JP2009289924A

JP2009289924A - Package for semiconductor device chassis and its production process, package, semiconductor device, and microphone package

Info

Publication number: JP2009289924A
Application number: JP2008139989A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Saito; 博齋藤; Yusaku Ebihara; 雄作蛯原
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2008-05-28
Filing date: 2008-05-28
Publication date: 2009-12-10

Abstract

【課題】半導体装置用パッケージ本体の全体を薄肉化するとともに、リードフレームとモールド樹脂体との相対位置関係を正確に形成する。
【解決手段】半導体チップ２が搭載されるステージ部１１及び該ステージ部１１と間隔をあけて配置される複数の端子部を有するリードフレーム５と、その表面の内部接続面及び裏面の外部接続面を露出させた状態で該リードフレーム５を埋設してなるモールド樹脂体６とからなり、内部接続面に接続状態で半導体チップ２が搭載され蓋体８によって覆われる半導体装置用パッケージ本体７であって、リードフレーム５の少なくとも裏面に、外部接続面に対してリードフレーム５の板厚の途中の深さまで窪ませてなる凹状面３２Ａが形成されるとともに、該凹状面３２Ａを覆うモールド樹脂体６に、凹状面３２Ａの一部を露出させる穴部３３が形成されている。
【選択図】図７The entire package body for a semiconductor device is thinned, and the relative positional relationship between a lead frame and a mold resin body is accurately formed.
A lead frame having a stage portion on which a semiconductor chip is mounted and a plurality of terminal portions spaced apart from the stage portion, and an internal connection surface on the front surface and an external connection surface on the back surface thereof. The semiconductor device package body 7 is composed of a molded resin body 6 in which the lead frame 5 is embedded in a state where the lead frame 5 is exposed, the semiconductor chip 2 is mounted on the internal connection surface in a connected state, and is covered with the lid body 8. Thus, at least the back surface of the lead frame 5 is formed with a concave surface 32A that is depressed to a depth halfway through the thickness of the lead frame 5 with respect to the external connection surface, and the mold resin body 6 that covers the concave surface 32A. In addition, a hole 33 for exposing a part of the concave surface 32A is formed.
[Selection] Figure 7

Description

本発明は、リードフレームの少なくとも一部をモールド樹脂体に埋設してなるパッケージ本体に半導体チップを搭載して蓋体により覆って構成される半導体装置に係り、そのパッケージ本体及びその製造方法、パッケージ、半導体装置、並びに該半導体装置を用いて構成したマイクロフォンパッケージに関する。 The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a package body in which at least a part of a lead frame is embedded in a mold resin body and covered with a lid, the package body, a manufacturing method thereof, and a package The present invention relates to a semiconductor device, and a microphone package configured using the semiconductor device.

シリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置として、リードフレームに樹脂をモールドしてなるプリモールドタイプの中空のパッケージの中にマイクロフォンチップ等を収納したものがある。この種の半導体装置は、小型化の要求から、リードフレームとなる金属板を板厚の途中までハーフエッチングすることにより、残された部分で端子面等を形成して全体を薄肉化する技術が提案されている。 2. Description of the Related Art Some semiconductor devices such as a silicon microphone and a pressure sensor include a microphone chip and the like housed in a pre-mold type hollow package obtained by molding a resin on a lead frame. This type of semiconductor device has a technology for reducing the overall thickness by forming a terminal surface and the like in the remaining portion by half-etching the metal plate to be a lead frame halfway through the thickness in response to a demand for miniaturization. Proposed.

このようなハーフエッチングしたリードフレームにより半導体パッケージを形成したものとして、例えば特許文献１記載の技術では、リードフレームの厚い枠部に囲まれたパッケージ形成領域において、リードフレームの表面の内部接続面及び裏面の外部接続面を除いて板厚の略１／３ずつが凹状にハーフエッチングされ、その凹部内にソルダーレジストが埋め込まれ、半導体チップを搭載した後に、全体をモールド樹脂によって覆ってパッケージが形成されている。
また、特許文献２記載の技術では、リードフレームの裏面が外部接続面を除いて板厚の半分程度の深さまで凹状にハーフエッチングされ、このリードフレームを射出成形金型の金型面によって挟持してモールド樹脂を射出することにより、ハーフエッチングにより形成されるリードフレームの凹部等にモールド樹脂が埋め込まれた形状とされている。
特開２００１−９４０２６号公報特開２００１−７７２７７号公報 As a semiconductor package formed by such a half-etched lead frame, for example, in the technique described in Patent Document 1, in the package formation region surrounded by the thick frame portion of the lead frame, the internal connection surface of the surface of the lead frame and Except for the external connection surface on the back side, approximately 1/3 of the plate thickness is half-etched into a concave shape, a solder resist is embedded in the concave portion, and after mounting the semiconductor chip, the whole is covered with mold resin to form a package Has been.
In the technique described in Patent Document 2, the back surface of the lead frame is half-etched in a concave shape to a depth of about half the plate thickness except for the external connection surface, and the lead frame is sandwiched between the mold surfaces of the injection mold. By injecting the mold resin, the mold resin is embedded in a recess or the like of the lead frame formed by half etching.
JP 2001-94026 A JP 2001-77277 A

しかしながら、特許文献１記載の技術であると、リードフレーム自体はハーフエッチングによって必要な凹凸が形成され、薄肉化が図られているが、パッケージ形成領域の外側に厚肉の枠部を形成しておく必要があるとともに、リードフレームの凹部にソルダーレジストを埋め込み、さらに全体をモールド樹脂で覆う構造であるため、結果として厚肉部分が生じるという問題がある。 However, according to the technique described in Patent Document 1, the lead frame itself has a necessary unevenness formed by half etching to reduce the thickness, but a thick frame portion is formed outside the package formation region. In addition, there is a problem that a thick portion is generated as a result of the structure in which the solder resist is embedded in the recess of the lead frame and the whole is covered with the mold resin.

また、特許文献２記載の技術では、射出成形時に、外部接続面が形成される付近は肉厚に形成され、その部分で射出成形金型により挟持されるが、中央のアイランド（ダイパッド）部分は半分の板厚で薄肉になっているため、強度が低下しており、射出圧力によって変形や移動が生じてアイランドの表面が露出せずにモールド樹脂に部分的に埋没してしまうなど、リードフレームとモールド樹脂体との相対位置関係にずれが生じるおそれがある。 Further, in the technique described in Patent Document 2, the vicinity of the external connection surface is formed thick at the time of injection molding, and is sandwiched by the injection mold in that portion, but the central island (die pad) portion is The lead frame is reduced in strength because it is thin with half the plate thickness, and is deformed or moved by the injection pressure, so that the island surface is not exposed and is partially buried in the mold resin. There is a possibility that the relative positional relationship between the resin and the mold resin body is shifted.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、半導体装置用パッケージ本体の全体を薄肉化するとともに、リードフレームとモールド樹脂体との相対位置関係を正確に形成することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to reduce the overall thickness of the package body for a semiconductor device and to accurately form the relative positional relationship between the lead frame and the molded resin body. .

このような目的を達成するため、本発明は、半導体チップが搭載されるステージ部及び該ステージ部と間隔をあけて配置される複数の端子部を有するリードフレームと、その表面の内部接続面及び裏面の外部接続面を露出させた状態で該リードフレームを埋設してなるモールド樹脂体とからなり、前記内部接続面に接続状態で半導体チップが搭載され蓋体によって覆われる半導体装置用パッケージ本体であって、前記リードフレームの少なくとも裏面に、前記外部接続面に対してリードフレームの板厚の途中の深さまで窪ませてなる凹状面が形成されるとともに、該凹状面を覆う前記モールド樹脂体に、前記凹状面の一部を露出させる穴部が形成されていることを特徴とする。 In order to achieve such an object, the present invention provides a lead frame having a stage portion on which a semiconductor chip is mounted, a plurality of terminal portions arranged at intervals from the stage portion, an internal connection surface on the surface, A package body for a semiconductor device comprising a molded resin body in which the lead frame is embedded with the external connection surface on the back surface exposed, and a semiconductor chip mounted on the internal connection surface and covered with a lid. A concave surface is formed on at least the back surface of the lead frame, the concave surface being recessed to a depth in the middle of the thickness of the lead frame with respect to the external connection surface, and the mold resin body covering the concave surface A hole portion for exposing a part of the concave surface is formed.

そして、この半導体装置用パッケージの製造方法は、前記リードフレームの凹状面をハーフエッチングにより形成した後、射出成形金型の金型面に前記内部接続面及び外部接続面を接触させた状態で金型面間に前記リードフレームを挟持するとともに、該金型面に形成した突起の先端面を前記凹状面の一部に接触させ、この状態で樹脂を射出して前記モールド樹脂体を形成することを特徴とする。 In this method of manufacturing a package for a semiconductor device, after the concave surface of the lead frame is formed by half etching, the inner connection surface and the external connection surface are brought into contact with the mold surface of the injection mold. The lead frame is sandwiched between mold surfaces, the tip surface of the protrusion formed on the mold surface is brought into contact with a part of the concave surface, and the resin is injected in this state to form the mold resin body. It is characterized by.

