JP2013074178A - 部品内蔵配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂充填材とコア基板との密着性を改善することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】コア基板準備工程ではコア基板１１を準備し、収容穴部形成工程では収容穴部９０をコア基板１１に形成し、貫通穴部形成工程では貫通穴部１４を形成する。めっき層形成工程では、収容穴部９０の内壁面９１に対してめっき層９２を形成するとともに、貫通穴部１４の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層７１を形成する。収容工程では、部品１０１を収容穴部９０に収容する。樹脂埋め工程では、収容穴部９０の内壁面９１と部品側面１０６との隙間、及び、空洞部に対して、樹脂充填材９３を充填して埋める。
【選択図】図８

Description

本発明は、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。但し、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば特許文献１，２参照）。

上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４を準備する（図１５参照）。併せて、コンデンサ主面２０５及びコンデンサ裏面２０６にそれぞれ複数の表層電極２０７を突設したコンデンサ２０８（図１５参照）を準備する。次に、コア裏面２０２側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０８を収容する収容工程を行い、コンデンサ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する（図１５参照）。次に、収容穴部２０３の内壁面２１０とコンデンサ２０８の側面との隙間Ａ１を、コア主面２０１に接する樹脂充填材２１１の一部で埋めて樹脂充填材２１１を硬化収縮させることにより、コンデンサ２０８を固定する（図１６参照）。そして、粘着テープ２０９を剥離した後、コア主面２０１側に対して、樹脂層間絶縁層及び導体層を交互に積層して主面側ビルドアップ層を形成するとともに、コア裏面２０２側に対して、樹脂層間絶縁層及び導体層を交互に積層して裏面側ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。

特開２００２−２１７５４４号公報（図１等） 特開２００２−２３７６８３号公報（図１等）

ところが、上記の構造においては、コア基板２０４と樹脂充填材２１１とが異なる種類の樹脂材料からなり、熱膨張係数が互いに異なることが一般的に多い。このため、コア基板２０４と樹脂充填材２１１との熱膨張係数差に起因して、収容穴部２０３の内壁面２１０と、内壁面２１０に接する樹脂充填材２１１の接触面２１２との密着性に問題が生じる場合が多い。ゆえに、樹脂充填材２１１とコア基板２０４との間にデラミネーションが発生して、製造される配線基板が不良品となるため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂充填材とコア基板との密着性を改善することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア主面及びコア裏面を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記コア主面側にて開口する収容穴部を前記コア基板に形成する収容穴部形成工程と、前記コア基板においてその厚さ方向に貫通する貫通穴部を形成する貫通穴部形成工程と、前記収容穴部の内壁面に対してめっき層を形成するとともに、前記貫通穴部の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層を形成するめっき層形成工程と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品を、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容する収容工程と、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間、及び、前記空洞部に対して、樹脂充填材を充填して埋める樹脂埋め工程と、前記コア主面及び前記部品主面の上において、樹脂層間絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する配線積層部形成工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。

従って、上記手段１の部品内蔵配線基板の製造方法によると、めっき層形成工程において収容穴部の内壁面に対してめっき層を形成している。その結果、樹脂埋め工程において収容穴部の内壁面と部品側面との隙間に対して樹脂充填材を形成して埋めた際に、樹脂充填材を収容穴部の内壁面に確実に密着させることができる。ゆえに、デラミネーション等の発生を防止することができるため、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。また、めっき層形成工程では、収容穴部の内壁面に対してめっき層を形成する工程と、貫通穴部の内壁面に対してめっき層を形成する工程とを同時に行うことができるため、製造コストを抑えることができる。

しかも、手段１では、収容穴部の内壁面に形成されためっき層により、スルーホール導体からのノイズを遮蔽することができる。また、部品からのノイズが部品の外部に影響を与えることも防止できる。ゆえに、ノイズ障害となる不具合を低減することができる。また、めっき層によってノイズを遮蔽できることから、スルーホール導体と部品とを互いに接近させて配置できるため、部品内蔵配線基板内の配線を密集させて部品内蔵配線基板の小型化を図ることができる。

以下、部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。

コア基板準備工程では、コア主面及びコア裏面を有するコア基板を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。続く収容穴部形成工程では、少なくともコア主面にて開口する収容穴部をコア基板に形成する。即ち、この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。

コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。

なお、コア基板の厚さは特に限定されないが、例えば０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。仮に、コア基板の厚さが０．３ｍｍ未満であると、コア基板が肉薄になるため、コア基板の強度、ひいては部品内蔵配線基板全体の強度が低下してしまう。一方、コア基板の厚さが０．５ｍｍよりも大きいと、空洞部が細長く深い形状となるため、空洞部に対して樹脂充填材を充填して埋めることが困難になる。

続く貫通穴部形成工程では、コア基板においてその厚さ方向に貫通する貫通穴部を形成する。続くめっき層形成工程では、収容穴部の内壁面に対してめっき層を形成するとともに、貫通穴部の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層を形成する。

