JP2008198738A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フライングリードとして形成される端子部の強度の向上を十分に図ることのできる配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２を用意し、その上にベース絶縁層３を形成し、その上に、端子部１１を有し、銅からなる導体パターン４を形成し、導体パターン４の上面および各側面に、錫層２１を形成し、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆し、かつ、端子部１１における錫層２１を露出させるように、カバー皮膜２３を形成する。次いで、導体パターン４および錫層２１を加熱して、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金層５を、導体パターン４の上面および各側面に形成すると同時に、カバー皮膜２３を硬化させてカバー絶縁層６を形成し、次いで、金属支持基板２およびベース絶縁層３に、端子部１１の下面が露出するように、金属開口部８およびベース開口部９をそれぞれ形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。

電子・電気機器などに用いられる配線回路基板は、通常、ベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成された導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されたカバー絶縁層とを備えている。また、導体パターンは、カバー絶縁層から露出する端子部を備えている。
また、近年、電子・電気機器の薄型化および小型化に伴い、配線回路基板の配置スペースの狭小化に対応するため、端子部を、ベース絶縁層およびカバー絶縁層から、その表面および裏面を露出させるフライングリードとして形成することが知られている。

例えば、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板に、端子部としてフライングリードを形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００６−２０２３５８号公報

しかるに、フライングリードは、通常、ボンディングツールなどを用いて、超音波振動を加えることにより、その表面および裏面が外部端子とそれぞれ接続されている。しかし、フライングリードは、ベース絶縁層およびカバー絶縁層から露出されているため、断線し易いという不具合がある。
また、近年、配線のファインピッチ化に伴い、配線の強度のさらなる向上が要望されているところ、このようなフライングリードでは、かかる要望に十分に対応することが困難である。

本発明の目的は、フライングリードとして形成される端子部の強度の向上を十分に図ることのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成され、端子部を有する導体パターンと、前記第１絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成される第２絶縁層とを備え、前記端子部の表面は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層から露出されるように設けられており、少なくとも前記端子部の上面および両側面には、錫合金層が形成されていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記錫合金層が、さらに、前記端子部の下面に形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、少なくとも端子部における前記錫合金層の表面には、金めっき層が形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記錫合金層の厚みが、１．０〜３．０μｍであることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記導体パターンが銅から形成され、前記錫合金層が、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金層であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることが好適である。

また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、端子部を有し、銅から形成される導体パターンを形成する工程と、少なくとも前記端子部の上面および両側面に、錫層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部の上面および両側面を露出するように、カバー絶縁層を形成する工程と、前記錫層を加熱して、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金層を、少なくとも前記端子部の上面および両側面に形成する工程と、前記金属支持基板および前記ベース絶縁層に、前記端子部の下面が露出するように、金属開口部およびベース開口部をそれぞれ形成する工程とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、少なくとも端子部における前記錫銅合金層の表面に、金めっき層を形成する工程を備えていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記カバー絶縁層を形成する工程は、未硬化の樹脂を積層する工程と、積層された未硬化の前記樹脂を加熱により硬化させる工程とを含み、未硬化の前記樹脂を加熱により硬化させる工程と、前記錫銅合金層を形成する工程とを同時に実施することが好適である。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記錫層の厚みが、０．０１〜０．２０μｍであることが好適である。

本発明の配線回路基板およびその製造方法では、少なくとも端子部の上面および両側面に錫合金層が形成されているので、その端子部の強度の向上を十分に図ることができる。その結果、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す要部平面図であり、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の両端部の断面図であって、左側図が回路付サスペンション基板の長手方向（以下、単に「長手方向」という場合がある。）に沿う部分断面図、右側図が回路付サスペンション基板の長手方向に直交する方向（以下、単に「幅方向」という場合がある。）に沿う断面図である。

この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに装着され、磁気ヘッドを搭載して、その磁気ヘッドを磁気ディスクと対向するように支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板などの外部回路とを接続するための導体パターン４が形成されている。
また、この回路付サスペンション基板１は、図２の左側図に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成される第２絶縁層としてのカバー絶縁層６とを備えている。

金属支持基板２は、図１に示すように、長手方向に延びる平面視矩形薄板形状をなし、金属箔や金属薄板から形成されている。また、金属支持基板２は、その厚みが、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上面に積層されるように、形成されている。より具体的には、ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上において、導体パターン４の配線１２が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。また、ベース絶縁層３は、その厚みが、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。

