JP2000261124A - 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体、コンデンサ、コア基板本体の製造方法、及び、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 コンデンサを内蔵することにより、ノイズを
確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配線
の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、コンデ
ンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価で、大
きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板を提供
すること。 【解決手段】 本発明の配線基板１００は、コア基板本
体１０に形成された貫通孔１１にコンデンサ２０を内蔵
し、さらに、その上下に樹脂絶縁層４１〜４３，５１〜
５３及び配線層４５，４６，５５，５６を備える。コン
デンサ２０は、その上面２０Ａ及び下面２０Ｂに形成し
たパッド２１，２２で上下に接続可能となっており、パ
ッド２１と配線層４５、パッド２２と配線層５５と接続
することで、フリップチップパッド１０１やＬＧＡパッ
ド１０３と多数の上部コンデンサ接続配線６０や下部コ
ンデンサ接続配線７０で接続している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサを備え
る配線基板、さらに詳しくは、コンデンサをコア基板に
内蔵しその上下に樹脂絶縁層及び配線層を積層した、ノ
イズを確実に除去できる配線基板に関する。また、この
配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、コ
ンデンサを内蔵するためのコア基板本体、コンデンサ、
及び、コンデンサ内蔵コア基板やコア基板本体の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますＩＣ
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図１５に示す
ように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａ
あるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載
し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これに
より、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド
５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続
することが行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
手法では、配線基板２の完成後に、別途チップコンデン
サ３を搭載する必要があるため、工数がかかりコストア
ップとなる。また、チップコンデンサの接続の良否によ
り配線基板全体の良否に影響が出るなどチップコンデン
サ３の接続信頼性に依存して配線基板の信頼性が低下す
る場合がある。また、チップコンデンサ３を搭載する領
域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載
や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低
下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチッ
プ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線
４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ
接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくな
りがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応
えられない。

【０００４】そこで、配線基板のうち、コア基板の上下
に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層
を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコ
ンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが
考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗
不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付い
た配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が
大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困
難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セ
ラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜
５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静
電容量を十分大きくすることも困難である。

【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、コンデンサを内蔵することにより、ノイズ
を確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配
線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、さら
には、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少な
く、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な
配線基板を提供することを目的とする。また、このよう
なコンデンサを内蔵した配線基板を製造するためのコン
デンサ内蔵コア基板、コンデンサを内蔵するためのコア
基板本体、コンデンサ、及びコア基板本体やコンデンサ
内蔵コア基板の製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、
上記配線基板上面にＩＣチップと接続するための複数の
ＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の下面接続端
子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コ
ア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体
上面とコア基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内
蔵用貫通孔、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本
体下面との間を貫通して形成された複数のコアスルーホ
ール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、
コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電
極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続
パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一
対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電
極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであっ
て、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の
下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数
の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデ
ンサ内蔵用貫通孔内に内蔵、固定された上記コンデンサ
と、上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上
方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、上記
コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に積層
された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂
絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板
上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデ
ンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数
の上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫
通あるいはその層間を通って、上記コンデンサの複数の
下面接続パッドとこれに対応する上記配線基板下面の複
数の下面接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コン
デンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいは
その層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続
端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコ
アスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コ
ア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその
層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホー
ル導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の下面
接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線
と、を備えることを特徴とする配線基板である。

【０００７】本発明の配線基板は、コア基板本体にコン
デンサ内蔵用貫通孔を形成し、その中にコンデンサを内
蔵し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フ
リップチップパッド等のＩＣ接続端子と上面接続パッド
とを上部コンデンサ接続配線で、下面接続パッドと下面
接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さ
らに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接
続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにして
いる。また下面接続パッドも同様にされている。このた
め、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取
り出すことができる。したがって、上面接続パッドから
上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらに
はＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することがで
きる。同様に、下面接続パッドから下部コンデンサ接続
配線を通じて下面接続端子にコンデンサの両極を接続す
ることができる。このため、ＩＣチップと接続するＩＣ
接続端子、あるいはマザーボード等の他の配線基板の電
源配線や接地配線と接続させる下面接続端子等からごく
近い距離にコンデンサを配置することができる。したが
って、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配
線もごく短く形成することができる。

【０００８】さらに、通常ＩＣチップにおいて、電源電
位や接地電位は各所に必要となるので、ときにはＩＣチ
ップに形成される接続端子（接続パッドや接続バンプ）
群の半数近くの数とされるほど電源端子や接地端子はそ
れぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上
面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び
下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電
源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッドを
形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接
続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配
線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下
させることができることになる。同様に、下面接続パッ
ドに対応する下面接続パッドと配線基板下面の各接続端
子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に関して
も、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低
下させることができる。つまり、上部コンデンサ接続配
線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短くできし
かもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンス
を低くすることができ、コンデンサによってノイズを有
効、確実に除去することができる。

【０００９】しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵し
ているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無
く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるた
め、安価な配線基板とすることができる。また、他の電
子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さ
らに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用貫通孔
内にコンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や
下部樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部
コンデンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア
接続配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法
を用いて形成することができる点でも安価にできる。ま
た、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択でき
るので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きな
コンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を
一層向上させることができる。

【００１０】なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち
少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置するこ
とを特徴とする配線基板とするのが好ましい。フリップ
チップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位
置すると、ＩＣ接続端子とコンデンサの上面接続パッド
とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くする
ことができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の
持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることがで
きるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることがで
きる。

【００１１】さらに、上記の配線基板であって、前記コ
ア基板本体は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔のうち両端
部のいずれかにおいて、径方向内側に向けて突出するコ
ンデンサ受け部を備え、前記コンデンサは、上記コンデ
ンサ受け部の内向き面に当接していることを特徴とする
配線基板とすると良い。

【００１２】本発明の配線基板では、径方向（平面方
向）内側に向けて突出するコンデンサ受け部を形成し、
コア基板本体のコンデンサ受け部の内向き面に、つまり
コンデンサ受け部をコンデンサ内蔵用貫通孔の上端部に
形成したときにはその下面に、また、コンデンサ受け部
をコンデンサ内蔵用貫通孔の下端部に形成したときには
その上面に、コンデンサを当接させる。これにより、コ
ンデンサ内蔵用貫通孔内において、コンデンサの上下方
向の位置決めが容易かつ確実にできる。したがって、コ
ンデンサの上下方向の位置ズレ不良に起因して、上面接
続パッドと上部コンデンサ接続配線との接続不良や下面
接続パッドと下部コンデンサ接続配線との接続不良等を
生じない信頼性の高い配線基板とすることができる。

【００１３】さらに上記の配線基板であって、前記コン
デンサは、前記コンデンサ上面及びコンデンサ下面のう
ち、前記コンデンサ受け部と当接する側の面の周縁に、
切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかが形成され、
上記切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、
上記コンデンサが前記コンデンサ受け部に嵌合している
ことを特徴とする配線基板とすると良い。

【００１４】本発明の配線基板では、コンデンサ上面及
びコンデンサ下面のうち、コア基板本体のコンデンサ受
け部と当接する側の面の周縁に切り欠き部及び凸部の少
なくともいずれかを有し、コンデンサが、コンデンサ受
け部の内向き面に当接し、さらに切り欠き部及び凸部の
少なくともいずれかにより、コンデンサ受け部と嵌合す
る。したがって、コンデンサは、コンデンサ受け部と当
接して上下方向の位置決めがされるほか、コンデンサ受
け部と嵌合して上下方向に直交するコンデンサ内蔵用貫
通孔の径方向（平面方向）にも位置決めされる。このた
め、コンデンサ内蔵用貫通孔内でのコンデンサの上下方
向のみならず平面方向の位置決めも容易かつ確実にでき
る。従って、コンデンサの上下方向や平面方向の位置ズ
レ不良に起因して、上面接続パッドと上部コンデンサ接
続配線との接続不良や下面接続パッドと下部コンデンサ
接続配線との接続不良等を生じない、さらに信頼性の高
い配線基板とすることができる。

【００１５】また他の解決手段は、コア基板本体上面、
コア基板本体下面、及び、上記コア基板本体上面とコア
基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通
孔、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデ
ンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
ド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の
電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群
とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上
記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接
続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面
接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内
蔵用貫通孔内に内蔵、固定されたコンデンサと、を備え
るコンデンサ内蔵コア基板である。

【００１６】本発明のコンデンサ内蔵コア基板では、コ
ア基板本体にコンデンサ内蔵用貫通孔を形成し、その中
にコンデンサを内蔵している。さらに、このコンデンサ
は、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続
パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしてい
る。また下面接続パッドも同様にされている。このた
め、コンデンサの両極を、コンデンサ上面の上面接続パ
ッド及びコンデンサ下面の下面接続パッドを通じて、コ
ア基板の上方及び下方に取り出すことができる。したが
って、このコンデンサ内蔵コア基板を用いれば、公知の
樹脂絶縁層や配線層の形成手法を用いて、容易にコンデ
ンサを内蔵した配線基板を形成することができる。ま
た、このようにして配線基板を形成した場合には、配線
基板の搭載するＩＣチップやマザーボード等の他の配線
基板とごく近い距離にコンデンサを配置し、互いにごく
短い配線で結ぶことができる。したがって、内蔵コンデ
ンサの特性を十分発揮させて、ノイズを確実に除去する
ことができるようになる。

【００１７】さらに、上述したように、通常ＩＣチップ
においては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成さ
れる。これに対し、本発明のコンデンサ内蔵コア基板の
コンデンサでは、コンデンサ上面及びコンデンサ下面
に、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備え
る。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対
応させて多数の上面接続パッド（あるいは上下反転させ
て使用する場合には下面接続パッド）を形成し、これら
をそれぞれ結ぶように配線を多数並列に形成すれば、こ
れらの配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさ
らに低下させることができる。同様に、下面接続パッド
（あるいは上下反転させて使用する場合には上面接続パ
ッド）と他の配線基板とを並列に接続する配線に関して
も、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低
下させることができる。つまり、コンデンサ内蔵コア基
板の上下に形成する配線の長さを短くでき、しかもその
本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くす
ることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実
に除去することができる。また、内蔵させるコンデンサ
の静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミッ
クを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させるこ
とができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができ
る。

【００１８】しかも、コア基板内にコンデンサを内蔵し
ているので、樹脂絶縁層や配線層を形成した後に別途コ
ンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭
載のための費用が不要となるため、配線基板を安価に製
造することができる。また、上面接続パッドあるいは下
面接続パッドを通じて、内蔵したコンデンサの良否を判
断できるので、ショート等の不具合を有するコンデンサ
が内蔵されたコア基板は、樹脂絶縁層等を形成する前に
除去することができる。このため、工数が掛かる樹脂絶
縁層や配線層が形成され、付加価値の高い配線基板を廃
棄する危険性を少なくでき、全体としてコンデンサの不
具合による損失金額も抑制して、安価な配線基板とする
ことができる。

【００１９】さらに、上記のコンデンサ内蔵コア基板で
あって、前記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填した充填
樹脂で前記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用貫通孔内
に固定してなることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基
板とすると良い。

