JP2009038241A - 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板に内蔵した状態で生じる応力を緩和することにより、クラックを防止することができる部品内蔵配線基板を提供すること。
【解決手段】配線基板１０は、コア基板１１、セラミックコンデンサ１０１及び配線積層部３１を備える。コア基板１１には、セラミックコンデンサ１０１を収容するための収容穴部９０が形成される。セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２上、コンデンサ裏面１０３上及びコンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１を有する。応力緩和層１５１は、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵した状態でセラミックコンデンサ１０１の表面に加わる外部応力を緩和する。
【選択図】図１

Description

本発明は、コア基板の表面に配線積層部を形成した構造であって、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板、その部品内蔵配線基板に用いられる配線基板内蔵用コンデンサに関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にチップ状のコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。

具体的に言うと、特許文献１に記載の配線基板では、コア基板の上面の中央部、及び、コア基板の下面の中央部にて開口する収容穴部が形成されており、この収容穴部にビアアレイタイプのセラミックコンデンサが収容されている。

図３５には、従来のビアアレイタイプのセラミックコンデンサ２０１の一例を示している。このセラミックコンデンサ２０１を構成するセラミック焼結体２０２は、セラミック誘電体層２０３を介して第１内部電極層２０４と第２内部電極層２０５とを交互に積層配置した構造を有している。セラミック誘電体層２０３は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、第１内部電極層２０４及び第２内部電極層２０５間の誘電体（絶縁体）として機能する。

また、セラミックコンデンサ２０１には多数のビアホール２０６が形成されている。これらのビアホール２０６は、セラミックコンデンサ２０１をその厚さ方向に貫通するとともに、全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール２０６内には、セラミックコンデンサ２０１の上面及び下面間を貫通する複数のビア導体２０７，２０８が形成されている。各第１ビア導体２０７は、各第１内部電極層２０４を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各第２ビア導体２０８は、各第２内部電極層２０５を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。

このように構成されたセラミックコンデンサ２０１は、例えば、以下のような手順で作製される。即ち、セラミックのグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。そして、複数のグリーンシートを積層してシート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化したグリーンシート積層体を形成する。さらに、グリーンシート積層体にビアホール２０６を多数個貫通形成し、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール２０６内に充填する。この後、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行うことにより、セラミックコンデンサ２０１が形成される。

ところで、図３５に示す従来のセラミックコンデンサ２０１において、その表面近傍には、残留応力が溜まっていることがビッカース試験によって確認されている。即ち、セラミックコンデンサ２０１の厚み方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（ＸＹ方向）に圧縮応力がかかっている反面、厚み方向には、引っ張り応力がかかっている。そして、このようなセラミックコンデンサ２０１を配線基板内に埋め込むと（図３６参照）、それを覆うように形成されたビルドアップ層２０９の収縮によってセラミックコンデンサ２０１がＺ方向に引っ張られてしまう。その結果、セラミックコンデンサ２０１の表面近傍（具体的には各ビア電極２１１，２１２の近傍）にクラック２１０（図３６参照）が発生しやすくなる。このため、配線基板の信頼性が低下してしまう。
特開２００５−３９２４３号公報（図４など参照）

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線基板に内蔵した状態で生じる応力を緩和することにより、クラックを防止することができる部品内蔵配線基板を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の部品内蔵配線基板に好適な配線基板内蔵用コンデンサを提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア主面（１２）及びコア裏面（１３）を有し、少なくとも前記コア主面（１２）にて開口する収容穴部（９０）を有するコア基板（１１）と、部品主面（１０２）、部品裏面（１０３）及び部品側面（１０６）を有する部品本体（１０４）、及び、樹脂を主体とし、少なくとも前記部品主面（１０２）上に形成された応力緩和層（１５１）を有し、前記コア主面（１２）と前記部品主面（１０２）とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部（９０）内に収容された部品（１０１）と、樹脂層間絶縁層（３３，３５）及び導体層（４２）を前記コア主面（１２）上及び前記応力緩和層（１５１）上にて積層した構造を有する配線積層部（３１）とを備えることを特徴とする部品内蔵配線基板がある。

従って、手段１の部品内蔵配線基板によると、部品本体の少なくとも部品主面上に形成された応力緩和層により、部品を配線基板に内蔵した状態で部品の表面に加わる外部応力を緩和できるため、従来のような部品本体の表面近傍でのクラックの発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。また、応力緩和層が外部応力を緩和することにより、応力緩和層上に積層された配線積層部が変形しにくくなるため、配線積層部の表面上に半導体集積回路素子を搭載した場合に、半導体集積回路素子にかかる外部応力も緩和することができる。

上記部品内蔵配線基板を構成するコア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されており、部品を収容するための収容穴部を有している。この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。また、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部に収容されていてもよい。

コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

前記部品を構成する部品本体は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有している。部品本体の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。また、部品本体の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。

なお、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。

また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極とを備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、高容量化や小型化が図りやすいため、配線基板内蔵用コンデンサに適するようになる。また、このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化も図られ、電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。

コンデンサを構成する前記誘電体層としては、セラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体層などが挙げられる。また、コンデンサを構成する他の誘電体層としては、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。

前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表層電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。

