JP2008270345A - 接着剤付きチップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チップの突き上げを不要とするともに、ピックアップの進行でピックアップされていないチップの保持力が変動するようなことのないピックアップを伴う接着剤付きチップの製造方法を提供する。
【解決手段】固定ジグ３の密着層３１上に切断されたダイボンド接着剤層２４及びウエハ１が積層された状態とし、固定ジグの密着層を変形することにより、チップ１３をダイボンド接着剤層とともに固定ジグからピックアップすることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法である。固定ジグは、密着層がジグ基台３０の突起物３６を有する面上に積層され、側壁３５の上面で接着され、ジグ基台の突起物を有する面には区画空間３７が形成され、ジグ基台には、外部と区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔３８が設けられてなり、固定ジグの貫通孔を介して区画空間内の空気を吸引することにより密着層を変形させる構造とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、チップの一面に接着剤が設けられた接着剤付きチップの製造方法に関し、特に、極薄に研削されたウエハからダメージ無く個別の接着剤付きチップを製造する方法に関する。

半導体チップを半導体装置用基板に搭載する場合において、フィルム状接着剤がダイボンド用として用いられている。フィルム状接着剤は予め半導体ウエハに貼着され、半導体ウエハと共にダイシングして接着剤付きチップが製造される。フィルム状接着剤はペースト状接着剤と異なり、チップからはみ出すこともなく塗布ムラによってチップが傾くこともないため、特に、複数の半導体チップを積み重ねるチップスタック型半導体装置のチップ間用の接着剤として使用される。

また、携帯電子機器やＩＣカード等の普及が進み、半導体部品にはさらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。当然このような極薄の半導体チップであっても、フィルム状接着剤による接着剤付きチップが望まれている。

ところで、フィルム状の接着剤は、ウエハをダイシングするためにダイシングシートと積層された形で供給される場合がある。このような場合、ダイシングシートの粘着剤層とフィルム状接着剤層がピックアップする時の剥離界面となる。これに接着したチップをピックアップニードルでピックアップするためには通常よりも強い突き上げが必要となり、極薄のチップではチップが破損してしまうおそれがある。また、このようなフィルム状接着剤は、ウエハに対し加熱圧着によって接着する。加熱や加圧、あるいは積層してからの経過期間により、ダイシングシートの粘着剤層とフィルム状接着剤層の界面の接着力は上昇する傾向があるので、さらにチップを安全にピックアップすることが困難になる。

一方、別にダイシングシートを使用せずに、基材に対し剥離可能に積層された接着剤層を有するダイシング・ダイボンド兼用の接着シートも上市されている。このような接着シートには、粘着剤層と接着剤層を積層することによる界面での接着力上昇という問題はないが、安定したピックアップ力を得るには使用可能な期間を短く設定しなければならないという問題がある。

このようにピックアップ力が大きい場合には、たとえチップに外観上の破損がなかったとしても、内部にダメージを受けたチップを使用した半導体装置は、熱履歴を受けることによってパッケージクラックを起こすなど信頼性に欠ける品質となる。

そこで、このような問題を解消するため、細針による突き上げを行なわない接着剤付きピックアップ方法が検討されている。（特許文献１参照）これらの方法は、粘着シートの代わりにポーラス素材の吸着テーブルを用い、チップをピックアップする際に吸着テーブルの吸着を停止してチップの保持力を消している。しかし、この方法では、チップ間の隙間は塞がれず空気がリークしており、さらにチップをピックアップするごとにリーク量が増大する。これによりピックアップさせずに残っているチップに対する保持力が低下し、振動によってチップの位置がずれ、コレットがチップを捉えられなくなるという問題が出てくる。
特開２００３−１７９１２６号公報

本発明は、上記のような問題に鑑み、チップの突き上げを不要とするともに、ピックアップの進行でピックアップされていないチップの保持力が変動するようなことのないピックアップを伴う接着剤付きチップの製造方法を提供することを目的としている。

上記目的を達成するための本発明に係る接着剤付きチップの製造方法は、
固定ジグの密着層上にダイボンド接着剤層及びウエハが積層された状態とし、前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層を完全に切断してチップを形成し、前記固定ジグの前記密着層を変形することにより、前記チップを前記ダイボンド接着剤層とともに前記固定ジグからピックアップすることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法であって、
前記固定ジグは、前記密着層と、片面に複数の突起物を有しかつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、を有し、前記密着層は前記ジグ基台の前記突起物を有する面上に積層され、前記側壁の上面で接着され、前記ジグ基台の前記突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔が設けられてなり、前記固定ジグの前記貫通孔を介して前記区画空間内の空気を吸引することにより前記密着層を変形させることができるものであることを特徴とする。

ここで、本願発明は、前記固定ジグの前記密着層上に剥離シートを介して前記ダイボンド接着剤層及び前記ウエハの順に積層された状態とすることが好ましい。
また、本願発明は、前記固定ジグの前記密着層上に保護用粘着シートを介して前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層の順に積層された状態としても良い。

さらに、本願発明は、前記固定ジグの前記密着層上に前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層、さらに前記ダイボンド接着剤層を保護するための剥離シートの順に積層された状態とすることもできる。

このように本発明では、ウエハを固定ジグの上で完全に切断してチップを形成する場合にも適用可能である。
また、本願発明は、固定ジグの密着層上にダイボンド接着剤層及び個片化されたウエハが積層された状態とし、前記ダイボンド接着剤層をチップの外形にあわせて完全に切断し、前記固定ジグの前記密着層を変形することにより、前記チップを前記ダイボンド接着剤層とともに前記固定ジグからピックアップすることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法であって、
前記固定ジグは、前記密着層と、片面に複数の突起物を有しかつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、を有し、前記密着層は前記ジグ基台の前記突起物を有する面上に積層され、前記側壁の上面で接着され、前記ジグ基台の前記突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔が設けられてなり、前記固定ジグの前記貫通孔を介して前記区画空間内の空気を吸引することにより前記密着層を変形させることができるものであることを特徴とする。

ここで、本発明は、前記固定ジグの前記密着層上に剥離シートを介して前記ダイボンド接着剤層及び個片化されたウエハの順に積層された状態とすることが好ましい。
さらに、本発明は、前記固定ジグの前記密着層上に保護用粘着シートを介して個片化されたウエハ及び前記ダイボンド接着剤層の順に積層された状態としても良い。