なお、めっき層は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。めっき層を構成する金属材料としては、例えばチタン、モリブデン、銅、クロム、コバルト、タングステン、ニッケル、タンタル、ニオブなどが挙げられる。特に、めっき層を構成する金属材料としては、できれば銅などの良導体を用いることが好ましい。

また、めっき層の厚さは特に限定されないが、例えば２μｍ以上５０μｍ以下に設定されることがよい。即ち、この厚さが２μｍ未満であると、めっき層を配置したとしても上記のノイズを十分に遮蔽することができない。また、この厚さが５０μｍを超えるような場合には、めっき層を形成しにくくなるおそれがある。

さらに、めっき層形成工程後かつ樹脂埋め工程前に、収容穴部の内壁面に形成されためっき層の表面、及び、貫通穴部の内壁面に形成されためっき層の表面のうち、少なくとも収容穴部の内壁面に形成されためっき層の表面を粗化する表面粗化工程を行うことが好ましい。このようにすれば、めっき層の表面に凹凸が形成されて表面積が大きくなるため、樹脂埋め工程において収容穴部の内壁面と部品側面との隙間に対して樹脂充填材を形成して埋めた際に、樹脂充填材を収容穴部の内壁面に確実に密着させることができる。

なお、表面粗化工程は、めっき層形成工程後かつ収容工程前に実行されるものであってもよいし、収容工程後かつ樹脂埋め工程前に実行されるものであってもよい。表面粗化工程をめっき層形成工程後かつ収容工程前に実行させるようにすれば、めっき層の表面の粗化を、部品に邪魔されずに行うことができる。一方、表面粗化工程を収容工程後かつ樹脂埋め工程前に実行させるようにすれば、めっき層の表面に加えて、部品の表面にある構成（電極など）も粗化することができる。

なお、特にめっき層の表面が粗化されている場合、めっき層は、収容穴部の内壁面、貫通穴部の内壁面、コア主面及びコア裏面を含むコア基板の表面全体に対してめっきを行うことにより形成された全面めっき層であることが好ましい。このようにすれば、粗化面であるめっき層の表面積がさらに大きくなるため、樹脂埋め工程を行った際に、めっき層と樹脂充填材との接触面積がさらに増大し、樹脂充填材とコア基板との密着性がよりいっそう向上する。しかも、めっき層によってノイズをよりいっそう確実に遮蔽できる。

続く収容工程では、コア主面と部品主面とを同じ側に向けた状態で、収容穴部に部品を収容する。なお、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部に収容されていてもよいが、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されることが好ましい。このようにすれば、収容工程が終了した際に、収容穴部の開口部からの部品の突出を防止できる。しかも、後の樹脂埋め工程においてコア主面及び部品主面の上に樹脂層間絶縁層を形成する際に、コア主面及び部品主面に接する樹脂層間絶縁層の表面を平坦にすることができ、部品内蔵配線基板の寸法精度が向上する。

また、収容工程において収容穴部に収容される部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。このようにすれば、収容穴部に部品を収容した際に、収容穴部の内壁面と部品側面との距離が小さくなるため、収容穴部に充填される樹脂充填材の体積をそれ程大きくしなくても済む。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。

なお、好適な部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。

また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、複数の内部電極層に接続される複数のビア導体、及び、複数のビア導体における少なくとも部品主面側の端部に接続された複数の表層電極とを備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、複数のビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては部品内蔵配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。

コンデンサを構成する誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。

内部電極層、ビア導体、表層電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。

続く樹脂埋め工程では、収容穴部の内壁面と部品側面との隙間、及び、空洞部に対して、樹脂充填材を充填して埋める。なお、樹脂充填材は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂充填材を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。

なお、樹脂埋め工程は、コア主面及び部品主面の上に樹脂充填材の形成材料であるシート状の絶縁層を貼付する絶縁層貼付工程と、絶縁層貼付工程後、加熱加圧することにより、絶縁層の一部を収容穴部の内壁面と部品側面との隙間に落とし込んで部品を固定するとともに、絶縁層の一部を空洞部に落とし込んで埋める充填工程とを含んでいてもよい。このようにすれば、充填工程において、部品を固定する工程と空洞部を埋める工程とを同時に行うことができるため、製造コストをよりいっそう抑えることができる。また、絶縁層（樹脂充填材）の一部を用いて部品の固定と空洞部の充填とが行われるため、収容穴部の内壁面と部品側面との隙間に落とし込まれる樹脂充填材と、空洞部に落とし込まれる樹脂充填材とは、実質的に同一組成の樹脂材料によって形成されることとなる。従って、部品を固定する工程を行う場合と空洞部を埋める工程を行う場合とで別の材料を準備しなくても済む。よって、部品内蔵配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、部品内蔵配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。しかも、樹脂充填材の形成材料がシート状の絶縁層であるため、絶縁層が液状である場合に比べて、絶縁層の一部で収容穴部の内壁面と部品側面との隙間を埋めたり空洞部を埋めたりする際の取り扱いが容易になる。