前記部品を構成する応力緩和層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。応力緩和層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂に無機材料を添加した材料等を使用してもよい。

ここで、少なくとも部品主面上に応力緩和層を形成する方法としては、樹脂フィルムをラミネートすることにより応力緩和層を形成する方法、ワニスを印刷することにより応力緩和層を形成する方法（ワニス印刷）、部品をワニス槽に浸漬させることにより応力緩和層を形成する方法（ワニスディップ）、カーテンコーターを用いて樹脂を印刷することにより応力緩和層を形成する方法、真空プレスを用いて樹脂フィルムを熱圧着させることにより応力緩和層を形成する方法などが挙げられる。

前記応力緩和層は、少なくとも部品主面上に形成されている。ここで、前記部品本体が例えば平面視略矩形状である場合、即ち、部品側面が４つ存在する場合、前記応力緩和層は、１つの部品側面上のみに形成されていてもよいし、２つ以上の部品側面上に形成されていてもよい。また、前記応力緩和層は、前記部品主面上のみに形成されていてもよいし、前記部品主面上、前記部品裏面上及び前記部品側面上の全てに形成されていてもよい。応力緩和層が部品主面上、部品裏面上及び部品側面上の全てに形成されている場合、部品主面上に形成された応力緩和層だけでなく、部品裏面上に形成された応力緩和層によっても、部品の平面方向に加わる外部応力を緩和できるため、部品本体内でのクラックの発生をより確実に防止することができる。しかも、部品側面上に形成された応力緩和層によって部品の厚さ方向に加わる外部応力も緩和できる。このため、部品本体内でのクラックの発生をよりいっそう確実に防止できる。

なお、応力緩和層を、『少なくとも部品裏面上』や『少なくとも部品側面上』ではなく、『少なくとも部品主面上』に形成する理由を以下に述べる。即ち、構造上の問題やコスト上の問題から、応力緩和層の形成を必要最小限にしたい場合には、応力緩和層を部品主面上に形成することが最も効果的である。詳述すると、応力緩和層を部品主面上に形成すれば、平面方向（ＸＹ方向）にかかる外部応力を最も効果的に緩和することができる。また、応力緩和層上に積層された配線積層部の表面上に半導体集積回路素子を搭載した場合、半導体集積回路素子にかかる外部応力の緩和も期待できる。

ここで、部品主面上に形成された応力緩和層の外表面は、部品主面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品主面と平行でないと、部品主面に接する樹脂層間絶縁層の上面（樹脂層間絶縁層において部品主面とは反対側に位置する面）を平坦にすることが困難になる。同様に、部品裏面上に形成された応力緩和層の外表面も、部品裏面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品裏面と平行でないと、部品主面がコア主面に対して傾斜した状態となってしまい、部品主面に接する樹脂層間絶縁層の上面を平坦にすることが困難になる。また、部品側面上に形成された応力緩和層の外表面は、部品側面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品側面と平行でないと、部品側面上に形成された応力緩和層の外表面が収容穴部の内壁面に対して傾斜した状態となってしまい、部品側面上に形成された応力緩和層の外表面と収容穴部の内壁面との隙間に充填材を上手く充填できなくなる可能性がある。

また、前記応力緩和層は、前記部品本体に接触する接触面と、前記接触面の反対側に位置する外表面と、前記接触面側及び前記外表面側を導通させる複数の導体柱と、前記外表面上に配置され前記複数の導体柱に接続される複数の端子パッドとを備えていてもよい。このようにすれば、部品が応力緩和層を有している場合であっても、部品の導体部（例えば、前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表層電極など）と、配線積層部を構成する導体層とを、応力緩和層が備える導体柱及び端子パッドを介して確実に接続することができる。ゆえに、よりいっそう信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。

なお、前記応力緩和層は前記樹脂層間絶縁層よりも薄いことが好ましい。このようにすれば、部品内蔵配線基板が肉厚になりにくくなる。また、応力緩和層が薄くなることで、外部応力が加わった際の応力緩和層の変形量が小さくなるため、応力緩和層上に積層した配線積層部等の寸法安定性の低下を防止することができる。具体的に言うと、前記応力緩和層の厚さは、例えば５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、特には１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。仮に、応力緩和層の厚さが５μｍ未満であると、部品の表面に加わる外部応力を応力緩和層によって十分に緩和できなくなるため、部品本体内でのクラックの発生を防止できなくなる可能性がある。一方、応力緩和層の厚さが３０μｍよりも大きいと、配線積層部等の寸法安定性の低下を招いてしまう。

上記部品内蔵配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面上、及び、前記部品主面上の応力緩和層上に形成されるが、さらに前記コア裏面上、及び、前記部品裏面上（または前記部品裏面上の応力緩和層上）にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、コア主面上、及び、部品主面上の応力緩和層上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面上、及び、部品裏面上（または部品裏面上の応力緩和層上）に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。

樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

なお、前記樹脂層間絶縁層が熱硬化性樹脂である場合、前記応力緩和層も熱硬化性樹脂であることが好ましい。このようにすれば、加熱を行うだけで、樹脂層間絶縁層の形成と同時に、樹脂層間絶縁層と応力緩和層とを密着させて部品を固定することができる。これにより、部品の組み込み時の工程が簡略化されるため、部品内蔵配線基板を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。