【００２０】本発明のコンデンサ内蔵コア基板では、充
填樹脂でコンデンサをコンデンサ内蔵用貫通孔内に固定
しているので、容易にかつ確実にコンデンサを固定する
ことができる。また、コアスルーホール導体用の貫通孔
穿孔時等に生じる振動などにより、内蔵したコンデンサ
が位置ズレを生じたり、脱落するなど等の不具合も抑制
され、信頼性の高いコンデンサ内蔵コア基板とすること
ができる。

【００２１】さらに上記いずれかに記載のコンデンサ内
蔵コア基板であって、前記コンデンサ上面に、または前
記コア基板本体上面及び前記コンデンサ上面に上部充填
樹脂層を、前記コンデンサ下面に、または前記コア基板
本体下面及び前記コンデンサ下面に下部充填樹脂層を備
え、上記コンデンサ上面上の上部充填樹脂層と上記コア
基板本体上面またはコア基板本体上面上の上部充填樹脂
層とは、略面一に整面され、前記複数の上面接続パッド
がそれぞれ略面一に露出しており、上記コンデンサ下面
上の下部充填樹脂層と上記コア基板本体下面またはコア
基板本体下面上の下部充填樹脂層とは、略面一に整面さ
れ、前記複数の下面接続パッドがそれぞれ略面一に露出
していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とす
ると良い。

【００２２】このコンデンサ内蔵コア基板では、コンデ
ンサ上面の上部充填樹脂層と、コア基板本体上面または
コア基板本体上面の上部充填樹脂層とは、略面一に整面
され、しかも、複数の上面接続パッドが略面一に露出し
ている。また、コンデンサ下面の下部充填樹脂層と、コ
ア基板本体下面またはコア基板本体下面の下部充填樹脂
層とも、略面一に整面され、しかも、複数の下面接続パ
ッドが略面一に露出している。このため、このコア基板
の上下に樹脂絶縁層や配線層を積層して配線基板を形成
する際に、コンデンサ内蔵用貫通孔を形成したことによ
る段差、コア基板本体上面とコンデンサ上面との高さの
違い、あるいは、コア基板本体下面とコンデンサ下面と
の高さの違いに起因して、これらの上方や下方に形成す
る樹脂絶縁層や配線層に段差が発生することが防止でき
る。したがって、樹脂絶縁層や配線層を容易に形成で
き、しかも、配線層の断線やショート等の不具合も生じ
ない。また、配線基板の上面や下面に形成するＩＣ接続
端子や下面接続端子のコプラナリティを向上させ、ＩＣ
チップや他の配線基板との接続性を向上させることがで
きる。

【００２３】さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ
内蔵コア基板であって、前記コア基板本体は、前記コン
デンサ内蔵用貫通孔のうち、前記コア基板本体下面側端
部において径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け
部を備え、前記コンデンサは、上記コンデンサ受け部の
上面に当接していることを特徴とするコンデンサ内蔵コ
ア基板とすると良い。

【００２４】本発明の配線基板では、コア基板本体にコ
ンデンサ受け部を形成し、この上面にコンデンサを当接
させている。これにより、コンデンサ内蔵用貫通孔内に
おいて、コンデンサの上下方向の位置決めが容易かつ確
実にできる。したがって、コンデンサの上下方向の位置
ズレ不良に起因して、上面接続パッドの高さが変動した
り、上面接続パッド上に充填樹脂の残渣が残り、これと
接続するビア導体等を形成したときに、上面接続パッド
とビア導体等との導通不良が生じるなどの不具合を生じ
ることがない。また、下面接続パッドについても同様で
ある。従って、上下に樹脂絶縁層、配線層やビア導体を
形成する場合などにおいて、配線やビア導体との接続不
良等を生じない信頼性の高いコンデンサ内蔵コア基板と
することができる。

【００２５】さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板であ
って、前記コンデンサは、前記コンデンサ下面の周縁
に、切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかが形成さ
れ、上記切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかによ
り、上記コンデンサが前記コンデンサ受け部に嵌合して
いることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると
良い。

【００２６】本発明のコンデンサ内蔵コア基板では、コ
ンデンサがコンデンサ受け部に当接し、しかも、コンデ
ンサに形成した切り欠き部及び凸部の少なくともいずれ
かにより、コンデンサがコンデンサ受け部に嵌合してい
る。したがって、コンデンサは、コンデンサ受け部と当
接して上下方向の位置決めがされるほか、コンデンサ受
け部と嵌合して上下方向に直交するコンデンサ内蔵用貫
通孔の径方向（平面方向）にも位置決めされる。このた
め、コンデンサ内蔵用貫通孔内でのコンデンサの上下方
向のみならず平面方向の位置決めも容易かつ確実にでき
る。従って、上面接続パッドの高さや平面方向の位置が
変動したり、上面接続パッド上に充填樹脂の残渣が残り
これと接続するビア導体等を形成したときに、上面接続
パッドとビア導体等との導通不良が生じるなどの不具合
を生じることがない。また、下面接続パッドについても
同様である。従って、上下に樹脂絶縁層、配線層やビア
導体を形成する場合などにおいて、配線やビア導体との
接続不良等を生じない、さらに信頼性の高いコンデンサ
内蔵コア基板とすることができる。

【００２７】さらに他の解決手段は、コア基板本体上面
と、コア基板本体下面と、上記コア基板本体上面とコア
基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔
と、を備え、上記コンデンサ内蔵用貫通孔は、そのコア
基板本体下面側端部において径方向内側に向けて突出
し、内蔵させるコンデンサの当接面と少なくともその上
面で当接可能なコンデンサ受け部を備えることを特徴と
するコア基板本体である。

【００２８】本発明のコア基板本体では、上下面間を貫
通するコンデンサ内蔵用貫通孔を備えるので、この貫通
孔内にコンデンサを内蔵させることで、コンデンサを内
蔵した配線基板を容易に形成することができる。また、
この貫通孔内に内蔵させたコンデンサと、コア基板本体
上面及びコア基板本体下面のいずれからも容易かつ短距
離で接続させることができる。さらに、コンデンサ受け
部を有するので、コンデンサを内蔵させたときに、この
コンデンサ受け部の上面でコンデンサと当接する。この
ため、コンデンサ内蔵用貫通孔内におけるコンデンサの
上下方向の位置決めを確実にすることができるようにな
る。

【００２９】さらに、上記コア基板本体であって、前記
コンデンサ受け部は、前記内蔵させるコンデンサの当接
側の面に形成した切り欠き部及び凸部の少なくともいず
れかと嵌合可能な形状であることを特徴とするコア基板
本体とすると良い。

【００３０】本発明のコア基板本体では、コンデンサを
内蔵させた際に、コンデンサ受け部が、その上面で当接
し、さらに、コンデンサの当接側の面に形成した切り欠
き部及び凸部の少なくともいずれかと嵌合するので、コ
ンデンサを上下方向のみならずこれに直交する平面方向
（コンデンサ内蔵用貫通孔の径方向）にも確実に位置決
めできる。

【００３１】さらに他の解決手段は、コンデンサ上面
と、コンデンサ下面と、互いに絶縁された一対の電極ま
たは電極群と、上記コンデンサ上面に形成され、上記一
対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電
極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであっ
て、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の
上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数
の上面接続パッドと、上記コンデンサ下面に形成され、
上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極ま
たは電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドで
あって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複
数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する
複数の下面接続パッドと、上記コンデンサ下面の周縁に
形成され、コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内に
おいて径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け部と
当接して嵌合可能な切り欠き部及び凸部の少なくともい
ずれかと、を備えるコンデンサである。

【００３２】本発明のコンデンサは、コンデンサ上面に
複数の上面接続パッドを、コンデンサ下面に複数の下面
接続パッドを備え、しかも、一対の電極または電極群の
いずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つ
と導通し、また、一対の電極または電極群のいずれも複
数の下面接続パッドの少なくともいずれかと導通する。
このため、コンデンサ上面から、コンデンサの両極を取
り出すことができる。同様に、コンデンサ下面からも、
コンデンサの両極を取り出すことができる。したがっ
て、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のいずれにおい
ても、パッドやバンプを形成したＩＣチップや配線基
板、その他の電子部品の接続面との間での接続が可能と
なる。

【００３３】また、コンデンサ上面とコンデンサ下面の
両面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、配線基板とＩＣチップとの間に介在
させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供
給する電源配線及び接地配線の一部としての役割を果た
させると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデ
ンサで結び、これらの配線の重畳されるノイズを除去す
る役割をも果たさせることができる。さらに、上記コン
デンサ内蔵用貫通孔を備えたコア基板本体のコンデンサ
内蔵用貫通孔に内蔵、固定することで、コンデンサ内蔵
コア基板とし、さらに樹脂絶縁層や配線層を形成して、
コンデンサを内蔵した配線基板とすることができる。特
に、このコンデンサ内蔵用貫通孔内に径方向内側に向け
て突出するコンデンサ受け部と当接させ、コンデンサの
切り欠き部や凸部と嵌合させれば、コンデンサの貫通孔
内での位置決めも容易にできる。

【００３４】なお、上面接続パッドや下面接続パッド
は、接続するＩＣチップ等の端子や配線層に対応した位
置及び数で形成すればよいが、並列に接続する端子や配
線層の数が多いほど、コンデンサとＩＣチップ等との間
に生じる抵抗やインダクタンスを全体として抑制できる
ので、上面接続パッドや下面接続パッドは多数形成する
のが好ましい。

【００３５】さらに、コンデンサ下面の周縁に、切り欠
き部及び凸部の少なくともいずれかを設けたので、コア
基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを内
蔵させた際、コンデンサ受け部と当接、及び嵌合させる
ことができ、コンデンサ内蔵用貫通孔内で、コンデンサ
を上下方向にもこれに直交する平面方向にも確実に位置
決めすることができる。

【００３６】さらに他の解決手段は、壁部用コア基板本
体上面と壁部用コア基板本体下面とを有し、これらの間
を貫通する壁部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体の
上記壁部用コア基板本体下面と、受け部用コア基板本体
上面と受け部用コア基板本体下面とを有し、これらの間
を貫通する受け部用貫通孔を備える受け部用コア基板本
体の上記受け部用コア基板本体上面とを、上記壁部用貫
通孔内に上記受け部用コア基板のうち上記受け部用貫通
孔の周縁の少なくとも一部を露出させて、接着する接着
工程を備えることを特徴とするコア基板本体の製造方法
である。

【００３７】本発明のコア基板本体の製造方法では、壁
部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体と受け部用貫通
孔を備える受け部用コア基板本体とを、壁部用貫通孔内
に受け部用コア基板のうち受け部用貫通孔の周縁の少な
くとも一部を露出させて接着して、コア基板本体を製造
する。このように壁部用コア基板本体と受け部用コア基
板本体とに分けて製作し、その後両者を接着すると、容
易に、壁部用貫通孔と受け部用貫通孔によってコンデン
サ内蔵用貫通孔が構成でき、しかも、受け部用コア基板
本体の一部をコンデンサ内蔵用貫通孔の端部において径
方向内側に突出したコンデンサ受け部とすることができ
る。

