JP2003082291A - ワニス及びその利用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な難燃性を示し、電気絶縁性に優れ、誘
電率変化の少ない電気絶縁層を形成できるワニス、これ
を用いて得られる電気絶縁膜、これを有する積層体を提
供する。 【解決手段】 絶縁性重合体、硬化剤、難燃剤及び有機
溶剤を含有する硬化性のワニスであって、（１）難燃剤
が、難燃性付与剤をカップリング剤で表面処理して得ら
れたものであり、（２）ワニス中に存在する粒子の二次
粒子径が３０μｍ以下であるワニスを、基板に塗布、乾
燥、硬化して電気絶縁膜を形成し、多層回路基板を得
る。また、当該ワニスが、難燃性付与剤とカップリング
剤とを接触させて得られた難燃剤と、有機溶剤とからな
る難燃剤スラリーを多孔質物質と接触させた後に、絶縁
性重合体と、硬化剤と混合して得られたものである場
合、ワニスの粘度上昇を抑制することができ、長期保存
後も平坦性に優れた電気絶縁膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気絶縁膜の製造
に用いるワニスに関し、さらに詳しくは、良好な難燃性
を示し、電気絶縁性に優れ、誘電率変化の少ない電気絶
縁層を形成できるワニス、これを用いて得られる電気絶
縁膜、これを有する積層体に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
電子機器に用いられている回路基板にも、より高密度化
が要求されるようになってきている。回路基板を高密度
化するためには、回路基板を多層化するのが一般的であ
る。多層回路基板は、通常、電気絶縁層（１）と、その
表面に形成された導電体回路（１）とからなる内層基板
上に、電気絶縁層（２）を積層し、当該電気絶縁層
（２）の上に導電体回路（２）を形成することによっ
て、さらに必要に応じて電気絶縁層と導電体回路とを数
段積層することによって得られる。

【０００３】多層高密度に配線を形成すると、基板自体
や電子素子自体が発熱するようになる。この発熱による
着火を防止するため、電気絶縁層には、通常、難燃剤が
配合されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らが検討した
結果、ある種の難燃剤を用いると、吸湿による電気特性
（誘電率）の変化を起こす場合のあることが判明した。
そこで、本発明の目的は、良好な難燃性を示し、かつ、
電気特性の安定した電気絶縁膜及びこれを有する積層体
を提供することにある。本発明者は、上記目的を達成す
るために鋭意研究をした結果、難燃性付与剤とカップリ
ング剤とを接触させて得られた難燃剤を用いることによ
って、誘電率の変化の少ない電気絶縁層が得られること
を見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに到
った。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、第一の発明として、絶縁性重合体、硬化剤、難燃剤
及び有機溶剤を含有する硬化性のワニスであって、
（１）難燃剤が、難燃性付与剤をカップリング剤で表面
処理して得られたものであり、（２）ワニス中に存在す
る粒子の二次粒子径が３０μｍ以下であるワニスが提供
され、第二の発明として、当該ワニスを乾燥して得られ
る成形物が提供され、第三の発明として、当該成形物を
硬化してなる電気絶縁膜が提供され、第四の発明とし
て、導電体回路層を有する基板上に、第三の発明である
電気絶縁膜からなる電気絶縁層が形成された積層体が提
供され、第五の発明として難燃性付与剤とカップリング
剤とを接触させて得られた難燃剤と、有機溶剤とからな
る難燃剤スラリーが提供され、第六の発明として、当該
スラリーと、絶縁性重合体と、硬化剤とを混合すること
を特徴とする第一の発明であるワニスを調製する方法が
提供される。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明のワニスは、絶縁性重合
体、硬化剤、難燃剤及び有機溶剤を含有するものであ
る。本発明のワニスは、二次凝集粒子が小さいという特
徴を有している。即ち、当該ワニス中に存在する粒子の
二次粒子径は３０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下、
より好ましくは２０μｍ以下である。二次粒子径は、Ｊ
ＩＳＫ ５４００にて定めるつぶの試験Ａ法により測定
された値である。本発明において二次粒子径は、特に断
りのない限り、この方法により測定された値である。

【０００７】絶縁性重合体としては、エポキシ樹脂、マ
レイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、
芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合
体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマー、ポリイ
ミドなどが挙げられる。これらの中でも、脂環式オレフ
ィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロ
ブテン重合体、シアネートエステル重合体又はポリイミ
ドが好ましく、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
エーテル重合体が特に好ましく、脂環式オレフィン重合
体がとりわけ好ましい。これらの重合体の他に、液晶ポ
リマーも好ましい絶縁性重合体として用いることができ
る。液晶ポリマーとしては、芳香族または脂肪族ジヒド
ロキシ化合物の重合体、芳香族または脂肪族ジカルボン
酸の重合体、芳香族ヒドロキシカルボン酸の重合体、芳
香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族ア
ミノカルボン酸の重合体などの熱可塑性液晶ポリマーが
好ましい例として挙げられる。

【０００８】脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を
有する不飽和炭化水素の重合体である。脂環式構造とし
ては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが
挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、シ
クロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造として
は、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合
わせ多環など）のいずれであっても良い。脂環式構造を
構成する炭素原子数に格別な制限はないが、通常４〜３
０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５
個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び成形
性の諸特性が高度にバランスされ好適である。また、本
発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通常、熱
可塑性のものである。

【０００９】脂環式オレフィン重合体は、極性基を有す
るものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシ
ジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ
基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、
特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適で
ある。

【００１０】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応
じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは
芳香族オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして当
該重合体の芳香環部分を水素化することによって得られ
る。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、
例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を変
性反応により導入することによって、２）極性基を含有
する単量体を共重合成分として共重合することによっ
て、あるいは３）エステル基などの極性基を含有する単
量体を共重合成分として共重合した後、エステル基など
を加水分解などにより脱離することによって得られる。

【００１１】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５
−メチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、５，５−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビ
シクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクタ
デシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、
５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２
−エン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘ
プト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン、

【００１２】５−プロペニル−ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−ビシ
クロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シアノ−
ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−メチ
ル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシク
ロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．
２．１］−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、

【００１３】ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチ
ルビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６
−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシ
クロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６−ジカ
ルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン−５，
６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシク
ロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキ
シル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５
−シクロヘキセニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト
−２−エン、５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、

【００１４】トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ
−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、
トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ−３−エン、
トリシクロ［４．４．０．１^２，５］ウンデカ−３，７
−ジエン、トリシクロ［４．４．０．１^２，５］ウンデ
カ−３，８−ジエン、トリシクロ［４．４．０．１^２
，５］ウンデカ−３−エン、テトラシクロ［７．４．
０．１^{１０，１３}．０^{２， ７}］−トリデカ−２，４，６
−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，
４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ
［８．４．０．１^{１ １，１４}．０^３，８］−テトラデカ
−３，５，７，１２−１１−テトラエン（別名：１，４
−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒ
ドロアントラセン）、

【００１５】テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロ
ドデセン）、８−メチル−テトラシクロ［４．４．０．
１^{２ ，５}．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−エチ
ル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．
１^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テ
トラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ド
デカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ［４．
４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、
８−ビニル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
［４．４．０．１^{２ ，５}．１^７，１０］−ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−
３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ［４．
４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、
８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．
１^２，５．１^{７ ，１０}］−ドデカ−３−エン、

【００１６】８−シクロペンチル−テトラシクロ［４．
４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、
８−シクロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．１
^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シクロ
ヘキセニル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラ
シクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ
−３−エン、ペンタシクロ［６．５．１．１^３，６．０
^２，７．０^９，１３］ペンタデカ−３，１０−ジエン、
ペンタシクロ［７．４．０．１^３，６．１^{１０，１３}．
０^２，７］−ペンタデカ−４，１１−ジエンのごときノ
ルボルネン系単量体；

【００１７】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチル
シクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テ
トラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが
挙げられる。

【００１８】芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。

【００１９】脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフ
ィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いることができる。

【００２０】脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オ
レフィン及び／又は芳香族オレフィンと、これら共重合
可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよ
い。脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可
能な単量体としては、エチレン；プロピレン、１−ブテ
ン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブ
テン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペ
ンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−
ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−
ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、
３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセ
ン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセ
ン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数３
〜２０のα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−
メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−
ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエ
ン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。

【００２１】脂環式オレフィンや芳香族オレフィンの重
合方法、及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、
格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができ
る。

【００２２】脂環式オレフィン重合体の具体例として
は、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添
加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネ
ン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロ
アルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂
環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフ
ィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これ
らの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びそ
の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノ
ルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳
香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、
特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が
好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ
単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。なお、脂環式オレフィン重合体のなかでも、ノ
ルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物
は、その構造の違いから、Ｃ_ｎＨ_２ｎで表されるオレフ
ィンを共重合して得られるポリオレフィン樹脂とは異種
のポリマーに分類されるものである。