導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部１１Ａと、外部側接続端子部１１Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部１１Ａおよび外部側接続端子部１１Ｂを接続するための配線１２とを、一体的に連続して備えている。
配線１２は、長手方向に沿って設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて複数（４本）並列配置されている。

磁気ヘッド側接続端子部１１Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、磁気ヘッド側接続端子部１１Ａは、各配線１２の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
また、磁気ヘッド側接続端子部１１Ａは、図２に示し後述するように、その下面が、金属支持基板２とベース絶縁層３とから露出され、その上面がカバー絶縁層６から露出されるように設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部１１Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。

外部側接続端子部１１Ｂは、図１に示すように、金属支持基板２の後端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、外部側接続端子部１１Ｂは、各配線１２の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
また、外部側接続端子部１１Ｂは、図２に示し後述するように、その下面が、金属支持基板２とベース絶縁層３とから露出され、その上面がカバー絶縁層６とから露出されるように設けられている。この外部側接続端子部１１Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。

なお、導体パターン４が後述するアディティブ法で形成される場合には、各配線１２とベース絶縁層３との間に、下地２０が介在されている。下地２０は、配線１２の下面に形成されており、より具体的には、配線１２と同一パターンで形成されている。
導体パターン４の厚みは、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１２μｍである。また、各配線１２の幅と、各磁気ヘッド側接続端子部１１Ａおよび各外部側接続端子部１１Ｂの幅とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍであり、各配線１２間の間隔と、各磁気ヘッド側接続端子部１１Ａ間の間隔と、各外部側接続端子部１１Ｂ間の間隔とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍである。また、各磁気ヘッド側接続端子部１１Ａおよび各外部側接続端子部１１Ｂの長さ（長手方向長さ）は、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１２００μｍである。また、下地２０の厚みは、例えば、１〜６０００ｎｍ、好ましくは、５〜５０００ｎｍである。

なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部１１Ａおよび外部側接続端子部１１Ｂは、特に区別が必要でない場合には、単に端子部１１として説明する。
カバー絶縁層６は、導体パターン４を被覆し、かつ、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面を被覆するように、形成されている。より具体的には、カバー絶縁層６は、図２に示すように、平面視において、ベース絶縁層３と同一のパターンとして形成されている。また、カバー絶縁層６の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。

そして、この回路付サスペンション基板１では、端子部１１に対応する部分において、金属支持基板２、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層６がそれぞれ開口されている。
より具体的には、金属支持基板２には、端子部１１が形成される部分において、厚み方向を貫通する金属開口部８が形成されている。この金属開口部８は、図１に示すように、平面視において、すべて（４つ）の端子部１１を含むように、平面視略矩形状に開口されている。

また、ベース絶縁層３には、端子部１１が形成される部分において、厚み方向を貫通するベース開口部９が形成されている。このベース開口部９は、平面視において、すべて（４つ）の端子部１１を含むように金属開口部８と同一形状に開口されている。すなわち、ベース開口部９は、平面視において、その長手方向両端縁および幅方向両端縁が、金属開口部８の長手方向両端縁および幅方向両端縁と同一位置となるように形成されている。

これにより、端子部１１の下面が、金属支持基板２の金属開口部８およびベース絶縁層３のベース開口部９から露出している。
また、カバー絶縁層６には、端子部１１が形成される部分において、厚み方向を貫通するカバー開口部１０が形成されている。このカバー開口部１０は、平面視において、すべて（４つ）の端子部１１を含むようにベース開口部９と同一形状に開口されている。すなわち、カバー開口部１０は、平面視において、その長手方向両端縁および幅方向両端縁が、ベース開口部９の長手方向両端縁および幅方向両端縁と同一位置となるように形成されている。

これにより、端子部１１の上面および両側面が、カバー絶縁層６のカバー開口部１０から露出している。
つまり、この端子部１１は、その表面（上面、両側面および下面）が、金属支持基板２の金属開口部８、ベース絶縁層３のベース開口部９およびカバー絶縁層６のカバー開口部１０から露出するように形成されており、この端子部１１は、フライングリードとして形成されている。

そして、この回路付サスペンション基板１では、錫合金層５が、導体パターン４（配線１２および端子部１１）の上面および各側面（すなわち、幅方向両側面および長手方向両側面）に連続して設けられている。
錫合金層５は、導体パターン４の上面、幅方向両側面および長手方向両側面を浸食するように、形成されている。