【００３８】また他の解決手段は、コア基板本体上面、
コア基板本体下面、及び、上記コア基板本体上面とコア
基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通
孔、を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用貫
通孔内に、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶
縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面
に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいず
れかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面
接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のい
ずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１
つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデ
ンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のう
ちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複
数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電
極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少な
くとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備える
コンデンサを配置するコンデンサ配置工程と、少なくと
も上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填樹脂を注入し、
上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサ
を上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に固定するコンデンサ
固定工程と、少なくとも上記コア基板本体上面とコア基
板本体下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形
成するコアスルーホール形成工程と、を備えるコンデン
サ内蔵コア基板の製造方法である。

【００３９】本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方
法では、コンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを配置
し、コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填樹脂を注入し硬化
させてコンデンサを固定する。このため、容易に固定で
きる上、コアスルーホール導体用の貫通孔穿孔時等に生
じる振動などによりコンデンサの位置ズレを生じたり、
脱落するなど等の不具合が抑制され、コンデンサ内蔵コ
ア基板の信頼性を向上させることができる。

【００４０】さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板の製
造方法であって、前記コンデンサ固定工程は、前記コン
デンサ内蔵用貫通孔内の他、前記コンデンサ上面、コン
デンサ下面、コア基板本体上面、及び、コア基板本体下
面のうち、少なくともコンデンサ上面及びコンデンサ下
面にも充填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充
填樹脂塗布硬化工程であり、前記コアスルーホール形成
工程に先だって、上記コンデンサ上面上の、または、上
記コンデンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上
記充填樹脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面
一に露出させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填
樹脂層と上記コア基板本体上面とを、または、上記コン
デンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填
樹脂層とを、略面一の平坦面に整面し、上記コンデンサ
下面上の、または、上記コンデンサ下面上及び前記コア
基板本体下面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の
下面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コ
ンデンサ下面上の充填樹脂層と上記コア基板本体下面と
を、または、上記コンデンサ下面上の充填樹脂層とコア
基板本体下面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整
面する研磨整面工程を備えることを特徴とするコンデン
サ内蔵コア基板の製造方法とすると良い。

【００４１】本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方
法では、コンデンサをコンデンサ内蔵用貫通孔内に内蔵
し、さらに充填樹脂で固定するほか、少なくともコンデ
ンサ上面及びコンデンサ下面にも充填樹脂を塗布し硬化
させる。さらに、研磨により複数の上面接続パッドを略
面一に露出させ、しかも、コンデンサ上面上の充填樹脂
層とコア基板本体上面とを、または、コンデンサ上面上
の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、
略面一の平坦面に整面する。また、研磨により複数の下
面接続パッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ
下面上の充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、
コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の
充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する。その後に
コアスルーホール導体を形成する。

【００４２】このため、コア基板本体上面及びコンデン
サ上面の上方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を形
成する際に、コア基板本体上面の上方とコンデンサ上面
の上方との間で段差を生じない。また同様に、コア基板
本体下面及びコンデンサ下面の下方に１または複数の樹
脂絶縁層や配線層を形成する際に、コア基板本体下面の
下方とコンデンサ下面の下方との間で段差を生じない。
このため、樹脂絶縁層や配線層などを容易に形成するこ
とができ、あるいは、各配線層の断線やショート等の不
具合の発生を抑制することができる。さらに、ＩＣ接続
端子や下面接続端子のコプラナリティを小さく抑えるこ
とができ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性も良好
にできる。

【００４３】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の配線基板
等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に示す本発明のコンデンサを内蔵した配線基板１０
０は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１０
０Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ
接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成
され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダ
からなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成
されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザー
ボードなどの他の配線基板と接続するための下面接続端
子であるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さ
らにこの配線基板１００は、コンデンサ２０を内蔵する
コア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁
層４１，４２，４３，５１，５２，５３、さらに、これ
らの層間に及びこれらの樹脂絶縁層を貫通して形成され
た各配線層６０，７０，８０，９０を備える。

【００４４】このうち、コア基板本体１０は、略正方形
板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その
略中央にはコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面
１０Ｂとの間を貫通する平面視略正方形状のコンデンサ
内蔵用貫通孔（以下、単に貫通孔ともいう）１１を備え
る。このコンデンサ内蔵用貫通孔１１のうち、コア基板
本体下面１０Ｂ側に端部には、貫通孔１１の軸方向（図
中上下方向）に直交する貫通孔１１の径方向（平面方
向、図中左右方向）に、貫通孔１１内に向けて突出する
コンデンサ受け部（以下、単に受け部ともいう）１２が
貫通孔１１の周囲にわたって形成されている。また、こ
の貫通孔１１内には、コンデンサ２０が内蔵されてい
る。さらに、このコア基板本体１０の周縁部には、コア
基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を
貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成されてい
る。

【００４５】コンデンサ２０は、図２（ａ）の平面図、
及び図２（ｂ）の下面側から見た斜視図に示すように、
高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ₃ を主成
分とする誘電体層２４とＰｄを主成分とする電極層２５
とを交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコン
デンサである。ただし、図２（ｂ）から判るように、コ
ンデンサ下面２０Ｂの周囲は、中央に正方形状の領域を
残して、切り欠き部２０Ｐにより階段状に１段低位とさ
れて、後述するようにコア基板本体１０のコンデンサ受
け部１２との当接面２０Ｃが形成されている。つまり、
コンデンサ２０は、その下面２０Ｂにおいて、略凸字状
の形状とされている。また、このコンデンサ２０は、チ
ップコンデンサなどに用いられ、積層された誘電体層及
び電極層の側面からコンデンサの両極をなす２つの電極
（共通電極）を取り出す通常の積層セラミックコンデン
サとは、接続のための電極の取り出し方が異なる。即
ち、図２（ｃ）に示すように、コンデンサ上面２０Ａ及
びコンデンサ下面２０Ｂに、それぞれ多数の上面接続パ
ッド２１（図２（ｃ）では、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ）
及び下面接続パッド２２（図２（ｃ）では、２２Ａ，２
２Ｂ，２２Ｃ）を備えており、これらのパッド２１，２
２によって、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面
２０Ｂ内で、図図２（ｃ）中上方あるいは下方に接続可
能になっている。

【００４６】コンデンサ２０の電極層２５は、図２
（ｃ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体２
６Ｅ、２６Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電
極層の群２５Ｅ，２５Ｆに分けられている。しかも、電
極層の群２５Ｅ，２５Ｆは互いに絶縁されている。した
がって、各誘電体層２４を挟んで対向する２つの電極群
２５Ｅ，２５Ｆは、コンデンサ２０の２つの電極をな
す。また、上面接続パッド２１の一部（図中右及び左の
パッド２１Ａ，２１Ｃ）は、この電極層２５のうち最も
上方に位置し一方の電極群２５Ｅに属するトップ電極層
２５ＥＴと、誘電体層２４のうち最も上方に位置するト
ップ誘電体層２４Ｔを貫通するビア導体２７Ｅによって
接続している。また、上面接続パッド２１の他の一部
（図中中央のパッド２１Ｂ）は、上記トップ電極層２５
ＥＴより下層に位置し他方の電極群２５Ｆに属する電極
層２５と、ビア導体２７Ｆ及び２６Ｆによって接続して
いる。このように、多数の上面接続パッド２１は、コン
デンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆ
のいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群
２５Ｅ，２５Ｆのいずれも複数の上面接続パッド２１の
うちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の
上面接続パッド２１のうちある上面接続パッド２１（例
えば、２１Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続してい
る。またある上面接続パッド２１（例えば、２１Ｂ）
は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コ
ンデンサ２０の上方から、上面接続パッド２１を通じ
て、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通する
ことができる。

【００４７】同様に、下面接続パッド２２の一部（図中
右及び左のパッド２２Ａ，２２Ｃ）は、電極層２５のう
ち最も下方のボトム電極層２５ＦＤより上層に位置し、
一方の電極群２５Ｅに属する電極層２５と、誘電体層２
４のうち最も下方に位置するボトム誘電体層２４Ｄを貫
通するビア導体２８Ｆ及び２６Ｆによって接続してい
る。また、下面接続パッド２２の他の一部（図中中央の
パッド２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆに属する上記ボ
トム電極層２５ＦＤと、ビア導体２８Ｆによって接続し
ている。このように、多数の下面接続パッド２２は、コ
ンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５
Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極
群２５Ｅ，２５Ｆのどちらもが下面接続パッド２２の少
なくともいずれかと接続している。つまり、多数の下面
接続パッド２２のうちある下面接続パッド２２（例え
ば、２２Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。
またある下面接続パッド２２（例えば、２２Ｂ）は、他
方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデン
サ２０の下方から、下面接続パッド２２を通じて、一対
の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することがで
きる。なお、図２（ｂ）に示して上述したように、下面
接続パッド２２が形成されるボトム誘電体層２４Ｄは、
他の誘電体層２４よりも平面方向（図中左右方向）の大
きさが小さくされることにより、切り欠き部２０Ｐが構
成され、これによってその周囲には、１層上方の誘電体
層２４が露出して上述の当接面２０Ｃが形成される。ま
た、ボトム電極層２５ＦＤもボトム誘電体層２４Ｄの形
状に合わせ、電極群２５Ｆに属する他の電極層よりも平
面方向に小さな寸法とされている。

【００４８】そして、図１に示すように、コンデンサ２
０の切り欠かれて凸字状となったコンデンサ下面２０Ｂ
近傍が、コンデンサ受け部１２の内周縁１２Ｈに嵌合し
ている。このため、当接面２０Ｃと受け部１２の内向き
面１２Ｓ（図中上面）とが当接することで、コンデンサ
２０の図中上下方向の位置決めが、また、受け部貫通孔
１２Ｈが切り欠き部２０Ｐと嵌合することで、径方向
（平面方向、図中左右方向）の位置決めが行われる。さ
らに、このコンデンサ２０は、エポキシ樹脂からなる充
填樹脂３２によってコンデンサ内蔵用貫通孔１１内に固
定されて、コア基板本体１０と一体となっている。これ
により、コア基板本体１０に内蔵されたコンデンサ２０
は、図中上方には上面接続パッド２１で、図中下方には
下面接続パッド２２ででそれぞれ接続可能になってい
る。

【００４９】さらに、コア基板本体上面１０Ａ及びコン
デンサ上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分と
する３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。
一方、コア基板本体下面１０Ｂ及びコンデンサ下面２０
Ｂの下方には、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５
２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の
層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞ
れ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキか
らなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下
部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２
と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２
をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形
成されている。

【００５０】このうち、上部樹脂絶縁層４１，４２，４
３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫
通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応する
コンデンサ２０の上面接続パッド２１とをそれぞれ結ぶ
配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構
成する。また、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層
間、及上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、
フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスル
ーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６
は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、下部樹脂
絶縁層５１，５２，５３の層間、及び上部樹脂絶縁層５
１，５２をそれぞれ貫通して、下面接続パッド２２とこ
れに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線
層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成す
る。また、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及
び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、コア
スルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１
０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接
続配線９０を構成する。