また、本発明は、前記固定ジグの前記密着層上に個片化された前記ウエハ及び前記ダイ
ボンド接着剤層、さらに前記ダイボンド接着剤層を保護するための剥離シートの順に積層された状態とすることもできる。

このように本発明では、予め別工程で多数のチップに個片化されたウエハを固定ジグに載置した場合にも適用可能である。

本発明の接着剤付きチップの製造方法によれば、細針によりチップを突き上げること無く、吸着コレットの吸引力だけでチップをピックアップすることが可能となるため、チップにダメージを与えることがない。また、チップをピックアップし続けても固定ジグ上に残っているチップとの密着状態に変化はないので、ピックアップの後半の段階でチップが位置ずれしないよう吸着力を調整するような作業は必要ない。

従って、極めて薄く加工されたチップであってもチップのピックアップが可能であり、安全にダイボンディング工程へ移送することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。
［固定ジグ］
図１は、本発明に用いられる固定ジグを示したもので、図１の固定ジグは、本発明の接着剤付きチップの製造方法で使用される。

図１に示したように、本発明に用いられる固定ジグ３は、ジグ基台３０と密着層３１とからなる。ジグ基台３０の形状としては、略円形、略楕円形、略矩形、略多角形が挙げられ、略円形が好ましい。ジグ基台３０の一方の面には、図１および図２に示すように、複数の突起物３６が間隔をおいて上方に突出して形成されている。突起物３６の形状は特に限定されないが、円柱形または円錐台形が好ましい。また、この突起物３６を有する面の外周部には、突起物３６と略同じ高さの側壁３５が形成されている。また、ジグ基台３０の突起物３６を有する面上には密着層３１が積層されている。この密着層３１は側壁３５の上面で接着され、また、突起物３６の上面と密着層３１は接着されてもよいし接着されていなくてもよい。ジグ基台３０の突起物３６を有する面には、突起物３６、側壁３５および密着層３１により区画空間３７が形成されている。これらの区画空間３７は全て連通されている。

一方、ジグ基台３０の突起物３６を有しない面には、この面側の外部と区画空間３７とを貫通する貫通孔３８がジグ基台３０の厚さ方向に設けられている。貫通孔３８はジグ基台３０に少なくとも１個が設けられていればよく、複数個が設けられてもよい。また、ジグ基台３０の突起物３６を有しない面の貫通孔３８の代わりに、ジグ基台３０の水平方向に貫通孔３８を設け、側壁３５に開口部を設けてもよい。この貫通孔３８の開口部に、着脱自在のバキューム装置を接続することにより、区画空間３７内の気体が排気され密着層３１を凹凸状に変形させることができる。

ジグ基台３０の材質は、機械強度に優れたものであれば特に限定されないが、たとえば、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂；アルミニウム合金、マグネシウム合金、ステンレスなどの金属材料；ガラスなどの無機材料；ガラス繊維強化エポキシ樹脂などの有機無機複合材料等が挙げられる。ジグ基台３０の曲げ弾性率は、１ＧＰa以上で
あることが好ましい。このような曲げ弾性率を有していれば、ジグ基台３０の厚さを必要以上に厚くすることなく剛直性を与えることができる。このような材料を用いることにより、固定ジグ３にチップを密着させてからピックアップ装置に搭載するまでの搬送におい
て湾曲することがなく、チップの位置ずれや脱落が起こらない。

ジグ基台３０の外径は、半導体ウエハの外径と略同一または半導体ウエハの外径よりも大きいことが好ましい。ジグ基台３０が半導体ウエハの規格サイズの最大径（例えば３００ｍｍ径）に対応できる外径を有していれば、それより小さい全ての半導体ウエハに対して適用することができる。また、ジグ基台３０の厚さは、０．５〜２．０ｍｍが好ましく、０．５〜０．８ｍｍがより好ましい。ジグ基台３０の厚さが上記範囲にあると、ウエハの裏面研削の後でウエハを湾曲させずに十分に支持することができる。

突起物３６および側壁３５の高さは、０．０５〜０．５ｍｍがより好ましい。また、突起物３６の上面の径は０．０５〜１．０ｍｍが好ましい。さらに、突起物の間隔（突起物の中心間距離）は０．２〜２．０ｍｍが好ましい。突起物３６の大きさならびに突起物の間隔が上記範囲にあると、区画空間３７内の脱気により密着層３１を十分に凹凸状に変形させることができ、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。さらに、密着層３１の凹凸の変形を何度も繰り返した後でも、元の平坦な状態に復元し続けることができる。

貫通孔３８の径は特に限定されないが、２ｍｍ以下が好ましい。
このようなジグ基台３０は、たとえば、熱可塑性の樹脂材料を金型を用いて加熱成形して、ジグ基台の底部と、側壁３５と、突起物３６とを一体で製造してもよいし、平面円形板上に側壁３５および突起物３６を形成して製造してもよいし、あるいは、凹型円板の凹部内表面に突起物３６を形成して製造してもよい。突起物３６の形成方法としては、電鋳法により金属を所定の形状に析出させる方法、スクリーン印刷により突起物を形成する方法、平面円形板上にフォトレジストを積層し、露光、現像して突起物を形成する方法などが挙げられる。また、金属製平面円形板の表面をエッチングにより突起物形成部分を残して侵食除去する方法やサンドブラストにより平面円形板の表面を突起物形成部分を残して除去する方法などによりジグ基台３０を製造することもできる。なお、貫通孔３８は突起物３６を形成する前に予め形成してもよいし、後で形成してもよい。また、ジグ基台の成型と同時に形成してもよい。

ジグ基台３０上に配置された密着層３１の材質としては、可撓性、柔軟性、耐熱性、弾性、粘着性等に優れた、ウレタン系、アクリル系、フッ素系またはシリコーン系のエラストマーが挙げられる。このエラストマーには、必要に応じて補強性フィラーや疎水性シリカなどの各種添加剤を添加してもよい。