すなわち、リードフレームにモールド樹脂体を形成する際に、金型面に形成した突起を凹状面に接触させて射出成形することにより、この凹状面が突起の先端面により支持されるとともに、その反対面の少なくとも内部接続面に接触している金型面との間でリードフレームを挟持した状態とすることができる。そして、この突起の先端面で支持されることにより、射出成形時に樹脂の圧力が作用しても動き難く、変形等が生じにくい。したがって、その凹状面の反対面に形成すべき内部接続面をモールド樹脂体の表面に確実に露出させることができる。特に凹状面をハーフエッチングにより板厚の途中の深さまでを除去するようにして形成する場合、板厚が例えば半分程度に薄くなって変形等が生じ易い状態となるので、本発明の構成とすることは有効である。 That is, when forming the molding resin body on the lead frame, the projection formed on the mold surface is brought into contact with the concave surface and injection molding is performed so that the concave surface is supported by the tip surface of the projection and vice versa. The lead frame can be sandwiched between at least the mold surface in contact with the internal connection surface. And by being supported by the front end surface of this protrusion, even if the pressure of the resin acts during injection molding, it does not move easily, and deformation or the like hardly occurs. Therefore, the internal connection surface to be formed on the surface opposite to the concave surface can be reliably exposed on the surface of the mold resin body. In particular, when the concave surface is formed by removing half the depth of the plate thickness by half etching, the plate thickness is reduced to, for example, about half and is likely to be deformed. It is effective.

そして、このようにして金型の突起で凹状面を支持するものであるため、モールド樹脂体には金型の突起の部分が穴部となって形成される。この凹状面を射出成形金型の金型面に支持させる場合、金型面に設けた突起で凹状面を支持する構成とは逆に、凹状面の部分を一部残してハーフエッチングすることにより、リードフレームに、凹状面から突出する突起を形成して、その突起を射出成形金型の平坦な金型面に接触させることも考えられるが、この場合は、モールド樹脂体の裏面に突起の先端面が露出することになり、基板に固着したときにはんだが広がって突起に接触し短絡してしまうおそれがある。これに対して、本発明の構成の場合は、穴部となっているため、短絡現象が生じることはない。
なお、通常は、パッケージ本体は矩形板状に形成されるとともに、ステージ部及び各端子部の外部接続面が裏面の隅部にそれぞれ配置されるので、前記穴部はほぼ中央部に配置される。 Since the concave surface is supported by the protrusion of the mold in this way, the protrusion of the mold is formed as a hole in the mold resin body. When this concave surface is supported on the mold surface of an injection mold, the half surface is partially etched to leave a part of the concave surface, contrary to the configuration in which the concave surface is supported by the protrusion provided on the mold surface. It is also conceivable to form a protrusion protruding from the concave surface on the lead frame and bring the protrusion into contact with the flat mold surface of the injection mold, but in this case, the protrusion is formed on the back surface of the mold resin body. The tip end face is exposed, and when it is fixed to the substrate, the solder spreads out and may come into contact with the protrusion and short circuit. On the other hand, in the case of the configuration of the present invention, since it is a hole, a short circuit phenomenon does not occur.
Normally, the package body is formed in a rectangular plate shape, and the external connection surfaces of the stage part and each terminal part are respectively arranged at the corners on the back surface, so that the hole part is arranged almost at the center part. .

本発明の半導体装置用パッケージ本体において、前記穴部は前記内部接続面の背部に形成されている構成としてもよい。
内部接続面は射出成形金型の金型面に接触する部分であり、この内部接続面を形成する金型面と穴部を形成する突起の先端面とが同軸的に配置されることになる。したがって、リードフレームの薄肉部分がこれら金型の間で表裏両面から挟持され、射出圧力に対する拘束力を大きくして、その移動や変形を確実に防止することができる。 In the package body for a semiconductor device of the present invention, the hole portion may be formed on a back portion of the internal connection surface.
The internal connection surface is a portion that contacts the mold surface of the injection mold, and the mold surface that forms the internal connection surface and the tip surface of the projection that forms the hole are arranged coaxially. . Accordingly, the thin portion of the lead frame is sandwiched between these molds from both the front and back surfaces, and the restraining force against the injection pressure can be increased to reliably prevent the movement and deformation.

また、本発明の半導体装置用パッケージは、前記半導体装置用パッケージ本体と、該半導体装置用パッケージ本体の表面を内部空間を形成した状態に覆う蓋体とを備えることを特徴とする。
そして、本発明の半導体装置は、前記半導体装置用パッケージにおける前記パッケージ本体の上に半導体チップが搭載され、該半導体チップが前記内部接続面に接続されていることを特徴とする。
さらに、本発明のマイクロフォンパッケージは、前記半導体装置を用いて構成され、前記半導体チップがマイクロフォンチップであり、前記蓋体又は前記パッケージ本体のいずれかに、内部空間に連通する音響孔が形成されていることを特徴とする。
また、本発明のマイクロフォンパッケージにおいて、前記パッケージ本体に、前記リードフレームの一部が前記モールド樹脂体に形成した窓穴部から露出されるとともに、その露出部分に前記リードフレームを貫通する複数の小孔が形成され、これら小孔により前記音響孔が構成されているようにしてもよい。 According to another aspect of the present invention, there is provided a package for a semiconductor device, comprising: the package body for a semiconductor device; and a lid that covers the surface of the package body for the semiconductor device in a state where an internal space is formed.
The semiconductor device according to the present invention is characterized in that a semiconductor chip is mounted on the package body in the semiconductor device package, and the semiconductor chip is connected to the internal connection surface.
Furthermore, a microphone package of the present invention is configured using the semiconductor device, the semiconductor chip is a microphone chip, and an acoustic hole communicating with an internal space is formed in either the lid or the package body. It is characterized by being.
In the microphone package of the present invention, a part of the lead frame is exposed to the package body from a window hole formed in the mold resin body, and a plurality of small holes penetrating the lead frame through the exposed portion. Holes may be formed, and the acoustic holes may be configured by these small holes.

本発明によれば、リードフレームに外部接続面に対して板厚の途中の深さまで窪ませてなる凹状面を形成し、その凹状面を埋めるようにモールド樹脂体を形成しているから、パッケージ本体の全体を薄肉化することが可能である。また、リードフレームの凹状面の一部を露出する穴部は、モールド樹脂体の射出成形時には金型の突起によりリードフレームを支持する部分であり、射出圧力によるリードフレームの移動や変形を防止し、リードフレームとモールド樹脂体との相対位置関係を正確に形成することができる。しかも、穴部として形成されているため、基板へのはんだ付け時にはんだにより短絡現象が生じることも防止することができる。 According to the present invention, the lead frame is formed with a concave surface that is recessed to a depth in the middle of the plate thickness with respect to the external connection surface, and the mold resin body is formed so as to fill the concave surface. It is possible to reduce the thickness of the entire body. Also, the hole that exposes a part of the concave surface of the lead frame is the part that supports the lead frame by the projection of the mold during injection molding of the mold resin body, preventing the lead frame from moving and deforming due to injection pressure. The relative positional relationship between the lead frame and the mold resin body can be accurately formed. And since it is formed as a hole part, it can also prevent that a short circuit phenomenon arises with solder at the time of soldering to a board | substrate.

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
図１〜図８は第１実施形態を示している。この第１実施形態の半導体装置１は、マイクロフォンパッケージであり、図４、図６及び図７に示すように、半導体チップとしてマイクロフォンチップ２と回路チップ３との二つのチップが収納されている。また、そのパッケージ４は、ほぼ平坦な板状のリードフレーム５及びこのリードフレーム５に一体成形された箱型のモールド樹脂体６からなるパッケージ本体７と、このパッケージ本体７の上方を閉塞する蓋体８とを備える構成とされている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 8 show a first embodiment. The semiconductor device 1 according to the first embodiment is a microphone package, and as shown in FIGS. 4, 6, and 7, two chips of a microphone chip 2 and a circuit chip 3 are accommodated as semiconductor chips. Further, the package 4 includes a package body 7 composed of a substantially flat plate-like lead frame 5 and a box-shaped mold resin body 6 formed integrally with the lead frame 5, and a lid for closing the upper portion of the package body 7. The body 8 is provided.

リードフレーム５は、帯状の金属板に、図１に示す単位を１個のものとして１列で又は複数列並んでプレス加工により連続して形成されるものである。この明細書中では、図１に示す１個単位のものをリードフレームと称しており、以下では図１の上下方向を縦方向、左右方向を横方向というものとする。また、図１中、符号９は、リードフレーム５の打ち抜きにより形成される外枠部１０に接続状態の接続フレーム部を示している。 The lead frame 5 is continuously formed by press working on a strip-shaped metal plate in one row or a plurality of rows with one unit shown in FIG. In this specification, the unit shown in FIG. 1 is referred to as a lead frame, and in the following, the vertical direction in FIG. 1 is referred to as the vertical direction, and the horizontal direction is referred to as the horizontal direction. Further, in FIG. 1, reference numeral 9 indicates a connection frame portion connected to the outer frame portion 10 formed by punching the lead frame 5.

