋体８とは、パッケージ本体７の張り出し部４３に蓋体８のつば部５３が導電性接着剤５６によって固着されるようになっており、パッケージ本体７の張り出し部４３に露出しているステージ部１１が導電性接着剤５６を介して蓋体８と電気的接続状態とされる。したがって、これらパッケージ本体７に蓋体８を固着してなるパッケージ４は、蓋体８からリードフレーム５のステージ部１１の間が電気的接続状態となって内部空間５５内の半導体チップ２，３を囲った状態とするものである。 On the other hand, the lid body 8 that covers the package body 7 is formed by drawing a conductive metal material such as a copper material by the height of the peripheral wall portion 42 of the package body 7. A side plate portion 52 is formed around the top plate portion 51, and a flange portion 53 is formed at the lower end of the side plate portion 52 in parallel with the top plate portion 51. When the lid 8 is put on the package body 7, as shown in FIG. 1, the top plate portion 51 closes the internal space 55 surrounded by the peripheral wall portion 42 of the package main body 7, and the side plate portion 52 has the peripheral wall. The collar portion 53 is arranged outside the portion 42, and the collar portion 53 is overlapped inside the frame portion 47 in the overhang portion 43. The package body 7 and the lid body 8 are configured such that the flange portion 53 of the lid body 8 is fixed to the projecting portion 43 of the package body 7 by the conductive adhesive 56, and The exposed stage portion 11 is brought into an electrical connection state with the lid 8 via the conductive adhesive 56. Therefore, the package 4 formed by fixing the lid 8 to the package body 7 is in an electrically connected state between the lid 8 and the stage portion 11 of the lead frame 5, and the semiconductor chips 2 and 3 in the internal space 55. Is in a state of surrounding.

次に、このように構成される半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、帯状金属板の必要な個所にマスキングをしてエッチング処理することにより、図２及び図３のハッチング領域を板厚の半分程度までハーフエッチングする。また、このとき同時に、両面からのハーフエッチングによって端子部の接続部１５にスロット部２６を形成する。そして、プレス加工によって外形を打ち抜き、接続フレーム部９によりマトリクス状に連結状態とされたリードフレーム５を形成する。このようにして形成されるリードフレーム５は、ハーフエッチングされた部分に若干の凹凸を有するものの、ほぼ平坦な板状に形成される。
次に、このリードフレーム５を射出成形金型内に配置し、このリードフレーム５を埋設するように樹脂を射出成形してモールド樹脂体６を成形する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 configured as described above will be described.
First, the hatched regions in FIGS. 2 and 3 are half-etched to about half the plate thickness by masking and etching necessary portions of the band-shaped metal plate. At the same time, the slot portion 26 is formed in the connection portion 15 of the terminal portion by half etching from both sides. Then, the outer shape is punched out by pressing, and the lead frame 5 connected in a matrix by the connection frame portion 9 is formed. The lead frame 5 formed in this way is formed in a substantially flat plate shape, although it has some unevenness in the half-etched portion.
Next, the lead frame 5 is placed in an injection mold, and a resin is injection-molded so as to embed the lead frame 5 to mold the mold resin body 6.

図６はプレス成形した後のリードフレーム５を射出成形金型内に配置した状態を示しており、上型６１と下型６２との間にモールド樹脂が注入されるキャビティ６３が形成されている。また、下型６２に、リードフレーム５の下孔３６よりも若干小径のピン６４が突出状態に設けられ、上型６１には、ピン６４の先端部を挿入する穴６５と、この穴６５より若干大径の座ぐり部６６とが同心状に形成され、ピン６４の回りの座ぐり部６６によりモールド樹脂体６の筒状壁４４ａが形成されるようになっている。 FIG. 6 shows a state in which the lead frame 5 after press molding is arranged in an injection mold, and a cavity 63 into which mold resin is injected is formed between an upper mold 61 and a lower mold 62. . The lower die 62 is provided with a pin 64 having a slightly smaller diameter than the lower hole 36 of the lead frame 5. The upper die 61 has a hole 65 into which the tip end of the pin 64 is inserted, and a hole 65. A counterbore part 66 having a slightly larger diameter is formed concentrically, and the cylindrical wall 44a of the mold resin body 6 is formed by the counterbore part 66 around the pin 64.

