JP2007019511A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
本発明は発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の発光構造物の間にエッチング用膜を形成し、このエッチング用膜の除去で発光構造物それぞれの側面を分離し、基板を除去して素子の下部面を分離することにより、素子の分離をさらに容易にすることができる長所がある。
また、本発明はスクライビング工程を行わず素子を分離することにより、素子のクラック(Crack)やベンディング(Bending)のような欠陥発生を減らすことができ、スクライビング工程のための素子間の間隔を維持しなくても良いため、素子の集積度を増加させられる長所がある。
【選択図】図２ｄ

Description

本発明は発光素子及びその製造方法に関する。

通常、発光素子は窒化ガリウム(ＧａＮ)結晶を薄膜に成長させて作り、窒化ガリウム結晶を成長させるために最良のものが窒化ガリウム基板である。

しかし、窒化ガリウム基板は窒化ガリウム結晶成長の困難などにより極めて高価である。

それで、このような窒化ガリウム系発光素子は殆んど異種基板に成長され、その異種基板はサファイア(Ａｌ_２Ｏ_３)やシリコンカーバイド(ＳｉＣ)、ガリウム砒素(ＧａＡｓ)などが使用されており、このような異種基板のうちサファイア基板が現在最も幅広く使用されている現状である。

図１ａないし図１ｅは従来の技術による窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図であって、まず図１ａに示したように、サファイア基板２０の上部に相互離隔される複数の発光構造物１０を形成する。

ここで、前記複数の発光構造物１０それぞれは光が生成される活性層を含む構造である。 そして、前記複数の発光構造物の上部には外部からの電流を発光構造物に安定的に供給できるようにオーミックコンタクト(Ohmic Contact)するＰ形電極を蒸着する。

その後、前記複数の発光構造物１０を覆い、メッキ(Plating)などの方法を用いて金属膜３０を形成する(図１ｂ)。

この際、前記金属膜３０が前記発光構造物１０を保持しているので、後続工程でサファイア基板２０をさらに容易に除去することができる。

引き続き、前記サファイア基板２０を前記複数の発光構造物１０の下部から離脱させる(図１ｃ)。

前記サファイア 基板２０はレーザリフトオフ(Laser Lift Off)工程を行なって除去されうる。

ここで、レーザリフトオフ工程は前記サファイア基板２０の下部からレーザを照射して前記金属膜３０が覆われた複数の発光構造物１０からサファイア基板を分離除去する工程である。

この際、前述した金属膜を形成する工程とレーザリフトオフ工程から発生するエネルギーは金属膜にそのまま転移されて金属膜の内部に応力が発生する。

従って、金属膜のクラックやベンディングのような欠陥が発生し、この欠陥は素子不良の原因になって素子の製造収率が低下される可能性がある。

引き続き、図１ｄに示したように、サファイア基板が分離された後、相互離隔された前記複数の発光構造物１０の間に位置した金属膜の上部に切断溝４０を形成するためのスクライビング(Scribing)工程を行なう。

この際、金属自体の剛性のため前記切断溝４０の下部にクラック４１が発生する場合があり、またそのクラック４１が発光構造物１０に転移され発光素子の品質が低下される可能性がある。

最後に、図１ｅのように、前記金属膜３０で被覆された隣り合った前記複数の発光構造物１０に物理的な力を加えて発光素子を１個ずつ個々に分離させるエキスパンディング及びブレイキング(Expanding & Breaking)工程を行なう。

このような従来の製造工程では発光構造物を分離するために金属膜の上部に溝を形成し、この溝を用いてブレイキング工程を行なったが、金属膜の下部領域は切断されない場合が発生して全ての発光構造物を完璧に分離し難い問題点があった。

特に、銅(Ｃｕ)のような延性の大きい素子が金属膜として形成される場合、金属膜が良く延伸するので発光構造物を分離させるのに困難がある。

また、前述したようにスクライビング過程で発生した金属膜のクラック４１が発光素子の分離時発光構造物に転移される恐れも高い。

勿論、発光構造物の間隔を広めて前記クラックを発光構造物に転移することを最大限減少させる方法もあるが、そうするとウェーハ当たり集積可能な素子の個数が減って収率が減少するしかなく、かつ既存のスクライビング工程を改良しなければならない問題点も発生するので望ましい解決策ではない。

