JP2006248180A - トリメチン系化合物及びこれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能でかつ、耐湿熱性に優れた高密度、高速記録に適した追記型光記録媒体を提供する。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で示されるアニオン成分を含有するトリメチン化合物、

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基、下記一般式（II）で示される複素環を表す。またＸとＹは結合して環を形成しても良い。）

（式中、環Ａはそれが結合している窒素原子、およびカルボニル基を含む、置換基を有しても良い複素環を表す。）
【選択図】 なし

Description

本発明は、トリメチン系化合物を用いた、従来に比較して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関する。

画像、映像、音声等のデータを記録再生することのできる媒体として、有機色素を記録材料として用いるＣＤ−Ｒが広く知られている。現在、扱われるデータ量の増大に伴い、ＣＤ−Ｒと比較して大容量な記録再生可能な光記録媒体の普及が望まれ、中でもＣＤ−Ｒ同様有機色素を記録材料とするＤＶＤ−Ｒが開発され、商品化されるに至っている。

ＤＶＤ−Ｒでは高密度記録を行うためにレーザー光の発信波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤ−Ｒの場合よりも短波長化している。このような短波長用途の有機色素系光記録媒体の色素としては、トリメチン化合物、アゾ化合物、ポルフィリン系化合物、インジゴ類、ジオキサジン化合物、クマリン化合物、ペリレン化合物、ナフトラクタム化合物、トリフェニルメタン化合物、サブフタロシアニン化合物、ジベンゾピラン化合物、ジピロメテン化合物等が提案されている。

中でも、トリメチン化合物は光学特性に優れ、高密度化に対応できることから検討されている。
トリメチン化合物は、トリメチン構造を有するカチオン及びその対イオンであるアニオンにより構成されており、対イオンであるアニオンとしては、ヨウ素、臭素、塩素等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン等が使用されており、これらは、特開２００１−２０９９６９号公報、特開２００１−３２２３５４号公報、特開２０００−１０８５１０号公報、特開２０００−１６８２３３号公報、特開平１０−２３５９９９号公報、特開平１０−３３７９５９号公報等に記載されている。
しかし、上記のアニオンを用いたトリメチン化合物は、空気中の水分や熱に対する記録の保存安定性（以降耐湿熱性と記載することもある）が不充分であるという問題点を有している。
特開２００１−２０９９６９号公報 特開２００１−３２２３５４号公報 特開２０００−１０８５１０号公報 特開２０００−１６８２３３号公報 特開平１０−２３５９９９号公報 特開平１０−３３７９５９号公報

本発明者の目的は、波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能で、耐湿熱性に優れ、更に標準の記録速度のみならず高速度の記録においても良好な記録特性を有する高密度光記録媒体を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を進めた結果、特定の構造を有するトリメチン化合物を用いることにより、耐湿熱性に優れ、更に標準の記録速度のみならず高速度の記録においても良好な記録特性を有する高密度光記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、
〔１〕下記一般式（Ｉ）で示されるアニオン成分を含有するトリメチン化合物、

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基、下記一般式（II）で示される複素環を表す。またＸとＹは結合して環を形成しても良い。）

（式中、環Ａはそれが結合している窒素原子、およびカルボニル基を含む、置換基を有しても良い複素環を表す。）
〔２〕下記一般式（III）で示される〔１〕記載のトリメチン化合物、

（式中Ｒ_１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基を表し、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_１０とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１３は結合して置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、或いは窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む複素環を形成しても良い。またＲ_６とＲ_７及びＲ_８とＲ_９は結合して５〜６員環を形成しても良い。Ｒ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｘ、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ意味を表す。）
〔３〕下記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）のいずれかのアニオン成分からなる〔１〕又は〔２〕記載のトリメチン化合物、

〔４〕基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のトリメチン化合物を少なくとも１種用いることを特徴とする光記録媒体、
に関するものである。

本発明の新規なトリメチン系化合物を記録層として用いることにより、波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能であり、耐湿熱性に優れ、更に標準の記録速度のみならず高速度の記録においても良好な記録特性を有する高密度光記録媒体を提供することが可能となる。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のトリメチン化合物とは、下記一般式（Ｉ）で示されるアニオン成分を含有するトリメチン化合物、

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基、下記一般式（II）で示される複素環を表す。またＸとＹは結合して環を形成しても良い。）

（式中、環Ａはそれが結合している窒素原子、およびカルボニル基を含む、置換基を有しても良い複素環を表す。）
であり、より具体的には、下記一般式（III）で示されるトリメチン化合物、