また、前記応力緩和層は、前記樹脂層間絶縁層と同じ材料によって形成されていてもよいし、前記樹脂層間絶縁層とは異なる材料によって形成されていてもよい。応力緩和層が樹脂層間絶縁層と同じ材料によって形成されている場合、応力緩和層の形成に際して樹脂層間絶縁層とは別の材料を準備しなくても済む。よって、部品内蔵配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、部品内蔵配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。また、樹脂層間絶縁層の形成と同時に部品の固定が行われるため、部品の組み込み時の工程が簡略化される。よって、部品内蔵配線基板を容易に製造でき、この場合も低コスト化を図ることができる。一方、応力緩和層が樹脂層間絶縁層とは異なる材料によって形成されている場合、応力緩和層の機能を部品の表面に加わる外部応力を緩和する機能に特化させることができる。

なお、前記応力緩和層に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量（ｗｔ％）は、前記樹脂層間絶縁層に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量（ｗｔ％）よりも少なく、前記応力緩和層において無機材料が占める体積の割合（ｖｏｌ％）は、前記樹脂層間絶縁層において無機材料が占める体積の割合（ｖｏｌ％）よりも少ないことが好ましい。このようにすれば、応力緩和層が樹脂層間絶縁層と同じ樹脂材料によって形成されている場合でも、応力緩和層に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量や、応力緩和層において無機材料が占める体積の割合が少なくなることで、応力緩和層が樹脂層間絶縁層よりも軟らかくなる。このため、部品に加わる外部応力を応力緩和層によって緩和することができる。

ここで、無機材料としては、いわゆる無機フィラーを挙げることができる。この無機フィラーとしては、無機化合物フィラーや金属フィラー等が挙げられる。このうち無機化合物フィラーとしては、炭酸カルシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、タルク、窒化アルミニウム、硫酸バリウム等からなるセラミックフィラーが挙げられる。また、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛等からなる誘電体フィラーが挙げられる。これらの無機フィラーとしては、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、フィラーの形状は特に限定されず、不定形状、球形状、繊維形状、板形状等が挙げられる。これらの形状のフィラーとしては、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

また、応力緩和層が樹脂層間絶縁層とは異なる材料によって形成されている場合、前記応力緩和層の室温での弾性率は、前記樹脂層間絶縁層の室温での弾性率よりも小さいことが好ましい。このようにすれば、応力緩和層が樹脂層間絶縁層よりも小さい応力で変形しやすい層となるため、部品に加わる外部応力を応力緩和層によって確実に緩和することができる。具体的に言うと、前記応力緩和層は、室温での弾性率が０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であることが好ましい。仮に、室温での弾性率が０．０１ＧＰａ未満に設定されると、応力緩和層が小さい応力でも変形しすぎてしまい、応力緩和層上に積層した配線積層部等の寸法安定性が低下してしまう。一方、室温での弾性率が１ＧＰａよりも大きく設定されると、応力緩和層が殆ど変形しないため、応力緩和層によって部品に加わる外部応力を確実に緩和できなくなる可能性がある。なお、応力緩和層の室温での弾性率を測定する方法としては、例えばＪＩＳ Ｃ６４８１に規定されるものなどが挙げられる。また、ここでいう室温とは２５℃である。

同様に、応力緩和層が樹脂層間絶縁層とは異なる材料によって形成されている場合、前記応力緩和層の室温での破断伸び率は、前記樹脂層間絶縁層の室温での破断伸び率よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、応力緩和層が樹脂層間絶縁層よりも降伏応力が小さいため、部品に加わる外部応力を応力緩和層によって確実に緩和することができる。具体的に言うと、前記応力緩和層は、室温での破断伸び率が１０％以上であることが好ましい。仮に、室温での破断伸び率が１０％未満であると、降伏応力が大きいため、応力緩和層によって部品に加わる外部応力を確実に緩和できなくなる可能性がある。ここで、降伏応力とは、弾性変形する領域から塑性変形する領域に変わる点（降伏点）での応力をいう。降伏応力を超えるような外部応力が加わった場合、応力緩和層は、塑性変形して外部応力を緩和する働きをする。なお、応力緩和層の室温での破断伸び率を測定する方法としては、例えばＪＩＳ Ｃ６４８１に規定されるものなどが挙げられる。

なお、応力緩和層が樹脂層間絶縁層とは異なる材料によって形成されている場合、前記応力緩和層の熱膨張係数については、室温での弾性率及び破断伸び率が上記のように設定されていれば、特に制限はない。応力緩和層の室温での弾性率及び破断伸び率が上記物性値の領域内にある場合、応力緩和層の熱膨張係数は、応力緩和効果に対してほとんど影響を与えないためである。

また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段２）としては、コア主面（１２）及びコア裏面（１３）を有するコア基板（１１）内、または、樹脂層間絶縁層（３３，３５）及び導体層（４２）を前記コア主面（１２）上にて積層した構造を有する配線積層部（３１）内に収容される配線基板内蔵用コンデンサ（１０１）であって、コンデンサ主面（１０２）、コンデンサ裏面（１０３）及びコンデンサ側面（１０６）を有するとともに、セラミック誘電体層（１０５）を介して複数の内部電極層（１４１，１４２）が積層配置された構造を有するコンデンサ本体（１０４）と、樹脂を主体とし、少なくとも前記コンデンサ主面（１０２）上に形成された応力緩和層（１５１）とを備えることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサがある。