【００５１】これにより、フリップチップバンプ１０２
に接続されたＩＣチップ１は、フリップチップパッド１
０１、上部コンデンサ接続配線６０、上面接続パッド２
１を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２
５Ｆとそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧＡパ
ッド１０３は、下部コンデンサ接続配線７０、下面接続
パッド２２を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２
５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続している。したがって、図
２（ｄ）に示すように、フリップチップパッド１０１と
ＬＧＡパッド１０３との間を結び、一方の電極群２５Ｅ
と接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデ
ンサ接続配線７０と、同じく他方の電極群２５Ｆと接続
する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接
続配線７０との間に、コンデンサ２０が挿入された状態
となる。

【００５２】このため、ＬＧＡパッド１０３に接続した
マザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位
は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線
７０、コンデンサ２０、上部コンデンサ接続配線６０、
フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１
０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるよ
うになる。さらに、コンデンサ２０により電源電位や接
地電位に重畳されるノイズを除去することができる。し
かも、コンデンサ２０は、コア基板本体１０に内蔵され
ているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することが
できるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短く
できる。したがって、コンデンサ２０によるノイズ除去
能力をより高めることができる。特に、本実施形態で
は、コンデンサ２０を、ＩＣチップ１の直下に、したが
って、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構
造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをご
く短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１と
コンデンサ２０との距離をごく短くすることができるか
ら、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノ
イズ除去に有効となる。

【００５３】また、上部コンデンサ接続配線６０は多数
形成され、多数のフリップチップパッド１０１と多数の
上面接続パッド２１との間を並列に接続している。した
がって、多数の上部コンデンサ接続配線６０が形成され
ることにより、全体として、ＩＣチップ１（フリップチ
ップパッド１０１）とコンデンサ２０とを結ぶ上部コン
デンサ接続配線６０の持つ抵抗やインダクタンスも、小
さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。同
様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成され、多
数のＬＧＡパッド１０３と多数の下面接続パッド２２と
の間を並列に接続している。したがって、多数の下部コ
ンデンサ接続配線７０が形成されることにより、全体と
して、ＬＧＡパッド１０３とコンデンサ２０とを結ぶ下
部コンデンサ接続配線７０の持つ抵抗やインダクタンス
も、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利とな
る。

【００５４】一方、信号線などコンデンサ２０に接続し
ないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線
８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コ
ア基板本体１０を貫通して、下部コア接続配線９０から
ＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホ
ール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアッ
プ配線基板と同様である。このように、本実施形態の配
線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにコンデン
サ２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信
号線等については、従来と同様の構造にすることができ
る。

【００５５】なお、上記では、コンデンサ２０として、
ボトム誘電体層２４Ｄを１層のみの平面寸法を小さくし
たことにより切り欠き部２０Ｐを設けたものを示した
が、コンデンサ下面２０Ｂ側の複数層の誘電体層につい
て平面寸法を小さくすることにより、切り欠き部２０Ｐ
の段差を大きくすることができる。また、ボトム誘電体
層２４Ｄの厚さを他の誘電体層２４より厚くすることに
より、あるいは複数の誘電体層について厚さを変えるこ
とによっても切り欠き部２０Ｐの段差を大きくすること
ができる。

【００５６】次いで、上記配線基板１００の製造方法に
ついて、個別の部材であるコンデンサ２０、コア基板本
体１０の製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ
２０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート
製造技術により、ＢａＴｉＯ₃ 粉末を主成分とする高誘
電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートとも
いう）１２４を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示
すように、このシート１２４の所定位置に、その表裏面
１２４Ａ，１２４Ｂ間を貫通するビア孔１２４Ｈをパン
チングにより形成する。

【００５７】さらに、図３（ｃ）に示すように、各シー
ト１２４のビア孔１２４Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填し
て未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８を形成し、さ
らに、各シート１２４の上面１２４Ａ側に、Ｐｄペース
トからなる所定形状の未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆ
を形成する。このうち、一方の未焼成電極層１２５Ｅ
は、図３（ｃ）において３つ形成した未焼成ビア導体１
２６，１２７のうち、左右２つと接続し、中央の未焼成
ビア導体１２６，１２７とは接続しないパターンに形成
されている。他方の未焼成電極層１２５Ｆは、これとは
逆に、３つ形成した未焼成ビア導体１２６のうち、中央
の未焼成ビア導体１２６と接続し、左右のものとは接続
しないパターンに形成されている。

【００５８】なお、未焼成ビアパッド１２５Ｅあるいは
１２５Ｆと接続しないビア１２６，１２７については、
後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接
触、導通させるため、各未焼成ビア導体１２６，１２７
の上方に、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと同時にカ
バーパッド１２９を形成しておくと良い。また、次述す
る積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１２４Ｄ
は、他の未焼成誘電体層１２４よりもやや小さな寸法に
形成しておき、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいず
れも形成せず、各未焼成ビア導体１２８の上方に、カバ
ーパッド１２２のみを形成するようにしている。さら
に、次述するようにこの未焼成誘電体層１２４Ｄと圧着
される未焼成電極層についても、他の未焼成電極層１２
５Ｆよりも外形をやや小さくした未焼成電極層１２５Ｆ
Ｄとしておく。

【００５９】次いで、図３（ｄ）に示すように、未焼成
電極層１２５Ｅが積層されたシート１２４と、１２５Ｆ
（１２５ＦＤ）が積層されたシート１２４とを、交互に
積み重ねるようにして積層する。そして、最も上には、
未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、
カバーパッド１２２のみを形成したシート１２４Ｄを積
層し、これらを圧着して積層体１２０を形成する。これ
により、未焼成誘電体層１２４と未焼成電極層１２５
Ｅ，１２５Ｆとは、交互に積層され、しかも、未焼成電
極層１２５Ｅと１２５Ｆとは互いに１層おきに配置され
た状態となる。また、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｅ
はそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互
いに接続され、同様に、未焼成電極層１２５Ｆ，１２５
Ｆもそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、
互いに接続される。その上、未焼成電極層１２５Ｅの群
と１２５Ｆの群とは、接触することはなく、互いに絶縁
された状態となる。さらに、未焼成誘電体層１２４Ｄの
平面寸法のみを他の未焼成誘電体層１２４より小さくし
たことにより、この積層体１２０の図中上面周囲には、
階段状の切り欠き部１２０Ｐが形成される。

【００６０】その後、この積層体１２０を上下反転させ
て、未焼成ビア導体１２７が露出する積層体１２０の上
面にカバーパッドを形成した上で、この積層体１２０を
焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ２０を形
成する。コンデンサ２０をこのようにして形成したの
で、例えば、焼成後に誘電体層２４の側面に電極層２５
Ｅ、あるいは２５Ｆと接続するための共通電極を形成す
る必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用す
ることができる。なお、ビア導体２６，２７，２８（未
焼成ビア導体１２６，１２７，１２８）は、上層や下層
のビア導体の位置や隣り合うビア導体２４との間隔等を
考慮すれば、誘電体層２４の面内いずれの位置にも形成
できる。

【００６１】したがって、上部コンデンサ接続配線６０
や下部コンデンサ接続配線７０の引き回しの容易さ、上
部コンデンサ接続配線６０に接続するフリップチップパ
ッド１０１の数や、下部コンデンサ接続配線７０に接続
するＬＧＡパッド１０３の数などに応じて、上面接続パ
ッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に
選択して形成することができる。なお、Ｐｄからなる上
面接続パッド２１あるいは下面接続パッド２２は、Ｃｕ
からなる配線層４５との接続性あるいはハンダ付け性等
を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッキ等を施し
ておくこともできる。また、上面接続パッド２１、及び
／または、下面接続パッド２２の周囲には、公知の手法
により、セラミックや樹脂などからなるソルダーレジス
ト層を形成しておくこともできる。

【００６２】完成したコンデンサ２０は、ショートの有
無、静電容量値、電極群２５Ｅと２５Ｆとの間の絶縁抵
抗値、各上面接続パッド２１及び各下面接続パッド２２
と、電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェ
ック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデン
サ２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合
のあるコンデンサ２０を使用する危険性を減少させるこ
とができる。

【００６３】次いで、コア基板本体１０およびその製造
方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、コ
ンデンサ２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。
即ち、図４（ａ）（ｂ）に示すコア基板本体１０は、平
面視略正方形板状で、略中央に略正方形状の貫通孔１１
を有する。この貫通孔１１は、その下端近傍でやや径小
にされていることにより、コア基板上面１０Ａ側から平
面視すると、貫通孔１１内には、これよりやや小さな略
正方形状の貫通孔（内周縁）１２Ｈを持つコンデンサ受
け部１２が露出している。このコア基板本体１０は、図
４（ｂ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａとコア
基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エポキシ樹脂複
合材料からなる受け部用コア基板本体１３と、同じくガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部用コア基板本
体１６とが、接着層１７で接着されて形成されている。
コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの
間には、壁部用コア基板本体１６を貫通する貫通孔１６
Ｈと、受け用コア基板本体１３を貫通し、上記貫通孔１
６Ｈよりもやや径方向寸法の小さな貫通孔１３Ｈとで、
コンデンサ内蔵用貫通孔１１が形成されている。

【００６４】このため、貫通孔１１の図中下端側では、
貫通孔１３Ｈの周縁近傍が貫通孔１６Ｈよりも平面方向
（図中左右方向）内側に向けて突出して、内周縁１２Ｈ
（貫通孔１３Ｈ）を有するコンデンサ受け部１２を構成
している。コンデンサ受け部１２の内向き面（図中上
面）１２Ｓは、上記したコンデンサ２０を内蔵させた際
に、コンデンサ２０の当接面２０Ｃと当接することで、
コンデンサ２０の貫通孔１１内での軸方向（上下方向）
の位置決めをすることができる。また、コンデンサ受け
部１２、さらにいえばその内周縁１２Ｈは、コンデンサ
２０の切り欠き部２０Ｐと嵌合することで、コンデンサ
２０の貫通孔１１内での平面方向（左右方向）の位置決
めをすることができる。一方、コンデンサ受け部１２の
外向き面（図中下面）１２Ｔは、コア基板本体下面１０
Ｂと一致する。

【００６５】なお、このコア基板本体１０には、そのコ
ア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間
を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていな
い。コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の
貫通孔１１内に、上述のコンデンサ２０を内蔵、固定し
てから形成するからである。

【００６６】このコア基板本体１０は、以下のようにし
て製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラ
ス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その受け部用コア
基板本体上面１３Ａと受け部用コア基板本体下面１３Ｂ
とを有し、中央に略正方形状の貫通孔１３Ｈを有する受
け部用コア基板本体１３を用意する。なお、貫通孔１３
Ｈは、次述する貫通孔１６Ｈよりやや小さな寸法にして
おく。この貫通孔１３は、公知の手法によって形成すれ
ば良く、例えば、ドリル、パンチング、レーザ等が挙げ
られる。