（式中Ｒ_１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基を表し、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_１０とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１３は結合して置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、或いは窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む複素環を形成しても良い。またＲ_６とＲ_７及びＲ_８とＲ_９は結合して５〜６員環を形成しても良い。Ｒ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｘ、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ意味を表す。）
である。

以下、本発明におけるトリメチン化合物として、下記一般式（Ｉ）で示されるアニオン成分を含有するトリメチン化合物及び下記一般式（III）で示されるトリメチン化合物についてより具体的に説明する。

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基、下記一般式（II）で示される複素環を表す。またＸとＹは結合して環を形成しても良い。）

（式中、環Ａはそれが結合している窒素原子、およびカルボニル基を含む、置換基を有しても良い複素環を表す。）

（式中Ｒ_１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基を表し、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_１０とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１３は結合して置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、或いは窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む複素環を形成しても良い。またＲ_６とＲ_７及びＲ_８とＲ_９は結合して５〜６員環を形成しても良い。Ｒ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｘ、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ意味を表す。）

本発明の一般式（Ｉ）で示されるアニオン成分を含有するトリメチン化合物において、トリメチン化合物とはアニオン成分とカチオン成分から形成され、少なくとも一般式（１）で示されるアニオン成分を含有していればよい。カチオン成分としては、トリメチン構造を有したものであればよく、特に制限はない。

一般式（Ｉ）で表されるアニオン成分において、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基、一般式（II）で示される複素環を表す。またＸとＹは結合して環を形成しても良い。

Ｘ、Ｙの具体例としては例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ-プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−tert−ブチル基、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ-sec-ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、4−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基；
メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等のアルケニル基；
フェニル基、４−メチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、ビフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、４−フロロフェニル基、ナフタレン-1-イル基、ナフタレン−２−イル基等のアリール基；
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。

また下記一般式（II）の好ましい具体例としては下記構造が挙げられる。

（式中、環Ａはそれが結合している窒素原子、およびカルボニル基を含む、置換基を有しても良い複素環を表す。）

上記式中、Ｚは全て同じでも異なってもよく、具体的な例としては、
水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、n-オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を挙げられる。

また、ＸとＹが結合して環を形成する場合には、以下に記載する通り、連結器を介して結合してもよく、その具体例としては、例えば
-CH₂CH₂CH₂-、-CHCH₃CH₂CH₂-、-CH₂CHCH₃CH₂-、-CH₂CH₂CH₂CH₂-、-CHCH₃CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CHCH₃CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-等の炭素数１〜６のアルキレン基；
-CCl₂CCl₂CCl₂-、-CClCCl₃CCl₂CCl₂-、-CCl₂CClCCl₃CCl₂-、-CCl₂CCl₂CCl₂CCl₂-、-CClCCl₃CCl₂CCl₂CCl₂-、-CCl₂CClCCl₃CCl₂CCl₂-、-CCl₂CCl₂CCl₂CCl₂CCl₂-、-CCl₂CCl₂CCl₂CCl₂CCl₂CCl₂-、-CF₂CF₂CF₂-、-CFCF₃CF₂CF₂-、-CF₂CFCF₃CF₂-、-CF₂CF₂CF₂CF₂-、-CFCF₃CF₂CF₂CF₂-、-CF₂CFCF₃CF₂CF₂-、-CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂-、-CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂-等の炭素数１〜６のパーハロゲノアルキレン基が挙げられる。

一般式（III）で表されるトリメチン化合物において、Ｒ_１〜R_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基を表す。

ここで、具体的には、Ｒ_１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表す。

さらに具体的には、Ｒ_１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表す。

ここで、一般式（Ｉ）のアニオン成分を含有するトリメチン化合物の置換基及び一般式（III）のトリメチン化合物のＲ_１〜Ｒ_１４の具体例としては、例えば水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、n-オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基が挙げられる。

また、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_１０とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１３は結合して置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、或いは窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む複素環を形成しても良いが、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環を形成する場合の具体例としては、例えば下記式が挙げられる。

式中Ｒ_１８〜Ｒ_２１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基を表す。

より具体的には、Ｒ_１８〜Ｒ_２１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表す。

さらに具体的には、Ｒ_１８〜Ｒ_２１はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数１〜６アルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基を表し、具体例としては、前記のものが挙げられる。

また、結合して複素環を形成する場合の具体例は下記式が挙げられる。

またＲ_６とＲ_７及びＲ_８とＲ_９は結合して５〜６員環を形成しても良い。Ｒ_６とＲ_７及びＲ_８とＲ_９が結合して５〜６員環を形成する具体例としてはシクロペンチル基、シクロへキシル基、テトラハイドロフラン基、テトラハイドロピラン基等が挙げられる。

またＲ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル基を表し、より具体的にはＲ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基を表し、更に具体的にはＲ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８のアルキル基を表す。