リードフレーム５は、その表面においては、モールド樹脂体６の周壁部４２の穴部４６から各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５がそれぞれ露出し、裏面においては、外部接続面２６〜２９がそれぞれ露出するようになっているが、これらの露出面は、射出成形金型の金型６１，６２内面が当接することにより形成される。この場合、リードフレーム５の表裏両面に露出面が形成されていることから、リードフレーム５は、表裏両面に金型６１，６２が接触して、キャビティ６３内で両面から支持されることになる。 On the surface of the lead frame 5, the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 and the internal connection surface 25 of the stage portion 11 are exposed from the holes 46 of the peripheral wall portion 42 of the mold resin body 6, respectively. On the back surface, the external connection surfaces 26 to 29 are exposed, respectively, and these exposed surfaces are formed by contacting the inner surfaces of the molds 61 and 62 of the injection mold. In this case, since the exposed surfaces are formed on both the front and back surfaces of the lead frame 5, the molds 61 and 62 are in contact with both the front and back surfaces and are supported from both surfaces in the cavity 63. .

そして、このようにしてリードフレーム５にモールド樹脂体６を一体に成形した後、そのパッケージ本体７の底板部４１の上に半導体チップ２，３をダイボンド４８により固着し、周壁部４２の穴部４６に露出している各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５とワイヤボンディングして接続状態とした後、張り出し部４３の上面に導電性接着剤５６を塗布して、別に製作しておいた蓋体８を被せて接着する。 Then, after the molding resin body 6 is integrally formed on the lead frame 5 in this way, the semiconductor chips 2 and 3 are fixed on the bottom plate portion 41 of the package body 7 by the die bond 48, and the hole portion of the peripheral wall portion 42 is formed. After connecting the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 exposed at 46 and the internal connection surfaces 25 of the stage portion 11 by wire bonding, the conductive adhesive 56 is applied to the upper surface of the overhanging portion 43. Is applied, and a cover 8 that has been separately manufactured is covered and adhered.

この状態では、パッケージ本体７は、そのリードフレーム５が隣接するリードフレームに接続フレーム部９を介して連結状態とされていることにより、複数個が縦横にマトリクス状に連なっており、蓋体８もリードフレーム５と同様の接続フレーム部（図示略）によりパッケージ本体７と同じピッチで複数個が連結状態とされ、図７に示すように、これらが一括して接着される。 In this state, the package main body 7 is connected to the adjacent lead frame via the connection frame portion 9 so that a plurality of package main bodies 7 are connected in a matrix in the vertical and horizontal directions. Also, a plurality of connection frames (not shown) similar to the lead frame 5 are connected at the same pitch as the package body 7 and are bonded together as shown in FIG.

次に、このようにしてパッケージ４を組み立てた後、これらを個片化する工程について、図８（ａ）から（ｄ）の順に説明する。
図８（ａ）に示す状態は、図７に示すパッケージ４を組み立てた状態を模式的に示したものである。この図８（ａ）に示す状態から、次に、同図（ｂ）に示すように、パッケージ本体７の裏面に、各パッケージ本体７を一括して覆うようにダイシングテープ７１を貼り付ける。パッケージ本体７の底板部４１には、音響孔４４が形成されているが、その音響孔４４がダイシングテープ７１により閉塞状態とされる。図中、符号７２は、ダイシングテープ７１の取り扱い用に固定した枠状のキャリア治具を示している。 Next, after assembling the package 4 in this way, the process of separating them will be described in the order of FIGS. 8A to 8D.
The state shown in FIG. 8A schematically shows a state where the package 4 shown in FIG. 7 is assembled. From the state shown in FIG. 8A, next, as shown in FIG. 8B, a dicing tape 71 is attached to the back surface of the package body 7 so as to cover the package bodies 7 together. An acoustic hole 44 is formed in the bottom plate portion 41 of the package body 7. The acoustic hole 44 is closed by a dicing tape 71. In the figure, reference numeral 72 denotes a frame-shaped carrier jig fixed for handling the dicing tape 71.