【００６７】一方、図５（ｂ）に示すように、同じくガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記受け部用コ
ア基板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を
用意する。この壁部用コア基板本体１６にも、予め上記
貫通孔１１に対応した中央の位置に、略正方形状の貫通
孔１６Ｈをパンチング等により形成しておく。

【００６８】次いで、図５（ｃ）に示すように、受け部
用コア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面
１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、貫通孔１
６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７Ｒ
を介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１
３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示す
コア基板本体１０が作成できる。

【００６９】本実施形態のように、受け部１２を有する
貫通孔１１を備えたコア基板本体１０を作成するのに、
予め貫通孔１３Ｈの内周近傍が受け部１２となる受け部
用コア基板本体１３と、受け部１２以外の径大部、つま
り貫通孔１１の大半を構成する壁部用コア基板本体１６
とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、
受け部１２を有する貫通孔１１を公知の手法によって容
易かつ正確な寸法で形成できる。したがって安価にコア
基板本体１０を形成することができる。

【００７０】次いで、このコア基板本体１０にコンデン
サ２０を内蔵させ、コアスルーホール導体３３を形成す
る工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コ
ア基板本体１０の貫通孔１１内に、上述のコンデンサ２
０をコンデンサ下面２０Ｂを下にして配置する。すると
上記したように、コンデンサ２０の当接面２０Ｃが受け
部１２の内向き面１２Ｓに当接し、さらに、受け部１２
と、さらにいえばその内周縁１２Ｈと切り欠き部２０Ｐ
とが嵌合して、コンデンサ２０の貫通孔１１内での上下
方向及び平面方向の位置決めができる。

【００７１】その後、図６（ｂ）に示すように、貫通孔
１１内の他、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上
面２０Ａ上、コア基板本体下面１０Ｂ及びコンデンサ下
面２０Ｂ上（図中下方）に、エポキシ樹脂を主成分とす
る充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させる。これによ
り、コンデンサ２０が受け部１２に当接、嵌合しつつ、
貫通孔１１内において充填樹脂３２（３２Ａ）で固定さ
れて、コア基板本体１０に内蔵され、熱や振動等が掛か
った場合にも、コア基板本体１０とコンデンサ２０との
間の位置ズレが生じる等の不具合が防止される。

【００７２】さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基
板本体上面１０Ａ上及びコンデンサ上面２０Ａ上の充填
樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッ
ド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１
と、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０
Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整
面する。同様に、コア基板本体下面１０Ｂ上及びコンデ
ンサ下面２０Ｂ上の充填樹脂層３２Ｄ，３２Ｅを平面に
研磨して、下面接続パッド２２を露出させると共に、こ
の下面接続パッド２２と、コンデンサ下面２０Ｂ上及び
コア基板本体下面１０Ｂ上に残した充填樹脂層３２Ｄ，
３２Ｅとを略面一に整面する。このようにして製作した
コンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体１０に貫通
孔１１を形成し、その中にコンデンサ２０を内蔵させた
ことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する樹脂
絶縁層４１，５１等や配線層４５，５５等が段差によっ
て歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなく
なる。また、フリップチップパッド１０１（あるいはフ
リップチップバンプ１０２）やＬＧＡパッド１０３への
段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０
１やＬＧＡパッド１０３等のコプラナリティも良好にで
きる。

【００７３】さらに、図７に示すように、このコア基板
本体１０の貫通孔１１の周縁に、コア基板本体上面１０
Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹
脂層３２Ｃの上面３２ＣＵと充填樹脂層３２Ｅの下面３
２ＥＤとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをド
リルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくした
い場合などでは、レーザ（ＣＯ₂，ＹＡＧ等）で穿孔す
ると良い。

【００７４】次いで、公知のスルーホール導体形成手法
によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周
縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成す
る。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及び充填樹脂層下面
３２ＥＤには、コアスルーホール導体３３から延在して
配線層４５，５５と接続するための接続配線３４，３５
も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面
接続パッド２１、及び充填樹脂層３２Ｄと面一にした下
面接続パッド２２も、Ｃｕメッキによってその厚さを増
して充填樹脂層３２Ｂより上方、または充填樹脂層３２
Ｄより下方に突出した状態とする。このようにして、コ
ンデンサ内蔵コア基板（以下、単にコア基板ともいう）
３０を作成する。

【００７５】このコア基板３０は、コア基板本体１０の
他、コンデンサ２０をその貫通孔１１に内蔵している。
しかし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２Ｃ
Ｕ）やコア基板３０Ｂ（充填樹脂層下面３２ＥＤ）に
は、所定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール
導体３３、あるいは、上面接続端子２１や下面接続端子
２２、接続配線３４，３５が形成されており、コア基板
上面３０Ａ及びコア基板下面３０Ｂは平坦にされてい
る。したがって、コンデンサを内蔵しない通常の配線基
板に用いるコア基板と同様に用いることができる。

【００７６】コアスルーホール導体３３の具体的な製造
方法は、例えば以下のようである。即ち、まずコア基板
本体１０（図６（ｃ）参照）にスルーホール孔３０Ｈを
穿孔後、その全面に無電解Ｃｕメッキを施して、スルー
ホール孔３０Ｈ内、充填樹脂層上面３２ＣＵ、及び充填
樹脂層下面３２ＥＤに無電解Ｃｕメッキ層を形成する。
その後、充填樹脂層上面３２ＣＵ上、及び充填樹脂層下
面３２ＥＤ上（図中下方）に、ドライフィルムを貼り、
露光現像してコアスルーホール孔の周縁など電解メッキ
形成部分を開口させる。さらに、無電解Ｃｕメッキ層を
共通電極として電流を流して電解Ｃｕメッキを施し、ド
ライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層
をソフトエッチングで除去してコアスルーホール導体３
３、接続配線３４，３５等を形成する。なお、上面接続
パッド２１及び下面接続パッド２２にも無電解Ｃｕメッ
キ及び電解Ｃｕメッキを施す。

【００７７】その他、本実施形態では、コアスルーホー
ル導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁
に形成された略円筒形状に形成したが、その内部に充填
用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにし
ても良い。このようにすれば、接続配線３４，３５を介
さず、配線層４５，５５とコアスルーホール導体３３と
を直接接続することができるので、コアスルーホール導
体３３の間隔を高密度に形成することができる。

【００７８】なお、この状態、即ち、後述するようにこ
のコンデンサ２０を内蔵したコア基板３０に樹脂絶縁層
や配線層を形成する前に、内蔵したコンデンサ２０の特
性検査を行うと良い。コア基板３０に内蔵された状態
で、コンデンサ２０の、ショートの有無、静電容量値、
一対の電極群２５Ｅと２５Ｆと間の絶縁抵抗値、各上面
接続パッド２１及び各底面スルーホール導体１２と、各
電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック
等、各種の検査を行い、不具合のあるコンデンサ２０が
内蔵されたコア基板３０は廃棄する。これにより、後述
するように工数の掛かる樹脂絶縁層や配線層を形成した
後に、コンデンサ２０に不具合があることが判明するこ
とで、付加価値の高い配線基板１００全体を廃棄せざる
を得なくなる危険性を減少させることができる。

【００７９】その後は、このコア基板３０を用いて、公
知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂
絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すれば
よい。なお、本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前
に、以下の処理を行う。即ち、図８（ａ）に示すよう
に、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層
３２Ｂ，３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線
３４の上方、また、充填樹脂層３２Ｄ，３２Ｅの下方や
下面接続パッド２２、接続配線３５の下方にエポキシ樹
脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８を、充填
塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスルーホール
導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化させた後
に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させても良
い。

【００８０】さらに、図８（ｂ）に示すように、平坦化
樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にす
る。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホー
ル導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面
一に露出させる。また、下面接続パッド２２、コアスル
ーホール導体３３及び接続配線３５を平坦化樹脂層３８
と略面一に露出させる。これにより、上面接続パッド２
１や下面接続パッド２２、コアスルーホール導体３３、
接続配線３４，３５等が、コア基板上面３０Ａあるいは
コア基板下面３０Ｂから突出して形成されているため
に、その上下に形成する樹脂絶縁層４１，５１等あるい
は配線層４５，５５等が受ける影響を無くすことができ
る。したがって、配線層４５等の断線やショートの防
止、あるいは、フリップチップパッド１０１やＬＧＡパ
ッド１０３等のコプラナリティの向上を図ることができ
る。

【００８１】以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及
び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主
成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光
現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、下面接
続パッド２２、接続配線３４，３５等が露出するビアホ
ール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、感光性フィルムを硬
化させて、図９（ａ）に示すように、樹脂絶縁層４１，
５１をそれぞれ形成する。なお、樹脂絶縁層４１，５１
を感光性のない樹脂で形成した後に、レーザ（ＣＯ₂ ，
ＹＡＧ等）を用いてビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを穿
孔するようにしても良い。

【００８２】さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライ
フィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分
のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開
口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除
去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチン
グにより除去する。これにより、図９（ｂ）に示すよう
に、ビアホール４１ＶＨ、５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４
１，５１をそれぞれ貫通し、上面接続パッド２１や下面
接続パッド２２等とそれぞれ接続するビア部４５Ｖ，５
５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁されて形
成される。なお、この配線層４５，５５は、さらに上部
に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁層４１
と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に配置さ
れることになる。

【００８３】以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５
２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０
１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に
形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップ
チップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフロー
することで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０
２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１
００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面に
は、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても
良い。

【００８４】本実施形態においては、コア基板本体１０
の貫通孔１１内にコンデンサ２０を内蔵させ充填樹脂３
２で固定した後に、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃ，３２
Ｄ，３２Ｅの上面または下面を研磨し整面した。さら
に、コアスルーホール導体３３等を形成した後にも、平
坦化樹脂層３７，３８の上面または下面を研磨して整面
した。このため、コンデンサ２０を貫通孔１１内に内蔵
させたことによって生じる段差を解消し、さらには、コ
アスルーホール導体３３や上面接続パッド２１等の突出
による段差も解消したので、配線層４５，５５等の断線
やショート、さらには、フリップチップパッド１０１や
フリップチップバンプ１０２、ＬＧＡパッド１０３のコ
プラナリティも向上させることができる。

【００８５】また本実施形態では、上述のように樹脂絶
縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹
脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形
成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディ
ティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等
を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線
層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ
法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいず
れの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等
を形成しても良い。

【００８６】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
にかかる配線基板２００ついて、図１０を参照しつつ説
明する。前記実施形態１の配線基板１００では、コンデ
ンサ２０を内蔵するコア基板本体１０の貫通孔１１に形
成された受け部１２が、貫通孔１１の図中下方端部に形
成されていた。これに対して、本実施形態の配線基板２
００では、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２
１０のコンデンサ内蔵用貫通孔２１１のうち、図中上方
端部にコンデンサ受け部２１２が形成されている点で異
なる。また、コンデンサ２２０の上面２２０Ａ側に当接
面２２０Ｃ及び切り欠き部２２０Ｐが形成され、受け部
２１２の内向き面（図中下面）２１２Ｓと当接面２２０
Ｃとが当接し、受け部２１２に切り欠き部２２０Ｐが嵌
合している点で異なる。さらに、コア基板本体上面２１
０Ａのうち受け部２１２の外向き面（図中上面）２１２
Ｔにまで接続配線２３４が延設されている点で異なる
が、その他は同様であるので、異なる部分を中心に説明
し、同様な部分については説明を省略あるいは簡略化す
る。