従って、手段２によると、コンデンサ本体の少なくともコンデンサ主面上に形成された応力緩和層により、配線基板内蔵用コンデンサを配線基板に内蔵した状態で配線基板内蔵用コンデンサの表面に加わる外部応力を緩和できるため、従来のようなコンデンサ本体の表面近傍でのクラックの発生を防止することができる。

［第１実施形態］

以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した第１実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とからなる。

コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には４０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、第１ビルドアップ層３１における第２層（最上層）の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５上には、同樹脂層間絶縁層３５をほぼ全体的に覆うソルダーレジスト３７が積層されている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内には、それぞれビア導体４３，４７が設けられている。これらのビア導体４３，４７は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。

図１に示されるように、コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有しており、樹脂層間絶縁層３４，３６の熱膨張係数が１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には４０ｐｐｍ／℃程度）となっている。第２ビルドアップ層３２における第２層の樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面には、同樹脂層間絶縁層３６をほぼ全体的に覆うソルダーレジスト３８が積層されている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

図１に示されるように、本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂層間絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂層間絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。

そして、収容穴部９０内には、図２〜図４等に示す配線基板内蔵用コンデンサであるセラミックコンデンサ１０１（部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア基板１１のコア主面１２と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１０．０ｍｍ×横１０．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。

図１〜図４等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（部品本体、コンデンサ本体）は、部品主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、部品側面である４つのコンデンサ側面１０６を有する板状物である。本実施形態において、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃未満、具体的には６〜１３ｐｐｍ／℃程度となっている。なお、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、３０℃〜２５０℃間の測定値の平均値をいう。

セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１（内部電極層）とグランド用内部電極層１４２（内部電極層）とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。

図１〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。

そして図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用電極１１１（表層電極）と複数の主面側グランド用電極１１２（表層電極）とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極１１２は、コンデンサ主面１０２上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。

また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１（表層電極）と複数の裏面側グランド用電極１２２（表層電極）とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極１２２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。

そして図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある電極１２１，１２２は、図示しないマザーボードが有する電極（接触子）に対して、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して電気的に接続される。

図２等に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極１１１，１１２、１２１，１２２及びコンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、ＩＣチップ２１の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態では、電極１１１，１１２，１２１，１２２の直径が約５００μｍに設定され、ピッチの最小長さが約５８０μｍに設定されている。

例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。

図１〜図４等に示されるように、セラミックコンデンサ１０１は応力緩和層１５１を有している。具体的に言うと、応力緩和層１５１は、前記１つのコンデンサ主面１０２上、前記１つのコンデンサ裏面１０３上、及び、前記４つのコンデンサ側面１０６上にそれぞれ形成されている。また、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１の厚さは、前記樹脂層間絶縁層３３〜３６よりも薄く形成されており、本実施形態では１５μｍに設定されている。さらに、コンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１の厚さは、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１の厚さと同じ１５μｍに設定されている。なお、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５１上には、前記第１ビルドアップ層３１における最下層の樹脂層間絶縁層３３が積層され、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１上には、前記第２ビルドアップ層３２における最上層の樹脂層間絶縁層３４が積層されている。また、コンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１の外表面側には、前記コア基板１１が位置している。

図１〜図４等に示される応力緩和層１５１は、熱硬化性樹脂からなる樹脂材料を主体として形成されている。本実施形態において、かかる樹脂材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びポリオレフィン樹脂（エラストマー成分）からなっている（巴川製紙所製 ＴＬＦ−Ｙ）。応力緩和層１５１の室温での弾性率は、樹脂層間絶縁層３３〜３６の室温での弾性率（本実施形態では７ＧＰａ）よりも小さく、具体的には０．０３ＧＰａに設定されている。さらに、応力緩和層１５１の室温での破断伸び率は、樹脂層間絶縁層３３〜３６の室温での破断伸び率（本実施形態では５％）よりも大きく、具体的には２１０％に設定されている。また、応力緩和層１５１に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量（ｗｔ％）は、樹脂層間絶縁層３３〜３６に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量（ｗｔ％）よりも少なく、本実施形態では０ｗｔ％となっている。同様に、応力緩和層１５１において無機材料が占める体積の割合（ｖｏｌ％）も、樹脂層間絶縁層３３〜３６において無機材料が占める体積の割合（ｖｏｌ％）よりも少なく、本実施形態では０ｖｏｌ％となっている。即ち、本実施形態の応力緩和層１５１には無機材料が全く含まれていない。

図１等に示されるように、前記コア基板１１における収容穴部９０の内壁面９１と、前記セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１の外表面との隙間は、高分子材料（本実施形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９２によって埋められている。この樹脂充填部９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。

コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦３５０ｍｍ×横３７５ｍｍ×厚み０．６ｍｍの基材１６１の両面に銅箔１６２が貼付された銅張積層板（図５参照）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔１６２のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする（図６参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔１６２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する（図７参照）。