また、樹脂埋め工程は、収容穴部のコア主面側開口、または、貫通穴部のコア主面側開口をカバー部材で塞ぐ閉塞工程と、収容穴部及び貫通穴部のうちコア主面側開口がカバー部材に塞がれていない側の穴部に、樹脂充填材の形成材料である穴埋め材を充填する第１充填工程と、第１充填工程後、コア主面側からカバー部材を除去する除去工程と、除去工程後、コア主面の上に樹脂充填材の形成材料であるシート状の絶縁層を貼付する絶縁層貼付工程と、絶縁層貼付工程後、加熱加圧することにより、収容穴部及び貫通穴部のうち穴埋め材が充填されていない側の穴部に、絶縁層の一部を落とし込む第２充填工程とを含んでいてもよい。このようにすれば、部品を固定する工程と空洞部を埋める工程とでそれぞれに適した材料を用いることができるため、樹脂埋め工程を確実に行うことができる。例えば、穴埋め材の形成材料として液状の材料を用いれば、収容穴部の内壁面と部品側面との隙間、及び、空洞部に対する穴埋め材の追従性が向上するため、樹脂埋め工程を確実に行うことができる。

なお、部品内蔵配線基板が、配線基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用配線基板である場合、閉塞工程では、収容穴部のコア主面側開口をカバー部材で塞ぎ、第１充填工程では、貫通穴部に穴埋め材を充填し、第２充填工程では、収容穴部に絶縁層の一部を落とし込むことが好ましい。一般的に、コンデンサなどの部品を収容するための収容穴部は、１つの基板形成領域につき１つのみ存在する。一方、スルーホール導体が形成される貫通穴部は、１つの基板形成領域において多数存在する。よって、収容穴部のコア主面側開口をカバー部材で塞ぐようにすれば、貫通穴部のコア主面側開口をカバー部材で塞ぐ場合よりもカバー部材の数を減らすことができるため、部品内蔵配線基板の製造が容易になる。

続く配線積層部形成工程では、コア主面及び部品主面の上において、樹脂層間絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する。このようにすれば、配線積層部に電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板の高機能化を図ることができる。また、配線積層部は、コア主面及び部品主面の上にのみ形成されるが、さらにコア裏面及び部品裏面の上にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、コア主面及び部品主面の上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面及び部品裏面の上に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。

樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。

一方、導体層は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。導体層を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。

なお、めっき層が上記した全面めっき層である場合、樹脂埋め工程後かつ配線積層部形成工程前に、樹脂充填材を薄くすることにより、樹脂充填材の表面をコア主面上に形成されためっき層の表面と同じ高さに合わせる高さ合わせ工程を行うことが好ましい。このようにすれば、樹脂充填材の表面がコア主面上に形成されためっき層の表面と面一になる。よって、樹脂充填材の表面及びめっき層の表面に接する樹脂層間絶縁層の表面を平坦にすることができ、部品内蔵配線基板の寸法精度が向上する。

なお、高さ合わせ工程において、樹脂充填材を薄くすることにより、樹脂充填材の表面をコア主面上に形成されためっき層の表面と同じ高さに合わせる方法としては、樹脂充填材の一部を機械的に除去する方法や、樹脂充填材の一部を化学的に除去する方法などを挙げることができる。しかし、高さ合わせ工程では、樹脂充填材の一部を機械的に除去することが好ましい。このようにすれば、樹脂充填材の一部を化学的に除去する場合よりも低コストかつ簡単に高さ合わせ工程を行うことができる。

本発明を具体化した第１実施形態の配線基板を示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサを示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサの内層における接続を示す概略説明図。 同じく、セラミックコンデンサの内層における接続を示す概略説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 第２実施形態における配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 同じく、配線基板の製造方法を示す説明図。 他の実施形態における配線基板を示す概略断面図。 従来技術における配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。

［第１実施形態］
以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した第１実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される主面側ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される裏面側ビルドアップ層３２（積層部）とからなる。

本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなり、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。

図１に示されるように、コア基板１１には、複数の貫通穴部１４がコア主面１２及びコア裏面１３を貫通するように形成されている。そして、各貫通穴部１４の内壁面には、空洞部１５（図６，図７参照）を有するスルーホール導体１６が形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、空洞部１５は、高分子材料（本実施形態では、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂）からなる樹脂充填材９３で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２には、銅からなる主面側導体層１７がパターン形成され、コア基板１１のコア裏面１３には、同じく銅からなる裏面側導体層１８がパターン形成されている。各導体層１７，１８は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。

図１に示されるように、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。また、収容穴部９０の内壁面９１上には、内壁面９１の全体を覆うめっき層９２が配置されている。

そして、収容穴部９０内には、図２〜図４に示すセラミックコンデンサ１０１（部品）が埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１のコア主面１２とコンデンサ主面１０２（図１では上面）とを同じ側に向け、かつ、コア基板１１のコア裏面１３とコンデンサ裏面１０３（図１では下面）とを同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１４．０ｍｍ×横１４．０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形状をなす板状物である。