【００２３】脂環式オレフィン重合体は、その分子量に
よって特に制限されない。脂環式オレフィン重合体の分
子量は、シクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とする
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で
測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）
で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは
５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０
００〜２５０，０００の範囲である。脂環式オレフィン
重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこの範囲にあるとき
には、耐熱性、成形物表面の平滑性などがバランスされ
好適である。

【００２４】脂環式オレフィン重合体の分子量分布は、
シクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とするＧＰＣで
測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍ
ｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、通常５以下、好ましくは
４以下、より好ましくは３以下である。上記の重量平均
分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲及
び測定法は、ノルボルネン系重合体に好適に適合する
が、それに限定されるものではない。また、上記方法で
重量平均分子量や分子量分布が測定できない脂環式オレ
フィン重合体の場合には、通常の溶融加工法により樹脂
層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを
使用することができる。

【００２５】脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度
は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以
上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以
上、最も好ましくは１２５℃以上である。

【００２６】本発明に用いる硬化剤に格別な限定はな
く、例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤又はイ
オン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等が用いら
れ、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性、及び脂環式オレフ
ィン重合体との相溶性の観点でイオン性硬化剤が好まし
い。中でも、窒素原子を含有する窒素系硬化剤が好まし
く、さらに窒素系硬化剤にはハロゲン元素が含まれてい
ないものが好ましい。

【００２７】窒素系硬化剤としては、例えば、ヘキサメ
チレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレン
トリアミン、テトラエチレンペンタミンなどの脂肪族ポ
リアミン；ジアミノシクロヘキサン、３（４），８
（９）−ビス（アミノメチル）トリシクロ［５．２．
１．０^２，６］デカン；１，３−（ジアミノメチル）シ
クロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン
Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−
メチルシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノシク
ロヘキシル）メタンなどの脂環族ポリアミン；４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジ
フェニルメタン、α，α’−ビス（４−アミノフェニ
ル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビ
ス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベ
ンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、メ
タフェニレンジアミン、メタキシシリレンジアミンなど
の芳香族ポリアミン；ナイロン−６、ナイロン−６６、
ナイロン−６１０、ナイロン−１１、ナイロン−６１
２、ナイロン−１２、ナイロン−４６、メトキシメチル
化ポリアミド、ポリヘキサメチレンジアミンテレフタル
アミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミドなどのポ
リアミド；ヘキサメチレンジイソシアネート、トルイレ
ンジイソシアネートなどのイソシアネート；イソシアヌ
ル酸；

【００２８】トリアリルシアヌレート；１−アリルイソ
シヌレート、１，３−ジアリルイソシアヌレート、１，
３−ジアリル−５−ベンジルイソシアヌレート、トリア
リルイソシアヌレート、１−アリル−３，５−ジベンジ
ルイソシアヌレート；１−アリル−３，５−ジグリシジ
ルイソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−グリシジ
ルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレー
ト、１，３−ジアリル−５−（２−ヒドロキシ−３−ブ
トキシプロピル）−１，３，５−トリアジン−２，４，
６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、１，３−ジアリル
−５−（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル）−
１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５
Ｈ）−トリオンなどのイソシアヌレート構造を有する化
合物；グリシジルアミン型エポキシ化合物；が挙げられ
る。これらのうち、アリル基とエポキシ基とを含有する
窒素系硬化剤が好ましく、特に１−アリル−３，５−ジ
グリシジルイソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−
グリシジルイソシアヌレートのごときアリル基とエポキ
シ基とを含有するハロゲン不含のイソシアヌレート系硬
化剤が好ましい。

【００２９】これらの窒素系硬化剤は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることがで
き、その配合割合は、絶縁性重合体１００重量部に対し
て、通常５〜１５０重量部、好ましくは１５〜１１０重
量部、より好ましくは３０〜１００重量部の範囲であ
る。

【００３０】もちろん、これらの窒素系硬化剤以外に
も、例えば、ビスアジド化合物、酸無水物、ジカルボン
酸化合物、ジオール化合物、トリオール化合物、多価フ
ェノール化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合
物、脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポ
キシ化合物などの窒素原子を有さない多価エポキシ化合
物、一般的に用いられる硬化剤を用いても良い。

【００３１】硬化剤は、単独で、あるいは２種以上を組
み合わせて用いることができ、その配合割合は、絶縁性
重合体１００重量部に対して、通常５〜１５０重量部、
好ましくは１５〜１１０重量部、より好ましくは３０〜
１００重量部の範囲である。

【００３２】絶縁性重合体と硬化剤との硬化反応を促進
させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使用することも
できる。硬化促進剤は、特に限定されない。例えば、硬
化剤が、第３級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物
などが好適である。なかでも、第３級アミン系化合物を
使用すると、微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐
熱性、耐薬品性が向上する。

【００３３】第３級アミン系化合物の具体例としては、
ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミ
ン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合
物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジ
ン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、
イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げら
れる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を
有する置換イミダゾール化合物が好ましい。

【００３４】置換イミダゾール化合物の具体例として
は、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソ
プロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換
イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミ
ダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、
ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−
（２’−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４
−メチル−１−［２’−（３”，５”−ジアミノトリア
ジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラ
ルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換され
たイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中で
も、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式
オレフィン重合体との相溶性の観点から好ましく、特
に、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好まし
い。

【００３５】硬化促進剤は、単独で、あるいは２種以上
を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使
用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性重合体１００
重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好まし
くは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０３〜
５重量部である。

【００３６】硬化助剤は、必要に応じて使用される。硬
化助剤としては、例えば、キノンジオキシム、ベンゾキ
ノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム
・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマ
レイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフタレー
ト、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレ
ート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコールジメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエン、エ
チルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系
硬化助剤等が挙げられる。この他、アリル基を有する硬
化剤に対して硬化助剤として機能する過酸化物を用いる
こともできる。

【００３７】過酸化物としては、例えば、ベンゾイルペ
ルオキシド、ジクロルベンゾイルペルオキシド、ジクミ
ルペルオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、
２，５−ジメチル−２，５−（ペルオキシドベンゾエー
ト）−３−ヘキシン、１，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル
ペルオキシイソプロピル）ベンゼン、ラウロイルペルオ
キシド、ｔｅｒｔ−ブチルペルアセテート、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ヘ
キシン−３、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ
−ブチルペルオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルペル
ベンゾエート、ｔｅｒｔブチルベルフェニルアセテー
ト、ｔｅｒｔ−ブチルペルイソブチレート、ｔｅｒｔ−
ブチルペル−ｓｅｃ−オクトエート、ｔｅｒｔ−ブチル
ペルピパレート、クミルペルピパレート及びｔｅｒｔ−
ブチルペルジエチルアセテート、メチルエチルケトンペ
ルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、１，１−
ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキ
シ）ブタン、ｔ−ブチルハイドロペルオキシド、２，５
−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロペルオキシ
ド、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５
−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、α，α’
−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベ
ンゼン、オクタノイルペルオキシド、イソブチリルペル
オキシド、ペルオキシジカーボネートなどが挙げられ
る。これら過酸化物のうち、ハロゲン元素を含有しない
ものが好ましい。過酸化物の量は、絶縁性重合体１００
重量部に対して、通常０．１〜４０重量部、好ましくは
１〜２０重量部である。過酸化物の量がこの範囲内にあ
るものは、より配線埋め込みなどの積層性に優れる。

