[go: up one dir, main page]

JP2009141169A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009141169A5
JP2009141169A5 JP2007316698A JP2007316698A JP2009141169A5 JP 2009141169 A5 JP2009141169 A5 JP 2009141169A5 JP 2007316698 A JP2007316698 A JP 2007316698A JP 2007316698 A JP2007316698 A JP 2007316698A JP 2009141169 A5 JP2009141169 A5 JP 2009141169A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
wiring board
semiconductor
electrically connected
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007316698A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009141169A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007316698A priority Critical patent/JP2009141169A/ja
Priority claimed from JP2007316698A external-priority patent/JP2009141169A/ja
Priority to US12/267,649 priority patent/US20090146314A1/en
Publication of JP2009141169A publication Critical patent/JP2009141169A/ja
Publication of JP2009141169A5 publication Critical patent/JP2009141169A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (12)

  1. 半導体素子接続用パッドを有する第1の配線基板と、
    前記半導体素子接続用パッドに接続された半導体素子と、
    前記半導体素子及び前記第1の配線基板と対向するように配置されると共に、前記第1の配線基板と電気的に接続された第2の配線基板と、を備えた半導体装置であって、
    前記半導体素子に、前記第1の配線基板と対向する前記半導体素子の第1の面と、前記第2の配線基板と対向する前記半導体素子の第2の面とを電気的に接続する電極設けられ、前記電極を介して、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板と電気的に接続され、
    前記第1の配線基板と前記第2の配線基板との隙間を充填する封止樹脂が設けられたことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記半導体素子と、該半導体素子と対向する部分の前記第1の配線基板との隙間に、アンダーフィル樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された半導体集積回路とを有し、
    前記電極は、前記半導体集積回路と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
  4. 前記第1の配線基板と対向する前記半導体素子の第1の面に、前記電極の一方の端部と接続されたパッド又は配線パターンを設け、
    前記第2の配線基板と対向する前記半導体素子の第2の面に、前記電極の他方の端部と接続されたパッド又は配線パターンを設けたことを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の半導体装置。
  5. 前記半導体素子は、前記半導体素子接続用パッドにフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項1ないしのうち、いずれか1項記載の半導体装置。
  6. 前記半導体素子と対向する前記第2の配線基板の面には、配線パターンが設けられており、
    前記第2の配線基板の面に設けられた配線パターンと前記半導体素子の第2の面に設けられた前記パッド又は前記配線パターンとの間に内部接続端子を設け、前記内部接続端子を介して、前記第2の配線基板と前記電極とを電気的に接続したことを特徴とする請求項1ないしのうち、いずれか1項記載の半導体装置。
  7. 前記第1の配線基板に、前記半導体素子接続用パッドと電気的に接続された外部接続用パッドを設けたことを特徴とする請求項1ないし6のうち、いずれか1項記載の半導体装置。
  8. 前記半導体素子と対向する側とは反対側に位置する前記第2の配線基板の面に、前記第2の配線基板の面に設けられた配線パターンと電気的に接続された電子部品接続用パッドを設け、
    前記電子部品接続用パッドに電子部品を接続したことを特徴とする請求項6又は7記載の半導体装置。
  9. 前記電極は、前記半導体素子を貫通する貫通電極であることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の半導体装置。
  10. 前記電極は、前記半導体素子の端面に設けられた端面電極であることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の半導体装置。
  11. 半導体素子接続用パッドを有する第1の配線基板と、
    前記半導体素子接続用パッドに接続され、前記半導体素子接続用パッドと電気的に接続された第1の半導体素子と、
    前記第1の半導体素子上に積み重ねられ、前記第1の半導体素子と電気的に接続された少なくとも1つの第2の半導体素子と、
    前記第1の配線基板及び前記第2の半導体素子と対向するように配置されると共に、前記第1の配線基板と電気的に接続された第2の配線基板と、を備えた半導体装置であって、
    前記第1の半導体素子に前記第1の半導体素子を貫通する第1の貫通電極を設け、前記少なくとも1つの第2の半導体素子に前記第2の半導体素子を貫通する第2の貫通電極を設けると共に、前記第1及び第2の貫通電極を介して、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
  12. 半導体素子接続用パッドを有する第1の配線基板と、
    前記半導体素子接続用パッドに接続され、前記半導体素子接続用パッドと電気的に接続された第1の半導体素子と、
    前記第1の半導体素子上に積み重ねられ、前記第1の半導体素子と電気的に接続された少なくとも1つの第2の半導体素子と、
    前記第1の配線基板及び前記第2の半導体素子と対向するように配置されると共に、前記第1の配線基板と電気的に接続された第2の配線基板と、を備えた半導体装置であって、
    前記第1の半導体素子の端面に第1の端面電極を設け、前記少なくとも1つの第2の半導体素子の端面に第2の端面電極を設けると共に、
    前記第1及び第2の端面電極を介して、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
JP2007316698A 2007-12-07 2007-12-07 半導体装置 Pending JP2009141169A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316698A JP2009141169A (ja) 2007-12-07 2007-12-07 半導体装置
US12/267,649 US20090146314A1 (en) 2007-12-07 2008-11-10 Semiconductor Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316698A JP2009141169A (ja) 2007-12-07 2007-12-07 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009141169A JP2009141169A (ja) 2009-06-25
JP2009141169A5 true JP2009141169A5 (ja) 2010-11-25