本発明は前述したような問題点を解決するために案出されたもので、エッチング用膜の除去により発光構造物それぞれの側面を分離し、基板を除去して素子の下部面を分離することにより、素子の分離をさらに容易にする発光素子及びその製造方法を提供するところにある。

本発明の他の目的はスクライビング工程を行なわず素子を分離することにより、素子のクラック(Crack)やベンディング(Bending)のような欠陥発生を減らすことができ、スクライビング工程のための素子間の間隔を維持しなくても良いので、素子の集積度を増加させられる発光素子及びその製造方法を提供するところにある。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第１様態は、異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、前記相互離隔された複数の発光構造物の間に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜を形成する段階と、前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜を覆う金属膜を形成する段階と、前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階と、前記エッチング用膜を除去する段階と、前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物をそれぞれ分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法が提供される。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第２様態は、異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、相互離隔された前記複数の発光構造物の間に、前記複数の発光構造物の高さより高い高さを有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜を形成する段階と、前記エッチング用膜の上部を露出させ、複数の発光構造物を覆い、前記エッチング用膜の側面を覆う金属膜を形成する段階と、エッチング用膜を除去する段階と、前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法が提供される。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第３様態は、異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、相互離隔された前記複数の発光構造物の間に、前記複数の発光構造物の高さより高い高さを有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜を形成する段階と、前記エッチング用膜及び複数の発光構造物を覆う金属膜を形成する段階と、前記エッチング用膜が露出されるように前記金属膜の上部を除去する段階と、前記エッチング用膜を除去する段階と、前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法が提供される。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第４様態は、異種基板の上部に複数の窒化ガリウム発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、前記複数の窒化ガリウム発光構造物の上部に電極を形成する段階と、前記複数の窒化ガリウム発光構造物の側面及び前記電極の側面を覆い前記複数の窒化ガリウム発光構造物を隔離させる絶縁膜を形成する段階と、前記電極上部と前記絶縁膜の外側全面を覆うシード層(Seed layer)を形成する段階と、前記相互離隔された複数の窒化ガリウム発光構造物の間のシード層の上部に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜を形成する段階と、前記シード層の上部と前記エッチング用膜を覆う金属膜を形成する段階と、前記異種基板を前記複数の窒化ガリウム発光構造物から離脱させる段階と、前記エッチング用膜を除去する段階と、前記金属膜が覆われた前記複数の窒化ガリウム発光構造物それぞれを分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法が提供される。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第５様態は、第１極性半導体層、活性層と第２極性半導体層が順次に積層されている発光構造物と、前記発光構造物の側面に形成された絶縁性の高反射膜と、前記第２極性半導体層の上部に形成された第１電極と、前記第１極性半導体層の下部に形成された第２電極とを含んで構成された発光素子が提供される。

以上述べたような本発明は、エッチング用膜の除去により発光構造物それぞれの側面を分離し、基板を除去して素子の下部面を分離することにより、素子の分離をさらに容易にすることができる。

また、本発明はスクライビング工程を行なわず素子を分離することにより、素子のクラックやベンディングのような欠陥発生を減らすことができ、スクライビング工程のための素子間の間隔を維持しなくても良いので、素子の集積度を増加させられる。

以下、添付した図面に基づき本発明の望ましい実施例を詳述する。

図２ａないし図２ｅは、本発明に係る発光素子の製造方法を説明するための断面図であって、異種基板２００の上部に複数の発光構造物１００を相互離隔されるように形成する(図２ａ)。

ここで、前記複数の発光構造物１００それぞれは、図７に示したようにｎ形半導体層１１０ａ、活性層１１０ｂ及びｐ形半導体層１１０ｃが順次に積層された構造物であり、前記ｎ形半導体層１１０ａ、活性層１１０ｂ及びｐ形半導体層１１０ｃの側面には絶縁膜１３０（ＨＲ）が形成される。