このリードフレーム５は、比較的広い面積を有するステージ部１１と、該ステージ部１１の周囲に配置された例えば電源用、出力用、ゲイン用の３個の端子部１２〜１４とが相互に間隔をあけて配置された構成とされ、それぞれが複数の接続フレーム部９によって独立して外枠部１０に接続されている。
この場合、リードフレーム５は全体としては矩形状に形成され、ステージ部１１は、その矩形状の中の一つの隅部を中心に配置され、該隅部を形成する二辺に接続された本体部１５から二つの延長部１６，１７が一体に形成され、これら延長部１６，１７の先端が他の二辺のほぼ中央位置にそれぞれ接続されている。 In the lead frame 5, a stage portion 11 having a relatively large area and three terminal portions 12 to 14 for power supply, output, and gain arranged around the stage portion 11 are spaced from each other. It is set as the structure arrange | positioned openly, and each is independently connected to the outer frame part 10 by the some connection frame part 9. FIG.
In this case, the lead frame 5 is formed in a rectangular shape as a whole, and the stage portion 11 is disposed at the center of one corner portion of the rectangular shape and is connected to two sides forming the corner portion. Two extensions 16 and 17 are integrally formed from the portion 15, and the ends of these extensions 16 and 17 are connected to substantially the center positions of the other two sides, respectively.

そして、このステージ部１１と外枠部１０とにより囲まれた残りの三か所の隅部に、それぞれ端子部１２〜１４が配置されている。これら端子部１２〜１４は、その表面側の一部が後述する半導体チップに対する内部接続面２１〜２３とされ、この内部接続面２１〜２３を除く部分の表面側は板厚を薄くするようにハーフエッチングされていることにより、このハーフエッチングされた表面が内部接続面２１〜２３よりも板厚方向に低い低床面２４とされている。図１でハッチングされた領域が、ハーフエッチングされた低床面２４を示している。 Terminal portions 12 to 14 are arranged at the remaining three corners surrounded by the stage portion 11 and the outer frame portion 10, respectively. As for these terminal parts 12-14, a part of the surface side is made into the internal connection surface 21-23 with respect to the semiconductor chip mentioned later, and the surface side of the part except this internal connection surface 21-23 is made thin. By being half-etched, the half-etched surface is a low floor surface 24 that is lower than the internal connection surfaces 21 to 23 in the thickness direction. The hatched area in FIG. 1 shows the low floor 24 that has been half-etched.

この場合、リードフレーム５として全体の外周部には、図１に示すように、ステージ部１１における本体部１５の角部及び延長部１６，１７の先端部がそれぞれ配置されるが、各端子部１２〜１４においてはハーフエッチングされた低床面２４が配置されており、各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３は、リードフレーム５の外周部よりも内側に入り込んだ位置に配置されている。すなわち、図１において二本の二点鎖線で囲まれる領域が、後述するモールド樹脂体の周壁部の形成領域Ａを示しており、この周壁部の形成領域Ａ内に端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３が配置されている。また、この周壁部の形成領域Ａ内に配置されるステージ部１１における一つの延長部１６の一部分が、ステージ部１１に対する接地用の内部接続面２５とされている。なお、この周壁部の形成領域Ａよりも外側はモールド樹脂体における張り出し部の形成領域とされ、この張り出し部の形成領域には、前述したように、ステージ部１１における本体部１５の角部、延長部１６，１７の先端部、及び各端子部１２〜１４の低床面２４が配置されている。 In this case, as shown in FIG. 1, the corner portion of the main body portion 15 and the tip portions of the extension portions 16 and 17 in the stage portion 11 are arranged on the entire outer peripheral portion of the lead frame 5. 12 to 14, the half-etched low floor surface 24 is disposed, and the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 are disposed at positions that enter the inner side of the outer peripheral portion of the lead frame 5. ing. That is, in FIG. 1, a region surrounded by two two-dot chain lines indicates a formation region A of the peripheral wall portion of the mold resin body, which will be described later, and the inside of the terminal portions 12 to 14 in the formation region A of the peripheral wall portion. Connection surfaces 21 to 23 are arranged. Further, a part of one extension portion 16 in the stage portion 11 disposed in the formation region A of the peripheral wall portion is an internal connection surface 25 for grounding with respect to the stage portion 11. The outer side of the peripheral wall portion forming area A is a protruding portion forming region in the mold resin body. As described above, the protruding portion forming region includes a corner portion of the main body 15 in the stage portion 11, The front ends of the extension portions 16 and 17 and the low floor surface 24 of the terminal portions 12 to 14 are arranged.

一方、このリードフレーム５の裏面は、図２にハッチングでハーフエッチング領域を示したように、四隅の矩形状の部分を残して他の大部分はハーフエッチングされており、これら４か所の矩形状部分が、後述するように基板に搭載されたときの外部接続面２６〜２９とされている。
この場合、ステージ部１１においては、その本体部１５の隅部（図２の右上隅部）に矩形状に外部接続面２９が形成され、各端子部１２〜１４は、そのうちの一つの端子部（図２の左下隅部に配置される端子部）１３は外部接続面２７が全体形状と同じ矩形状に形成され、他の二つの端子部１２，１４は、外部接続面２６，２８に対して面方向に突出する突出部３０，３１が形成され、その突出部３０，３１の裏面が板厚を薄くするようにハーフエッチングされている。これらステージ部１１の外部接続面２９及び各端子部１２〜１４の外部接続面２６〜２８は、それぞれほぼ同じ大きさの矩形状に形成されており、リードフレーム５の全体としての四隅に配置されている。図１と照合するとわかるように、二つの端子部１２，１４における両張り出し部３０，３１の表面側は内部接続面２１，２３とされている。
なお、リードフレーム５の裏面のハーフエッチングされた部分を凹状面３２Ａ〜３２Ｃと称することにする。また、いずれの接続フレーム部９も、ハーフエッチングされることなく元板厚に設定される。 On the other hand, the rear surface of the lead frame 5 is half-etched except for the rectangular portions at the four corners, as shown in FIG. The shape portions are external connection surfaces 26 to 29 when mounted on the substrate as will be described later.
In this case, in the stage part 11, the external connection surface 29 is formed in the rectangular shape in the corner part (upper right corner part of FIG. 2) of the main-body part 15, and each terminal part 12-14 is one of those terminal parts. (Terminal portion disposed in the lower left corner of FIG. 2) 13 has an external connection surface 27 formed in the same rectangular shape as the overall shape, and the other two terminal portions 12 and 14 are connected to the external connection surfaces 26 and 28. The protrusions 30 and 31 protruding in the surface direction are formed, and the back surfaces of the protrusions 30 and 31 are half-etched so as to reduce the plate thickness. The external connection surface 29 of the stage portion 11 and the external connection surfaces 26 to 28 of the terminal portions 12 to 14 are formed in a rectangular shape having substantially the same size, and are arranged at the four corners of the lead frame 5 as a whole. ing. As can be seen from comparison with FIG. 1, the surface sides of the two protruding portions 30, 31 in the two terminal portions 12, 14 are internal connection surfaces 21, 23.
The half-etched portion on the back surface of the lead frame 5 is referred to as concave surfaces 32A to 32C. In addition, any connection frame portion 9 is set to the original plate thickness without being half-etched.

そして、このように加工されたリードフレーム５に対してモールド樹脂体６が一体に成形されることにより、図３に示すようにパッケージ本体７が構成されている。モールド樹脂体６は、図３及び図４に示すように、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とを並べることができる長さの矩形板状に形成された底板部４１と、この底板部４１の周縁部から立設した角筒形の周壁部４２と、周壁部４２の下部の周囲に一体に形成した張り出し部４３とを備える箱型に形成されている。 Then, by molding the molded resin body 6 integrally with the lead frame 5 processed in this way, a package body 7 is configured as shown in FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, the mold resin body 6 includes a bottom plate portion 41 formed in a rectangular plate shape having a length in which the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 can be arranged, and the bottom plate portion 41. It is formed in a box shape including a rectangular cylindrical peripheral wall portion 42 standing from the peripheral edge portion and an overhang portion 43 integrally formed around the lower portion of the peripheral wall portion 42.

底板部４１は、リードフレーム５の中央部分、図１では周壁部の形成領域Ａよりも内側の領域を占めるステージ部１１の比較的広い範囲の部分の表裏両面がほぼ全面にわたって埋設状態とされている。また、周壁部４２は、上方に向かうにしたがって幅が小さくなる台形の横断面に形成されており、図１の形成領域Ａで示したように、ステージ部１１における本体部１５の一部、両延長部１６，１７の途中部分（そのうちの一つがステージ部１１の内部接続面２５とされる）、各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３、低床面２４の一部を埋設状態としている。そして、図３に示すように、この周壁部４２の一部が若干低くかつ幅広に形成され、その幅広部４４に、ステージ部１１の内部接続面２５及び各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３を一部ずつそれぞれ上方に露出状態とする４個の穴部４５が形成されている。 The bottom plate portion 41 is embedded in the central portion of the lead frame 5, that is, the entire front and back surfaces of the relatively wide range portion of the stage portion 11 that occupies the region inside the formation region A of the peripheral wall portion in FIG. Yes. Further, the peripheral wall portion 42 is formed in a trapezoidal cross section whose width decreases as it goes upward, and as shown in the formation region A of FIG. A part of the extension portions 16 and 17 (one of which is the internal connection surface 25 of the stage portion 11), the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14, and a part of the low floor surface 24. It is said. As shown in FIG. 3, a part of the peripheral wall portion 42 is formed to be slightly low and wide, and the wide portion 44 has an internal connection surface 25 of the stage portion 11 and internal connection surfaces of the terminal portions 12 to 14. Four holes 45 are formed to expose the portions 21 to 23 partially upward.