次に、図８（ｃ）に示すように、ダイシングテープ７１を貼り付けた面とは反対側からダイシングブレード７３によってパッケージ４の間を切断して、各パッケージ４を個片化する。そのダイシングラインＤを図４、図５及び図７に二点鎖線で示している。二本平行とされているのは、ダイシングブレード７３の幅を示したものである。これらの図に示されるように、端子部１２とステージ部１１との間、及び端子部１３，１４相互の間に配置されている接続部１５の両スロット部２６の間にダイシングラインＤが配置される。また、接続部１５を隣接するリードフレームに連結している接続フレーム部９がダイシングラインＤの二本の線の間に配置されている。 Next, as shown in FIG. 8C, the packages 4 are cut by a dicing blade 73 from the side opposite to the surface to which the dicing tape 71 is attached, and each package 4 is separated into pieces. The dicing line D is indicated by a two-dot chain line in FIGS. The two parallel lines indicate the width of the dicing blade 73. As shown in these drawings, a dicing line D is disposed between the terminal portion 12 and the stage portion 11 and between the slot portions 26 of the connection portion 15 disposed between the terminal portions 13 and 14. Is done. A connection frame portion 9 that connects the connection portion 15 to the adjacent lead frame is disposed between two lines of the dicing line D.

したがって、このダイシングラインＤに沿ってダイシングすることにより、各パッケージ４相互の間が切断され、個々のパッケージ４に分離される。接続部１５における両スロット部２６は、その間で切断されることにより、分離された二つのパッケージ４に一つずつ配置されることになる。なお、このダイシングは、ダイシングテープ７１の厚さの途中まで切断するものであり、個片化した後においても、各パッケージ４は１枚のダイシングテープ７１に貼りついたままとなっている。
このダイシング作業においては、ダイシングブレード７３の冷却及び研削粉の除去のため、ダイシング部分に水が噴射されるが、パッケージ４の音響孔４４はダイシングテープ７１により閉塞されているため、内部空間５５に水が侵入することはない。 Therefore, by dicing along the dicing line D, the packages 4 are cut from each other and separated into individual packages 4. The two slot portions 26 in the connection portion 15 are arranged one by one in the two separated packages 4 by being cut between them. This dicing is performed by cutting the dicing tape 71 halfway through the thickness, and each package 4 remains attached to one dicing tape 71 even after being singulated.
In this dicing operation, water is sprayed onto the dicing portion for cooling the dicing blade 73 and removing the grinding powder, but the acoustic hole 44 of the package 4 is closed by the dicing tape 71, so Water does not enter.

次に、図８（ｄ）に示すように、各パッケージ４の外側方に突出状態となっている各端子部１２〜１４及びステージ部１１の隅部の突出部（符号Ａで示す）にプローブ７４の先端部を接触させて、内部の導通検査を実施する。この場合、各突出部Ａにはスロット部２６が形成されているので、該スロット部６に図１の鎖線で示すようにプローブ７４の先端を嵌合するようにして接触させる。この導通検査は、各パッケージ４がダイシングテープ７１に貼り付けられた状態で行われ、各パッケージ４は一定のピッチでマトリクス状に配置されているため、プローブ７４の移動も自動化することができる。 Next, as shown in FIG. 8D, probes are connected to the terminal portions 12 to 14 and the protruding portions at the corners of the stage portion 11 (indicated by symbol A) that protrude outward from the packages 4. The leading end of 74 is brought into contact, and an internal continuity test is performed. In this case, since the slot portion 26 is formed in each protrusion A, the tip end of the probe 74 is brought into contact with the slot portion 6 as shown by a chain line in FIG. This continuity test is performed in a state where each package 4 is attached to the dicing tape 71, and each package 4 is arranged in a matrix at a constant pitch, so that the movement of the probe 74 can also be automated.