具体的には、配線１２においては、錫合金層５は、配線１２の上面、幅方向両側面および長手方向両両側面に連続して設けられている。
また、端子部１１においては、錫合金層５は、端子部１１の上面および幅方向両側面に連続して設けられている。また、錫合金層５は、カバー絶縁層６のカバー開口部１０の長手方向両端縁と、導体パターン４とが交差する交差部分２４を被覆するように、形成されている。

錫合金層５の厚みは、例えば、１．０〜３．０μｍ、好ましくは、２．０〜３．０μｍである。錫合金層５の厚みが上記した範囲を超えると、端子部１１における表面抵抗率が過度に高くなる場合がある。錫銅合金層５の厚みが上記した範囲に満たないと、端子部１１の強度の向上を図れない場合がある。
なお、錫合金層５の厚みは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより測定することができる。

また、この回路付サスペンション基板１では、端子部１１において、錫合金層５の表面に金めっき層７が形成されている。
金めっき層７は、より具体的には、端子部１１の上面および両側面に形成される錫合金層５の表面と、端子部１１の下面とに、これらに連続して形成されている。金めっき層７の厚みは、例えば、０．２〜５μｍ、好ましくは、０．５〜３μｍである。

次に、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態としての回路付サスペンション基板の製造方法を、図３〜図４を参照して説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。

次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上にベース絶縁層３を形成する。
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

例えば、感光性ポリイミドを用いて、金属支持基板２の上にベース絶縁層３を形成するには、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、金属支持基板２の上面全面に均一に塗布し、例えば、７０〜１２０℃で加熱して乾燥してベース皮膜を形成する。次いで、このベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、現像し、次いで、これを、例えば、３５０〜４００℃で加熱して硬化（イミド化）することにより、金属支持基板２の上にベース絶縁層３を上記したパターンで形成する。

次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、端子部１１を有する上記したパターンで導体パターン４を形成する。
導体パターン４を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
導体パターン４は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面全面に、下地２０を形成する。下地２０は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成される。
次いで、この下地２０の上面に、上記した導体パターン４のパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する下地２０の上面に、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、上記したパターンで、導体パターン４を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の下地２０を除去する。

これにより、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、端子部１１を有する上記したパターンで形成することができる。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４の上面および各側面に錫層２１を形成する。
錫層２１を形成するには、例えば、無電解錫めっきにより、端子部１１を含む導体パターン４の上面および各側面に、錫層２１を形成する。

なお、この無電解錫めっきにおいては、導体パターン４が銅からなる場合には、銅と錫との置換により、導体パターン４の表面がエッチングされ、より具体的には、導体パターン４の上面、幅方向両側面および長手方向両側面が浸食されるように、錫層２１が形成される。
また、図示しないが、下地２０が、クロム薄膜と銅薄膜とが順次積層されるように形成されている場合には、銅と錫との置換により、銅薄膜は浸食される。一方で、クロムと錫とが置換されないため、クロム薄膜は浸食されない。これにより、錫層２１は、クロム薄膜の幅方向両端縁および長手方向両端縁の上面に積層されている。

錫層２１の厚みは、例えば、０．０１〜０．２０μｍ、好ましくは、０．０５〜０．１５μｍである。錫層２１の厚みが上記した範囲外であると、錫合金層５の厚みを上記した範囲内に設定することができない場合がある。
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、カバー皮膜２３を、端子部１１の上面および幅方向両側面に形成される錫層２１を露出させる上記したパターンで、形成する。

カバー皮膜２３は、カバー絶縁層６が形成される前の未硬化の樹脂であって、カバー皮膜２３を形成する材料としては、例えば、ベース絶縁層３を形成する絶縁材料と同様のものが用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
カバー皮膜２３を、感光性ポリイミドを用いて形成する場合には、まず、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、導体パターン４および錫層２１を含むベース絶縁層３の上面全面に塗布し、例えば、７０〜１２０℃で加熱して乾燥する。次いで、これを、フォトマスクを介して露光した後、現像し、カバー開口部１０が形成されるパターンに形成する。これにより、カバー皮膜２３を、端子部１１の上面および幅方向両側面に形成される錫層２１を露出させる上記したパターンで形成することができる。

次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、形成された未硬化のカバー皮膜２３を加熱により硬化させるとともに、錫合金層５を形成する。
錫合金層５を形成する錫合金において、錫と合金を形成する金属材料は、上記した導体パターン４の導体材料であって、好ましくは、銅である。すなわち、錫合金層５を形成する錫合金としては、好ましくは、錫銅合金である。