【００３８】本発明に用いる難燃剤は、難燃性付与剤を
カップリング剤で表面処理して得られたおものであり、
通常、表面処理は、難燃性付与剤とカップリング剤とを
接触させることにより行う。難燃性付与剤は、一般に難
燃剤として用いられる化合物でよい。また、難燃性付与
剤は粒子形状であるのが好ましい。難燃性付与剤の一次
粒子の平均長径は、通常０．０１〜５μｍ、好ましくは
０．０５〜３μｍであり、平均アスペクト比（＝平均長
径／平均短径）は通常５以下、好ましくは３以下であ
る。さらに、長径１０μｍを超える粒子数が１０％以
下、好ましくは５％以下、特に好ましくは１％以下であ
るものを用いると、難燃性が高く、電気絶縁性にも優れ
た多層回路基板を得ることができる。難燃性付与剤は、
環境保護の観点から、焼却時にハロゲン含有有害物質を
発生しないハロゲンを含有しない化合物（以下、非ハロ
ゲン系難燃剤という）が好ましい。非ハロゲン系難燃剤
の具体例としては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモ
ン、アンチモン酸ソーダのごときアンチモン化合物；水
酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、ス
ルファミン酸グアニジン、ジルコニウム化合物、モリブ
デン化合物、すず化合物のごときその他の無機難燃剤；
トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェー
ト、トリキシレニルホスフェート、トリメチルホスフェ
ート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェー
ト、トリオクチルホスフェート、トリブトキシエチルホ
スフェート、オクチルジフェニルホスフェート、クレジ
ルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホス
フェート、レゾルシノールビス（ジフェニル）ホスフェ
ート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート、ジ
メチルメチルホスフェート、トリアリルホスフェート、
ジエチルビス（ヒドロキシエチル）アミノメチルホスフ
ェート、トリアリルホスフェート、トリス（３−ヒドロ
キシプロピル）ホスフィンオキシド、グリシジル−α−
メチル−β−ジ（ブトキシ）ホスフィニル・プロピオネ
ート、ジブチルヒドロオキシメチルホスフォネート、ジ
メチルメチルホスフォネート、芳香族縮合りん酸エステ
ル、ジ（エトキシ−ビス−（２−ヒドロキシエチル）−
アミノメチルホスフェート、ジ（ポリオキシエチレン）
−ヒドロキシメチル・ホスフォネート、ポリりん酸アン
モニウム、ブチルピロホスフェート、ブチルアシッドホ
スフェート、ブトキシエチルアシッドホスフェート、２
−エチルヘキシルアシッドホスフェート、ジエチルフェ
ニルホスフォネート、ジメチルフェニルホスフォネー
ト、ジ（イソプロピル）Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシ
エチル）アミノメチルホスフォネート、ジブチルビス
（２−ヒドロキシプロピル）ピロホスフォネート、フェ
ニルホスフィン酸、

【００３９】ポリりん酸メラミン塩、ポリりん酸メラミ
ン・メラム・メレム複塩、赤燐、りん酸グアニジン、り
ん酸グアニル尿素、ポリりん酸硫酸塩、ジフェニルりん
酸エステル−２−プロペニルアミド、ジフェニルりん酸
エステル−２−ヒドロキシエチルアミド、ジフェニルり
ん酸エステル−ジ（２−ヒドロキシエチル）アミド、ジ
フェニルりん酸エステル−ジ−２−シアノエチルアミ
ド、ジフェニルりん酸エステル−ｐ−ヒドロキシフェニ
ルアミド、ジフェニルりん酸エステル−ｍ−ヒドロキシ
フェニルアミド、ジフェニルりん酸エステル−シクロヘ
キシルアミド；フェニルりん酸エステル−ジ−Ｎ，Ｎ−
フェニルメチルアミド、フェニルりん酸エステル−ジ−
Ｎ−シクロヘキシルアミド、ジ（ブトキシ）ホスフィニ
ル・プロピルアミド、りん・イオウ・酸素を含むポリ酸
の１，３，５−トリアジン誘導体塩（特開平１０−３０
６０８２号等参照）のごとき含りん化合物；などが挙げ
られる。これらのうち、含りん化合物が好ましく、特
に、塩基性含窒素化合物とりん酸との塩からなるりん系
難燃剤ものが好ましい。

【００４０】塩基性含窒素化合物とりん酸との塩は、通
常、りん酸源となるオルトりん酸アンモニウム、オルト
りん酸、縮合りん酸、無水りん酸、りん酸尿素及びこれ
らの混合物と、窒素源となるメラミン、ジシアンシアナ
ミド、グアニジン、グアニル尿素及びこれらの混合物と
を、縮合剤としての尿素、リン酸尿素（これはリン酸源
にもなる）及びこれらの混合物の存在下に、加熱縮合反
応させ、次いで焼成することによって得られる。

【００４１】こうして得られた粒子のメディアン径は１
０μｍ以下ではあるが、その形状は針状あるいはひげ状
である。また、これらの粒子は、長径１０μｍを超える
粒子が２０％以上存在するものが多く、平均長径が１０
〜２０μｍ程度となる。このような場合は、針状あるい
はひげ状の塩基性含窒素化合物とりん酸との塩を、後述
と同様の極性有機溶剤及び非極性有機溶剤からなる混合
有機溶剤中で湿式粉砕することにより、前述したアスペ
クト比に調整することができる。非極性有機溶剤の重量
比が多すぎると粉砕時に含窒素化合物とりん酸との塩が
凝集して所望の粒子形状にすることが困難になることが
ある。逆に非極性有機溶剤の重量比が少なすぎると二次
凝集を起こしやすくなり絶縁性重合体への分散が悪くな
ることがある。

【００４２】カップリング剤と難燃性付与剤とを接触さ
せることにより、難燃性付与剤の表面にカップリング剤
を物理的又は化学的に結合（吸着を含む）して、難燃性
付与剤の凝集を低下させ分散を向上させるもので、シラ
ン化合物、金属エステル化合物、金属錯体化合物、金属
キレート化合物などがある。中でも、有機溶剤の中で安
定という理由から、金属キレート化合物が好ましい。金
属キレート化合物は、金属と有機化合物残基とがキレー
トを形成したものであれば良く、好ましくは、アルミニ
ウム、チタン、錫、亜鉛などの金属アルコキシド中の、
一部のアルコキシ基がエステル残基やカルボン酸残基や
他のアルコキシ基（アルコール残基）などの有機化合物
残基と置換されたものである。分散溶液中にて安定であ
ることから特にアルミニウム、チタンを有する金属キレ
ート化合物であるアルミニウムキレート化合物、チタン
キレート化合物が好ましい。これらの金属キレート化合
物の構造は特に限定されず、モノマー型、ポリマー型い
ずれのものでも差し支えない。具体的なアルミニウムキ
レート化合物として、例えばジイソプロポキシアルミニ
ウムモノオレイルアセトアセテート、モノイソプロポキ
シアルミニウムピスオレイルアセトアセテート、モノイ
ソプロポキシアルミニウムモノメタアクリレートモノオ
レイルアセトアセテート、モノイソプロポキシアルミニ
ウムモノオレエートモノエチルアセトアセテート、モノ
イソプロポキシアルミニウムモノエチルアセトアセテー
トモノオレイルアセトアセテート、ジイソプポキシアル
ミニウムモノラウリルアセトアセテート、ジイソプロポ
キシアルミニウムモノステアリルアセトアセテート、ジ
イソプロポキシアルミニウムモノイソステアリルアセト
アセテート、モノイソプロポキシアルミニウムビスオレ
イルアセトアセテート、モノイソプロポキシアルミニウ
ムモノメタアクリレートモノオレイルアセトアセテー
ト、モノイソプロポキシアルミニウムモノオレエートモ
ノエチルアセトアセテート、モノイソプロポキシアルミ
ニウムモノオレイルアルコキシドモノエチルアセトアセ
テート、モノイソプロポキシアルミニウムモノロジネ一
トモノラウリルアセトアセテート、ジイソプロポキシア
ルミニウムモノアビエチルアセトアセテ一ト、及びモノ
イソプロポキシアルミニウムモノ−Ｎ−ラウロイル−β
−アラネートモノラウリルアセトアセテートなどの脂肪
酸系アルミニウムキレート化合物が挙げられる。チタン
を有する金属キレート化合物（チタンキレート化合物）
としては、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、
イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネー
ト、イソプロピルトリスステアロイルチタネート、イソ
プロピルトリスイソステアロイルチタネート、イソプロ
ピルジアクリルチタネート、ジクミルフェニルオキシア
セテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタ
ネートならびの脂肪酸系チタンキレート化合物、イソプ
ロピルトリ（ジオクチルフォスフェート）チタネート、
イソプロピルトリス（ジオクチルバイフォスフェート）
チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルフォ
スファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジドデ
シルフォスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジ
アリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジオクチルバ
イフォスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス
（ジオクチルバイフォスフェート）エチレンチタネート
ならびのフォスフェート系チタンキレート化合物、イソ
プロピルトリデシルベンゼンスルフォニルチタネート、
イソプロピルビス（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）
チタネートならびに他のチタンキレート化合物が挙げら
れる。

【００４３】難燃性付与剤をカップリング剤で表面処理
する方法は特に限定されない。例えば、難燃性付与剤を
有機溶剤中で分散させながらカップリング剤を添加し、
これらを接触させる方法、難燃性付与剤を有機溶剤に分
散した後にカップリング剤を添加し、これらを接触させ
る方法、又はあらかじめカップリング剤を含有する有機
溶剤中に難燃性付与剤を分散させ、これらを接触させる
方法などが挙げられる。カップリング剤の使用割合は、
難燃性付与剤１００重量部に対して、０．１〜４０重量
部、好ましくは０．５〜３０重量部である。カップリン
グ剤と難燃性付与剤との接触（表面処理）は難燃性付与
剤を湿式にて粉砕しながら行っても構わないが、難燃性
付与剤の凝集を少なくする目的で攪拌中にて行うのが好
ましい。処理の温度は特に限定されないが、作業上及び
安全性の点から有機溶剤の沸点以下で行われるのが好ま
しい。処理は、通常、難燃性付与剤の凝集が少なくなる
まで行い、二次粒子径が２０μｍ以下となるまで続ける
のが好ましい。これらの表面処理は、極性有機溶剤及び
非極性有機溶剤からなる混合有機溶剤で行うのが好まし
い。