また、この周壁部４２の外側に形成される張り出し部４３は、底板部４１と同じ平板上に形成され、リードフレーム５において図１のＡで示す領域よりも外側の領域の部分が配置される。そして、リードフレーム５のステージ部１１における本体部１５の角部及び二か所の延長部１６，１７における先端部のそれぞれの表面は張り出し部４３の上面に露出させられ、他の端子部１２〜１４の表面は、ハーフエッチングされた低床面２４が配置されることにより、モールド樹脂によって張り出し部４３内に埋設状態とされている。この場合、この張り出し部４３の表面はステージ部１１及びその延長部１６，１７の露出面を含めて面一に形成されている。 Further, the overhanging portion 43 formed on the outer side of the peripheral wall portion 42 is formed on the same flat plate as the bottom plate portion 41, and a portion of an area outside the area indicated by A in FIG. . And the surface of the corner | angular part of the main-body part 15 in the stage part 11 of the lead frame 5 and the front-end | tip part in the two extension parts 16 and 17 is exposed on the upper surface of the overhang | projection part 43, and other terminal parts 12- The surface of 14 is embedded in the overhanging portion 43 with a mold resin by arranging the half-etched low floor surface 24. In this case, the surface of the projecting portion 43 is formed to be flush with the exposed surface of the stage portion 11 and its extensions 16 and 17.

一方、モールド樹脂体６の裏面側においては、前述したようにリードフレーム５のハーフエッチングされた凹状面３２Ａ〜３２Ｃが埋設状態とされ、図５に示すように、ステージ部１１の外部接続面２９及び各端子部１２〜１４の外部接続面２６〜２８が四隅に露出した状態とされている。また、ステージ部１１のほぼ中央部の裏面（凹状面３２Ａ）に、スポット状に穴部３３が形成され、該穴部３３内でステージ部１１の裏面が露出している。また、３個の端子部１２〜１４のうち、突出部３１がリードフレーム５の幅方向（左右方向）の中央部まで延びている端子部（図２の右下隅部に配置されている端子部）１４においては、その突出部３１の裏面（凹状面３２Ｂ）にも穴部３４が形成されている。したがって、図４及び図５を照合するとわかるように、この端子部１４の突出部３１は、表面の内部接続面２３が表側の穴部４５から露出し、裏面も裏側の穴部３４から露出した構成とされている。 On the other hand, on the back side of the mold resin body 6, the half-etched concave surfaces 32 </ b> A to 32 </ b> C of the lead frame 5 are embedded as described above, and as shown in FIG. 5, the external connection surface 29 of the stage portion 11. In addition, the external connection surfaces 26 to 28 of the terminal portions 12 to 14 are exposed at the four corners. Further, a hole 33 is formed in a spot shape on the back surface (concave surface 32 </ b> A) of the substantially central portion of the stage portion 11, and the back surface of the stage portion 11 is exposed in the hole portion 33. Further, of the three terminal portions 12 to 14, the terminal portion (the terminal portion disposed in the lower right corner of FIG. 2) in which the protruding portion 31 extends to the center portion in the width direction (left-right direction) of the lead frame 5. 14), a hole 34 is also formed on the back surface (concave surface 32B) of the protruding portion 31. Therefore, as can be seen by comparing FIG. 4 and FIG. 5, the protruding portion 31 of the terminal portion 14 has the internal connection surface 23 on the front surface exposed from the hole 45 on the front side and the back surface exposed from the hole 34 on the back side. It is configured.

このように形成されたパッケージ本体７の底板部４１の上に、図４、図６及び図７に示すように、マイクロフォンチップ２と制御回路チップ３とがダイボンド４６によってそれぞれ固定され、モールド樹脂体６の周壁部４２の穴部４５に臨ませられている各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５にボンディングワイヤ４７によって接続されている。マイクロフォンチップ２は、音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム電極と固定電極とが対向配置され、ダイヤフラム電極の振動に伴う静電容量変化を検出するものである。また、制御回路チップ３は、マイクロフォンチップ２への電源の供給回路、マイクロフォンチップ２からの出力信号の増幅器等を備える構成とされている。 As shown in FIGS. 4, 6 and 7, the microphone chip 2 and the control circuit chip 3 are fixed on the bottom plate portion 41 of the package body 7 formed in this way by a die bond 46, respectively, and a molded resin body 6 are connected to the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 facing the hole 45 of the peripheral wall portion 42 and the internal connection surface 25 of the stage portion 11 by bonding wires 47. In the microphone chip 2, a diaphragm electrode and a fixed electrode that vibrate in response to pressure fluctuations such as sound are disposed to face each other, and a change in electrostatic capacitance accompanying vibration of the diaphragm electrode is detected. The control circuit chip 3 includes a power supply circuit to the microphone chip 2, an output signal amplifier from the microphone chip 2, and the like.

一方、このパッケージ本体７に被せられる蓋体８は、銅材等の導電性金属材料により、パッケージ本体７の周壁部４２の高さの分、絞り加工されて形成されており、天板部５１
の周囲に側板部５２が形成され、該側板部５２の下端に、天板部５１と平行につば部５３が形成されている。また、天板部５１には音響孔５４が貫通状態に形成されている。そして、この蓋体８をパッケージ本体７に被せると、図７に示すように、天板部５１がパッケージ本体７の周壁部４２に囲まれた内部空間５５を閉塞するとともに、その内部空間５５を音響孔５４によって外部に連通させた状態とし、かつ、側板部５２が周壁部４２の外側に配置され、つば部５３が張り出し部４３に重ねられる構成である。これらパッケージ本体７と蓋体８とは、パッケージ本体７の張り出し部４３に蓋体８のつば部５３が導電性接着剤５６によって固着されるようになっており、パッケージ本体７の張り出し部４３に露出しているステージ部１１が導電性接着剤５６を介して蓋体８と電気的接続状態とされる。したがって、これらパッケージ本体７に蓋体８を固着してなるパッケージ４は、蓋体８からリードフレーム５のステージ部１１の間が電気的接続状態となって内部空間５５内の半導体チップ２，３を囲った状態とするものである。 On the other hand, the lid body 8 that covers the package body 7 is formed by drawing a conductive metal material such as a copper material by the height of the peripheral wall portion 42 of the package body 7.
A side plate portion 52 is formed around the top plate portion 51, and a flange portion 53 is formed at the lower end of the side plate portion 52 in parallel with the top plate portion 51. In addition, an acoustic hole 54 is formed in the top plate portion 51 in a penetrating state. Then, when the lid body 8 is put on the package body 7, the top plate portion 51 closes the internal space 55 surrounded by the peripheral wall portion 42 of the package body 7 as shown in FIG. The acoustic hole 54 communicates with the outside, the side plate portion 52 is disposed outside the peripheral wall portion 42, and the collar portion 53 is overlaid on the protruding portion 43. The package body 7 and the lid body 8 are configured such that the flange portion 53 of the lid body 8 is fixed to the projecting portion 43 of the package body 7 by the conductive adhesive 56, and the package body 7 and the lid body 8 are attached to the projecting portion 43 of the package body 7. The exposed stage portion 11 is brought into an electrical connection state with the lid 8 via the conductive adhesive 56. Therefore, the package 4 formed by fixing the lid 8 to the package body 7 is in an electrically connected state between the lid 8 and the stage portion 11 of the lead frame 5, and the semiconductor chips 2 and 3 in the internal space 55. Is in a state of surrounding.

次に、このように構成される半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、帯状金属板の必要な個所にマスキングをしてエッチング処理することにより、図１及び図２のハッチング領域を板厚の半分程度までハーフエッチングする。そして、プレス加工によって外形を打ち抜き、接続フレーム部９により外枠部１０に接続状態とされたリードフレーム５を形成する。このようにして形成されるリードフレーム５は、ハーフエッチングされた部分に若干の凹凸を有するものの、ほぼ平坦な板状に形成される。
次に、このリードフレーム５を射出成形金型内に配置し、このリードフレーム５を埋設するように樹脂を射出成形してモールド樹脂体６を成形する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 configured as described above will be described.
First, the hatched region in FIGS. 1 and 2 is half-etched to about half the plate thickness by masking and etching the necessary portions of the band-shaped metal plate. Then, the outer shape is punched out by press working, and the lead frame 5 connected to the outer frame portion 10 by the connection frame portion 9 is formed. The lead frame 5 formed in this way is formed in a substantially flat plate shape, although it has some unevenness in the half-etched portion.
Next, the lead frame 5 is placed in an injection mold, and a resin is injection-molded so as to embed the lead frame 5 to mold the mold resin body 6.