ここで、前記絶縁膜１３０（ＨＲ）は高反射膜が望ましい。

そして、前記複数の発光構造物１００の上部にはオーミックコンタクトするＰ形電極が蒸着されることが望ましい。

また、前記異種基板はサファイア基板であることが望ましい。

その後、図２ｂに示したように、相互離隔された前記複数の発光構造物１００の間に選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜４００を形成する。

ここで、前記選択的にエッチング可能な物質はフォトレジスト(Photoresist)またはポリイミド(Polyimide)であることが望ましい。

そして、前記エッチング用膜４００の幅(ｗ)は５μｍ〜５０μｍであり、高さ(ｈ)は５、μｍ〜１００μｍであることが望ましい。

その後、図２ｃに示したように、前記複数の発光構造物１００と前記エッチング用膜４００を覆う金属膜３００を形成する。

ここで、前記複数の発光構造物１００と前記エッチング用膜４００の側面と上部一部を覆うように前記異種基板２００の上部に金属膜３００を形成する。

この際、前記工程において前記エッチング用膜４００の上部一部には前記金属膜３００を形成させず、前記エッチング用膜４００の上部にボイド４１０が形成され、前記金属膜３００は前記複数の発光構造物１００のそれぞれを含む構造物に分離されていることが望ましい。

次いで、前記金属膜３００で覆われた前記複数の発光構造物１００と前記エッチング用膜４００から前記異種基板２００を分離する(図２ｄ)。

ここで、前記異種基板２００の分離は前記異種基板２００の下部からレーザ光を照射して前記異種基板２００を分離させるレーザリフトオフ工程を行なうことが望ましい。

従って、前記異種基板２００は前記発光構造物１００、金属膜３００及び前記エッチング用膜４００から離脱される。

その後、前記エッチング用膜４００を除去する。

ここで前記膜４００はアセトンのような有機溶剤でエッチングして除去したり、または有機溶剤スプレーを用いて除去することが望ましい。

そして、前記エッチング用膜４００の除去により、発光構造物１００の間にはボイド４０１が形成される。

最後に、前記金属膜３００で覆われた前記複数の発光構造物１００をそれぞれ分離する(図２ｅ)。

この際、前記複数の発光構造物１００の間に存在するかもしれない結合力を解除させるため、前記複数の発光構造物１００の間に外力を加えて、それぞれの複数の発光構造物１００が含まれる１個ずつの金属膜３００に分離する。

ここで、前記複数の発光構造物１００の間に存在する膜４００は除去されボイドとして存在し、エッチング用膜４００の上部は金属膜３００が分離されているため、若干の物理的な力だけでも発光構造物１００が含まれた個別的な金属膜３００に分離しやすい。

このような前記分離は前記金属膜３００の間を引っ張って物理的な力を加えて分離させるエキスパンディング及びブレイキング(Expanding & Breaking)工程を行なうことが望ましい。

図３ａないし図３ｄは、図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くして窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図であって、まず、図３ａに示されたように、相互離隔された前記複数の発光構造物１００の間に、前記複数の発光構造物１００の高さ(Ｈ１)より高い高さ(Ｈ２)を有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜４１０を形成する。

その後、前記エッチング用膜４１０の上部を露出させ、複数の発光構造物１００を覆い、前記エッチング用膜４１０の側面を覆う金属膜３００を形成する(図３ｂ)。即ち、エッチング用膜４１０と同じ高さまで金属膜３００を形成すれば、図３ｂと同じく、エッチング用膜４１０上部には金属膜が形成されない。金属膜３００は、メッキ工程又は蒸着工程により形成することが可能である。

次いで、前記エッチング用膜４１０を除去する(図３ｃ)。

この工程において、前記複数の発光構造物１００それぞれを覆う金属膜３００の間は前記エッチング用膜４１０の除去によりボイド４１１が形成され、前記金属膜３００が覆われた前記複数の発光構造物１００それぞれは領域が区分される。

最後に、前記金属膜３００が覆われた前記複数の発光構造物１００と前記エッチング用膜４１０から前記異種基板２００を分離する(図３ｄ)。

従って、前述した図３ａないし図３ｄを行なう窒化ガリウム系発光素子の製造方法は前記エッチング用膜４１０を除去して素子の側面を分離し、基板を除去して素子の下部面を分離することにより、素子の分離がさらに容易になる。