次に、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に、それぞれ導体層４１（例えば５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を得る（図８参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。

また、コンデンサ準備工程では、セラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２，１２１，１２２をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。

続く応力緩和層形成工程では、完成したセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２を粗化した後、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、複数のセラミックコンデンサ１０１を、コンデンサ主面１０２を上にした状態で治具（図示略）にセットする。詳述すると、治具上には剥離可能な粘着テープ１７２が配置されており、各セラミックコンデンサ１０１は、粘着テープ１７２の粘着面に貼り付けられて仮固定されている（図９参照）。このとき、各セラミックコンデンサ１０１は、粘着テープ１７２の粘着面と平行に配置した状態で、粘着面に沿って互いに離間配置されている。

次に、治具にセットされた各セラミックコンデンサ１０１に、未硬化状態の応力緩和層１５１の一部となる樹脂フィルム１７３（厚さ８００μｍ）をラミネートする（図１０，図１１参照）。このとき、樹脂フィルム１７３の一部は、互いに隣接するセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６間に充填される。さらに、コンデンサ側面１０６間に充填された樹脂フィルム１７３の一部は、粘着テープ１７２とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３との間に充填される。なお、この状態のものは、応力緩和層１５１を有するセラミックコンデンサ１０１となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した配線基板内蔵用コンデンサ集合体の中間製品であると把握することができる。そして、この時点で、粘着テープ１７２を剥離する。

さらに、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、配線基板内蔵用コンデンサ集合体の中間製品を、各セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３を上にした状態で治具（図示略）にセットする。詳述すると、治具上には剥離可能な粘着テープ１７５が配置されており、配線基板内蔵用コンデンサ集合体の中間製品は、粘着テープ１７５の粘着面に貼り付けられて仮固定されている（図１２参照）。

次に、治具にセットされた配線基板内蔵用コンデンサ集合体の中間製品に、未硬化状態の応力緩和層１５１の一部となる樹脂フィルム１７６（厚さ１５μｍ）をラミネートする（図１２，図１３参照）。その後、加熱処理（キュア）を所定時間行うと、樹脂フィルム１７３が硬化すると同時に樹脂フィルム１７６が硬化して、樹脂フィルム１７３と樹脂フィルム１７６とが互いに馴染んで一体化し、応力緩和層１５１となる（図１３参照）。なお、この状態のものは、応力緩和層１５１を有するセラミックコンデンサ１０１となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した配線基板内蔵用コンデンサ集合体１７４であると把握することができる。さらに、レーザー加工機を用いて配線基板内蔵用コンデンサ集合体１７４を分割する。具体的には、配線基板内蔵用コンデンサ集合体１７４を、互いに隣接するセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６間に充填された応力緩和層１５１の部分（図１３の一点鎖線参照）で分割して個片化する。その際、各コンデンサ側面１０６にそれぞれ厚さ１５μｍの応力緩和層１５１が形成されるように切断する。その結果、コンデンサ主面１０２上、コンデンサ裏面１０３上及びコンデンサ側面１０６上の全てに応力緩和層１５１が形成されたセラミックコンデンサ１０１が多数個同時に得られる。そして、この時点で、粘着テープ１７５を剥離する。

続く収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、複数の収容穴部９０内にそれぞれセラミックコンデンサ１０１を収容する（図１４参照）。このとき、各収容穴部９０のコア裏面１３側開口は、剥離可能な粘着テープ１７１でシールされている。この粘着テープ１７１は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ１７１の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。

その後、樹脂充填部９２により、収容穴部９０の内壁面９１と、コンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１の外表面との隙間を埋める（図１５参照）。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１がコア基板１１に固定される。そして、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。

次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的には、コア主面１２上、及び、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５１上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３３を形成する（図１６参照）。また、コア裏面１３上、及び、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３４を形成する（図１６参照）。

次に、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にそれぞれビア孔１８１，１８２を形成する（図１７参照）。具体的には、樹脂層間絶縁層３３と、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５１とを貫通するビア孔１８１を形成し、主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を露出させる。同様に、樹脂層間絶縁層３４と、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１とを貫通するビア孔１８２を形成し、裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を露出させる。

さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び樹脂層間絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔１９１を所定位置にあらかじめ形成しておく（図１８参照）。そして、樹脂層間絶縁層３３，３４、ビア孔１８１，１８２の内面、及び、貫通孔１９１の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層３３上及び樹脂層間絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される（図１９参照）。これと同時に、貫通孔１９１内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔１８１，１８２の内部にビア導体４７が形成される。

その後、穴埋め工程を実施する。具体的には、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する（図２０参照）。

次に、樹脂層間絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３，１８４を有する樹脂層間絶縁層３５，３６を形成する（図２０参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３，１８４が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔１８３，１８４の内部にビア導体４３を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂層間絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。

次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１０によれば、コンデンサ主面１０２上、コンデンサ裏面１０３上及びコンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１により、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵した状態（具体的には、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときの状態、及び、完成した配線基板１０を使用するときの状態）でセラミックコンデンサ１０１の表面に加わる外部応力を緩和することができる。このため、従来のようなセラミックコンデンサ１０１の表面近傍でのクラック２１０（図３６参照）の発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。