【００８７】配線基板２００は、その配線基板上面２０
０Ａに、破線で示すＩＣチップ１との接続用のフリップ
チップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２が
多数形成されている。一方、配線基板下面２００Ｂに
は、ＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらに
この配線基板２００は、コンデンサ２２０を内蔵するコ
ア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁
層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層
間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６
０，７０，８０，９０を備える。

【００８８】このうち、コア基板本体２１０は、平面視
略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からな
り、その略中央にはその上下を貫通する平面視略正方形
のコンデンサ内蔵用貫通孔２１１を備える。この貫通孔
２１１の図中上方端部には、貫通孔２１１の径方向内側
に向けて突出し、その内周縁２１２Ｈが略正方形状とさ
れたコンデンサ受け部２１２が形成されている。また、
この貫通孔２１１内には、コンデンサ２２０が内蔵され
ている。また、このコア基板本体２１０の周縁部には、
コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂ
との間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形
成されている。また、コア基板本体上面２１０Ａには、
コアスルーホール導体２３３から受け部２１２の上面２
１２Ｔまで延びる接続配線２３４が形成されている。一
方、コア基板本体赤面２１０Ｂには、コアスルーホール
導体２３３から延びる接続配線２３５が形成されてい
る。

【００８９】コンデンサ２２０は、実施形態１で説明し
たコンデンサ２０と同様の材質、構造を有する、但し、
コンデンサ２０とちょうど上下反転させた形状、即ち、
当接面２２０Ｃおよび切り欠き部２２０Ｐがコンデンサ
上面２２０Ａ側に形成された積層セラミックコンデンサ
である（図２（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。つまり、コン
デンサ上面２２０Ａの周囲は、階段状の切り欠き部２２
０Ｐとされ、一段低位にされて当接面２２０Ｃを構成す
る。なお、コンデンサ２０と同様に、コンデンサ上面２
２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂには、それぞれ多数
の上面接続パッド２２１及び下面接続パッド２２２を備
えており、これらのパッド２２１，２２２によって、コ
ンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂ内
で、図中上方あるいは下方に接続可能になっている。こ
れにより、コア基板本体２１０に内蔵されたコンデンサ
２２０は、図中上方には上面接続パッド２２１で、図中
下方には下面接続パッド２２２で、それぞれ接続可能に
なっている。さらに、このコンデンサ２２０は、エポキ
シ樹脂からなる充填樹脂２３２によって貫通孔２１１内
に固定されて、コア基板本体２１０と一体となってい
る。

【００９０】さらに、実施形態１と同様に、コア基板本
体上面２１０Ａ及びコンデンサ上面２２０Ａの上方に
は、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層
４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面２
１０Ｂ及びコンデンサ下面２２０Ｂの下方にも、同じく
３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さら
に上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層
４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，
４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６
が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２
の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それ
ぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキ
からなる配線層５５，５６が形成されている。

【００９１】このうち、フリップチップパッド１０１と
これに対応する上面接続パッド２２１とをそれぞれ結ぶ
配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構
成し、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコ
アスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，
４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、コン
デンサ２０の下面接続パッド２２２とこれに対応するＬ
ＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６
は、下部コンデンサ接続配線７０を構成し、コアスルー
ホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３と
をそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線
９０を構成する。

【００９２】これにより、フリップチップバンプ１０２
に接続されたＩＣチップ１は、コンデンサ２２０の一対
の電極群とそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧ
Ａパッド１０３は、コンデンサ２２０の一対の電極群と
それぞれ接続している。このため、ＬＧＡパッド１０３
に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及
び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデン
サ接続配線７０、コンデンサ２２０、上部コンデンサ接
続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチ
ップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給するこ
とができるようになる。さらに、コンデンサ２２０によ
り電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去するこ
とができる。

【００９３】しかも、コンデンサ２２０は、コア基板本
体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近
くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配
線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２
２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。
特に、本実施形態では、コンデンサ２２０を、ＩＣチッ
プ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０
１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接
続配線６０の長さをごく短くすることができる。したが
って、ＩＣチップ１とコンデンサ２２０との距離をごく
短くすることができるから、この間でノイズが重畳され
ることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。

【００９４】また、上部コンデンサ接続配線６０は並列
に多数形成されている。また同様に、下部コンデンサ接
続配線７０も多数形成されている。このため、全体とし
て、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続
配線７０の持つ抵抗やインダクタンスも小さくなり、こ
の点からもノイズ除去に有利となる。

【００９５】一方、信号線などコンデンサ２２０に接続
しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線
８０、接続配線２３４を通じて、コアスルーホール導体
３３に接続し、コア基板本体２１０を貫通して、下部コ
ア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。こ
の構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用い
た通常のビルドアップ配線基板と同様である。このよう
に、本実施形態の配線基板２００でも、ＩＣチップ１の
ごく近くにコンデンサ２２０を内蔵して、有効にノイズ
を除去すると共に、信号線等については、従来と同様の
構造にすることができる。しかも、本実施形態では、接
続配線２３４が受け部２１２の外向き面（図中上面）２
１２Ｔまで延在しているものもある。このような接続配
線２３４を形成すると、上面接続パッド２２１の近傍で
も上部コア接続配線８０と接続ができるようになり、配
線の自由度をさらに向上させることができる。

【００９６】なお、この配線基板２００は、実施形態１
のコンデンサ２０や配線基板本体１０と同様のコンデン
サ２２０やコア基板本体２１０を製作し、コア基板本体
２１０にコンデンサ２２０を内蔵させ、上下反転させた
上で実施形態１と同様に樹脂絶縁層４１等や配線層４５
等を形成すれば製作できるので、その詳細な説明を省略
する。

【００９７】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、コア基板本体１０、さらにいえば、受け部用コア
基板本体１３及び壁部用コア基板本体１６の材質とし
て、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基
板本体としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の
容易さ等を考慮して選択すればよい。したがって、例え
ば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラ
ス繊維−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊
維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど
３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂
を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることがで
きる。

【００９８】また、樹脂絶縁層４１等として、エポキシ
樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン
成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有する
ＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ
樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げ
られる。同様に、配線層４５等を、無電解Ｃｕメッキ及
び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、
例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、
さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の
手法によって配線層４５等を形成しても良い。

【００９９】上記実施形態では、ＩＣチップ１との接続
のために、配線基板上面１００Ａ，２００Ａにフリップ
チップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２を
多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続する
ＩＣチップに形成され端子に応じて、適切な形態のもの
を選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したも
のの他、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、
ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形
成したものなどが挙げられる。

【０１００】上記実施形態では、コア基板本体の略中央
に貫通孔を１つ設けたものを示したが、略中央に形成す
る必要はなく、また、必要に応じて貫通孔を複数設けて
コンデンサを内蔵するようにしても良い。また逆に、複
数の電源電位に対応するなどのため、１つの貫通孔内
に、複数のコンデンサを内蔵するようにしても良い。ま
た、コンデンサ２０として、コンデンサ上面２０Ａやコ
ンデンサ下面２０Ｂに略平行に誘電体層２４及び電極層
２５を積層した積層セラミックコンデンサを示した。し
かし、内蔵させるコンデンサは、コンデンサ上面２０Ａ
やコンデンサ下面２０Ｂに上面接続パッド２１や下面接
続パッド２２が形成されたもので有ればよく、例えば、
誘電体層や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に
積層されているなど、コンデンサの積層方向や内部構造
は適宜変更することができる。また、上記実施形態１で
は、コンデンサ内に形成したビア導体２６，２７，２８
は、いずれも他のビア導体と上下方向に重なった位置に
形成されたものを示したが（図２（ｃ）参照）、他のビ
ア導体が上方あるいは下方にある位置に限定する必要は
なく、各ビア導体２６等の配置あるいはその数は、適宜
選択することができる。

【０１０１】さらに、上記実施形態では、誘電体層２４
にＢａＴｉＯ₃ を主成分とする高誘電体セラミックを用
いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、
ＰｂＴｉＯ₃，ＰｂＺｒＯ₃，ＴｉＯ₂，ＳｒＴｉＯ₃，Ｃ
ａＴｉＯ₃，ＭｇＴｉＯ₃，ＫＮｂＯ₃，ＮａＴｉＯ₃，Ｋ
ＴａＯ₃，ＲｂＴａＯ₃，（Ｎａ_1/2Ｂｉ_1/2）ＴｉＯ₃，
Ｐｂ（Ｍｇ_1/2Ｗ_1/2）Ｏ₃，（Ｋ_1/2Ｂｉ_1/2）ＴｉＯ₃な
どが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他
に応じて適宜選択すればよい。また、電極層２５やビア
導体２６等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等と
の適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙
げられる。さらに、高誘電体セラミックを主成分とする
誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣ
ｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを
複合させてコンデンサとしたものを用いることもでき
る。

【０１０２】また、上記実施形態では、貫通孔１１内に
コンデンサ２０を内蔵した後、貫通孔１１内に充填樹脂
３２（３２Ａ）を充填したほか、コンデンサ上面２０Ａ
上及びコア基板本体上面１０Ａ上や、コンデンサ下面２
０Ｂ上及びコア基板本体下面１０Ｂ上（図中下方）に
も、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅを形成
した（図６参照）。しかし、少なくとも充填樹脂３２
（３２Ａ）でコンデンサ２０を貫通孔１１内に固定でき
れば良い。したがって、貫通孔１１内にのみ充填樹脂３
２を注入しても良い。

【０１０３】あるいは、充填樹脂３２（３２Ａ）の他に
コンデンサ上面２０Ａ上やコンデンサ下面２０Ｂ上の充
填樹脂層３２Ｂ，３２Ｄのみ形成するようにすることも
できる。即ち、貫通孔１１（受け部１２）やコンデンサ
２０の寸法を調整しておき、コンデンサ２０を貫通孔１
１内で位置決めした状態で、コンデンサ上面２０Ａがコ
ア基板本体上面１０Ａよりも低位（図中下方）となり、
かつ、上面接続パッド２１がコア基板本体上面１０Ａよ
りも上位（図中上方）となるようにする。また、コンデ
ンサ下面２０Ｂがコア基板本体下面１０Ｂよりも上位
（図中上方）となり、かつ、下面接続パッド２２がコア
基板本体下面１０Ｂよりも低位（図中上方）となるよう
にする。次いで、貫通孔１１内に充填樹脂３２を注入す
るほか、コンデンサ上面２０Ａ、コンデンサ下面２０Ｂ
上にもそれぞれ充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｄを形成する。
その後、この充填樹脂層３２Ｂの上面に上面接続パッド
２１が露出し、この上面がコア基板本体上面１０Ａと面
一になるように、また、この充填樹脂層３２Ｄの上面に
下面接続パッド２２が露出し、この下面がコア基板本体
下面１０Ｂと面一になるように整面しても良い。このよ
うにしても、貫通孔１１の存在やコンデンサ２０を内蔵
したために生じる段差が解消でき、さらに上層に上部樹
脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成する際に、配線層
４５等の断線やショートを防止し、あるいはフリップチ
ップパッド１０１等のコプラナリティ低下を防止でき
る。