図４ａないし図４ｅは図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くした他の発光素子の製造方法を説明するための断面図であって、相互離隔された前記複数の発光構造物１００の間に、前記複数の発光構造物１００の高さ(Ｈ１)より高い高さ(Ｈ２)を有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜４１０を形成する(図４ａ)。

その後、前記エッチング用膜４１０及び複数の発光構造物１００を覆う金属膜３００を形成する(図４ｂ)。

次いで、前記エッチング用膜４１０が露出されるように前記金属膜３００の上部を除去する(図４ｃ)。

引き続き、前記エッチング用膜４１０を除去する(図４ｄ)。

最後に、前記金属膜３００が覆われた前記複数の発光構造物１００と前記エッチング用膜４１０から前記異種基板２００を分離する(図４ｅ)。

前記図４ａないし図４ｅを行なう窒化ガリウム系発光素子の製造方法は前記エッチング用膜の上部を覆う金属膜を形成し、前記エッチング用膜が露出されるように前記金属膜の上部を除去した後、エッチング用膜と基板除去を施して素子を分離する。

図５は本発明により発光構造物の間にエッチング用膜が形成された状態を説明するための平面図であって、異種基板２００の上部には相互離隔された発光構造物１００が形成されており、その発光構造物１００の間にはエッチング用膜４００が形成されている。

このエッチング用膜４００は図５に示したように格子状に形成されていて、発光構造物１００それぞれの側面を分離させる。

図６ａないし図６ｅは本発明の望ましい一実施例であって窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図であって、図６ａに示したように、異種基板の上部に複数の窒化ガリウム発光構造物１１０を相互離隔されるように形成し、前記複数の窒化ガリウム発光構造物１１０の上部に電極１２０を形成し、前記複数の窒化ガリウム発光構造物１１０の側面及び前記電極１２０の側面を覆い前記複数の窒化ガリウム 発光構造物１１０を隔離させる絶縁膜１３０を形成する。

そして、前記電極１２０の上部と前記絶縁膜１３０の外側前面を覆うシード層１４０を蒸着する。

ここで、前記複数の窒化ガリウム発光構造物それぞれは第１極性半導体層、活性層、前記第１極性と逆極性である第２極性半導体層よりなることが望ましい。

前記第１極性がＮ型ならば第２極性はＰ型である。

また、前記電極１２０は最上層がｐ形半導体層の場合、このｐ形半導体層とオーミックコンタクトをなすように電極が望ましい。

そして、前記絶縁膜１３０は絶縁性の高反射(ＨＲ)膜で形成できるが、このように高反射膜が前記窒化ガリウム発光構造物１１０の各側面を覆っていると、発光構造物１１０の側面に放出される光を反射させ、光出力を向上させられる。

さらに、前記シード層１４０はこのシード層１４０の上部に金属を蒸着させるためのもので、通常のＵＢＭ(Under Bump Metallization)層で形成する。

また、前記異種基板２１０はサファイア基板(Ａｌ_２Ｏ_３)であることが望ましい。

その後、前記相互離隔された複数の窒化ガリウム発光構造物１１０の間のシード層１４０の上部に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜４５０を形成する(図６ｂ)。