カバー皮膜２３を加熱により硬化させるとともに、錫合金層５を形成するには、例えば、カバー皮膜２３が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を、例えば、減圧下、例えば、３００〜４５０℃、好ましくは、３５０〜４００℃で、例えば、６０〜３００分間、好ましくは、１２０〜３００分間、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、例えば、窒素などの不活性ガス雰囲気下、好ましくは、不活性ガス雰囲気下において、加熱する。

この加熱により、未硬化のカバー皮膜２３を硬化させると同時に、導体パターン４の導体材料に対して錫が拡散されるとともに、錫に対して導体パターン４の導体材料が拡散されることにより、錫合金層５が形成される。好ましくは、導体パターン４が銅からなる場合には、銅に対して錫が拡散されるとともに、錫に対して銅が拡散されることにより、錫銅合金層５が形成される。

この錫の拡散では、導体パターン４の上面に形成される錫層２１の錫が下側に向かって拡散されるとともに、導体パターン４の幅方向両側面および長手方向両側面に形成される錫層２１の錫が幅方向内側および長手方向内側に向かって拡散され、これにより、錫合金層５が、加熱前の錫層２１より厚い厚みをもって形成される。
この錫の拡散によって、錫層２１は、錫合金層５に置換され、錫層２１は実質的に消滅する。

この錫合金層５において、錫濃度、すなわち、錫が拡散される重量割合は、加熱前における錫層２１および加熱後の錫合金層５の厚さから算出されるが、錫合金に対して、例えば、０．０８〜１．６重量％、好ましくは、０．４〜１．２重量％である。
なお、錫合金層５においては、最表層における錫濃度が最も高く、その最表層から厚さ方向下側、幅方向内側および長手方向内側にいくに従って、錫濃度が低下するように、厚さ方向、幅方向および長手方向に分布をもって、錫が拡散される。

次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、金属支持基板２に金属開口部８を形成する。
金属開口部８の形成では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法、ドリル穿孔、レーザ加工が用いられ、好ましくは、化学エッチングが用いられる。

次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、ベース絶縁層３にベース開口部９を形成する。
ベース開口部９の形成では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法、ドリル穿孔、レーザ加工が用いられ、好ましくは、プラズマエッチングが用いられる。

これにより、端子部１１と厚み方向において対向する下地２０が、金属支持基板２の金属開口部８およびベース絶縁層３のベース開口部９から露出する。
次いで、この方法では、図４（ｉ）に示すように、金属支持基板２の金属開口部８およびベース絶縁層３のベース開口部９から露出する下地２０を除去する。
下地２０の除去では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法または剥離などが用いられる。好ましくは、剥離が用いられる。

これにより、端子部１１の下面が、金属支持基板２の金属開口部８およびベース絶縁層３のベース開口部９から、露出する。
次いで、この方法では、図４（ｊ）に示すように、金めっき層７を、端子部１１の上面および両側面に形成される錫合金層５の表面と、端子部１１の下面とに、これらに連続するように形成する。

金めっき層７は、例えば、電解金めっきまたは無電解金めっき、好ましくは、電解金めっきにより、形成される。
そして、この回路付サスペンション基板１およびその製造方法では、端子部１１を含む導体パターン４の上面および各側面に錫合金層５が形成されているので、端子部１１の強度の向上を十分に図ることができる。その結果、接続信頼性の高い回路付サスペンション基板１を得ることができる。

また、この回路付サスペンション基板１は、端子部１１における錫合金層５の表面には、金めっき層７が形成されているので、端子部１１の強度の向上をより一層図ることができる。
とりわけ、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、形成されたカバー皮膜２３を加熱により硬化させるとともに、その加熱により、導体材料（好ましくは、銅）に対して錫が拡散された錫合金層（錫銅合金層）５を形成する。つまり、硬化のための加熱と、拡散のための加熱と同時に実施する。その結果、製造工程を簡略化でき、回路付サスペンション基板１を簡易かつ効率的に製造することができる。