密着層３１はジグ基台３０と略同一形状の平板であることが好ましく、密着層３１の外径はジグ基台３０の外径と略同一であることが好ましく、厚さは、２０〜２００μｍが好ましい。密着層３１の厚さが２０μｍ未満では、吸引の繰り返しに対する機械的な耐久性に乏しくなることがある。一方、密着層３１の厚さが２００μｍを超えると、吸引による剥離に著しく時間がかかることがあり好ましくない。

また、密着層３１の引張破断強度は５ＭＰａ以上であることが好ましく、引張破断伸度は５００％以上であることが好ましい。引張破断強度や引張破断伸度が上記範囲にあると、密着層３１の変形を何度も繰り返した場合でも、密着層３１の破断も弛みも発生せず、元の平坦な状態に復元させることができる。

また、密着層３１の曲げ弾性率は、１０〜１００ＭＰａの範囲が好ましい。密着層３１の曲げ弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、密着層３１は突起物３６との接点以外の部分が重力でたわんでしまい、チップに密着できなくなる場合がある。一方、１００ＭＰａを超えると、吸引による変形が起こりにくくなり、チップを容易に剥離することができなくなる
場合がある。

また、密着層３１の半導体ウエハに接する側の面のせん断密着力は３５Ｎ以上であることが好ましい。本発明においてせん断密着力は、密着層３１とシリコンウエハのミラー面との間で測定した値をいい、縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ×厚さ３ｍｍの大きさを有する周知のガラス板に密着層３１を貼り付けてシリコンからなるミラーウェーハ上に配置し、ガラス板と密着層３１の全体に９００ｇの荷重を５秒間加え、ガラス板をミラーウェーハと平行に荷重を加えて押圧した場合に、動き出した時の荷重を測定したものである。

さらに、密着層３１の密着力は２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが望ましい。これを超える値では密着層３１と、その上に配置されるチップとの密着が大きくなりすぎてブロッキング状態となり、吸引によるチップの剥離ができなくなるおそれがある。なお、本発明において密着力とは、密着層３１をウエハのミラー面に貼り付け、これを剥離したときの剥離強度をいう。

このような密着層３１は、たとえば、カレンダー法、プレス法、コーティング法または印刷法等により、予め上記エラストマーからなるフィルムを作製し、このエラストマーフィルムをジグ基台３０の少なくとも側壁３５の上面に接着することにより形成することができ、これにより、区画空間３７が形成される。上記密着層３１を接着する方法としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂あるいはエラストマー樹脂からなる接着剤を介して接着する方法や、密着層３１がヒートシール性の場合はヒートシールによって接着する方法が挙げられる。

密着層３１の表面には、非粘着処理が施されていてもよく、特に、凹凸状に変形した時に半導体チップと接触する突起物３６上部の密着層表面のみが、非粘着処理されていることが好ましい。このように処理すると、密着層３１が変形する前は密着層表面の非粘着処理されていない部分で半導体チップに密着し、凹凸状に変形した密着層３１は突起物３６上部の表面、すなわち非粘着性の凸部表面のみで半導体チップと接触しているため、半導体チップをさらに容易に密着層３１から取り外すことができる。非粘着処理方法としては、たとえば、バキューム装置により区画空間３７内の空気を吸引して密着層３１を凹凸状に変形させ、凸部先端を砥石ローラー等により物理的に粗面化する方法、ＵＶ処理する方法、非粘着性ゴムを積層する方法、非粘着性塗料をコーティングする方法などが挙げられる。非粘着部の表面粗さは、算術平均粗さＲａが１．６μｍ以上が好ましく、１．６〜１２．５μｍがより好ましい。非粘着部を上記範囲の表面粗さで粗面化することにより、密着層３１は劣化せず、さらに、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。

本発明では、上記のように形成された固定ジグ３が予め用意される。
[接着シート]
図３（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、本発明において、最終的にチップ１３とともにピックアップされるダイボンド接着剤層２４は接着シート２０によって供されることが好ましい。すなわち、接着シート２０は、シリコーンなどの剥離層を備えた剥離シート２２上に剥離可能にダイボンド接着剤層２４が積層された層構成を有する。接着シート２０の保管や露出面の保護のために、ダイボンド接着剤層２４の反対面には別の剥離シートが積層されていてもよい。

ダイボンド接着剤層２４は、熱硬化性または熱可塑性の樹脂組成物からなり、該樹脂組成物の塗布液を剥離シート２２または別の剥離シート上に塗布することにより層を形成するとともに、接着シート２０が製造される。

本発明に用いられる熱硬化性の樹脂組成物からなるダイボンド接着剤層２４は、たとえばバインダー樹脂と熱硬化性樹脂との混合物が挙げられる。
熱硬化性の樹脂組成物を構成するバインダー樹脂としては、たとえばアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、レゾルシノール樹脂等が用いられ、好ましくはエポキシ樹脂が挙げられる。さらに、熱硬化性樹脂を硬化させるための硬化剤が用いられてもよい。また常温で粘着性のダイボンド接着剤層２４には剥離シート２２との剥離性を制御するため、ウレタン系アクリレートオリゴマーなどの紫外線硬化性樹脂を配合することが好ましい。紫外線硬化性樹脂を配合すると、紫外線照射前は剥離シート２２がダイボンド接着剤層２４とよく密着し、紫外線照射後は剥離しやすくなる。

本発明に用いられる熱硬化性の樹脂組成物からなるダイボンド接着剤層２４は、常温で粘着性であっても非粘着性であってもよい。常温で粘着性のダイボンド接着剤層２４は、ダイボンドでの仮接着までの温度を室温や比較的低温の加熱処理で接着することができ、ダイボンド接着剤層２４を完全に熱硬化させる条件との差が大きいので、温度管理が行いやすくなる。また、常温で非粘着性のダイボンド接着剤層２４はダイボンドの瞬間で仮接着が完了しないため空気を巻き込みにくい。ダイボンド接着剤層２４は、主として、使用するバインダー樹脂が粘着性であれば粘着性となり、非粘着性のものを使用すれば非粘着性となる。

ダイボンド接着剤層２４の厚みは、配線基板等のダイボンドにより接着する対象物の表面形状によって異なるが、通常３〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
剥離シート２２としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニルフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、フッ素樹脂フィルム等の比較的軟質の樹脂製フィルムや、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等の比較的硬質の樹脂製フィルムが用いられる。