図８はプレス成形した後のリードフレーム５を射出成形金型内に配置した状態を示しており、上型６０と下型６１との間にモールド樹脂が注入されるキャビティ６２が形成されている。リードフレーム５は、その表面においては、モールド樹脂体６の周壁部４２の穴部４５から各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５がそれぞれ露出し、裏面においては、外部接続面２６〜２９がそれぞれ露出するようになっているが、これらの露出面は、内部接続面２１〜２３，２５については射出成形時に上型６０の凸部６３が当接し、外部接続面２６〜２９については下型６１の平坦面が当接することによりそれぞれ形成される。
また、下型６１の金型面にはパッケージ本体７の穴部３３，３４となる位置にそれぞれ突起６４，６５が形成されており、これら突起６４，６５の先端面がステージ部１１のほぼ中央部の裏面（凹状面３２Ａ）及び端子部１４の突出部３１の裏面（凹状面３２Ｂ）にそれぞれ当接して、これらステージ部１１及び突出部３１を裏側から支持している。 FIG. 8 shows a state in which the lead frame 5 after press molding is arranged in an injection mold, and a cavity 62 into which mold resin is injected is formed between an upper mold 60 and a lower mold 61. . On the surface of the lead frame 5, the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 and the internal connection surface 25 of the stage portion 11 are exposed from the holes 45 of the peripheral wall portion 42 of the mold resin body 6, respectively. On the back surface, the external connection surfaces 26 to 29 are exposed, but the exposed surfaces of the internal connection surfaces 21 to 23 and 25 are in contact with the convex portion 63 of the upper mold 60 at the time of injection molding. The external connection surfaces 26 to 29 are formed by contacting the flat surface of the lower mold 61, respectively.
Further, protrusions 64 and 65 are formed on the mold surface of the lower mold 61 at positions corresponding to the holes 33 and 34 of the package body 7, respectively, and the tip surfaces of these protrusions 64 and 65 are substantially at the center of the stage portion 11. The stage portion 11 and the protruding portion 31 are supported from the back side by abutting against the back surface (concave surface 32A) of the portion and the back surface (concave surface 32B) of the protruding portion 31 of the terminal portion 14, respectively.

この場合、リードフレーム５の表面の内部接続面２１〜２３、及び裏面の外部接続面２６〜２９がそれぞれ金型６０，６１に接触するとともに、突起６４，６５がリードフレーム５の裏面（凹状面３２Ａ，３２Ｂ）を支持しており、リードフレーム５は、表裏両面で金型６０，６１に分散して接触して、キャビティ６３内で両面から支持されることになる。特に底板部４１においては、ステージ部１１の表面側にも樹脂部分が形成され、このため、ステージ部１１の表面と上型６１の内面との間に広い範囲にわたって隙間が形成されることになるが、ステージ部１１の裏面に突起６４が当接するとともに、張り出し部４３において両面に金型６０，６１が接触していることにより、ステージ部１１全体としては表裏両面から支持されることになる。また、端子部１４の突出部３１は、比較的長く形成されているが、図８（ｂ）に抜き出して図示したように、その先端部の表面が内部接続面２３で上型６０の凸部６３に接触しているとともに、裏面は突起６５により支持されているから、これら同軸上に配置された凸部６３と突起６５とによって挟持されることになり、強固に固定される。したがって、リードフレーム５は、射出時の圧力によって撓んだり動いたりすることがなく、金型６０，６１内に確実に固定される。 In this case, the internal connection surfaces 21 to 23 on the surface of the lead frame 5 and the external connection surfaces 26 to 29 on the back surface are in contact with the molds 60 and 61, respectively, and the protrusions 64 and 65 are on the back surface (concave surface) of the lead frame 5. 32A and 32B), and the lead frame 5 is dispersedly brought into contact with the molds 60 and 61 on both the front and back surfaces, and is supported from both sides in the cavity 63. In particular, in the bottom plate portion 41, a resin portion is also formed on the surface side of the stage portion 11. For this reason, a gap is formed over a wide range between the surface of the stage portion 11 and the inner surface of the upper mold 61. However, since the protrusions 64 are in contact with the back surface of the stage portion 11 and the molds 60 and 61 are in contact with both surfaces of the overhang portion 43, the entire stage portion 11 is supported from both the front and back surfaces. Moreover, although the protrusion part 31 of the terminal part 14 is formed comparatively long, as it extracted and illustrated in FIG.8 (b), the surface of the front-end | tip part is the convex part of the upper mold | type 60 with the internal connection surface 23. Since the back surface is supported by the protrusion 65 and is in contact with the protrusion 63, the protrusion 63 and the protrusion 65 arranged on the same axis are sandwiched and fixed firmly. Therefore, the lead frame 5 is securely fixed in the molds 60 and 61 without being bent or moved by the pressure at the time of injection.

そして、このようにしてリードフレーム５にモールド樹脂体６を一体に成形した後、そのパッケージ本体７の底板部４１の上に半導体チップ２，３をダイボンド４６により固着し、周壁部４２の穴部４５に露出している各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５とワイヤボンディングして接続状態とする。この場合、前述したようにモールド樹脂体６の射出成形時にリードフレーム５が金型面で動かないように保持されていたことから、モールド樹脂体６の表面と内部接続面２１〜２３，２５の表面との高さ位置関係が正確に仕上げられており、ワイヤボンディング作業をトラブルなく円滑に行うことができる。 After the molding resin body 6 is integrally formed on the lead frame 5 in this way, the semiconductor chips 2 and 3 are fixed on the bottom plate portion 41 of the package body 7 by the die bond 46, and the hole portion of the peripheral wall portion 42 is formed. The internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 exposed at 45 and the internal connection surface 25 of the stage portion 11 are wire-bonded to form a connection state. In this case, since the lead frame 5 was held so as not to move on the mold surface during the injection molding of the mold resin body 6 as described above, the surface of the mold resin body 6 and the internal connection surfaces 21 to 23, 25 The height positional relationship with the surface is accurately finished, and wire bonding work can be performed smoothly and without trouble.

次に、このワイヤボンディング作業の後、張り出し部４３の上面に導電性接着剤５６を塗布して、別に製作しておいた蓋体８を被せて接着する。この状態では、パッケージ本体７は、そのリードフレーム５が隣接するリードフレームに接続フレーム部９を介して連結状態とされていることにより、複数個が縦横に連なっており、蓋体８もリードフレーム５と同様の接続フレーム部（図示略）によりパッケージ本体７と同じピッチで複数個が連結状態とされ、これらが一括して接着される。
そして、この接着後に、モールド樹脂体６から突出しているリードフレーム５の接続フレーム部９や蓋体８の接続フレーム部を一括して切断して、個々のパッケージ４に分割す
る。 Next, after this wire bonding operation, a conductive adhesive 56 is applied to the upper surface of the overhanging portion 43, and a lid 8 that has been separately manufactured is covered and bonded. In this state, the package body 7 is connected to the adjacent lead frame via the connection frame portion 9 so that a plurality of the package bodies 7 are connected vertically and horizontally, and the lid 8 is also connected to the lead frame. 5 are connected to each other at the same pitch as that of the package body 7 by a connection frame portion (not shown) similar to 5 and are bonded together.
Then, after this bonding, the connection frame portion 9 of the lead frame 5 and the connection frame portion of the lid 8 protruding from the mold resin body 6 are collectively cut and divided into individual packages 4.

このようにして製造した半導体装置１は、その底面に露出している各端子部１２〜１４及びステージ部１１の外部接続面２６〜２９を基板にはんだ付けすることにより実装される。このとき、外部接続面２６〜２９と基板との間に介在されるはんだが、固化するまでの間に押しつぶされて若干横に広がる場合がある。
この場合、モールド樹脂体６には射出成形金型６１，６２の突起６４，６５の部分が穴部３３，３４となって形成されているが、この構成とは逆に、凹状面の一部を残してハーフエッチングすることにより、リードフレームに、凹状面から突出する突起を形成して、その突起を射出成形金型の平坦な金型面に接触させることも考えられる。この場合は、モールド樹脂体の裏面に突起の先端面が露出することになる。このため、基板に固着したときにはんだが広がって突起に接触し短絡してしまうおそれがある。
本実施形態の構成の場合は、穴部３３，３４となっているため、基板へのはんだ付け時にはんだにより短絡現象が生じることを防止することができる。したがって、その分、面方向にもさらなる小型化を図ることが可能になる。 The semiconductor device 1 manufactured in this way is mounted by soldering the terminal portions 12 to 14 exposed on the bottom surface and the external connection surfaces 26 to 29 of the stage portion 11 to the substrate. At this time, the solder interposed between the external connection surfaces 26 to 29 and the substrate may be crushed until it is solidified and spread slightly laterally.
In this case, the mold resin body 6 is formed with the projections 64 and 65 of the injection molds 61 and 62 as the holes 33 and 34, but on the contrary, a part of the concave surface is formed. It is also conceivable to form a protrusion protruding from the concave surface on the lead frame by half-etching while leaving the protrusion in contact with the flat mold surface of the injection mold. In this case, the tip end surface of the protrusion is exposed on the back surface of the mold resin body. For this reason, when it adheres to a board | substrate, there exists a possibility that a solder may spread, may contact a protrusion, and may short-circuit.
In the case of the configuration of the present embodiment, since the hole portions 33 and 34 are formed, it is possible to prevent a short-circuit phenomenon from being caused by the solder when soldering to the substrate. Accordingly, it is possible to further reduce the size in the surface direction accordingly.