Ｒ_１５〜Ｒ_１７の具体例としては、例えば、水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基が挙げられる。

また、Ｘ、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ意味を表す。

また、本発明のトリメチン化合物のアニオン成分としては、下記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）で表されるアニオン成分が好ましいものとして挙げられ、本願のトリメチン化合物は、下記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）のいずれかのアニオン成分からなるトリメチン化合物が好ましいものとして挙げられる。

本発明の一般式（Ｉ）のアニオン成分を有するトリメチン化合物及び一般式（III）のトリメチン化合物の好ましい具体例を下記に示すが、その化合物の範囲はこれらに限定されるものではない。

本発明のトリメチン化合物は、特に限定されないが、例えば、一般式（IV）で表されるインドレニウム化合物と下記式（ａ）のジアニル化合物を脂肪酸塩の存在下、脱水性有機酸を用いて縮合させることにより下記一般式（Ｖ）のトリメチン化合物が得られる。

（IV）
（式中、Ｒ_１８〜Ｒ_２４は前記一般式（III）中のＲ_１〜Ｒ_１４と同じ意味を示す）

（ａ）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１７は前記一般式（III）中のＲ_１〜Ｒ_１７と同じ意味を示す）

上記縮合反応において、脂肪酸塩としては、例えば、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸ナトリウム、プロピオン酸カリウム等が挙げられる。
かかる脂肪酸塩は一般式（IV）で表される化合物１モル当たり通常０．１〜５モル程度、好ましくは０．５〜２モル程度使用する。
脱水性有機酸としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、γ−ブチルラクトン等が挙げられる。
かかる脱水性有機酸は、一般式（Ｖ）で表される化合物１モル当たり通常１０〜１００モル程度、好ましくは２０〜５０モル程度使用する。
一般式（Ｖ）で表される化合物と式（ａ）で示される化合物との使用割合は、通常前者１モルに対し後者を０．２〜１．５モル程度、好ましくは０．４〜０．７モル程度使用する。

上記反応は通常１０〜１５０℃程度、好ましくは室温〜１２０℃で好適に進行し、一般に数分〜３時間程度で完結する。
反応後、例えば、水やメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール等の貧溶媒を注入したり、或いは水やメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール等の貧溶媒へ排出することにより反応混合物から目的物を容易に単離することができる。

前記一般式（Ｖ）のトリメチン化合物を非プロトン性溶媒、例えばDMF（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、DMAC（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、DMSO（ジメチルスルホキシド）、DMI（１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン）等の溶媒中、アルカリ、NaOH、KOH等の存在下、５〜５０℃、好ましくは１０〜３０℃にて数分〜３時間程度反応して相当する下記一般式（VI）で表されるトリメチンヒドロキシ体を製造する。

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１７は前記一般式（III）中のＲ_１〜Ｒ_１７と同じ意味を示す）

反応後、水に排出して目的物のトリメチンヒドロキシ体を容易に得ることができる。

非プロトン性溶媒は一般式（Ｖ）のトリメチン化合物に対し１〜２０倍容量好ましくは５〜１０倍容量使用する。

アルカリ量は一般式（Ｖ）のトリメチン化合物に対し１〜１０モル、好ましくは３〜５モル程度使用する。

前記一般式（VI）のトリメチンヒドロキシ体を極性溶媒、例えば、アセトン、酢酸エチル、THF、塩化メチレン、クロロホルム、メタノール、エタノール、n-プロパノール中に溶解して下記一般式（VII）で表されるイミン酸を添加、５〜５０℃、好ましくは１０〜３０℃にて数分〜３時間程度反応して相当する前記一般式（III）で表されるトリメチン化合物を製造することができる。

（式中、Ｘ、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ）

本発明における光記録媒体に関し、その具体的な構成について以下に説明する。
光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することのできる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体に関して説明する。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ構造を有している。すなわち、ランド７及びグル−ブ６を有する透明樹脂基板１の上に、記録層２、反射層３及び保護層（または接着層）４が形成され、場合によってはこれらの上に基板５が更に設けられる。ただし、記録層２の下または上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良い。ここでは、既存のＤＶＤとの互換性のため、板厚が０．６ｍｍ、外径１２０ｍｍΦ、内径１５ｍｍφの円盤状基板が２枚貼り合わされた構造である。

次に、本発明の記録媒体の構成各層の必要特性及びその構成材料について説明する。
なお、以下の説明においては、便宜上、本願の化合物として一般式（III）のトリメチン化合物を用いた場合について説明するが、何らこれに限定されるものではない。