剥離シート２２に用いられる樹脂製フィルムとしては、上記フィルムから選択される単層フィルムであってもよいし、積層フィルムであってもよい。またこれらの架橋フィルムも用いられる。剥離シート２２をダイボンド接着剤層２４に積層したまま、固定ジグ３の密着層３１に積層して使用する場合は、剥離シート２２は密着層３１と同様に吸引により変形するように比較的軟質の樹脂製フィルムが用いられる。剥離シート２２を固定ジグ３の密着層３１に積層しない場合は、比較的硬質の樹脂製フィルムが使用されてもよい。

剥離シート２２はダイボンド接着剤層２４と剥離可能となるため、ダイボンド接着剤層２４に接する面は低い表面張力を示すことが好ましく、例えば４０ｍＮ／ｍ 以下である
ことが望ましい。表面張力が低い樹脂製フィルムは材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また樹脂製フィルムの表面にシリコーン樹脂などの剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。

剥離シート２２の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
[ウエハ]
本発明において使用されるウエハ１としては、シリコンや化合物半導体から半導体ウエ
ハやガラス、セラミックなどの絶縁材料からなるウエハが挙げられる。ウエハ１として半導体ウエハを用いる場合は、例えば、表面側に回路が形成されるとともに裏面側が研削加工された状態であり、図４に示したように、まだダイシング等で個片化される前のウエハが用いられる。ウエハ１は、例えば１００μｍ以下の極薄の厚みのものが自重ですら破損しやすいため、特に本発明の効果を享受できる。
また、本発明において、ダイシング前のウエハの輪郭形状を保持したまま回路ごとに切断されたチップ１３の集合体の状態を個片化されたウエハ（個片化ウエハ８０）という。
［保護用粘着シート］
本発明の実施形態において使用される保護用粘着シート２５は、当業者により市販されているウエハ研磨用粘着テープ（ＢＧテープ）より適宜選択して用いることができる。具体的には、樹脂製フィルムを基材とし、基材の片面に紫外線硬化型などの再剥離性の優れた粘着剤層を粘着シートである。

保護用粘着シート２５を、固定ジグ３の密着層３１とウエハ１との間に介して積層して使用する場合は、保護用粘着シート２５は密着層３１と同様に吸引により変形するように比較的軟質の樹脂製フィルムを基材として用いられる。保護用粘着シート２５を固定ジグ３の密着層３１に積層しない場合は、比較的硬質の樹脂製フィルムが基材として使用されてもよい。
［第１の実施態様］
本発明の第１の実施態様は、図３（Ａ）に示したように、固定ジグ３の密着層３１上に剥離シート２２を介してダイボンド接着剤層２４及びウエハ１がこの順で積層された状態とする工程（工程１Ａ）と、図３（Ｂ）に示したように、前記ウエハ１及び前記ダイボンド接着剤層２４を完全に切断してチップ１３を形成する工程（工程１Ｂ）と、図３（Ｃ）に示したように、前記固定ジグ３の前記密着層３１を変形することにより、前記チップ１３を前記ダイボンド接着剤層２４とともに前記固定ジグ３からピックアップする工程（工程１Ｃ）と、からなる。

本実施形態に供給されるウエハ１は、表面に回路形成が行われた後裏面研削が行われる
。裏面研削工程を行うにあたり、図５に示したように、ウエハ１の回路面１ａに回路を保護するための保護用粘着シート２５が貼付され、図６に示したように、バックグラインド装置２６によりウエハ１の裏面が研削され、ウエハ１は極薄の厚み、例えば５０μｍ程度に調整される。続いて、図７に示したように、ウエハ１の研削面に接着シート２０のダイボンド接着剤層２４側が積層され、保護用粘着シート２５がウエハ１の回路面１ａから剥離除去される。さらにウエハ１上の剥離シート２２側と固定ジグ３を密着層３１とを対面接触させて、図３（Ａ）に示される工程１Ａにおける積層順の状態とすることができる。

続いて、図３（Ｂ）に示したように、ウエハ１及びダイボンド接着剤層２４を完全に切
断してチップ１３を形成する工程（工程１Ｂ）が行われ、チップ１３を形成する。切断は、通常のブレードダイシング法によって行われてもよいし、レーザーダイシング法によって行われてもよい。また、ウエハ１とダイボンド接着剤層２４を専用のブレードで行うデュアルダイシング法によって行ってもよい。

固定ジグ３に固定されたウエハ１をダイサー等の切断装置の処理ステージに固定ジグ３
を下面として搭載される。ウエハ１を脱落させないよう固定ジグ３の貫通孔３８から吸引されない構造であれば、通常のウエハ固定手段を有する従来用いられてきた処理ステージを備えた切断装置がそのまま使用できる。処理ステージがポーラス素材で構成されている場合は、貫通孔３８に当接する一部だけ吸引を遮蔽するようにすればよい。このように、従来の方法とほぼ同様の手段と方法で切断の工程が行われる。なお、ダイボンド接着剤層２４と密着層３１は剥離シート２２を介して積層しているので、剥離シート２２の層まで切り込むことができ、生産性を向上のため切り込み深さの精度を落としてスピードを上げ
ることができる。

次に、図３（Ｃ）に示したように、固定ジグ３の密着層３１を変形することにより、チ
ップ１３をダイボンド接着剤層２４とともに固定ジグ３からピックアップする工程（工程１Ｃ）が行われる。

チップ１３を固定した固定ジグ３は切断装置からピックアップ装置に移載され、ピック
アップ工程（工程１Ｃ）が行われる。本実施形態で用いられるピックアップ装置は、固定ジグ３を扱うための専用の装置が用いられ、具体的には、本発明の出願人によって出願された特願２００６−２８３９８３に記載される ピックアップ装置が用いられる。当該出願のピックアップ装置１００は、図８に示したように、固定ジグ３を固定するテーブル５１とチップ１３を吸引保持する吸着コレット７０とを有し、テーブル５１は固定ジグ３本体を固定する吸着部５０と、固定ジグ３の貫通孔３８に接続して区画空間３７を吸引するための吸引部５２が開口し、それぞれ独立して吸着が可能となっている構造を有している。