図１〜図４に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、８〜１２ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には９．５ｐｐｍ／℃程度となっている。なお、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、３０℃〜２５０℃間の測定値の平均値をいう。また、セラミック焼結体１０４は、部品主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、部品側面である４つのコンデンサ側面１０６を有している。セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。セラミック誘電体層１０５は、高誘電体セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。

図１〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、全面にわたってアレイ状（例えば格子状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用ビア導体１３１及び各グランド用ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。

そして図２に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用電極１１１（表層電極）と複数の主面側グランド用電極１１２（表層電極）とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極１１２は、コンデンサ主面１０２上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極１１１は、複数の電源用ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続され、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１（表層電極）と複数の裏面側グランド用電極１２２（表層電極）とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極１２２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続され、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。また、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって被覆されている。

例えば、電極１１１，１１２側から通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミック焼結体１０４では、電源用ビア導体１３１及びグランド用ビア導体１３２がそれぞれ隣接して配置され、かつ、電源用ビア導体１３１及びグランド用ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。その結果、インダクタンス成分の低減化が図られる。

図１に示されるように、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２上には、上記した樹脂充填材９３が形成されている。そして、収容穴部９０の内壁面９１（本実施形態では、めっき層９２の表面）と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、樹脂充填材９３の一部で埋められている。即ち、樹脂充填材９３は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。また、樹脂充填材９３の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２０ｐｐｍ／℃程度となっている。なお、樹脂充填材９３の完全硬化状態での熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。さらに、セラミックコンデンサ１０１は、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。その結果、温度変化に伴う樹脂充填材９３の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填材９３のクラックの発生を防止できる。

図１に示されるように、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。即ち、樹脂層間絶縁層３４，３６は、樹脂充填材９３と実質的に同一組成の樹脂材料によって形成されている。よって、樹脂層間絶縁層３４，３６の熱膨張係数は、樹脂充填材９３の完全硬化状態での熱膨張係数と同じ値となっており、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂層間絶縁層３４，３６の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、樹脂層間絶縁層３４，３６内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４７が設けられている。樹脂層間絶縁層３４，３６内に設けられたビア導体４７の一部は、セラミックコンデンサ１０１の電極１２１，１２２に接続されている。また、第２層の樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるパッド４８が格子状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。

図１に示されるように、主面側ビルドアップ層３１は、上述した裏面側ビルドアップ層３２とほぼ同じ構造を有している。即ち、主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４１とを交互に積層した構造を有している。即ち、樹脂層間絶縁層３３，３５は、樹脂充填材９３と実質的に同一組成の樹脂材料によって形成されている。よって、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、樹脂充填材９３の完全硬化状態での熱膨張係数と同じ値となっており、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４３が設けられている。なお、樹脂層間絶縁層３３，３５内に設けられたビア導体４３の一部は、セラミックコンデンサ１０１の電極１１１，１１２に接続されている。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４１に電気的に接続される端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。

図１に示されるように、各はんだバンプ４５は、ＩＣチップ２１（半導体集積回路素子）の面接続端子２２に電気的に接続されている。本実施形態のＩＣチップ２１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が３〜４ｐｐｍ／℃程度（具体的には３．５ｐｐｍ／℃程度）のシリコンからなる。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、主面側ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法を説明する。

まず、コンデンサ準備工程では、セラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。その結果、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように電極１１１，１１２を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように電極１２１，１２２を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２，１２１，１２２をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。

また、コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。具体的に言うと、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの基材の両面に銅箔６２が貼付された銅張積層板６１（図５参照）を準備し、これをコア基板１１の中間製品とする。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用コア基板である。

続く収容穴部形成工程では、コア基板１１（銅張積層板６１）に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０を所定位置にあらかじめ形成しておく（図５参照）。なお、収容穴部９０は、一辺が１６．０ｍｍで、四隅に半径３ｍｍのアールを有する断面略正方形状の孔である。また、貫通穴部形成工程では、コア基板１１（銅張積層板６１）に対してドリル機を用いて孔あけ加工を行い、スルーホール導体１６を形成するための貫通穴部１４を所定位置にあらかじめ形成しておく（図５参照）。なお、貫通穴部１４は、内径が１００μｍの断面円形状の孔である。

続くめっき層形成工程では、収容穴部９０の内壁面９１、貫通穴部１４の内壁面、コア主面１２及びコア裏面１３を含むコア基板１１の表面全体に対して無電解銅めっきを行った後に電解銅めっきを行う。その結果、収容穴部９０の内壁面９１に対してめっき層９２が形成されるとともに、貫通穴部１４の内壁面に対して、スルーホール導体１６となるめっき層７１が形成される（図６参照）。さらに、コア主面１２に対して主面側導体層１７となるめっき層７２が形成されるとともに、コア裏面１３に対して裏面側導体層１８となるめっき層７３が形成される（図６参照）。なお、めっき層７１〜７３，９２は、収容穴部９０の内壁面９１、貫通穴部１４の内壁面、コア主面１２及びコア裏面１３を含むコア基板１１の表面全体に対してめっきを行うことにより形成された全面めっき層を構成している。