さらにまた、この回路付サスペンション基板１では、錫合金層５は、交差部分２４を被覆するように形成されている。そのため、端子部１１のみならず、交差部分２４の近傍における配線１２を補強することができる。その結果、交差部分２４での応力集中による導体パターン４の断線を防止でき、導体パターン４の強度の向上を図ることができる。
図５は、本発明の配線回路基板の他の実施形態（錫合金層が、端子部の上面および両側面のみに形成される態様）である回路付サスペンション基板の両端部の断面図であって、左側図が長手方向に沿う部分断面図、右側図が幅方向に沿う断面図である。なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。

上記した説明では、未硬化のカバー皮膜２３を加熱により硬化させると同時に、錫合金層５を形成したが、例えば、まず、未硬化のカバー皮膜２３を加熱により硬化させて、カバー絶縁層６を形成し、その後、錫層２１を、無電解錫めっきにより形成し、次いで、加熱により錫を拡散させることにより錫合金層５を形成することもできる。
なお、図５に示すように、この方法により得られる回路付サスペンション基板１では、錫合金層５は、端子部１１の表面のみ、すなわち、端子部１１の上面および両側面（幅方向両側面）のみに連続して設けられている。

錫合金層５は、端子部１１の上面、幅方向両側面を浸食するように、形成されている。
また、錫合金層５は、図５の左側図に示すように、交差部分２４より長手方向両外側において、導体パターン４の上面および両側面（図５において図示せず）に形成されている。つまり、錫合金層５の長手方向両端部は、錫の銅に対する拡散によって、交差部分２４から長手方向両外側に向かって膨出するように形成されている。これにより、錫合金層５は、長手方向長さが、端子部１１（カバー開口部１０）の長さより長くなるように、形成されている。

図６は、本発明の配線回路基板の他の実施形態（錫合金層が、端子部の上面、両側面および上面に形成される態様）である回路付サスペンション基板の両端部の断面図であって、左側図が長手方向に沿う部分断面図、右側図が幅方向に沿う断面図である。
上記した説明では、錫合金層５を、端子部１１の上面および両側面に設けたが、例えば、さらに、端子部１１の下面に設けることもできる。

錫合金層５は、図６に示すように、端子部１１の上面、両側面および下面に、これらに連続して形成されている。
錫合金層５は、端子部１１の上面、幅方向両側面および下面を浸食するように形成されている。また、端子部１１の下面に形成される錫合金層５は、図６の左側図に示すように、その長手方向両端部が、錫の銅に対する拡散によって、交差部分２４から長手方向両外側に向かって膨出するように形成されている。

また、金めっき層７は、端子部１１の上面、両側面および下面に形成される錫合金層５の表面に、これらに連続して形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１を製造するには、例えば、まず、金属支持基板２を用意し（図３（ａ）参照）、次いで、ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に形成し（図３（ｂ）参照）、次いで、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成し（図３（ｃ）参照）、次いで、錫層２１を、導体パターン４の上面および各側面（幅方向両側面および長手方向両側面）に形成する（図３（ｄ）参照）。次いで、カバー絶縁層６を、カバー開口部１０が形成されるパターンで形成するとともに、錫層２１が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を加熱して、これにより、導体パターン４の表面に、導体材料に対して錫が拡散される錫合金層５を形成する（図３（ｅ）および図３（ｆ）参照）。続いて、金属開口部８を金属支持基板２に形成し（図４（ｇ）参照）、次いで、ベース開口部９をベース絶縁層３に形成し（図４（ｈ）参照）、次いで、金属支持基板２の金属開口部８およびベース絶縁層３のベース開口部９から露出する下地２０を除去し（図４（ｉ）参照）、その後、錫層２１を、端子部１１の下面に形成する。次いで、錫層２１が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を加熱して、これにより、導体材料に対して錫が拡散される錫合金層５を、さらに、端子部１１の下面に形成する。その後、金めっき層７を、端子部１１の上面、両側面および下面に形成される錫合金層５の表面に形成する。

この回路付サスペンション基板１では、錫合金層５が、さらに、端子部１１の下面に形成されているので、その端子部１１の強度の向上をより一層十分に図ることができる。
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板１として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、金属支持基板２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板や、金属支持基板２を備えないフレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に制限されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。

次いで、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、金属支持基板の上面全面に均一に塗布し、９０℃で加熱して乾燥してベース皮膜を形成した。次いで、このベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、現像し、その後、これを３７０℃で加熱して硬化（イミド化）することにより、金属支持基板の上に、上記したパターンで、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図３（ｂ）参照）。