固定ジグ３は、ピックアップ装置１００のテーブル５１に貫通孔３８と吸引部５２とを
一致させて固定ジグ３本体が吸着部５０に吸着されるよう固定される。バキューム装置４等からの負圧を吸引部５２および貫通孔３８を介して区画空間３７に加えると、密着層３１が区画空間３７側に向かって変形する。ここで、剥離シート２２として比較的軟質の樹脂製フィルムが用いられるので、図３（Ｃ）に示したように、密着層３１の変形に剥離シート２２も追従する。チップ１３に接着しているダイボンド接着剤層２４は、変形できないため、剥離シート２２とダイボンド接着剤層２４の界面は、図９に示したように、突起物３６の位置のみが点接触した状態で剥離する。

ここでピックアップが進んで固定ジグ３上のチップ１３の存在する面積割合が大きく変
化したとしても、チップ１３の保持力は接触している密着層３１との面積に比例する。個々のチップ１３に点接触する密着層３１の面積はピックアップの進行によって変化しないため、その保持力は最後まで一定である。

この後、吸着コレット７０が所定の１個のチップ１３の位置に移動してチップ面に相対
し、吸着コレット７０に負圧がかけられることにより、チップ１３がダイボンド接着剤層２４を積層した状態で吸着コレット７０が吸着把持（ピックアップ）する。
ピックアップされたチップ１３は、リードフレーム等の回路基板に直接ダイボンドを行ってもよいし、一旦、ダイソートテープなどのチップキャリア材料に保持させた上で、保管輸送を行い、ダイボンドを行ってもよい。

なお、上記した実施形態においては、固定ジグ３とダイボンド接着剤層２４とを、剥離
シート２２を介して積層した状態における方法を示したが、剥離シート２２を介さないで直接積層された状態における方法であってもよい。この場合は、接着シート２０をウエハ１に貼付した後剥離シート２２を剥離すればよい。この場合は、ダイシングによる切り込み深さは、ウエハ１と密着層３１との界面となるよう精密に行われる。

また、上記した実施形態においては、保護用粘着シート２５を工程途中で剥離し、ウエ
ハ１の回路面１ａを露出した状態で切断を行ったが、保護用粘着シート２５を剥離せずにピックアップ工程の前後またはダイボンドを行った後に保護用粘着シート２５を剥離してもよい。この場合、保護用粘着シート２５は切断工程でウエハ１やダイボンド接着剤層２４と同様に切断されるが、切削屑やブレードが破損した場合の破片等からウエハ１の回路面の損傷を防止できる。切断された保護用粘着シート２５は別途剥離用の粘着テープを用いて剥離することができる。

さらに、上記した実施形態では、ウエハ１の裏面研削面にダイボンド用接着剤層２４を
設けた構成を示したが、ダイボンド用接着剤層２４はウエハ１の回路面１ａに貼付した構成による方法であってもよい。この場合、ダイボンド工程は回路基板とチップ１３の回路面が対面するフリップチップボンド法が用いられ、ダイボンド接着剤層２４はアンダーフィルの役割を果たす。

また、上記した実施形態では、ウエハ１側にダイボンド接着剤層２４を先に貼付した後
、固定ジグ３と積層する方法を用いたが、ダイボンド接着剤層２４を固定ジグ３と先に積層した後、ダイボンド接着剤層２４の面にウエハ１を積層してもよい。
［第２の実施形態］
次に本発明の第２の実施形態について説明する。

本発明の第２の実施形態は、図１０（Ａ）に示したように、固定ジグ３の密着層３１上
に保護用粘着シート２５を介してウエハ１及びダイボンド接着剤層２４がこの順で積層された状態とする工程（工程２Ａ）と、図１０（Ｂ）に示したように、前記ウエハ１及び前記ダイボンド接着剤層２４を完全に切断してチップ１３を形成する工程（工程２Ｂ）と、図１０（Ｃ）に示したように、前記固定ジグ３の前記密着層３１を変形することにより、前記チップ１３を前記ダイボンド接着剤層２４とともに前記固定ジグ３からピックアップする工程（工程２Ｃ）とからなる。

本実施形態においても第１の実施形態と同様の手法により、保護用粘着シート２５を用
いて極薄に研削されウエハ１が用意され、裏面研削面に接着シート２０が貼付される。続いて、ウエハ１の回路面１ａに貼付された保護用粘着シート２５の側と固定ジグ３を密着層３１とを対面接触させて、工程２Ａ（図１０（Ａ）における積層順の状態とすることができる。なお、接着シート２０における剥離シート２２は剥離しない。

続いて、ウエハ１及びダイボンド接着剤層２４を完全に切断してチップ１３を形成する
工程（工程２Ｂ）が行われ、チップ１３を形成する。本実施形態における切断には、前述した第１の実施形態の切断手段、方法がそのまま使用できる。なお、ダイボンド接着剤層２４上に剥離シート２２が積層されているので剥離シート２２も切断される。剥離シート２２は切断工程の間、ダイボンド接着剤層２４を切削屑の汚染等から保護する役割をなす。

また、ウエハ１と密着層３１は保護用粘着シート２５を介して積層しているので、保護
用粘着シート２５の層まで切り込むことができ、生産性を向上のため切り込み深さの精度を落としてスピードを上げることができる。切断工程が終了した後、ダイボンド接着剤層２４上の剥離シート２２を剥離用の粘着テープ等を使用して剥離除去する。

次に、固定ジグ３の密着層３１を変形することにより、チップ１３をダイボンド接着剤
層２４とともに固定ジグ３からピックアップする工程（工程２Ｃ）が行われる。本実施形態で用いられるピックアップ装置も、第１の実施形態で用いられるものと同様の装置が使用できる。

固定ジグ３は、ピックアップ装置１００のテーブル５１に貫通孔３８と吸引部５２とを
一致させて固定ジグ３本体が吸着部５０に吸着されるよう固定される。バキューム装置４等からの負圧を吸引部５２および貫通孔３８を介して区画空間３７に加えると、密着層３１が区画空間側に向かって変形する。ここで、保護用粘着シート２５はその素材として一般的に軟質の樹脂製フィルムが用いられるので、密着層３１の変形に保護用粘着シート２５も追従する。チップ１３自体は変形できないため、保護用粘着シート２５は、突起物３
６の位置のみが点接触した状態で剥離する（図１０（Ｃ））。