【００４４】極性有機溶剤としては、ハロゲン基、カル
ボニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エステル
基、アミノ基、アミド基などの極性基を有する有機溶剤
である。例えばクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ト
リクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系有機溶
剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系有機
溶剤などが挙げられる。これらのうちケトン系有機溶剤
が好ましい。

【００４５】非極性有機溶剤としては、極性基を有しな
い炭化水素化合物である。例えば、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン
などの脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサ
ンなどの脂環式炭化水素などが挙げられる。これらのう
ち芳香族炭化水素が好ましい。これらの非極性有機溶剤
と極性有機溶剤の混合比は適宜選択できるが、重量比
で、通常５：９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜
９０：１０、より好ましくは２０：８０〜８０：２０の
範囲である。

【００４６】このようにして得られた難燃剤のスラリー
は、二次凝集粒子が少ないという特徴を有している。必
要に応じて難燃剤のスラリーから有機溶剤を除去、乾燥
することができる。その方法は特に限定されず、スラリ
ーをあらかじめ濾布などにより難燃性付与剤と有機溶剤
とに分離した後、乾燥する方法などが挙げられる。乾燥
の温度は、難燃性付与剤が分解しない温度で、有機溶剤
が揮発する温度であれば特に限定されない。また、乾燥
装置は、有機溶剤に引火したり、難燃性付与剤が粉塵爆
発を起こす恐れを防止してある装置であれば特に限定さ
れず、ワンパスオーブンやイナートオーブンなどが用い
られる。難燃剤の量は、使用目的に応じて適宜選択され
るが、絶縁性重合体１００重量部に対して、通常０．１
〜５０重量部、好ましくは１〜２０重量部である。

【００４７】得られた硬化性組成物の保存安定性を高め
る目的で多孔質物質とスラリーとを接触させることが好
ましい。多孔質物質としては、例えばシリカゲル、けい
藻土、活性アルミナ、マグネシア、チタニア、シリカ−
アルミナ、ゼオライト、モレキュラーシーブ、多孔質シ
リコン、多孔質ガラスビーズ、活性白土、雲母、カオリ
ン、マグネタイト、フェライト、酸化ニッケル等の無機
多孔質物質、活性炭、モレキュラーシービングカーボ
ン、イオン交換樹脂等の有機系多孔質物質が挙げられ、
無機多孔質体が好ましく中でも、スラリーとの分離のし
やすさなどの観点からシリカゲルが好ましい。シリカゲ
ルとしては、好ましくは３〜５００ｎｍ、より好ましく
は５〜１００ｎｍ、最も好ましくは７〜５０ｎｍの細孔
径を有するものである。多孔質物質は１種類を、又は２
種類以上を混合して用いることも可能である。多孔質物
質とスラリーとを接触させる方法は、特に制限されず、
例えば１）スラリーに多孔質物質を添加し、攪拌、混合
するの方法、２）多孔質物質からなるフィルタにスラリ
ーを通過させる方法などが挙げられる。より具体的に
は、例えば１）の方法による場合、多孔質物質を加えた
スラリーは静置しても攪拌しても良い。攪拌方法は特に
制限はなく、例えばガラス棒を用いた攪拌、攪拌子とマ
グネティックスターラーを用いた攪拌、攪拌機、浸透機
などを使用した方法で行うことができる。攪拌子の形
状、攪拌機にて用いるの羽根の形状は特に制限されな
い。処理温度は好ましくは５℃〜７０℃、より好ましく
は１５℃〜５０℃であり、この温度範囲を外れるとスラ
リーの性能が低下してしまう。また処理時間は５時間以
上が好ましく、５時間以下であると本発明の効果が十分
発揮されない。このような方法で接触させた後、多孔質
物質を分離する。多孔質物質とスラリーとを分離する方
法は常法に従えばよく、例えば、ろ紙、ろ布、ガラス繊
維、石英、ガラスろ過器、ろ過皿、シリカ繊維等をろ過
層として用いたろ過、デカンテーション等が挙げられ
る。ろ過の方法は特に制限はなく、ろ過効率を上げるた
めに加圧、吸引などの処理を施しても良い。多孔質物質
の添加量はスラリー中の難燃剤１００重量部に対し０．
１〜５０重量部、好ましくは０．５〜４０重量部であ
る。

【００４８】二次凝集粒子の少ないワニスや電気絶縁膜
を得るためには、難燃剤として、上述してきた本発明の
難燃剤のスラリーを用いるのが好適である。本発明の難
燃剤のスラリーは、上述してきた表面処理された難燃剤
と有機溶剤とからなるものである。スラリーは、ａ）上
述の方法により得られた表面処理後、有機溶剤除去前の
難燃剤のスラリーであっても、ｂ）ａ）のスラリーに更
に有機溶剤を添加したスラリーであっても、ｃ）ａ）の
スラリーから有機溶剤を一部除去したスラリーであって
も、ｄ）表面処理後、有機溶剤を除去、乾燥した難燃剤
と有機溶剤とを混合し、新たに調製された難燃剤のスラ
リーであってもよい。スラリーを構成する有機溶剤は、
上述と同様の極性有機溶剤や非極性有機溶剤が挙げられ
る。スラリーを混合する方法に格別な制限はなく、例え
ば、攪拌翼を有する攪拌機や、湿式分散機などを用いる
方法が挙げられる。本発明のスラリーは、有機溶剤中で
の難燃剤の濃度は、特に制限されないが、ワニス調製時
の操作性の良さから、通常５〜８０重量％、好ましくは
１０〜６０重量％である。本発明のスラリーは、スラリ
ー中に存在する粒子の二次粒子径が３０μｍ以下、好ま
しくは２５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下のも
のである。このようなスラリーを用いることにより、二
次凝集粒子の少ないワニスを、容易に得ることができ
る。難燃剤のスラリーの固形分濃度は、処望の組成を配
合可能な範囲で、５重量％以上、９０重量％以下であ
り、粘度は作業性の点から１００Ｐａ・ｓ以下である。

【００４９】本発明のワニスには、所望に応じて、その
他の成分を配合することができる。例えば、ビアホール
やスルホールなどの孔を形成するときに使用されるレー
ザ光線の波長領域に吸収を持つ化合物を配合するのが良
い。例えば、炭酸ガスレーザを用いる場合シリカなどが
用いられ、紫外線レーザ（例えばＵＶ−ＹＡＧレーザな
ど）を用いる場合、紫外線吸収剤が用いられる。レーザ
光線の波長領域に吸収を持つ化合物を含有する組成物を
用いた場合にはレーザによる孔形成が容易で、スミアの
発生なども少なくなる。紫外線吸収剤の具体例として
は、フェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート
などのサリチル酸系化合物；２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノ
ン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ
ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−
スルホベンゾフェノン、ビス（２−ヒドロキシ−４−メ
トキシベンゾイルフェニル）メタンなどのベンゾフェノ
ン系化合物；

【００５０】２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ
−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’
−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テト
ラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニ
ル］ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス［４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ
−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−
［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールなどのベンゾト
リアゾール系化合物；２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシベンゾエートなどのベンゾエート系化合物；２
−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニル
アクリレート、エチル−２−シアノ−３，３’−ジフェ
ニルアクリレートなどのシアノアクリレート系化合物；
ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル４）
セバケートなどのヒンダードアミン系化合物；ニッケル
ビス（オクチルフェニル）サルファイド、［２，２’−
チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノラート）］−
ｎ−ブチルアミンニッケルなどの有機金属化合物、酸化
亜鉛、酸化すず、酸化チタン、炭酸カルシウム、シリ
カ、クレーなどの無機化合物などが挙げられる。これら
の中でも、ベンゾトリアゾール系化合物が環構造含有重
合体との相溶性や加熱硬化時の安定性に優れる点から好
ましい。紫外線吸収剤の量は、絶縁性重合体１００重量
部に対して、通常０．１〜３０重量部、好ましくは１〜
１０重量部である。

【００５１】このほか、軟質重合体（特に水素化ビスフ
ェノールＡ型液状エポキシ化合物などの常温で液状のエ
ポキシ樹脂が好ましい）、耐熱安定剤、耐候安定剤、老
化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
油、合成油、ワックス、乳剤、充填剤などをその他の成
分として用いることができる。その配合割合は、本発明
の目的を損ねない範囲で適宜選択される。