続く収容工程では、まず、収容穴部９０のコア裏面１３側開口を、剥離可能な粘着テープ１５１でシールする。この粘着テープ１５１は、支持台（図示略）によって支持されている。次に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２とを同じ側に向け、かつ、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で、収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図７参照）。このとき、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３側が粘着テープ１５１の粘着面に貼り付けられて仮固定される。

続く表面粗化工程では、収容穴部９０の内壁面９１に形成されためっき層９２の表面、及び、貫通穴部１４の内壁面に形成されためっき層７１の表面の粗化（ＣＺ処理）を行う。また、表面粗化工程では、コア主面１２に形成されためっき層７２の表面の粗化も行う。さらに、表面粗化工程では、セラミックコンデンサ１０１の電極１１１，１１２の表面の粗化も行う。なお、表面粗化工程は、めっき層形成工程後かつ樹脂埋め工程前、より具体的には、収容工程後かつ樹脂埋め工程前に実行される。そして、表面粗化工程が終了したら、洗浄工程を実施し、樹脂充填材９３の表面９４、めっき層７２の表面及び電極１１１，１１２の表面を洗浄する。また、必要に応じて、シランカップリング剤（信越化学工業株式会社製）を用いて、コア主面１２側に対してカップリング処理を行ってもよい。

続く樹脂埋め工程では、収容穴部９０の内壁面９１（本実施形態では、めっき層９２の表面）とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間、及び、空洞部１５に対して、樹脂充填材９３を充填して埋める（図８参照）。詳述すると、まず、絶縁層貼付工程を行い、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上に、樹脂充填材９３の形成材料であるシート状の絶縁層９５を貼付する。なお、本実施形態の絶縁層９５は、エポキシ樹脂を主成分とするビルドアップ材である。また、絶縁層９５の厚さは、図７に示す隙間Ｓ１及び空洞部１５を埋めるのに十分な容量を確保できる程度であればよく、本実施形態では５０μｍ〜２００μｍ程度となっている。そして、絶縁層貼付工程後、充填工程を行い、絶縁層９５を加熱加圧する。具体的には、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて絶縁層９５を真空下にて１４０〜１５０℃に加熱するとともに、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２に対して絶縁層９５を０．７５ＭＰａで１２０秒間押圧する。このとき、絶縁層９５の一部が収容穴部９０の内壁面９１（めっき層９２の表面）とコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１に落とし込まれて、その隙間Ｓ１が埋められる。それとともに、絶縁層９５の一部が空洞部１５に落とし込まれて、空洞部１５が埋められる。その後、加熱処理（キュアなど）を行うと、絶縁層９５（樹脂充填材９３）が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される。

続く高さ合わせ工程では、樹脂充填材９３を薄くすることにより、樹脂充填材９３の表面９４をコア主面１２上に形成されためっき層７２の表面と同じ高さに合わせる（図９参照）。高さ合わせ工程は、樹脂埋め工程後かつ配線積層部形成工程前に実行される。具体的に言うと、ベルトサンダー装置を用いて、めっき層７２の表面よりも上方に位置している樹脂充填材９３の表面９４を研磨して低くする。その結果、樹脂充填材９３の一部が機械的に除去され、めっき層７２の表面と電極１１１，１１２の表面とが露出する。その後、コア裏面１３側及びコンデンサ裏面１０３側から粘着テープ１５１を剥離する。

高さ合わせ工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっきを行うことにより、樹脂充填材９３の表面９４、めっき層７２の表面及び電極１１１，１１２の表面にめっき層９６を形成する（図１０参照）。また、従来公知の手法に従って無電解銅めっきを行うことにより、樹脂充填材９３の表面９７、めっき層７３の表面及び電極１２１，１２２の表面にもめっき層９６を形成する（図１０参照）。次に、めっき層９６のエッチングを行ってめっき層９６を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、コア主面１２側のめっき層９６及びコア裏面１３側のめっき層９６に対してドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要なめっき層７２，７３，９６をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。その結果、コア主面１２上に主面側導体層１７が形成されるとともに、コア裏面１３上に裏面側導体層１８が形成される。このとき、コア主面１２側のめっき層９６の一部が、スルーホール導体１６及び樹脂充填材９３のコア主面１２側の端面を覆う蓋めっき層となり、コア裏面１３側のめっき層９６の一部が、スルーホール導体１６及び樹脂充填材９３のコア裏面１３側の端面を覆う蓋めっき層となる。