この後、吸着コレット７０が所定の１個のチップの位置に移動してチップ上のダイボン
ド接着剤層２４の面に相対し、吸着コレット７０に負圧がかけられることにより、チップ１３がダイボンド接着剤層２４を積層した状態で吸着コレット７０が吸着把持（ピックアップ）する。

ピックアップされたチップ１３は、リードフレーム等の回路基板に直接ダイボンドを行
ってもよいし、一旦、ダイソートテープなどのチップキャリア材料に保持させた上で、保管輸送を行い、ダイボンドを行ってもよい。

なお、上記した第２の実施形態においては、固定ジグ３とウエハ１とを保護用粘着シー
ト２５を介して積層した状態における方法を示したが、保護用粘着シート２５を介さないで直接積層された状態における方法であってもよい。この場合は、接着シート２０をウエハ１に貼付した後保護用粘着シート２５を剥離すればよい。この場合は、ダイシングによる切り込み深さは、ウエハ１と密着層３１との界面となるよう精密に行われる。
また、上記した第２の実施形態においては、剥離シート２２を切断工程の後で剥離したが、固定ジグ３への積層前、切断工程の前あるいはピックアップ工程の後であってもよい。

さらに、上記した第２の実施形態では、ウエハ１の裏面研削面にダイボンド用接着剤層
２４を設けた構成を示したが、ダイボンド用接着剤層２４はウエハ１の回路面に貼付した構成による方法であってもよい。この場合、ダイボンド工程は回路基板とチップ１３の回路面が対面するフリップチップボンド法が用いられ、ダイボンド接着剤層２４はアンダーフィルの役割を果たす。

また、上記した第２の実施形態では、ウエハ１側に接着シート２０を先に貼付し、その
後固定ジグ３と積層する方法を用いたが、ウエハ１を固定ジグ３に積層した後、接着シート２０のダイボンド接着剤層２４にウエハ１を積層してもよい。
［第３の実施形態］
次に本発明の第３の実施形態について説明する。

本発明の第３の実施形態は、図１１（Ａ）に示したように、固定ジグ３の密着層３１上
に剥離シート２２を介してダイボンド接着剤層２４及び個片化されたウエハ８０がこの順で積層された状態とする工程（工程３Ａ）と、図１１（Ｂ）に示したように、前記ダイボンド接着剤層２４をチップの外形にあわせて完全に切断する工程（工程３Ｂ）と、図１１（Ｃ）に示したように、前記固定ジグ３の前記密着層３１を変形することにより、前記チップ１３を前記ダイボンド接着剤層２４とともに前記固定ジグからピックアップする工程（工程３Ｃ）とからなる。

本実施形態に供給される個片化されたウエハ８０は、先ダイシング法によって得られる
。具体的には、ウエハ１の回路面側を目的とするチップ厚を越える深さのハーフカットダイシングを行い、回路表面に保護用粘着シート２５を貼付して裏面側を目的とする厚さまで研削を行い、薄厚化とウエハ１の個片化を同時に行って得られる。先ダイシング法によって得られるチップはチップ欠けが発生しにくく、また通常の方法によるチップよりも抗折強度が強いため、より信頼性の高い半導体装置を得ることができる。

次に、個片化されたウエハ８０の裏面研削面に接着シート２０のダイボンド接着剤層２
４側が貼付され、さらに接着シート２０の剥離シート２２側と固定ジグ３を密着層３１とを対面接触させる。ここで、図１２に示したように、保護用粘着シート２５がウエハ８０の回路面から剥離除去され、工程３Ａ（図１１（Ａ））における積層順の状態とすること
ができる。

続いて、ダイボンド接着剤層２４を個片化された各チップの外形にあわせて完全に切断
する工程（工程３Ｂ）が行われる。切断は、通常のブレードダイシング法によって行われてもよいし、レーザーダイシング法によって行われてもよい。なお、ダイボンド接着剤層２４と密着層３１は剥離シート２２を介して積層しているので、剥離シート２２の層まで切り込むことができ、生産性を向上のため切り込み深さの精度を落としてスピードを上げることができる。

次に、固定ジグ３の密着層３１を変形することにより、チップ１３をダイボンド接着剤
層２４とともに固定ジグ３からピックアップする工程（工程３Ｃ）からなる。本実施形態で用いられるピックアップ装置も、第１の実施形態で用いられるものと同様の装置が使用できる。

固定ジグ３は、ピックアップ装置１００のテーブル５１に貫通孔３８と吸引部５２とを
一致させて固定ジグ３本体が吸着部５０に吸着されるよう固定される。バキューム装置４等からの負圧を吸引部５２および貫通孔３８を介して区画空間３７に加えると、密着層３１が区画空間側に向かって変形する。ここで、剥離シート２２として比較的軟質の樹脂製フィルムが用いられるので、密着層３１の変形に剥離シート２２も追従する。チップ１３に接着しているダイボンド接着剤層２４は、変形できないため、剥離シート２２とダイボンド接着剤層２４の界面は、突起物３６の位置のみが点接触した状態で剥離する（図１１（Ｃ））。

この後、吸着コレット７０が所定の１個のチップの位置に移動してチップ面に相対し、
吸着コレット７０に負圧がかけられることにより、チップ１３がダイボンド接着剤層２４を積層した状態で吸着コレット７０が吸着把持（ピックアップ）する。

ピックアップされたチップ１３は、リードフレーム等の回路基板に直接ダイボンドを行
ってもよいし、一旦、ダイソートテープなどのチップキャリア材料に保持させた上で、保管輸送を行い、ダイボンドを行ってもよい。

なお、上記した第３の実施形態においては、個片化されたウエハ８０を先ダイシング法
によって用意したが、他の方法によって用意されたものを使用してもよい。具体的には、ウエハ１の回路面に保護用粘着シート２５を貼付して裏面研削を行い、次に保護用粘着シート２５側を固定しウエハ１の研削面側からダイシングを行い、続いて個片化されたウエハ８０の裏面研削面に接着シート２０のダイボンド接着剤層２４側を貼付し、さらに接着シート２０の剥離シート２２側と固定ジグ３を密着層３１とを対面接触させ、その後保護用粘着シート２５をウエハ８０の回路面から剥離除去することによって、第３の実施形態の積層順の状態とすることができる。