【００５２】上述してきた絶縁性重合体、硬化剤、難燃
剤（難燃剤のスラリーを含む）、必要に応じて配合され
るその他の成分、及び有機溶剤を混合して、本発明のワ
ニスを得る。ワニスを得る方法に格別な制限はない。こ
れらを混合する際の温度は、硬化剤による反応が作業性
に影響を及ぼさない範囲であり、さらには安全性の点か
ら混合時に使用する有機溶剤の沸点以下が好ましい。有
機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系
有機溶剤；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン
などの脂肪族炭化水素系有機溶剤；シクロペンタン、シ
クロヘキサンなどの脂環式炭化水素系有機溶剤；クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなど
のハロゲン化炭化水素系有機溶剤；メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノンなどのケトン系有機溶剤などを挙げること
ができる。これらの有機溶剤は、それぞれ単独で、ある
いは２種以上を組み合わせて用いることができる。

【００５３】これら有機溶剤のなかでも、微細配線への
埋め込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、
芳香族炭化水素系有機溶剤や脂環式炭化水素系有機溶剤
のような非極性有機溶剤と、ケトン系有機溶剤のような
極性有機溶剤とを混合した混合有機溶剤が好ましい。こ
れらの非極性有機溶剤と極性有機溶剤の混合比は適宜選
択できるが、重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ま
しくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：
８０〜８０：２０の範囲である。

【００５４】有機溶剤の使用量は、厚みの制御や平坦性
向上などの目的に応じて適宜選択されるが、ワニスの固
形分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６
５重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲
である。

【００５５】各成分の混合方法は、常法に従えばよく、
例えば、攪拌子とマグネチックスターラーを使用した攪
拌、高速ホモジナイザー、ディスパージョン、遊星攪拌
機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロールなどを使用し
た方法などで行うことができる。

【００５６】本発明のワニスを、乾燥して本発明の成形
物を得る。成形物は通常、任意の支持体上に塗布、乾燥
され、シート又はフィルムの形状となる。このような成
形物を得るための支持体としては、樹脂フィルム（キャ
リアフィルム）、金属箔などが挙げられる。本発明の成
形物として、シート又はフィルムであるものを得る場
合、その成形法は特に限定されないが、本発明において
は溶液キャスト法や溶融キャスト法で成形するのが好ま
しい。溶液キャスト法では、ワニスを支持体に塗布した
後に、有機溶剤を乾燥除去する。溶液キャスト法に使用
する支持体として、樹脂フィルム（キャリアフィルム）
や金属箔などが挙げられる。樹脂フィルムとしては、通
常、熱可塑性樹脂フィルムが用いられ、具体的には、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネイトフィ
ルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレ
ートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。こ
れら樹脂フィルムの中、耐熱性や耐薬品性、積層後の剥
離性などの観点からポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリエチレンナフタレートフィルムが好ましい。金
属箔としては、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、
クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられる。導電性が良好
で安価である点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が
好適である。支持体の厚さは特に制限されないが、作業
性等の観点から、通常１μｍ〜１５０μｍ、好ましくは
２μｍ〜１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍであ
る。

【００５７】塗布方法として、デイップコート、ロール
コート、カーテンコート、ダイコート、スリットコート
などの方法が挙げられる。また有機溶剤の除去乾燥の条
件は、有機溶剤の種類により適宜選択され、乾燥温度
は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃で
あり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１
分〜３０分である。

【００５８】フィルム又はシートの厚みは、通常０．１
〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好
ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィルム又は
シートを単独で得たい場合には、支持体上にフィルム又
はシートを形成した後、支持体から剥離する。このほ
か、本発明のワニスを有機合成背にやガラス繊維などの
繊維基材に含浸させてプリプレグを形成することもでき
る。

【００５９】本発明の電気絶縁膜は、任意の基板上に、
本発明のワニスを、塗布、乾燥した後、硬化して得られ
る硬化物である。基板が導電体回路層を有する基板であ
るものは、本発明の積層体である。導電体回路層を有す
る基板の具体例として、プリント配線基板、シリコンウ
ェハー基板などの、電気絶縁層（１）と、その表面に形
成された導電体回路層（ａ）とからなる内層基板が挙げ
られる。内層基板の厚みは、通常５０μｍ〜２ｍｍ、好
ましくは６０μｍ〜１．６ｍｍ、より好ましくは１００
μｍ〜１ｍｍである。

【００６０】内層基板を構成する電気絶縁層（１）の材
料は電気絶縁性のものであれば特に限定されない。電気
絶縁層（１）の材料として、例えば、脂環式オレフィン
重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アク
リル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、
芳香族ポリエーテル重合体、シアネートエステル重合
体、ポリイミドなどを含有する硬化性組成物を、硬化し
てなるものが挙げられる。また、内層基板は、ガラス繊
維、樹脂繊維などを強度向上のために含有させたもので
あってもよい。 内層基板を構成する導電体回路層
（ａ）の材料は、通常、導電性金属である。

【００６１】本発明の電気絶縁膜及び積層体を得る方法
としては、（Ａ）本発明のワニスを、導電体回路層を有
する基板に塗布した後、有機溶剤を除去乾燥して得られ
る本発明の成形物を硬化させる方法、又は（Ｂ）フィル
ム又はシート上に成形した本発明の成形体を、加熱圧着
等により導電体回路層を有する基板上に重ね合わせた後
に、硬化させる方法が挙げられる。電気絶縁層の平滑性
が確保でき、多層形成が容易な点から、（Ｂ）の方法に
より積層体を得るのが好ましい。また、本発明の電気絶
縁膜中、走査型電子顕微鏡により確認される５００μｍ
四方の範囲に、通常３０μｍ超過、好ましくは２５μｍ
超過、より好ましくは２０μｍ超過の大きい粒子が存在
しない。本発明の電気絶縁膜の厚みは、通常０．１〜２
００μｍ、好ましくは１〜１５０μｍ、より好ましくは
１０〜１００μｍである。

【００６２】（Ａ）の方法において、本発明のワニスを
内層基板に塗布する方法は、特に制限されず、例えば、
本発明のワニスをダイコーター、ロールコーター又はカ
ーテンコーターにより基板に塗布する方法が挙げられ
る。基板にワニスを塗布した後、７０〜１４０℃、１〜
３０分乾燥し、更に通常３０〜４００℃、好ましくは７
０〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃、通常
０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間、硬化させ
て、本発明の電気絶縁膜（電気絶縁層（２））が形成さ
れた本発明の積層体を得る。

【００６３】（Ｂ）の方法において、本発明の成形物で
あるフィルム又はシートを基板上に積層するには、通
常、支持体付きのフィルム又はシートを、当該フィルム
又はシートが内層基板面に接するように重ね合わせ、加
圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、
ロールラミネータなどの加圧機を使用して加熱圧着す
る。加熱圧着は、配線への埋め込み性を向上させ、気泡
等の発生を抑えるために真空下で行うのが好ましい。加
熱圧着時の温度は、通常３０〜２５０℃、好ましくは７
０〜２００℃、圧着力は、通常１０ｋＰａ〜２０ＭＰ
ａ、好ましくは１００ｋＰａ〜１０ＭＰａ、圧着時間
は、通常３０秒〜５時間、好ましくは１分〜３時間であ
り、通常１００ｋＰａ〜１Ｐａ、好ましくは４０ｋＰａ
〜１０Ｐａに雰囲気を減圧する。圧着後、上述と同様に
して本発明の電気絶縁膜（電気絶縁層（２））が形成さ
れた本発明の積層体を得る。前記支持体付きフィルム又
はシートを基板上に積層させた場合には、前記支持体が
付いたまま硬化させてもよいが、通常は、前記支持体を
剥がした後に硬化させる。

【００６４】内層基板と電気絶縁層（２）との密着力を
向上させるために内層基板を前処理することが好まし
い。前処理としては、アルカリ性亜塩素酸ナトリウム水
溶液や過マンガン酸等を内層基板表面に接触させて表面
を粗化する方法、アルカリ性過硫酸カリウム水溶液、硫
化カリウム−塩化アンモニウム水溶液等により表面を酸
化した後に還元する方法、及び内層基板の導電体回路部
分にメッキを析出させ、粗化する方法、トリアジンチオ
ール化合物やシラン化合物などによりプライマー層を形
成する方法等が挙げられる。なかでも２−ジ−ｎ−ブチ
ルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジンなど
のトリアジンチオール化合物を用いたプライマー層を形
成する方法は、導電体回路が銅である場合に、銅の腐食
がなく、高い密着性が得られる点で好適である。

【００６５】このようにして内層基板に、本発明の電気
絶縁膜（電気絶縁層（２））を形成させ、電気絶縁層
（２）が最表面となった本発明の積層体が得られる。こ
の積層体を最終的な回路基板として得た場合、当該基板
において、本発明の電気絶縁膜（電気絶縁層（２））は
ソルダーレジスト層として機能する。