【０１０４】また、上記実施形態では、コンデンサ２０
を内蔵させた後に、コア基板本体１０にコアスルーホー
ル導体３３を形成したが、予めコア基板本体上面１０Ａ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルー
ホール導体を形成しておき、その後コンデンサ２０を貫
通孔１１内に内蔵させることもできる。即ち、受け部用
コア基板本体１３と壁部用コア基板本体１６とを接着し
た後（図４，図５参照）、コア基板本体上面１０Ａとコ
ア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を形成
し、公知の手法によりコアスルーホール導体を形成す
る。その後、上記と同様にして、貫通孔１１内にコンデ
ンサ２０を内蔵させる。このようにすると、コンデンサ
２０を内蔵した後、コアスルーホール孔３０Ｈの形成の
際に発生する振動や衝撃等で、コンデンサ２０や充填樹
脂３２にクラック等の不具合を生じさせる危険を回避す
ることができる。

【０１０５】さらに、上記実施形態においては、コアス
ルーホール導体３３や接続導体３４，３５を形成した後
に、平坦化樹脂３６，３７，３８を形成して、コア基板
３０の上下を平坦にした。しかし、上記平坦化樹脂を用
いないで、即ち、図７に示す状態から、コアスルーホー
ル導体３３内を樹脂で埋めた上で、樹脂絶縁層４１，５
１を形成するようにしても良い。このようにすれば、配
線基板をより安価に形成することができる。

【０１０６】さらに、上記実施形態では、貫通孔１１，
２１１にコンデンサ受け部１２，２１２をそれぞれ形成
し、当接部２０Ｃ，２２０Ｃ、及び切り欠き部２０Ｐ，
２２０Ｐが形成されたコンデンサ２０，２２０が、この
受け部１２等に当接し、かつ、嵌合するようにした。し
かし、受け部１２等に当接するのみでも、コンデンサ２
０等の図中上下方向の位置決めをすることができる。例
えば、図１１の変形例１に示す配線基板３００のような
ものが挙げられる。この配線基板３００について説明す
ると、内蔵するコンデンサ３２０には、実施形態１のコ
ンデンサ２０と異なり、切り欠き部が形成されておら
ず、その厚さがコンデンサ２０よりやや薄くされ、その
代わりに、コンデンサ下面３２０Ｂに形成された下面接
続パッド３２２の厚さが厚くされている。一方、コア基
板本体１０その他については、実施形態１の配線基板１
００とほぼ同様とされている。この配線基板３００で
は、受け部１２の内向き面１２Ｓとコンデンサ下面（当
接面）３２０Ｂとが当接することで、コンデンサ３２０
の図中上下方向の位置決めがなされている。これによ
り、容易にコンデンサ３２０の上下方向の位置ズレに起
因する上方コンデンサ接続配線６０（配線層４５）や下
方コンデンサ接続配線７０（配線層５５）との接続不良
を防止でき、これらと確実に接続できる。また、配線基
板３００では、切り欠き部を形成しない略直方体形状の
コンデンサ３２０を用いることができ、コンデンサ３２
０の製造が容易で安価になるため、配線基板３００も安
価にできる。なお、コンデンサ３２０の平面方向（図中
左右方向）の位置決めは、適宜治工具を用いて行い、充
填樹脂３３２によってコンデンサ３２０を貫通孔１１内
に固定すればよい。

【０１０７】さらには、例えば、図１２の変形例２に示
す配線基板４００のように、受け部１２等を形成しない
ものもとすることができる。この配線基板４００では、
コア基板本体４１０の上面４１０Ａと下面４１０Ｂとの
間に形成した平面視略正方形状の貫通孔４１１の径（平
面方向寸法）は、上端から下端にわたって変わらず、受
け部が形成されていない。また、この貫通孔４１１内に
内蔵されたコンデンサ４２０は、その厚さはコア基板本
体４１０のそれとほぼ同じであり、実施形態１のコンデ
ンサ２０と異なり、切り欠き部が形成されていない略直
方体形状とされている。本配線基板４００では、コア基
板本体４１０に受け部を形成しないため、実施形態１で
説明したように、受け部用コア基板本体１３と壁部用コ
ア基板本体１６とを貼り合わせる必要が無く、コア基板
本体４１０に公知の手法で貫通孔４１１を形成すれば足
りる。また、コンデンサ４２０も、切り欠き部を形成し
ない略直方体形状のものを用いることができ、コンデン
サ４２０の製造が容易で安価になる。従って、配線基板
４００は、さらに安価にできる。なお、コンデンサ４２
０の上下方向、及び平面方向（図中左右方向）の位置決
めは、適宜治工具を用いて行い、充填樹脂４３２によっ
てコンデンサ４２０を貫通孔４１１内に固定すればよ
い。

【０１０８】さらに、実施形態１においてコア基板本体
１０の受け部１２の形状は、図４（ａ）に示したよう
に、コア基板本体上面１０Ａから平面視すると、貫通孔
１１の全周にわたって、略一定の幅を持つ略ロ字形状と
されているが、他の形状であっても良い。例えば、図１
３（ａ）に示すコア基板本体５１０のように、略正方形
の貫通孔１１の４つの角部からそれぞれ略「く」の字状
に突出するコンデンサ受け部５１２Ａ，５１２Ｂ，５１
２Ｃ，５１２Ｄが形成されたもの、図１３（ｂ）に示す
コア基板本体５２０のように、略正方形の貫通孔１１の
うちの対向する２辺（本例では、左右の２辺）に沿って
突出する２本の帯状のコンデンサ受け部５２２Ａ，５２
２Ｂが形成されたものが挙げられる。また、図１３
（ｃ）に示すコア基板本体５３０のように、略正方形の
貫通孔１１の４つの辺にそれぞれ略台形状に突出するコ
ンデンサ受け部５３２Ａ，５３２Ｂ，５３２Ｃ，５３２
Ｄが形成されたものなども挙げられる。これらコンデン
サ受け部５１２，５２２，５３２の内向き面５１２Ｓ，
５２２Ｓ，５３２Ｓもコンデンサ２０を内蔵させた際
に、コンデンサ２０の当接面２０Ｃと当接し、かつ、コ
ンデンサ受け部５１２，５２２，５３２、つまりその内
周縁５１２Ｈ，５２２Ｈ，５３２Ｈが切り欠き部２０Ｐ
と嵌合するので、コンデンサ２０の貫通孔１１内の上下
方向及び平面方向の位置決めをすることができる。

【０１０９】さらに、上記実施形態１では、切り欠き部
２０Ｐをコンデンサ下面２０Ｂの周縁にロ字状に設けた
（図２（ｂ）参照）が、切り欠き部はコンデンサ受け部
（例えば実施形態１における受け部１２（図４参照））
に嵌合する形状であれば、他の形状としても良い。例え
ば、上記コア基板本体５２０（図１３（ｂ）参照）の受
け部５２２に嵌合するコンデンサとして、例えば、図１
４（ａ）に示すコンデンサ５４０が挙げられる。このコ
ンデンサ５４０では、平面視正方形状のコンデンサ下面
５４０Ｂの周縁のうち、対向する二辺に沿う部分のみ階
段状に切り欠き部５４０Ｐが設けられ、当接面５４０Ｃ
が形成されている。これにより、上記コア基板本体５２
０の貫通孔１１内で、コンデンサ５４０の当接面５４０
Ｃと受け部５２２の内向き面５２２Ｓとが当接し、その
内周縁５２２Ｈと切り欠き部５４０Ｐとが嵌合する。こ
のようにしても、コンデンサ５４０の貫通孔１１内にお
ける軸方向及び径方向の位置決めを容易にすることがで
きる。

【０１１０】また、コンデンサには、切り欠き部ではな
く、コンデンサ下面から突出する凸部を設けて、コンデ
ンサ受け部と嵌合するようにしても良い。例えば、上記
コア基板本体５１０（図１３（ａ）参照）の受け部５１
２に嵌合するコンデンサとして、例えば、図１４（ｂ）
に示すコンデンサ５５０が挙げられる。このコンデンサ
５５０では、平面視正方形状のコンデンサ下面５５０Ｂ
の周縁のうち、各辺中央部近傍にそれぞれ略矩形状の凸
部５５０ＴＡ，５５０ＴＢ，５５０ＴＣ，５５０ＴＤが
設けられている。これにより、上記コア基板本体５１０
の貫通孔１１内で、コンデンサ５５０のコンデンサ下面
（当接面）５５０Ｂと受け部５１２の内向き面５１２Ｓ
とが当接し、その内周縁５１２Ｈと各凸部５５０ＴＡ等
とが嵌合する。このようにしても、コンデンサ５５０の
貫通孔１１内における軸方向及び径方向の位置決めを容
易にすることができる。

【０１１１】また同様に、上記コア基板本体５３０（図
１３（ｃ）参照）の受け部５３２に嵌合するコンデンサ
として、例えば、図１４（ｃ）に示すコンデンサ５６０
が挙げられる。このコンデンサ５６０では、平面視正方
形状のコンデンサ下面５６０Ｂの周縁のうち、各角部近
傍にそれぞれ略家型状の凸部５６０ＴＡ，５６０ＴＢ，
５６０ＴＣ，５６０ＴＤが設けられている。これによ
り、上記コア基板本体５３０の貫通孔１１内で、コンデ
ンサ５６０のコンデンサ下面（当接面）５６０Ｂと受け
部５３２のそれぞれの内向き面５３２Ｓとが当接し、そ
の内周縁５１２Ｈと各凸部５６０ＴＡ等とが嵌合する。
このようにしても、コンデンサ５６０の貫通孔１１内に
おける軸方向及び径方向の位置決めを容易にすることが
できる。また、コンデンサとコア基板本体の受け部の形
状としては、上記各例に限定されるものではなく、切り
欠き部と凸部のいずれも形成したものなど、互いに当接
し嵌合する形状に形成すればよい。

【０１１２】上記から説明から容易に理解できるよう
に、コンデンサ受け部とコンデンサとは、受け部の内向
き面とコンデンサの当接面とが互いに当接する形状にさ
れていれば、貫通孔内におけるコンデンサの上下方向の
位置決めをすることができる。またさらに、コンデンサ
受け部とコンデンサとは、受け部（受け部の内周縁）と
コンデンサの切り欠きとが互いに嵌合する形状とされて
いれば、貫通孔内におけるコンデンサの平面方向の位置
決めをすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかり、コア基板本体に形成され
たコンデンサ内蔵用貫通孔の下方端部にコンデンサ受け
部が形成され、この貫通孔内にこの受け部に当接、嵌合
するコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。