また、この半導体装置１は、図７に示すように、底板部４１内に埋設されているステージ部１１が半導体チップ２，３の下方に配置され、このステージ部１１の内部接続面２５に半導体チップ２，３が接続され、ステージ部１１の延長部１６，１７に導電性接着剤５６を介して蓋体８が接続され、その蓋体８が半導体チップ２，３の上方を覆っている。したがって、半導体チップ２，３は、その周囲をステージ部１１や蓋体８によって囲まれた状態となり、このステージ部１１の外部接続面２９が基板を介して接地状態とされることにより、半導体チップ２，３を外部磁界からシールドすることができる。 Further, as shown in FIG. 7, in the semiconductor device 1, the stage portion 11 embedded in the bottom plate portion 41 is disposed below the semiconductor chips 2 and 3, and a semiconductor is formed on the internal connection surface 25 of the stage portion 11. The chips 2 and 3 are connected, and the lid body 8 is connected to the extensions 16 and 17 of the stage portion 11 via the conductive adhesive 56, and the lid body 8 covers the top of the semiconductor chips 2 and 3. Accordingly, the semiconductor chips 2 and 3 are surrounded by the stage portion 11 and the lid 8, and the external connection surface 29 of the stage portion 11 is grounded via the substrate, whereby the semiconductor chip is formed. 2 and 3 can be shielded from an external magnetic field.

また、パッケージ本体７は、半導体チップ２，３が固着される底板部４１と、蓋体８が固着される張り出し部４３との間に周壁部４２が立設し、この周壁部４２の穴部４５内に各端子部１２〜１４の内部接続面２１〜２３及びステージ部１１の内部接続面２５が露出しているので、ダイボンド４６や導電性接着剤５６が周壁部４２により堰き止められ、その壁を乗り越えて穴部４５内に侵入することはない。したがって、底板部４１におけるチップ搭載領域と内部接続面２１〜２３，２５とを接近させて配置することが可能になり、その分、面積を小さくすることができる。 The package body 7 has a peripheral wall portion 42 standing between a bottom plate portion 41 to which the semiconductor chips 2 and 3 are fixed and an overhang portion 43 to which the lid body 8 is fixed, and a hole portion of the peripheral wall portion 42. 45, since the internal connection surfaces 21 to 23 of the terminal portions 12 to 14 and the internal connection surface 25 of the stage portion 11 are exposed, the die bond 46 and the conductive adhesive 56 are blocked by the peripheral wall portion 42. It does not get over the wall and enter the hole 45. Therefore, the chip mounting area in the bottom plate portion 41 and the internal connection surfaces 21 to 23 and 25 can be disposed close to each other, and the area can be reduced accordingly.

しかも、周壁部４２に穴部４５を設けて各端子部１２〜１４やステージ部１１の内部接続面２１〜２３，２５を露出させ、蓋体８も周壁部４２の外側で底板部４１と同じ平面上に形成された張り出し部４３に固着する構成とされ、リードフレーム５自体は平坦に形成されているので、これを屈曲させて端子部や蓋体との接続部分を形成する従来技術構成のものと比べても、全体の小型化を図ることができる。
したがって、この半導体装置１は、基板上の実装面積を小さくすることができ、基板上の他の回路等への干渉を少なくし得て、高密度の実装を可能にすることができる。 Moreover, a hole 45 is provided in the peripheral wall portion 42 to expose the internal connection surfaces 21 to 23 and 25 of the terminal portions 12 to 14 and the stage portion 11, and the lid 8 is also the same as the bottom plate portion 41 outside the peripheral wall portion 42. Since the lead frame 5 itself is formed flat, it is configured to be fixed to the overhanging portion 43 formed on a flat surface. The overall size can be reduced as compared with the product.
Therefore, the semiconductor device 1 can reduce the mounting area on the substrate, reduce interference with other circuits on the substrate, and enable high-density mounting.

一方、図９〜図１５は本発明の第２実施形態を示している。これらの図において、第１実施形態と共通部分には同一符号を付して説明を省略する。
前述の第１実施形態では蓋体に音響孔を形成したが、この第２実施形態の半導体装置においては、パッケージ本体に音響孔を形成している。すなわち、図９及び図１０に示すように、リードフレーム７１は、ステージ部７２の本体部７３が第１実施形態のものよりも長く延びており、この本体部７３に、これを貫通するように音響孔用の下孔７４が設けられている。 On the other hand, FIGS. 9-15 has shown 2nd Embodiment of this invention. In these drawings, parts common to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
In the first embodiment described above, the acoustic hole is formed in the lid, but in the semiconductor device of the second embodiment, the acoustic hole is formed in the package body. That is, as shown in FIGS. 9 and 10, the lead frame 71 has a body portion 73 of the stage portion 72 that extends longer than that of the first embodiment, and passes through the body portion 73. A pilot hole 74 for an acoustic hole is provided.

また、３個の端子部のうち、隅部に配置される２個の端子部１３，１４は第１実施形態の対応する端子部とほぼ同様の構成であるが、他の端子部７５は、リードフレーム７１の上下方向の中央位置に配置され、突出部のない端子部１３と同様に矩形状に形成され、その一部に内部接続面７６が形成されている。また、この端子部７５の形状に対応して、ステージ部７２も、一つの延長部１７は第１実施形態のものと同様の形状とされているが、端子部７５に隣接している他の延長部７７はストレート状に形成されている。 Of the three terminal portions, the two terminal portions 13 and 14 arranged at the corners have substantially the same configuration as the corresponding terminal portions in the first embodiment, but the other terminal portions 75 are The lead frame 71 is disposed at a central position in the vertical direction, is formed in a rectangular shape like the terminal portion 13 without a protruding portion, and an internal connection surface 76 is formed in a part thereof. Corresponding to the shape of the terminal portion 75, the stage portion 72 also has one extension portion 17 having the same shape as that of the first embodiment, but other portions adjacent to the terminal portion 75 are also provided. The extension 77 is formed in a straight shape.

また、ステージ部７２の裏面は、大部分がハーフエッチングされて凹状面７８Ａとされているが、端子部７５と対応する上下方向の中央位置に外部接続面７７が形成されている。また、端子部１４に形成されている突出部３１の裏面もハーフエッチングされて凹状面７８Ｂとされている。 Further, the back surface of the stage portion 72 is mostly half-etched to form a concave surface 78A, but an external connection surface 77 is formed at the center position in the vertical direction corresponding to the terminal portion 75. Further, the back surface of the protruding portion 31 formed on the terminal portion 14 is also half-etched to form a concave surface 78B.

そして、このリードフレーム７１をプレス成形した後、図１５に示す射出成形金型に設置する。この射出成形金型には、下型８０に、リードフレーム７１の下孔７４よりも若干小径のピン８１が突出状態に設けられるとともに、このピン８１の回りを若干の間隔をおいて囲むようにリング状の突起８２が形成され、上型８３には、ピン８２の先端部を挿入する穴８４と、この穴８４より若干大径の座ぐり部８５とが同心状に形成されている。この型８１，８３を締めてピン８１を穴８４に挿入状態としたときに、キャビティ８６には、ピン８１の回りのリング状の突起８２との間及び座ぐり部８５により筒状の空所が形成されるようになっており、また、リードフレーム７１の下孔７４の周囲が下方からリング状の突起８２により支持されるようになっている。さらに、ステージ部７２の本体部７３が長く延びて形成されていることにより、ステージ部７２の下方を支持する突起６４が長さ方向に間隔をおいて２個所に設けられている。 And after this lead frame 71 is press-molded, it is placed in an injection mold shown in FIG. In this injection mold, a pin 81 having a slightly smaller diameter than the lower hole 74 of the lead frame 71 is provided in the lower mold 80 in a protruding state, and the pin 81 is surrounded with a slight interval. A ring-shaped protrusion 82 is formed, and a hole 84 into which the tip of the pin 82 is inserted and a counterbore portion 85 having a slightly larger diameter than the hole 84 are formed concentrically on the upper mold 83. When the molds 81, 83 are tightened to insert the pin 81 into the hole 84, the cavity 86 has a cylindrical space between the ring-shaped protrusion 82 around the pin 81 and the counterbore 85. Further, the periphery of the lower hole 74 of the lead frame 71 is supported by a ring-shaped protrusion 82 from below. Further, since the main body 73 of the stage 72 is formed to extend long, the protrusions 64 that support the lower portion of the stage 72 are provided at two locations at intervals in the length direction.