１）基板
基板の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。基板表面には記録位置を表すプリグルーブやプリピット、一部再生専用情報等のためのプリピットを有していてもよい。これらのプリグルーブやプリピットは、射出成形法等により基板作製時にスタンパー原盤から転写付与する方法が通常とられる。また、レーザーカッティング法（プリライト）や２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）法により作製してもよい。

基板の溝ピッチは０．７μｍ〜１．０μｍであり、溝深さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１４０ｎｍ〜１８５ｎｍである。溝幅は、０．２５μｍ〜０．４０μｍ、好ましくは０．３０μｍ〜０．３５μｍである。溝深さが１００ｎｍ未満の場合、トラッキングのためのプッシュプル信号振幅を得ることが困難になる傾向があり、２００ｎｍを越える場合は、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。また、溝幅が０．２５μｍ未満の場合、クロストークが悪化する傾向があり、０．４μｍを越える場合、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。これら溝形状は、Ｈｅ−Ｃｄレーザーの照射による回折光解析またはＡＦＭ等のプロファイルから求められる。

２）記録層
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、λmaxが４５０ｎｍ〜６３０ｎｍ付近に存在する一般式（III）で示されるトリメチン化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択される記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現される。式中のｎ、ｋは、実数部ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とする。）を有する必要がある。

一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。

本発明で使用する一般式（III）で示されるトリメチン化合物は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは、ｎが２．０以上、且つ、ｋが０．０４〜０．２０）を満足する。

また、一般式（III）で示されるトリメチン化合物は、記録レーザー照射時に発生する熱による分解が適度に促進され、高速記録時においても感度が良く、また熱干渉によるピットジッターの悪化が十分低く抑制できるため、標準の記録速度のみならず高速度の記録においても良好な記録特性を有する。

更に、一般式（III）で示されるトリメチン化合物は、空気中の水分や熱に対する記録の保存安定性が高く、極めて有用な化合物である。

本発明の記録層においては、好ましくは、一般式（III）で示されるトリメチン化合物１種を記録層として用いるが、記録特性などの改善のために、２種以上を混合したり、本発明のトリメチン化合物以外の色素と混合して用いてもよい。

一般式（III）で示されるトリメチン化合物２種以上を混合して用いる場合のトリメチン化合物の混合割合については特に制限はされないが、前記の理由で、光学定数ｎが１．８以上、好ましくは２．０以上で、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは０．０４〜０．２０になるように混合するのが好ましい。

また、混合して用いてもよい本発明のトリメチン化合物以外の色素としては、波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい色素が挙げられる。具体的には、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

更に、一般式（III）で示されるトリメチン化合物の、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選択される記録及び再生レーザー波長に対してのｋが小さい場合には、記録特性などの改善のために、波長６００ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物と混合しても良い。具体的には、アゾ色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

記録層を製膜する際に、必要に応じてクエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱分解化合物などを混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を一般式（III）で示されるトリメチン化合物の置換基として導入することも可能である。

クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系化合物、ビスジチオ−α−ジケトン系化合物やビスフェニルジチオール系化合物などのビスジチオール系化合物、チオカテコール系化合物、サリチルアルデヒドオキシム系化合物、チオビスフェノレート系化合物などの金属錯体が好ましい。また、アミン化合物も好適である。

熱分解促進剤としては、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。

さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤などを併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが挙げられる。

記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。

記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

スピンコート法等の塗布法を用いる場合には、一般式（III）で示されるトリメチン化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。具体的には、アルコール系（ケトアルコール系、エチレングリコールモノアルキルエーテル系等のアルコキシアルコール系を含む。）、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系等が挙げられる。

このなかで、アルコール系が特に好ましい。アルコール系のなかでは、アルコキシアルコール系、ケトアルコール系などが好ましい。アルコキシアルコール系は、アルコキシ部分の炭素原子数が１〜４であることが好ましく、かつアルコール部分の炭素原子数が１〜５、さらには２〜５であることが好ましく、総炭素原子数が３〜７であることが好ましい。具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）やエチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ、エトキシエタノールともいう）やブチルセロソルブ、２−イソプロポキシ−１−エタノール等のエチレングリコールモノアルキルエーテル（セロソルブ）系や１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、４−メトキシ−１−ブタノール、１−エトキシ−２−プロパノール等が挙げられる。ケトアルコール系としてはジアセトンアルコール等が挙げられる。さらには2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素化アルコールも用いることができる。

また、塗布液には適宜バインダー、分散剤、安定剤などを含有させてもよい。

なお、必要に応じて、記録層の色素を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。

色素層の膜厚は、特に限定するものではないが、基板の案内溝（グルーブ）上の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲が好ましく、基板の案内溝間（ランド）の膜厚は、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲が好ましい。グルーブの膜厚が１５０ｎｍを越すと、最短ピットが潰れ、好ましくない。また、３０ｎｍよりも薄い場合、良好な記録感度、記録変調度が得られない。ランド上の膜厚は極力薄いことが特に好ましい。これらの記録層の膜厚制御は、上記の有機溶媒を複数混合して用いることで可能である。