（２）本実施形態では、応力緩和層１５１が、コンデンサ主面１０２上、コンデンサ裏面１０３上及びコンデンサ側面１０６上の全てに形成されている。これにより、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５１だけでなく、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１によっても、セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向に加わる外部応力を緩和できるため、セラミック焼結体１０４内でのクラックの発生をより確実に防止することができる。また、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１によってセラミックコンデンサ１０１の平面方向に加わる外部応力を緩和でき、しかも、コンデンサ側面１０６上に形成された応力緩和層１５１によってセラミックコンデンサ１０１の厚さ方向に加わる外部応力も緩和できる。このため、セラミック焼結体１０４内でのクラックの発生をよりいっそう確実に防止できる。

（３）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１−ＩＣチップ２１間の電気経路が短くなり、インダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

（４）本実施形態では、応力緩和層１５１が外部応力を緩和することにより、応力緩和層１５１上に積層された第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、第１ビルドアップ層３１上に搭載されたＩＣチップ２１にかかる外部応力も緩和することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
［第２実施形態］

以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した第２実施形態を図面に基づき詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。

本実施形態の配線基板１０は、セラミックコンデンサの構成が前記第１実施形態のセラミックコンデンサ１０１とは異なっている。即ち、図２１に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１９５（部品、配線基板内蔵用コンデンサ）を構成するセラミック焼結体１０４は、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上にそれぞれ形成された応力緩和層１５２を有している。

応力緩和層１５２は、セラミック焼結体１０４に接触する接触面１５３と、接触面１５３の反対側に位置する外表面１５４とを有している。応力緩和層１５２には、接触面１５３側及び外表面１５４側を貫通する複数の導体柱１５５が設けられている。また、応力緩和層１５２の外表面１５４上には、複数の端子パッド１５６が配置されている。各端子パッド１５６は、各導体柱１５５の外表面１５４側の端面に電気的に接続されている。さらに、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５２において、各導体柱１５５の接触面１５３側の端面は、主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２に電気的に接続されている。また、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５２において、各導体柱１５５の接触面１５３側の端面は、裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２に電気的に接続されている。これにより、端子パッド１５６及び電極１１１，１１２，１２１，１２２は、導体柱１５５を介して導通する。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。

まず、上記第１実施形態と同じ準備工程（コア基板準備工程及びコンデンサ準備工程）を行った後、応力緩和層形成工程を行う。応力緩和層形成工程では、完成したセラミックコンデンサ１９５のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３を粗化した後、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、複数のセラミックコンデンサ１９５を、コンデンサ主面１０２を上にした状態で治具（図示略）にセットする。次に、治具にセットされた各セラミックコンデンサ１９５のコンデンサ主面１０２上に、応力緩和層１５２となる樹脂フィルム１５７（厚さ１５μｍ）をラミネートする（図２２参照）。さらに、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、各セラミックコンデンサ１９５を、コンデンサ裏面１０３を上にした状態で治具（図示略）にセットする。次に、治具にセットされた各セラミックコンデンサ１９５のコンデンサ裏面１０３上に、樹脂フィルム１５７（厚さ１５μｍ）をラミネートする（図２２参照）。その後、加熱処理（キュア）を所定時間行い、各樹脂フィルム１５７を硬化させる。

次に、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザーのいずれかを用いてレーザー孔あけ加工を行い、導体柱１５５が形成されるべき位置にそれぞれビア孔１５８を形成する（図２３参照）。具体的には、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５２を貫通するビア孔１５８を形成し、主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を露出させる。同様に、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５２を貫通するビア孔１５８を形成し、裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２を露出させる。

そして、応力緩和層１５２を介してビア孔１５８の内面に対する電解銅めっきを行い、各電極１１１，１１２，１２１，１２２上にそれぞれ導体柱１５５を形成する（図２４参照）。なお、各電極１１１，１１２，１２１，１２２上に銅ペーストなどの導電性ペーストを印刷した後、所定温度で所定時間乾燥させることによって導体柱１５５を形成してもよい。さらに、応力緩和層１５２に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、応力緩和層１５２の外表面１５４上に、複数の端子パッド１５６が形成され、応力緩和層１５２を有するセラミックコンデンサ１９５が完成する。なお、スパッタ法を用いて各端子パッド１５６を形成してもよい。

その後、収容工程を行って、コア基板準備工程にて準備されたコア基板１１内にセラミックコンデンサ１０１を収容し、従来周知の手法に基づいてビルドアップ層３１，３２を形成すれば、配線基板１０が完成する。

従って、本実施形態によれば、セラミックコンデンサ１０１の導体部（電極１１１，１１２）と、第１ビルドアップ層３１における最下層の樹脂層間絶縁層３３にある導体部（ビア導体４７及び導体層４２）とを、コンデンサ主面１０２上に形成された応力緩和層１５１が備える導体部（導体柱１５５及び端子パッド１５６）を介して確実に接続できる。同様に、セラミックコンデンサ１０１の導体部（電極１２１，１２２）と、第２ビルドアップ層３２における最上層の樹脂層間絶縁層３４にある導体部（ビア導体４７及び導体層４２）とを、コンデンサ裏面１０３上に形成された応力緩和層１５１が備える導体部（導体柱１５５及び端子パッド１５６）を介して確実に接続できる。ゆえに、よりいっそう信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記各実施形態の応力緩和層１５１，１５２は、熱硬化性樹脂からなる樹脂材料（巴川製紙所製 ＴＬＦ−Ｙ）を主体として形成されていた。しかし、応力緩和層１５１，１５２は、室温での弾性率が０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下、室温での破断伸び率が１０％以上となる他の樹脂材料を主体として形成されていてもよい。