そして、正常な導通が確認されたら、図９（ａ）〜（ｅ）に示すようにして、一個ずつ梱包することが行われる。まず図９（ａ）に示すように、ダイシングテープ７１を下方からピン７６によって突き上げながら、パッケージ４をコレット７７の真空吸着により保持してダイシングテープ７１から引き剥がす。
次いで、図９（ｂ）に示すようにパッケージ４をカッタ装置７８内に配置し、モールド樹脂体６から突出しているステージ部１１や端子部１２〜１４の突出部Ａ、接続フレーム部９の先端部を切断して切り落とす。このとき、接続フレーム部９の幅は狭いとともに、ステージ部１１や端子部１２〜１４においても突出部Ａのスロット部２６の位置で切断されるようになっており、幅広の突出部Ａに対してスロット部２６の両端のわずかな部分を切断することになるので、カッタ装置７８の負担は小さくてすむ。
次に図９（ｃ）に示すように、個々のパッケージ４の裏面を下方からカメラ７９で撮像して画像処理等によって外観検査し、同様にして図９（ｄ）に示すように、パッケージ４の表面をカメラ８０で撮像して画像処理等によって外観検査する。その後、図９（ｅ）に示すように、パッケージ４はマガジン、トレー、テープ等の包装体８１に収納されて出荷される。 And if normal conduction | electrical_connection is confirmed, as shown to Fig.9 (a)-(e), packing will be performed one by one. First, as shown in FIG. 9A, the package 4 is held by the vacuum suction of the collet 77 and peeled off from the dicing tape 71 while the dicing tape 71 is pushed up by the pins 76 from below.
Next, as shown in FIG. 9B, the package 4 is disposed in the cutter device 78, the stage portion 11 protruding from the mold resin body 6, the protruding portion A of the terminal portions 12 to 14, and the tip of the connection frame portion 9. Cut the part and cut it off. At this time, the width of the connection frame portion 9 is narrow, and the stage portion 11 and the terminal portions 12 to 14 are also cut at the position of the slot portion 26 of the protruding portion A, with respect to the wide protruding portion A. As a result, a small portion at both ends of the slot portion 26 is cut, so that the burden on the cutter device 78 can be reduced.
Next, as shown in FIG. 9C, the back surface of each package 4 is picked up by a camera 79 from below and visually inspected by image processing or the like. Similarly, as shown in FIG. The surface of the image is picked up by the camera 80 and the appearance is inspected by image processing or the like. Thereafter, as shown in FIG. 9 (e), the package 4 is housed in a package 81 such as a magazine, tray, or tape and shipped.

以上のようにして、この半導体装置１は、リードフレーム５にモールド樹脂体６を一体成形することにより形成され、その場合に、複数個をマトリクス状に形成した後、ダイシング加工によって個片化しており、レーザ加工等に比べて簡便で安価に製作することができる。また、そのダイシング加工においては、ダイシングテープ７１によって孔４４を塞いだ状態とするので、水等を使用しても内部空間５５に侵入することはなく、ダイシング後の導通検査もダイシングテープ７１上で端子部１２〜１４等にプローブ７４を接触させることができ、ダイシング加工、導通検査とも、通常の方法で実施することができ、コスト低下を図ることができる。 As described above, the semiconductor device 1 is formed by integrally forming the mold resin body 6 on the lead frame 5. In this case, after forming a plurality of resin bodies in a matrix, the semiconductor device 1 is separated into pieces by dicing. Therefore, it can be manufactured more easily and cheaply than laser processing or the like. Further, in the dicing process, since the hole 44 is closed with the dicing tape 71, the water does not enter the internal space 55 even if water is used, and the continuity inspection after dicing is performed on the dicing tape 71. The probe 74 can be brought into contact with the terminal portions 12 to 14 and the like, and both the dicing process and the continuity test can be performed by ordinary methods, and the cost can be reduced.