【００６６】本発明の積層体を更に内層基板として、電
気絶縁層（２）上に新たな導電体回路を形成し、多層回
路基板を得ることができる。この多層回路基板は導電体
回路層を有する基板上に、本発明の電気絶縁膜からなる
層が形成された積層体構造を有する。従ってこの多層回
路基板も、本発明の積層体である。多層回路基板を製造
する方法に格別な制限はないが、例えば、次の方法が挙
げられる。電気絶縁層（２）にビアホール形成用の開口
を形成し、次いで、この電気絶縁層（２）表面とビアホ
ール形成用開口の内壁面にスパッタリング等のドライプ
ロセス（乾式めっき法）により金属薄膜を形成した後、
金属薄膜上にめっきレジストを形成させ、更にその上に
電解めっき等の湿式めっきによりめっき膜を形成する。
このめっきレジストを除去した後、エッチングにより金
属薄膜と電解めっき膜からなる導電体回路（ｂ）を形成
する。電気絶縁層（２）と導電体回路（ｂ）との密着力
を高めるために、電気絶縁層（２）の表面を過マンガン
酸やクロム酸等の液と接触させ、あるいはプラズマ処理
等を施すことができる。導電体回路（ａ）と導電体回路
（ｂ）との間を接続するビアホール形成用の開口を電気
絶縁層（２）に形成させる方法は、ドリル、レーザ、プ
ラズマエッチング等の物理的処理等によってもよいし、
本発明の成形物である硬化により電気絶縁層を形成する
前の膜をマスキングして光硬化させ、未硬化部分を取り
除いた後、硬化する、いわゆるフォトリソグラフィーに
よってもよい。これらの方法のうち、絶縁層の特性を低
下させず、より微細なビアホールを形成することができ
るという観点から、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、
ＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザによる方法が好ましい。
また、上記回路基板において、導電体回路の一部は、金
属電源層や金属グラウンド層、金属シールド層になって
いてもよい。

【００６７】多層回路基板は、コンピューターや携帯電
話等の電子機器において、ＣＰＵやメモリなどの半導体
素子、その他の実装部品を実装するためのプリント配線
板として使用できる。特に、微細配線を有するものは高
密度プリント配線基板として、高速コンピューターや、
高周波領域で使用する携帯端末の配線基板として好適で
ある。

【００６８】

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、部及び％は、特に
断りのない限り重量基準である。本実施例において行っ
た評価方法は以下のとおりである。 （１）分子量 トルエンを有機溶剤とするゲル・パーミエーション・ク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値
として測定した。 （２）水素化率及びカルボキシル基含有率 水素添加前の重合体中の不飽和結合のモル数に対する水
素添加率（水素添加添加率）及び重合体中の総モノマー
単位数に対する（無水）マレイン酸残基のモル数の割合
（カルボキシル基含有率）は^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルに
より測定した。 （３）ガラス移転温度（Ｔｇ） 示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。 （４）フィラーの一次粒子径の平均値 走査型電子顕微鏡にて、フィラー１０００個の長径を計
測して、得られた値の平均を、フィラーの一次粒子径の
平均値とした。 （５）フィラーのアスペクト比 走査型電子顕微鏡にて、フィラー１０００個の長径と短
径をそれぞれ計測して、得られた値の平均を、次式に当
てはめてアスペクト比を求めた。 アスペクト比＝（長径の平均）／（短径の平均）

【００６９】（６）二次粒子径の評価 スラリー及びワニス中に存在する難燃性成分の二次粒子
径の評価はＪＩＳＫ５４００にて定めるつぶの試験Ａ法
にて評価した。粒の大きさが２０μｍ以下の場合を○、
２０μｍを超え、３０μｍ以下の場合を△、３０μｍを
超えるものを×とした。電気絶縁膜（基板上の電気絶縁
層）中に存在する難燃性付与剤の二次粒子径の評価は、
絶縁層をイオン集束ビームにて切断した後、断面を走査
型電子顕微鏡にて５００μｍ四方の範囲を観察し、凝集
体の大きさが２０μｍを超えるものが無い場合を○、凝
集体の大きさが２０μｍを超えるが３０μｍ以下の場合
を△、３０μｍを超えるものが存在する場合を×とし
た。

【００７０】（７）絶縁性 コア材の両面に電気絶縁層がそれぞれ３層積層された両
面合計６層の多層回路基板の２層目と３層目の電気絶縁
層間で、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に定めるベタ導体−ライン
間評価用パターンを形成した後、直流電圧５．５Ｖを印
加した状態で、１２０℃、飽和水蒸気条件下に放置し、
１００時間後に、電気抵抗値を測定した。電気抵抗が１
０^９オーム以上のものは◎、１０^８オーム以上で１０^９
オーム未満のものは○、１０^８オーム未満で短絡してな
いものは△、短絡しているものは×と評価した。

【００７１】（８）誘電率の吸湿変化 ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に定める誘電率測定方法に従い、常
態中と吸湿時の誘電率を測定した。常態中の誘電率は、
ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に定める４０μｍの寸法例に合わせ
て作製した基材を２１℃、５０％湿度中２４時間放置し
た後、測定された値である。吸湿時の誘電率は、ＪＰＣ
Ａ−ＢＵ０１に定める４０μｍの寸法例に合わせて作製
した基材を２１℃の水中に２４時間浸漬した後、測定さ
れた値である。（吸湿時の誘電率）／（常態中の誘電
率）で表される値が１．０５以下の場合を◎、値が１．
０５を超え、１．１以下の場合を○、値が１．１を超
え、１．５以下の場合を△、値が１．５を超えている場
合を×として評価した。尚、本評価に用いた基材の作製
は、以下の通り行った。多層回路基板を製造するのに用
いたワニスを表面が平滑なポリエチレンナフタレートフ
ィルムにドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃で
１０分間加熱乾燥した後１５０℃の窒素オーブン中に１
２０分間放置して、電気絶縁膜を得た。この電気絶縁膜
の両面にアルミを蒸着して導電体を形成した後、ＪＰＣ
Ａ−ＢＵ０１に定める４０μｍの寸法例の測定用基材を
作製した。

【００７２】（９）難燃性の評価 コア材の両面に電気絶縁層がそれぞれ３層積層された両
面合計６層の多層回路基板の導体が無い部分を、幅１３
ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状に切断し、試験片を作製
した。メタンガスを管の口径９．５ｍｍ、管の長さ１０
０ｍｍのブンゼンバーナーにて燃焼させて高さ１９ｍｍ
の炎に調整して、得られた試験片に着火するまで接炎し
た。着火後直ちに炎を外し、試験片が燃焼している時間
を計測した。試験片が消炎後、直ちに再度試験片に着火
するまで接炎した。二度目の着火後も直ちに炎を外し、
試験片が燃焼している時間を計測した。一度目の試験片
の燃焼時間と二度目の試験片の燃焼時間の合計が５秒以
内のものを「○」、５秒を超え１０秒以内のものを
「△」、１０秒を超えるものを「×」として評価した。

【００７３】（１０）ワニスの保存安定性評価 Ｅ型粘度計を用いて、ワニス作製直後の粘度ａ、および
２５℃、７２時間放置後の粘度ｂをそれぞれ測定した。
粘度ａと粘度ｂから粘度上昇率を算出し、粘度上昇率が
１０％以下のものを「○」、１０％を超え３０％以下の
ものを「△」、３０％を超えるものを「×」とした。 （１１）硬化物の平坦性評価 硬化物の平面平滑性は、配線厚１８ミクロンの配線板を
切断し、走査型顕微鏡にて硬化物層の厚みを測定した。
評価は最薄部と最厚部の差が６ミクロン以下のものは
「○」、６ミクロンを超え８ミクロン以下のものは
「△」、８ミクロンを超えるものを「×」とした

【００７４】実施例１微粉化ポリ燐酸メラミン塩スラリーＡ製造 一次粒子の長径が１０μｍを超えるものが５５％、長径
平均１７μｍ、アスペクト比１３のポリリン酸メラミン
塩３００部をキシレン１０２０部、シクロペンタノン６
８０部の混合有機溶剤にて、セパラブルフラスコ中で３
枚羽根攪拌翼にて攪拌して、１５重量％のポリリン酸メ
ラミン塩のスラリーを得た。得られたポリリン酸メラミ
ン塩スラリーを乾燥させ走査型顕微鏡にて観察したとこ
ろ、一次粒子は原料と同様に長径が１０μｍを超えるも
のが５５％、長径平均１７μｍ、アスペクト比１３であ
った。得られたスラリー２０００部を０．４ｍｍのジル
コニアビーズを８３容量％充填させた横型湿式分散機を
用いて、滞留時間１８分で循環させながら１２０分間粉
砕処理を行い、微粉化ポリリン酸メラミン塩スラリーＡ
を得た。得られたポリリン酸メラミン塩スラリーＡを乾
燥させ走査型顕微鏡にて観察したところ一次粒子の長径
が１０μｍを超えるものが０．５％、長径平均１．３μ
ｍ、アスペクト比１．６であった。得られたスラリーＡ
の二次粒子径を評価したところ×であった。