例えば、応力緩和層１５１，１５２は、エポキシ樹脂及びポリアミド樹脂からなる樹脂材料（日立化成工業製 ＫＳ−７００３）などを主体として形成されていてもよい。この場合、室温での弾性率は１ＧＰａ、室温での破断伸び率は１２０％である。

・上記第２実施形態では、セラミックコンデンサ１９５のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に直接応力緩和層１５２を形成していた。しかし、セラミックコンデンサ１９５とは別々に応力緩和層１５２を形成し、形成した応力緩和層１５２をコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に接着するようにしてもよい。

即ち、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ１５μｍの樹脂フィルム１５９を準備する（図２５参照）。次に、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザーのいずれかを用いてレーザー孔あけ加工を行い、導体柱１５５が形成されるべき位置にそれぞれビア孔１６０を形成する（図２６参照）。なお、マイコンパンチやメカニカルドリルを用いた孔あけ加工を行うことにより、ビア孔１６０を形成してもよい。そして、ビア孔１６０の内面に対する電解銅めっきを行い、各ビア孔１６０内にそれぞれ導体柱１５５を形成する（図２７参照）。なお、銅ペーストなどの導電性ペーストを印刷した後、所定温度で所定時間乾燥させることによって導体柱１５５を形成してもよい。さらに、応力緩和層１５２に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、応力緩和層１５２の外表面１５４上に複数の端子パッド１５６が形成され、応力緩和層１５２が完成する（図２８参照）。なお、スパッタ法を用いて各端子パッド１５６を形成してもよい。その後、完成した応力緩和層１５２をコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上にラミネートすれば、応力緩和層１５２を有するセラミックコンデンサ１９５が完成する。

また、上記とは別の方法によって応力緩和層１５２を形成してもよい。即ち、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ１５μｍの基材２２１の片面に銅箔２２２が貼付された銅張積層板（図２９参照）を準備する。次に、銅張積層板の片面の銅箔２２２のエッチングを行って端子パッド１５６を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする（図３０参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔２２２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。なお、セミアディティブ法を行うことによって端子パッド１５６をパターニングしてもよい。次に、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザーのいずれかを用いてレーザー孔あけ加工を行い、導体柱１５５が形成されるべき位置にそれぞれビア孔２２３を形成する（図３１参照）。なお、メカニカルドリルを用いた孔あけ加工を行うことにより、ビア孔２２３を形成してもよい。また、ビア孔２２３の形成を端子パッド１５６のパターニングの前に行ってもよい。そして、ビア孔２２３の内面に対する電解銅めっき（または各端子パッド１５６の裏面上への導電性ペーストの印刷）を行えば、各ビア孔２２３内にそれぞれ導体柱１５５が形成され、応力緩和層１５２が完成する（図２８参照）。

・上記各実施形態では、セラミックコンデンサ１０１を収容穴部９０内に収容する前に、応力緩和層１５１，１５２を形成していた。しかし、セラミックコンデンサ１０１を収容穴部９０内に収容した後で応力緩和層１５１，１５２を形成してもよい。この場合、応力緩和層１５１，１５２は、コンデンサ主面１０２上のみに形成されていてもよいし（図３２参照）、コンデンサ主面１０２上に加えてコア主面１２上にも形成されていてもよい（図３３参照）。同様に、応力緩和層１５１，１５２は、コンデンサ裏面１０３上に形成されていてもよいし（図３２参照）、コンデンサ裏面１０３上に加えてコア裏面１３上にも形成されていてもよい（図３３参照）。

・上記第２実施形態の応力緩和層１５２が備える導体柱１５５は、電解銅めっきによって形成されるフィルドビア（完全に銅めっきが充填される形態のビア）であったが、電解銅めっきによって形成されるコンフォーマルビア（完全に銅めっきが埋まらない形態のビア）であってもよい。

・上記各実施形態のセラミックコンデンサ１０１はコア基板１１内に収容されていた。しかし、上記各実施形態のセラミックコンデンサ１０１をビルドアップ層内に収容してもよい。このようにすれば、セラミックコンデンサ１０１がコア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１とを電気的に接続する導通経路が短くなる。これにより、インダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサ１０１によりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。なお、セラミックコンデンサ１０１自体は厚いため、図３４では、ビルドアップ層を、上記各実施形態よりも多くの樹脂層間絶縁層（樹脂層間絶縁層３０）からなる第１ビルドアップ層３１０（配線積層部）に具体化している。なお、上記各実施形態のセラミックコンデンサ１０１を、上記各実施形態と同じ第１ビルドアップ層３１内に収容してもよい。