３）反射層
記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴａおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。

反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。

反射率は、信号が再生できれば特に限定されないが、好ましくは３０％以上６５％未満であり、更に好ましくは、４５％以上６０％未満である。

４）保護層
反射層の上の保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２などが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。

保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍである。

保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこともできる。また、反射層面に保護シートまたは基板を張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製膜しても良い。

本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、波長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。本発明では、これらから選択される１波長または複数波長において高密度記録および再生が可能となる。

以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。

［製造例１］
トリメチン化合物の製造
窒素雰囲気下、無水酢酸４５．０ｇにＮ，Ｎ’−ジフェニルホルムアミジン１３．９ｇを加え２０℃に冷却した。２０℃にて下記構造式（Ａ）で示される化合物３７．０ｇを滴下した後、４５〜５０℃で１．５時間反応した。メタノール６０ｍｌを加え、３０℃で３０分間撹拌した後、６０〜６５℃で１時間撹拌し、徐々に減圧し溶媒を留去した。メタノール１３５ｍｌを加え２５℃とし、７０％過塩素酸１１．１ｇを滴下した後、同温度で１時間反応した。水１３５ｍｌを加え、１５分間撹拌した後、結晶を濾取、水洗、乾燥の後、エタノール再結晶して下記構造式（Ｂ）で示される化合物 ２０．６ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８２．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．３４×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物２２)の製造
製造例１のトリメチン化合物（構造式（Ｂ））５．０ｇをジメチルホルムアミド５０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液１０ｇを加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を氷水６００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン５０ｍｌに溶解し、室温にて下記構造式（Ｃ）２．６ｇをアセトン５ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を濃縮後、水１０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物２２）で示される化合物 ５．９ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８２．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．３７×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３７Ｈ_４９Ｎ_４Ｆ_３Ｏ_１０Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：５３３
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２９７

トリメチン化合物(化合物２７)の製造
製造例１のトリメチン化合物（構造式（Ｂ））５．０ｇをジメチルホルムアミド５０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液１０ｇを加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を氷水６００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン５０ｍｌに溶解し、室温にてトリフルオロメチルスルホンイミド２．４ｇをアセトン５ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を濃縮後、水１０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物２７）で示される化合物 ５．８ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８２．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．１８×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３５Ｈ_４５Ｎ_３Ｆ_６Ｏ_８Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：５３３
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２８０

［製造例２］
トリメチン化合物の製造
窒素雰囲気下、無水酢酸１４．７ｇにＮ，Ｎ’−ジフェニルホルムアミジン５．７ｇを加え１５℃に冷却した。下記構造式（Ｄ）で示される化合物１２．６を無水酢酸６ｇに溶解した溶液を上記混合液へ加え、１００℃で５時間反応させた。放冷後、メタノール１５ｍｌを加え、６５℃で３０分間攪拌し、溶媒を留去した。メタノール４０ｍｌを加え、３０℃で７０％過塩素酸水溶液を滴下し、１時間反応させた。水４０ｍｌを加え、１５℃で１時間攪拌後、濾過、水洗した。得られた結晶を、メタノール７０ｍｌで還流させ、冷却、濾過、洗浄、乾燥を行い、下記構造式（Ｅ）で示される化合物７．８ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５６６．０nmに吸収極大を示し、グラム吸光係数は２．７４×１０^５ｍｌ/ｇ・ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物４６)の製造
製造例２のトリメチン化合物（構造式（Ｅ））５．０ｇをジメチルホルムアミド５０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液１１ｇを加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を氷水６００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン５０ｍｌに溶解し、室温にてヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホンイミド２．９ｇをアセトン５ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を濃縮後、水１０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物４６）で示される化合物 ６．２ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５６６．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は２．３５×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_２８Ｈ_２７Ｎ_５Ｆ_６Ｏ_８Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：４４７
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２９２