【００７５】微粉化ポリ燐酸メラミン塩スラリーＢの製
造 セパラブルフラスコ中で微粉化ポリリン酸メラミン塩ス
ラリーＡ ２０００部にジイソプロポキシアルミニウム
モノオレイイルアセトアセテートを１２部加え、３枚羽
根攪拌翼にて２５℃で、１５分攪拌して表面処理ポリリ
ン酸メラミン塩スラリーＢを得た。得られたスラリーＢ
の二次粒子径を評価したところ○であった。

【００７６】８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．
１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エンを開環重合
し、次いで水素添加反応を行い、数平均分子量（Ｍｎ）
＝３１，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８０
０、Ｔｇ＝約１４０℃の水素化重合体を得た。得られた
ポリマーの水素化率は９９％以上であった。得られた重
合体１００部、無水マレイン酸４０部及びジクミルパー
オキシド５部をｔ−ブチルベンゼン２５０部に溶解し、
１４０℃で６時間反応を行った。得られた反応生成物溶
液を１０００部のイソプロピルアルコール中に注ぎ、反
応生成物を凝固させマレイン酸変性水素化重合体を得
た。この変性水素化重合体を１００℃で２０時間真空乾
燥した。この変性水素化重合体の分子量はＭｎ＝３３，
２００、Ｍｗ＝６８，３００でＴｇは１７０℃であっ
た。マレイン酸基含有率は２５モル％であった。

【００７７】前記変性水素化重合体１００部、１，３−
ジアリル−５−グリシジルイソシアヌレート５０部、ジ
クミルペルオキシド５部、前記記載の表面処理微粉化ポ
リリン酸メラミン塩スラリーＢ２００部、２−［２−ヒ
ドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）
フェニル］ベンゾトリアゾール５部及び水素化ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ Ｅ
ＸＡ−７０１５、大日本インキ株式会社製、エポキシ当
量＝２１０ｇ）２０部、１−ベンジル−２−フェニルイ
ミダゾール０．１部をキシレン４０部及びシクロペンタ
ノン２５部からなる混合有機溶剤に溶解させてワニスＡ
を得た。

【００７８】当該ワニスを、ダイコーターを用いて、３
００ｍｍ角の厚さ４０μｍのポリエチレンナフタレート
フィルム（キャリアフィルム）に塗工し、その後、窒素
オーブン中で１２０℃で１０分間乾燥させ樹脂厚み４５
μｍのキャリアフィルム付きドライフィルムを得た。

【００７９】一方、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−４，６
−ジメルカプト−ｓ−トリアジンの０．１重量％イソプ
ロピルアルコール溶液を調製し、この溶液に配線幅及び
配線間距離が５０μｍ、導体厚みが１８μｍで表面がマ
イクロエッチング処理された内層回路を形成された厚さ
０．８ｍｍの両面銅張り基板（ガラスフィラー及びハロ
ゲン不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロス
に含浸させて得られたコア材）を２５℃で１分間浸漬し
た後、９０℃で１５分間、窒素置換されたオーブン中で
乾燥させてプライマー層を形成させて、内層基板を得
た。

【００８０】前述の内層基板上に、前述のキャリアフィ
ルム付きドライフィルムを、樹脂面が内側となるように
して両面銅張り基板両面に重ね合わせた。これを、一次
プレスとして耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラ
ミネーターを用いて、２００Ｐａに減圧して、温度１１
０℃、圧力０．５ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。次い
で、二次プレスとして耐熱ゴム製プレス板による工程の
プレス時間と、金属製プレス板で覆われた耐熱ゴム製プ
レス板を上下に備えた真空ラミネーターを用いて、２０
０Ｐａに減圧して、温度１４０℃、圧力１．０ＭＰａで
６０秒間加熱圧着した。そして、ポリエチレンナフタレ
ートフィルムのみを剥がし、１５０℃の窒素オーブン中
に１２０分間放置し、内層基板上に電気絶縁層を形成し
た。

【００８１】得られた積層板の、絶縁層部分に、ＵＶ−
ＹＡＧレーザ第３高調波を用いて直径３０μｍの層間接
続のビアホールを形成した。ビアホールを形成した基板
を、周波数１３.５６ＭＨｚ、出力１００Ｗ、ガス圧０.
８Ｐａのアルゴンプラズマに、基板表面温度を約１３０
℃に保持して、１０分間さらした。次にプラズマ処理さ
れた回路基板を出力５００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａでニッ
ケルスパッタ処理し、厚さ０.１μｍのニッケル膜を形
成させ、次いで出力５００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａで銅ス
パッタ処理し、厚さ０.３μｍの銅薄膜を形成させて、
金属薄膜を有する積層板を得た。この積層板表面に市販
の感光性ドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さら
に、このドライフィルム上に所定のパターンのマスクを
密着させ露光した後、現像してレジストパターンを得
た。次にレジスト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ
１８μｍの電解銅メッキ膜を形成させた。次いで、レジ
ストパターンを剥離液にて剥離除去し、塩化第二銅と塩
酸混合溶液によりエッチング処理を行うことにより、前
記金属薄膜及び電解銅メッキ膜からなる配線パターンを
形成した。そして最後に、１７０℃で３０分間アニール
処理をして両面２層の配線パターン付き多層回路基板を
得た。

【００８２】前述で得られた両面２層の配線パターン付
き多層回路基板の外層を１層目とし、前述の内層回路基
板として使用し、前述同様にして絶縁層、導電体層を繰
り返し形成し両面合計６層の多層回路基板を得た。評価
結果を表１に示す。

【００８３】実施例２微粉化ポリ燐酸メラミン塩スラリーＣの製造 一次粒子の長径が１０μｍを超えるものが５５％、長径
平均１７μｍ、アスペクト比１３のポリリン酸メラミン
塩３００部、キシレン１０２０部、シクロペンタノン６
８０部、ジイソプロポキシアルミニウムモノオレイイル
アセトアセテート１２部を０．４ｍｍのジルコニアビー
ズを８３容量％充填させた横型湿式分散機を用いて滞留
時間１８分で循環させながら６０分間粉砕処理を行い、
微粉化ポリリン酸メラミン塩スラリーＣを得た。得られ
たポリリン酸メラミン塩スラリーを乾燥させ走査型顕微
鏡にて観察したところ一次粒子の長径が１０μｍを超え
るものが０．３％、長径平均１．１μｍ、アスペクト比
１．４であった。得られたスラリーＣの二次粒子径を評
価したところ○であった。

【００８４】表面処理微粉化ポリリン酸メラミン塩スラ
リーＢにかえて、ポリリン酸メラミン塩スラリーＣを用
いる以外は実施例１と同様にして多層回路基板を得た。
評価結果を表１に示す。

【００８５】実施例３ 変性水素化重合体１００部にかえて、エポキシ樹脂ＹＤ
−７０１１（東都化成社製）３０部とポリアミド樹脂マ
クロメトル６２１７（ヘンケル白水社製）３０部の配合
物を用いる以外は実施例１と同様にして多層回路基板を
得た。評価結果を表１に示す。

【００８６】比較例１ 表面処理微粉化ポリリン酸メラミン塩スラリーＢにかえ
て、ポリリン酸メラミン塩スラリーＡを用いる以外は実
施例３と同様にして多層回路基板を得た。評価結果を表
１に示す。

【００８７】

【表１】

【００８８】実施例４微粉化ポリ燐酸メラミン塩スラリーＤの製造 先に得られたスラリーＢ １０００ｇに多孔質物質とし
てシリカゲル（商品名：Ｗａｋｏｇｅｌ Ｃ−３００Ｈ
Ｇ、和光純薬社製、粒径：４０〜６０μｍ、細孔径：７
ｎｍ）３０ｇを加え２５℃で２４時間放置した後、カプ
セルフィルター（フィラー入りファイナルフィルター：
１０μｍ、株式会社ロキテクノ社製）を用いて多孔質物
質をろ別し、微紛化ポリリン酸メラミン塩スラリーＤを
得た。

【００８９】実施例１で得た変性水素化重合体１００
部、ビスフェノールＡビス（プロピレングリコールグリ
シジルエーテル）エーテル３７．５部、１，３−ジアリ
ル−５−（２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル）
−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，
５Ｈ）−トリオン１２．５部、ジクミルペルオキシド６
部、前記記載の表面処理微粉化ポリリン酸メラミン塩ス
ラリーＤ ２００部、２−［２−ヒドロキシ−３，５−
ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾト
リアゾール５部及び１−ベンジル−２−フェニルイミダ
ゾール０．１部をキシレン１２０部及びシクロペンタノ
ン８０部からなる混合有機溶剤に溶解させてワニスＤを
得た。得られたワニスＤの保存安定性を評価した。評価
結果を表２に示す。