・上記各実施形態では、樹脂層間絶縁層３３とは別の樹脂充填部９２を用いて、収容穴部９０の内壁面９１と応力緩和層１５１の外表面との隙間を埋めていた。しかし、樹脂絶縁層３３の一部を用いて上記の隙間を埋めてもよい。このようにすれば、樹脂充填部の形成に際して樹脂層間絶縁層３３とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板１０の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板１０の低コスト化を図ることが可能となる。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、及び、樹脂を主体とし、少なくとも前記部品主面上に形成された応力緩和層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された部品と、樹脂層間絶縁層及び導体層を前記コア主面上及び前記応力緩和層上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記部品主面上に形成された応力緩和層上に、前記配線積層部における最下層の樹脂層間絶縁層が積層され、前記配線積層部における最上層の樹脂層間絶縁層上に、前記最上層の樹脂層間絶縁層を覆うソルダーレジストが積層されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。

（２）コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、及び、樹脂を主体とし、少なくとも前記部品主面上及び前記部品側面上に形成された応力緩和層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された部品と、樹脂層間絶縁層及び導体層を前記コア主面上及び前記応力緩和層上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記部品側面上に形成された応力緩和層の外表面側に前記コア基板が配置されており、前記コア基板における前記収容穴部の内壁面と前記部品側面上に形成された応力緩和層の外表面との隙間に、前記隙間を埋める樹脂充填部が配置されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。

本発明を具体化した第１実施形態の配線基板を示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサを示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。 同じく、セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 第２実施形態におけるセラミックコンデンサを示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサの製造方法の説明図。 同じく、セラミックコンデンサの製造方法の説明図。 同じく、セラミックコンデンサの製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における応力緩和層の製造方法の説明図。 他の実施形態における配線基板の製造方法の説明図。 他の実施形態における配線基板の製造方法の説明図。 他の実施形態における配線基板を示す要部断面図。 従来技術におけるセラミックコンデンサの一例を示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサの表面近傍のクラックを示す拡大断面図。

符号の説明

１０…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３１，３１０…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３０，３３，３５…樹脂層間絶縁層
４２…導体層
９０…収容穴部
１０１，１９５…部品及び配線基板内蔵用コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１０２…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…部品本体及びコンデンサ本体としてのセラミック焼結体
１０５…セラミック誘電体層
１０６…部品側面としてのコンデンサ側面
１１１…表層電極としての主面側電源用電極
１１２…表層電極としての主面側グランド用電極
１２１…表層電極としての裏面側電源用電極
１２２…表層電極としての裏面側グランド用電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極層としての電源用内部電極層
１４２…内部電極層としてのグランド用内部電極層
１５１，１５２…応力緩和層
１５３…接触面
１５４…外表面
１５５…導体柱
１５６…端子パッド

Claims (16)

1. コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、
   部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体、及び、樹脂を主体とし、少なくとも前記部品主面上に形成された応力緩和層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された部品と、
   樹脂層間絶縁層及び導体層を前記コア主面上及び前記応力緩和層上にて積層した構造を有する配線積層部と
   を備えることを特徴とする部品内蔵配線基板。
2. 前記応力緩和層に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量は、前記樹脂層間絶縁層に含まれる無機材料の単位体積あたりの重量よりも少なく、前記応力緩和層において無機材料が占める体積の割合は、前記樹脂層間絶縁層において無機材料が占める体積の割合よりも少ないことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板。
3. 前記応力緩和層は、前記部品主面上、前記部品裏面上及び前記部品側面上に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板。
4. 前記応力緩和層は、前記部品本体に接触する接触面と、前記接触面の反対側に位置する外表面と、前記接触面側及び前記外表面側を導通させる複数の導体柱と、前記外表面上に配置され前記複数の導体柱に接続される複数の端子パッドとを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
5. 前記応力緩和層の室温での弾性率は、前記樹脂層間絶縁層の室温での弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
6. 前記応力緩和層の室温での破断伸び率は、前記樹脂層間絶縁層の室温での破断伸び率よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
7. 前記応力緩和層は、室温での弾性率が０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であり、室温での破断伸び率が１０％以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
8. 前記応力緩和層は前記樹脂層間絶縁層よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
9. 前記応力緩和層の厚さは、５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
10. 前記部品は、
    セラミック誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、
    前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
    前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記部品主面側の端部に接続された複数の表層電極と
    を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサである
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板。
11. コア主面及びコア裏面を有するコア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を前記コア主面上にて積層した構造を有する配線積層部内に収容される配線基板内蔵用コンデンサであって、
    コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、樹脂を主体とし、少なくとも前記コンデンサ主面上に形成された応力緩和層とを備えることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
12. 前記応力緩和層は、前記コンデンサ主面上、前記コンデンサ裏面上及び前記コンデンサ側面上に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
13. 前記応力緩和層は、前記コンデンサ本体に接触する接触面と、前記接触面の反対側に位置する外表面と、前記接触面側及び前記外表面側を導通させる複数の導体柱と、前記外表面上に配置され前記複数の導体柱に接続される複数の端子パッドとを備えることを特徴とする請求項１１または１２に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
14. 前記応力緩和層は、室温での弾性率が０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であり、室温での破断伸び率が１０％以上であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
15. 前記応力緩和層の厚さは、５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
16. 前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
    前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極と
    を備え、
    前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されている
    ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。

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