この射出成形金型にリードフレーム７１を設置して樹脂を射出することにより、そのモールド樹脂体９０の底板部４１には、図１１〜図１４に示すように、ピン８１によって形成された音響孔９１が形成され、音響孔９１の周囲を囲む筒状壁９２が底板部４１の上下面に突出して形成される。この筒状壁９２は、半導体チップ２，３を接着する際のダイボンド４６をせき止め、音響孔９１内に流れ込むことを防止する。また、底板部４１の裏面には、ステージ部７２の途中位置に形成される穴部３３とは別に、筒状壁９２の外側にリング状に穴部９３が形成されている。
一方、このパッケージ本体９４と組み合わせてパッケージ９５を構成する蓋体９６には、図１４に示すように孔のないものが用いられる。また、この蓋体９６は、第１実施形態と同様、導電性金属材料により形成され、半導体装置９７としては、この蓋体９６がリードフレーム７１に電気的接続状態となることにより、内部空間５５がシールドされる。 By installing a lead frame 71 on this injection mold and injecting resin, the bottom plate portion 41 of the mold resin body 90 has acoustic holes formed by pins 81 as shown in FIGS. 91 is formed, and a cylindrical wall 92 surrounding the acoustic hole 91 is formed to protrude from the upper and lower surfaces of the bottom plate portion 41. The cylindrical wall 92 blocks the die bond 46 when the semiconductor chips 2 and 3 are bonded, and prevents the cylindrical wall 92 from flowing into the acoustic hole 91. Further, on the back surface of the bottom plate portion 41, a hole portion 93 is formed in a ring shape outside the cylindrical wall 92, separately from the hole portion 33 formed in the middle of the stage portion 72.
On the other hand, as the lid 96 constituting the package 95 in combination with the package main body 94, one having no hole is used as shown in FIG. The lid body 96 is formed of a conductive metal material as in the first embodiment. As the semiconductor device 97, the lid body 96 is electrically connected to the lead frame 71, so that the internal space 55 is formed. Is shielded.

また、この第２実施形態のようにパッケージ本体に音響孔を設ける場合、図１６から図１８に示す第３実施形態のような構造としてもよい。この半導体装置１００のパッケージ１０１においては、パッケージ本体１０２の一部に、図１６及び図１７に示すように、リードフレーム１０３のステージ部１０４を覆うモールド樹脂体１０５の一部を円形に繰り抜かれていることにより、その窓穴部１０６からステージ部１０４の一部が円形に露出しており、その露出部分に複数の小孔１０７が貫通状態に形成され、これら小孔１０７によって音響孔１０８が形成される構成とされている。また、この音響孔１０８と半導体チップ２の搭載領域との間に立設されるように壁１０９が円弧状に形成されている。 Moreover, when providing an acoustic hole in the package body as in the second embodiment, the structure as in the third embodiment shown in FIGS. 16 to 18 may be adopted. In the package 101 of the semiconductor device 100, a part of the mold resin body 105 that covers the stage portion 104 of the lead frame 103 is drawn out into a circle on a part of the package body 102 as shown in FIGS. 16 and 17. As a result, a part of the stage portion 104 is exposed in a circular shape from the window hole portion 106, and a plurality of small holes 107 are formed through the exposed portion, and an acoustic hole 108 is formed by the small holes 107. It is supposed to be configured. A wall 109 is formed in an arc shape so as to stand between the acoustic hole 108 and the mounting area of the semiconductor chip 2.

このパッケージ本体１０２を製造する場合、音響孔１０８の小孔１０７はリードフレーム１０３をハーフエッチングする際に形成することができる。つまり、リードフレーム１０３は、第１、第２実施形態と同様にハーフエッチングされるので、そのときに、音響孔形成領域の部分では小孔用の孔明きのマスキングをしてエッチングすることにより、貫通状態の小孔１０７を形成することができる。そして、このリードフレーム１０３にモールド樹脂体１０５を射出成形する際に、図１８に示すように、上型１１１と下型１１２とに形成した円形突出部１１３によって音響孔１０８の形成部分を挟むことにより小孔１０７を塞いだ状態として射出成形する。また、上型１１１には、円形突出部１１３に隣接して円弧状の溝１１４を形成しておく。これにより、図１６及び図１７に示すようにステージ部１０４の一部が円形に露出し、その露出部分に複数の小孔１０７が貫通してなる音響孔１０８が形成され、また、その音響孔１０８の半分程度を囲む円弧状の壁１０９が形成される。なお、この円弧状の壁１０９は第２実施形態と同様に筒状に形成してもよい。 When the package body 102 is manufactured, the small hole 107 of the acoustic hole 108 can be formed when the lead frame 103 is half-etched. That is, since the lead frame 103 is half-etched in the same manner as in the first and second embodiments, at that time, by etching the masking hole for small holes in the portion of the acoustic hole forming region, A small hole 107 in a penetrating state can be formed. Then, when the molding resin body 105 is injection-molded on the lead frame 103, as shown in FIG. 18, the formation portion of the acoustic hole 108 is sandwiched between the circular protrusions 113 formed on the upper mold 111 and the lower mold 112. By injection molding, the small hole 107 is closed. Further, an arc-shaped groove 114 is formed in the upper mold 111 adjacent to the circular protrusion 113. As a result, as shown in FIGS. 16 and 17, a part of the stage portion 104 is exposed in a circular shape, and an acoustic hole 108 is formed through the plurality of small holes 107 in the exposed portion. An arcuate wall 109 surrounding about half of 108 is formed. The arc-shaped wall 109 may be formed in a cylindrical shape as in the second embodiment.

音響孔１０８をこのような構造とすることにより、製造工程の一部であるエッチング工程の中で音響孔１０８を形成することができて効率的であるとともに、複数の小孔１０７によって音響孔１０８としたことにより、個々の小孔１０７は小さくなり、ゴミ等の異物が内部空間５５に侵入することを防止することができ、また、ノイズの発生も抑制することができる。さらに、射出成形時には、音響孔１０８の部分が上下から円形突出部１１３によって挟持されるため、第２実施形態のような下孔７４の周囲を支持するリング状の突起８２は不要であり、リードフレーム１０３がより強固に保持される。 With the acoustic hole 108 having such a structure, the acoustic hole 108 can be efficiently formed in the etching process which is a part of the manufacturing process, and the acoustic hole 108 is formed by a plurality of small holes 107. As a result, the individual small holes 107 are reduced in size, and foreign substances such as dust can be prevented from entering the internal space 55, and the generation of noise can also be suppressed. Furthermore, at the time of injection molding, since the portion of the acoustic hole 108 is sandwiched by the circular protrusion 113 from above and below, the ring-shaped protrusion 82 that supports the periphery of the lower hole 74 as in the second embodiment is unnecessary, and the lead The frame 103 is held more firmly.

なお、本発明は上記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では半導体装置としてマイクロフォンパッケージに適用した例を示したが、マイクロフォン以外にも、圧力センサ、加速度センサ、磁気センサ、流量センサ、風圧センサ等にも適用することが可能である。この場合、上記実施形態のマイクロフォンにおいては、音響孔のような内部空間と外部とを連通させる連通孔が必要であったが
、センサの種類によっては連通孔が不要になる場合や、流量センサのように二つの連通孔が必要になる場合がある。 In addition, this invention is not limited to the thing of the structure of the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above embodiment, an example in which the semiconductor device is applied to a microphone package has been described. However, the present invention can be applied to a pressure sensor, an acceleration sensor, a magnetic sensor, a flow rate sensor, a wind pressure sensor, and the like in addition to the microphone. In this case, in the microphone of the above-described embodiment, a communication hole that communicates the internal space such as the acoustic hole and the outside is necessary. However, depending on the type of sensor, the communication hole may be unnecessary, In some cases, two communication holes are required.

また、前記ステージ部及び各端子部の外部接続面は、各実施形態では４端子の構成とし、例えば電源用、出力用、ゲイン用、接地用にそれぞれ供されるようにしたが、少なくとも電源用、出力用、接地用の接続面があればよい。その場合、接地用の接続面を２個設けるようにしてもよい。また、内部に収納される半導体チップによっては端子数が実施形態のものより増えることもある。半導体チップの数も必ずしも２個に限らない。
また、各実施形態では、リードフレームをほぼ平坦な板状のままとし、凹状面等の凹凸形状をハーフエッチングにより形成したが、わずかなエンボス加工、コイニング加工等により、外部接続面に対して板厚の途中まで窪ませて凹状面を形成してもよい。
さらに、モールド樹脂体を成形するための射出成形金型に外部接続面を嵌合するように凹部を形成し、モールド樹脂体の裏面よりも外部接続面及び支持面を突出させるように形成してもよく、モールド樹脂体の裏面を基板の表面から浮かせた状態に搭載することができる。また、パッケージ本体に導電性接着剤を塗布して蓋体を接着したが、パッケージ本体に接着シートを貼り付けて蓋体を接着する構成としてもよい。 In addition, the external connection surfaces of the stage unit and each terminal unit have a four-terminal configuration in each embodiment, and are provided for, for example, power supply, output, gain, and ground, but at least for power supply There should be a connection surface for output and ground. In that case, two ground connection surfaces may be provided. Further, depending on the semiconductor chip housed inside, the number of terminals may be larger than that of the embodiment. The number of semiconductor chips is not necessarily limited to two.
Further, in each embodiment, the lead frame is left in a substantially flat plate shape, and a concave and convex shape such as a concave surface is formed by half etching, but the plate is formed on the external connection surface by slight embossing, coining processing, etc. A concave surface may be formed by recessing in the middle of the thickness.
Further, a recess is formed so that the external connection surface is fitted to an injection mold for molding the mold resin body, and the external connection surface and the support surface are formed so as to protrude from the back surface of the mold resin body. In other words, the back surface of the mold resin body can be mounted in a state where it is floated from the surface of the substrate. In addition, the conductive adhesive is applied to the package body and the lid body is bonded, but an adhesive sheet may be attached to the package body to bond the lid body.