【００９０】得られたワニスＤを２５℃で７２時間放置
した後、ダイコーターを用いて、３００ｍｍ角の厚さ４
０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（キャリア
フィルム）に塗工し、その後、窒素オーブン中で１２０
℃で１０分間乾燥させ樹脂厚み４５μｍのキャリアフィ
ルム付きドライフィルムを得た。

【００９１】一方、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−４，６
−ジメルカプト−ｓ−トリアジンの０．１重量％イソプ
ロピルアルコール溶液を調製し、この溶液に配線幅及び
配線間距離が５０μｍ、導体厚みが１８μｍで表面がマ
イクロエッチング処理された内層回路を形成された厚さ
０．８ｍｍの両面銅張り基板（ガラスフィラー及びハロ
ゲン不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロス
に含浸させて得られたコア材）を２５℃で１分間浸漬し
た後、９０℃で１５分間、窒素置換されたオーブン中で
乾燥させてプライマー層を形成させて、内層基板を得
た。

【００９２】前述の内層基板上に、前述のキャリアフィ
ルム付きドライフィルムを、樹脂面が内側となるように
して両面銅張り基板両面に重ね合わせた。これを、一次
プレスとして耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラ
ミネーターを用いて、２００Ｐａに減圧して、温度１１
０℃、圧力０．５ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。次い
で、二次プレスとして金属製プレス板で覆われた耐熱ゴ
ム製プレス板を上下に備えた真空ラミネーターを用い
て、２００Ｐａに減圧して、温度１４０℃、圧力１．０
ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。そして、ポリエチレン
ナフタレートフィルムのみを剥がし、窒素オーブン中に
１４０℃、３０分、１７０℃、６０分間放置し、内層基
板上に電気絶縁層を形成した。

【００９３】得られた積層板の所定位置に、３８μｍの
アパーチャを用いたＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（ＭＯ
ＤＥＬ ５３１０：Ｅｌｅｃｔｏｒｏ Ｓｃｉｅｎｔｆ
ｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｉｎｃ．製）にて、加工条
件、周波数４０ｋＨｚ、出力０．６Ｗ、ショット数４０
で直径４０μｍの層間接続、端子露出用のビアホールを
形成した。ビアホールを形成した基板を、周波数１３.
５６ＭＨｚ、出力１００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａのアルゴ
ンプラズマに、基板表面温度を約１３０℃に保持して、
１０分間さらした。

【００９４】次にプラズマ処理された回路基板を出力５
００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａでニッケルスパッタ処理し、
厚さ０.１μｍのニッケル膜を形成させ、次いで出力５
００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａで銅スパッタ処理し、厚さ０.
３μｍの銅薄膜を形成させて、金属薄膜を有する積層板
を得た。この積層板表面に市販の感光性ドライフィルム
を熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上
に所定のパターンのマスクを密着させ露光した後、現像
してレジストパターンを得た。次にレジスト非形成部分
に電解銅メッキを施し厚さ１８μｍの電解銅メッキ膜を
形成させた。次いで、レジストパターンを剥離液にて剥
離除去し、塩化第二銅と塩酸混合溶液によりエッチング
処理を行うことにより、前記金属薄膜及び電解銅メッキ
膜からなる配線パターンを形成した。そして最後に、１
７０℃で３０分間アニール処理をして両面２層の配線パ
ターン付き多層回路基板Ａを得た。得られた両面２層の
配線パターン付き多層回路基板の平坦性を評価した。評
価結果を表２に示す。

【００９５】実施例５ 変性水素化重合体１００部にかえて、エポキシ樹脂ＹＤ
−７０１１（東都化成社製）３０部とポリアミド樹脂マ
クロメトル６２１７（ヘンケル白水社製）３０部の配合
物を用いる以外は実施例４と同様にしてワニスを得、多
層回路基板を得た。評価結果を表２に示す。

【００９６】

【表２】

【００９７】これらのことから、ワニスを多孔質物質と
接触させるとワニスの粘度上昇が生じないため、長期保
存後でも安定して平坦性に優れた膜を得ることができる
ことが判る。

【００９８】

【発明の効果】本発明のワニスを用いれば、環境変化に
よっても電気的な影響を受けにくく、絶縁性に優れた多
層回路基板を容易に得られる。難燃性にも優れているの
で、このワニスを用いて得られる多層回路基板は、コン
ピューターや携帯電話等の電子機器において、ＣＰＵや
メモリなどの半導体素子、その他の実装部品を実装する
ためのプリント配線板として使用できる。更に、ワニス
を多孔質物質と接触させることで保存安定性に優れたワ
ニスを得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＥＲ Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＥＲ ５Ｅ３４６ ＣＥＺ ＣＥＺ ５Ｇ３０５ Ｃ０８Ｋ 5/16 Ｃ０８Ｋ 5/16 9/00 9/00 Ｃ０８Ｌ 45/00 Ｃ０８Ｌ 45/00 65/00 65/00 Ｃ０９Ｄ 5/25 Ｃ０９Ｄ 5/25 7/12 7/12 145/00 145/00 Ｃ０９Ｋ 21/00 Ｃ０９Ｋ 21/00 Ｈ０１Ｂ 3/30 Ｈ０１Ｂ 3/30 Ｍ Ｎ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｆターム(参考） 4F071 AA03 AA21 AA39 AC12 AE02 AE07 AE19 AF39 BA02 BA03 BB02 BC01 4F100 AA20B AH03B AH03H AH08B AH08H AK01B AK02B AK42 AL05B AL07 AT00A BA02 CA02B CA08B DE01B EJ67B GB43 JB09B JB12B JG04B JG05 JJ07 JM02B JM10B 4H028 AA40 AA42 BA05 4J002 BF051 BG041 BG051 BH021 BK001 CD001 CE001 CH061 CL012 CM021 CM041 DE077 DE127 DE147 DK007 EN036 EN046 EN076 EN126 ER006 ER027 EU186 EW047 EW137 FB087 FB167 FD137 FD142 FD146 FD150 HA06 4J038 CM001 KA03 KA06 KA14 NA15 5E346 AA05 AA06 AA12 AA26 AA32 BB01 CC08 DD02 GG28 HH16 5G305 AA06 AA11 AB25 AB27 BA07 CA01 CA07 CA13 CA15 CA21 CA60 CB15 CD06 CD13

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性重合体、硬化剤、難燃剤及び有機
   溶剤を含有する硬化性のワニスであって、（１）難燃剤
   が、難燃性付与剤をカップリング剤で表面処理して得ら
   れたものであり、（２）ワニス中に存在する粒子の二次
   粒子径が３０μｍ以下であるワニス。
2. 【請求項２】 カップリング剤が金属キレート化合物で
   ある請求項１記載のワニス。
3. 【請求項３】 難燃性付与剤がハロゲンを含有しない化
   合物である請求項１又は２記載のワニス。
4. 【請求項４】 絶縁性重合体が脂環式オレフィン重合体
   である請求項１〜３のいずれかに記載のワニス。
5. 【請求項５】 硬化剤が含窒素化合物である請求項１〜
   ４のいずれかに記載のワニス。
6. 【請求項６】 請求項１記載のワニスを乾燥して得られ
   る成形物。
7. 【請求項７】 フィルム又はシートである請求項６記載
   の成形物。
8. 【請求項８】 請求項６記載の成形物を硬化してなる電
   気絶縁膜。
9. 【請求項９】 導電体回路層を有する基板上に、請求項
   ８記載の電気絶縁膜からなる電気絶縁層が形成された積
   層体。
10. 【請求項１０】 電気絶縁膜からなる電気絶縁層が、請
    求項７記載の成形物を加熱圧着してなるものである請求
    項９記載の積層体。
11. 【請求項１１】 難燃性付与剤とカップリング剤とを接
    触させて得られた難燃剤と、有機溶剤とからなる難燃剤
    スラリー。
12. 【請求項１２】 スラリー中に存在する粒子の二次粒子
    径が３０μｍ以下である請求項１１記載の難燃剤スラリ
    ー。
13. 【請求項１３】 請求項１１又は１２記載のスラリー
    と、絶縁性重合体と、硬化剤とを混合することを特徴と
    する請求項１記載のワニスを調製する方法。
14. 【請求項１４】 スラリーと多孔質物質とを接触させた
    後、多孔質物質を除去し、次いでスラリーと絶縁性重合
    体と、硬化剤と混合する請求項１３記載のワニスの調整
    方法。
15. 【請求項１５】 多孔質物質が、シリカゲルである請求
    項１４記載のワニスの調整方法。