一方、図１０は第２実施形態の半導体装置を示している。第１実施形態の半導体装置においては、パッケージ本体に音響孔を形成したが、この第２実施形態の半導体装置１０１では、そのパッケージ１０２を構成しているパッケージ本体１０３には孔がなく、蓋体１０４の天板部５１のほぼ中央位置に音響孔４４が形成されている。その他の構成は第１実施形態のものと同様であり、共通部分に同一符号を付して説明を省略する。
この半導体装置１０１を製造する場合、図１１（ａ）に示すようにマトリクス状に連結状態のパッケージ集合体を製作した後、図１１（ｂ）に示すようにダイシングテープ７１を蓋体１０４の表面に貼り付け、該蓋体１０４に形成されている音響孔４４（図１１には一部のパッケージに音響孔を模式的に表している）をダイシングテープ７１で塞いだ状態とする。そして、図１１（ｃ）に示すようにパッケージ本体１０３の底板部の裏面側からダイシングブレード７３によってダイシングする。この場合も、蓋体１０４の音響孔４４はダイシングテープ７１によって閉塞されているので、水に浸されても内部空間５５にまで水が侵入することはない。 On the other hand, FIG. 10 shows a semiconductor device of the second embodiment. In the semiconductor device of the first embodiment, an acoustic hole is formed in the package body. However, in the semiconductor device 101 of the second embodiment, the package body 103 constituting the package 102 has no hole, and the lid body. An acoustic hole 44 is formed at a substantially central position of the top plate portion 51 of 104. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
When manufacturing this semiconductor device 101, after manufacturing a package assembly in a matrix form as shown in FIG. 11A, a dicing tape 71 is attached to the surface of the lid 104 as shown in FIG. The acoustic holes 44 formed in the lid 104 (the acoustic holes are schematically shown in some packages in FIG. 11) are closed with the dicing tape 71. Then, as shown in FIG. 11C, dicing is performed by a dicing blade 73 from the back side of the bottom plate portion of the package main body 103. Also in this case, since the acoustic hole 44 of the lid body 104 is closed by the dicing tape 71, water does not enter the internal space 55 even if it is immersed in water.

次いで、切断した端子部の突出部Ａに裏面からプローブ７４を接触させて導通検査し、以降、図９に示した工程順と同じようにしてダイシングテープ７１からパッケージ１０２を剥がし、端子部の突出部Ａ等を切断した後、外観検査を経て梱包することが行われる。
この第２実施形態のようにパッケージ１０２の蓋体１０４に孔４４が形成されている場合は、裏返して蓋体１０４をダイシングテープ７１に貼り付けると、パッケージ１０２の裏面に露出している端子部及びステージ部の外部接続面（図５参照）を上方から確認することができるので、これらの外部接続面にプローブ７４を接触させるようにしてもよい。 Next, the probe 74 is brought into contact with the protruding portion A of the cut terminal portion from the back side to conduct a continuity test. Thereafter, the package 102 is peeled off from the dicing tape 71 in the same order as shown in FIG. After cutting the part A and the like, packing is performed through appearance inspection.
When the hole 44 is formed in the cover body 104 of the package 102 as in the second embodiment, when the cover body 104 is turned over and attached to the dicing tape 71, the terminal portion exposed on the back surface of the package 102 is exposed. Since the external connection surfaces (see FIG. 5) of the stage portion can be confirmed from above, the probe 74 may be brought into contact with these external connection surfaces.