また、上記した第３の実施形態においては、固定ジグ３とダイボンド接着剤層２４とを
、剥離シート２２を介して積層した状態における方法を示したが、剥離シート２２を介さないで直接積層された状態における方法であってもよい。この場合は、接着シート２０をウエハ１に貼付した後剥離シート２２を剥離すればよい。この場合は、ダイシングによる切り込み深さは、ダイボンド接着剤層２４と密着層３１との界面となるよう精密に行われる。

さらに、上記した第３の実施形態においては、保護用粘着シート２５をウエハ８０を固
定ジグ３に積層した後で剥離したが、接着シート２０をウエハ８０に貼付した後であってもよく、また切断工程を終えた後であってダイボンドを行う前後において保護用粘着シー
ト２５を剥離してもよい。切断工程を終えた後に剥離する場合、切断工程において保護用粘着シート２５も切断工程でダイボンド接着剤層２４と同様に切断されるが、切削屑やブレードが破損した場合の破片等からチップ１３の回路面の損傷を防止できる。切断された保護用粘着シート２５は別途剥離用の粘着テープを用いて剥離することができる。

また、上記した第３の実施形態では、個片化ウエハ８０の裏面研削面にダイボンド用接
着剤層２４を設けた構成を示したが、ダイボンド用接着剤層２４は個片化ウエハ８０の回路面に貼付した構成による方法であってもよい。この場合、ダイボンド工程は回路基板とチップ１３の回路面が対面するフリップチップボンド法が用いられ、ダイボンド接着剤層２４はアンダーフィルの役割を果たす。

さらに、上記した第３の実施形態では、個片化ウエハ８０側にダイボンド接着剤層２４
を先に貼付した後、固定ジグ３と積層する方法を用いたが、ダイボンド接着剤層２４を固定ジグ３と先に積層した後、ダイボンド接着剤層２４の面に個片化ウエハ８０を積層してもよい。
［第４の実施形態］
次に本発明の第４の実施形態について説明する。

本発明の第４の実施形態は、図１３（Ａ）に示したように、固定ジグ３の密着層３１上
に保護用粘着シート２５を介して個片化されたウエハ８０及びダイボンド接着剤層２４がこの順で積層された状態とする工程（工程４Ａ）と、図１３（Ｂ）に示したように、前記ダイボンド接着剤層２４をチップの外形にあわせて完全に切断する工程（工程４Ｂ）と、図１３（Ｃ）に示したように、前記固定ジグ３の前記密着層３１を変形することにより、前記チップ１３を前記ダイボンド接着剤層２４とともに前記固定ジグ３からピックアップする工程（工程４Ｃ）とからなる。

本実施形態に供給される個片化ウエハ８０は、第３の実施形態と同様にして得られ、好
ましくは先ダイシング法によって得られる。次に、個片化ウエハ８０の裏面研削面に接着シート２０のダイボンド接着剤層２４側が貼付され、さらに個片化ウエハ８０上の保護用粘着シート２５と固定ジグ３を密着層３１とを対面接触させ、工程４Ａ（図１３（Ａ））における積層順の状態とすることができる。

続いて、ダイボンド接着剤層２４を個片化された各チップの外形にあわせて完全に切断
する工程（工程４Ｂ）が行われる。切断は、通常のブレードダイシング法によって行われてもよいし、レーザーダイシング法によって行われてもよい。ダイボンド接着剤層２４上には剥離シート２２が積層されているのでともに切断を行う。剥離シート２２は切断工程の間、ダイボンド接着剤層２４を切削屑の汚染等から保護する役割をなす。切断工程が終了した後、ダイボンド接着剤層２４上の剥離シート２２を剥離用の粘着テープ等を使用して剥離除去する。

次に、固定ジグ３の密着層３１を変形することにより、チップ１３をダイボンド接着剤
層２４とともに固定ジグ３からピックアップする工程（工程４Ｃ）からなる。本実施形態で用いられるピックアップ装置も、第１の実施形態で用いられるものと同様の装置が使用できる。

固定ジグ３は、ピックアップ装置１００のテーブル５１に貫通孔３８と吸引部とを一致
させて固定ジグ３本体が吸着部５０に吸着されるよう固定される。バキューム装置４等からの負圧を吸引部５２および貫通孔３８を介して区画空間３７に加えると、密着層３１が区画空間側に向かって変形する。ここで、保護用粘着シート２５はその素材として一般的に軟質の樹脂製フィルムが用いられるので、密着層３１の変形に保護用粘着シート２５も
追従する。チップ１３自体は変形できないため、保護用粘着シート２５は、突起物３６の位置のみが点接触した状態で剥離する（図１３（Ｃ））。

この後、吸着コレット７０が所定の１個のチップの位置に移動してチップ上のダイボン
ド接着剤層２４の面に相対し、吸着コレット７０に負圧がかけられることにより、チップ１３がダイボンド接着剤層２４を積層した状態で吸着コレット７０が吸着把持（ピックアップ）する。

ピックアップされたチップ１３は、リードフレーム等の回路基板に直接ダイボンドを行
ってもよいし、一旦、ダイソートテープなどのチップキャリア材料に保持させた上で、保管輸送を行い、ダイボンドを行ってもよい。

なお、上記した第４の実施形態においては、固定ジグ３とダイボンド接着剤層２４とを
、保護用粘着シート２５を介して積層した状態における方法を示したが、保護用粘着シート２５を介さないで直接積層された状態における方法であってもよい。この場合は、接着シート２０を個片化ウエハ８０に貼付した後保護用粘着シート２５を剥離すればよい。また、上記した第４の実施形態においては、剥離シート２２を切断工程が行われた後で剥離したが、接着シート２０を個片化ウエハ８０に貼付した後であってもよく、また切断工程を終えた後であってダイボンドを行う前後において剥離シート２２を剥離してもよい。

さらに、上記した第４の実施形態では、個片化ウエハ８０の裏面研削面にダイボンド用
接着剤層２４を設けた構成を示したが、ダイボンド用接着剤層２４は個片化ウエハ１８０の回路面に貼付した構成による方法であってもよい。この場合、ダイボンド工程は回路基板とチップ１３の回路面が対面するフリップチップボンド法が用いられ、ダイボンド接着剤層２４はアンダーフィルの役割を果たす。