［製造例３］
トリメチン化合物の合成
窒素雰囲気下、無水酢酸３２．５ｇにＮ，Ｎ’−ジフェニルホルムアミジン１０．４ｇを加え２０℃に冷却した。２０℃にて式（Ｆ）で示される化合物２７．７ｇを滴下した後、４５〜５０℃で２時間反応した。メタノール４０ｍｌを加え、６０〜６５℃で１時間撹拌した後、徐々に減圧し溶媒を留去した。メタノール９０ｍｌを加え２５℃とし、７０％過塩素酸７．８５ｇを滴下した後、同温度で１時間反応した。水９０ｍｌを加え、３０分間撹拌した後、結晶を濾取、水洗、乾燥して、下記構造式（Ｇ）で示される化合物 ２６．４ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５９３．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．４２×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物９２)の製造
製造例３のトリメチン化合物（構造式（Ｇ））３．０ｇをジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液５．６ｇを加えた後、１．５時間反応させた。反応終了後、氷水６００ｇに反応液を排出し、濾過、水洗、乾燥を行い、下記構造式（Ｈ）で示される化合物２．３ｇを得た。

上記構造式（Ｈ）で示される化合物２．０ｇをアセトン６０ｍｌに溶解し、室温にて下記構造式（Ｃ）で示される化合物１．１ｇをアセトン１０ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、２．５時間反応させた。反応液を濃縮後、水４０ｍｌを加え、３０分間攪拌した。得られた結晶を濾過、水洗、乾燥を行い、下記構造式（化合物９２）で示される化合物２．３ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５９３．５nmに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．００×１０^５ｍｌ/ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３５Ｈ_４１Ｎ_４Ｆ_３Ｏ_１２Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：５３３
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２９７

トリメチン化合物(化合物９７)の製造
製造例３のトリメチン化合物（構造式（Ｇ））３．０ｇをジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液５．６ｇを加えた後、１．５時間反応させた。反応終了後、氷水６００ｇに反応液を排出し、濾過、水洗、乾燥を行い、下記構造式（Ｈ）で示される化合物２．３ｇを得た。

上記構造式（Ｈ）で示される化合物２．０ｇをアセトン６０ｍｌに溶解し、室温にてトリフルオロメタンスルフォンイミド１．０ｇをアセトン５ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、１．５時間反応させた。反応液を濃縮後、水４０ｍｌを加え、３０分間攪拌した。得られた結晶を濾過、水洗、乾燥を行い、水／メタノール（４／１）６２．５ｍｌで精製し、下記構造式（化合物９７）で示される化合物２．３ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５９３．０nmに吸収極大を示し、グラム吸光係数は０．９３×１０^５ｍｌ/ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３３Ｈ_３７Ｎ_３Ｆ_６Ｏ_１０Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：５３３
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２８０

［製造例４］
トリメチン化合物の合成
窒素雰囲気下、ジメチルホルムアミド２４．１ｇを１０℃に冷却し、同温度でオキシ塩化リン１２．７ｇを滴下した後、２０℃で１時間反応した。２０℃にて下記構造式（Ｉ）で示される化合物２１．５ｇ、ジメチルホルムアミド２０ｍｌの溶液を滴下した後、３５℃で１時間反応した。反応液を氷水１００ｇに排出した後、２０％水酸化ナトリウム水溶液７２ｇを加え８５℃で３０分間撹拌した。トルエン２００ｍｌで抽出し、水洗、濃縮し、下記構造式（Ｊ）で示される化合物１７．７ｇを得た。

窒素雰囲気下、上記構造式（Ｊ）で示される化合物７．８４ｇと下記構造式（Ｋ）で示される化合物８．６８ｇを無水酢酸５０ｍｌに溶解後、メタンスルホン酸２．８８ｇを加え８０℃で１．５時間反応した。メタノール５０ｍｌを加え、６０〜６５℃で１時間撹拌した後、徐々に減圧し溶媒を留去した。メタノール７５ｍｌを加え２５℃とし、７０％過塩素酸４．７６ｇを滴下した後、同温度で１時間反応した。水１５０ｍｌ中に、反応液を排出し３０分間撹拌した後、結晶を濾取、水洗、乾燥して、下記構造式（Ｌ）で示される化合物１４．８ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８７．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．５１×１０^５ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物１１１)の製造
製造例４のトリメチン化合物（構造式（Ｌ））４．０ｇをジメチルホルムアミド４０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液８ｇを加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を氷水４００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン３０ｍｌに溶解し、室温にてトリフルオロメチルスルホンイミド２．０ｇをアセトン１０ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を濃縮後、水３０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物１１１）で示される化合物 ５．１ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８７．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．１４×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３４Ｈ_４１Ｎ_３Ｆ_６Ｏ_９Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：５３３
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２８０