なお、両実施形態とも、端子部のスロット部にプローブを接触させることにより導通検査するようにしているが、このスロット部とは別に、プローブ接触用の凹部を形成しておいてもよい。図１２は、その部分の例を示しており、スロット部２６の外側でダイシングラインＤの両側にプローブ７４を接触させるための凹部１１０がそれぞれ形成されている。この凹部１１０の部分は、導通検査後に、スロット部２６から切断して切り落とせばよい。
また、本発明の適用に際しては、プローブが接触される突出部の表面は、スロット部２６や凹部１１０のように凹状に形成されている場合だけでなく、平坦面とされるものも含むものとする。 In both embodiments, the continuity test is performed by bringing the probe into contact with the slot portion of the terminal portion. However, a recess for contacting the probe may be formed separately from the slot portion. FIG. 12 shows an example of the portion, and the concave portions 110 for contacting the probes 74 are formed on both sides of the dicing line D outside the slot portion 26, respectively. The recess 110 may be cut off from the slot 26 after the continuity test.
Further, when the present invention is applied, the surface of the projecting portion with which the probe is brought into contact includes not only the case where the surface is formed in a concave shape like the slot portion 26 and the concave portion 110 but also the case where the surface is flat.

また、いずれの実施形態とも個片化後に端子部の突出部をスロット部から切断することとしているが、切断しないでそのままの状態としてもよい。図１３は、その突出部を切断しないで長いまま基板にはんだ付けした例を示しており、（ａ）は突出部の裏面を基板にはんだ付けした例、（ｂ）は突出部の表面を基板にはんだ付けした例を示している。いずれの図でも、第１実施形態と同様の構成のパッケージとし、端子部の突出部を符号Ａで示している。符号１１５は携帯電話のハウジングを示しており、該ハウジング１１５内の基板１１６にパッケージ１がはんだ１１７によって固着されている。また、（ａ）では、基板１１６及びハウジング１１５には、パッケージ１の孔４４に連通するように孔１１８，１１９がそれぞれ形成されている。一方、（ｂ）に示す例では、基板１１６には、パッケージ１の蓋体８を収納可能な比較的大きい孔１２０が形成され、該孔１２０の中に、パッケージ１が裏返しで収納され、突出部Ａの表面が基板１１６の孔１２０の周辺部にはんだ１１７によって固着されている。また、符号１２１は、ハウジング１１５の孔を囲む音漏れ防止用スペーサリングを示している。 In any of the embodiments, the protruding portion of the terminal portion is cut from the slot portion after being singulated, but it may be left as it is without being cut. FIG. 13 shows an example in which the protrusion is soldered to the substrate for a long time without cutting, (a) is an example in which the back surface of the protrusion is soldered to the substrate, and (b) is the surface of the protrusion in the substrate. Shows an example of soldering. In any of the drawings, a package having the same configuration as that of the first embodiment is used, and a protruding portion of the terminal portion is indicated by a symbol A. Reference numeral 115 denotes a housing of the cellular phone, and the package 1 is fixed to a substrate 116 in the housing 115 with solder 117. Further, in (a), holes 118 and 119 are respectively formed in the substrate 116 and the housing 115 so as to communicate with the hole 44 of the package 1. On the other hand, in the example shown in (b), the substrate 116 is formed with a relatively large hole 120 in which the lid 8 of the package 1 can be stored, and the package 1 is stored inside up in the hole 120 and protrudes. The surface of the part A is fixed to the peripheral part of the hole 120 of the substrate 116 with solder 117. Reference numeral 121 denotes a sound leakage prevention spacer ring surrounding the hole of the housing 115.