【図２】実施形態１にかかる配線基板に内蔵させるコン
デンサの（ａ）は平面図、（ｂ）は下面側から見た斜視
図、（ｃ）はコンデンサの内部構造説明するための断面
説明図、（ｄ）はコンデンサとＬＧＡパッド及びフリッ
プチップパッドとの関係を示す回路図である。

【図３】図２のコンデンサの製造方法を説明する説明図
である。

【図４】実施形態１にかかる配線基板において、コンデ
ンサ内蔵するための貫通孔を有するコア基板本体の
（ａ）平面図、及び（ｂ）部分拡大断面図である。

【図５】図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明
図である。

【図６】図２のコンデンサを図４のコア基板本体の貫通
孔内に内蔵させるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法の
説明図である。

【図７】コンデンサ内蔵コア基板の部分拡大断面図であ
る。

【図８】図７のコンデンサ内蔵コア基板の上下面をさら
に平坦化する工程を説明する説明図である。

【図９】図８の平坦化されたコンデンサ内蔵コア基板の
上下に樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す
説明図である。

【図１０】実施形態２にかかり、コア基板本体に形成さ
れたコンデンサ内蔵用貫通孔の上方端部にコンデンサ受
け部が形成され、この貫通孔内にこの受け部に当接、嵌
合するコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。

【図１１】変形例１にかかり、コア基板本体に形成され
たコンデンサ内蔵用貫通孔の下方端部にコンデンサ受け
部が形成され、この貫通孔内にこの受け部に当接するコ
ンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。

【図１２】変形例２にかかり、コア基板本体に形成され
たコンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを内蔵する配
線基板の断面図である。

【図１３】コア基板本体のコンデンサ受け部の他の形態
を示す平面図である。

【図１４】コンデンサの切り欠き部及び凸部の他の形態
を示す斜視図である。

【図１５】コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配
線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説
明図である。

【符号の説明】

１００，２００，３００，４００ （コンデン
サ内蔵）配線基板 １００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，４００Ａ 配線基板上
面 １００Ｂ，２００Ｂ，３００Ｂ，４００Ｂ 配線基板下
面 １０１ フリップチ
ップパッド １０２ フリップチ
ップバンプ １０３ ＬＧＡパッ
ド（下面接続端子） １０，２１０，４１０ コア基板本
体 １０Ａ，２１０Ａ，４１０Ａ コア基板本
体上面 １０Ｂ，２１０Ｂ，４１０Ｂ コア基板本
体下面 １１，２１１，４１１ コンデンサ
内蔵用貫通孔 １２，２１２ コンデンサ
受け部 ２０，２２０，３２０，４２０ コンデンサ ２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ コンデンサ
上面 ２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ コンデンサ
下面 ２１，２２１，３２１，４２１ 上面接続パ
ッド ２２，２２２，３２２，４２２ 下面接続パ
ッド ２４ 誘電体層 ２５ 電極層 ２５Ｅ，２５Ｆ （一対の）
電極群 ３０ コア基板 ３２，２３２，３３２，４３２ 充填樹脂 ３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ 充填樹脂層 ３３，２３３ コアスルー
ホール導体 ４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層 ４５，４６，５５，５６ 配線層 ６０ 上部コンデ
ンサ接続配線 ７０ 下部コンデ
ンサ接続配線 ８０ 上部コア接
続配線 ９０ 下部コア接
続配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｇ 4/40 Ａ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ Ｎ Ｆターム(参考） 5E082 AA01 AB03 BB02 BC40 EE04 EE23 EE26 EE35 FG06 FG26 FG27 FG54 GG01 GG11 GG26 HH21 HH43 JJ12 JJ15 JJ21 JJ23 LL35 MM21 MM28 5E317 AA11 AA24 AA28 BB02 BB12 CC32 CC33 CC44 CD01 CD15 CD18 CD21 CD27 CD29 CD32 CD34 GG11 GG14 GG17 5E336 AA07 BB03 BC01 CC43 CC53 GG11 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA16 AA41 AA43 AA60 BB01 BB02 BB16 BB20 CC09 DD22 EE33 FF07 FF15 FF45 GG01 GG15 GG17 GG22 GG28 HH01 HH02 HH07 HH11

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】配線基板上面と配線基板下面とを有し、上
   記配線基板上面にＩＣチップと接続するための複数のＩ
   Ｃ接続端子を、上記配線基板下面に複数の下面接続端子
   を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、 コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通
   するコンデンサ内蔵用貫通孔、 及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
   を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、 を備えるコア基板本体と、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
   電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
   導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
   極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
   うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
   ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
   または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
   れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
   対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
   ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
   パッド、 を備え、 上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内に内蔵、
   固定された上記コンデンサと、 上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上方に
   積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、 上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に
   積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
   上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応す
   る上記コンデンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ
   接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、 上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
   上記コンデンサの複数の下面接続パッドとこれに対応す
   る上記配線基板下面の複数の下面接続端子とをそれぞれ
   接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
   上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応す
   る上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体
   とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、 上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
   上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体とこれに
   対応する上記配線基板下面の複数の下面接続端子とをそ
   れぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えるこ
   とを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記コア基板本体は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔のう
   ち両端部のいずれかにおいて、径方向内側に向けて突出
   するコンデンサ受け部を備え、 前記コンデンサは、上記コンデンサ受け部の内向き面に
   当接していることを特徴とする配線基板。
3. 【請求項３】請求項２に記載の配線基板であって、 前記コンデンサは、前記コンデンサ上面及びコンデンサ
   下面のうち、前記コンデンサ受け部と当接する側の面の
   周縁に、切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかが形
   成され、 上記切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、
   上記コンデンサが前記コンデンサ受け部に嵌合している
   ことを特徴とする配線基板。
4. 【請求項４】コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
   を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔、 を備えるコア基板本体と、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
   電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
   導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
   極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
   うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
   ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
   または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
   れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
   対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
   ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
   パッド、 を備え、 上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内に内蔵、
   固定されたコンデンサと、を備えるコンデンサ内蔵コア
   基板。
5. 【請求項５】請求項４に記載のコンデンサ内蔵コア基板
   であって、 前記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填した充填樹脂で前
   記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に固定し
   てなることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板。
6. 【請求項６】請求項４または請求項５に記載のコンデン
   サ内蔵コア基板であって、 前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体上面及
   び前記コンデンサ上面に上部充填樹脂層を、 前記コンデンサ下面に、または前記コア基板本体下面及
   び前記コンデンサ下面に下部充填樹脂層を備え、 上記コンデンサ上面上の上部充填樹脂層と上記コア基板
   本体上面またはコア基板本体上面上の上部充填樹脂層と
   は、略面一に整面され、前記複数の上面接続パッドがそ
   れぞれ略面一に露出しており、 上記コンデンサ下面上の下部充填樹脂層と上記コア基板
   本体下面またはコア基板本体下面上の下部充填樹脂層と
   は、略面一に整面され、前記複数の下面接続パッドがそ
   れぞれ略面一に露出していることを特徴とするコンデン
   サ内蔵コア基板。
7. 【請求項７】請求項４〜請求項６のいずれかに記載のコ
   ンデンサ内蔵コア基板であって、 前記コア基板本体は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔のう
   ち、前記コア基板本体下面側端部において径方向内側に
   向けて突出するコンデンサ受け部を備え、 前記コンデンサは、上記コンデンサ受け部の上面に当接
   していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板。
8. 【請求項８】請求項７に記載のコンデンサ内蔵コア基板
   であって、 前記コンデンサは、前記コンデンサ下面の周縁に、切り
   欠き部及び凸部の少なくともいずれかが形成され、 上記切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、
   上記コンデンサが前記コンデンサ受け部に嵌合している
   ことを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板。
9. 【請求項９】コア基板本体上面と、 コア基板本体下面と、 上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通
   するコンデンサ内蔵用貫通孔と、を備え、 上記コンデンサ内蔵用貫通孔は、そのコア基板本体下面
   側端部において径方向内側に向けて突出し、内蔵させる
   コンデンサの当接面と少なくともその上面で当接可能な
   コンデンサ受け部を備えることを特徴とするコア基板本
   体。
10. 【請求項１０】請求項９に記載のコア基板本体であっ
    て、 前記コンデンサ受け部は、前記内蔵させるコンデンサの
    当接側の面に形成した切り欠き部及び凸部の少なくとも
    いずれかと嵌合可能な形状であることを特徴とするコア
    基板本体。
11. 【請求項１１】コンデンサ上面と、 コンデンサ下面と、 互いに絶縁された一対の電極または電極群と、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
    電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
    導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
    極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
    うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド
    と、 上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または
    電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
    導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電
    極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドの
    うちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド
    と、 上記コンデンサ下面の周縁に形成され、コア基板本体の
    コンデンサ内蔵用貫通孔内において径方向内側に向けて
    突出するコンデンサ受け部と当接して嵌合可能な切り欠
    き部及び凸部の少なくともいずれかと、を備えるコンデ
    ンサ。
12. 【請求項１２】壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基
    板本体下面とを有し、これらの間を貫通する壁部用貫通
    孔を備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本
    体下面と、 受け部用コア基板本体上面と受け部用コア基板本体下面
    とを有し、これらの間を貫通する受け部用貫通孔を備え
    る受け部用コア基板本体の上記受け部用コア基板本体上
    面とを、 上記壁部用貫通孔内に上記受け部用コア基板のうち上記
    受け部用貫通孔の周縁の少なくとも一部を露出させて、 接着する接着工程を備えることを特徴とするコア基板本
    体の製造方法。
13. 【請求項１３】コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
    を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔、 を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用貫通孔
    内に、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
    電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
    導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
    極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
    うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
    ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
    または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
    れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
    対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
    ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
    パッド、 を備えるコンデンサを配置するコンデンサ配置工程と、 少なくとも上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填樹脂を
    注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コ
    ンデンサを上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に固定するコ
    ンデンサ固定工程と、 少なくとも上記コア基板本体上面とコア基板本体下面と
    の間を貫通するコアスルーホール導体を形成するコアス
    ルーホール形成工程と、を備えるコンデンサ内蔵コア基
    板の製造方法。
14. 【請求項１４】請求項１３に記載のコンデンサ内蔵コア
    基板の製造方法であって、 前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用貫通
    孔内の他、前記コンデンサ上面、コンデンサ下面、コア
    基板本体上面、及び、コア基板本体下面のうち、少なく
    ともコンデンサ上面及びコンデンサ下面にも充填樹脂を
    塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工
    程であり、 前記コアスルーホール形成工程に先だって、 上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面
    上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨
    して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出させると
    ともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア
    基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上面上の充
    填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面
    一の平坦面に整面し、 上記コンデンサ下面上の、または、上記コンデンサ下面
    上及び前記コア基板本体下面上の、上記充填樹脂を研磨
    して上記複数の下面接続パッドを略面一に露出させると
    ともに、上記コンデンサ下面上の充填樹脂層と上記コア
    基板本体下面とを、または、上記コンデンサ下面上の充
    填樹脂層とコア基板本体下面上の充填樹脂層とを、略面
    一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えることを特徴
    とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法。