［製造例５］
トリメチン化合物の合成
窒素雰囲気下、無水酢酸２００．０ｇに下記構造式（Ｍ）で示される化合物 ５０ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルホルムアミジン２２．０ｇを加えた後、４５〜５０℃で１．５時間反応した。メタノール２５０ｍｌを加え、３０℃で３０分間撹拌した後、６０〜６５℃で１時間撹拌し、徐々に減圧し溶媒を留去した。メタノール４００ｍｌを加え２５℃とし、７０％過塩素酸１８．８ｇを滴下した後、同温度で１時間反応した。水４００ｍｌを加え、１５分間撹拌した後、結晶を濾取、水洗、乾燥の後、エタノール再結晶して下記構造式（Ｎ）で示される化合物 ６５．７ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８４．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．９０×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物１１３)の製造
製造例５のトリメチン化合物（構造式（Ｎ））５．０ｇをジメチルホルムアミド５０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液１１ｇを加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を氷水６００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン５０ｍｌに溶解し、室温にてトリフルオロメチルスルホンイミド２．８ｇをアセトン１４ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて３０分間撹拌した。この反応液を濃縮後、水５０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物１１３）で示される化合物６．２ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８４．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．３８×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３５Ｈ_３３Ｎ_３Ｆ_６Ｏ_４Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：４５７
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２８０

トリメチン化合物(化合物１１４)の製造
実施例７のトリフルオロメチルスルホンイミド２．８ｇを下記構造式（Ｃ）で示される化合物２．９ｇに変えた以外は実施例７と同様に反応、処理し、下記構造式（化合物１１４）で示される化合物６．２ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８４．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．２８×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３７Ｈ_３７Ｎ_４Ｆ_３Ｏ_６Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：４５７
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２９７

トリメチン化合物(化合物１２０)の製造
実施例７のトリフルオロメチルスルホンイミド２．８ｇをヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホンイミド２．９ｇに変えた以外は実施例７と同様に反応、処理し、下記構造式（化合物１２０）で示される化合物６．３ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８４．０ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．４４×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３６Ｈ_３３Ｎ_３Ｆ_６Ｏ_４Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：４５７
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２９２

［製造例６］
トリメチン化合物の合成
窒素雰囲気下、下記構造式（Ｏ）で示される化合物６．０ｇと下記構造式（Ｐ）で示される化合物６．９ｇを無水酢酸５０ｍｌに溶解後、メタンスルホン酸２．６ｇを加え８０℃で１．５時間反応した。メタノール５０ｍｌを加え、６０〜６５℃で１時間撹拌した後、徐々に減圧し溶媒を留去した。メタノール１００ｍｌを加え２５℃とし、７０％過塩素酸４．３ｇを滴下した後、同温度で１時間反応した。水３００ｍｌ中に、反応液を排出し３０分間撹拌した後、結晶を濾取、水洗、乾燥して、下記構造式（Ｑ）で示される化合物１４．２ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５７５．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．６９×１０^５ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物１３１)の製造
製造例６のトリメチン化合物（構造式（Ｑ））３．０ｇをジメチルホルムアミド６０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液６．０ｇを加えた後、室温にて１．５時間撹拌した。この反応液を氷水９００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン１００ｍｌに溶解し、室温にてトリフルオロメチルスルホンイミド１．５ｇをアセトン５ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて１時間撹拌した。この反応液を濃縮後、水５０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物１３１）で示される化合物３．６ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５７５．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．２４×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_３１Ｈ_３０Ｎ_４Ｆ_６Ｏ_６Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：４５２
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２８０
［製造例７］

トリメチン化合物の合成
窒素雰囲気下、無水酢酸６０．０ｇに下記構造式（Ｒ）で示される化合物１９．０ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルホルムアミジン７．０ｇを加えた後、４５〜５０℃で１．５時間反応した。メタノール８０ｍｌを加え、６０〜６５℃で１時間撹拌した後、徐々に減圧し溶媒を留去した。メタノール１３０ｍｌを加え２５℃とし、７０％過塩素酸５．７ｇを滴下した後、同温度で１時間反応した。水１５０ｍｌを加え、３０分間撹拌した後、結晶を濾取、水洗、乾燥して、下記構造式（Ｓ）で示される化合物 ２０．１ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８７．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．７１×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

トリメチン化合物(化合物２０５)の製造
製造例７のトリメチン化合物（構造式（Ｓ））３．０ｇをジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解し、室温にて１０％水酸化ナトリウム水溶液６．６ｇを加えた後、室温にて１時間撹拌した。この反応液を氷水５００ｍｌ中に撹拌下、加えた。生成した結晶を濾過、水洗の後、アセトン８０ｍｌに溶解し、室温にてヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホンイミド１．５ｇをアセトン１０ｍｌに溶解させた溶液を加えた後、室温にて１時間撹拌した。この反応液を濃縮後、水５０ｍｌを加え、３０分間撹拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥し、下記構造式（化合物２０５）で示される化合物３．５ｇを得た。

このようにして得られた化合物は、アセトン溶液中において５８７．５ｎｍに吸収極大を示し、グラム吸光係数は１．３７×１０^５ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