続く配線積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２の上、具体的には、樹脂充填材９３の表面９４、めっき層７２の表面及び電極１１１，１１２の表面に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂層間絶縁層３３を形成する。また、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３の上、具体的には、樹脂充填材９３の表面９７、めっき層７３の表面及び電極１２１，１２２の表面に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂層間絶縁層３４を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。

さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂層間絶縁層３３を貫通するビア孔を形成し、電極１１１，１１２の表面を露出させる。また、樹脂層間絶縁層３４を貫通するビア孔を形成し、電極１２１，１２２の表面を露出させる。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体４３，４７を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３３上に導体層４１を形成し、樹脂層間絶縁層３４上に導体層４２を形成する。

次に、樹脂層間絶縁層３３，３４上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着して、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔を有する樹脂層間絶縁層３５，３６を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体４３，４７を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂層間絶縁層３６上にパッド４８を形成する。

次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。

続くはんだバンプ形成工程では、最外層の樹脂層間絶縁層３５上に形成された端子パッド４４上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された配線基板をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のＩＣチップ２１搭載用のはんだバンプ４５が形成される。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき基板形成領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。

その後、配線基板１０を構成する主面側ビルドアップ層３１のＩＣチップ搭載領域２３にＩＣチップ２１を載置する。このとき、ＩＣチップ２１側の面接続端子２２と、各はんだバンプ４５とを位置合わせするようにする。そして、２２０〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ４５をリフローすることにより、各はんだバンプ４５と面接続端子２２とを接合し、配線基板１０側とＩＣチップ２１側とを電気的に接続する。その結果、ＩＣチップ搭載領域２３にＩＣチップ２１が搭載される（図１参照）。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、コア基板１１と樹脂充填材９３とが異なる種類の樹脂材料からなり、熱膨張係数が互いに異なっている。このため、コア基板１１と樹脂充填材９３との熱膨張係数差に起因して、収容穴部９０の内壁面９１と樹脂充填材９３との密着性に問題が生じる場合が多い。ゆえに、樹脂充填材９３とコア基板１１との間にデラミネーションが発生するおそれがある。そこで本実施形態では、めっき層形成工程において収容穴部９０の内壁面９１にめっき層９２を形成し、さらに表面粗化工程においてめっき層９２の表面の粗化を行っている。その結果、樹脂埋め工程において収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１に対して樹脂充填材９３を形成して埋めた際に、樹脂充填材９３を収容穴部９０の内壁面９１に確実に密着させることができる。ゆえに、デラミネーション等の発生を防止することができるため、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。また、めっき層形成工程では、収容穴部９０の内壁面９１に対してめっき層９２を形成する工程と、貫通穴部１４の内壁面に対してめっき層７１を形成する工程とを同時に行うことができるため、製造コストを抑えることができる。

しかも、本実施形態では、収容穴部９０の内壁面９１に形成されためっき層９２により、スルーホール導体１６からのノイズを遮蔽することができる。また、セラミックコンデンサ１０１からのノイズがセラミックコンデンサ１０１の外部に影響を与えることも防止できる。ゆえに、ノイズ障害となる不具合を低減することができる。従って、ＩＣチップ２１に確実に電源を供給できるため、ＩＣチップ２１を十分に動作させることができ、ＩＣチップ２１の誤動作を防止できる。また、めっき層９２によってノイズを遮蔽できることから、スルーホール導体１６とセラミックコンデンサ１０１とを互いに接近させて配置できるため、配線基板１０内の配線を密集させて配線基板１０の小型化を図ることができる。

（２）本実施形態の充填工程では、セラミックコンデンサ１０１を固定する工程と空洞部１５を埋める工程とが同時に行われるため、製造工程数を減らすことができる。よって、配線基板１０の製造コストをよりいっそう抑えることができる。また、絶縁層９５（樹脂充填材９３）の一部を用いてセラミックコンデンサ１０１の固定と空洞部１５の充填とが行われるため、収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１に落とし込まれる絶縁層９５と、空洞部１５に落とし込まれる絶縁層９５とは、実質的に同一組成の樹脂材料によって形成されることとなる。従って、セラミックコンデンサ１０１を固定する工程を行う場合と空洞部１５を埋める工程とを行う場合とで別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板１０の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板１０の低コスト化を図ることが可能となる。しかも、樹脂充填材９３の形成材料がシート状の絶縁層９５であるため、絶縁層９５が液状である場合に比べて、絶縁層９５の一部で収容穴部９０の内壁面９１とコンデンサ側面１０６との隙間Ｓ１を埋めたり空洞部１５を埋めたりする際の取り扱いが容易になる。

（３）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、ＩＣチップ搭載領域２３においては、主面側ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。

［第２実施形態］
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図面に基づき説明する。ここでは、第１実施形態と相違する部分を中心に説明する。