次いで、このベース絶縁層の上面全面に、厚み５０ｎｍのクロム薄膜および厚み１００ｎｍの銅薄膜をスパッタ蒸着法により順次形成することにより、下地を形成した。次いで、この下地の上面に、導体パターンのパターンと逆パターンのめっきレジストを形成した後、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを形成した（図３（ｃ）参照）。各配線の幅は、１００μｍであり、各配線間の間隔は、２０μｍであった。

次いで、導体パターンの上面、幅方向両側面および長手方向両側面に、無電解錫めっきにより、厚み０．１５μｍの錫層を形成した（図３（ｄ）参照）。
次いで、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、導体パターンおよび錫層を含むベース絶縁層の上面全面に塗布し、９０℃で加熱して乾燥した。次いで、これを、フォトマスクを介して露光した後、現像することにより、長手方向長さが１０００μｍのカバー開口部が形成されて、錫層が露出されるパターンにカバー皮膜を形成した（図３（ｅ）参照）。

次いで、カバー皮膜が形成された製造途中の回路付サスペンション基板を、減圧下、３７０℃で、１２０分間、加熱した。これにより、カバー皮膜を硬化（イミド化）させるとともに、銅に対して錫が拡散される錫銅合金層を形成した（図３（ｆ）参照）。錫銅合金層の厚みは２．５μｍであった。なお、錫銅合金層の厚みを、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより測定した。

次いで、金属開口部を、金属支持基板を化学エッチングすることにより形成し（図４（ｇ）参照）、次いで、ベース開口部を、ベース絶縁層をプラズマエッチングすることにより形成し（図４（ｈ）参照）、次いで、金属開口部およびベース開口部から露出する下地を、剥離により除去した（図４（ｉ）参照）。
その後、厚み２μｍの金めっき層を、電解金めっきにより、端子部の上面および両側面に形成される錫銅合金層の表面と、端子部の下面とに、これらに連続するように形成した（図４（ｊ）参照）。

実施例２
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．１０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは２．０μｍであった。
実施例３
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．０５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは１．５μｍであった。

実施例４
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．２０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは２．５μｍであった。
実施例５
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．０１μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは１．０μｍであった。

実施例６
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．２５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは２．５μｍであった。
実施例７
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．００５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは１．０μｍであった。

実施例８
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．００１μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは０．５μｍであった。
実施例９
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．３０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは３．０μｍであった。

実施例１０
錫層の形成において、錫層の厚みを０．１５μｍから０．５０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、錫銅合金層の厚みは３．５μｍであった。
実施例１１
厚み２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。

次いで、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、金属支持基板の上面全面に均一に塗布し、９０℃で加熱して乾燥してベース皮膜を形成した。次いで、このベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、現像し、その後、これを３７０℃で加熱して硬化（イミド化）することにより、金属支持基板の上に、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図３（ｂ）参照）。

次いで、このベース絶縁層の上面全面に、厚み５０ｎｍのクロム薄膜および厚み１００ｎｍの銅薄膜をスパッタ蒸着法により順次形成することにより、下地を形成した。次いで、この下地の上面に、導体パターンのパターンと逆パターンのめっきレジストを形成した後、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを形成した（図３（ｃ）参照）。各配線の幅は、２０μｍであり、各配線間の間隔は、２０μｍであった。

次いで、導体パターンの上面、幅方向両側面および長手方向両側面に、無電解錫めっきにより、厚み０．１５μｍの錫層を形成した（図３（ｄ）参照）。
次いで、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、導体パターンを含むベース絶縁層の上面全面に塗布し、９０℃で加熱して乾燥した。次いで、これを、フォトマスクを介して露光した後、現像し、その後、これを３７０℃で加熱して硬化（イミド化）することにより、長手方向長さが１０００μｍのカバー開口部が形成されるパターンで、カバー絶縁層を形成した。これと同時に、銅に対して錫が拡散される錫銅合金層を、端子部を含む導体パターンの上面、幅方向両側面および長手方向両側面に、形成した（図３（ｅ）および図３（ｆ）参照）。この錫銅合金層の厚みは、２．５μｍであった。

次いで、金属開口部を、金属支持基板を化学エッチングすることにより形成し（図４（ｇ）参照）、次いで、ベース開口部を、ベース絶縁層をプラズマエッチングすることにより形成し（図４（ｈ）参照）、次いで、金属開口部およびベース開口部から露出する下地を、剥離により除去した（図４（ｉ）参照）。
次いで、厚み０．１５μｍの錫層を、導体パターンの下面に、ベース絶縁層をめっきレジストとする無電解錫めっきにより、形成した。