ここで、前記選択的にエッチング可能な物質はフォトレジストまたはポリイミドであることが望ましい。

一方、前記エッチング用膜４５０は幅(ｗ)は５μｍ〜５０μｍであり、高さ(ｈ)は５μｍ〜１００μｍであることが望ましい。

その後、前記シード層１４０の上部と前記エッチング用膜４５０を覆う金属膜３１０を形成する(図６ｃ)。

この際、前記金属膜３１０はメッキ工程を行って形成することが望ましい。

このメッキ工程を行うと、前記エッチング用膜４５０の上部から金属膜の表面に至る完全に接合しない境界面領域４６０が生成される。

引き続き、前記異種基板２１０を前記複数の窒化ガリウム発光構造物１１０から離脱させる(図６ｄ)。

ここで、レーザリフトオフ法を通じて異種基板の下部にレーザを照射して異種基板を分離することが望ましい。

次いで、前記エッチング用膜４５０を除去する。

ここで、前記エッチング用膜４５０はアセトンのような有機溶剤を用いたエッチングを通じて除去したり、あるいは有機溶剤スプレーを用いて除去する。

そして、前記エッチング用膜４５０の除去で、発光構造物１００の間にはボイド４５１が形成される。

最後に、前記金属膜３１０が覆われた前記複数の窒化ガリウム発光構造物１００をそれぞれ分離する(図６ｅ)
前記複数の発光構造物１００の間に存在するエッチング用膜４５０は除去されボイドとして存在し、エッチング用膜４５０の上部は金属膜３１０が分離されているため、若干の物理的な力だけでも前記絶縁膜１３０とシード層１４０は切れて発光構造物１００が含まれた個別的な金属膜３１０に分離しやすい。

ここで、図６ｅの分離工程はエキスパンディング及びブレイキング工程を行う。

この際、前記エッチング用膜４５０の下部に位置した前記絶縁膜１３０とシード層１４０の厚さは薄くて結合状態を切れやすいので、素子の分離時大きく邪魔にならない。

図８は本発明に係る発光素子の断面図であって、第１極性半導体層１７１、活性層１７２と第２極性半導体層１７３が順次に積層されており、側面が傾斜した発光構造物１７０と、前記発光構造物１７０の側面に形成された絶縁性の高反射膜１８０と、前記第２極性半導体層１７３の上部に形成された第１電極３５０と、前記第１極性半導体層１７１の下部に形成された第２電極３５１とを含んで構成される。

ここで、前記発光構造物１７０は側面が一定角度(θ)で傾斜しているため、活性層１７２から放出される光が高反射膜１８０から反射され第１極性半導体層１７１を通じて発光構造物１７０の下部に放出させる光量を増加させられるようになる。

図９は離隔された窒化ガリウム発光構造物の間にフォトレジストでエッチング用膜５００を形成した後、銅(Ｃｕ)金属膜６００でメッキした様子を電子顕微鏡で撮った写真である。 写真から分かるように、前記エッチング用膜５００の上部から金属膜６００の表面に至る完全に接合されない境界面領域７００が生成されることが確認することができる。。

図１０は図５において境界面領域７００をさらに拡大した写真である。

本発明は具体的な例についてだけ詳述されたが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能なことは当業者にとって明らかであり、このような変形及び修正は特許請求の範囲に属することは当然である。

従来の技術による窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 従来の技術による窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 従来の技術による窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 従来の技術による窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 従来の技術による窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明に係る発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明に係る発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明に係る発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明に係る発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明に係る発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くして窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くして窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くして窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くして窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くした他の発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くした他の発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くした他の発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くした他の発光素子の製造方法を説明するための断面図 図２ｂの工程においてエッチング用膜の高さを発光構造物の高さより高くした他の発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明により発光構造物の間にエッチング用膜が形成された状態を説明するための平面図 本発明の望ましい一実施例であって窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明の望ましい一実施例であって窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明の望ましい一実施例であって窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明の望ましい一実施例であって窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明の望ましい一実施例であって窒化ガリウム系発光素子の製造方法を説明するための断面図 本発明に係る発光構造物の概略的な断面図 本発明に係る発光素子の断面図 本発明によりエッチング用膜の上部に形成されている銅膜がエッチング用膜の上部に存在する完全に接合されない境界面領域を撮影した写真。 図９の写真において境界面領域をさらに拡大した写真

符号の説明

１００、１１０、１７０ : 発光構造物
１１０ａ、１１０ｃ、１７１、１７３ : 半導体層
１１０ｂ、１７２ : 活性層
１２０、３５０、３５１ : 電極
１３０ : 絶縁膜
１４０ : シード層
２００、２１０ : 異種基板
３００、３１０ : 金属膜
４００、４１０、４５０ : エッチング用膜
４１０、４１１、４５１ : ボイド

Claims (21)