本実施形態では、樹脂埋め工程が上記第１実施形態とは異なっている。詳述すると、本実施形態の樹脂埋め工程は、閉塞工程、第１充填工程、除去工程、絶縁層貼付工程及び第２充填工程を含んでいる。まず、閉塞工程では、収容穴部３９０のコア主面３１２側開口をカバー部材３０１で塞ぐ（図１１参照）。なお、本実施形態のカバー部材３０１は、縦１８．０ｍｍ×横１８．０ｍｍ×厚さ２．０ｍｍの平面視矩形状をなす板状物である。なお、カバー部材３０１は、例えば樹脂材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）中に無機繊維からなるガラスクロス）を含有させた複合材料によって形成されている。

続く第１充填工程では、貫通穴部３１４（即ち、収容穴部３９０及び貫通穴部３１４のうちコア主面３１２側開口がカバー部材３０１に塞がれていない側の穴部）に、樹脂充填材３９３の形成材料である穴埋め材３０２を充填する（図１２参照）。具体的には、ディスペンサ装置（Ａｓｙｍｔｅｋ社製）を用いて、液状の穴埋め材３０２を充填することにより、貫通穴部３１４に形成されたスルーホール導体３１６の空洞部３１５（図１１参照）を埋めるようにする。なお、ディスペンサ装置を用いる代わりに、穴埋め印刷を行うことによって空洞部３１５に穴埋め材３０２を充填するようにしてもよい。第１充填工程後、除去工程を行い、コア主面３１２側からカバー部材３０１を除去する。

除去工程後の絶縁層貼付工程では、コア主面３１２及びコンデンサ主面３０３の上に、樹脂充填材３９３の形成材料であるシート状の絶縁層３９５を貼付する。なお、絶縁層３９５の厚さは、収容穴部３９０を埋めるのに十分な容量を確保できる程度であればよく、本実施形態では５０μｍ〜２００μｍ程度となっている。そして、絶縁層貼付工程後、第２充填工程を行い、絶縁層３９５を加熱加圧する。具体的には、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて絶縁層３９５を真空下にて１４０〜１５０℃に加熱するとともに、コア主面３１２及びコンデンサ主面３０３に対して絶縁層３９５を０．７５ＭＰａで１２０秒間押圧する。このとき、絶縁層３９５の一部が収容穴部３９０（即ち、収容穴部３９０及び貫通穴部３１４のうち穴埋め材３０２が充填されていない側の穴部）に落とし込まれる（図１３参照）。その後、加熱処理（キュアなど）を行うと、穴埋め材３０２が硬化するとともに、絶縁層３９５が硬化してセラミックコンデンサ３０４が収容穴部３９０内に固定される。

従って、本実施形態によれば、セラミックコンデンサ３０４を固定する工程と空洞部３１５を埋める工程とでそれぞれに適した材料を用いることができるため、樹脂埋め工程を確実に行うことができる。例えば、穴埋め材３０２の形成材料として液状の材料を用いているため、空洞部３１５に対する穴埋め材３０２の追従性が向上するため、樹脂埋め工程を確実に行うことができる。

なお、上記各実施形態を以下のように変更してもよい。

・上記各実施形態では、収容工程後かつ樹脂埋め工程前に表面粗化工程が実行されていたが、表面粗化工程を実行するタイミングを変更してもよい。例えば、めっき層形成工程後かつ収容工程前に、表面粗化工程を実行してもよい。

・上記第２実施形態では、閉塞工程において収容穴部３９０のコア主面３１２側開口をカバー部材３０１で塞ぎ、第１充填工程において貫通穴部３１４に穴埋め材３０２を充填し、第２充填工程において収容穴部３９０に絶縁層３９５の一部を落とし込んでいた。しかし、閉塞工程において貫通穴部３１４のコア主面３１２側開口をカバー部材３０１で塞ぎ、第１充填工程において収容穴部３９０に穴埋め材３０２を充填し、第２充填工程において貫通穴部３１４に絶縁層３９５の一部を落とし込んでもよい。

・上記各実施形態では、収容穴部９０，３９０内に収容される部品として、ビアアレイタイプのセラミックコンデンサ１０１，３０４が用いられていた。しかし、図１４の配線基板４１０に示されるように、チップコンデンサ４０１を収容穴部４９０内に収容される部品として用いてもよい。なお、チップコンデンサ４０１は、例えば誘電体層を介して電源用内部電極層とグランド用内部電極層とが交互に積層配置された構造を有している。そして、チップコンデンサ４０１において互いに対向する一対の側面には、電源用電極４０２とグランド用電極４０３とがそれぞれ設けられている。電源用電極４０２は、電源用内部電極層に接続されるとともに、電源用電極４０２上に突設された突起状導体４０４を介してビア導体４３に接続されている。グランド用電極４０３は、グランド用内部電極層に接続されるとともに、グランド用電極４０３上に突設された突起状導体４０４を介してビア導体４３に接続されている。各突起状導体４０４は、電解銅めっきによって形成された円柱状導体（銅ポスト）である。なお、収容穴部４９０内には２個のチップコンデンサ４０１が収容されているが、１個のチップコンデンサのみが収容されていてもよいし、３個以上のチップコンデンサが収容されていてもよい。また、ＩＣチップ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭなどを、収容穴部に収容される部品として用いてもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）上記手段１において、前記めっき層形成工程では、前記収容穴部の内壁面、前記貫通穴部の内壁面、前記コア主面及び前記コア裏面を含む前記コア基板の表面全体に対して無電解めっきを行った後に電解めっきを行うことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。