Family

ID=40720796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007316698A Pending JP2009141169A (ja) 2007-12-07 2007-12-07 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20090146314A1 (ja)
JP (1) JP2009141169A (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5715334B2 (ja) * 2009-10-15 2015-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8669651B2 (en) * 2010-07-26 2014-03-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-package structures with reduced bump bridging
JP5724313B2 (ja) 2010-11-16 2015-05-27 セイコーエプソン株式会社 無線通信装置
US9059160B1 (en) 2010-12-23 2015-06-16 Marvell International Ltd. Semiconductor package assembly
DE102012109922B4 (de) 2012-04-16 2020-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package-on-Package-Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
US9219030B2 (en) 2012-04-16 2015-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package on package structures and methods for forming the same
JP5574071B1 (ja) * 2012-12-26 2014-08-20 株式会社村田製作所 部品内蔵基板
US8928134B2 (en) 2012-12-28 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package on package bonding structure and method for forming the same
US20140252561A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-11 Qualcomm Incorporated Via-enabled package-on-package
CN106207383A (zh) * 2015-05-06 2016-12-07 佳邦科技股份有限公司 通信模组
FR3044864B1 (fr) * 2015-12-02 2018-01-12 Valeo Systemes De Controle Moteur Dispositif electrique et procede d'assemblage d'un tel dispositif electrique
US10079222B2 (en) * 2016-11-16 2018-09-18 Powertech Technology Inc. Package-on-package structure and manufacturing method thereof
JP7635531B2 (ja) * 2020-10-16 2025-02-26 Toppanホールディングス株式会社 配線基板の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3016910B2 (ja) * 1991-07-19 2000-03-06 富士通株式会社 半導体モジュール構造
JP2001035964A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Toshiba Corp 高密度ic実装構造
US6486554B2 (en) * 2001-03-30 2002-11-26 International Business Machines Corporation Molded body for PBGA and chip-scale packages
US6777648B2 (en) * 2002-01-11 2004-08-17 Intel Corporation Method and system to manufacture stacked chip devices
JP4057921B2 (ja) * 2003-01-07 2008-03-05 株式会社東芝 半導体装置およびそのアセンブリ方法
JP2004221372A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体モジュール、電子機器、半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法
US6815254B2 (en) * 2003-03-10 2004-11-09 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package with multiple sides having package contacts
JP2007036104A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2007069606A1 (ja) * 2005-12-14 2007-06-21 Shinko Electric Industries Co., Ltd. チップ内蔵基板およびチップ内蔵基板の製造方法
JP2008071953A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Nec Electronics Corp 半導体装置
KR100817073B1 (ko) * 2006-11-03 2008-03-26 삼성전자주식회사 휨방지용 보강부재가 기판에 연결된 반도체 칩 스택 패키지

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009141169A5 (ja)
JP2011082293A5 (ja)
JP2009130196A5 (ja)
JP2008078596A5 (ja)
JP2011003715A5 (ja)
JP4828164B2 (ja) インタポーザおよび半導体装置
JP2010251395A5 (ja)
JP2008187054A5 (ja)
JP2008283195A5 (ja)
JP2007241999A5 (ja)
JP2008160160A5 (ja)
JP2017108019A5 (ja)
JP2006093189A5 (ja)
JP2009147165A5 (ja)
JP2011044654A5 (ja)
JP2014127706A5 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013066021A5 (ja)
JP2018125349A5 (ja)
TW200620502A (en) Semiconductor device, circuit board, electro-optic device, electronic device
WO2009028596A1 (ja) 受動素子内蔵基板、製造方法、及び半導体装置
JP2010251625A5 (ja) 半導体装置
WO2009004870A1 (ja) 半導体パッケージ
JP2005286126A5 (ja)
JP2008091719A5 (ja)
JP2015012170A5 (ja) 積層型半導体装置、プリント回路板、電子機器及び積層型半導体装置の製造方法