1. 異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、
   前記相互離隔された複数の発光構造物の間に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜を形成する段階と、
   前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜を覆う金属膜を形成する段階と、
   前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階と、
   前記エッチング用膜を除去する段階と、
   前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物をそれぞれ分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。
2. 前記金属膜は、
   前記エッチング用膜の上部一部に形成されなくて前記エッチング用膜の上部にボイドが形成されていて、前記複数の発光構造物それぞれを含む構造物に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
3. 異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、
   相互離隔された前記複数の発光構造物の間に、前記複数の発光構造物の高さより高い高さを有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜を形成する段階と、
   前記エッチング用膜の上部を露出させ、複数の発光構造物を覆い、前記エッチング用膜の側面を覆う金属膜を形成する段階と、
   前記エッチング用膜を除去する段階と、
   前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。
4. 異種基板の上部に複数の発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、;
   相互離隔された前記複数の発光構造物の間に、前記複数の発光構造物の高さより高い高さを有し、選択的にエッチング可能な物質よりなるエッチング用膜を形成する段階と、
   前記エッチング用膜及び複数の発光構造物を覆う金属膜を形成する段階と、
   前記エッチング用膜が露出されるように前記金属膜の上部を除去する段階と、
   前記エッチング用膜を除去する段階と、
   前記金属膜が覆われた前記複数の発光構造物と前記エッチング用膜から前記異種基板を分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。
5. 前記複数の発光構造物それぞれは、
   ｎ形半導体層、活性層とｐ形半導体層が順次に積層された構造物であり、
   前記ｎ形半導体層、活性層とｐ形半導体層の側面には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
6. 前記異種基板は、
   サファイア基板であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
7. 前記異種基板を分離する段階は、
   レーザリフトオフ工程であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
8. 前記選択的にエッチング可能な物質は、
   フォトレジストまたはポリイミドであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
9. 前記エッチング用膜の幅は５μｍ〜５０μｍであり、
   高さは５μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
10. 前記エッチング用膜を除去する段階は、
    有機溶剤でエッチングして除去することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
11. 異種基板の上部に複数の窒化ガリウム発光構造物を相互離隔されるように形成する段階と、
    前記複数の窒化ガリウム発光構造物の上部に電極を形成する段階と、
    前記複数の窒化ガリウム発光構造物の側面及び前記電極の側面を覆い、前記複数の窒化ガリウム発光構造物を隔離させる絶縁膜を形成する段階と、
    前記電極の上部と前記絶縁膜の外側前面を覆うシード層を形成する段階と、
    前記相互離隔された複数の窒化ガリウム発光構造物の間のシード層の上部に選択的にエッチング可能な物質でエッチング用膜を形成する段階と、
    前記シード層の上部と前記エッチング用膜を覆う金属膜を形成する段階と、
    前記異種基板を前記複数の窒化ガリウム発光構造物から離脱させる段階と、
    前記エッチング用膜を除去する段階と、
    前記金属膜が覆われた前記複数の窒化ガリウム発光構造物それぞれを分離する段階とを含んで構成される発光素子の製造方法。
12. 前記複数の窒化ガリウム発光構造物それぞれは、
    第１極性半導体層、活性層、前記第１極性と逆極性である第２極性半導体層よりなることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子の製造方法。
13. 前記絶縁膜は、
    絶縁性の高反射(ＨＲ)膜であることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子の製造方法。
14. 前記シード層は、
    ＵＢＭ(Under Bump Metallization)層であることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子の製造方法。
15. 前記金属膜はメッキ工程を行なって形成することを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
16. 前記メッキ工程で、
    前記エッチング用膜の上部から金属膜表面まで接合しない境界面領域が生成されることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
17. 前記選択的にエッチング可能な物質は、
    フォトレジストまたはポリイミドであることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
18. 前記エッチング用膜を除去する段階は、
    有機溶剤でエッチングして除去することを特徴とする請求項１７に記載の発光素子の製造方法。
19. 第１極性半導体層、活性層と第２極性半導体層が順次に積層されている発光構造物と、 前記発光構造物の側面に形成された絶縁性の高反射膜と、
    前記第２極性半導体層の上部に形成された第１電極と、
    前記第１極性半導体層の下部に形成された第２電極とを含んで構成される発光素子。
20. 前記発光構造物は、
    側面が傾斜したことを特徴とする請求項１９に記載の発光素子。
21. 前記第１極性はＮ型であり、
    前記第２極性はＰ型であることを特徴とする請求項１９または２０に記載の発光素子。