次いで、錫層が形成された製造途中の回路付サスペンション基板を、３７０℃で、１２０分間、加熱した。これにより、銅に対して錫が拡散される錫銅合金層を、さらに、端子部の下面に形成した。錫銅合金層の厚みは２．５μｍであった。
その後、厚み２μｍの金めっき層を、電解金めっきにより、端子部の上面、両側面および下面に形成される錫銅合金層の表面に、これらに連続するように形成した（図６参照）。

比較例１
錫層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。すなわち、この回路付サスペンション基板では、錫銅合金層は形成されず、金めっき層は、端子部の上面、両側面および下面に形成された。
（評価）
１） 接続強度
各実施例および比較例により得られた回路付サスペンション基板の外部側接続端子を、ボンディングツールを用いて、超音波振動を加えることにより、リード・ライト基板の金パッドからなる端子部に接続させた。その後、万能試験機（テンシロン、エー・アンド・デイ社製）により、１８０度方向に剥離するピール剥離試験を実施し、外部側接続端子の接続強度を測定した。その結果を表１に示す。
２） 表面抵抗
各実施例および比較例により得られた回路付サスペンション基板の外部側接続端子の表面抵抗率を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定した。その結果を表１に示す。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す要部平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の両端部の断面図であって、左側図が長手方向に沿う部分断面図、右側図が幅方向に沿う断面図である。 本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態としての、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、錫層を、端子部を含む導体パターンの上面および側面に形成する工程、（ｅ）は、カバー皮膜を形成する工程、（ｆ）は、未硬化のカバー皮膜を加熱により硬化させるとともに、錫合金層を形成する工程を示す。 図３に続いて、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態としての、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｇ）は、金属開口部を金属支持基板に形成する工程、（ｈ）は、ベース開口部をベース絶縁層に形成する工程、（ｉ）は、下地を除去する工程、（ｊ）は、金めっき層を、端子部における錫合金層の表面と、端子部の下面とに形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（錫合金層が、端子部の上面および両側面のみに形成される態様）である回路付サスペンション基板の両端部の断面図であって、左側図が長手方向に沿う部分断面図、右側図が幅方向に沿う断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（錫合金層が、端子部の上面、両側面および下面に形成される態様）である回路付サスペンション基板の両端部の断面図であって、左側図が長手方向に沿う部分断面図、右側図が幅方向に沿う断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ 錫合金層（錫銅合金層）
６ カバー絶縁層
７ 金めっき層
８ 金属開口部
９ ベース開口部
１１ 端子部
２１ 錫層
２３ カバー皮膜

Claims (10)

1. 第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に形成され、端子部を有する導体パターンと、
   前記第１絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成される第２絶縁層とを備え、
   前記端子部の表面は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層から露出されるように設けられており、
   少なくとも前記端子部の上面および両側面には、錫合金層が形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記錫合金層が、さらに、前記端子部の下面に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 少なくとも端子部における前記錫合金層の表面には、金めっき層が形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記錫合金層の厚みが、１．０〜３．０μｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
5. 前記導体パターンが銅から形成され、
   前記錫合金層が、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金層であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
6. 前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
7. 金属支持基板を用意する工程と、
   前記金属支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上に、端子部を有し、銅から形成される導体パターンを形成する工程と、
   少なくとも前記端子部の上面および両側面に、錫層を形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部の上面および両側面を露出するように、カバー絶縁層を形成する工程と、
   前記錫層を加熱して、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金層を、少なくとも前記端子部の上面および両側面に形成する工程と、
   前記金属支持基板および前記ベース絶縁層に、前記端子部の下面が露出するように、金属開口部およびベース開口部をそれぞれ形成する工程と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
8. 少なくとも端子部における前記錫銅合金層の表面に、金めっき層を形成する工程を備えていることを特徴とする、請求項７に記載の配線回路基板の製造方法。
9. 前記カバー絶縁層を形成する工程は、
   未硬化の樹脂を積層する工程と、
   積層された未硬化の前記樹脂を加熱により硬化させる工程とを含み、
   未硬化の前記樹脂を加熱により硬化させる工程と、前記錫銅合金層を形成する工程とを同時に実施することを特徴とする、請求項７または８に記載の配線回路基板の製造方法。
10. 前記錫層の厚みが、０．０１〜０．２０μｍであることを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。

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