その他、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲においてさらなる変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では半導体装置としてマイクロフォンパッケージに適用した例を示したが、マイクロフォン以外にも、スピーカ、圧力センサ等にも適用することが可能であり、上記実施形態の音響孔のような内部空間と外部とを連通させる孔を有する構造の半導体装置に適用することができる。
また、前記ステージ部及び各端子部の外部接続面は、各実施形態では４端子の構成とし、例えば電源用、出力用、ゲイン用、接地用にそれぞれ供されるようにしたが、少なくとも電源用、出力用、接地用の接続面があればよい。その場合、接地用の接続面を２個設けるようにしてもよい。また、内部に収納される半導体チップによっては端子数が実施形態のものより増えることもある。半導体チップの数も必ずしも２個に限らない。
また、内部空間を外部に連通させる孔は一つの孔から形成したが、複数個の微細な孔の集合体としてもよい。
さらに、各実施形態では、リードフレームをほぼ平坦な板状のままとし、低床面等の凹凸形状をハーフエッチングにより形成したが、エンボス加工、コイニング加工等により凹凸形状を形成してもよい。 In addition, the present invention is not limited to the above embodiment, and further modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, an example in which the semiconductor device is applied to a microphone package has been described. However, in addition to the microphone, the present invention can also be applied to a speaker, a pressure sensor, and the like. The present invention can be applied to a semiconductor device having a structure having a hole that allows communication between the space and the outside.
In addition, the external connection surfaces of the stage unit and each terminal unit have a four-terminal configuration in each embodiment, and are provided for, for example, power supply, output, gain, and ground, but at least for power supply There should be a connection surface for output and ground. In that case, two ground connection surfaces may be provided. Further, depending on the semiconductor chip housed inside, the number of terminals may be larger than that of the embodiment. The number of semiconductor chips is not necessarily limited to two.
Moreover, although the hole which connects internal space to the exterior was formed from one hole, it is good also as an aggregate | assembly of a some fine hole.
Further, in each embodiment, the lead frame remains in a substantially flat plate shape, and the uneven shape such as a low floor surface is formed by half etching. However, the uneven shape may be formed by embossing, coining, or the like.

本発明に係る半導体装置の第１実施形態を示す縦断面図であり、図４のＡ−Ａ線に沿う断面に相当する。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of a semiconductor device according to the present invention, and corresponds to a cross section taken along line AA in FIG. 4. 図１の半導体装置に用いられているリードフレームを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a lead frame used in the semiconductor device of FIG. 1. 図２に示すリードフレームの裏面図である。FIG. 3 is a rear view of the lead frame shown in FIG. 2. 図２に示すリードフレームにモールド樹脂体を一体成形してなるパッケージ本体を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a package body formed by integrally molding a mold resin body on the lead frame shown in FIG. 2. 図４に示すパッケージ本体の裏面図である。It is a reverse view of the package main body shown in FIG. 図２に示すリードフレームを射出成形金型内に配置した状態を示す縦断面図であり、図４のＡ−Ａ線に沿う断面に相当する。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which has arrange | positioned the lead frame shown in FIG. 2 in the injection mold, and is equivalent to the cross section along the AA line of FIG. 連結状態とされたパッケージ集合体の一部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows a part of package assembly made into the connection state. 図７に示すパッケージ集合体から各パッケージを個片化するまでの方法を（ａ）から（ｄ）に工程順に示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the method until it divides each package from the package aggregate | assembly shown in FIG. 7 in order of process from (a) to (d). 図８に示す工程の後にパッケージを検査し包装するまでの方法を（ａ）から（ｅ）に工程順に示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the method until it inspects and packages a package after the process shown in FIG. 8 in order of the process from (a) to (e). 本発明に係る半導体装置の第２実施形態を示す図１同様の縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view similar to FIG. 1 showing a second embodiment of a semiconductor device according to the present invention. 第２実施形態の半導体装置において、パッケージ集合体から各パッケージを個片化するまでの方法を（ａ）から（ｄ）に工程順に示した模式図である。In the semiconductor device of 2nd Embodiment, it is the schematic diagram which showed to the process order from (a) to (d) the method until it divides each package from a package aggregate | assembly. 端子部の接続部付近の変形例を示す要部の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the principal part which shows the modification near the connection part of a terminal part. 端子部の突出部を切断しないで長いまま基板にはんだ付けした例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the example soldered to the board | substrate, without cutting the protrusion part of a terminal part.