本発明に係る第１実施形態のパッケージ本体に用いられるリードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows the lead frame used for the package main body of 1st Embodiment which concerns on this invention. 図１に示すリードフレームの裏面図である。FIG. 2 is a rear view of the lead frame shown in FIG. 1. 図１に示すリードフレームにモールド樹脂体を一体成形してなるパッケージ本体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the package main body formed by integrally molding a mold resin body to the lead frame shown in FIG. 図３に示すパッケージ本体の平面図である。It is a top view of the package main body shown in FIG. 図４に示すパッケージ本体の裏面図である。It is a reverse view of the package main body shown in FIG. 図４に示すパッケージ本体に半導体チップを収納した状態を蓋体とともに示した縦断面図であり、図４のＢ−Ｂ線に沿う断面に相当する。5 is a longitudinal sectional view showing a state in which a semiconductor chip is housed in the package main body shown in FIG. 4 together with a lid, and corresponds to a cross section taken along line BB in FIG. 4. 図４のパッケージ本体に半導体チップを収納して蓋体を固着してなる半導体装置の縦断面図であり、図４のＣ−Ｃ線に沿う断面に相当する。FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a semiconductor device in which a semiconductor chip is housed in the package body of FIG. 4 and a lid is fixed, and corresponds to a cross section taken along line CC in FIG. 4. 図１に示すリードフレームを射出成形金型内に配置した状態を示す縦断面図であり、（ａ）は図４のＢ−Ｂ線に沿う全体断面に相当し、中央の穴部形成部位を部分的に付加している。（ｂ）は端子部の突出部における部分断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which has arrange | positioned the lead frame shown in FIG. 1 in the injection mold, (a) is equivalent to the whole cross section along the BB line of FIG. Partially added. (B) is a fragmentary sectional view in the protrusion part of a terminal part. 本発明に係る第２実施形態のパッケージ本体に用いられるリードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows the lead frame used for the package main body of 2nd Embodiment which concerns on this invention. 図９に示すリードフレームの裏面図である。FIG. 10 is a rear view of the lead frame shown in FIG. 9. 図９に示すリードフレームにモールド樹脂体を一体成形してなるパッケージ本体を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a package body formed by integrally molding a mold resin body on the lead frame shown in FIG. 9. 図１１に示すパッケージ本体の平面図である。It is a top view of the package main body shown in FIG. 図１２に示すパッケージ本体の裏面図である。It is a reverse view of the package main body shown in FIG. 図１２に示すパッケージ本体に半導体チップを収納した状態を蓋体とともに示した縦断面図であり、図１２のＤ−Ｄ線に沿う断面に相当する。It is the longitudinal cross-sectional view which showed the state which accommodated the semiconductor chip in the package main body shown in FIG. 12 with the cover body, and is equivalent to the cross section which follows the DD line | wire of FIG. 図９に示すリードフレームを射出成形金型内に配置した状態を示す縦断面図であり、図１２のＤ−Ｄ線に沿う断面に相当する。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which has arrange | positioned the lead frame shown in FIG. 9 in the injection mold, and is equivalent to the cross section which follows the DD line | wire of FIG. 本発明に係る第３実施形態のパッケージ本体を有する半導体装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the semiconductor device which has a package main body of 3rd Embodiment concerning this invention. 図１６の音響孔の部分の平面図である。It is a top view of the part of the acoustic hole of FIG. 図１６に示すパッケージ本体を形成するためにリードフレームを射出成形金型内に配置した状態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which has arrange | positioned the lead frame in the injection mold in order to form the package main body shown in FIG.

Explanation of symbols

１…半導体装置、２…マイクロフォンチップ、３…制御回路チップ、４…パッケージ、５…リードフレーム、６…モールド樹脂体、７…パッケージ本体、８…蓋体、９…接続フレーム部、１０…外枠部、１１…ステージ部、１２〜１４…端子部、１５…本体部、１６
，１７…延長部、２１〜２３…内部接続面、２４…低床面、２５…内部接続面、２６〜２９…外部接続面、３０，３１…突出部、３２Ａ〜３２Ｃ…凹状面、３３，３４…穴部、４１…底板部、４２…周壁部、４３…張り出し部、４４…幅広部、４５…穴部、４６…ダイボンド、４７…ボンディングワイヤ、５１…天板部、５２…側板部、５３…つば部、５４…音響孔、５５…内部空間、５６…導電性接着剤、６０…上型、６１…下型、６２…キャビティ、６３…凸部、６４，６５…突起、７１…リードフレーム、７２…ステージ部、７３…本体部、７４…下孔、７５…端子部、７６…内部接続面、７７…延長部、７８Ａ，７８Ｂ…凹状面、８０…下型、８１…ピン、８２…突起、８３…上型、８４…穴、８５…座ぐり部、８６…キャビティ、９０…モールド樹脂体、９１…音響孔、９２…筒状壁、９３…穴部、９４…パッケージ本体、９５…パッケージ、９６…蓋体、９７…半導体装置、１００…半導体装置、１０１…パッケージ、１０２…パッケージ本体、１０３…リードフレーム、１０４…ステージ部、１０５…モールド樹脂体、１０６…窓穴部、１０７…小孔、１０８…音響孔、１０９…壁、１１１…上型、１１２…下型、１１３…円形突起部、１１４…溝、 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Microphone chip, 3 ... Control circuit chip, 4 ... Package, 5 ... Lead frame, 6 ... Mold resin body, 7 ... Package main body, 8 ... Cover body, 9 ... Connection frame part, 10 ... Outside Frame part, 11 ... stage part, 12 to 14 ... terminal part, 15 ... body part, 16
, 17 ... Extension part, 21 to 23 ... Internal connection surface, 24 ... Low floor surface, 25 ... Internal connection surface, 26 to 29 ... External connection surface, 30, 31 ... Projection part, 32A to 32C ... Concave surface, 33, 34 ... Hole part, 41 ... Bottom plate part, 42 ... Peripheral wall part, 43 ... Overhang part, 44 ... Wide part, 45 ... Hole part, 46 ... Die bond, 47 ... Bonding wire, 51 ... Top plate part, 52 ... Side plate part, 53 ... collar part, 54 ... acoustic hole, 55 ... internal space, 56 ... conductive adhesive, 60 ... upper mold, 61 ... lower mold, 62 ... cavity, 63 ... convex part, 64, 65 ... projection, 71 ... lead Frame 72, stage portion 73, body portion 74, lower hole, 75 terminal portion, 76 internal connection surface, 77 extension portion, 78A, 78B concave surface, 80 lower mold, 81 pin, 82 ... projection, 83 ... upper mold, 84 ... hole, 85 ... counterbore, 86 ... cavity, DESCRIPTION OF SYMBOLS 0 ... Mold resin body, 91 ... Acoustic hole, 92 ... Cylindrical wall, 93 ... Hole part, 94 ... Package main body, 95 ... Package, 96 ... Cover body, 97 ... Semiconductor device, 100 ... Semiconductor device, 101 ... Package, DESCRIPTION OF SYMBOLS 102 ... Package main body, 103 ... Lead frame, 104 ... Stage part, 105 ... Mold resin body, 106 ... Window hole part, 107 ... Small hole, 108 ... Acoustic hole, 109 ... Wall, 111 ... Upper mold | type, 112 ... Lower mold | type 113 ... Circular protrusions, 114 ... Grooves,

Claims

A lead frame having a stage portion on which a semiconductor chip is mounted and a plurality of terminal portions spaced apart from the stage portion, and the lead in a state where the internal connection surface on the front surface and the external connection surface on the back surface are exposed. A package body for a semiconductor device comprising a molded resin body in which a frame is embedded, wherein a semiconductor chip is mounted in a connected state on the internal connection surface and covered with a lid body,
At least the back surface of the lead frame is formed with a concave surface that is recessed to a depth halfway through the thickness of the lead frame with respect to the external connection surface, and the mold resin body that covers the concave surface has the concave shape A package body for a semiconductor device, wherein a hole portion for exposing a part of the surface is formed.

The package body for a semiconductor device according to claim 1, wherein the hole is formed in a back portion of the internal connection surface.

A method of manufacturing a package body for a semiconductor device according to claim 1 or 2,
After the concave surface of the lead frame is formed by half etching, the lead frame is sandwiched between the mold surfaces in a state where the internal connection surface and the external connection surface are in contact with the mold surface of the injection mold, A method of manufacturing a package body for a semiconductor device, wherein a tip end surface of a protrusion formed on the mold surface is brought into contact with a part of the concave surface, and a resin is injected in this state to form the mold resin body. .

A package for a semiconductor device according to claim 1, comprising: a package body for a semiconductor device according to claim 1; and a lid that covers the surface of the package body for a semiconductor device in a state where an internal space is formed.

The semiconductor device according to claim 4, wherein a semiconductor chip is mounted on the package main body, and the semiconductor chip is connected to the internal connection surface.

A microphone package configured using the semiconductor device according to claim 5,
The microphone package, wherein the semiconductor chip is a microphone chip, and an acoustic hole communicating with the internal space is formed in either the lid or the package body.

In the package body, a part of the lead frame is exposed from a window hole formed in the mold resin body, and a plurality of small holes penetrating the lead frame are formed in the exposed part. The microphone package according to claim 6, wherein the acoustic hole is configured.