下記の分析結果より、目的物であることを確認した。
元素分析値（Ｃ_４２Ｈ_４５Ｎ_３Ｆ_６Ｏ_４Ｓ_２）

ＦＡＢ−ＭＳ(posi)（ｍ／ｚ） ：５４１
ＦＡＢ−ＭＳ(nega)（ｍ／ｚ） ：２９２

厚さ０．６ｍｍ，直径１２０ｍｍΦのスパイラルグルーブ（ピッチ＝０．７４ｕｍ，深さ＝１６５ｎｍ，幅＝０．３３ｕｍ）を有する射出成形ポリカーボネート基板に表Ｉに記載したトリメチン系化合物１３を、テトラフルオロプロパノールに溶解し（２０ｇ／ｌ），スピンコーティング法にてほぼ溝上膜厚８０ｎｍ，溝間膜厚２０ｎｍとなるように調整し成膜した。８０℃、２時間乾燥処理した後、ＡｇＰｄＣｕ反射膜をバルザース製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用い膜厚８０ｎｍで形成し、更にこの反射層上にはＵＶ硬化樹脂：ＳＤ１７（大日本インク製）を塗布しＵＶ硬化した後、この上に前記と同様０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を貼り合わせＪＳＲ製ＫＺ８６８１ラジカル重合接着剤によりＵＶ光で貼り合わせた光記録媒体を作製した。

得られた光記録媒体をパルステック工業社製ディスクテスターＤＤＵ１０００：波長＝６６１ｎｍ、ＮＡ＝０．６０にて、線速度＝３．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度）、線速度＝１４ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の４倍速スピード）、及び線速度＝２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の８倍速スピード）にて各々ＤＶＤＲ対応のＥＦＭ＋信号を記録した。記録条件はＤＶＤ−Ｒ規格書（ｖｅｒ２．０）記載のパルス条件を各々１倍速、４倍速、及び８倍速の高速駆動し各ピットに最適となるような調整を施し記録した。それら記録部位をＤＶＤ標準速度でジッター計測した。当該実施例に示すＤＶＤＲ媒体では１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。

さらに、上記光記録媒体について、８０℃８５％ＲＨ５００時間の信頼性試験を行った。信頼性試験後でも１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。

［実施例１３〜２４］
表Ｉに記載したトリメチン系化合物を適宜使用する以外は、実施例１２と同様にして光記録媒体を作製した。

これら光記録媒体を実施例１２と同様にして評価を行ったところ、１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。

さらに、上記光記録媒体について、８０℃８５％ＲＨ５００時間の信頼性試験を行った。信頼性試験後でも１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できた。

［比較例１］
製造例５のトリメチン化合物（構造式（Ｎ））を用いて実施例１２と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター値で幅広いパワーウインドウが確認できたが、８０℃８５％ＲＨ５００時間の信頼性試験後には、信号が劣化し、良好な信号特性が得られなかった。

表−Ｉには実施例１２〜２４、及び比較例１において、８０℃８５％ＲＨ５００時間の信頼性試験前後に計測した１倍速、４倍速、及び８倍速のジッター、及び変調度の結果を示した。当該実施例に示すＤＶＤ−Ｒ媒体では、信頼性試験前後の１倍速、４倍速、及び８倍速いずれにおいても良好なジッター、及び変調度が確認できた。
＜表−Ｉ＞

本発明のトリメチン化合物を記録層として用いることにより、５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能で、耐湿熱性に優れた高密度、高速記録に適した追記型光記録媒体を提供することが可能となる。

従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す断面構造図である。

符号の説明

１ 基板
２ 記録層
３ 反射層
４ 接着層
５ 基板

Claims (4)

1. 下記一般式（Ｉ）で示されるアニオン成分を含有するトリメチン化合物。
   （式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基、下記一般式（II）で示される複素環を表す。またＸとＹは結合して環を形成しても良い。）
   （式中、環Ａはそれが結合している窒素原子、およびカルボニル基を含む、置換基を有しても良い複素環を表す。）
2. 下記一般式（III）で示される請求項１記載のトリメチン化合物。
   （式中Ｒ_１〜Ｒ_１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基を表し、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_１０とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１３は結合して置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、或いは窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含む複素環を形成しても良い。またＲ_６とＲ_７及びＲ_８とＲ_９は結合して５〜６員環を形成しても良い。Ｒ_１５〜Ｒ_１７は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｘ、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ意味を表す。）
3. 下記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）のいずれかのアニオン成分からなる請求項１又は２記載のトリメチン化合物。
   
4. 基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として請求項１〜３のいずれかに記載のトリメチン化合物を少なくとも１種用いることを特徴とする光記録媒体。