また、上記した第４の実施形態では、個片化ウエハ８０側にダイボンド接着剤層２４を
先に貼付した後、固定ジグ３と積層する方法を用いたが、ダイボンド接着剤層２４を固定ジグ３と先に積層した後、ダイボンド接着剤層２４の面にウエハ８０を積層してもよい。

本発明におけるいずれの実施形態においても、吸着コレット７０の吸引力だけでチップ
１３をピックアップすることが可能であり、細針によるチップの突き上げで受けるチップ１３のダメージがない。また、チップ１３をピックアップし続けても固定ジグ３上に残っているチップ１３との密着状態に変化はないので、ピックアップの後半の段階でチップ１３が位置ずれしないよう吸着力を調整するような作業は必要ない。従って、極めて薄く加工されたチップ１３であっても接着剤付きのチップ１３のピックアップが可能であり、安全にダイボンディング工程へ移送することができる。

図１は、本発明に係る接着剤付きチップの製造方法に用いられる固定ジグの概略断面図である。 図２は、図１に示した固定ジグを構成するジグ基台の概略平面図である。 図３（Ａ）は第１の実施態様の工程１Ａの状態を示す概略断面図、図３（Ｂ）は第１の実施態様の工程１Ｂの状態を示す概略断面図、図３（Ｃ）は第１の実施態様の工程１Ｃの状態を示す概略断面図である。 図４は、本発明に使用されるダイシング前の半導体ウエハの概略平面図である。 図５は、ウエハに保護用粘着シートを貼り付けるときの貼付工程の概略断面図である。 図６は裏面研削工程の概略断面図である。 図７は、ウエハに接着シートを貼り付けるときの貼付工程の概略断面図である。 図８はピックアップに使用されるピックアップ装置の概略断面図である。 図９は、本発明の第１の実施態様において固定ジグ上でピックアップするときの概略断面図である。 図１０（Ａ）は、第２の実施態様の工程２Ａを示す概略断面図、図１０（Ｂ）は第２の実施態様の工程２Ｂを示す概略断面図、図１０（Ｃ）は第２の実施態様の工程２Ｃを示す概略断面図である。 図１１（Ａ）は、第３の実施態様の工程３Ａを示す概略断面図、図１１（Ｂ）は第３の実施態様の工程３Ｂを示す概略断面図、図１１（Ｃ）は第３の実施態様の工程３Ｃを示す概略断面図である。 図１２はウエハから保護用粘着シートを剥離するときの剥離工程の概略断面図である。 図１３（Ａ）は、第４の実施態様の工程４Ａを示す概略断面図、図１３（Ｂ）は第４の実施態様の工程４Ｂを示す概略断面図、図１３（Ｃ）は第４の実施態様の工程４Ｃを示す概略断面図である。

符号の説明

１・・・ウエハ
３・・・固定ジグ
４・・・バキューム装置
１３・・・チップ
２０・・・接着シート
２２・・・剥離シート
２４・・・ダイボンド接着剤層
２５・・・保護用粘着シート
３０・・・ジグ基台
３１・・・密着層
３５・・・側壁
３６・・・突起物
３７・・・区画空間
３８・・・貫通孔
７０・・・吸着コレット
８０・・・切断されたチップの集合体としての個片化ウエハ
１００・・・ピックアップ装置

Claims (8)

1. 固定ジグの密着層上にダイボンド接着剤層及びウエハが積層された状態とし、前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層を完全に切断してチップを形成し、前記固定ジグの前記密着層を変形することにより、前記チップを前記ダイボンド接着剤層とともに前記固定ジグからピックアップすることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法であって、
   前記固定ジグは、前記密着層と、片面に複数の突起物を有しかつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、を有し、前記密着層は前記ジグ基台の前記突起物を有する面上に積層され、前記側壁の上面で接着され、前記ジグ基台の前記突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔が設けられてなり、前記固定ジグの前記貫通孔を介して前記区画空間内の空気を吸引することにより前記密着層を変形させることができるものであることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法。
2. 前記固定ジグの前記密着層上に剥離シートを介して前記ダイボンド接着剤層及び前記ウエハの順に積層された状態とすることを特徴とする請求項１に記載の接着剤付きチップの製造方法。
3. 前記固定ジグの前記密着層上に保護用粘着シートを介して前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層の順に積層された状態とすることを特徴とする請求項１に記載の接着剤付きチップの製造方法。
4. 前記固定ジグの前記密着層上に前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層、さらに前記ダイボンド接着剤層を保護するための剥離シートの順に積層された状態とすることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の接着剤付きチップの製造方法。
5. 固定ジグの密着層上にダイボンド接着剤層及び個片化されたウエハが積層された状態とし、前記ダイボンド接着剤層をチップの外形にあわせて完全に切断し、前記固定ジグの前記密着層を変形することにより、前記チップを前記ダイボンド接着剤層とともに前記固定ジグからピックアップすることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法であって、
   前記固定ジグは、前記密着層と、片面に複数の突起物を有しかつ該片面の外周部に該突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、を有し、前記密着層は前記ジグ基台の前記突起物を有する面上に積層され、前記側壁の上面で接着され、前記ジグ基台の前記突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔が設けられてなり、前記固定ジグの前記貫通孔を介して前記区画空間内の空気を吸引することにより前記密着層を変形させることができるものであることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法。
6. 前記固定ジグの前記密着層上に剥離シートを介して前記ダイボンド接着剤層及び個片化されたウエハの順に積層された状態とすることを特徴とする請求項５に記載の接着剤付きチップの製造方法。
7. 前記固定ジグの前記密着層上に保護用粘着シートを介して個片化されたウエハ及び前記ダイボンド接着剤層の順に積層された状態とすることを特徴とする請求項５に記載の接着剤付きチップの製造方法。
8. 前記固定ジグの前記密着層上に個片化された前記ウエハ及び前記ダイボンド接着剤層、さらに前記ダイボンド接着剤層を保護するための剥離シートの順に積層された状態とする
   ことを特徴とする請求項５または請求項７に記載の接着剤付きチップの製造方法。

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