（２）上記手段１において、前記収容工程及び前記樹脂埋め工程は、前記収容穴部の前記コア裏面側開口を粘着面を有する粘着テープで塞いだ状態で行われることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。

１０…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…コア基板
１２，３１２…コア主面
１３…コア裏面
１４，３１４…貫通穴部
１５，３１５…空洞部
１６，３１６…スルーホール導体
３１…配線積層部としての主面側ビルドアップ層
３３，３５…樹脂層間絶縁層
４１…導体層
７１，７２，７３，９２…めっき層
９０，３９０，４９０…収容穴部
９１…収容穴部の内壁面
９３，３９３…樹脂充填材
９４…樹脂充填材の表面
９５，３９５…絶縁層
１０１，３０４…部品としてのセラミックコンデンサ
１０２，３０３…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０６…部品側面としてのコンデンサ側面
３０１…カバー部材
３０２…穴埋め材
４０１…部品としてのチップコンデンサ
Ｓ１…隙間

Claims (8)

1. コア主面及びコア裏面を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、
   少なくとも前記コア主面側にて開口する収容穴部を前記コア基板に形成する収容穴部形成工程と、
   前記コア基板においてその厚さ方向に貫通する貫通穴部を形成する貫通穴部形成工程と、
   前記収容穴部の内壁面に対してめっき層を形成するとともに、前記貫通穴部の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層を形成するめっき層形成工程と、
   部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品を、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容する収容工程と、
   前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間、及び、前記空洞部に対して、樹脂充填材を充填して埋める樹脂埋め工程と、
   前記コア主面及び前記部品主面の上において、樹脂層間絶縁層及び導体層を交互に積層して配線積層部を形成する配線積層部形成工程と
   を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
2. 前記樹脂埋め工程は、
   前記コア主面及び前記部品主面の上に前記樹脂充填材の形成材料であるシート状の絶縁層を貼付する絶縁層貼付工程と、
   前記絶縁層貼付工程後、加熱加圧することにより、前記絶縁層の一部を前記収容穴部の内壁面と前記部品側面との隙間に落とし込んで前記部品を固定するとともに、前記絶縁層の一部を前記空洞部に落とし込んで埋める充填工程と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
3. 前記樹脂埋め工程は、
   前記収容穴部の前記コア主面側開口、または、前記貫通穴部の前記コア主面側開口をカバー部材で塞ぐ閉塞工程と、
   前記収容穴部及び前記貫通穴部のうち前記コア主面側開口が前記カバー部材に塞がれていない側の穴部に、前記樹脂充填材の形成材料である穴埋め材を充填する第１充填工程と、
   前記第１充填工程後、前記コア主面側から前記カバー部材を除去する除去工程と、
   前記除去工程後、前記コア主面の上に前記樹脂充填材の形成材料であるシート状の絶縁層を貼付する絶縁層貼付工程と、
   前記絶縁層貼付工程後、加熱加圧することにより、前記収容穴部及び前記貫通穴部のうち前記穴埋め材が充填されていない側の穴部に、前記絶縁層の一部を落とし込む第２充填工程と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
4. 前記部品内蔵配線基板は、配線基板となるべき基板形成領域が平面方向に沿って複数配置された多数個取り用配線基板であり、
   前記閉塞工程では、前記収容穴部の前記コア主面側開口をカバー部材で塞ぎ、
   前記第１充填工程では、前記貫通穴部に前記穴埋め材を充填し、
   前記第２充填工程では、前記収容穴部に前記絶縁層の一部を落とし込む
   ことを特徴とする請求項３に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
5. 前記めっき層形成工程後かつ前記樹脂埋め工程前に、前記収容穴部の内壁面に形成された前記めっき層の表面、及び、前記貫通穴部の内壁面に形成された前記めっき層の表面のうち、少なくとも前記収容穴部の内壁面に形成された前記めっき層の表面を粗化する表面粗化工程を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
6. 前記表面粗化工程は、前記めっき層形成工程後かつ前記収容工程前に実行されることを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
7. 前記表面粗化工程は、前記収容工程後かつ前記樹脂埋め工程前に実行されることを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
8. 前記めっき層は、前記収容穴部の内壁面、前記貫通穴部の内壁面、前記コア主面及び前記コア裏面を含む前記コア基板の表面全体に対してめっきを行うことにより形成された全面めっき層であり、
   前記樹脂埋め工程後かつ前記配線積層部形成工程前に、前記樹脂充填材を薄くすることにより、前記樹脂充填材の表面を前記コア主面上に形成された前記めっき層の表面と同じ高さに合わせる高さ合わせ工程を行う
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

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