Explanation of symbols

１…半導体装置、２…マイクロフォンチップ、３…制御回路チップ、４…パッケージ、５…リードフレーム、６…モールド樹脂体、７…パッケージ本体、８…蓋体、９…接続フレーム部、１１…ステージ部、１２〜１４…端子部、１５…接続部、１６…本体部、１７，１８…突出部、２１〜２３…内部接続面、２４…低床面、２５…内部接続面、２６…スロット部、３１…凹状面、３２〜３５…外部接続面、３６…下孔、４１…底板部、４２…周壁部、４３…張り出し部、４４…音響孔、４４ａ…筒状壁、４５…棚部、４６…穴部、４７…枠部、４８…ダイボンド、４９…ボンディングワイヤ、５１…天板部、５２…側板部、５３…つば部、５５…内部空間、５６…導電性接着剤、６１…上型、６２…下型、６３…キャビティ、６４…ピン、６５…穴、６６…座ぐり部、７１…ダイシングテープ、７２…キャリア治具、７３…ダイシングブレード、７４…プローブ、７６…ピン、７７…コレット、７８…カッタ装置、７９，８０…カメラ、８１…包装体、１０１…半導体装置、１０２…パッケージ、１０３…パッケージ本体、１０４…蓋体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Microphone chip, 3 ... Control circuit chip, 4 ... Package, 5 ... Lead frame, 6 ... Mold resin body, 7 ... Package main body, 8 ... Cover body, 9 ... Connection frame part, 11 ... Stage Part, 12-14 ... terminal part, 15 ... connection part, 16 ... main body part, 17, 18 ... projecting part, 21-23 ... internal connection surface, 24 ... low floor surface, 25 ... internal connection surface, 26 ... slot part , 31 ... concave surface, 32 to 35 ... external connection surface, 36 ... lower hole, 41 ... bottom plate part, 42 ... peripheral wall part, 43 ... overhang part, 44 ... acoustic hole, 44a ... cylindrical wall, 45 ... shelf part, 46 ... Hole, 47 ... Frame, 48 ... Die bond, 49 ... Bonding wire, 51 ... Top plate, 52 ... Side plate, 53 ... Brim, 55 ... Internal space, 56 ... Conductive adhesive, 61 ... Top Mold 62 ... Lower mold 63 ... Cavity 64 ... Pin 5 ... Hole, 66 ... Counterbore part, 71 ... Dicing tape, 72 ... Carrier jig, 73 ... Dicing blade, 74 ... Probe, 76 ... Pin, 77 ... Collet, 78 ... Cutter device, 79, 80 ... Camera, 81 ... Packaging body, 101 ... Semiconductor device, 102 ... Package, 103 ... Package body, 104 ... Cover body

Claims

A semiconductor device in which a hole that communicates the internal space with the outside is provided on either the front surface or the back surface of a package containing a semiconductor chip, and the outer end portion of the terminal portion connected to the semiconductor chip is exposed from the package A method of manufacturing
A package assembly in which a plurality of the packages are connected in the same direction and the terminal portions are connected to each other between adjacent packages in the same direction, and the package assembly is manufactured. A dicing tape is applied to the surface of the hole in which the hole is covered with a dicing tape, and the connecting portion of the terminal portion is cut by a dicing blade from the surface opposite to the surface of the dicing tape. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is separated into individual packages on a dicing tape.

2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a tip of a probe is brought into contact with a terminal portion of the package separated on the dicing tape from a side opposite to a surface to which the dicing tape is attached, and the semiconductor device is inspected for continuity. Device manufacturing method.

In the semiconductor device, the hole is formed on the back surface of the package and the terminal portion is formed in the surface direction of the back surface, and the probe is inserted between the packages separated on the dicing tape. 3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein a tip is brought into contact with an end portion of the terminal portion protruding outward of the package.

In the semiconductor device, the terminal portion is exposed on the back surface of the package, the hole is formed on the front surface of the package, and the probe is exposed on the back surface of the package separated on the dicing tape. 3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein a tip of the terminal portion is brought into contact with the terminal portion.

5. The semiconductor device according to claim 1, wherein after removing each package from the dicing tape, at least a part of a protruding portion of a terminal portion protruding from the package is cut and removed. Manufacturing method.

A hole that communicates the internal space with the outside is provided on either the front surface or the back surface of the package containing the semiconductor chip, and the outer end of the terminal portion connected to the semiconductor chip protrudes outward from the package. A semiconductor device characterized by being exposed.